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Die
vorliegende Erfindung betrifft die Anordnung von Elektroden von
Feldeffekt-Bauelementen, insbesondere organische Feldeffekt-Bauelemente. Die
vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine kapazitive Kopplung
von einer der Elektroden eines Feldeffekt-Bauelements.
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Organische
Bauelemente, die sich für
organische integrierte Schaltungen eignen, sind im allgemeinen aus
verschieden funktionellen Schichten aufgebaut, die unterschiedliche
spezifische Materialeigenschaften aufweisen. Diese funktionellen
Schichten liegen im wesentlichen in Ebenen vor, die in einer gestapelten
und teilweise überdeckenden
Weise angeordnet sind. Eine typische Ebenenanordnung bzw. Schichtanordnung
eines organischen Bauelements soll am Beispiel eines organischen
Feldeffekt-Transistors wie in 1 gezeigt
illustriert werden.
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1 zeigt einen typischen
organischen Feldeffekttransistor (OFET) im "Top-Gate"-Aufbau, d.h. die Gate-Elektrode ist
in bezug auf das Transistor-tragende Substrat 10' zu Oberst angeordnet
bzw. die Source/Drain-Elektroden sind zuunterst, d.h. zumeist direkt
auf dem Substrat 10' aufgebracht.
Sind die funktionellen Schichten in umgekehrter Reihenfolge auf
dem tragenden Substrat aufgebracht, spricht man von einem "Bottom-Gate"-Aufbau. Der Feldeffekttransistor
ist aus mehreren funktionellen Schichten aufgebaut, die auf dem
tragenden Substrat angeordnet sind. Die Source- und Drain-Elektroden 11' liegen in einer
ersten Ebene, auf die eine Halbleiterschicht in einer zweiten Ebene
folgt. Die Halbleiterschicht 12' ist wiederum in einer dritten Ebene
durch eine Isolatorschicht 13' von der Gate-Elektrode 14' in der vierten
und zuoberst angeordneten Ebene getrennt. Die in 1 dargestell ten Source- und Drain-Elektroden 11' des Transistors weisen
eine Fingerstruktur auf. Eine entsprechende Verschaltung der Source-Elektroden
bzw. der Drain-Elektroden ist angedeutet. Die Verschaltung wird
ebenfalls zur Verbindungsleiter in der ersten Ebene, der Ebene der
Source- und Drain-Elektroden 11' realisiert. Der illustrierte organische
Feldeffekt-Transistor weist somit einen Gate-Elektroden-Anschluss 3', einen Source-Elektroden-Anschluss 1' und einen Drain-Elektroden-Anschluss 2' auf.
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Die
Halbleiterschicht ist mittels eines elektrischen Feldes in ihren
elektrischen Leitfähigkeits-Eigenschaften
beeinflussbar, so dass sich zwischen Source- und Drain-Elektroden
ein Leitungskanal bilden kann. Dieser wird mittels eines Eingangssignals durch
die elektrisch isolierte Gate-Elektrode gesteuert. Das Eingangssignal
wird als Spannungssignal an Gate-Elektroden-Anschluss 3' und Source-Elektroden-Anschluss 1' gelegt. Der
Ausgangsstrom wird mit zunehmender Feldstärke zwischen Gate-Elektroden-Anschluss 3' und Source-Elektroden-Anschluss 1' größer. Sind
solche organische Feldeffekt-Transistoren
Bestandteile einer integrierten Schaltung auf einem gemeinsamen
Substrat, müssen
die Verbindungen zwischen Ebene der Gate-Elektrode 14' und der Ebene
der Source-/Drain-Elektroden 11' mit Hilfe von Durchkontaktierungen
hergestellt werden. Diese Durchkontaktierungen sind auch als Vias
bekannt, das eine Abkürzung
für vertical
interconnects, d.h. vertikale Zusammenschaltungen bezeichnet.
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In
der industriellen Großserienherstellung zum
Beispiel mit Hilfe von Rotationsdruck-Maschinen von organischen
Bauelementen und organischen integrierten Schaltungen erfordert
die Bildung von Durchkontaktierungen bisher einen hohen Prozessaufwand.
