DE1114938B - Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer flaechenhafter Halbleiter-anordnungen, insbesondere von Hochfrequenz-Transistoren mit moeglichst duennen Kollektorzonen - Google Patents

Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer flaechenhafter Halbleiter-anordnungen, insbesondere von Hochfrequenz-Transistoren mit moeglichst duennen Kollektorzonen

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DE1114938B DEJ17636A DEJ0017636A DE1114938B DE 1114938 B DE1114938 B DE 1114938B DE J17636 A DEJ17636 A DE J17636A DE J0017636 A DEJ0017636 A DE J0017636A DE 1114938 B DE1114938 B DE 1114938B
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Dipl-Phys Dr Reinhard Dahlberg
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TDK Micronas GmbH
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03C—MODULATION
    • H03C1/00—Amplitude modulation
    • H03C1/34—Amplitude modulation by means of light-sensitive element
    • H10P95/00—

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1514363B1 (de) * 1964-08-07 1970-06-18 Rca Corp Verfahren zum Herstellen von passivierten Halbleiterbauelementen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276979A3 (en) * 1987-01-30 1989-12-06 University College Cardiff Consultants Ltd. Microenvironmental sensors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2748041A (en) * 1952-08-30 1956-05-29 Rca Corp Semiconductor devices and their manufacture
US2865082A (en) * 1953-07-16 1958-12-23 Sylvania Electric Prod Semiconductor mount and method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2748041A (en) * 1952-08-30 1956-05-29 Rca Corp Semiconductor devices and their manufacture
US2865082A (en) * 1953-07-16 1958-12-23 Sylvania Electric Prod Semiconductor mount and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514363B1 (de) * 1964-08-07 1970-06-18 Rca Corp Verfahren zum Herstellen von passivierten Halbleiterbauelementen

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