DE1098614B - Verfahren zur Anbringung von Kontaktelektroden bei Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur Anbringung von Kontaktelektroden bei Halbleiteranordnungen

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DE1098614B
DE1098614B DEH35918A DEH0035918A DE1098614B DE 1098614 B DE1098614 B DE 1098614B DE H35918 A DEH35918 A DE H35918A DE H0035918 A DEH0035918 A DE H0035918A DE 1098614 B DE1098614 B DE 1098614B
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie sie als Transistoren, Dioden, Photozellen, Infrarotdetektoren u. dgl. Verwendung finden. Dabei handelt es sich um die bekannte Form von Halbleiteranordnungen, bei der ein Plättchen aus einem Halbleiterkristall mit einer Vertiefung oder Aushöhlung versehen wird, die einen bestimmten Bereich in dem Halbleiterkörper abgrenzt, und zwar insbesondere zur Schaffung eines p-n-Überganges.
Bei der Schaffung von gleichrichtenden oder anderen Übergängen ist man bei Halbleiteranordnungen bestrebt, diese Übergänge tief in das Halbleiterplättchen zu versenken. Dies gilt insbesondere für Flächentransistoren, bei denen es für die Erzielung optimaler Wirkung darauf ankommt, den Abstand zwischen dem Emitterübergang und dem Kollektorübergang, also die sogenannte Dicke der Basiszone, in der Größenordnung von 0,025 mm zu halten. Um einen so kleinen Betrag der Basiszonendicke in einem Plättchen von etwa 0,4 mm Dicke erhalten zu können, werden die Emitter- und Kollektorübergänge im allgemeinen tief in das Plättchen hineinversenkt. Dabei erweist es sich als äußerst schwierig, die Basiszone genau auf die verlangte Dicke zu bringen. Das gilt schon, wenn diese Übergänge sich etwa 0,05 mm unterhalb der Außenfläche des Plättchens befinden. Genaue Einhaltung der Tiefe solcher Ausnehmungen ist durch kristallinische Unvollkommenheiten, Spannungen in der Oberfläche und andere Phänomene besonders schwierig. Es geschieht daher viel zu häufig, daß die Basiszone entweder zu dick oder zu dünn ausfällt. Ist sie zu dünn, so entstehen. Kurzschlüsse durch die Basiszone hindurch, und die Kristallode vermag nicht zufriedenstellend als Verstärker zu arbeiten. Die mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung werden außerdem nachteilig durch die verhältnismäßig große Aktivatormenge und die hohen Temperaturen beeinflußt, die nötig sind, um so viel aus dem Plättchen herauszulösen, wie für die Versenkung der Grenzflächen nötig ist. Andererseits macht es die Sprödigkeit des Halbleitermaterials, insbesondere des Siliziums, praktisch unmöglich, mit einem dünnen Plättchen zu arbeiten, bei dem man auf Schaffung tiefer Aushöhlungen verzichten könnte.
Die Vertiefungen und Aushöhlungen in dem Plattchen wurden bisher durch Sandstrahlen, Ultraschallbearbeitung, Bohren oder elektrolytische Düsenätzung hergestellt. Mit diesen Verfahren ist es aber in der Regel sehr schwierig, Ausnehmungen zu schaffen, für deren Abmessungen und Form enge Grenzen vorgeschrieben sind.
