AT213956B - Schaltung zur Gegentaktmodulation - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Schaltung zur Gegentaktmodulation 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 die Signalschwingung der Quelle U. In der Phase der Quelle V, in der die obere Klemme des Übertragers 3 negativ ist gegenüber seiner unteren Klemme, wird die obere Hauptelektrode des Transistors 1 als Kollektor und die untere Hauptelektrode als Emitter betrieben. Der Transistor 1 arbeitet dann für die Signalquelle U als Emitterfolgeschaltung und erzeugt folglich über dem Widerstand 5 eine nahezu ebenso grosse Spannung wie die Spannung der Quelle U.

   Während der umgekehrten Polarität der Quelle V wird die obere Hauptelektrode des Transistors 1 als Emitter und die untere Hauptelektrode als Kollektor betrieben und weil die Widerstände 4 und 5 gleich gross gewählt sind und der Transistor vom symmetrischen Typ ist, wird dann über dem Widerstand 5 eine Spannung erzeugt, die wiederum nahezu gleich gross ist wie die der Signalquelle U, aber die entgegengesetzte Phase aufweist. Das Ausgangssignal UV wird der Mittelanzapfung eines Spannungsteilers 6, 7 entnommen, der zwischen der einen Hauptelektrode und dem von der andern Hauptelektrode abgewendeten Ende des Widerstands 4 eingeschaltet ist. Durch diese Schaltweise wird dieFrequenzkomponente imAusgangssignal UV mit der Frequenz der Quelle V ebenfalls unterdrückt.

   Wenn der Transistor nicht vom symmetrischen Typ ist, sind die Widerstände 4 und 5 und/oder die Widerstände 6 und 7 entsprechend verschieden gross zu wählen. 



   Die Frequenzen der Signale U und V können verschieden gross sein, so dass eine modulierte oder in der Frequenz verschobene Schwingung am Ausgang entnommen werden kann. Die Frequenzen der Schwingungen U und V können auch gleich gross sein, so dass die   Niederfrequenz- oder   Gleichspannungskomponente des Ausgangssignals dem Phasenunterschied zwischen diesen beiden Schwingungen U und V proportional ist. 



   In Fig. 2 ist eine Abänderung nach Fig. 1 veranschaulicht, in der der Eingangsübertrager 3 vermieden worden ist. Dazu sind weitere Transistoren 11 und 12 vorgesehen, die mit einem gemeinsamen Emitterwiderstand 13 versehen sind, wobei die Signalschwingung V der Basis des Transistors 11 zugeführt wird, und die Basis des Transistors 12 über einen Entkopplungskondensator 14 mit dem Punkt mit Bezugspotential 2 verbunden ist. Die an den Kollektoren der Transistoren 11 und 12 erzeugten Schwingungen der Frequenz des Signals V werden darauf einer der Schaltung nach Fig. 1 identischen Schaltung zugeführt, so dass an der Ausgangsklemme 8 wiederum die Produktschwingung UV erzeugt wird. Die gegebenenfalls in den Signalen U und V anwesenden Gleichspannungskomponenten bleiben dabei in der Produktschwingung UV aufrechterhalten. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Schaltung zur   Gegentaktmodulation, zur Frequenzverschiebung   oder zum Phasenvergleich elektrischer Schwingungen mit Hilfe eines Transistors, wobei die eine Schwingung zwischen einem Punkt mit Bezugspotential und der Basis des Transistors angelegt wird und die andere Schwingung gegenüber dem Punkt mit   Bezugspotential in Gegentakt den Hauptelektroden des Transistors, vorzugsweiseeines symme-   tischen Transistors, zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die   Amplitudederzweitgenannten   Schwingung grösser ist als die der erstgenannten Schwingung, dass die zweitgenannte Schwingung über gleich grosse Widerstände den Hauptelektroden des Transistors zugeführt wird und dass das Ausgangssignal einer Anzapfung, vorzugsweise der Mittelanzapfung,

   eines Spannungsteilers entnommen wird, der zwischen der einen Hauptelektiode und dem von der andern Hauptelektrode abgewendeten Ende des in den Kreis letztgenannter Elektrode aufgenommenen Widerstands eingeschaltet ist.

Claims (1)

1. 2. Schaltung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schwingung den Kollektorelektroden zweier weiterer Transistoren entnommen wird, die einen gemeinsamen Emitterwiderstand enthalten und wobei die Quelle der zweiten Schwingung in den Basiskreis eines dieser weiteren Transistoren eingeschaltet ist und die Basis des andern Transistors für die Frequenz dieser zweiten Schwingung am Bezugspotential liegt.