DE1043513B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode

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DE1043513B
DE1043513B DEN10355A DEN0010355A DE1043513B DE 1043513 B DE1043513 B DE 1043513B DE N10355 A DEN10355 A DE N10355A DE N0010355 A DEN0010355 A DE N0010355A DE 1043513 B DE1043513 B DE 1043513B
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electrode
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James William Granville
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National Research Development Corp UK
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NAT RES DEV
National Research Development Corp UK
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GB (1) GB769702A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2469569A (en) * 1945-03-02 1949-05-10 Bell Telephone Labor Inc Point contact negative resistance devices
CH262415A (de) * 1945-04-28 1949-06-30 Hugh Brittain Francis Kristallgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung.
CH263779A (de) * 1943-08-11 1949-09-15 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Kristall-Gleichrichters.

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH263779A (de) * 1943-08-11 1949-09-15 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Kristall-Gleichrichters.
US2469569A (en) * 1945-03-02 1949-05-10 Bell Telephone Labor Inc Point contact negative resistance devices
CH262415A (de) * 1945-04-28 1949-06-30 Hugh Brittain Francis Kristallgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung.

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