Die mit den bekannten Verfahren verbundene Schwierigkeiten und Nachteile sollen durch die Erfindung" beseitigt werden. Die Erfindung bezieht sich so-
zur Anbringung von Kontaktelektroden
bei Halbleiteranordnungen
Anmelder:
Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. G. Eichenberg
und Dipl.-Ing. H. Sauerland, Patentanwälte,
Düsseldorf, Cecilienallee 76
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 2. April 1958
Philip R. Pennington, Inglewood, Calif, (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
mit auf ein Verfahren zur Anbringung von ohmschen und nichtohmschen Kontaktelektroden bei Halbleiteranordnungen, vorzugsweise mit einem Halbleiterkörper aus Silizium. Erfindungsgemäß wird das Kristallgitter des Halbleiterkörpers nur an den Stellen, an denen Elektroden angebracht werden sollen, ohne Materialentfernung, z. B. durch Spitzendruck auch mit rotierender Spitze, beschädigt, dann wird an dieser Stelle durch Ätzen eine tiefe und ebene Aushöhlung gebildet, und in dieser Aushöhlung wird das Elektrodenmaterial angebracht. Überraschenderweise wurde gefunden, daß das Ausmaß des kristallographischen Schadens in dem Kristallkörper die Tiefe der Ausnehmung bestimmt, die beim Ätzen, des beschädigten Bereiches entsteht. In der Tiefe gerechnet, entfernt die Ätzflüssigkeit lediglich so viel, wie der Tiefenausdehnung des bewußt zugefügten kristallographischen Schadens entspricht. Es ist auf diese Weise möglich, eine Ätzwirkung zu schaffen, die vorzugsweise in die Tiefe arbeitet, also im wesentlichen entlang der Richtung, in der der kristallographische Schaden erzeugt worden ist. Mit dem Verfahren nach der Erfindung gelingt es daher, die Ausnehmung, was ihre Tiefe betrifft, dadurch genau herzustellen, daß man die Tiefe der kristallographischen Beschädigung entsprechend steuert. Die Weite der Ausnehmung oder Aushöhlung
109 508/309
kann durch geeignete Wahl der Ätzdauer bestimmt werden.
Es wurde ferner überraschenderweise gefunden, daß die Form der Ausnehmung von der Zusammensetzung" der Ätzflüssigkeit abhängt und daß Aushöhlungen oder Vertiefungen, die in Siliziumkörpern hergestellt wurden, außerordentlich flache Bodenflächen hatten und daß ihre Seitenwände gerader ausfielen, als bisher möglich war.
Unter einem kristallographischen Schaden soll hier die Wirkung einer von außen kommenden, bewußt herbeigeführten Beanspruchung oder Spannung verstanden werden, die in dem Gitterwerk des Kristalls durch eine von außen ausgeübte Kraft entsteht. Solche Schaden in der Kristallstruktur sollen von äußerlich sichtbaren Rissen oder Spalten bis zu solchen Beanspruchungen rechnen, die nur eine Verdichtung oder anderweitige Verlagerung der die Kristallstruktur bildenden Atome herbeiführt, so daß in diesem Falle der »Schaden« latent und nicht ohne weiteres zu beobachten, aber gleichwohl vorhanden ist. Das Ausmaß des kristallographischen Schadens hängt von der jeweils vorliegenden kristallinischen Struktur, der Größe der zur Einwirkung gebrachten Kraft, der Größe der dieser Kraft ausgesetzten Fläche und der Dicke des Kristalles ab.
Die Beschädigung geschieht also ohne Materialentfernung und nur an den Stellen, an denen Elektroden angebracht werden sollen.
Es ist ferner bekannt, eine Halbleiterscheibe mit einem gegen das Ätzmittel beständigen Überzug, etwa aus Paraffin, zu versehen und diesen Überzug an den Stellen, an denen das Ätzmittel wirken soll, wieder zu entfernen. Dabei kann die Entfernung durch Einritzen eines Strichgitters in den Überzug geschehen, so daß Ätzmittel Nuten in die Halbleiterscheibe hineinfrißt, nach denen die Scheibe in einzelne Plättchen gebrochen werden kann. Das Verfahren kann aber auch dazu dienen, durch Entfernung des Überzuges Stellen freizulegen, an denen später Spitzenelektroden angelegt werden können. Dagegen bezweckt das Verfahren nicht, das Kristallgitter des Halbleiterkörpers an den Stellen, an denen Elektroden angebracht werden sollen, zu beschädigen.
Es sei endlich hervorgehoben, daß es allgemein bekannt ist, Halbleiterkörper für Halbleiteranordnungen in verschiedenen Stadien der Herstellung zu ätzen.
