DE10316355B3 - Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung - Google Patents

Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung Download PDF

Info

Publication number
DE10316355B3
DE10316355B3 DE10316355A DE10316355A DE10316355B3 DE 10316355 B3 DE10316355 B3 DE 10316355B3 DE 10316355 A DE10316355 A DE 10316355A DE 10316355 A DE10316355 A DE 10316355A DE 10316355 B3 DE10316355 B3 DE 10316355B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
contact
circuit board
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10316355A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10316355C5 (de
Inventor
Thomas Dr. Stockmeier
Jürgen Steger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32404459&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10316355(B3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE10316355A priority Critical patent/DE10316355C5/de
Priority to EP04006022A priority patent/EP1467407B1/de
Priority to ES04006022T priority patent/ES2316889T3/es
Priority to AT04006022T priority patent/ATE416478T1/de
Priority to DK04006022T priority patent/DK1467407T3/da
Priority to DE502004008566T priority patent/DE502004008566D1/de
Priority to JP2004095429A priority patent/JP4264375B2/ja
Priority to US10/821,290 priority patent/US6958534B2/en
Publication of DE10316355B3 publication Critical patent/DE10316355B3/de
Publication of DE10316355C5 publication Critical patent/DE10316355C5/de
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255—Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching; Mechanical auxiliary parts therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul (10) mit einer Grundplatte, bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse (30), einem Deckel (70) und mit mindestens einem innerhalb des Gehäuses (30) angeordneten elektrisch isolierenden Substrat (50). Das Substrat besteht aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54), darauf befindlichen Leistungshalbleiterbauelementen (56) sowie nach außen führenden Anschlusselementen für Last- und Hilfskontakte. Einige dieser Anschlusselemente bestehen im Inneren des Leistungshalbleitermoduls aus Kontaktfedern (60), die zwischen Verbindungsbahnen (54) und Kontaktpunkten (78) auf einer Leiterplatte (71) angeordnet sind. Diese Leiterplatte weist Leiterbahnen (72) auf, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Kontaktelementen (76) verbindet.

