DE112006003964T5 - Anordnung von halbleitenden Nanodrähten auf Metallelektroden - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, welches folgendes umfaßt:
einen ersten Schritt, bei dem eine Goldkatalysatorschicht auf einer leitenden Elektrode aus Aluminium (Al), Titan (Ti) und Platin (Pt) strukturiert wird, und
einen zweiten Schritt, bei dem ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht in dem Bereich synthetisiert werden, in dem die Goldkatalysatorschicht strukturiert ist, so daß die Nanodrähte sogleich angeordnet werden.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, spezieller ein Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, durch welches ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht auf einem spezifischen Bereich einer Elektrode aus Al, Ti, Pt usw. synthetisiert werden und die Nanodrähte unmittelbar während der Synthese auf dem gesamten Wafer angeordnet werden.
  • Hintergrund
  • Durch den in jüngerer Zeit erfolgten Fortschritt in der Halbleitertechnik sind elektronische Vorrichtungen zunehmend integriert.
  • Insbesondere auf dem Gebiet der ultra-großformatigen integrierten Schaltkreise, einschließlich CMOS usw., wird die Linienbreite der Vorrichtungen mit dem hohen Maß an Integration immer kleiner.
  • Da die Vorrichtungen kleiner werden, liegt eine zunehmende Betonung auf der Bedeutung der Nanodrähte, die diese elektrisch verbinden.
  • Die Nanodrähte finden auf den Gebieten der Optik, der Mechanik, der Elektronik usw. eine Vielzahl von Anwendungen.
  • Im allgemeinen bestehen die Nanodrähte aus GaAs, GaN, InP, ZnO usw., und ihre Verwendung als lichtemittierende Vorrichtungen wird aktiv erforscht.
  • Insbesondere GaN, GaAs, ZnO usw. werden verwendet, um blaues Licht emittierende Vorrichtungen zu entwickeln, und InAs und InP werden im Bereich von 1,3 bis 1,5 mm verwendet.
  • Aufgrund der vorteilhaften Eigenschaften, die innerhalb des Nanogrößenbereichs erzielt werden, und einer herausragenden Kristallinität können die Nanodrähte in einer Vielzahl von elektronischen Vorrichtungen, optoelektronischen Vorrichtungen, Sensoren usw. verwendet werden.
  • Der am meisten erforschte halbleitende Nanodraht ist der Zinkoxid-(ZnO-)Nanodraht. Eindimensionale Objekte im Nanomaßstab mit vielen Formen (Nanodraht, Nanostange, Nanobahn usw.) wurden durch ein carbothermisches Reduktionsverfahren, chemische Gasphasenabscheidung (CVD), ein naßchemisches Verfahren, gepulste Laserabscheidung (PLD) usw. synthetisiert, und ihre Anwendbarkeit bei der Verwendung als optoelektronische Vorrichtungen, Laservorrichtungen, chemische Sensoren usw. wurde ermittelt.
  • Silicium-Nanodraht kann in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen verwendet werden. Typischerweise wird Silicium-Nanodraht mittels chemischer Gasphasenabscheidung unter Verwendung eines Goldkatalysators und eines bestimmten Präkursors einer Dampfphasenquelle (z. B. Silangas) synthetisiert.
  • Bei Verwendung von Nanodraht-Vorrichtungen auf dem Gebiet der Halbleitertechnik im Vergleich zu der konventionellen Dünnfilm-basierten Technologie stellte sich jedoch die Anordnung der Nanodrähte als ein großes Hindernis heraus.
  • In dem herkömmlichen Verfahren muß nach der Synthese jedes Nanodrahts ein unabhängiges Verfahren, wie Elektronenstrahl-Lithographie, durchgeführt werden. Dann werden Elektroden daran angeklebt, um eine funktionsfähige Vorrichtung zu erhalten.
  • Unerwünschterweise ist dieses Verfahren kompliziert und teuer und somit für die Massenfertigung zu geringen Kosten nicht geeignet.
