DE1047949B - Insbesondere auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung mit p-n-UEbergang und den p-n-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzender Huelle - Google Patents

Insbesondere auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung mit p-n-UEbergang und den p-n-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzender Huelle

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DE1047949B DES53993A DES0053993A DE1047949B DE 1047949 B DE1047949 B DE 1047949B DE S53993 A DES53993 A DE S53993A DE S0053993 A DES0053993 A DE S0053993A DE 1047949 B DE1047949 B DE 1047949B
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Description

  • Insbesondere auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung mit p-n-Übergang und den p-n-Übergang gegen Feuchtigkeit schützender Hülle Die vorliegende Anordnung stellt eine Halbleiterlcri stallaiiordnung finit p-n-tliergang und den p-n-Übergang gegen Feuchtigkeit schützender Hülle dar und kann besonders vorteilhaft auf eine auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung mit p-n-Übergang, z. B. eine Fotodiode, angewendet werden.
  • Es ist bereits bekanntgeworden, die Oberfläche von Halbleiterkristallen mit scharfen p-n-Übergängen durch eine längs des p-n-Überganges aufgebrachte elektrisch isolierende, feuchtigkeitsundurchlässige und auf der Kristalloberfläche durch Adhäsion haftende Schicht, z. B. aus Ouarz oder einem anderen Oxyd, zu überziehen. Durch diese Maßnahme soll vor allem Feuchtigkeit von den p-n-Übergängen ferngehalten werden, da man erkannt hat, daß bereits wenige in der Nähe der p-n-Übergänge an der Kristalloberfläche adsorbierte Wassermoleküle genügen, um die Wirksamkeit von p-n-Übergängen - und zwar um so stärker, je schärfer diese ausgeprägt sind - zu beeinträchtigen.
  • Bei der insbesondere auf Strahlung ansprechenden Halbleiterkristallanordnung, wie Fotodiode, Fototransistor od. dgl., mit p-n-Übergang und den p-n-Übergang gegen Feuchtigkeit schützender Hülle ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die Hülle die Kristalloberfläche teilweise frei läßt, indem sie mindestens an einer Seite des zu schützenden p-n-t.'berganges mit der Oberfläche des Halbleiterkristalls längs einer in sich geschlossenen, den p-n-Übergang nicht berührenden, die Kristalloberfläche in zwei Teilgebiete zerlegenden Linie feuchtigkeitsdicht verbunden ist und den Teil der Kristalloberfläche, an dem der p-n-Übergang zutage tritt, mit Abstand umgibt. Es soll also die Hülle nicht - wie es bei den bekannten Anordnungen der Fall ist - die Stellen der Kristalloberfläche. an denen der p-n-Übergang zutage tritt, unmittelbar berühren, sondern sie soll diese Stellen mit Abstand umgeben. Hierdurch wird ein viel wirksamerer Schutz des p-n-Überganges gegen die durch Feuchtigkeit bewirkten Störungen gewährleistet, da bei einer unmittelbar - d. h. ohne Abstand - auf dem p-n-Crbergang aufliegenden Schutzschicht stets noch mit einem gewissen, wenn auch abgeschwächten Durchgriff der Dipolfelder der an der Außenseite einer solchen Schutzhülle haftenden Wassermoleküle auf das innere Feld des p-n-Überganges gerechnet werden muß. Besteht der Halbleiterkristall aus Silizium oder Germanium, so ist ein besonderer Korrosionsschutz für die übrigen Teile der Kristalloberfläche entbehrlich. Solche Halbleiterkristalle sind praktisch nicht korrosionsanfällig. Außerdem würde bei einem Siliziumkristall eine einmal entstandene Korrosionsschicht, die naturgemäß aus Oxyden des Siliziums besteht, den Schutz des Halbleiterkristalls gegen weitere Korrosion ebenso wirkungsvoll wie eine künstlich aufgebrachte Quarzschicht versehen.
