DE10333819A1 - Gateansteuerungsschaltung in Leistungsmodulen - Google Patents

Gateansteuerungsschaltung in Leistungsmodulen Download PDF

Info

Publication number
DE10333819A1
DE10333819A1 DE10333819A DE10333819A DE10333819A1 DE 10333819 A1 DE10333819 A1 DE 10333819A1 DE 10333819 A DE10333819 A DE 10333819A DE 10333819 A DE10333819 A DE 10333819A DE 10333819 A1 DE10333819 A1 DE 10333819A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gate
conductor
emitter
connection
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10333819A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kouichi Mochizuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE10333819A1 publication Critical patent/DE10333819A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE10333819A 2002-07-26 2003-07-24 Gateansteuerungsschaltung in Leistungsmodulen Withdrawn DE10333819A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002218674A JP3710439B2 (ja) 2002-07-26 2002-07-26 パワーモジュールのゲート駆動回路
JP2002/218674 2002-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10333819A1 true DE10333819A1 (de) 2004-02-26

Family

ID=30767994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10333819A Withdrawn DE10333819A1 (de) 2002-07-26 2003-07-24 Gateansteuerungsschaltung in Leistungsmodulen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040017245A1 (https=)
JP (1) JP3710439B2 (https=)
KR (1) KR20040010128A (https=)
CN (1) CN1477771A (https=)
DE (1) DE10333819A1 (https=)
TW (1) TWI224423B (https=)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7224225B2 (en) * 2005-04-26 2007-05-29 Intel Corporation Differential inductor based low noise amplifier
JP5633135B2 (ja) * 2009-10-15 2014-12-03 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5316628B2 (ja) 2011-11-24 2013-10-16 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動回路
JP5796599B2 (ja) 2013-05-23 2015-10-21 株式会社デンソー 半導体モジュールおよびスイッチング素子の駆動装置
US9094005B2 (en) * 2013-07-30 2015-07-28 Denso Corporation Semiconductor element module and gate drive circuit
JP6233330B2 (ja) * 2015-02-12 2017-11-22 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
CN106209040B (zh) * 2016-07-22 2019-06-18 北京精密机电控制设备研究所 一种基于fpga的高可靠igbt驱动电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3260036B2 (ja) * 1994-06-06 2002-02-25 株式会社東芝 電圧駆動形電力用スイッチ素子のゲート駆動回路
JP2000134075A (ja) * 1998-08-18 2000-05-12 Pop Denshi Kk スイッチ装置
FR2785447B1 (fr) * 1998-10-30 2000-12-15 Alstom Technology Procede de raccordement electrique de puces de transistor igbt montees sur une plaquette de circuits integres
EP1198059A3 (en) * 2000-10-11 2004-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for position-sensorless motor control
US7085824B2 (en) * 2001-02-23 2006-08-01 Power Measurement Ltd. Systems for in the field configuration of intelligent electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP3710439B2 (ja) 2005-10-26
TW200402934A (en) 2004-02-16
TWI224423B (en) 2004-11-21
CN1477771A (zh) 2004-02-25
KR20040010128A (ko) 2004-01-31
US20040017245A1 (en) 2004-01-29
JP2004063687A (ja) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19825211C2 (de) Halbleiterschaltung
DE19628131C2 (de) Gatespannungsbegrenzung für eine Schaltungsanordnung
DE19817767C2 (de) Halbleiter-Leistungsschaltung
DE102021101696B4 (de) Halbleitereinrichtungssignalübertragungsschaltung zur antriebssteuerung, verfahren zum steuern einer solchen schaltung, halbleitereinrichtung, leistungsumwandlungseinrichtung und elektrisches system für schienenfahrzeug
DE102006017487A1 (de) Integriertes Beschaltungsbauelement auf Halbleiterbasis zur Schaltentlastung, Spannungsbegrenzung bzw. Schwingungsdämpfung
DE10306809A1 (de) Betrieb einer Halbbrücke, insbesondere einer Feldeffekttransistor-Halbbrücke
DE69302244T2 (de) Halbleiter-Schutzkomponente
EP2744110B1 (de) Ansteuerschaltung und Verfahren zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters
DE102005023026A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit Plattenkondensator-Struktur
EP0690898A1 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz eines ein- und auschaltbaren Leistungshalbleiterschalters vor Überspannungen
DE10333819A1 (de) Gateansteuerungsschaltung in Leistungsmodulen
DE4012382C2 (https=)
DE102013107239B3 (de) Leistungshalbleiterschaltung
DE102011090120A1 (de) Schaltvorrichtung und Schaltmodul
DE4300953A1 (en) Temp.-stabilised electronic ignition for IC engine - has series opposition Zener diodes between base of control transistor and earth
DE4429733A1 (de) Leistungsschaltvorrichtung
DE19507408A1 (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung von Schaltüberspannungen an Leistungshalbleiterschaltern
DE102017002573B4 (de) Überspannungsschutz
DE102019107112B3 (de) Schaltvorrichtung, Spannungsversorgungssystem, Verfahren zum Betreiben einer Schaltvorrichtung und Herstellverfahren
WO2018041971A1 (de) Steuern eines halbleiterschalters in einem schaltbetrieb
DE3611297C2 (https=)
DE10035388C2 (de) Stromschaltanordnung
DE19717715C2 (de) Verfahren zum Ansteuern eines feldgesteuerten Leistungshalbleiterschalters
DE102018211841B4 (de) Treiberschaltung zur Schaltflankenmodulation eines Leistungsschalters
DE10035387B4 (de) Stromschaltanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal