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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspartikel-Strahlvorrichtung
zum Beobachten, Inspizieren und Bearbeiten der Fläche eines Halbleiterwafers,
einer Fotomaske oder der ähnlichen
Probe, welche ausgesetzt ist, durch Ladungspartikel-Strahlbestrahlung
geladen zu sein und deren Abbildbeobachtung gestört ist, und ein Verfahren zum
Erzeugen eines Ladungspartikel-Strahlabbilds.
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Technischer Hintergrund
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Bisher
wurde ein Feldemissions-Abtastelektronen-Mikroskop (FE-SEM) für die Beobachtung
und die Musterlängenmessung
eines Halbleiterwafers oder einer Fotomaskenfläche verwendet. Darüber hinaus
wurde eine Fokussierungsionen-Strahlvorrichtung
(FIB) für
die Korrektur eines Fotomaskenmusters verwendet. Da jedoch diese
Fläche
einer Probe, die zu beobachten ist oder welche der Längenmessung
zu unterwerfen ist, ganz oder teilweise aus einem nichtleitenden
Material hergestellt ist, wird die Fläche durch Bestrahlung mit Ladungspartikeln
geladen, und die Ladung stört
manchmal die Beobachtung oder die Längenmessung oder die Bearbeitung.
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Es
wird daher praktiziert, dass die Probe in der atmosphärischen
Luft oder einer Atmosphäre platziert
wird, in welcher der Druck der atmosphärischen Luft reduziert ist,
oder in irgendeiner anderen gasförmigen
Atmosphäre,
und dass die Probe mit Ultraviolettstrahlung bestrahlt wird, wodurch
positive Ionen oder negative Ionen erzeugt werden und die Ladungen
auf der Probe neutralisiert (beseitigt) werden.
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Offenbarung der Erfindung
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Probleme, welche die Erfindung lösen soll
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Es
bestanden jedoch Probleme wie oben aufgeführt mit dem obigen Verfahren,
wo die Probe in der Atmosphäre
bei reduziertem Druck mit der Ultraviolettstrahlung bestrahlt wird,
welche von einer Deuterium-Lampe emittiert wird, um dadurch die
positiven Ionen oder die negativen Ionen zu erzeugen und um die
Ladungen auf der Probe zu neutralisieren und um die Ladung zu beseitigen.
- 1. In einem Grundzustand, wo das Gasatom oder Molekül neutral
und stabil ist, existieren Elektronen in einer Elektronenbahn des
niedrigsten Energiepegels.
- 2. Wenn ein Photon (ein Photon der Ultraviolettstrahlung) beispielsweise
auf das Gasatom oder Molekül
trifft und durch dieses absorbiert wird, migriert ein Elektron auf
eine äußere Elektronenbahn
des entsprechenden Pegels (das Elektron unterliegt sogenannter "Erregung"). In diesem Zustand
ist das Gasatom oder Molekül
elektrisch neutral, jedoch ist es in einem instabilen Zustand und
kehrt in den ursprünglichen
Grundzustand in ungefähr
1–2 Sekunden
zurück.
- 3. Wenn auf das Gasatom oder Molekül ein anderes Photon (ein Photon
der Ultraviolettstrahlung) auftrifft und Energie absorbiert, bevor
es in den Grundzustand zurückkehrt,
erlangt das erregte Elektron noch weiter Energie, wodurch das Elektron
aus der Elektronenbahn herausgeschleudert wird und vom Zwang des
Atoms oder Moleküls perfekt
befreit wird. Als Ergebnis werden sowohl ein positives Ion (das
Ursprungsatom oder Molekül,
welches das Elektron gelöst
hat) als auch ein negatives Ion, bei dem sich das gelöste Elektron mit
einem anderen neutralen Molekül
(oder neutralem Atom) in einer kurzen Zeit kombiniert hat, gebildet.
- 4. Zusätzlich
werden die Ladungen auf der Probe durch das gebildete positive Ion
oder negative Ion neutralisiert, und die Ladung wird beseitigt.
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Mit
der UV-Bestrahlung kann jedoch das neutrale Gasatom oder Molekül nicht
lediglich durch die Energie eines Photons ionisiert werden, und
es wird das positive Ion und das negative Ion durch die Energie
von beispielsweise zwei Photonen gebildet. Daher bestanden diese
Probleme, dass eine Effektivität
zum Erzeugen der Ionen niedrig ist und dass eine intensive UV-Bestrahlung
erforderlich ist.
