DE1058632B - Verfahren zur beliebigen Verringerung des Sperrwiderstandes einer Legierungs-elektrode von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur beliebigen Verringerung des Sperrwiderstandes einer Legierungs-elektrode von Halbleiteranordnungen

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DE1058632B DED21837A DED0021837A DE1058632B DE 1058632 B DE1058632 B DE 1058632B DE D21837 A DED21837 A DE D21837A DE D0021837 A DED0021837 A DE D0021837A DE 1058632 B DE1058632 B DE 1058632B
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Description

DEUTSCHES
Zur Herstellung von pn-Legierungselektroden bei Halbleiteranordnungen aus Germanium, Silizium oder anderen geeigneten Halbleiterwerkstoffen wir.d. vielfach clndium;' Blei od. dgl. als Grundmaterial benutzt. Beispielsweise, kommen auch als Grundmaterial .Aluminium un,d;.Go:ld-in Betracht. . ■ ; . i:
:■ Die; ideale pn-Sperrkennlinie. von: Halbleiteranordnungen weist nur einen geringen Sättigungsstrbrn -aufi der von der Spannung kaum abhängig ist. Der differentielle vSperrwiderstand liegt somit verhältnismäßig hoch. Im allgemeinen ist mit Werten zwischen 1 und 30 MOhm zu rechnen.
Es tritt nun in manchen Fällen der Wunsch auf, den Sperrwiderstand beliebig zu verringern, d. h. niederohmige differentielle Widerstände zu erzeugen, um Kennlinien zu erhalten, die von der Spannung mehr oder weniger abhängig sind.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur beliebigen Verringerung des Sperrwiderstandes einer Legierungselektrode von Halbleiteranordnungen mit Halbleiterwerkstoffen, wie Germanium, Silizium od. dgl. Nach der Erfindung wird die Legierungselektrode aus einem mit dem Halbleiterkörper unter Bildung eines pn-Überganges legierenden Grundmaterial, wie Indium, Blei, Aluminium od. dgl., hergestellt und ihr ein eine erhöhte Rekombinationsrate im Halbleiterkörper bewirkendes Element, wie z. B. Nickel, Kupfer, Eisen od. dgl., in solcher Dosierung zugesetzt, daß eine gewünschte Sperrwiderstandserniedrigung erreicht wird.
Es wird also bei der Erfindung davon Gebrauch gemacht, daß eine Reihe von Elementen, wie Nickel, Kupfer, Eisen usw., in Halbleiterkristallen die Ursache für eine erhöhte Rekombinationsrate der Ladungsträgerpaare sind. Die Wirkung von Nickel, Eisen, Kupfer in Germanium und Silizium als Rekombinationszentren ist in der Literatur bekannt. Da dieser Einfluß in der Regel unerwünscht ist, wird bei der Herstellung üblicher Halbleiterbauteile sehr viel Arbeit .darauf verwendet, diese Elemente aus dem Halbleitermaterial auszuscheiden.
Die Erfindung gibt nun die technische Lehre, die bisher als unerwünscht angesehene Wirkung von derartigen Elementen zur beliebigen Verringerung des Sperrwiderstandes einer Legierungselektrode bei Halbleiteranordnungen auszunutzen, um beispielsweise einen erhöhten Sperrstrom (Mehrheitsladungsträgerstrom) zu erzwingen, wie er für das Funktionieren von bestimmten Halbleiteranordnungen mit teilweise fallender Charakteristik zum Schalten notwendig ist. Das Verfahren ist aber auch für sonstige Anwendungen, z. B. zur Herstellung beliebig spannungsabhängiger Widerstände, zu verwenden..
Werden derartige Elemente bei den bekannten Ver-Verfahren zur beliebigen Verringerung
des Sperrwiderstandes einer Legierungselektrode vonj Haibleiteranordriungen
.;.: i..:ur-ii r,:.:-;:;: um; τ;/. ΰν-κ türjannü.
Deutsche Bundespost,
vertreten durch den Präsidenten
des Fernmeldetechnischen Zentralamts,
Darmstadt, Rheinstr. 110
Dipl.-Phys. Alfons Hähnlein,
Nieder-Ramstadt bei Darmstadt,
ist als Erfinder genannt worden
fahren zum Aufbau eines pn-Überganges mit eingebracht, so bilden sich auch hier sporadische Inseln erhöhter Rekombination, die den eigentlichen pn-übergang kurzschließen. Die atomare Verteilung dieser Zentren bewirkt, daß ein mehr oder weniger hoher Ohmscher Widerstand erhalten bleibt, der lediglich von der Anzahl dieser Kurzschlußbrücken und vom spezifischen Widerstand des Halbleitermaterials abhängt. Durch geeignete Wahl der Dotierung und des Halbleitergrundmaterials lassen sich so beliebige differentielle Widerstände der pn-Kennlinie einstellen. Zweckmäßig beträgt der Anteil des oder der zugesetzten Elemente etwa 1 %o und mehr.
Bei einem Verfahren zur beliebigen Verringerung des Sperrwiderstandes einer Legierungselektrode nach der Erfindung werden zweckmäßig die eine erhöhte Rekombinationsrate, bewirkenden Elemente der Schmelze des Grundmaterials zugesetzt. Zur Erzielung der atomaren Verteilung sind Schmelztemperaturen erforderlich, die es ermöglichen, das Zusatzelement Nickel od. dgl. in der jeweiligen Schmelze des Grundmaterials völlig aufzulösen. Die Temperaturen, die hierzu notwendig sind, ergeben sich aus den bekannten SchmelzdiagramTnenr Je nach der geforderten Widerstandskennlinie wird der Anteil der Rekombinationsmetalle bemessen.
Das weitere Verfahren gleicht genau dem Verfahren, welches aus der Herstellung von pn-Legierungselektroden bereits bekannt ist.
Wie bereits erwähnt, läßt sich nach dem Verfahren gemäß der Erfindung vorteilhaft eine Halbleiter-
909 529/364

