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Die
Erfindung betrifft Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler und insbesondere
solche, die eine höhere
Eingangsspannung in eine niedrigere Ausgangsspannung umwandeln.
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Derartige
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler sind beispielsweise aus R. Köstner, A.
Möschwitzer, „Elektronische
Schaltungen Hansa-Verlag 1993, Seiten 281 bis 286 bekannt und umfassen
eine Reihenschaltung einer Drossel und eines Kondensators, wobei über dem
Kondensator eine Ausgangsspannung für eine Last abgegriffen wird
und die Last einen Laststrom hervorruft, sowie einen Umschalter
zum Aufschalten einer Eingangsspannung auf die Reihenschaltung oder
zum Kurzschließen
der Reihenschaltung. Die Steuerung des Umschalters erfolgt durch
eine Steuerschaltung derart, dass der Umschalter die Reihenschaltung
abwechselnd beispielsweise für
eine erste Zeitdauer kurzschließt
oder für eine
zweite Zeitdauer auf die Eingangsspannung aufschaltet. Das Verhältnis der
Zeitdauern (Pulsweitenmodulation) wird entsprechend der gewünschten Ausgangsspannung
geregelt.
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Ein
Problem bei derartigen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlern (DC/DC Converter)
ist das dynamische Verhalten bei kleinen Ausgangsspannungen und
insbesondere die Konstanz der Ausgangsspannung bei sich änderndem
Laststrom. Unter kleiner Ausgangsspannung sind beispielsweise Spannungen
von 5 V und weniger zu verstehen. Dabei sind vor allem Laststromänderungen
von großen
Lastströmen
zu kleinen Lastströmen
problematisch insbesondere dann, wenn nicht Dioden als Freilaufbauelemente
verwendet werden, sondern Synchrongleichrichter, die durch entsprechend
angesteuerte Feldeffekttransistoren realisiert werden.
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Ein
solcher Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ist beispielsweise in 1 dargestellt. Dabei weist eine
als Umschalter dienende Gegentaktendstufe zwei Transistoren Q1 und Q2 auf, die
jeweils eine entsprechend gepolte Diode D1 bzw.
eine Diode D2 (Body Dioden) zwischen ihren
jeweiligen Source- und Drainanschlüssen aufweisen. Die Gegentaktendstufe
ist mit einer Eingangsspannung UE beaufschlagt derart,
dass der Drainanschluss des als Synchrongleichrichter eingesetzten
Transistors Q1 beispielsweise mit der Eingangsspannung
UE beaufschlagt ist während der Sourceanschluss des
Transistors Q2 an Masse M angeschlossen
ist. Der Drainanschluss des Transistors Q2 sowie
der Sourceanschluss des Transistors Q1 sind
miteinander verschaltet und bilden den Ausgang der Gegentaktendstufe.
Die Gateanschlüsse
der Transistoren Q1 und Q2 werden
durch eine Treiberschaltung DR mittels Steuerspannungen VG1 und VG2 angesteuert,
wobei als Bezugspunkt für die
Steuerspannung VG1 der Ausgangsanschluss
der Gegentaktendstufe und für
die Steuerspannung VG2 Masse M dient. Die
Treiberschaltung DR wird von einer Steuerschaltung CTR angesteuert,
die ein pulsweitenmoduliertes Rechtecksignal in die Treiberschaltung
DR einspeist.
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Zwischen
den Ausgang der Gegentaktendstufe und Masse M ist eine Reihenschaltung
bestehend aus einer Spule L und einem Kondensator C geschaltet,
wobei die Drossel L einen parasitären Widerstand RS und
der Kondensator C einen parasitären
Widerstand RP aufweist, die von ihrer Wirkung her
seriell zur Drossel L bzw. zu dem Kondensator C liegen. Innerhalb
der Reihenschaltung ist die Drossel L gegen den Ausgang der Gegentaktendstufe
und der Kondensator C gegen Masse M geschaltet. An dem Abgriff zwischen
Drossel L und Kondensator C kann eine Ausgangsspannung UA gegen Masse M abgegriffen werden.
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Mit
der Ausgangsspannung UA wird ein Lastwiderstand
RL gespeist, der einen Ausgangsstrom IA hervorruft.