Als Mittel zur Beschädigung des Kristallgitters hat sich beim Verfahren nach der Erfindung eine Diamantspitze als besonders zweckmäßig erwiesen, während als Ätzmittel mit Vorteil eine Flüssigkeit verwendet wird, die das Hydroxyd eines Alkalimetalls enthält, insbesondere eine 1- bis 40°/oige wäßrige Lösung von Kaliumhydroxyd oder Narriumhydroxyd.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von Beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Dort zeigt
Fig. 1 einen Aufriß einer Vorrichtung zur Erzeugung kristallographischen Schadens in einem Kristallkörper,
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein Kristallplättchen mit sechseckig geformten Ausnehmungen auf gegenüberliegenden Seiten gemäß Linie 2-2 in Fig. 4,
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein Metallplättchen mit dreieckig geformten Ausnehmungen auf gegenüberliegenden Seiten gemäß Linie 3-3 in Fig. 5,
Fig. 4 und 5 Ansichten der Kristallplättchen nach Fig. 2 und 3,
Fig. 6 verschiedene Ausnehmungen, die durch Ätzen eines Plättchens mit Kalilauge verschiedener Konzentrationen und verschiedener Ätzdauer hergestellt sind, und
Fig. 7 entsprechende Beispiele für Ausnehmungen in Kristallplättchen, die durch Ätzen eines Plättchens mit Natronlauge verschiedener Konzentrationen und verschiedener Ätzdauer hergestellt sind.
Gemäß Fig. 1 liegt ein Plättchen 2 aus einem Siliziumkristall, das zur Herstellung eines Flächentransistors dienen soll, auf einer Plattform 4. Zwei
ίο gegenüberliegende Flächen des Plättchens können quadratisch sein, und zwar beispielsweise mit 3 mm Kantenlänge, während die Dicke etwa 0,38 mm beträgt. Das Plättchen kann η-Leitfähigkeit oder p-Leitfähigkeit haben. ...
Der kristallographische Schaden im Siliziumplättchen 2 kann auf verschiedene Weise erzeugt werden. Beispielsweise wird die Oberfläche mit einem spitzen Diamanten geritzt oder angekratzt. Da jedoch die Tiefe, bis zu der der Schaden in das Kristallplättchen hineinreicht, in erster Linie die Tiefe der herzustellenden Ausnehmung bestimmt, empfiehlt es sich, das Ausmaß der Beschädigung sorgfältig zu steuern, indem relativ schwacher Druck mittels eines gewichtsbelasteten Armes gemäß Fig. 1 auf einen bestimmten Teil des Plättchens 2 ausgeübt wird. Gemäß Fig. 1 wird eine Diamantspitze 6 in der Form einer dreiseitigen Pyramide, die am einen Ende eines Hebels 8 aufgehängt ist, vorsichtig in Berührung mit der Oberfläche des Plättchens 2 gebracht, und zwar an derjenigen Stelle, an der ein kristallographischer Schaden erzeugt und eine Aushöhlung hergestellt werden soll. Eine Diamantspitze wird benutzt, um die Möglichkeit einer größeren seitlichen Ausdehnung des Schadens in dem Kristall möglichst gering zu halten, das Ausmaß der Beschädigung senkrecht zur Kristalloberfläche und die Tiefe dagegen möglichst zu erhöhen. Übermäßige seitliche Ausdehnung des Schadens würde es naturgemäß erschweren, den die herzustellende Höhlung umgrenzenden Wandflächen die verlangte Form zu geben. Der Hebel 8 ist an einem Block 10 drehbar gelagert und trägt ein Gewicht 9 zwischen seinem Drehpunkt und dem Hebelende, an dem die Diamantspitze 6 aufgehängt ist.
Die Tiefe, bis zu welcher der mit dem Verfahren
4S erzeugte kristallographische Schaden reicht, hängt von dem Druck der Diamantspitze auf den Kristall ab. Wird das am Hebelarm 8 aufgehängte Gewicht 9 so bemessen, daß es an der Berührungsstelle zwischen der Diamantspitze und einem Siliziumkristallplättchen eine Kraft von 1 kg erzeugt, so entsteht ein kristallographischer Schaden in einer Tiefe zwischen etwa 0,05 und etwa 0,075 mm.
Ein kristallographisch beschädigter Bereich kann in einem Siliziumplärtchen aber auch durch einen mit einer Diamantspitze versehenen Bohrer erzeugt werden, der während der Ausübung des Druckes auf die zu beschädigende Fläche umläuft. Bei diesem Verfahren kann ein Schaden auf eine Tiefe von etwa 0,25 mm in einem Siliziumkristall in etwa 15 bis 30 Sekunden hergestellt werden, wenn man den Bohrer mit etwa 2,25 kg auf den Kristall drücken läßt, während er mit etwa 60 Umdrehungen pro Minute umläuft.