  • Dementsprechend besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung darin, dieses Problem zu lösen und ein Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode bereitzustellen, durch welches ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht auf einem spezifisch definierten Bereich einer Elektrode aus Aluminium, Titan, Platin usw. synthetisiert werden und die Nanodrähte unmittelbar bei der Synthese auf dem gesamten Wafer angeordnet werden. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, mehrere Nanodraht-Vorrichtungen auf einmal zu geringen Kosten zu synthetisieren. So kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in effizienter Weise verwendet werden, um verschiedene Nanovorrichtungen, einschließlich elektronischer Vorrichtungen, optoelektronischer Vorrichtungen, Laservorrichtungen, chemischer Sensoren usw. in großen Mengen zu synthetisieren.
  • Beschreibung
  • Im folgenden wird eine ausführliche Beschreibung der vorliegenden Erfindung gegeben.
  • Das Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt:
    einen ersten Schritt, bei dem eine Goldkatalysatorschicht auf einer leitenden Elektrode aus Aluminium (Al), Titan (Ti) und Platin (Pt) strukturiert wird, und
    einen zweiten Schritt, bei dem ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht in dem Bereich synthetisiert werden, in dem die Goldkatalysatorschicht strukturiert wurde, während die Nanodrähte zur gleichen Zeit angeordnet werden.
  • Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 veranschaulicht die regelmäßig auf einem Wafer angeordneten Vorrichtungen und die Nanodrähte, die mit Strukturen gewachsen sind, wie sie auf einer leitenden Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnet sind.
  • 2 veranschaulicht den Vorgang des Strukturierens einer leitenden Elektrode und einer Goldkatalysatorschicht unter Verwendung einer Maske gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt die Metalle, die das Wachstum des Zinkoxid-(ZnO-)Nanodrahts und des Silicium-(Si-)Nanodrahts unterstützen, in Abhängigkeit von der Zusammensetzung des Reaktionsgases und der Reaktionstemperatur gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt, daß der Zinkoxid-(ZnO-)Nanodraht nur auf dem Goldkatalysator und nicht auf einer leitenden Elektrode aus Aluminium gemäß der vorliegenden Erfindung wächst.
  • 5 zeigt, daß der Silicium-(Si-)Nanodraht nur auf dem Goldkatalysator und nicht auf einer leitenden Elektrode aus Titan gemäß der vorliegenden Erfindung wächst.
  • 6 zeigt, daß der Zinkoxid-Nanodraht sowohl auf einer leitenden Elektrode aus Platin gemäß der vorliegenden Erfindung als auf auch dem Goldkatalysator wächst.
  • Beste Ausführungsform
  • Nun wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben.
  • 1 veranschaulicht die regelmäßig auf einem Wafer angeordneten Vorrichtungen und die Nanodrähte, die mit Strukturen gewachsen wurden, wie sie auf einer leitenden Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnet sind.
  • 2 veranschaulicht das Verfahren des Strukturierens einer leitenden Elektrode und einer Goldkatalysatorschicht unter Verwendung einer Maske gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine leitende Elektrode (11) aus Aluminium (Al), Titan (Ti), Platin (Pt) usw. auf einem Halbleiterwafer (10) verwendet, wie in 1 gezeigt.
  • Eine Goldkatalysatorschicht (12) ist auf die leitende Elektrode (11) aufgebracht. Zuerst wird die leitende Elektrode (11) mittels RF-Sputtern unter Verwendung einer Lochmaske (20) zu einer Dicke von 3000–8000 Å und einer Linienbreite von 100 μm prozessiert, wie in 2 gezeigt.
  • Typischerweise wird das Aufbringen mittels RF-Sputtern unter den Bedingungen 30–80 W, Argon-(Ar-)Atmosphäre und 10–20 mTorr durchgeführt.
  • Eine Goldkatalysatorschicht (12) wird auf der resultierenden leitenden Elektrode (11) ausgebildet. Die Goldkatalysatorschicht (12) wird selektiv so strukturiert, daß Nanodrähte nur auf dem spezifischen Bereich der leitenden Elektrode (Al, Ti, Pt) (11) wachsen können.
