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Die
Erfindung bezieht sich auf ein stapelbares modulares Gehäusesystem
für modulare
Systemaufbauten von Funktionsbausteinen für ein Baukastensystem, insbesondere
zum Einsatz in der Mikrosystemtechnik und ein Verfahren zu dessen
Herstellung.
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Stand der Technik
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Ein
Konzept eines solchen Baukastensystems für modulare Mikrosysteme ist
bekannt unter der Bezeichnung „MATCH-X", das federführend vom Verband
der Maschinen- und Anlagenbauer und den Fraunhofer Instituten IPA
und IZM entwickelt wurde. Es handelt sich dabei um einheitliche
Designvorschriften und Schnittstellendefinitionen, welche die Modularität und Kompatibilität der Bausteine
des Mikrosystembaukastens garantieren.
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Ein ähnliches
stapelbares modulares Gehäusesystem
ist aus der
DE 20302144
U1 bekannt.
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Die
Bausteine mit elektrischen, elektronischen, mechanischen, fluidischen
und optischen Funktionen sind in standardisierten Gehäusen untergebracht.
Die Standards beziehen sich auf die Geometrie und die elektrischen
Verbindungen (Interfaces) zwischen gleichartigen und unterschiedlichen Funktionsbausteinen.
Innerhalb dieser Vorgaben und Restriktionen können nun die einzelnen Bausteine nach
der Black-Box-Methode entsprechend der vorgegebenen Klassifikation
entwickelt werden.
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Nachteilig
bei den bekannten Gehäusen
sind die Anzahl der zu deren Herstellung benötigten Einzelteile sowie die
daraus resultierenden Herstellungs- und Montagekosten.
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1 zeigt
ein herkömmliches
Gehäuse
entsprechend dem MATCH-X-Standard. Das Gehäuse ist ein Top-Bottom-Ball-Grid-Array-Package (TB-BGA-Package),
welches aus dem TB-BGA-Carrier (1), einer unter Umständen notwendigen
Umverdrahtungsebene (2), einem aufgesetzten Rahmen (3) für die interne
Busführung
und dem TB-BGA-Deckel (4) besteht. Die jeweiligen Ball
Grid Arrays (5) stellen die elektrischen Schnittstellen
zur Umgebung dar. Bekannt sind Ausführungen in Keramik und FR4 (Glas/Epoxy),
wobei die Klassifizierung mit den Klassen A, B, C auch schon weitere
Werkstoffgruppen nennt (vgl. dazu http://www.pb.izm.fhg.de/match-x/, "Modulare Mikrosystemtechnik-Bericht
für den
Anwender" vom VDMA
und "Das Baukastensystem
für modulare
Mikrosysteme MATCH X",
Seminar Modulare Mikrosysteme, München,
FhG IZM, 12. u. 13. Juni 2001). Die zur Herstellung benötigten Technologien
sind bekannte Leiterplattentechnologien. Es sind mindestens drei
Einzelteile für
das Gehäuse
notwendig.
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2 zeigt
ein weiteres Gehäuse,
bekannt aus der älteren
nachveröffentlichten
DE 10258478 A1 ,
das aus einer metallorganischen Verbindung besteht, wobei die elektrischen
Leitungen laserstrukturiert und in einem anschließenden chemischen
Metallisierungsprozess metallisiert werden. Hierbei können die
Ober- bzw. Unterteile jeweils als Platte und/oder Wanne ausgeführt werden,
siehe beispielhaft die
2,
3,
4.
Die Wandneigungen ergeben sich aus der Tatsache, dass diese Flächen mit dem
gleichen Laserstrahl wie die horizontalen Flächen strukturiert werden, wobei
durch eine schnelle Optikeinheit im Strahlengang des Lasers der
Laserspot zum Strukturieren entsprechend der Wandposition angehoben
oder abgesenkt wird. Eine andere Möglichkeit besteht darin, das
zu strukturierende Teil unter dem Laserstrahl so zu drehen und verschieben, dass
eine 3-D Strukturierung erzielt werden kann.
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Nachteilig
gestaltet sich bei diesen beiden Gehäusekonzepten, dass die Ball-Grid-Strukturen (5)
für die
Gestaltung der Anschlussstrukturen durch ihre vollflächigen Ausführungen
eine Nutzung für weitere
Umverdrahtungsebenen verhindern. Im Falle des ersten Gehäuses nach 1 bedeutet
das die Einführung
einer weiteren Umverdrahtungslage (2), die auch als Multilayer
ausgeführt
sein kann, wodurch vorteilhaft eine hohe Verdrahtungsdichte erzielbar
wird.