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Mittel zum Lösen der Probleme
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Um
diese Probleme zu lösen
hat bei einer Ladungspartikel-Strahlvorrichtung,
wo ein Sekundärelektronenstrahl
oder dgl., der von einer Probe emittiert wird, indem die Probe mit
einem Ladungspartikelstrahl bestrahlt wird, erfasst wird, um ein
Abbild zu erzeugen, die vorliegende Erfindung als ihre Aufgabe,
wirksam die Ladungen der Fläche
der Probe zu beseitigen, indem die Erzeugungseffizienzen positiver
Ionen und negativer Ionen in einer Weise erhöht werden, dass die Probe mit
einem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, der bezüglich
der Energie höher ist
als die UV-Bestrahlung, in einem Zustand, wo die Fläche oder
die Nähe
der Probe, welche durch den Elektronenstrahl oder dgl. geladen wird,
in der Atmosphäre
oder einer Atmosphäre
bei reduziertem Druck oder in einer vorher festgelegten gasförmigen Atmosphäre innerhalb
einer vorbereitenden Evakuierungskammer, einer Probenkammer oder
dgl. gehalten wird.
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Vorteil der Erfindung
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Bei
einer Ladungspartikel-Strahlvorrichtung, wo ein Sekundärelektronenstrahl
oder dgl., der von einer Probe emittiert wird, indem die Probe mit
einem Ladungspartikelstrahl bestrahlt wird, erfasst wird, um ein
Abbild zu erzeugen, ermöglicht
es die vorliegende Erfindung, effektiv die Ladungen der Fläche der
Probe zu beseitigen, indem die Erzeugungswirksamkeiten positiver
Ionen und negativer Ionen erhöht
werden, in einer Weise, dass die Probe mit einem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, der bezüglich
der Energie höher
ist als die UV-Strahlung in einem Zustand, wo die Fläche oder
die Nähe
der Probe, welche durch den Elektronenstrahl oder dgl. geladen wird,
in der Atmosphäre
oder einer Atmosphäre
bei reduziertem Druck oder in einer vorher festgelegten gasförmigen Atmosphäre innerhalb
einer vorbereitenden Evakuierungskammer, einer Abtastkammer oder
dgl. gehalten wird.
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Beste Weise, die Erfindung auszuüben
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Bei
einer Ladungspartikel-Strahlvorrichtung, wo ein Sekundärelektronenstrahl
oder dgl., der von einer Probe emittiert wird, indem die Probe mit
dem Ladungspartikelstrahl bestrahlt wird, erfasst wird, um ein Abbild
zu erzeugen, hat die vorliegende Erfindung es realisiert, wirksam
die Ladungen der Fläche
der Probe zu beseitigen, indem die Erzeugungswirksamkeiten positiver
Ionen und negativer Ionen erhöht werden,
in einer Weise, dass die Probe mit einem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, der hinsichtlich der Energie höher ist als die UV-Strahlung in einem Zustand,
wo die Fläche
oder Nähe
der Probe, welche durch einen Elektronenstrahl oder dgl. geladen
ist, in der Atmosphäre
oder einer Atmosphäre
bei reduziertem Druck oder in einer vorher festgelegten gasförmigen Atmosphäre innerhalb
einer vorbereitenden Evakuierungskammer, einer Probenkammer oder
dgl. gehalten wird.
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Ausführungsform
1:
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1 zeigt
ein Systemarchitekturdiagramm der vorliegenden Erfindung. In der
nachfolgenden Ausführungsform
wird ein Beispiel, welches einen Elektronenstrahl unter Ladungspartikelstrahlen
verwendet (den Elektronenstrahl, einen Ionenstrahl, usw., welche
Partikelstrahlen sind, welche Ladungen haben), und bei dem eine
Probe (Maske) ebener Abtastung (Abtastung in einer X-Richtung und
einer Y-Richtung) in einem Zustand unterworfen wird, wo diese mit
dem Elektronenstrahl bestrahlt wird, der fein fokussiert ist, um
ein Abbild zu erzeugen (bezeichnet als "sekundäres Elektronenabbild"), indem sekundäre Elektronen,
welche von der Probe emittiert werden, erfasst und verstärkt werden,
nachfolgend nacheinander ausführlich
beschrieben. Im übrigen
gilt das gleiche für
den anderen Ladungspartikelstrahl (beispielsweise den Ionenstrahl),
und gerade, wenn das Abbild in einer Weise erlangt, dass die sekundären Elektronen,
die emittiert werden, indem die Probe mit dem Elektronenstrahl bestrahlt
werden, erfasst und verstärkt
werden, wie anschließend
festgestellt wird, ist es auch zulässig, ein Abbild zu erzeugen,
welches durch Erfassen und Verstärken
eines übertragenen
Elektronenstrahls oder eines reflektierten Elektronenstrahls erlangt
wird (das übertragene Abbild
oder reflektierte Abbild eines sogenannten "SEM" (Abtastelektronenmikroskop),
oder ein Abbild zu erzeugen, welches durch Bestrahlen der gesamten
Fläche
der Probe mit dem Elektronenstrahl erlangt wird und dann ein übertragener
Elektronenstrahl mit einer CCD (oder einer CCD-Kamera) erfasst und
verstärkt
wird (das übertragene
Abbild eines sogenannten "STEM" (Abtastübertragungs-Elektronenmikroskop)).