  • Zu dem gemäß der Erfindung angegebenen Weg sind verschiedene Ausführungsformen möglich. Falls z. B. der p-n-Übergang als eine sich quer durch den Halbleiterkristall erstreckende Fläche ausgebildet ist, kann die Hülle als ringförmiger Wulst den Halbleiterkristall längs des p-n-UTberganges umgeben, wobei die beiden Enden des Kristalls unbedeckt bleiben, oder sie kann als eine das eine Ende des Kristalls (bis einschließlich derjenigen Oberflächenteile, an denen der p-n-Übergang zutage tritt) umhüllende Haube ausgebildet sein. Tritt der p-n-Ubergang nur an einer Fläche des Kristalls zutage, so kann die Hülle als ebener ringförmiger Wulst auf der betreffenden Kristallseite aufsitzen oder als Haube ausgebildet sein, welche auf dieser Kristallfläche sitzt. Am einfachsten wird man den Kristall an denjenigen Stellen, an denen der p-n-Übergang die Oberfläche erreicht, rillenförmig ausätzen und diese Rille dann mit einer Haut aus elektrisch isolierendem, aushärtendem Kunststoff überziehen, der an der Kristallfläche, ohne in die Rille einzudringen, feuchtigkeitsdicht haftet, oder man wird die Rille mit einer Folie aus isolierendem Stoff überspannen und dann diese z. B. mittels eines Isolierlackes festkleben.
  • Um derartig geschützte Halbleiterkristalle mit Kontaktanschlüssen zu versehen, können bei Anwendung. einer isolierenden Hülle die beiderseits des p-n-berganges liegenden Zonen an dem von der Hülle nicht bedeckten Oberflächenteil dieser Zonen kontaktiert sein. Ist die Hülle dagegen als Haube ausgebildet, so schließt sie naturgemäß mindestens eine zu kontaktierende Zone des Kristalls vollständig vom Außenrahm ab. Dann muß die elektrische Zuführung zu dieser Zone feuchtigkeitsdicht durch die isolierende Hülle hindurch erfolgen. Gegebenenfalls wird man die Hülle auch ganz oder teilweise aus leitendem Stoff, z. B. einem Metall, welches die Eigenschaften des Halbleiterkristalls, insbesondere dessen Leitungstypus und Widerstandswert, nicht beeinflußt, fertigen. Für diesen Fall sieht eine Fortbildtnig der Erfindung vor, daß die an einer Verbindungsstelle mit dem Halbleiterkristall aus leitendem Stoff bestehende Hülle mit dem Halbleiterkristall z. B. durch Anlöten oder Einlegieren in elektrisch leitendem Kontakt steht. Wenn die Hülle an zwei beiderseits des p-n-Überganges liegenden verschiedenen Zonen des Kristalls leitend angeschlossen ist, muß die mit den Zonen beiderseits des p-n-Überganges elektrisch verbundene, an den Berührungsstellen mit dem Kristall aus leitendem Stoff bestehende Hülle einen isolierenden Ring besitzen, durch den ein Kurzschl_uß zwischen den beiden Zonen vermieden ist. Ist die Hülle in Form einer Haube ausgebildet, die eine oder gegebenenfalls auch mehrere Zonen des Kristalls vom Außenraum abschließt, so wird man die durch die Hülle völlig vom Außenraum abgeschlossene Zone eines Leitungstypus über eine isoliert und feuchtigkeitsdicht durch die Hülle geführte Zuleitung kontaktieren. Der Hauptvorteil in der Verwendung einer Hülle aus leitendem Stoff liegt darin, daß die Hülle bzw. die durch den Isolierring getrennten Zonen als Elektroden dienen können.
