CH263779A - Verfahren zur Herstellung eines Kristall-Gleichrichters. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Kristall-Gleichrichters.

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CH263779A
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Gen Electric Co Ltd
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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CH263779D 1943-08-11 1946-08-21 Verfahren zur Herstellung eines Kristall-Gleichrichters. CH263779A (de)

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NL (1) NL70886C (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1005193B (de) * 1951-10-12 1957-03-28 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern mit negativem Widerstand
DE1031893B (de) * 1952-08-01 1958-06-12 Standard Elektrik Ag Verfahren zur aeusseren Formgebung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Gleichrichter- und Verstaerkerzwecke mit Halbleitern aus Germanium oder Silizium
DE1043513B (de) * 1954-03-18 1958-11-13 Nat Res Dev Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode
DE1052575B (de) * 1954-06-23 1959-03-12 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Kontaktierungen auf Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen
DE1093910B (de) * 1956-06-21 1960-12-01 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung

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FR927443A (fr) 1947-10-29
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