DE1101528B - Schaltung zur Gegentaktmodulation, zur Frequenzverschiebung oder zum Phasenvergleichelektrischer Schwingungen mit Hilfe eines Transistors - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Gegentaktmodulation, zur Frequenzverschiebung oder zum Phasenvergleich elektrischer Schwingungen mit Hilfe eines Transistors. Bekanntlich können mit vier in einem Ring angeordneten Gleichrichtern Ausgangs-Schwingungen erzeugt werden, die das Modulationsprodukt zweier dem Ringmodulator zugeführten Eingangsschwingungen sind. DieeineEingangsschwingung kann z. B. eine unmodulierte Trägerschwingung, und die andere Eingangsschwingung eine Modulations-Schwingung sein. Die beiden Eingangsschwingungen können auch benachbarte Frequenzen aufweisen, und durch Aussiebung der Differenzfrequenz aus den Ausgangsschwingungen kann dann eine in der Frequenz verschobene Schwingung erhalten werden. Auch können die beiden Eingangsschwingungen dieselbe Frequenz aufweisen, und es kann eine Niederfrequenzöder Gleichspannungskomponente dem Ausgang entnommen werden, welche dann ein Maß für den Phasenunterschiedi zwischen den beiden Eingangsschwingungen ist.

Durch symmetrische Anordnung eines Ringmodulators können die in der Ausgangsschwingung erhaltenen Frequenzkomponenten der beiden Eingangsschwingungen ganz oder größtenteils unterdrückt wer- den.

Die Erfindung bezweckt, dieselben Effekte mit nur einem, vorzugsweise symmetrischen Transistor zu erreichen.

An sich ist eine Schaltung zur Modulation bzw. zum Phasenvergleich zweier Eingangsschwingungen mittels eines symmetrischen Transistors vorbekannt; die eine Schwingung wird dabei zwischen den Hauptelektroden (Emitter und Kollektor oder umgekehrt) und die andere Schwingung zwischen einer der Hauptelektroden und der Basis des Transistors angelegt. Dabei wird aber nicht die Frequenzkomponente der erstgenannten Schwingung im Ausgangssignal unterdrückt.

Es ist weiter eine Modulationsschaltung mit einem Transistor bekannt, bei der ein Modulationsprodukt erhalten wird, in dem die Trägerschwingung unterdrückt ist. Dabei wird jedoch ein Transistor spezieller Art verwendet mit zwei Basisanschlüssen; die eine Schwingung wird der Emitter-Elektrode und die andere Schwingung wird den Basis-Elektroden im Gegentakt zugeführt.

Bei einer Schaltung der eingangs erwähnten Art läßt sich eine Trägerunterdrückung erreichen, ohne daß ein Spezial-Transistor verwendet zu weiden braucht, wenn gemäß der Erfindung die Schwingung zwischen einem Punkt mit Bezugspotential und der Basis des Transistors angelegt wird und daß die andere Schwingung, deren Amplitude größer ist als die Schaltung zur Gegentaktmodulation,
zur Frequenzverschiebung
oder zum Phasenvergleich
elektrischer Schwingungen
mit Hilfe eines Transistors

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dipl.-Ing. K. Lengner, Patentanwalt,
Hamburg I₁ Mönckebergstr. 7

Frank Bregman, Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden

der erstgenannten Schwingung, gegenüber dem Punkt mit Bezugspotential in Gegentakt den Hauptelektroden des Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, über vorzugsweise gleich große Widerstände zugeführt wird und daß das Ausgangssignal einer Anzapfung, vorzugsweise der Mittelanzapfung, eines Spannungsteilers entnommen wird, der zwischen der einen Hauptelektrode und dem von der anderen Hauptelektrode abgewendeten Ende des in den Kreis letztgenannter Elektrode aufgenommenen Widerstandes eingeschaltet ist.

Der Vollständigkeit halber wird bemerkt, daß bereits eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung modulierter Schwingungen mit unterdrücktem Träger unter Verwendung eines symmetrischen Transistors vorgeschlagen wurde, bei der der Transistor im Zuge eines symmetrischen Übertragungsweges eingeschaltet war und bei der die Trägerwelle zwischen der Basis des Transistors und dem Symmetriepunkt des Übertragungsweges zugeführt wurde.

Mit der Erfindung wird eine Vervollkommnung erzielt und insbesondere eine Unterdrückung beider Eingangsschwingungen am Ausgang erreicht, wobei die Verwendung eines Ausgangstransformators vermieden ist und auch Ausgangsschwingungen niedriger Frequenz, z. B. Gleichstromsignale, ohne Schwierigkeiten entnommen werden können.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.

109 529/457

Fig. 1 veranschaulicht ein Prinzipschaltbild nach der Erfindung;

Fig. 2 ist eine Abänderung von Fig. 1.