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Bezugnehmend
auf 1 ist ein Maskenmagazin 1 ein Magazin,
in welchem Masken 2, welche Proben sind, in großer Anzahl
untergebracht sind, und dessen Innenraum rein ist.
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Die
Maske 2 ist eine Maske, um ein Halbleitermuster oder dgl.
dem Licht auszusetzen.
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Eine
Vorbereitungskammer 3 ist ein Raum, der dazu dient, das
Maskenmagazin 1 zu befestigen und die Maske 2 innerhalb
des Maskenmagazins 1 in einem gereinigtem Zustand anzunehmen
und dann vorübergehend
diese Maske in Überwachung
zu halten, und welcher dazu dient, die bearbeitete Maske 2 in
das Maskenmagazin 1 in einem gereinigtem Zustand zu transportieren.
Die Vorbereitungskammer 3 wird üblicherweise auf atmosphärischem
Druck gehalten, jedoch, wenn notwendig, kann sie auch in ein niedriges
Vakuum (niedriges Vakuum vom atmosphärischem Druck auf ungeführ 0,1 Torr)
evakuiert werden, nachdem die Maske 2 angenommen ist und ein
Tor (nicht gezeigt), welches an der Grenze mit dem Maskenmagazin 1 angeordnet
ist, geschlossen ist. Nebenbei bemerkt ist ein "Raum",
in welchem die Maske 2 mit einem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, wie in den Ansprüchen
festgelegt ist, ein Raum, in welchem ein Röntgenstrahlgenerator 4 befestigt ist,
beispielsweise eine Hilfskammer 5 oder die Vorbereitungskammer 3 mit
Ausnahme einer Hauptkammer 6 in 1 (als "Probenkammer" in den Patentansprüchen bezeichnet).
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Der
Röntgenstrahlgenerator 4 dient
dazu, den weichen Röntgenstrahl
zu erzeugen und die Maske 2 mit dem weichen Röntgenstrahl
zu bestrahlen, um somit die Ladungen der Maske 2 zu beseitigen
(siehe 3 und 4).
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Die
Hilfskammer 5 ist der Raum, in welchem die Umgebungen der
Maske 2 zu einem niedrigen Vakuum evakuiert werden, und
welche hier zwischen der Vorbereitungskammer 3 und der
Hauptkammer 6 angeordnet ist.
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Die
Hauptkammer 6 ist ein Vakuumraum (üblicherweise von ungefähr 10–6 Torr),
der dazu dient, die Maske 2 auf einer Bühne 9 zu platzieren,
um die Fläche
der Maske 2, welche die Probe ist, durch das optische Ladungspartikelsystem 8,
hier mit dem fein fokussierten Elektronenstrahl abzutasten (als
die ebene Abtastung in der X- und
Y-Richtung), und um die emittierten Sekundärelektronen durch ein Sekundärelektronen-Erfassungsorgan 7 zu
erfassen und zu verstärken
und um dann das Abbild zu erzeugen (Sekundärelektronenabbild).
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Das
Sekundärelektronen-Erfassungsorgan 7 ist
ein Organ, welches die Sekundärelektronen,
welche von der Maske 2 emittiert werden, erfasst und verstärkt, und
welches dann die Sekundärelektronen, welche
von der Maske 2 emittiert werden, indem eine positive Spannung
daran angelegt wird, sammelt und dann erfasst und verstärkt. Nebenbei
bemerkt wird im Fall einer Erfassung der reflektierten Elektronen
Licht oder Röntgenstrahlen,
welche von der Maske 2 emittiert werden, ein entsprechendes
Erfassungsorgan (ein Retlexionselektronen-Erfassungsorgan, ein Lichterfassungsorgan
oder ein Röntgenstrahl-Erfassungsorgan)
anstelle des Sekundärelektronen-Erfassungsorgans 7 angeordnet.