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In
die Drossel L fließt
ein Strom IL, der je nach Schaltzustand
der Gegentaktendstufe im wesentlichen entweder durch einen durch
den Transistor Q1 fließenden Strom IQ1 oder
durch einen durch den Transistor Q2 fließenden Strom
IQ2 gebildet wird.
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Wie
aus 2 zu ersehen ist,
ist der Stromanstieg diL/dt in der Drossel
L bei eingeschaltetem Transistor Q1 sehr
viel größer als
der Stromabfall –diL/dt in der Drossel L bei eingeschaltetem
Transistor Q2 (Transistor Q1 ausgeschaltet).
Der Grund dafür ist,
dass die treibende Spannung über
der Drossel L beispielsweise bei einer Eingangsspannung von 12 V und
einer Ausgangsspannung von 1,5 V sehr viel größer ist, wenn der Transistor
Q1 eingeschaltet und der Transistor Q2 ausgeschaltet ist.
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Im
eingeschwungenen Zustand, also bei konstantem Laststrom, ist dieses
Verhalten unproblematisch. Anders jedoch bei schnellen Laststromänderungen
von hoher Last zu niedriger Last also beispielsweise von Volllast
auf Leerlauf. Der Strom IL in der Drossel
und der Ausgangsstrom IA (Laststrom) sind
vor der Laststromänderung
groß und
zwar beide etwa gleich groß.
Geht der Laststrom schlagartig auf einen sehr kleinen Wert zurück, so muss
der eingeprägte
Drosselstrom in den Kondensator C fließen. Der Strom IL wird
kleiner und kleiner bis er schließlich auf den Wert des Ausgangsstroms
IA (Laststroms) zurückgeht. Dabei lädt er den
Kondensator C weiter auf, so dass sich die Ausgangsspannung UA erhöht. In
erster Näherung
wird dabei die in der Drossel L gespeicherte Energie auf den Kondensator
C übertragen.
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Beim
umgekehrten Lastwechsel hingegen, also bei einem Wechsel von kleiner
Last zu großer Last,
fließt
zunächst
ein sehr kleiner bzw. gar kein Strom IL in
der Drossel L und kaum ein Ausgangsstrom IA.
Wird der Laststrom und damit der Ausgangsstrom IA plötzlich größer, so
muss der erhöhte Strombedarf
zunächst
aus dem Kondensator C gedeckt werden, während der Strom IL durch
die Drossel L steigt. Dabei sinkt die Spannung über dem Kondensator C (in etwa
die Ausgangsspannung UA) etwas ab und zwar
so lange, bis der Strom IL in der Drossel
L die Größe des Ausgangsstromes
IA erreicht hat.
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Die
Differenz zwischen Ausgangsstrom IA und
Strom IL durch die Drossel L muss der Kondensator
C liefern bzw. muss in diesen hineinfließen. Dabei verringert oder
erhöht
sich seine Spannung und somit die Ausgangsspannung UA.
Da die Änderungsgeschwindigkeit
des Stromes IL bei Stromabfall sehr viel
kleiner ist als beim Stromanstieg (siehe 2), ist dieser Lastwechselfall, großer Laststrom
auf kleinen Laststrom, sehr viel kritischer als der umgekehrte Fall,
d.h. die Änderung
der Ausgangsspannung (in diesem Fall Erhöhung) aufgrund des verzögerten Stromabfalls
in der Drossel ist größer als
im Falle eines Lastanstiegs. Insbesondere bei Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlern
mit kleinen Ausgangsspannungen, sehr enger Toleranz der Ausgangsspannung
und/oder hohem Laststrom (= viel Energie in der Drossel L) muss
dieser Fall eingehend berücksichtigt
werden.
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Herkömmliche
Steuerschaltungen reagieren auf einen Lastwechsel allein mit veränderter
Pulsweitenmodulation d.h. Anpassung des Verhältnisses der Schaltzeiten der
Transistoren Q1 und Q2.
Insbesondere wird dabei die Einschaltdauer des Transistors Q1 verringert, wobei die Taktung regulär fortgesetzt wird.