Description

  • Die Erfindung beschreibt Leistungshalbleitermodule bestehend aus einem Gehäuse mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper und mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl darauf befindlicher gegeneinander isolierter metallischer Verbindungsbahnen und auf diesen befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen. Vorteilhafterweise weist das Substrat auf seiner Unterseite eine flächige metallische Schicht, vergleichbar den Verbindungsbahnen, auf. Weiterhin weisen derartige Leistungshalbleitermodule Anschlusselemente für Last- und Hilfskontakte auf.
  • Leistungshalbleitermodule, die Ausgangspunkt dieser Erfindung sind, sind beispielhaft bekannt auf DE 42 37 632 A1 und DE 196 30 173 C2 . Derartige Leistungshalbleitermodule weisen zumindest teilweise als Kontaktfedern ausgebildete Anschlusselemente zur Verbindung der Verbindungsbahnen des Substrates mit externen Anschlüssen auf. Diese Kontaktfedern sind derart im Leistungshalbleitermodul angeordnet, dass sie die Anschlussbelegung im Inneren des Substrates auf die äußeren Anschlüsse abbilden.
  • Nachteilig an o.g. Stand der Technik ist, dass die äußere Anschlussbelegung somit durch die interne direkt vorgegeben ist. Äußere Beschattungen, wie beispielhaft Treiberschaltungen, müssen daher an die interne Anschlussbelegung des Leistungshalbleitermoduls angepasst werden.
  • Beispielhaft aus der DE 100 25 606 A1 ist ein weiteres Leistungshalbleitermodul bekannt, welches eine senkrecht zum Substrat angeordnete Leiterplatte offenbart. Diese Leiterplatte ist mit einem Teilbereich im Inneren und mit einen weiteren Teilbereich außerhalb des Leistungshalbleitermoduls angeordnet und bildet somit dessen Anschlusselemente.
  • Nachteilig hierbei ist, dass durch die Lage der Leiterplatte ebenfalls die äußere Anschlussbelegung festgelegt wird.
  • Weiterhin ist aus der DE 100 33 610 A1 ein druckkantaktiertes Halbleitermodul bekannt, wobei die Gateanschlüsse der Transistoren mittels federnd ausgestaltet Kontaktverbinder gebildet werden. Diese Kontaktverbinder bestehen aus einer Hülse mit darin angeordneter Spiralfeder und an deren Enden angeordneten beweglichen Kontaktelementen. Diese Kontaktverbinder stellen in dem druckkontaktierten Aufbau die sichere elektrische Verbindung zwischen den Gates eines Transistors und den Gatevorwiderständen, welche auf einer Verbindungslage angeordnet sind, her.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, bei dem die interne Anschlussbelegung schaltungsgerecht ausgeführt ist und durch einfache Maßnahmen an eine davon abweichende äußere Anschussbelegung angepasst werden kann.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul nach dem Anspruch 1, spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen.
  • Der Grundgedanke der Erfindung geht aus von einem Leistungshalbleitermodul mit einer Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper nach dem genannten Stand der Technik bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse mit mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses Substrat besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen sowie vorzugsweise aus einer auf seiner zweiten Hauptfläche angeordneten flächigen metallischen Schicht. Auf den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbunden ist eine Mehrzahl von Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet. Das erfinderische Leistungshalbleitermodul weist nach außen führende Anschlusselemente für Last- und Hilfskontakte auf. Zumindest ein Teil dieser Anschlusselemente wird im Inneren des Leistungshalbleitermoduls gebildet durch Kontaktverbinder, vorzugsweise Kontaktfedern, die in einer Haltevorrichtung zwischen Verbindungsbahnen und auf einer Leiterplatte angeordneten Kontaktpunkten angeordnet sind. Die Leiterplatte weist Leiterbahnen auf, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Konaktelementen, die ebenfalls auf dieser Leiterplatte angeordnet sind, verbindet.
  • Vorteilhafterweise kann durch Anordnung weiteren Bauelemente auf der Leiterplatte die Funktionalität des Leistungshalbleitermoduls erhöht werden.
  • Vorteilhaft an dieser Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls ist, dass die äußere Anschlussbelegung unabhängig von der inneren gewählt werden kann. Somit müssen beispielhaft Treiberplatinen bei einer Änderung des oder der Substrate und/oder der Art oder Anzahl der Leistungshalbleiterbauelemente nicht verändert werden.
    •
  • Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 6 näher erläutert.
  • 1 zeigt ein Teilmodul eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht.