Die folgende Tabelle veranschaulicht die Abhängigkeit der Tiefe des erzeugten Schadens von der angewendeten Kraft für die beiden Verfahren des Arbeitens mit einem ruhenden Werkzeug und mit einem umlaufenden Werkzeug. Die Werte wurden an einem Siliziumkristallkörper von etwa 0,2 mm Dicke gemessen, nachdem die Kraft jeweils 3 Sekunden eingewirkt hatte.
Tiefe des
Schadens
0,1
0,063
Ruhendes
Werkzeug,
Kraft
in Gramm
1500
900
Rotierendes Werkzeug
Kraft
in Gramm
400
250
Drehzahl pro Minute
35 bis 40 20 bis 25
ihr Abstand gleichmäßig und konstant ist. Bei Anwendung von Kaliumhydroxydlösungen von 30% Konzentration oder weniger ergaben sich Höhlungen, deren Bodenfläche von der parallelen Lage mit der 5 Außenfläche des Kristalls um weniger als 1° abwichen.
Fig. 2 und 4 zeigen idealisiert ein Siliziumplättchen von η-Leitfähigkeit mit einer sechseckig geformten Ausnehmung oder Höhlung 4 für den Emitter und
Kristalldicke
in mm
0,25
0,5
Tiefe des Schadens in mm
0,075
0,091
Auch die Dicke des Kristallkörpers hat einen Einfluß auf die Tiefe des erzeugten Schadens, wie sich io einer gleichfalls sechseckig~geformten Höhlung 6 für aus den nachstehenden Werten ergibt, die sich bei den Kollektor, die beide gemäß der Erfindung herge-Anwendung einer Druckkraft von 500g ergaben: stellt worden sind. Das Plättchen 2 hat eine Dicke von
ungefähr 0,2 mm, wird zunächst auf eine Tiefe von
etwa 0,038 mm an seiner einen Fläche zur Herstellung 15 der Emitterhöhlung und dann auf eine Tiefe von etwa ~ 0,1 mm an der entgegengesetzten Fläche zur Herstellung der Kollektorhöhlung beschädigt. In beiden Fällen wird der kristaUographische Schaden mittels einer Diamantspitze hervorgerufen, die mit einer
Den nächsten Schritt in der Herstellung einer Aus- 20 Kraft von 400 g bei der Herstellung der Emitterhöhlung gewünschter Tiefe und Form bildet die höhlung und von 1500 g bei der Herstellung der Ätzung des Siliziumkristalls oder mindestens des- Kollektorhöhlung wirkt. Die für den Kollektor bejenigen Teiles des Kristalls, der zuvor kristallo- stimmte Fläche wird dann in Berührung mit kochengraphisch beschädigt worden ist. Zur Ätzung dient der Ätzlösung gebracht, die aus 30°/oiger Kalilauge eine Lösung eines Hydroxyds eines Alkalimetalls. Die 25 besteht. Der beschädigte Bereich wird dabei fast Ätzdauer richtet sich in erster Linie nach dem Durch- augenblicklich entfernt, so daß eine kleine Höhlung messer, den die Höhlung erhalten soll. Man beobach- von Nadelkopfgröße zurückbleibt. Das Ätzen wird tet, daß die Bodenwinkel sich um so schärfer aus- dann für etwa 10 Minuten fortgesetzt. Hierauf wird prägen, je konzentrierter die Ätzflüssigkeit ist. Damit das ganze Plättchen 2 in die kochende Ätzflüssigkeit ist gemeint, daß die die Höhlung umgrenzende Fläche 30 eingetaucht, so daß auch die für die Aufnahme des am Umfang des Bodens schärfer von einer zur Emitters bestimmte Außenfläche in Berührung damit äußeren Kristallfläche parallelen Fläche in die dagegen kommt, und es wird für weitere 20 Minuten geätzt, abgewinkelten Flächen übergeht. Recht gut regelmäßig Diese spezielle Methode, dem Herausätzen der geformte sechseckige Höhlungen oder Ausnehmungen Kollektorhöhlung einen zeitlichen Vorsprung zu geben, können durch Kalilauge erzeugt werden, während 35 wird mit Vorteil immer dann angewendet, wenn es Natronlauge als Ätzmittel die Tendenz hat, das sich um die Herstellung eines Transistors handelt, theoretische regelmäßige Sechseck in ein Dreieck dessen Kollektor einen größeren Durchmesser haben umzuwandeln und zugleich mehr abgerundete Höhlun- soll als der Emitter. Denn während der zweiten Ätzgen zu erzeugen. Deshalb empfiehlt es sich, mit Kali- periode wird natürlich das Herausätzen der Kollektorlauge zu ätzen, um einen ausgehöhlten Siliziumkörper 40 höhlung 6 fortgesetzt, so daß, wenn sie beendet ist, für einen Transistor so herzustellen, daß zwischen eine Emitterhöhlung 4 von etwa 0,8 mm Durchmesser dem Emitter auf der einen Seite und dem Kollektor und eine Kollektorhöhlung 6 von etwa 1,2 mm Durchauf der entgegengesetzten Seite des Plättchens die messer erhalten werden. Beide Höhlungen haben die nötige geometrische Ausrichtung besteht. Die sechs- Form regelmäßiger Sechsecke und liegen miteinander eckig geformten Höhlungen auf den beiden Ober- 45 Jn Flucht, wie aus Fig. 4 hervorgeht,