Zumal die Bildung von Durchkontaktierungen selbst ein bisher prinzipiell
nur unzureichend gelöstes
Problem ist. Ferner erfordern weiterhin in der industriellen Großserienherstellung
die Ausrichtung (Alignment) der funktionellen Schichten gegeneinander
eine großen
Prozessaufwand. So ist zum Beispiel in Zusammenhang mit organischen
Feldeffekt-Transistoren
zu gewährleisten,
dass die Flächen
der Source/Drain-Elektroden mit der Fläche der Gate-Elektrode in Deckung
sind (siehe hierzu 1 in
die Ausrichtung der Source-/Drain-Elektroden 11' und der Gate-Elektrode 14'). Abweichungen
im Bereich von mehreren Mikrometern können störende parasitäre Kapazitäten nach
sich ziehen.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, organische Feldeffekt-Bauelemente bereitzustellen, die in
einer gemeinsamen Schichtebene liegende Elektroden aufweisen, so
dass die Zahl der notwendigen Durchkontaktierungen bei Verwendung
dieser Feldeffekt-Bauelemente in organischen integrierten Schaltungen
im wesentlichen minimal ist. Ferner soll eine möglicht justagefreie (ausrichtungsfreie)
Herstellung der Feldeffekt-Bauelemente
ermöglicht
werden.
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Die
Aufgabe der Erfindung wird gemäß dem unabhängigen Anspruch
1 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen
und Weiterbildungen sind in den anhängigen Ansprüchen definiert.
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Gegenstand
der Erfindung ist ein Feldeffekt-Bauelement, insbesondere ein organisches Feldeffekt-Bauelement.
Als Feldeffekt-Bauelement soll ein elektrisches bzw. elektronisches
Bauelement, das in eine integrierte Schaltung integrierbar ist,
verstanden werden, dessen Bauelement-spezifische Wirkung auf der
direkten oder indirekten Wirkung eines statischen und/oder dynamischen
elektrischen Feldes beruht. Erfindungsgemäß sind darunter vor allem organische
Feldeffekt-Transistoren
und organische Kondenstoren zu verstehen, jedoch ebenfalls weitere
neuartige Bauelemente, wie zum Beispiel eine kapazitive Leiterbahnbrücke.
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Das
erfindungsgemäße Feldeffekt-Bauelement
ist aus in Ebenen angeordneten funktionellen Schichten aufgebaut
und weist zumindest zwei Elektroden auf, die als Anschluss-Elektroden
zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements zur Verfügung ste hen.
In dem Bauelement ist erfindungsgemäß weiterhin eine Koppel-Elektrode
vorgesehen, mittels deren eine der Elektroden kapazitiv koppelbar ist.
Die Koppel-Elektrode ermöglicht,
zwei Elektroden in einer gemeinsamen Ebene des Bauelements vorzusehen.
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Vorzugsweise
ist die Koppel-Elektrode in Form einer elektrisch isolierten Leiterbahn
ausgebildet, d.h. die Koppel-Elektrode
kann als eine elektrisch schwebende Leitbahn bezeichnet werden.
Ferner ist die Koppel-Elektrode vorteilhafterweise in dem Bauelement
in einer Ebene vorgesehen ist, in der normalerweise eine der Elektroden
vorgesehen ist, so dass diese ursprünglich vorgesehene Elektrode
in einer anderen Ebene, vorzugsweise in der gemeinsamen Ebene vorgesehen
werden kann.
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Erfindungsgemäß sind die
funktionellen Schichten des Bauelements zumindest teilweise in einer
Stapelstruktur angeordnet.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist ein Feldeffekt-Bauelement
insbesondere ein organischer Feldeffekt-Transistor, der typischerweise eine
Gate-, eine Source- und eine Drain-Elektrode aufweist. Erfindungsgemäß ist die
Gate-Elektrode in der
gemeinsamen Ebene mit der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode
vorgesehen. Die Gate-Elektrode ist ferner mit der Koppel-Elektrode
kapazitiv gekoppelt, so dass sich ein für die Funktion des Feldeffekt-Transistors
notwendiges Steuerfeld zumindest zwischen der Koppel-Elektrode und
der Source-Elektrode ausbildbar ist.
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Erfindungsgemäß entspricht
eine Fläche
der Koppel-Elektrode im wesentlichen einer Fläche der Gate-Elektrode und
einer aktiven Fläche
der Source-Elektrode. Vorzugsweise kann der erfindungsgemäße Feldeffekt-Transistor
ersatzweise als ein organischer Feldeffekt-Transistor mit in Serie
geschalteter Kapazität
an der Gate-Elektrode beschrieben werden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist ein Feldeffekt-Bauelement
insbesondere ein organischer Kondensator mit zumindest zwei Elektroden.