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Im
Falle des zweiten Gehäusekonzeptes; beispielhaft
entsprechend 2 bis 4, muss
für eine
weitere Umverdrahtungsebene die innere zweite Fläche, z. B. innere Deckelseite
nach 3, dazu verwendet werden. Eine noch weitergehende
Zahl von Umverdrahtungsebenen lässt
sich nur dadurch erzielen, indem wie beim ersten Gehäusekonzept nach 1 eine
zusätzliche
Multilayerstruktur integriert wird, was den Aufwand natürlich erheblich
vergrößert.
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Aufgabe der Erfindung
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Anzahl der Einzelteile
des Gehäusesystems
weiter zu reduzieren, mindestens zwei Umverdrahtungsebenen unterzubringen,
ein bzw. mehrere Anschlussverbindungen zu den oben genannten zwei bekannten
Gehäusekonzepten
zu realisieren und im Rahmen des Gesamtkonzeptes eine Kostenreduzierung
zu erreichen, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
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Die
Aufgabe wird durch die Patentansprüche 1 und 13 gelöst.
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Das
erfindungsgemäße Gehäusesystem
für modulare
Systemaufbauten besteht aus einem Hauptteil (obligatorisch) in Form
einer Wanne oder Doppelwanne, welches aus einem metallorganischen
Werkstoff gefertigt wird. Es wird durch weitere Zusatzteile (optional)
ergänzt,
die das Gehäusesystem
hinsichtlich weiterer Schutzfunktionen, höheren Integrationsgrades und
Kopplung zu anderen Geometriegrößen im gleichen
System und zu anderen Gehäusesystemen
erweitern.
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Die
inneren Seiten der Wanne des Hauptteils weicht um einen Winkel nach
außen
von der Vertikalen ab, so dass eine Strukturierung mit einem zur
Vertikalen parallel einfallenden Laserstrahl möglich ist. Für eine vollständig notwendige
Strukturerzeugung durch den Laser wird das Teil einmal umgedreht.
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Der
Boden der Wanne weist auf beiden Seiten elektrische Leitungs- und
Anschlussstrukturen auf, die durch elektrische Durchkontaktierungen
verbunden sind.
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Die
elektrische Anschlussstruktur wird nach außen durch metallisierte ein-
oder mehrzeilige Pad-Line-Strukturen, die rund, eckig oder oval
sind, realisiert. Die Pad-Line-Strukturen sind mit den Strukturen
auf dem Boden durch elektrische Leitungen verbunden.
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Die
Pad-Line-Strukturen auf dem oberen Wannenrand sind mit den außen liegenden Pad-Line-Strukturen
auf der Bodenseite der Wanne durch elektrische Leitungen verbunden,
welche über die
geneigten inneren Wände
der Wanne verlaufen. In Verbindung mit den elektrischen Durchkontaktierungen
wird so ein vertikales Durchführen
der Leitungen durch die Wanne ermöglicht.
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Die
Wanne weist einen schmalen umlaufenden Wannenrand auf, der einen
temporären äußeren Kurzschlussleiterzug
mit Anschlussstummeln trägt. So
werden alle an die Pad-Line-Strukturen angeschlossenen Leiterzüge für eine galvanische
Metallisierung kurzgeschlossen. Nach diesem technologischen Schritt
werden die Anschlussstummel wieder entfernt, indem sie abgebrochen
oder durch einen Laser abgeschnitten werden.
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Der
umlaufende temporäre
Kurzschlussleiterzug weist an mindestens einer der vier Ecken eine Verbreiterung
auf, die eine elektrische Kontaktierung für den Galvanostrom erlaubt.
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Leiterzüge, die
logisch nicht an die Pad-Line-Strukturen anzuschließen sind,
werden dennoch durch eine laserstrukturierte und metallisierte Kurzschlussbrücke so an
die mit den Pad-Line-Strukturen verbundenen Leiterzüge angeschlossen,
dass sie nach dem galvanischen Metallisierungsprozess durch einen
subtraktiven Laserprozess wieder aufgehoben werden. Der gleiche
Laser schneidet mit anderen Laserparametern danach oder davor den
umlaufenden Wannenrand, der den äußeren Kurzschlussleiterzug
und einen Teil der Anschlussstummel trägt, ab.
