DE1080692B - Halbleiterdiode, insbesondere Schaltdiode, mit einem Halbleiterkoerper aus vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps - Google Patents

Halbleiterdiode, insbesondere Schaltdiode, mit einem Halbleiterkoerper aus vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps

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DE1080692B
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

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FR1099887A (fr) * 1953-05-07 1955-09-12 Philips Nv Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes comportant une couche superficielle du type p de conduction

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