Bei plötzlich
kleiner werdendem Laststrom wird dabei die Einschaltdauer des Transistors
Q1 weiter verkürzt bis er schließlich überhaupt
nicht mehr eingeschaltet wird. Dagegen wird die Einschaltdauer des
Transistors Q2 entsprechend verlängert. Da
bei Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlern mit hohen Ausgangsströmen und
kleinen Ausgangsspannungen der Transistor Q2 (Low-Side-Schalter)
einen Einschaltwiderstand von nur wenigen Milliohm hat, ist die
im Transistor Q2 (High-Side-Schalter) entstehende
Verlustleistung relativ gering. Die in der Drossel L gespeicherte
Energie wird daher weitgehend auf den Kondensator C übertragen.
Das bedeutet, dass die Ausgangsspannung UA in
unzulässiger
Weise ansteigen kann.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, bekannte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
derart weiterzubilden, dass bei Lastabwürfen keine oder zumindest nur
eine geringe Erhöhung
der Ausgangsspannung auftritt.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler gemäß Patentanspruch 1. Ausgestaltungen
und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von
Unteransprüchen.
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Vorteil
der vorliegenden Erfindung ist es, ohne großen zusätzlichen Schaltungsaufwand
ein Ansteigen der Ausgangsspannung bei Lastabwurf zu verringern.
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Erzielt
wird dies bei einem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler der eingangs
genannten Art dadurch, das Mittel zum Erhöhen eines Widerstandes seriell
zu der Reihenschaltung mit Drossel und Kondensator zumindest bei
mittels des Umschalters kurzgeschlossener Reihenschaltung erhöht wird, wenn
der Laststrom um einen bestimmten Wert abfällt. Die Erfindung schlägt also vor,
bei einem Lastwechsel von hohen Lastströmen zu kleinen Lastströmen zumindest
einen Teil der in der Drossel gespeicherten Energie in einem anderen
Bauelement als dem die Ausgangsspannung führenden Kondensators als Verlustleistung
umzusetzen. Auf diese Weise wird weniger Energie auf diesen Kondensator
transferiert, so dass sich dessen Spannung und damit die Ausgangsspannung
nicht bzw. nicht wesentlich erhöht.
Dieses (ggf. zusätzliche)
Bauelement bewirkt die Widerstandserhöhung aber nur im Falle des Lastabwurfes,
so dass kein Einfluss auf die „normale" Betriebsweise ausgeübt wird.
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Vorzugsweise
wird der Umschalter mittels einer Gegentaktendstufe, die einen zweiten
Transistor zum Kurzschließen
und einen ersten Transistor zum Aufschalten der Eingangsspannung
aufweist, realisiert, wobei einer der Transistoren als Synchrongleichrichter
dient.
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Bevorzugt
wird die Leistung beim Lastabwurf in den Umschalter umgesetzt. Hierzu
wird vorteilhafterweise der zweite Transistor bei Auftreten des Lastabwurfs
durch die Steuerschaltung in einen weniger leitenden Zustand gesteuert.
Damit wird die überschüssige Leistung
bei einem Lastabwurf in den zweiten Transistor zumindest teilweise
umgesetzt, so dass die Spannung über
dem Kondensator und damit die Ausgangsspannung nicht wesentlich
ansteigt.
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Als
zweiter Transistor kann entweder ein Metall-Oxid-Semiconductor-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
oder ein Junction-Feldeffekttransistor (J-FET) vorgesehen werden.
Die MOS-FETs weisen in
der Regel eine parasitäre
Diode auf (Bodydiode), während
J-FETs eine derartige Diode nicht haben. Im Falle eines MOS-FETs
würde also
im Hinblick auf das in 1 gezeigte
Beispiel bei einem Lastabwurf der erste Transistor (Q1)
ausgeschaltet werden und der zweite Transistor (Q2)
ganz ausgeschaltet bleibt oder zumindest teilweise gesperrt wird.
Der Strom IL der Drossel L muss dann über die
Bodydiode (D2) des zweiten Transistors (Q2) fließen,
was wesentlich verlustreicher ist, als der Strompfad durch den zweiten Transistor
Q2 im eingeschalteten Zustand. Dadurch wird
zumindest ein Teil der Energie der Drossel L im zweiten Transistor
Q2 umgesetzt, anstatt den Kondensator C
aufzuladen.