Erfindungsgemäß sind die
zwei Elektroden in der gemeinsamen Ebene vorgesehen und koppeln kapazitiv
mit der Koppel-Elektrode.
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Erfindungsgemäß entspricht
eine Fläche
der Koppel-Elektrode im wesentlichen einer Fläche der zwei Elektroden. Vorzugsweise
kann der erfindungsgemäße Kondensator
ersatzweise als eine Reihenschaltung von zwei Kondensatoren beschrieben
werden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist ein Feldeffekt-Bauelement
insbesondere eine Leiterbahnbrücke
mit zumindest einer ersten und einer zweiten Leiterbahn (22).
Die Leitebahnbrücke
soll eine Verbindung der zwei Leiterbahnen derart ermöglichen,
dass ein oder mehrere Elemente einer (integrierten) Schaltung, insbesondere
eine kreuzende Leiterbahn, zwischen den Leiterbahnen vorgesehen
werden können.
Erfindungsgemäß koppeln die
erste und die zweite Leiterbahn mittels der Koppel-Elektrode kapazitiv,
so dass eine Signalübertragung
zwischen den Leiterbahnen möglich
ist.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung wird die Koppel-Elektrode
(20, 20', 20'') aus einer Vielzahl an streifenförmigen elektrischen
Leitern gebildet. Die Leiter sind hierzu in musterförmigen Raster
angeordnet, so dass eine Ausrichtung während der Ausbildung der Koppel-Elektrode
nicht durchgeführt
werden muss und die kapazitiven Kopplung mit einer oder mehreren
weiteren Elektroden dennoch automatisch gewährleistet ist.
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Vorteilhafterweise
kann mit diesem erfindungsgemäßen Konzept
die Zahl der Durchkontaktierungen in einer integrierten Schaltung
unter Beibehaltung der Strukturdichte (bzw. der Flächendichte der
Bauelemente) erheblich reduziert werden, da eine Vielzahl an Elektroden,
die schaltungs-spezifisch miteinander verbunden werden in ein und
derselben Ebene angeord net sind. Daher sind Durchkontaktierungen
nur noch bei wenigen unvermeidlichen Leiterbahnkreuzungen von Nöten. Das
hat ferner zur Folge, dass Leckströme und weitere ungewünschte Effekte
wie parasitäre
Kapazitäten
in den integrierten Schaltungen wesentlich minimiert werden.
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Ferner
kann die Serienkapazität
der durch die Verwendung der Koppel-Elektrode entstehenden Kopplungsstrecke
die Eingangsimpedanz von erfindungsgemäßen Feldeffekt-Transistoren
beträchtlich reduzieren
und damit deren Schaltzeiten vorteilhafterweise verkürzen. Durch
eine Unterteilung der in der gemeinsamen Ebene vorgesehenen Gate-Elektrode
des erfindungsgemäßen Feldeffekt-Transistors können weitere
Funktionen wie Modulations- und Logikschaltungen realisiert werden.
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Einzelheiten
und bevorzugte Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Gegenstands
ergeben sich aus den abhängigen
Ansprüchen
sowie den Zeichnungen, anhand deren im folgenden Ausführungsbeispiele
detailliert erläutert
werden, so dass der erfindungsgemäße Gegenstand klar ersichtlich wird.
In den Zeichnungen zeigen:
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1 einen organischen Feldeffekt-Transistor
(OFET) vom Stand der Technik;
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2a einen organischen "Top-Gate"-Feldeffekt-Transistor
in einer Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung;
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2b den organischen "Top-Gate"-Feldeffekt-Transistor
von 2a in einer Aufsichtsansicht gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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3 einen organischen "Bottom-Gate"-Feldeffekt-Transistor in einer
Schnittansicht gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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4a einen organischen Kondensator
in einer Schnittansicht gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung;
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4b ein Ersatzschaltbild
des organischen Kondensators von 4a gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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5 eine kapazitiv gekoppelte
Leiterbahn-Kreuzung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung; und
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6 eine Anordnung von Koppelelektroden für einen
organischen Feldeffekt-Transistor nach 2a, 2b oder 3 gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung.