  • Fachleuten auf dem Gebiet ist es wohlbekannt, daß, wenn Gold in der Katalysatorschicht (12) verwendet wird, Nanodrähte wachsen können, so daß sie an der gewünschten Stelle des Zinkoxid-(ZnO-) und Silicium-(Si-)Substrats angeordnet sind.
  • Dies ist darauf zurückzuführen, daß das Quellenmaterial mit dem Goldkatalysator unter Bildung einer eutektischen Legierung durch den Dampf-Flüssig-Fest-(VLS-)Mechanismus reagiert.
  • In der vorliegenden Erfindung wird die Goldkatalysatorschicht (12) mittels Ionensputtern mit einer Dicke von 20–100 Å strukturiert.
  • Nanodrähte werden synthetisiert, nachdem die Goldkatalysatorschicht (12) mittels Ionensputtern in einer gewünschten Dicke auf die leitende Elektrode (11) strukturiert wurde. Ein Zinkoxid-Nanodraht wird durch das carbothermische Reduktionsverfahren synthetisiert.
  • Zinkoxid und Graphitpulver (99,9%; ~325 Mesh; 1:1-Gemisch) werden als Quellenmaterial verwendet. Die Reaktion wird für 1–120 Minuten bei 800–1000°C durchgeführt.
  • Wenn die Reaktionstemperatur unterhalb von 800°C liegt, läßt sich die eutektische Legierung des Quellenmaterials und des Goldkatalysators nicht leicht bilden. Im Gegensatz dazu wird, wenn die Reaktionstemperatur über 1000°C beträgt, eher ein 3D- als ein 1D-Nanodraht in Form einer großen Platte erhalten. Wenn die Reaktionszeit außerhalb des obigen Bereichs liegt, läßt sich ein 1D-Nanodraht nicht leicht synthetisieren, oder es wird ein 3D- anstelle eines 1D-Nanodrahts in Form einer großen Platte erhalten.
  • Argon (10–200 sccm) wird als Trägergas verwendet, und Sauerstoff (0,1–10 sccm) wird als Reaktionsgas eingespeist.
  • Wenn die Fließgeschwindigkeit des Argongases weniger als 10 sccm beträgt, wird das Quellenmaterial nicht vollständig verdampft, was zu Schwierigkeiten bei der Nanodraht-Synthese führt. Auch eine Fließgeschwindigkeit von mehr als 200 sccm erschwert die Nanodraht-Synthese. Wenn die Fließgeschwindigkeit des Reaktionsgases Sauerstoff außerhalb des obigen Bereichs liegt, läßt sich ein 1D-Nanodraht nicht gut synthetisieren, oder es wird ein 3D- anstelle eines 1D-Nanodrahts in Form einer großen Platte erhalten.
  • Des weiteren wird durch die chemische Gasphasenabscheidung unter Verwendung eines Silangases ein Silicium-Nanodraht synthetisiert.
  • Bei einem Druck von 1–100 Torr werden ein Silan-(SiH4-)Gas und ein Wasserstoff-(H2-)Gas, verdünnt auf 5%, bei einer Fließgeschwindigkeit von ungefähr 10–100 sccm bzw. 10–200 sccm in das metallorganische Gas Helium (He) eingespeist.
  • Wenn der Reaktionsdruck außerhalb des obigen Bereichs liegt, läßt sich der Silicium-Nanodraht nicht richtig synthetisieren. Wenn die Fließgeschwindigkeit des Silangases und des Wasserstoffgases außerhalb des obigen Bereichs liegt, ist es schwierig, einen 1D-Nanodraht zu erhalten, oder es wird ein amorpher SiO2-Nanodraht erhalten.
  • Die Metalle, die bei einer spezifischen Zusammensetzung und Reaktionstemperatur zu Zinkoxid- und Silicium-Nanodrähten führen können, sind in 3 veranschaulicht.
  • Das heißt, 3 zeigt die Metalle, die das Wachstum des Zinkoxid-(ZnO-)Nanodrahts und des Silicium-(Si-)Nanodrahts fördern, in Abhängigkeit von der Zusammensetzung des Reaktionsgases und der Reaktionstemperatur.