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Das
optische Ladungspartikelsystem 8 dient dazu, Ladungspartikel
zu erzeugen und die Maske 2 mit den Ladungspartikeln zu
bestrahlen, und, im Fall des SEM dient dies dazu, den Elektronenstrahl
zu erzeugen und fein zu fokussieren und um die Fläche der
Maske 2 der ebenen Abtastung zu unterwerfen (Abtasten in
den X- und Y-Richtungen).
Im Fall des STEM dient dies dazu, den Elektronenstrahl zu erzeugen
und die gesamte Fläche
der Maske 2 mit dem Elektronenstrahl zu bestrahlen.
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Die
Bühne 9 ist
eine Ablage, auf welcher die Maske 2 platziert wird und
welche in den X- und Y-Richtungen bewegt wird. Hinsichtlich der
Höhe der X-Richtungs- und Y-Richtungs-Bewegung
der Maske 2, welche auf der Bühne platziert ist, wird die
Position der Maske 2 mit einer hohen Genauigkeit in Realzeit durch
ein Laser-Interferenzgerät
oder dgl. gemessen (nicht gezeigt), und ein Personalcomputer (Steuerbereich) 11 steuert
die Maske 2 auf eine vorher festgelegte Position auf Basis
der gemessenen Positionsinformation.
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Ein
Abbild 10 ist das Abbild (sogenanntes "Sekundärelektronen-Abbild") oder dgl., welches
erlangt wurde, indem die Maske 2 der ebenen Abtastung mit
dem Elektronenstrahl unterworfen wird, die Sekundärelektronen
erfasst und verstärkt
werden und eine Helligkeitsmodulation durchgeführt wird, und welches auf einer
Anzeige angezeigt wird.
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Der
Personalcomputer (Steuerbereich) 11 ist ein Steuerbereich,
der die Gesamtheit der Vorrichtung, welche in 1 gezeigt
ist, steuert, und ist hier aus der Röntgenstrahl-Strahlungseinrichtung 12 usw. gebildet
(führt
die Steuerung gemäß beispielsweise einem
in 2 gezeigten Flussdiagramm durch).
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Anschließend wird
die Arbeitsweise des Aufbaus in 1 ausführlich in
der Reihenfolge des Flussdiagramms in 2 beschrieben.
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2 zeigt
das Flussdiagramm, um die Arbeitsweise der vorliegenden Erfindung
zu erläutern.
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Bezugnehmend
auf 2 setzt "S1" die Maske 2 in
das Maskenmagazin 1. Dieser setzt die Maske 2,
dass ihre Mustergröße durch
die Vorrichtung in 1 gemessen wird, in das Maskenmagazin 1,
oder setzt die Maske 2, dass ihre Mustergröße durch
die Vorrichtung in 1 gemessen wird, in das Maskenmagazin 1 und
befestigt die Maske 2 bei der gezeigten Position innerhalb
eines nicht gezeigten Reinigungsraums.
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"S2" befördert die
Maske 2 in die Vorbereitungskammer 3. Dieser nimmt
die Maske 2 heraus, welche in das Maskenmagazin 1 im
S1 gesetzt wurde, durch einen Mechanismus (Roboter), der nicht gezeigt
ist, und befördert
die Maske 2 zu ihrer gezeigten Position in der Vorbereitungskammer 3.
Zusätzlich
wird, wenn notwendig, der Innenraum der Vorbereitungskammer 3 auf
einen vorher festgelegten Druck innerhalb eines Bereichs vom atmosphärischen
Druck auf 0,1 Torr eingestellt (oder der Innenraum der Vorbereitungskammer 3 wird
auf einen vorher festgelegten Druck mit einem vorher bestimmten Gas
eingestellt (Sauerstoff, Stickstoff, ein inertes Gas oder ein Mischgas
davon)).