flächen des Plättchens gestatten eine solche geome- Statt dessen können in dem Siliziumplättchen 2
irische Ausrichtung, während mehr dreieckige Höh- sechseckig geformte Höhlungen 4 und 6 für den lungen auf gegenüberliegenden Oberflächen diese Emitter und den Kollektor auch durch Ätzung mit Bedingungen nicht erfüllen, weil dann eine Spitze einer wässerigen Lösung von Natriumhydroxyd herdes Dreiecks auf der einen Fläche einer Seite des 50 gestellt werden. Das etwa 0,2 mm dicke Plättchen 2 Dreiecks auf der entgegengesetzten Fläche gegenüber- wird zunächst auf derjenigen Fläche, die die Emitterlie§rt· höhlung erhalten, soll, auf eine Tiefe von etwa
Im allgemeinen erwies sich eine 30%ige wässerige 0,038 mm und sodann auf der entgegengesetzten Lösung von Kaliumhydroxyd als am besten geeignet. Fläche, die die Kollektorhöhlung erhalten soll, auf Mit ihr konnten Höhlungen gemäß Fig. 2 und 4 her- 55 etwa 0,1 mm Tiefe beschädigt, wie dies bereits in gestellt werden. Lösungen' von weniger als 30% Verbindung mit Fig. 2 und 4 beschrieben wurde. Konzentration ergaben Aushöhlungen, die in der Diese Tiefenwerte können mit einer Diamantspitze Form von einem regelmäßigen Sechseck stärker ab- erhalten werden, die mit einer Kraft von 400g auf wichen. Lösungen von weniger als l«/o Konzentration der Emitterseite und mit einer Kraft von 1500 g auf erwiesen sich als unwirksam zum Ätzen von Silizium 60 der Kollektorseite wirkt. Hierauf wird die Fläche, die und zur Erzeugung von. Ausnehmungen darin. die Kollektorhöhlung erhalten soll, etwa 10 Minuten Lösungen von mehr als 30% Konzentration anderer- lang mit einer kochenden Ätzlösung behandelt, die seits ergaben keine regelmäßig geformten Höhlungen etwa 20% Natriumhydroxyd in Wasser enthält, und Bodenflächen, die außerdem stärker von der Hierauf wird das ganze Plättchen in die kochende parallelen Ausrichtung mit der Außenfläche abwichen, 65 Ätzflüssigkeit eingetaucht, und das Ätzen wird für als wünschenswert war. Es ist gerade für einen etwa 20 Minuten fortgesetzt. Nach Ablauf dieser Flächentransistor mit einem Emitter und einem zweiten Ätzperiode ist eine Emitterhöhlung 4 von Kollektor auf entgegengesetzten Flächen des Platt- etwa 0,52 mm Durchmesser und eine Kollektorhöhlung chens wünschenswert, daß die Grenzflächen eben und von etwa 0,8 mm Durchmesser entstanden. Beide im wesentlichen parallel zueinander verlaufen, so daß 7° Höhlungen haben annähernd sechseckige Form und

Claims (4)

  1. 7 8
    liegen in geometrischer Ausrichtung, also in Flucht Natronlauge erhalten wurden, sind bereits auffallend
    zueinander, wie aus Fig, 4 hervorgeht. stark gekrümmt. Alle Höhlungen zeigen eine Tendenz,
    In Fig. 3 und 5 ist ein Plättchen 2 aus Silizium von Dreieckform anzunehmen. Ein Vergleich mit den n-Leitf ähigkeit dargestellt, das etwa 0,25 mm dick Wandungen der Höhlungen, die durch Ätzen mit Kaliist und dreieckförmige Höhlungen 8 und 10 für den 5 lauge erzeugt wurden, läßt erkennen, daß die durch Emitter und Kollektor aufweist. Diese Höhlungen Natronlauge erhaltenen Ausnehmungen im allgemeinen werden durch Ätzen in einer kochenden Flüssigkeit in der Geradheit der Seiten besser ausfallen. Ebenso hergestellt, die aus einer 30°/oigen wässerigen Lösung wie beim Ätzen mit Kalilauge werden auch beim von Kaliumhydroxyd und Äthylenglvkol zu gleichen Ätzen mit Natronlauge mit zunehmender Konzen-Teilen besteht. In diesem Beispiel wird der kristallo- io tration die Seitenwände steiler.