  • Besonders zweckmäßig ist es, wenn die Schutzhülle als einen Teil der Halbleiterkristalloberfläche feuchtig-.1, itsdicht abschließendes Gehäuse ausgebildet ist und oinit gleichzeitig imstande ist, den mechanischen Schutz von besonders empfindlichen Teilender Anordnung zu übernehmen. Diese Maßnahme entsprechend einer zweckmäßigen @A'eiterentwicklung ist vor allem bei Fotodioden, Fototransistoren und anderen auf Strahlung ansi)rechenden Halbleiterkristallanordnungen vorteilhaft. da sie eine im Vergleich zu den bisher bekannten Anordnungen dieser Art wesentlich vereinfachte Bauart ermöglicht. Bei solchen Anordnungen ist es üblich, den Halbleiterkristall zum Schutz gegen Korrosion und mechanische Beschädigung im Innern eines festen, strahlungsundurchlässigen Gehäuses anzubringen, welches - um der anzuzeigenden oder zu messenden Strahlung den Zutritt zu dem strahlungsempfindlichen p-n-Übergang zti ermöglichen - mit einer Lichtöffnung versehen ist. Diese wird z. B. mittels einer nuarzplatte, einer Sammellinse oder - zwecks Erreichung einer bestimmten Spektralempfindlichkeit - durch optische Filter möglichst vakuumdicht abgeschlossen. Abgesehen von dem zuletzt genannten Fall bedeutet eine solche Maßnahme stets eine unnötige und häufig unerwünschte Beeinträchtigung der zu messenden Strahlung, insbesondere durch Absorptions- und Reflexionsverluste, und eine erhebliche Verteuerung der Anordnung. Demgemäß behandelt eine spezielle Fortbildung der Erfindung - um diese .Nachteile zu vermeiden - eine Halbleiterkristallanordnung, bei der der Halbleiterkristall, insbesondere der p-n-lülbergang, strahlungsempfindlich ist und der Kristall mindestens an einem von der Hülle frei gelassenen Oberflächenteil bis zum p-n-Übergang strahlungsdurchlässig ist. Insbesondere ist daran gedacht, daß der Halbleiterkristall eine zum Eintritt von Strahlung dienende Öffnung des Gehäuses feuchti-keitdicht gegen den Außenraum abschließt -und der p-n-Übergang innerhalb des Kristalls möglichst nahe an dem dem Außenraum zugewandten Teil der Kristalloberfläche verläuft. Es wird also entsprechend dieser Weiterentwicklung auf einen besonderen Al)-schluß der Lichtöffnung durch ein Quarzienter od. dgl. verzichtet und der Kristall derart im !Teliäu.e angeordnet, daß er die zum Eindringen der Strahlung dienende Lichtöffnung - gegebenenfalls unter Anwendung eines Kitt- oder Bindemittels - feuchtigkeitsdicht abschließt und die Stellen der Kristalloberfläche, an denen der p-n--Übergang zutage tritt, infolge des feuchtigkeitsdichten Anschlusses des Kristalls an die Hülle, im Innern des von Kristall und Hülle gebildeten strahlungsundurchlässigen und feuchtigkeitsdichten Gehäuses vollkommen gegen den Zutritt von Feuchtigkeit geschützt sind.
  • Falls das Gehäuse aus einem mit dem Halbleiterkristall legierbaren, dessen Eigenschaften nicht beeinträchtigenden Metall besteht, wird man einfach den Halbleiterkristall durch Einlegieren mit dem Rand der Lichtöffnung verbinden. Das Gehäuse bildet dann gleichzeitig die eine Elektrode der Anordnung. Weitere Elektroden des Systems werden über isoliert durch das Gehäuse geführte Zuleitungen angeschlossen. Da der Halbleiterkristall bis zum p-nt1tiergang durchlässig für die zu messende Strahlung sein muß, kann die auf die Kristalloberfläche auftreffende Strahlung zu dem lichtempfindlichen p-n-Übergang vordringen, worauf die Anordnung in bekannter Weise entweder als Generator oder als strahlungsempfindlicher Widerstand anspricht.
  • Die Vorteile der Bauart von Fotozellen unter Benutzung dieser Maßnahme der Erfindung sind bereits angedeutet, nämlich eine wesentlich vereinfachte Bauart und der Fortfall der durch ein O_uarz- oder Glasfenster bedingten Strahlungsverluste. Durch den Fortfall eines solchen Fensters können Fotozellen gemäß der Erfindung auch zum Nachweis bzw. zur Messung von Strahlung verwendet werden, die ein solches Fenster nicht passieren kann. Ist die Fotozelle für die Messung optischer Strahlung bestimmt, so läßt sie sich noch weiter verbessern, indem mindestens die mit dem Außenraum unmittelbar in Berührung stehende Kristallfläche mit einem aufgedampften Antireflexbelag vergütet ist. Will man dagegen eine bestimmte Spektralempfindlichkeit erzielen, so wird man die Außenseite des Kristalls mit einem selektiv wirkenden Überzug oder mit einem aufgeklebten oder aufgekitteten Filter versehen. Gegebenenfalls kann man, wenn Strahlungsverluste keine Rolle spielen, den Kristall auch an der dem Außenraum zugewandten Seite mit einem durchsichtigen Schutzüberzug versehen. Bei Benutzung von Silizium- oder Gerinaniumkristallen ist, wie bereits festgestellt, eine solche Malinahme nicht erforderlich.
