DE915718C - Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht - Google Patents

Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht

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DE915718C
DE915718C DES25781D DES0025781D DE915718C DE 915718 C DE915718 C DE 915718C DE S25781 D DES25781 D DE S25781D DE S0025781 D DES0025781 D DE S0025781D DE 915718 C DE915718 C DE 915718C
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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Description

  • Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht Die Erfindung bezieht sich auf eine selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht, an deren Berührungsfläche mit wenigstens einer lichtdurchlässigen Elektrode eine unipolare Sperrwirkung auftritt, und besteht darin, daB die Halbleiterschicht Zusätze von Alkalimetallen oder deren Verbindungen enthält.
  • Es ist zwar bekanntgeworden, die Sperrschicht völlig aus einem Alkalimetall oder dessen Verbindungen herzustellen. Bei dem Gegenstand der Erfindung handelt es sich aber um einen absichtlichen Zusatz von Alkalimetall zu dem Halbleiter, um eine bessere Wirksamkeit der Anordnung zu erhalten. Durch diese Zusätze hat man es willkürlich in der Hand, bei der Formierung der Halbleiterschicht, z. B. die schnelle Einstellung des Gleichgewichts zwischen gut und schlecht leitender Modifikation des Halbleiters, z. B. des Selens, oder die Erhöhung der Leitfähigkeit oder auch die geeignete Korn- oder Kristallgröße zu erreichen.
  • Eine Zelle nach der Erfindung kann z. B. in der Weise hergestellt werden, daß auf eine als Elektrode dienende Metallfläche ein Halbleiter, z. B. Selen oder Tellur, dem ein gewisser Gehalt an Verbindungen eines oder mehrerer Alkalimetalle beigemischt ist, aufgetragen wird und nach unter Umständen notwendiger Umwandlung des Halbleiters in den metallischen Zustand und Formierung desselben auf den Halbleiter eine lichtdurchlässige Metallhaut als zweite Elektrode aufgebracht wird. Diese Elektrode kann z. B. durch Kathodenzerstäubung hergestellt werden.
  • Läßt man das Licht auf diese lichtdurchlässige Elektrode fallen, so daß es bis an den Halbleiter vordringt, so wird in der Zelle eine elektromotorische Kraft erzeugt, die in einem angeschlossenen Leiterkreis einen Strom zu liefern vermag. Es ist also möglich, mit dieser Zelle ohne Benutzung einer äußeren Spannung zu arbeiten, jedoch kann unter Umständen durch Anlegen einer passend gewählten Spannung eine Steigerung der Empfindlichkeit erreicht werden.
  • Besonders wirksam sind die neuen Zellen, wenn die lichtdurchlässige Elektrode in der Weise aufgebracht wird, daß an ihrer Berührungsfläche mit dem Halbleiter ein möglichst großer unipolarer Sperrwiderstand auftritt. Die andere, vom Licht abgewandte Elektrode soll dagegen möglichst einen kleinen iÜ'bergangswiderstand zum Halbleiter zeigen. Auch der Bahnwiderstand im Halbleiter soll möglichst klein sein.
  • Bei der Herstellung der neuen Fotozelle ist es ohne Bedeutung, ob man die Alkalimetalle in Form von Legierungen oder Mischungen oder in Form von chemischen Verbindungen benutzt. Die günstigste Wirkung kann bei einem Gehalt an Metallen bis zu etwa 50/9 beobachtet werden.
  • Es ist im allgemeinen gleichgültig, welches Alkalimetall zum Halbleiter zugesetzt wird. Eine sehr gute Wirksamkeit zeigen z. B. Natrium und Lithium. Unter Umständen kann auch eine Kombination mehrerer Alkalimetalle, gegebenenfalls auch mit Metallen der Eisengruppe, vorteilhaft sein. Auch solche Halbleiter zeigen eine besonders gute Wirkungsweise, die bereits auf Grund ihres Herstellungsverfahrens einen gewissen Gehalt an Metallen aufweisen. An Stelle der obengenannten Elemente Selen und Tellur können auch andere Halbleiter, wie z. B. Selensulfid, Verwendung finden, und es ist in vielen Fällen vorteilhaft, die Alkalimetalle in Form ihrer Verbindungen mit den Halogenen oder Elementen der Schwefelgruppe anzuwenden.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht, an deren Berührungsfläche mit wenigstens einer Elektrode eine unipolare Sperrwirkung auftritt, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht Zusätze von Alkalimetallen oder deren Verbindungen enthält.
  2. 2. Fotozelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß dieHalbleiterschichtNatrium und/oder Lithium enthält.
  3. 3. Fotazel'le nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, da$ die Halbleiterschicht aus Selen und/oder Tellur mit Alkalimetallzusatz besteht.
  4. 4. Fotozelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht die Alkalimetalle in. Form ihrer Verbindungen mit den Halogenen oder Elementen der Schwefelgruppe enthält.
  5. 5. Fotozelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht außer den Alkalimetallen auch Metalle der Eisengruppe enthält.
DES25781D 1930-11-22 1930-11-22 Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht Expired DE915718C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1170086B (de) * 1960-01-23 1964-05-14 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung
DE10003624B4 (de) * 2000-01-28 2006-07-27 Audi Ag Sicherheitseinrichtung an der Fronthaube eines Fahrzeugs, insbesondere eines Kraftfahrzeugs

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1170086B (de) * 1960-01-23 1964-05-14 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung
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