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"S3" führt die
Röntgenbestrahlung
durch. Dieser bestrahlt die Maske 2, welche in die Vorbereitungskammer 3 im
S2 befördert
wurde, mit dem weichem Röntgenstrahl
vom Röntgenstrahlgenerator 4 (siehe 3,
welche später
erläutert
wird) von der Oberseite Maske 2 eine vorher festgelegte
Zeitperiode lang, um dadurch positive Ionen und negative Ionen in
der Nähe
der Fläche
der Maske 2 zu erzeugen und die Ladungen auf der Fläche der
Maske 2 zu entfernen (zu neutralisieren). Hier wird eine
Intensität, mit
welcher die Maske 2 mit dem weichen Röntgenstrahl bestrahlt wird,
durch den Abstand zwischen dem Röntgenstrahlgenerator 4 und
der Maske 2 eingestellt, und die Bestrahlungszeitperiode
wird auf eine Zeitperiode eingestellt, für welche der weiche Röntgenstrahl
erzeugt wird (die Röntgenstrahl-Bestrahlungseinrichtung 12,
welche den Personalcomputer (Steuerbereich) 11 in 1 bildet,
stellt die Zeitperiode ein). Üblicherweise
beträgt
der Abstand 30 cm bis 1,5 m, und die Bestrahlungszeitperiode liegt
bei 20 Sekunden bis 60 Sekunden (der Abstand und die Bestrahlungszeitperiode
sind nicht auf die obigen Beispiele begrenzt, sondern sie werden
nach Wunsch bestimmt, indem experimentell die optimalen Werte erlangt
werden, mit denen die Ladungen der Maske 2 entfernt werden).
Hier wird im Fall der Maske 2, welche einen Fotolack trägt, die
Bestrahlung etwas abgeschwächt
(der Abstand wird auf beispielsweise zumindest 1 m gesetzt, oder
die Bestrahlungszeitperiode wird auf beispielsweise 20 Sekunden
gekürzt),
um den Einfluss (die Änderung
einer Größe usw.)
hinsichtlich des Musters der Maske 2 aufgrund der Bestrahlung
mit dem welchen Röntgenstrahl
zu vermeiden, während
im Fall, wo die Maske 2 keinen Fotolack trägt, die
Bestrahlung etwas verstärkt
wird (der Abstand wird beispielsweise auf meistens 1 m gesetzt,
oder die Bestrahlungszeitperiode wird etwas verlängert, beispielsweise auf 30
Sekunden), so dass die Ladungen der Maske 2 ausreichend
neutralisiert (entfernt) werden können. Außerdem wurde bei einem Experiment
ungefähr
15 mSV/h2 als Intensität des weichen Röntgenstrahls verwendet
("SV" bezeichnet Sievert,
während "h" Stunde bezeichnet, und die Intensität war ein
numerischer Wert bei einer Position, welche 1 m beabstandet ist
und war ungefähr
1/5000 einer Intensität
zur Verwendung bei der Röntgendurchleuchtung
einer medizinischen Brustprüfung).
Da nebenbei bemerkt der weiche Röntgenstrahl
bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann er leicht durch
Glas oder dünnes
Metall unterbrochen werden, und es kann verhindert werden, dass
dieser nach außen
austritt.
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"S4" verschiebt die Maske 2 in
die Hilfskammer 5. Dieser verschiebt die Maske 2 in
die Hilfskammer 5 in 1, nachdem
die Ladungen der Maske 2 durch die Röntgenstrahl-Bestrahlung im
Schritt S3 entfernt (neutralisiert) wurden. Außerdem wird die Hauptkammer 6 vorbereitend
evakuiert, d. h., die Hauptkammer 6 wird bis zum Maß evakuiert
(vorbereitend evakuiert), dass der Druck der Hauptkammer 6 nicht
deren Betrieb beeinflusst, sogar, wenn ein Trennventil (nicht gezeigt),
welches zwischen der Hilfskammer 5 und der Hauptkammer 6 angeordnet ist,
geöffnet
wird.
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"S5" führt eine
Arbeit in der Hauptkammer 6 durch. Beispielsweise wird
die Maske 2 auf der Bühne 9 der
Hauptkammer 6 platziert, und in dem Zustand, wo die Maske 2 mit
dem fein fokussierten Elektronenstrahl vom optischen Ladungspartikelsystem 8 bestrahlt
wird, wird die Maske 2 der ebenen Abtastung mit dem Elektronenstrahl
unterworfen. Die somit emittierten Sekundärelektronen werden erfasst und
durch das Sekundärelektronen-Erfassungsorgan 7 verstärkt, und
das Abbild (sekundäres
Elektronenabbild) 10 wird angezeigt. Außerdem wird die Messung der
Größe des vorher
bestimmten Musters der Maske 2 oder dgl. auf dem Abbild 10 durchgeführt.