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In
den folgenden 2a, 2b und 3 sind Ausführungsformen erfindungsgemäßer organischer Feldeffekt-Transistoren
(OFETs) illustriert. In 2a und 2b ist ein erster erfindungsgemäßer organischer Feldeffekt-Transistor
in einer Schnittansicht und einer Aufsichtsansicht dargestellt,
der in dem "Top-Gate"-Aufbau strukturiert
ist. In 3 ist ein zweiter
erfindungsgemäßer organischer
Feldeffekt-Transistor in einer Schnittansicht, der in dem "Bottom-Gate"-Aufbau strukturiert
ist.
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Gemäß 2a weist der erfindungsgemäße organische
Feldeffekt-Transistor Source- und Drain-Elektroden 11 in
einer ersten Ebene auf, die direkt auf dem Substrat 10 angeordnet
ist. Die Source- und Drain-Elektroden sind in Fingerstruktur ausgebildet.
Die Verschaltung der Source- und Drain-Elektroden erfolgt ebenfalls
in der ersten Ebene und ist in der 2a angedeutet.
Ferner ist in einer zweiten Ebene eine Halbleiterschicht 12 angeordnet,
welche die Source- und Drain-Elektroden 11.
Die Halbleiterschicht 12 ist wiederum in einer dritten
Ebene durch eine Isolatorschicht 13 bedeckt. Der bisher
beschriebene Aufbau ist vergleichbar mit dem Aufbau eines typischen
OFET und insbesondere vergleichbar mit der Darstellung eines solchen
typischen OFET in 1.
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Im
Gegensatz zu der OFET Darstellung in 1 weist
der erfindungsgemäße Feldeffekt-Transistor
jedoch keine auf der Isolatorschicht angeordnete Gate-Elektrode
auf. Statt dessen ist eine Koppel-Elektrode 20 auf die
Isolatorschicht aufgebracht. Diese Koppel-Elektrode koppelt kapazitiv
die Gate-Elektrode 14 ein,
die in zusätzlich
zu den Source- und Drain-Elektroden 11 angrenzend
mit einem vorbestimmten geringen Abstand zu den Source- und Drain-Elektroden 11 in
der ersten Ebene gebildet ist. Um die kapazitive Kopplung zu erhalten, überdeckt
die Fläche
der Koppel-Elektrode 20 zumindest teilweise sowohl die
Fläche
der Gate-Elektrode 14 als auch die Flächen der Source- und Drain-Elektroden 11.
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Diese
flächige Überdeckung
der in der ersten Schichtebene angeordneten Gate-Elektrode 14 und Source-/Drain-Elektroden 11 mit
der in der vierten Schichtebene angeordneten Koppel-Elektrode 20 ist in 2b, die eine Aufsichtsansicht
darstellt, deutlich zu erkennen. Die Koppel-Elektrode 20 ist
zu illustrativen Zwecken transparent gehalten. Ferner zeigt die Aufsichtsansicht
von 2b ebenfalls die
Verschaltung der Fingerstrukturen der Source-Elektrode bzw. der
Drain-Elektrode
in der ersten Schichtebene. Die Fläche der Gate-Elektrode 14 ist
im wesentlichen ungefähr
von vergleichbarer Größe wie die
aktive Fläche
der Source/Drain-Elektroden 11.
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Das
Konzept der vorliegenden Erfindung sieht somit vor, dass die Gate-Elektrode 14 vorzugsweise
in der gleichen Schichtebene liegt wie die Source- und Drain-Elektroden 11 und
demnach liegen ebenfalls vorteilhafterweise sowohl der Gate-Elektroden-Anschluss 3,
der Source-Elektroden-Anschluss 1 als auch der Drain-Elektroden-Anschluss 2 in
der gleichen Schichtebene. Die Koppel-Elektrode 20 ist
als elektrisch schwebende Leiterschicht ausgelegt, die kapazitiv
sowohl mit der Gate-Elektrode 14 als auch mit den Source-
und Drain-Elektroden 11 koppelt.
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Gemäß 3 weist der erfindungsgemäße organische
Feldeffekt-Transistor eine strukturierte Leiterschicht mit einer
elektrisch schwebenden Koppel-Elektrode 20 auf, die in
einer ersten Ebene auf dem Substart 10 angeordnet ist.
Auf der Schicht der Koppel-Elektrode folgt eine Isolatorschicht 13 in
einer zweiten Ebene und eine Halbleiteschicht 12 in einer dritten
Ebene. Abschließend
ist in einer vierten Schichtebene eine strukturierte Leiterschicht
angeordnet, die sowohl die Gate-Elektrode 14 als auch die Source-
und Drain-Elektroden 11 (in Fingerstruktur) umfasst. Die
Fläche
der Koppel-Elektrode 20 umfasst
im wesentlichen ungefähr
die Flächen
der Gate-Elektrode 14 und der Source-/Drain-Elektroden 11.
