DE1090769B - Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem Aufschmelzverfahren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem Aufschmelzverfahren

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DE1090769B
DE1090769B DEN14525A DEN0014525A DE1090769B DE 1090769 B DE1090769 B DE 1090769B DE N14525 A DEN14525 A DE N14525A DE N0014525 A DEN0014525 A DE N0014525A DE 1090769 B DE1090769 B DE 1090769B
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Germany
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Jan Koens
Jacobus Asuerus Ploos Johannes
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • G01G—WEIGHING
    • G01G23/00—Auxiliary devices for weighing apparatus
    • G01G23/18—Indicating devices, e.g. for remote indication; Recording devices; Scales, e.g. graduated
    • H10P95/00—
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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NL255865A (OSRAM) * 1960-09-13 1900-01-01

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1088007A (fr) * 1952-10-22 1955-03-02 Rca Corp Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1115448A (fr) * 1953-10-16 1956-04-24 Thomson Houston Comp Francaise Dispositif semi-conducteur à jonctions à forte évacuation thermique
DE1015152B (de) 1956-02-08 1957-09-05 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1088007A (fr) * 1952-10-22 1955-03-02 Rca Corp Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1115448A (fr) * 1953-10-16 1956-04-24 Thomson Houston Comp Francaise Dispositif semi-conducteur à jonctions à forte évacuation thermique
DE1015152B (de) 1956-02-08 1957-09-05 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten

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