    graphische Schaden durch eine drehende Diamant- Vorzugsweise wird die Temperatur der Ätzflüssig' spitze hergestellt, die auf der für den Emitter keit während des Ätzens auf dem Siedepunkt gehalten, bestimmten Fläche mit einer Kraft von -etwa 25 g um die Reaktion zu beschleunigen und die verlangten anliegt und dabei fünf Umläufe macht, während sie Höhlungen in der kürzestmöglichen Zeit zu erhalten, auf der entgegengesetzten Fläche zur Herstellung der 15 Doch es ist keineswegs unmöglich, bei niedrigeren Kollektorhöhlung mit einer Kraft von 300 g während Temperaturen zu ätzen, wenn dies und die entzehn Umläufen zur Wirkung gebracht wird. An- sprechend verminderte Ätzgeschwindigkeit erwünscht schließend wird zunächst nur die für den Kollektor sind. Konzentrationen der Ätzflüssigkeit zwischen 1 bestimmte Fläche in Berührung mit der kochenden und 40% sind nur mit Rücksicht auf die dadurch Ätzflüssigkeit gebracht, und zwar etwa 10 Minuten 20 erhaltenen geometrischen Formen der Höhlungen belang. Hierauf wird das ganze Plättchen in die Flüssig- vorzugt, Formen, die in vieler Hinsicht wünschens~ keit getaucht und die Ätzung für weitere 20' Minuten wert sind. In Fällen, in denen bestimmte geometrische fortgesetzt. Daraus entstehen die gezeichneten, wie^ Formen nicht verlangt werden und die Ätzdauer keine derum als idealisiert zu verstehenden dreickförmigen Rolle spielt, können Ätzflüssigkeiten von nahezu jeder Höhlungen 8 und 10. Die Durchmesser der Höhlungen 25 Konzentration benutzt werden. Ausnehmungen verbetragen etwa 0,8 bzw. 1,2 mm. Die Seitenflächen der schiedener Durchmesser und Formen wurden mit Ätz-Höhlungen sind einigermaßen gerade mit einer flüssigkeiten erhalten, deren Konzentration zwischen gewissen Krümmung an jeder Ecke der entstandenen 1 Gewichtsprozent und Sättigung lag. In jedem Falle Dreiecke. war jedoch die Tiefe der entstandenen Ausnehmung
    Fig, 6 und 7 veranschaulichen den Zusammenhang 30 oder Höhlung durch das Ausmaß des absichtlich zwischen Größe und Form der Höhlung einerseits erzeugten kristallographischen Schadens bestimmt,
    und der Konzentration der Ätzflüssigkeit und der Die Anwendung von Zusätzen zu den Ätzflüssig-Ätzzeit andererseits. Sowohl Fig. 6 wie Fig. 7 sind keiten ist keineswegs ausgeschlossen.. Zusätze vom von photographischen Aufnahmen wirklich hergestell- Alkoholtyp haben die Tendenz, die Geradheit der Wanter Kristallkörper abgezeichnet worden. Die Auf- 35 düngen zu verbessern und flachere, ebenere Bodennahmen wurden mit einer senkrecht über den Objekten flächen zu erzeugen. Gleiche Volumenteile von 30%iger angeordneten Lichtquelle gemacht, und Flächen, die Natronlauge und Äthylenglykol ergaben beispielsweise nicht senkrecht zu den Lichtstrahlen verlaufen, er- Höhlungen, deren Bodenflächen von der parallelen scheinen daher dunkel oder schwarz. Die Außenflächen Lage zur Kristallaußenfläche um weniger als 20 Bogender Kristallkörper sind mit 12 und die Bodenflächen 40 minuten abwichen. Andere Zusätze, beispielsweise der Ausnehmungen oder Höhlungen mit 14 bezeichnet. Natriumkarbonat, können verwendet werden, um den Die schwarz erscheinenden Bereiche entsprechen den Siedepunkt der Ätzflüssigkeit heraufzusetzen und da-Seitenwandungen der Höhlungen und sind mit 16 durch die Reaktion zu beschleunigen,