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Ein
Zusatzteil, eine äußere Umverdrahtungsplatte
wird in Form einer ebenen Platte ausgeführt, die aus einem metallorganischen
oder nichtmetallorganischen Werkstoff besteht. Auf der Ober- und
Unterseite trägt
diese Pad-Line-Strukturen, die mit den Pad-Line-Strukturen der Wanne
deckungsgleich sind und mittels elektrischer Durchkontaktierungen
verbunden werden.
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Zusätzlich sind
auf einer oder beiden Seiten der Umverdrahtungsplatte elektrische
Leiterzüge vorhanden,
die durch elektrische Durchkontaktierungen verbunden werden. Die
Umverdrahtungsplatte trägt
auf der Unterseite Anschlussstrukturen für weitere Bauelemente.
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Eine
weitere äußere Umverdrahtungsplatte wird
in Form einer um 180° umgedrehten
Wanne realisiert.
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Ein
weiteres Zusatzteil, eine innere Montageplatte ist in Form einer
ebenen Platte ausgeführt, die
auf der Ober- und Unterseite Pad-Line-Strukturen trägt, die
mit den Pad-Line-Strukturen der Wanne, die sich auf dem inneren
Absatz der Wanne befinden, deckungsgleich und mittels elektrischer
Durchkontaktierungen verbunden sind.
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Zusätzlich sind
auf einer oder beiden Seiten der inneren Montageplatte elektrische
Leiterzüge vorhanden,
die durch elektrische Durchkontaktierungen verbunden werden, und
Anschlussstrukturen für weitere
Bauelemente auf einer oder beiden Seiten aufgebracht werden.
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Ein
weiteres Zusatzteil, eine Zwischeninterfaceplatte ist für die Kopplung
von unterschiedlichen Wannengrößen im Gehäusesystem
in Form einer ebenen Platte ausgeführt. Sie besteht aus einem
metallorganischen oder nichtmetallorganischen Werkstoff. Auf der
Unter- und Oberseite befinden sich Pad-Line-Strukturen, die zu den
Pad-Line-Strukturen der unteren und oberen Wanne deckungsgleich
sind.
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Die
Pad-Line-Strukturen der Ober- und Unterseite der Zwischeninterfaceplatte
sind durch elektrische Leitungen auf beiden Seiten und elektrische Durchkontaktierungen
verbunden.
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Ein
weiteres Zusatzteil, eine Kopplungsplatte zu Fremdsystemen wird
in Form einer ebenen Platte ausgeführt, die aus einem metallorganischen
oder nichtmetallorganischen Werkstoff besteht. Die Kopplungsplatte
trägt auf
der einen Seite die Pad-Line-Struktur der Wanne und auf der anderen Seite
die Anschlussstruktur des Fremdsystems. Die Pad-Line-Strukturen
der einen Seite der Kopplungsplatte sind mit den Pad-/Anschlussstrukturen
der anderen Seite durch elektrische Leitungen auf beiden Seiten
und elektrische Durchkontaktierungen verbunden.
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Die
elektrischen Leiterzüge,
Anschlussstrukturen, elektrischen Durchkontaktierungen und Pad-Line-Strukturen
werden bei Verwendung metallorganischer Werkstoffe mit dem Laser
geometrisch strukturiert und aktiviert und anschließend chemisch und
bei Bedarf auch galvanisch metallisiert.
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Eine
Vernetzung der metallorganischen Werkstoffe durch thermische oder β- oder γ- Strahlungseinwirkung
erfolgt vor, während
oder nach der Fertigung der Teile.
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Die
Montage zu einem Gehäusesystem
erfolgt mittels eines Hauptteils in Form von Wannen und Zusatzteilen
derart, dass die zu den jeweiligen Teilen gehörenden Pad-Line-Strukturen
von zwei aufeinander stehenden oder anderen Anschlussstrukturen
bei Kopplung zu Fremdsystemen immer deckungsgleich sind, so dass
eine vertikale Montage der Einzelteile erfolgt.
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Beispiele
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Erfindungsgemäß enthält das Gehäusesystem
ein Hauptteil in Form einer Wanne oder Doppelwanne aus einem metallorganischen
Werkstoff, eine Abdeckplatte, eine äußere Umverdrahtungsplatte, eine
innere Montageplatte, eine Zwischeninterfaceplatte für die Kopplung
von unterschiedlichen Wannengrößen im Gehäusesystem
und eine Kopplungsplatte zu Fremdsystemen (wie z. B. MATCH-X).