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"S6" unterscheidet, ob
Bestrahlung mit dem Röntgenstrahl
notwendig ist. Dieser beurteilt die Ladung in einem solchen Fall,
wo während
der Arbeit (während
der Messung) bei S5 an einer Stelle, welche aktuell unter der Messung
ist oder eine spezifische Stelle, welche periodisch angezeigt wird,
- • der
Farbton (der Ton von weiß und
schwarz) des Abbilds sich mehr als ein vorher festgelegter Wert geändert hat,
oder
- • die
Position des Abbilds sich mehr als ein vorher festgelegter Wert
geändert
hat, um dadurch zu unterscheiden, ob die Bestrahlung mit dem Röntgenstrahl
notwendig ist (wenn die Entfernung (Neutralisierung) gespeicherter
Ladungen notwendig ist). Im Fall "JA" kehrt
der Fluss zurück
zu S3, bei dem die Entfernung der Ladungen der Maske 2 usw.
durch die Röntgenstrahl-Bestrahlung
durchgeführt
wird, und die Arbeit bei S4 und S5 wird wiederum begonnen (die Arbeit
wird wiederum von der Stelle des zeitweiligen Stopps neu gestartet,
oder sie wird von einem vorbestimmten vorhergehenden Platz oder
vom Anfang an begonnen). Dagegen im Fall von "NEIN" im
S6 wurde die Bestrahlung mit dem Röntgenstrahl als nicht notwendig
entschieden, und folglich wird die Maske 2 aus der Vorrichtung
bei "S7" herausgenommen (die
Maske 2 innerhalb der Hauptkammer 6 in 1 wird
in das Maskenmagazin 1 über die
Hilfskammer 2 und die Vorbereitungskammer 3 befördert und
dort untergebracht). Im übrigen wird
ebenfalls zugelassen, dass, wenn die Maske 2 in die Vorbereitungskammer 3 nach
dem Ende der Arbeit der Maske 2 entsprechend "NEIN" im S6 befördert wurde,
die Maske 2 mit dem Röntgenstrahl
in der gleichen Weise wie bei S3 bestrahlt wird, um somit Ladungen,
welche während der
Arbeit gespeichert wurden, welche durchgeführt wurde, indem die Maske 2 mit
dem Elektronenstrahl bestrahlt wurde, vollständig zu entfernen (zu neutralisieren),
und dass die Maske danach im Maskenmagazin 1 untergebracht
wird. Das heißt,
- • bevor
die Maske 2 in die Hauptkammer 6 befördert wird,
wird sie mit dem weichen Röntgenstrahl bestrahlt,
um somit die Ladungen zu entfernen (zu neutralisieren), oder
- • während der
Arbeit, in welcher die Maske 2 auf der Bühne 9 der
Hauptkammer 6 platziert ist, wird die Arbeit vorübergehend
angehalten, die Maske 2 wird zurück in die Vorbereitungskammer 3 gebracht
(oder in der Hauptkammer 6 gehalten) und mit dem weichen
Röntgenstrahl
in einer vorher festgelegten Atmosphäre bestrahlt, um die Ladungen
zu beseitigen, worauf die Arbeit wiederum begonnen wird.
- • Nach
dem Ende der Arbeit, bei der die Maske 2 auf der Bühne 9 der
Hauptkammer 6 platziert ist, wird diese Maske 2 zurück in die
Vorbereitungskammer 3 gebracht und mit dem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt, um somit die Ladungen vollständig zu entfernen, worauf die
Maske 2 im Maskenmagazin 1 untergebracht wird.
Außerdem
läuft die
Maske 2 zum nächsten
Prozess.
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Auf
die obige Weise wird zugelassen, die Ladungen zu beseitigen, indem
die Maske 2 mit dem weichen Röntgenstrahl bestrahlt wird,
bevor diese Maske 2 auf der Bühne 9 der Hauptkammer 6 platziert
wird; vorübergehend
die Arbeit im Laufe dieser Arbeit anzuhalten, bei der die Maske 2 auf
der Bühne 9 platziert
wird, um die Ladungen zu beseitigen, indem die Maske 2 mit
dem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, und um danach die Arbeit wieder zu beginnen; oder
die Ladungen zu beseitigen, indem die Maske 2 mit dem weichen
Röntgenstrahl
nach dem Ende der Arbeit bestrahlt wird.