Die Schaltung nach Fig. 1 enthält einen Transistor 1 der als pnp-Grenzschichttran&istor veranschaulicht ist und vorzugsweise vom symmetrischen Typ ist. Das bedeutet, daß, falls die eine Hauptelektrode als Emitter und die andere Hauptelektrode als Kollektor vorgespannt sind, derselbe Emitter-Kollektorstromverstärkungsfaktor gefunden wird, als wenn die erstgenannte Hauptelektrode als Kollektor und die letztgenannte Hauptelektrode als Emitter vorgespannt waren. Die eine Signalschwingung U wird zwischen einem Punkt 2 mit Bezugspotential und der Basis des Transistors 1 angelegt. Die andere Signalschwingung V wird über einen Übertrager 3 in entgegengesetzter Phase in Reihe mit den Widerständen 4 bzw. 5 zwischen dem Bezugspunkt 2 und der einen bzw. der anderen Hauptelektrode des Transistors 1 zugeführt.

Die an der Sekundärwicklung des Übertragers 3 erzeugte Schwingung hat eine größere Amplitude als die Signalschwingung der Quelle U. In der Phase der Quelle V, in der die obere Klemme des Übertragers 3 negativ ist gegenüber seiner unteren Klemme, wird die obere Hauptelektrode des Transistors 1 als Kollektor und die untere Hauptelektrode als Emitter betrieben. Der Transistor 1 arbeitet dann für die Signalquelle U als Emitterfolgeschaltung und erzeugt folglich über den Widerstand 5 eine nahezu ebenso große Spannung wie die Spannung der Quelle U. Während der umgekehrten Polarität der Quelle V wird die obere Hauptelektrode des Transistors 1 als Emitter und die untere Hauptelektrode als Kollektor betrieben und weil die Widerstände 4 und 5 gleich groß gewählt sind und der Transistor vom symmetrischen Typ ist, wird dann über den Widerstand 5 eine Spannung erzeugt, die wiederum nahezu gleich groß ist wie die der Signalquelle U, aber die entgegengesetzte Phase aufweist. Das Ausgangssignal UV wird der Mittelanzapfung eines Spannungsteilers 6, 7 entnommen, der zwischen der einen Hauptelektrode und dem von der anderen Hauptelektrode abgewendeten Ende des Widerstandes 4 eingeschaltet ist. Durch diese Schaltweise wird die Frequenzkomponente im Ausgangssignal UV mit der Frequenz der Quelle V ebenfalls unterdrückt. Wenn der Transistor nicht vom symmetrischen Typ ist, sind die Widerstände 4 und 5 und/oder die Widerstände 6 und 7 entsprechend verschieden groß zu wählen.

Die Frequenzen der Signale U und V können verschieden groß sein, so daß eine modulierte oder in der Frequenz verschobene Schwingung am Ausgang- entnommen werden kann. Die Frequenzen der Schwingungen U und V können auch gleich groß sein, so- daß die Niederfrequenz- oder Gleichspannungskomponente des Ausgangssignals dem Phasenunterschied zwischen diesen beiden Schwingungen U und V proportional ist. In Fig. 2 ist eine Abänderung nach Fig. 1 veranschaulicht, in der der Eingangsübertrager 3 vermieden worden ist. Dazu sind weitere Transistoren 11 und 12 vorgesehen, die mit einem gemeinsamen Emitterwiderstand 13 versehen sind, wobei 'die Signalschwingung V der Basis des Transistors 11 zugeführt wird, und die Basis des Transistors 12 über einen Entkopplungskondensator 14 mit dem Punkt mit Bezugspotential 2 verbunden ist. Die an den Kollektoren der Transistoren und 12 erzeugten Schwingungen der Frequenz des Signals V werden darauf einer der Schaltung nach Fig. 1 identischen Schaltung zugeführt, so daß an der Ausgangsklemme 8 wiederum die Schwingung UV erzeugt wird. Die gegebenenfalls in den Signalen U und V anwesenden Gleichspiannungskomponenten bleiben dabei in der Schwingung UV aufrechterhalten.

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Schaltung zur Gegentaktmodulation, zur Frequenzverschiebung oder zum Phasenvergleich elektrischer Schwingungen mit Hilfe eines Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Schwingung zwischen einem Punkt mit Bezugspotential und der Basis des Transistors angelegt wird und daß die andere Schwingung, deren Amplitude größer ist als die der erstgenannten Schwingung, gegenüber dem Punkt mit Bezugspotential in Gegentakt den Hauptelektroden des Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, über vorzugsweise gleich große Widerstände zugeführt wird und daß das Ausgangssignal einer Anzapfung, vorzugsweise der Mittelanzapfung, eines Spannungsteilers entnommen wird, der zwischen der einen Hauptelektrode und dem von der anderen Hauptelektrode abgewendeten Ende des in den Kreis letztgenannter Elektrode aufgenommenen Widerstandes eingeschaltet ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schwingung den Kollektorelektroden zweier weiterer Transistoren entnommen wird, die einen gemeinsamen Emitterwiderstand enthalten und wobei die Quelle der zweiten Schwingung in den Basiskreis einer dieser weiteren Transistoren eingeschaltet ist und die Basis des anderen Transistors für die Frequenz dieser zweiten Schwingung am Bezugspotential Hegt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 924328;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1066 631.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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