  • Die Fig. 1 zeigt den Aufbau einer Fotodiode entsprechend der Erfindung als Beispiel. Al: lichtempfindliches Element dient ein durchsichtiges n-leitendes Germaniumeinkristallblättchen 1, das durch Einlegieren einer Indiumperle 2 mit einem lichtempfindlichen p-n-Übergang 3 versehen ist. Das Gehäuse der Anordnung besteht teilweise aus einem Röhrchen aus Metall oder einem isolierenden Stoff, wie Keramik. Der Halbleiterkristall 1 ist in der Nähe der einen Öffnung des Röhrchens angeordnet und kann mit dem einen Rand des Röhrchens z. B. durch Einlegieren oder vermittels einer Kittmasse feuchtigkeitsdicht verbunden sein. In der Anordnung gemäß der Fig. 1 ist jedoch vorgesehen, daß der Halbleiterkristall 1 mit dem einen Rand des Röhrchens 4 über ein metallisches, ringförmiges, als eine Elektrode des Systems dienendes Zwischenstück 5, z. B. aus einer vergoldeten oder verzinnten Eisen-N ickel-Kobaltlegierung mit 29°/o Nickel und 17°/o Kobalt, feuchtigkeitsdicht verbunden ist. Dieses Zwischenstück 5 ist dabei so in das Kristallblättchen 1 einlegiert und mit dem Rand der einen Öffnung des Röhrchens 4 verlötet, daß die Verbindung feuchtigkeitsundurchlässig ist. Der Isristall 1 ist dabei so befestigt, daß die Indiumperle 2 und der p-n-Übergang 3 sich im Innern des so gebildeten Gehäuses befinden, ohne mit demselben in Berührung zu kommen. Das Röhrchen 4 ist an dem dem Kristall abgewandten Ende durch einen Glastropfen 7 vakuumdicht verschmolzen, durch den die Zuleitung 6 zu der im Innern des Röhrchens befindlichen, in den Germaniumkristall einlegierten Elektrode 2 dicht verschmolzen hindurchgeführt ist. Als zweite Elektrode dieser Fotozelle dient die Indiumperle 2, die mit einer Zuleitung, z. B. einem Metallstift 6, verlötet ist, der konzentrisch durch die zweite, mit dem Glastropfen 7 verschlossene Öffnung des Röhrchens 4 herausgeiührt ist.
  • Eine andere Ausführungsform wird in der Fig.2 beispielsweise dargestellt. Hier ist der p-n-Übergang 3 des Halbleiterkristallblättchens 1 durch Diffusion erzeugt und befindet sich in der Nähe der dem Außenraum zugewandten Seite des Blättchens, das in einem Keramikröhrchen 4 angeordnet ist. Die Ränder dieses Röhrchens sind metallisiert, und der eine Rand ist mit dem Kristallblättchen 1 über ein ringförmiges Zwischenstück 5, ähnlich wie bei der vorher beschriebenen Anordnung, vakuumdicht verbunden, und zwar derart, daß es an der Oberseite des Kristalls einlegiert ist, so daß der seitlich die Kristalloberfläche erreichende p-n-Übergang geschützt im Innern des so gebildeten Gehäuses liegt. Bei dieser Anordnung ist da, aus Keramik oder einem anderen isolierenden Stoff bestehende Röhrchen 4 an dem dem Halbleiterkristall 1 abgewandten Ende durch eine stempelartig ausgebildete Elektrode 26, die an der im Innern des Gehäuses liegenden Zone des einen Leitungstypus kontaktiert ist. feuchtigkeitsdicht abgeschlossen. Dieser feuchtigkeitsdichte Abachluß kann durch Verlötung der Elektrode 26 mit dem metallisierten Rand des Keramikrohres 4 erfolgen.