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Die
flächige Überdeckung
der in der vierten Ebene angeordneten Gate-Elektrode 14 und
Source-/Drain-Elektroden 11 mit der Koppel-Elektrode 20 in
der ersten Ebene ist analog zu der in 2b dargestellten
Aufsichtsansicht zu sehen.
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Bei
organischen Transistoren vom Stand der Technik, wie beispielhaft
in 1 illustriert, liegt
das Steuersignal und somit das Steuerfeld an Gate-Elektrode und
Source-Elektrode und wirkt zumindest über die dazwischen angeordnete
Isolatorschicht (bzw. Halbleiterschicht). Bei einem erfindungsgemäßen Aufbau,
wie in den 2a, 2b und 3 dargestellt, wird das Steuersignal,
das zwischen Gate-Elektrode und Source-Elektrode anliegt jedoch kapazitiv in
die Koppelelektrode eingekoppelt, so dass sich das eigentliche Steuerfeld
zwischen Koppel-Elektrode und Source-Elektrode ausbildet, die zumindest
durch die zwischenliegende Isolatorschicht voneinander getrennt sind.
Die kapazitive Kopplung der Gate-Elektrode
mit der Koppel-Elektrode kann ersatzweise als eine Serienkapazität in dem
Eingangskreis des Gate-Elektrode-Anschlusses
angesehen werden. Die Steuerspannung zwischen Gate-Elektrode und
Source-Elektrode wird daher in umgekehrtem Verhältnis zu den Kapazitätswerten
kapazitiv geteilt, d.h. der Kapazitätswert von Gate-Elektrode zu
Koppel-Elektrode und der Kapazitätswert
von Koppel-Elektrode und Source-Elektrode. Die Aussteuerung des
Transistors wird von der Feldstärke
in der Isolatorschicht über
die Halbleiterschicht bestimmt (Feldeffekt). Der Spannungsabfall über diese
Isolatorschicht ergibt sich aus dem kapazitiven Teilerverhältnis der
beiden Isolatorstrecken. Dieser ist proportional zum Flächenverhältnis der
Isolatorstrecken. Da bei der Isolatorstrecke über dem Halbleiter nur die
Fingerflächen der
Source-Elektrode (im durchgesteuerten Zustand auch die der Drain-Elektrode)
zur Kapazität
beitragen, wird auch der größere Teil
der Spannung hier abfallen.
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Das
vorstehend beschriebene Konzept der kapazitiven Kopplung, um eine
vorteilhafte Anordnung von Elektroden-Anschlüsse zu erhalten, lässt sich
ebenfalls auf weitere Bauelemente anwenden. Im folgenden werden
ein Kondensator und eine Leiterbahnkopplung gemäß Ausführungsformen der Erfindung
detailliert beschrieben.
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Gemäß 4a ist ein erfindungsgemäßer Kondensator
realisiert, dessen beide Elektroden (Platten) angrenzend mit einem
vorbestimmten Abstand in einer gemeinsamen Schichtebene vorliegen, so
dass Kontaktierungen der Elektroden ohne Durchkontaktierungen möglich sind.
Die Elektroden des erfindungsgemäßen Kondensators
können
zum Beispiel in der gleichen Ebene der funktionellen Schicht angeordnet
sein, in der ebenfalls die Elektroden (z.B. Gate-, Source- und Drain-Elektrode
der vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen organischen Transistoren
usw.) weiterer Bauelemente erfindungsgemäß angeordnet sind. Die Elektroden
sind mittels einer Koppel-Elektrode 20' in Form einer
elektrisch schwebenden Leiterbahn miteinander kapazitiv gekoppelt.
Die Fläche
der Koppel-Elektrode 20' umfasst im
wesentlichen ungefähr
die Flächen
der beiden Elektrode des Kondensators. Der erfindungsgemäße Kondensator
kann als eine Reihenschaltung zweier Kondensatoren aufgefasst werden.
Das entsprechende Ersatzschaltbild ist in 4b dargestellt.
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Vorteilhafterweise
lässt sich
solch ein erfindungsgemäßer Kondensator
auf der in 2a beschriebenen
Schichtanordnung realisieren. Das heißt, die Elektroden bzw, die
Elektroden-Anschlüsse 25 und 26 des
Kondensators sind in einer ersten Ebene auf dem Substrat 10 angeordnet.