  • Wenn beispielsweise das Verhältnis von Silan (SiH4)/Wasserstoff (H2) des Reaktionsgases 10–80 beträgt und die Reaktionstemperatur 500–600°C beträgt, wächst der Silicium-Nanodraht nur auf Gold (Au). Wenn das Verhältnis von Silan (SiH4)/Wasserstoff (H2) des Reaktionsgases 70–120 beträgt und die Reaktionstemperatur 550–700°C beträgt, wächst der Silicium-Nanodraht nur auf Aluminium (Al). Wenn das Verhältnis von Silan (SiH4)/Wasserstoff (H2) des Reaktionsgases 10–100 beträgt und die Reaktionstemperatur 600–750°C beträgt, wächst der Silicium-Nanodraht auf Gold (Au) und Platin (Pt). Wenn das Verhältnis von Silan (SiH4)/Wasserstoff (H2) des Reaktions gases 20–120 beträgt und die Reaktionstemperatur 750–950°C beträgt, wächst der Silicium-Nanodraht auf Platin (Pt).
  • Wenn das Verhältnis von Sauerstoff/Argon des Reaktionsgases 0,5–12 beträgt und die Reaktionstemperatur etwa 800–850°C beträgt, wächst der Zinkoxid-Nanodraht nur auf Gold (Au). Wenn das Verhältnis von Sauerstoff/Argon des Reaktionsgases 1–10 beträgt und die Reaktionstemperatur etwa 850–950°C beträgt, wächst der Zinkoxid-Nanodraht auf Platin (Pt) und Gold (Au). Und wenn das Verhältnis von Sauerstoff/Argon des Reaktionsgases 2–12 beträgt und die Reaktionstemperatur etwa 950–1000°C beträgt, wächst der Zinkoxid-Nanodraht nur auf Platin (Pt).
  • Der Grund, welcher das Wachstum des Zinkoxid-Nanodrahts und des Siliciumoxid-Nanodrahts auf verschiedenen Metallen in Abhängigkeit von der Zusammensetzung und dem Reaktionsgas erklärt, kann wie folgt dargestellt werden: Die eutektische Temperatur und die eutektische Zusammensetzung verändern sich, wenn die Quellenelemente Zink (Zn) und Silicium (Si) der Nanodrähte mit den Metallen Platin (Pt), Aluminium (Al) und Titan (Ti) der leitenden Elektrode (11) gemischt werden, wie in Tabelle 1 nachfolgend gezeigt.
  • Beispielsweise kann, da die eutektische Temperatur von Zink (Zn) und Gold (Au) 683°C beträgt, der Zinkoxid-Nanodraht innerhalb eines breiten Temperaturbereichs von 800–950°C auf Gold (Au) synthetisiert werden. Der Nanodraht läßt sich jedoch auf Aluminium (Al) oder Titan (Ti) nur schwer synthetisieren, da die Oxide Al2O3 und TiO2 gebildet werden.
  • Anders als bei dem Zinkoxid-Nanodraht herrscht im Falle des Silicium-Nanodrahts im Innern des Reaktors eine stark reduzierende Atmosphäre, da das Wasserstoff-(H2-)Gas eingespeist wird.
  • So wird die Bildung der Oxide Al2O3 oder TiO2 verhindert, und der Silicium-Nanodraht kann auf Aluminium (Al) synthetisiert werden.