  • Eine weitere Ausführungsform, die besonders für großflächige Fotodioden gedacht ist, ist in Fig.3 beispielsweise dargestellt. Dabei besteht das Gehäuse für den großflächigen Halbleiterkristall l aus einem Ringstück 45, das mit dem einen Rand mit dem Halbleiterkristall 1 und mit dem anderen Rand mit einer Metallplatte 9 feuchtigkeitsdicht abgeschlossen ist und die Zuleitung zu einer im Innern des Gehäuses liegenden Elektrode 2 isoliert durch die Metallplatte 9 hindurchgeführt ist. Das Ringstück 45 übernimmt die Rolle des Kontaktringes 5 und Röhrchens 4 bei den vorher beschriebenen Anordnungen und ist mit dem Rand mit dein die Öffnung des Ringstückes vollkommen abschließenden großflächigen Halbleiterkristall 1 verbunden, so daß dessen p-n-Übergang 3 geschützt im Innern des so gebildeten Gehäuses liegt. Die Metallplatte 9 ist in der Mitte durchbrochen, um die Zuleitung 6 zu der die vollständig im Innern des Gehäuses liegende Zone unterhalb des p-n-Überganges des Halbleiterkristalls kontaktierenden Elektrode 2 zu ermöglichen. Diese Kontaktierung ist durch einen Metalldraht 6 vorgenommen, der in einem Glastropfen 7, der die Platte feuchtigkeitsdicht abschließt, eingeschmolzen ist. Die beschriebenen Ausführungsformen der Anordnung gemäß der Erfindang hesitzen nur einen zu schützenden p-n-iTbergang. Es ist aber ohne weiteres ersichtlich, daß eine die teilweise frei lassende Hülle ebenfalls auch zwei oder mehrere p-n-Übergänge gleichzeitig gegen Feuchtigkeit zu schützen vermag, wobei dann mindestens eine zwischen zwei p-n-Übergängen liegende Zone durch die Hülle vollständig vom Außenraum abgeschlossen ist. Die elektrische Zuführung zu dieser Zone - falls eine solche erforderlich ist - muß dann durch die Hülle feuchtigkeitsdicht hindurchgeführt sein, und im Falle einer leitenden Hülle ist durch entsprechende Isolationsmaßnahmen ein Kurzschluß zwischen den einzelnen Zonen des Kristalls zu vermeiden.
  • Ein einfaches Beispiel, bei dem eine isolierende Hülle aus einem Keramikröhrchen Verwendung findet, ist in Fig. 4 dargestellt. Sie zeigt einen zylindrischen Halbleiterkristall 1, bestehend aus drei quer zur Zylinderachse verlaufenden Zonen unterschiedlicher Leitfähigkeit. Der Kristall ist an der Oberfläche der mittleren Zone und an den beiden p-n-Übergängen ausgeätzt, so daß eine geschlossene, um den Kristall senkrecht zu seiner Achse herumlaufende rillenartige Vertiefung entstanden ist, die von der mantelartigen Hülle 10, die an den nicht von der Ausätzung betroffenen Teilen der Oberfläche der beiden äußeren Zonen feuchtigkeitsdicht befestigt ist. Die Hülle umgibt also die mittlere Zone und die beiden begrenzenden p-n-Übergänge mit Abstand. Die isolierende Hülle 10 besteht aus einem an den Rändern metallisierten Keramikröhrchen mit einem an den Durchmesser des Kristalls angepaßten lichten Durchmesser und ist über die Metallisierung mit der Oberfläche des Kristalls an den beiden äußeren Zonen feuchtigkeitsdicht befestigt. Die elektrische 'Zuführung 6 zur mittleren Zone des Kristalls 1 wird durch eine seitliche Öffnung des Keramikröhrchens 10 geführt, welche dann mittels eines Glas- oder Metalltropfeiis 7 feuchtigkeitsdicht verschlossen wird. Die Kontaktierung der beiden äußeren Zonen wird in an sich bekannter Weise an den von der Hülle nicht bedeckten Oberflächenteilen vorgenommen.

Claims (16)

  1. PATENTANSPRUCH(.:. 1. Insbesondere auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung, wie Fotodiode, Fototransistor od. dgl., mit p-n-Übergang und den p-n-Übergang gegen Feuchtigkeit schützender Hülle, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülle die Kristalloberfläche teilweise frei läßt, indem sie mindestens an einer Seite des zu schützenden p-n-Überganges mit der Oberfläche des Halbleiterkristalls längs einer in sich geschlossenen, den p-n-Übergang nicht berührenden, die Kristalloberfläche in zwei Teilgebiete zerlegenden Linie feuchtigkeitsdicht verbunden ist und den Teil der Kristalloberfläche, an dem der p-n-Übergang zutage tritt, mit Abstand umgibt.
  2. 2. Halbleiterkristallanordnungnach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung einer isolierenden Hülle die beiderseits des p-ii-Überganges liegenden Zonen an dem von der Hülle nicht bedeckten Oberflächenteil dieser Zonen kontaktiert sind.
  3. 3. Halbleiterkristallanordnungnach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die an einer Verbindungsstelle mit dem Halbleiterkristall aus leitendem Stoff bestehende Hülle mit dem Halbleiterkristall z. B. durch Einlegieren in elektrisch leitendem Kontakt steht.