Die Elektroden des organischen Feldeffekt-Transistors in "Top-Gate"-Aufbau, der in 2a illustriert ist, sind ebenfalls
in dieser Schichtebene angeordnet, so dass, wenn gewünscht, eine
elektrische Kopplung durch weitere in dieser Ebene gebildete Leiterbahnen
einfach zu realisieren ist. Ferner sind eine Halbleiterschicht 12 und
eine Isolatorschicht 13 über der Schicht der Kondensator-Elektroden
angeordnet. Abschließend
ist auf der Isolatorschicht 13 die Koppel-Elektrode 20' aufgebracht.
Die Halbleiterschicht 12 ist für die Realisierung eines Kondensators
nicht funktionell notwendig, jedoch stört deren Anwesenheit die Funktion
des Kondensators nicht, so dass der erfindungsgemäße Kondensator
gleichzeitig mit erfindungsgemäßen organischen "Top-Gate"-Feldeffekt-Transistoren
hergestellt werden kann. Die Ebenen der Kondensator-Elektroden und
der zugehörigen
Koppel-Elektrode 20' können alternativ
getauscht sein, so dass die Elektroden-Anschlüsse in der gleichen Schichtebene
angeordnet sind wie die Elektroden der erfindungsgemäßen organischen "Bottom-Gate"-Feldeffekt-Transistoren.
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Gemäß 5 kann ebenfalls eine Leiterbahnkopplung
mittels einer Koppel-Elektrode 20'' erfolgen,
die wiederum als elektrisch schwebende Leiterbahn ausgeführt ist.
Diese Kopplung eignet sich zum Beispiel für Signale, die kapazitiv übertragbar sind,
wie zum Beispiel Signal zu den Feldeffekt-Transistor-Eingängen bzw. Anschlüssen. Hierfür ist wiederum
eine Koppelelektrode flächig über zu kapazitiv koppelnden
Leiterbahnen 22 angeordnet. Die in 5 dargestellte Schichtstruktur entspricht
ebenfalls wiederum dem in 2a beschriebenen Schichtaufbau
aus Halbleiterschicht 12 und Isolatorschicht 13.
In 5 ist weiterhin zusätzlich eine Kreuzleitung
dargestellt. Durch eine entsprechende Auslegung der Koppel-Elektrode
kann ein kapazitives Einkoppeln der zwischen den Leiterbahnen 22 zu übertragenden
Signale in die Kreuzleitung 21 verhindert bzw. zumindest
minimiert werden. Da lediglich eine elektrische Isolierung der Koppel- Elektrode 20'' für deren Funktion sichergestellt
werden muss, kann die Schichtstruktur ebenfalls der in 3 dargestellten entsprechen.
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Gemäß 6 kann zur Herstellung der
erfindungsgemäßen organischen
Feldeffekt-Transistoren und organischen integrierten Schaltungen,
die auf das erfindungsgemäße Konzept
aufbauen, in kontinuierlichen Prozessen (z.B. Rotationsdrucken)
kann vorteilhafterweise ein Aufbau gewählt werden, der es ermöglicht,
die einzelnen strukturierten Schichten zu bilden ohne die Schichten
zueinander ausrichten zu müssen.
Die in Zusammenhang mit den erfindungsgemäßen organischen Feldeffekt-Transistoren (siehe 2a, 2b und 3)
beschriebenen Koppel-Elektroden 20 werden
durch ein sich über
die gesamte Fertigungsfläche
erstreckendes Streifenmuster-Raster aus streifenförmigen Leiterbahnen
in definiertem Muster ersetzt. Die Abmessungen und der Abstand der
Elektroden- bzw. Leiterbahnstreifen ist derart gewählt, dass
die kapazitive Kopplung der Gate-Elektrode mit der Koppel-Elektrode
bzw. die kapazitive Kopplung der Koppel-Elektrode mit den Source-/Drain-Elektroden innerhalb
eines organischen Feldeffekt-Transistors sichergestellt ist. Ein
unerwünschtes Übersprechen
zu anderen Bauelementen ist auszuschließen. Dies wird erreicht, indem
die einzelnen organischen Feldeffekt-Transistoren in ausreichendem
Abstand zueinander und entsprechend zueinander ausgerichtet angeordnet
sein.