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Obwohl übrigens
die Bestrahlung der Maske 2 mit dem weichen Röntgenstrahl
in der Vorbereitungskammer 3 durchgeführt wurde, können die
Ladungen gut in einer Weise entfernt werden, dass die Hilfskammer 5 und
weiter die Hauptkammer 6 in eine Atmosphäre vom atmosphärischen
Druck auf ungeführ
01, Torr gebracht werden (eine Atmosphäre irgendeines von Luft, Sauerstoff,
Stickstoff und inertem Gas oder einem kombinierten Gas, welches
zuminderst aus zwei von diesen besteht), und dass die Maske 2 mit
dem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt wird.
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3 zeigt
ein Beispiel des Röntgenstrahlgenerators
bei der vorliegenden Erfindung. Der gezeigte Röntgenstrahlgenerator 4 ist
ein Reflexionstypus und hat die Form einer Lampe. Der Reflexions-Röntgenstrahlgenerator 4 ist
derart, dass Elektronen, welche von einer Elektronenquelle 41 erzeugt werden,
beschleunigt werden (beschleunigt beispielsweise bei mehreren kV
bis 100 und mehrere zehn kV) und durch eine Beschleunigungselektrode 42 fokussiert
werden, um somit auf ein Ziel (Wolfram) 44 projiziert zu
werden, und dass der weiche Röntgenstrahl,
der bei der Hinsicht emittiert wird, wo er nach unten von dem Ziel 44 reflektiert
wird (stetiger weicher Röntgenstrahl
oder weicher Röntgenstrahl, der
weiter charakteristische Röntgenstrahlung
enthält,
die emittiert wird, wenn die Elektronen, welche auf mehrere kV bis
100 und mehrere 10 kV auf das Ziel 44 projiziert werden,
nach außenhin
genommen werden (unter dem atmosphärischen Druck eines vorher
festgelegten reduzierten Drucks) über eine dünne Berylliumplatte 46 (da
das Innere der Berylliumplatte 46 Vakuum ist, ist diese
Berylliumplatte 46 ein Material, welches die weiche Röntgenstrahlung wenig
absorbiert).
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Die
obige Struktur wird dem gezeigten Reflexions-Röntgenstrahlgenerator 4 in
Lampenform verliehen, wodurch der weiche Röntgenstrahl leicht erzeugt
werden kann und herausgenommen werden kann, um somit die gesamte
Fläche
der Maske 2 unter der Struktur von 1 zu bestrahlen.
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4 zeigt
ein Diagramm, um die vorliegende Erfindung zu erläutern. Dies
zeigt, dass in einem Fall, wo die Fläche der Probe (Maske) 2 mit
dem welchen Röntgenstrahl
bestrahlt wird, der von der Röntgenstrahl-Entnahmeöffnung (Berylliumplatte) 46 des Röntgenstrahlgenerators 44 hergeleitet
wird, Moleküle
(Atome) von Luft, welche mit dem weichen Röntgenstrahl bestrahlt werden,
erregt werden, so dass positive Ionen (+ Ionen, nämlich die
Moleküle
(Atome) der Luft, welche positive Ladungen haben) und negative Ionen
(nämlich – Ionen,
wobei die Moleküle (Atome)
der Luft negative Ladungen (Elektronen) haben)) in der Nähe der Fläche der
Probe 2 erzeugt werden, und negative Ladungen (Elektronen),
welche auf der Fläche
der Probe 2 gespeichert wurden, durch die positiven Ionen
neutralisiert (beseitigt) werden. Dagegen werden positive Ladungen,
welche auf der Fläche
der Probe 2 lagern, durch die negativen Ionen neutralisiert
(beseitigt).
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Wie
oben beschrieben werden, wenn die Fläche der Probe (Maske) 2 oder
deren Nähe
mit dem weichen Röntgenstrahl,
der vom Röntgenstrahlgenerator 4 emittiert
wird, bestrahlt wird, sowohl die positiven Ionen als auch die negativen
Ionen in der Nähe der
Fläche
der Probe 2 erzeugt, und es wird zugelassen, beide Ladungen
(positive Ladungen und negative Ladungen) der Probe 2 zu
beseitigen (zu neutralisieren).
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Bei
dieser Gelegenheit wird als eine Atmosphäre in der Nähe der Fläche der Probe (Maske) 2 in einem
Zustand, wo eines von der Luft, Sauerstoff, Stickstoff, inertem
Gas usw. oder einem Mischgas, welches aus zumindest zwei von diesen
besteht, dessen Druck innerhalb eines Bereichs vom atmosphärischen
Druck auf ungefähr
0,1 Torr gehalten wird, die Probe 2 mit dem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt, wodurch die positiven Ionen und negativen Ionen wirksam
erzeugt werden, um die Ladungen der Probe 2 zu beseitigen
(zu neutralisieren).