  • Hinsichtlich Titan (Ti) ist die Synthese des Silicium-Nanodrahts sehr schwierig, da die eutektische Temperatur von Silicium (Si) und Titan (Ti) mit einem Wert von nicht weniger als 1300°C sehr hoch ist. [Tabelle 1]
    Legierung Schmelzpunkt (°C) Eutektische Zusammensetzung (Gew.-%) Eutektische Temperatur (°C)
    Al-Zn 660 11:89 381
    Ti-Zn 1670 99:01 419
    Pt-Zn 1769 - -
    Au-Zn 1064 85:15 683
    Al-Si 660 88:12 577
    Ti-Si 1670 92:08 1330
    Pt-Si 1769 77:23 979
    Au-Si 1064 97:03 363
  • 4 zeigt, daß der Zinkoxid-(ZnO-)Nanodraht nur auf dem Goldkatalysator wächst und nicht auf der leitenden Elektrode (11) aus Aluminium. Der in der Figur gezeigte Zinkoxid-Nanodraht wurde erhalten unter Verwendung einer leitenden Elektrode (11) aus Aluminium (Al, 5000 Å), von der ein Abschnitt unter der Synthesebedingung C-(7) aus 3 mit einer Goldkatalysatorschicht (12) (Au, 100 Å) strukturiert ist.
  • Wie in der Figur zu sehen ist, wuchs der Zinkoxid-Nanodraht selektiv nur auf dem Bereich, in dem die Goldkatalysatorschicht (12) strukturiert worden war.
  • 5 zeigt, daß der Silicium-(Si-)Nanodraht nur auf dem Goldkatalysator und nicht auf der leitenden Elektrode (11) aus Titan wächst. Der in der Figur gezeigte Silicium-Nanodraht wurde erhalten unter Verwendung einer leitenden Elektrode (11) aus Titan (Ti, 5000 Å), von der ein Abschnitt unter der Synthesebedingung C-(3) aus 3 mit einer Goldkatalysatorschicht (12) (Au, 100 Å) strukturiert ist.
  • Wie in der Figur zu sehen ist, wuchs der Silicium-Nanodraht selektiv nur auf dem Bereich, in dem die Goldkatalysatorschicht (12) strukturiert worden war.
  • 6 zeigt, daß der Zinkoxid-Nanodraht sowohl auf der leitenden Elektrode (11) aus Platin als auch auf dem Goldkatalysator wächst. Der in der Figur gezeigte Zinkoxid-Nanodraht wurde erhalten unter Verwendung einer leitenden Elektrode (11) aus Platin (Pt, 5000 Å), von der ein Abschnitt unter der Synthesebedingung C-(6) aus 6 mit einer Goldkatalysatorschicht (12) (Au, 100 Å) strukturiert ist.
  • Wie in der Figur zu sehen ist, wuchs der Zinkoxid-Nanodraht nicht nur auf dem Bereich, in dem die Goldkatalysatorschicht (12) strukturiert worden war, sondern auch auf der Platinelektrode (11).
  • Gemäß dem Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht auf einem spezifischen Bereich einer Elektrode aus Aluminium, Titan, Platin usw. synthetisiert, und die Nanodrähte werden unmittelbar bei der Synthese auf dem gesamten Wafer angeordnet. Dementsprechend ist es möglich, mehrere Nanodraht-Vorrichtungen auf einmal zu geringen Kosten zu synthetisieren. So kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in effizienter Weise verwendet werden, um verschiedene Nanovorrichtungen, einschließlich elektronischer Vorrichtungen, optoelektronischer Vorrichtungen, Laservorrichtungen, chemischer Sensoren usw. in großen Mengen zu synthetisieren.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist, ermöglicht es das Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung, mehrere Nanodraht-Vorrichtungen auf einmal zu geringen Kosten zu synthetisieren. So kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in effizienter Weise verwendet werden, um verschiedene Nanovorrichtungen, einschließlich elektronischer Vorrichtungen, optoelektronischer Vorrichtungen, Laservorrichtungen, chemischer Sensoren usw. in großen Mengen zu synthetisieren.