    bezeichnet. Die Proben nach Fig. 6 sind durch Ätzen Soll ein Kristallkörper für einen Transistor mit mit Kalilauge, diejenigen nach Fig. 7 durch Ätzen 45 Höhlungen versehen werden, die die gleiche Größe mit Natronlauge entstanden. Es wurden Ätzflüssig- haben, so braucht das beschriebene zweistufige Ätzkeiten mit drei verschiedenen Graden der Konzentra- verfahren nicht angewendet zu werden. Gleich große tion angewendet, und mit jeder dieser Flüssigkeiten Höhlungen in ein und demselben Kristall erhält man wurden drei Proben behandelt, jede für eine andere einfach, indem das Plättchen zu Beginn vollständig in Dauer. 50 die Ätzflüssigkeit getaucht wird. Da das Ausmaß des
    Fig. 6 zeigt, daß die Höhlungen in den Kristallen kristallographischen Schadens die Tiefe der Höhlung
    der ersten und zweiten Reihe, die mit 5- und 2O°/oiger bestimmt, so können Höhlungen verschiedener Tiefe
    Kalilauge geätzt wurden, ziemlich geradlinig ver- gleichzeitig in derselben Ätzflüssigkeit hergestellt
    laufen. Die Seiten der Höhlungen der Kristalle in der werden,
    dritten Reihe, die mit 6O'*/oiger Kalilauge behandelt 55
    werden, erscheinen wesentlich stärker gekrümmt im p
    Vergleich zu den Höhlungen, die das Ergebnis der Patentansprüche:
    Behandlung mit niedriger konzentrierter Kalilauge
    darstellen. Außerdem ist erkennbar, daß die Anwen- 1. Verfahren zur Anbringung von ohmschen und dung höherer Konzentration offenbar die Steilheit der 6a nichtohmschen Kontaktelektroden bei Halbleiter-Seitenwände der Aushöhlungen erhöht, während die anordnungen, vorzugsweise mit einem Halbleiterschwächeren Lösungen weniger steile Wände ergeben, körper aus Silizium, dadurch gekennzeichnet, daß
    Fig. 7 zeigt, daß die Seiten der Höhlungen der das Kristallgitter des Halbleiterkörpers nur an
    ersten und zweiten Reihe, die mit 5- und 2Ofl/oiger den Stellen, an denen Elektroden angebracht wer-
    Natronlauge erhalten wurden, wiederum ziemlieh 65. den sollen, ohne; Materialentfernung, z. B, durch
    gerade ausfallen, aber die Tendenz haben, sich umso Spitzendruck auch mit rotierender Spitze, beschä-
    stärker zu krümmen, je mehr die Konzentration, der digt wird, daß dann an dieser Stelle durch Ätzen
    Lösung wächst. Der Durchmesser dieser Höhlungen eine tiefe und ebene Aushöhlung gebildet wird
    beträgt ungefähr 0,84 mm. Die Seiten der Höhlungen und daß in dieser Aushöhlung das Elektroden-
    in der dritten Reihe, die durch Ätzen mit oO^/oiger 70. material angebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beschädigung des Kristallgitters eine Diamantspitze (6) verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen eine Flüssigkeit verwendet wird, die das Hydroxyd eines Alkalimetalls enthält.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen eine 1- bis 4O°/oige
    10
    wässerige Lösung von Kaliumhydroxyd Natriumhydroxyd verwendet wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Deutsche Patentschrift Nr. 823 470; deutsche Auslegeschriften Nr. 1 000533, 1 024640; Journal of appl. Physics, Bd. 25, 1954, Nr. 3, S. 634 bis 641.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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