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Charakteristisch
für das
Gehäusesystem
ist, dass mit nur einem Bauteil, der Wanne/Doppelwanne, das Häusen im
Wesentlichen realisiert werden kann. Alle weiteren genannten Bauteile
erweitern das Gehäusesystem
hinsichtlich weiterer Schutzfunktionen (z. B. Berührungs-
und Feuchteschutz), höheren Integrationsgrades
und Kopplung zu anderen Geometriegrößen im gleichen System und
zu anderen Gehäusesystemen.
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Die 5 bis 14 erläutern die
Erfindung, wobei jeweils nur die zu erläuternden Teile dargestellt sind.
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Teil 1: Wanne und Doppelwanne
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5 zeigt
eine Wanne aus einem metallorganischen Werkstoff. Die Doppelwannenausführung zeigt 6.
Wanne und Doppelwanne werden im folgenden synonym als Wanne bezeichnet.
Die Fertigung dieser Wanne kann einfach durch spanende Bearbeitung
von Rohlingen hergestellt werden. Bei größeren Stückzahlen bietet sich das Spritzgussverfahren
an, wodurch sich eine erhebliche Kostensenkung für die zunächst unstrukturierten Wannen
realisieren lässt.
Die elektrischen Leiterbahnen 6 der Ober- und Unterseite,
die Durchkontaktierungen 10 zwischen diesen und die Anschlüsse 7 werden
mit einem Laser strukturiert und anschließend chemisch metallisiert,
vorzugsweise mit Kupfer. Die Anschlussstruktur 7 nach außen (elektrisches
Interface) wird mit Hilfe von Pad-Line-Strukturen 8 erzielt,
die am Rand der Wanne ein- oder mehrzeilig verlaufen. 5 zeigt
die Schichten auf den Ober- und Unterseiten der Wanne, wobei diese
Pad-Line-Strukturen, hier beispielhaft einzeilig, auf der Unterseite
jeweils deckungsgleich mit den Pad-Line-Strukturen auf der Oberseite
der Wanne sind. Dadurch wird ein vertikales Stapeln direkt übereinander
einzelner gleich großer
Wannen ermöglicht,
so wie es z. B. auch das Konzept nach MATCH-X vorsieht, mit dem
Durchführen
der elektrischen Leitungen und Busse. Die Neigungen der inneren
Wände 9 um
typischerweise α ≥ 15° ermöglichen
dabei die Laserstrukturierung mit dem gleichen Laserstrahl wie für die horizontalen
Flächen
unter Nutzung einer schnellen Optikeinheit im Laserstrahlengang
mit vertikaler Verschiebung des Laserspots.
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Um
ein Baukastensystem realisieren zu können, müssen die verschiedenen Schnittstellen
definiert sein. Die äußere Geometrie
sollte sich an die MATCH-X Struktur anpassen, wobei die Abmessungen
typischerweise bei 10 × 10
mm2 beginnen und in 2,5 mm Schritten erhöht werden.
Bei den Pad-Line-Strukturen sind die Padgrößen und Padraster zu definieren.
So ergeben sich beispielsweise für
ein Gehäusesystem
mit einer Wanne von 25 × 25 mm2 und einem Raster von 1 mm 15 × 4 = 60
Anschlusspins.
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Sollten
die Schichtstärken
der chemischen Metallabscheidung nicht ausreichen, so kann eine galvanische
Nachverstärkung
realisiert werden. Dazu müssen
alle Leiterzüge
und Pads kurzgeschlossen werden, was durch einen umlaufenden Wannenrand 11,
der metallorganischen Verbindung und einem darauf verlaufenden Kurzschlussleiterzug 12 mit
Anschlussstummeln 14 geschieht vgl. 7. In den
vier Ecken sollten jeweils Flächenvergrößerungen 13 dieser
Kurzschlussstruktur 12 eingebracht werden, um eine problemlose
elektrische Ankontaktierung realisieren zu können. Nach der galvanischen Metallisierung
können
die überstehenden
Wannenränder
entweder einfach abgebrochen oder aber mit dem Laser abgeschnitten
werden. Sollten Leiterzüge oder
Pads nicht an die umlaufende Kurzschlussstruktur 12 mit
einfachem Herausziehen der Leiterzüge angeschlossen werden können, z.
B. bei separaten innen liegenden Strukturen, so müssen diese
vom Design her mit zunächst
den Leiterzügen
verbunden werden, die wiederum an die Kurzschlussstruktur angeschlossen
sind. Diese Kurzschlüsse
werden dann nach der Galvanisierung mit dem Laser wieder entfernt.