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Bei
J-FETs, die keine Bodydiode haben oder speziellen MOSFETs ohne Bodydiode
würden
diese so angesteuert, dass entweder der Widerstand durch den zweiten
Transistor selbst erhöht
würde,
wodurch ebenfalls Energie in erhöhtem
Umfang im zweiten Transistor umgesetzt würde oder aber beide Transistoren
werden komplett ausgeschaltet, so dass kein nennenswerter Strom
durch diese fließt.
In diesem Fall würde
die in der Ausgangsdrossel gespeicherte Energie in einem anderen
Bauelement partiell oder vollständig
in Wärme
umgesetzt werden oder aber auf einem anderen Energiespeicher wie
z.B. einem weitern Kondensator transferiert.
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Das
bedeutet, dass der zweite Transistor in einem Bereich gesteuert
werden kann, in dem er ganz oder teilweise sperrt.
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Anstelle
der Implementierung der Widerstandserhöhung im Lastabwurffall innerhalb
des Umschalters kann auch zusätzlich
ein drittes Element, insbesondere ein dritter Transistor vorgesehen
werden, der bei einem Laststromabfall vom leitenden Zustand in einen
weniger leitenden Zustand gesteuert wird. Der zweite Transistor
bleibt dabei völlig
durchgesteuert oder wird ebenfalls in einen weniger leitenden Zustand
gebracht. Auf diese Weise wird kontrolliert die Leistung an dem
dritten Transistor (oder drittem und zweitem Transistor) umgesetzt.
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Der
dritte Transistor kann dabei mit seiner Laststrecke seriell zur
Laststrecke des zweiten Transistors geschaltet werden, kann aber
auch in anderer Weise in Reihe oder parallel (J-FET) zur Drossel
D geschaltet werden.
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Der
dritte Transistor kann dabei von der Steuerschaltung mitgesteuert
werden oder aber auch autark durch eine zusätzliche den Laststrom auswertende Überwachungseinrichtung
gesteuert werden.
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Schließlich kann
vorgesehen werden, dass der Laststrom direkt durch die Steuereinrichtung
ausgewertet wird. Dazu wird vorzugsweise eine Strommesseinrichtung
zwischen Kondensator und Last geschaltet. Damit lassen sich genauestens
Laststromschwankungen feststellen. Bei geringeren Anforderungen
kann jedoch auch auf eine direkte Laststromauswertung verzichtet
werden, in dem Spannungsspitzen über
dem Kondensator mit einer bestimmten Steilheit als Indiz für einen
Lastabwurf ausgewertet werden. Alternativ kann zur Strommessung
die Spannung über
der Laststrecke des Transistors Q2 oder
die Spannung der Induktivität
L herangezogen werden. Daneben sind auch alle anderen gängigen Strommessverfahren
anwendbar.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiele
näher erläutert. Es
zeigt:
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1 das Schaltbild einer allgemeinen
Ausführungsform
eines bekannten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers zum Umwandeln größerer Spannungen
in kleinere Spannungen,
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2 den Verlauf des Drosselstroms
bei dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
nach 1,
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3 ein erstes Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers,
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4 ein zweites Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers,
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5 den Verlauf der Steuerspannungen VG1 und VG2 in Abhängigkeit
vom Ausgangsstrom (a) für
den Fall ohne (b) und mit (c) erfindungsgemäßer Regelung und
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6 den Verlauf verschiedener
Parameter bei einem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ohne (a) und
mit (b) erfindungsgemäßer Regelung.
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Das
in 3 gezeigte Ausführungsbeispiel geht
aus den in 1 gezeigten
bekannten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler dadurch hervor, dass in die
Source-Leitung des Transistors Q2 die Laststrecke
eines weiteren Transistors Q3 geschaltet
ist. Damit liegt der Sourceanschluss des Transistors Q3 an Masse
M und sein Drainanschluss ist mit dem Sourceanschluss des Transistors
Q2 verschaltet. Der Transistor Q3 wird durch eine Auswerteschaltung AWS gesteuert,
die mittels eines in die Ausgangsleitung geschalteten Messwiderstandes
RM den Ausgangsstrom Ia ermittelt
derart, dass sie die Spannung über
dem Messwiderstand RM auswertet und bei
Auftreten eines Spannungsabfalls d.h. eines Abfalls des Ausgangsstroms
IA den Transistor Q3 von
dem leitenden Zustand in einen weniger leitenden oder sogar sperrenden
Zustand steuert.