  4. 4. Halbleiterkristallanordnung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Zonen beiderseits des p-n-Überganges elektrisch verbundene Hülle an den Berührungsstellen mit dem Kristall aus leitendem Stoff besteht und einen isolierenden Ring besitzt, durch den ein Kurzschluß zwischen den beiden Zonen vermieden ist.
  5. 5. Halbleiterkristallanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülle bzw. die durch den Isolierring getrennten Zonen als Elektroden dienen.
  6. 6. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch die Hülle völlig vom Außenraum abgeschlossene Zone eines Leitungstypus über eine isoliert und feuchtigkeitsdicht durch die Hülle geführte Zuleitung kontaktiert ist.
  7. 7. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzhülle als einen Teil der Halbleiterkristalloberfläche feuchtigkeitsdicht abschließendes Gehäuse ausgebildet ist. B.
  8. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall, insbesondere der p-n-1_Tbergang, strahlungsempfindlich ist und der Kristall mindestens an einem von der Hülle frei gelassenen Oberflächenteil bis zum p-n-Übergang strahlungsdurchlässig ist.
  9. 9. Halbleiterkristallanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall eine zum Eintritt von Strahlung dienende Öffnung des Gehäuses feuchtigkeitsdicht gegen den Außenraum abschließt und der p-n-Übergang innerhalb des Kristalls möglichst nahe an dem dem Außenraum zugewandten Teil der Kristalloberfläche verläuft.
  10. 10. Halbleiterkristallanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die mit dem Außenraum unmittelbar in Berührung stehende Kristallfläche mit einem aufgedampften Antireflexbelag vergütet ist.
  11. 11. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse teilweise aus einem Röhrchen aus Metall oder einem isolierenden Stoff wie Keramik besteht.
  12. 12. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall mit dem einen Rand des Röhrchens z. B. durch Einlegieren oder vermittels einer Kittmasse feuchtigkeitsdicht verbunden ist.
  13. 13. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall mit dem einen Ran<i des Röhrchens über ein metallisches, ringförtni`es. als eine Elektrode des Systems dienendes Zwischenstück, z. B. aus einer vergoldeten oder verzinnten Eisen-Nickel-Kobaltlegierung mit 291/o Nickel und 17% Kobalt, feuchtigkeitsdicht verbunden ist.
  14. 14. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Röhrchen, an dem dem Kristall abgewandten Ende durch einen Glastropfen vakuumdicht verschmolzen ist, durch die die Zuleitung zu der im Innern des Röhrchens befindlichen Elektrode dicht verschmolzen hindurchgeführt ist.
  15. 15. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das aus Keramik oder einem anderen isolierenden Stoff bestehende Röhrchen an dem dem Kristall abgewandten Ende durch die stempelartig ausgebildete Elektrode, die an der im Innern des Gehäuses liegenden Zone des einen Leitungstypus kontaktiert ist, feuchtigkeitsdicht abgeschlossen ist.
  16. 16. Halbleiterkristallanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse für den großflächigen Halbleiterkristall aus einem Ringstück besteht, das mit dem einen Rand mit dem Halbleiterkristall und mit dem anderen Rand mit einer Metallplatte feuchtigkeitsdicht abgeschlossen und die Zuleitung zu einer im Innern des Gehäuses liegenden Elektrode isoliert durch die Metallplatte hindurchgeführt ist.
DES53993A 1957-06-24 1957-06-24 Insbesondere auf Strahlung ansprechende Halbleiterkristallanordnung mit p-n-UEbergang und den p-n-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzender Huelle Pending DE1047949B (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212220B (de) * 1959-02-09 1966-03-10 Western Electric Co Halbleiteranordnung mit einem durch einen lamellenfoermigen Deckel verschlossenen Gehaeuse
DE1414410B1 (de) * 1958-02-22 1970-08-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer insbesondere auf Strahlung ansprechenden Halbleiterkristallanordnung mit pn-UEbergang und den pn-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzenderHuelle

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1414410B1 (de) * 1958-02-22 1970-08-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer insbesondere auf Strahlung ansprechenden Halbleiterkristallanordnung mit pn-UEbergang und den pn-UEbergang gegen Feuchtigkeit schuetzenderHuelle
DE1212220B (de) * 1959-02-09 1966-03-10 Western Electric Co Halbleiteranordnung mit einem durch einen lamellenfoermigen Deckel verschlossenen Gehaeuse

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