In diesem Falle kann der Laser in einem Prozessschritt mit verschiedenen
Lasersetparametern die inneren Kurzschlüsse beseitigen und den überstehenden
Wannenrand abtrennen.
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Der
Vorteil der Doppelwanne liegt darin, dass hierbei auch auf der Unterseite
Bauelemente montiert werden können,
was einerseits zu einer Erhöhung
der Bauelementedichte führt
und andererseits die Möglichkeit
eröffnet,
Bauelemente in bestimmter Art und Weise zueinander anordnen zu können, z.
B. Abblockkondensatoren direkt unter elektronischen Schaltkreisen.
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Teil 2: Abdeckung
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Die
Abdeckung nach 8 stellt ein Zusatzteil des
Gehäusesystems
dar und hat im Wesentlichen die Aufgabe, die Funktionen und Bauelemente innerhalb
einer Wanne zu schützen,
z. B. vor mechanischen Einwirkungen, Staub, Feuchte u. ä..
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Bei
vertikaler Stapelung mehrerer Wannen braucht somit nur die letzte
mit dieser Abdeckung versehen werden. Da in der Regel keine weiteren Funktionen
hier zu realisieren sind, brauchen keine weiteren Strukturen auf
der Abdeckung aufgebracht werden. Sinnvoll sind Ausführungen
in Form einer Platte 15 und einer Wanne 16, deren
unstrukturierter Körper
der Wanne nach Teil 1 entspricht.
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Die
Abdeckung gemäß 8 kann
dann mit der Wanne, gemäß Teilt,
verklebt werden.
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Teil 3: Äußere Umverdrahtungsplatte
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Die äußere Umverdrahtungsplatte
nach 9 schließt
die Wanne nach oben ab, so wie die Deckplatte. Der Unterschied besteht
darin, dass diese äußere Umverdrahtungsplatte
eine oder mehrere Funktionen realisiert. So können auf einer oder beiden
Seiten zusätzliche
elektrische Leitungen und auf der Unterseite zusätzliche Bauelemente untergebracht
werden. Diese Bauelemente 17 können elektrischer als auch
nichtelektrischer Art sein. Damit kann die Dichte von Leitungen
und von Bauelementen innerhalb des Gehäuses deutlich erhöht werden, ohne
die äußere Geometrie
zu vergrößern. Die Grundfläche dieser äußeren Umverdrahtungsplatte entspricht
der Grundfläche
der Wanne. Auf den Ober- und Unterseiten dieser Platte müssen die
gleichen Pad-Line-Strukturen 8 wie die der Wanne angeordnet
sein, so dass eine Verbindung mit den Pad-Line-Strukturen der abzuschließenden Wanne und
einer möglichen
weiteren vertikal aufzusetzenden Wanne erfolgen kann. Auf dieser
Platte kann bzgl. der elektrischen Funktion ein allgemein bekanntes Ein-
oder Zweiseitenlayout 6 ohne oder mit Durchkontaktierungen 10 realisiert
werden. Diese äußere Umverdrahtungsplatte
sollte ebenfalls wie die Wanne aus der metallorganischen Verbindung
bestehen mit der entsprechenden oben genannten Laserstrukturierungstechnik
und der chemischen und/oder galvanischen Metallisierung, muss es
aber nicht zwangsläufig.
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Teil 4: Innere Montageplatte
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Die
innere Montageplatte 21, entsprechend 10,
schafft zusätzlich
zwei weitere Verdrahtungs- und Bauelementebenen und wird in das
Innere der Wanne auf einen zusätzlichen
Absatz entsprechend 20 montiert. Kontaktiert wird sie über die
untere Pad-Line-Struktur 18, die deckungsgleich ist mit der
entsprechenden Pad-Line-Struktur 19,
auf dem inneren Absatz 20 der Wanne mittels bekannter Verbindungstechnologien
wie Löten
oder Leitkleben. In Verbindung mit der Wanne können somit vier Verdrahtungs-
und drei Bauelementebenen (bei der Doppelwanne sogar vier) realisiert
werden. Kommt noch die äußere Umverdrahtungsplatte
dazu, so ergeben sich maximal sechs Verdrahtungs- und vier Bauelementebenen
(bzw. fünf).
Eingeschränkt
wird der Einsatz der inneren Montageplatte bzgl. elektrischer und
elektronischer Gehäusemodule,
da nun bedingt durch die zweite Schräge nicht mehr alle elektrischen
Leitungen nach außen
geführt
werden können.