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Die
bei dem Ausführungsbeispiel
nach 3 verwendeten Transistoren
sind ausschließlich MOS-FETs
und weisen parallel zu ihrer Laststrecke in Sperrrichtung liegende
parasitäre
Dioden D1 und D2,
d.h. sogenannte Body-Dioden auf.
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Sofort
nach einem Abfall des Ausgangsstroms IA wird
der Transistor Q3 durch die Auswerteschaltung
AWS teilweise oder ganz gesperrt, wobei auch der Transistor Q1 durch die Steuerschaltung CTR gesperrt
wird, da sich die Spannung UA ebenfalls
erhöht.
Das bedeutet, dass der Strom IL der Drossel
L dann über
die Body-Diode D3 fließen muss, was wesentlich verlustreicher
ist, als der Strompfad durch den Transistor Q2 und
Q3 im eingeschalteten Zustand. Dadurch wird
zumindest ein Teil der in der Drossel L gespeicherten Energie in
dem Transistor Q3 umgesetzt, anstatt den
Kondensator C aufzuladen und damit die Ausgangsspannung UA zu erhöhen.
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Darüber hinaus
kann bei dem Ausführungsbeispiel
nach 3 entweder durch
die Auswerteschaltung AWS oder aber auch durch die Steuerschaltung
CTR auch der Transistor Q2 gesperrt werden,
so dass dann die Body-Dioden D2 und D3 zur Energieumsetzung zur Verfügung stehen.
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Auch
das Ausführungsbeispiel
nach 4 geht ebenfalls
aus dem in 1 dargelegten
bekannten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler hervor, wobei jedoch anstelle
zweier MOS-FETs zwei J-FETs
Q'1 und
Q'2 verwendet
werden, die entsprechend die MOS-FETs
Q1 und Q2 aus 2 ersetzen. Darüber hinaus
ist in den Lastzweig wiederum der Messwiderstand RM gesetzt,
dessen über
ihn abfallende Spannung nun durch die Steuerschaltung CTR ausgewertet
wird. Darüber
hinaus wertet die Steuerschaltung CTR weiterhin auch die Ausgangsspannung
UA aus.
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Wie
auch schon beim Ausführungsbeispiel nach 3 werden auch beim Ausführungsbeispiel nach 4 die parasitären Widerstände RS und RP aus 1 der besseren Übersichtlichkeit
halber weggelassen.
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Da
die bei dem Ausführungsbeispiel
nach 4 verwendeten J-FETs
Q'1 und
Q'2 keine
Body-Dioden aufweisen, wird bei Auftreten eines Lastabwurfs der
als Synchrongleichrichter vorgesehene Transistor Q'2 nicht
vollständig
gesperrt sondern nur dessen Widerstand um einen bestimmten wert,
der geeignet ist die in der Drossel L gespeicherte Energie so umzusetzen,
dass die Ausgangsspannung UA nicht oder
nur unwesentlich erhöht
wird. Um bei zu langsamem Aufsteuern des Transistors Q'2 zu verhindern,
dass dieser überlastet
wird, kann zudem eine Diode D4 parallel zu seiner Laststrecke vorgesehen
sein, die die gleiche Wirkung hat wie die Body-Diode D2 in 3.
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Den
Vergleich der Wirkungsweisen der in den 1 und 4 gezeigten
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler verdeutlicht 5. In 5(a) ist über der
Zeit T der Verlauf des Ausgangsstroms IA dargestellt.
Der Ausgangsstrom IA wird dabei als konstant
angenommen bis zu einem Zeitpunkt tD an
dem der Laststrom auf fast annähernd
null abfällt.
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Bei
der Anordnung nach 1 wird
gemäß 5(b) die Steuerschaltung
derart reagieren, dass sie das Pulsweitenmodulationsverhältnis nach
dem Zeitpunkt tD verringert, so dass die
Ausgangsspannung langsam wieder auf den alten Wert ausgeregelt wird.