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Industrielle Verwendbarkeit
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Bei
einer Ladungspartikel-Strahlvorrichtung, wo ein Sekundärelektronenstrom
oder dgl., der von einer Probe emittiert wird, indem die Probe mit
einem Ladungspartikelstrahl bestrahlt wird, erfasst wird, um somit
ein Abbild zu erzeugen, bezieht sich die vorliegende Erfindung auf
eine Ladungspartikel-Strahlvorrichtung
und ein Verfahren zum Erzeugen eines Ladungspartikel-Strahlenabbilds,
bei dem die Probe mit dem weichen Röntgenstrahl in einem Zustand
bestrahlt wird, wo die Fläche
oder die Nähe
der Probe, welche durch einen Elektronenstrahl oder dgl. geladen
ist, in der Atmosphäre
oder einer Atmosphäre
mit reduziertem Druck oder in einer vorher festgelegten gasförmigen Atmosphäre innerhalb
einer Vorbereitungsevakuierungskammer, einer Abtastkammer oder dgl. gehalten
wird, wodurch die Ladungen der Fläche der Probe wirksam beseitigt
werden, wobei die Erzeugungswirksamkeiten positiver Ionen und negativer
Ionen erhöht
werden.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1:
diese ist ein Systemarchitekturdiagramm der vorliegenden Erfindung;
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2:
diese ist ein Flussdiagramm, um die Arbeitsweise der vorliegenden
Erfindung zu erläutern;
-
3:
diese zeigt ein Beispiel eines Röntgenstrahlgenerators
bei der vorliegenden Erfindung;
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4:
diese ist ein Diagramm, um die vorliegende Erfindung zu erläutern.
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- 1
- Maske
- 2
- Vorbereitungskammer
- 3
- Röntgenstrahlgenerator
- 4
- Hilfskammer
- 5
- Hauptkammer
- 6
- Sekundärelektronen-Erfassungsorgan
- 7
- optisches
Ladungspartikelsystem
- 8
- Bühne
- 9
- Abbild
- 10
- Personalcomputer
(Steuerbereich)
- 11
- Röntgenstrahl-Bestrahlungseinrichtung
- 12
- Beschleunigungselektrode
- 22
- beschleunigte
Elektronen
- 43
- Ziel
(Wolfram)
- 44
- Röntgenstrahl
- 45
- Berylliumplatte
(Röntgenstrahl-Entnahmeöffnung)
- 46
- Maskenmagazin
-
Zusammenfassung
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Aufgabe:
die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspartikel-Strahlvorrichtung
und ein Verfahren zum Erzeugen eines Ladungspartikel-Strahlabbilds, wobei
die Fläche
eines Halbleiterwafers, einer Fotomaske oder der ähnlichen
Probe, welche durch Bestrahlung mit einem Ladungspartikel-Strahl
geladen ist, wobei die Ladung, die einer gestörten Bildbeobachtung ausgesetzt
ist, beobachtet, inspiziert und bearbeitet wird, und hat als Aufgabe,
die Ladungen der Fläche
der Probe wirksam zu beseitigen, wobei die Erzeugungswirksamkeiten
von positiven Ionen und negativen Ionen erhöht werden, in einer Weise,
dass die Probe mit weichem Röntgenstrahl
bestrahlt wird, in einem Zustand, wo die Fläche oder die Nähe der Probe,
welche durch einen Elektronenstrahl oder dgl. geladen wird, in der
Atmosphäre
oder der Atmosphäre
mit reduzierten Druck oder in einer vorher festgelegten gasförmigen Atmosphäre innerhalb
einer vorbereiteten Evakuierungskammer, einer Probenkammer oder
dgl. gehalten wird.
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Aufbau:
ein Weich-Röntgenstrahlgenerator, der
in einer Probenkammer, um darin eine Probe aufzunehmen, oder in
einem vorher festgelegten Raum angeordnet ist, und der die Probe
oder deren Nähe mit
einem weichen Röntgenstrahl
bestrahlt, und eine Einrichtung zum Steuern des Weich-Röntgenstrahlgenerators
und zum Bestrahlen der Probe oder deren Nähe mit dem erzeugten weichen
Röntgenstrahl
in einem Zustand, wo die Probenkammer oder der Raum in einer vorher
festgelegten Atmosphäre
gehalten wird, um dadurch positive Ionen und negative Ionen zu erzeugen
und um das Entfernen von Ladungen auf der Fläche der Probe zu steuern, sind
enthalten.