Denkbar ist ein derartiges Gehäusedesign aber
auch für
nichtelektrische Module, z. B. Mikromechaniken.
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Teil 5: Zwischeninterfaceplatte für die Kopplung
von unterschiedlichen Wannengrößen im Gehäusesystem
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Die
Zwischeninterfaceplatte 22 dient dazu, unterschiedliche
Wannengrößen innerhalb
dieses modularen Gehäusesystems
zu verbinden, vgl. 11. Dazu wird von einer Pad-Line-Struktur 23, die
auch mehrzeilig sein kann, auf eine andere Pad-Line-Struktur 24 mittels
beidseitiger elektrischer Leitungen 6 und Durchkontaktierungen 10 übergegangen.
Diese Strukturen können
sich in der Anzahl der Zeilen, in der Anzahl der Anschlüsse pro
Zeile und im Rastermaß der
Anschlüsse
selbst unterscheiden. Typischerweise werden dann nicht immer alle Anschlüsse übertragen,
was beim Gesamtdesign eines Gehäusesystems
berücksichtigt
werden muss.
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Teil 6: Kopplungsplatte zu Fremdsystemen
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Die
Kopplungsplatte 25 zu einem Fremdsystem, z. B. zum modularen
Baukastensystem MATCH X, soll die Anwendungsmöglichkeiten des vorgeschlagenen
Systems erweitern. Im speziellen Fall des MATCH X-Systems müssen dazu
die Pad-Line-Strukturen 8 der Wanne auf eine flächige Matrixstruktur 26 umverdrahtet
werden bzw. anders herum, vgl. 12. So
ergibt sich dafür
beispielsweise, wenn das untere Gehäuse eine Wanne ist und das
obere einen Aufbau nach MATCH X hat, für die Kopplungsplatte 25 ein
Zwei-Ebenen-Design
mit einer Pad-Line-Struktur auf der Unterseite und einer Matrix-Struktur auf der
Oberseite, wobei die Verbindung mittels bekannter elektrischen Leitungen 6 und Durchkontaktierungen 10 erfolgt.
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Abschließend zeigen
die 13 und 14 zwei
Beispiele für
Systemaufbauten mit den oben beschriebenen Einzelbestandteilen.
Das Gehäusesystem
entsprechend 13 besteht aus einer Doppelwanne 27,
einer Wanne mit äußerer Umverdrahtungsplatte 28,
einer Wanne 29, einer weiteren Wanne 30 und einer
abschließenden
Abdeckplatte 31. Das Gehäusesystem entsprechend 14 besteht aus
einer Wanne 32, einer weiteren Wanne 33, einer Wanne
mit einer Zwischeninterfaceplatte 34, einer Wanne 35 und
einer abschließenden
Abdeckplatte 36.
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Zur
Erhöhung
der Temperaturbelastbarkeit nachfolgender Montageprozesse können die
metallorganischen Werkstoffe vor, während oder nach der Einzelteilfertigung
durch thermische Einwirkung oder β-
oder γ-
Strahlung vernetzt werden, was insbesondere bei Lötprozessen
von Bedeutung ist.
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- 1
- TB-BGA-Carrier
- 2
- Umverdrahtungsebene
- 3
- Rahmen
- 4
- TB-BGA-Deckel
- 5
- Ball
Grid Arrays
- 6
- Leiterbahnen
- 7
- Anschlussstruktur
- 8
- Pad-Line-Struktur
- 9
- inneren
Wände
- 10
- Durchkontaktierungen
- 11
- umlaufenden
Wannenrand
- 12
- Kurzschlussstruktur
- 13
- Flächenvergrößerungen
- 14
- Anschlussstummel
- 15
- Platte
- 16
- Wanne
- 17
- Bauelemente
- 18
- Pad-Line-Struktur
- 19
- Pad-Line-Struktur
- 20
- zusätzlicher
Absatz
- 21
- innere
Montageplatte als Zusatzteil
- 22
- Zwischeninterfaceplatte
- 23
- Pad-Line-Struktur
- 24
- Pad-Line-Struktur
- 25
- Kopplungsplatte
als Zusatzteil
- 26
- flächige Matrixstruktur
- 27
- Doppelwanne
- 28
- äußere Umverdrahtungsplatte
als Zusatzteil
- 29
- Wanne
- 30
- Wanne
- 31
- Abdeckplatte
- 32
- Wanne
- 33
- Wanne
- 34
- Zwischeninterfaceplatte
als Zusatzteil
- 35
- Wanne
- 36
- abschließende Abdeckplatte
als Zusatzteil