Claims (3)

  1. m.
    T 058 £32
    anordnung ■ herstellen, die^'als :eFekrröriisc'her■'<■ Schalter mit kurzen Sprungzeiten verwendet wird und bei. der in der Basiszone ein geringer Strom von Mehrheitsladungstr^gern, vorzugsweise-mehr als,das Zehnfache dgsfSattigungsstronies des Kollektors, in Richtung 5, auf die Basiselektrode fließt.
    "Λ*"^ ■----· Patent ANSP κ och E:
    >,..... Ί^-1 '-"V^e'irFäiirefi zUf feeließigen 'Verringerung des SperrwiderstandesVeMgf' Legigruifgselektrode von Halbleiteranordnungel^it Halblerierwerkstoffen, wie , Ge.r.ma,niutn, Silizium od. dgfr, dadurch gekenrfzeichriet, 'daß^'die Legie'ruriglelektrode aus
    ."—einem mit dem- Halbleiterkörper—unter- Bildung-
    eines pn-Überganges legierenden Grundmaterial, r:wie: Iridium, Blei,-Aluminium od. dgl·!, hergestellt . wird und daß ihr ein eine erhöhte Rekombinationsräte inr Halbleiterkörper, bewirkendes Element, wie z; B.- Nickel, Kupfer, Eisen od. dgl., in solcher
    „D_osierung zugesetzt wird, daß „eine gewünschte.
    Sperrwiderstandserniedrigung erreicht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Anteil des oder der zugesetzten Elemente etwa Γ°/οο und mehr gewählt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente der Schmelze des Grundmaterial zugesetzt werden.
    4-iialbleiteranordnung, hergestellt nach einem Verfahren, 'nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis :3, dadurch gekennzeichnet, daß sie als elektronischer Schalter mit kurzen Sprungzeiten verwendet wird und daß in der Basiszone ein geringer] Strom von Mehrheitsladungsträgern, vorzugsweise mehr als das Zehnfache des Sättigungsstrqmes des Kollektors, in Richtung auf die Basiselektrode fließt.
    — --■·■ In Betracht gezogene-Druckschriften-:-
    Deutsche Patentschrift Nr. 814 487;
    deutsche Patentanmeldung L 13149 VIIIc/21g (bekanntgemaenram 28. 1. 1!954) p ■ ' \
    am 3. April 1952 bekanntgemachte Unterlagen der deutschen Patentanmeldung W 6649 VIII c /'21 g;
    ! ProcJ IRE, Bd' 40, 1952, Nr. dl, S. 134I/1:342; :' Physica, Bd. 20, 1954, S. 845 bis 854;
    Philips Res. Reports, Bd. 8/1953, S. 244;
    The Journal of Phys. Chefn!,' Bd. 57, 1953, H. 13, S. 853 bis 859.. ^
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113519B (de) * 1960-02-25 1961-09-07 Bosch Gmbh Robert Siliziumgleichrichter fuer hohe Stromstaerken
DE1127481B (de) * 1959-09-04 1962-04-12 Bosch Gmbh Robert Leistungsgleichrichter mit einem Halbleiterkoerper aus mit Antimon dotiertem Germanium und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1141724B (de) * 1961-05-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines p-n-UEbergangs in einer einkristallinen Halbleiteranordnung
DE1166936B (de) * 1960-11-01 1964-04-02 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1168567B (de) * 1960-01-30 1964-04-23 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke
DE1191044B (de) * 1960-12-03 1965-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
DE1222167B (de) * 1962-02-02 1966-08-04 Siemens Ag Verfahren zum Gettern oder/und Fernhalten von unerwuenschten Fremdstoffen aus bzw. von Halbleiterkoerpern beim Einlegieren von dotierenden Elektroden in einen Halbleiterkoerper
DE1236081B (de) * 1963-02-06 1967-03-09 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten an Halbleiterbauelementen
DE1270694B (de) * 1963-03-29 1968-06-20 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1127481B (de) * 1959-09-04 1962-04-12 Bosch Gmbh Robert Leistungsgleichrichter mit einem Halbleiterkoerper aus mit Antimon dotiertem Germanium und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1168567B (de) * 1960-01-30 1964-04-23 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke
DE1113519B (de) * 1960-02-25 1961-09-07 Bosch Gmbh Robert Siliziumgleichrichter fuer hohe Stromstaerken
DE1166936B (de) * 1960-11-01 1964-04-02 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1191044B (de) * 1960-12-03 1965-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
DE1141724B (de) * 1961-05-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines p-n-UEbergangs in einer einkristallinen Halbleiteranordnung
DE1141724C2 (de) * 1961-05-10 1963-07-25 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines p-n-UEbergangs in einer einkristallinen Halbleiteranordnung
DE1222167B (de) * 1962-02-02 1966-08-04 Siemens Ag Verfahren zum Gettern oder/und Fernhalten von unerwuenschten Fremdstoffen aus bzw. von Halbleiterkoerpern beim Einlegieren von dotierenden Elektroden in einen Halbleiterkoerper
DE1236081B (de) * 1963-02-06 1967-03-09 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten an Halbleiterbauelementen
DE1270694B (de) * 1963-03-29 1968-06-20 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

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