  • Für Fachleute auf dem Gebiet liegt es auf der Hand, daß die Konzepte und spezifischen Ausführungsformen, die in der vorstehenden Beschreibung ausgeführt wurden, leicht als Grundlage für Modifikationen oder die Ausgestaltung weiterer Ausführungsformen für die Erfüllung der gleichen Zwecke gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden können. Für Fachleute auf dem Gebiet versteht es sich des weiteren auch, daß solche äquivalenten Ausführungsformen nicht vom Gedanken und dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abweichen, wie er in den anhängenden Ansprüchen ausgeführt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, spezieller ein Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, durch welches ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht auf einem spezifischen Bereich einer Elektrode aus Al, Ti, Pt usw. synthetisiert werden und die Nanodrähte unmittelbar während der Synthese auf dem gesamten Wafer angeordnet werden. Das Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht die gleichzeitige Herstellung von mehreren Nanodraht-Vorrichtungen bei geringen Kosten. So kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in effizienter Weise verwendet werden, um verschiedene Nanovorrichtungen, einschließlich elektronischer Vorrichtungen, optoelektronischer Vorrichtungen, Laservorrichtungen, chemischer Sensoren usw., in großen Mengen herzustellen.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode, welches folgendes umfaßt: einen ersten Schritt, bei dem eine Goldkatalysatorschicht auf einer leitenden Elektrode aus Aluminium (Al), Titan (Ti) und Platin (Pt) strukturiert wird, und einen zweiten Schritt, bei dem ein Zinkoxid-Nanodraht und ein Silicium-Nanodraht in dem Bereich synthetisiert werden, in dem die Goldkatalysatorschicht strukturiert ist, so daß die Nanodrähte sogleich angeordnet werden.
  2. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei die leitende Elektrode eine Dicke von 3000–8000 Å und eine Linienbreite von 100 μm hat.
  3. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei die Goldkatalysatorschicht eine Dicke von 20–100 Å hat und mittels Ionensputtern strukturiert werden kann.
  4. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Zinkoxid-Nanodraht durch das carbothermische Reduktionsverfahren unter Verwendung von Zinkoxid und Graphitpulver (99,9%; ~325 Mesh; 1:1-Gemisch) als Quellenmaterial bei 800–1000°C für 1–120 Minuten synthetisiert wird, während Argon (10–200 sccm) als Trägergas und Sauerstoff (0,1–10 sccm) als Reaktionsgas eingespeist werden.
  5. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Silicium-Nanodraht mittels chemischer Gasphasenabscheidung bei einem Reaktionsdruck von 1–100 Torr synthetisiert wird, während ein Silan-(SiH4-)Gas und ein Wasserstoff-(H2-)Gas, verdünnt auf 5%, in das metallorganische Gas Helium (He) bei einer Fließgeschwindigkeit von 10–100 sccm bzw. 10–200 sccm eingespeist werden.
  6. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Zinkoxid-Nanodraht auf Gold (Au) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Sauerstoff/Argon-Verhältnis von 0,5–12 hat und die Reaktionstemperatur etwa 800–850°C beträgt.
  7. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Zinkoxid-Nanodraht auf Platin (Pt) und Gold (Au) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Sauerstoff/Argon-Verhältnis von 1–10 hat und die Reaktionstemperatur etwa 850–950°C beträgt.
  8. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Zinkoxid-Nanodraht auf Platin (Pt) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Sauerstoff/Argon-Verhältnis von 2–12 hat und die Reaktionstemperatur etwa 950–1000°C beträgt.
  9. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Silicium-Nanodraht auf Gold (Au) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Silan-(SiH4-)/Wasserstoff-(H2-)Verhältnis von 10–80 hat und die Reaktionstemperatur etwa 500–600°C beträgt.
  10. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Silicium-Nanodraht auf Aluminium (Al) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Silan-(SiH4-)/Wasserstoff-(H2-)Verhältnis von 70–120 hat und die Reaktionstemperatur etwa 550–700°C beträgt.
  11. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Silicium-Nanodraht auf Platin (Pt) und Gold (Au) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Silan-(SiH4-)/Wasserstoff-(H2-)Verhältnis von 10–100 hat und die Reaktionstemperatur etwa 600–750°C beträgt.
  12. Verfahren zum Anordnen von halbleitenden Nanodrähten auf einer Metallelektrode nach Anspruch 1, wobei der Silicium-Nanodraht auf Platin (Pt) wächst, wenn das Reaktionsgas ein Silan-(SiH4-)/Wasserstoff-(H2-)Verhältnis von 20–120 hat und die Reaktionstemperatur etwa 750–950°C beträgt.
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