Aus 5(b) ist dabei zu
ersehen, dass die Transistoren Q1 und Q2 invers angesteuert werden, d.h. dass die
Spannung VG1 auf einem hohen Pegel ist,
wenn die Spannung VG2 auf einem niedrigen
Pegel ist und umgekehrt.
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Hingegen
wird bei dem Ausführungsbeispiel nach 4 wird gemäß 5(c) ab dem Zeitpunkt tD die Steuerspannung VG1 auf
0 gesetzt und damit der Transistor Q'1 gesperrt.
Die Spannung VG2 wird auf einen solchen
Wert gesetzt, dass die Laststrecke des Transistor Q'2 einen
bestimmten Widerstand darstellt, über den die Drossel L abkommutiert.
Danach regelt die Steuerschaltung CTR die Ausgangsspannung UA in üblicher
Weise wieder weiter. Es besteht folglich für eine bestimmte Zeit nach
dem Auftreten eines Lastabwurfs ein deutlicher Unterschied in der
Regelungsweise zwischen der bekannten Anordnung nach 1 und der erfindungsgemäßen Anordnung nach 4.
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In
der 6 sind zur weiteren
Verdeutlichung verschiedene Parameter über der Zeit t nach Auftreten
eines Lastabwurfs zum Zeitpunkt tD für einen
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ohne (a) und mit (b) erfindungsgemäßer Regelung
dargestellt. Die dargestellten Parameter sind im einzelnen die Temperatur
Tj am Transistor Q2 bzw.
am Transistor Q'2, die Spannung am Ausgang UA sowie
den Strom IL in der Drossel L. Der Verlauf
der Transistortemperatur TJ zeigt beim bekannten
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
(a) einen langsamen und moderaten Anstieg, der sich wiederum langsam
und moderat abbaut, während
bei der erfindungsgemäßen Wandleranordnung
die Temperatur sehr schnell auf einen hohen Wert erhöht, um dann
jedoch auch wieder schnell abzufallen. Aus diesem Temperaturverlauf
ist zu sehen, dass in dem Transistor Q'2 kurzfristig
eine hohe Energie umgesetzt wird. Wie aus dem Vergleich der Ausgangsspannungen
dann zu ersehen ist, steht diese Energie nicht mehr für die Erhöhung der
Ausgangsspannung UA zur Verfügung, wodurch
bei erfindungsgemäßer Regelung
nur ein kleiner Spannungsanstieg erfolgt, der dann jedoch auch wieder
rasch abklingt (b). Dem gegenüber
erhöht
sich die Ausgangsspannung UA bei einem bekannten
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler deutlich und verharrt auch wesentlich
länger
in diesem Zustand, da die Spannung ausschließlich durch den allgemeinen
Regelmechanismus über
die Pulsweitenmodulation ausgeglichen werden muss.
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Schließlich zeigt 6 noch den Verlauf des Stromes
IL, der den Kondensator C am Ausgang lädt. Wie
zu ersehen ist, fällt
der Strom IL wesentlich schneller ab bei
der erfindungsgemäßen Wandleranordnung
im Gegensatz zu der bekannten Anordnung. Da die vom Stromverlauf
eingeschlossene Fläche
die Energie angibt, die in den Kondensator fließt, ist aus 6 gleich zu ersehen, dass der Kondensator
C bei einem erfindungsgemäßen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
wesentlich weniger Energie bei einem Lastabwurf erhält.
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- CTR
- Steuerschaltung
- DR
- Treiberschaltung
- VG1, VG2
- Steuerspannungen
- Q1, Q2, Q'1,
Q'2,
Q3
- Transistoren
- L
- Drossel
- C
- Kondensator
- RS, RP
- Parasitäre Widerstände
- RL
- Lastwiderstand
- RM
- Messwiderstand
- IQ1, IQ2, IL, IA
- Ströme
- UE, UA
- Spannungen
- M
- Masse
- t
- Zeit
- tD
- Zeitpunkt
des Lasteinbruchs
- Tj
- Transistortemperatur
- D1,
D2, D3, D4
- Dioden