  • 2 zeigt eine Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 3 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 5 zeigt eine erfindungsgemäße Ausgestaltung eines intelligenten Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 6 zeigt eine Anordnung von drei erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodulen in dreidimensionaler Ansicht.
  • 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht. Dargestellt ist ein Leistungshalbleitermodul (10) bestehend aus einer Grundplatte (20) zur Montage auf einem Kühlkörper. Hierzu weist diese Grundplatte (20) im Bereich ihrer Ecken jeweils eine Ausnehmung (22) auf. Das Modul besteht weiterhin aus einem rahmenartigen Gehäuse (30) sowie zwei elektrisch isolierenden Substraten (50). Das jeweilige Substrat besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten der Grundplatte abgewandten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54). Auf seiner zweiten der Grundplatte zugewandten Hauptfläche weist das Substrat eine den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche gleichartige flächige Metallisierung (53, 2) auf. Auf den Verbindungsbahnen (54) und mit diesen schaltungsgerecht mittels Drahtbondverbindungen (58) verbunden sind Leistungshalbleiterbauelemente (56), sowie ein Sensorikbauteil (58) angeordnet. Zur elektrische Kontaktierung weist das Teilmodul (10) Anschlusselemente (40) für die Lastanschlüsse auf. Die Verbindungsbahnen (54) der Substrate (50) sind zum Teil miteinander und mit den Anschlusselementen (40) mittels Drahtbondverbindungen (42, 44, 46) verbunden.
  • Weiterhin weist das erfindungsgemäße Leistungshalbleiterbauelement Federkontakte (60) auf, die einem nicht dargestellten Hilfsrahmen angeordnete sind auf. Diese Federkontakte (60) verbinden die Verbindungsbahnen (54) mit Kontaktpunkten auf einer Leiterplatte (71). Diese Kontaktpunkte sind auf der Unterseite der Leiterplatte (71) angeordnet, die weiterhin auf dieser, dem Substrat (50) zugewandten Unterseite Leiterbahnen (72) aufweist. Diese verbinden die Kontaktpunkte (78) mit nach außen führenden Kontaktelementen, hier Steckstiftverbindern (74). Alternativ sind hierzu beispielhaft auch Lötösen oder Lötstifte mögliche Kontaktelemente. Dies Kontaktelemente durchdringen den Deckel (70) und stellen somit die äußere Anschlussbelegung dar. Diese äußere Anschlussbelegung weicht von der durch die Kontaktstellen der Federkontakte auf dem Substrat (50) dargestellten inneren Anschlussbelegung deutlich ab. Somit gestattet das erfindungsgemäße Leistungshalbleiterbauelement eine von der inneren völlig unabhängige äußere Anschlussbelegung.
  • Die 2 bis 5 zeigen verschieden Ausgestaltungen eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (10) mit einem rahmenartigen Gehäuse (30) in der Seitenansicht. Auf der Grundplatte (20) angeordnet ist ein sog. DCB (Direct Copper Bonding) Substrat (50). Dieses besteht aus einem Isolierstoffkörper (52), beispielhaft einer Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitridkeramik, mit auf seiner der Grundplatte zugewandten Seite flächigen (53) und auf seiner der Grundplatte (20) abgewandten Seite struktruierten Kupferschicht (54). Diese Kupferschicht (54) stellt die Verbindungsbahnen des Leistungshalbleitermoduls dar. Auf diesen Verbindungsbahnen (54) sind die Bauelemente (56), in der Regel Leistungshalbleiterbauelemente und Sensorikbauteile, angeordnet. Die schaltungsgerechten Verbindungen erfolgen mittels Drahtbondverbindungen (44).
  • In 2 werden die Anschusselemente im ersten Teil ihres Verlaufs mittels Kontaktfedern (60) gebildet, die zwischen Kontaktstellen auf den Verbindungsbahnen (54) und Kontaktflächen (78) auf einer Leiterplatte (71) angeordnet sind. Im weiteren werden die Anschlusselemente durch Verbindungsbahnen (72) auf der Leiterplatte (71) und nach außen führend mittels Kontaktstiften (74) eines ebenfalls auf der Leiterplatte angeordneten Stiftsteckverbinders (76) gebildet, wobei die Kontaktstifte (76) den Deckel (70) durchdringen.
  • In 3 werden die Anschlusselemente im ersten Teil ihres Verlaufs ebenfalls mittels Kontaktfedern (60) und auf einer Leiterplatte angeordneter Leiterbahnen (72) gebildet. Die Leiterplatte, auf deren Kontaktflächen (78) diese Kontaktfedern enden, ist allerdings integraler Bestandteil des Deckels (70). Der Deckel ist hier rahmenartig ausgebildet und umschließt die Leiterplatte an ihren Kanten, ohne sie vollständig zu überdecken. Die Kontaktelemente (76) für die äußere Kontaktierung werden durch Lötstifte, die die Leiterplatte (71) durchdringen, gebildet.
  • In 4 wird die modernste und einfachste Konstruktion dargestellt. Hierbei wird der Deckel (70) selbst als Leiterplatte ausgebildet, indem auf seiner Innenseite Leiterbahnen direkt angeordnet sind. Derartige Verfahren sind beispielhaft als MID (Molded Interconnect Devices) bekannt. Die Kontaktelemente (76) sind hier in den Kunststoff des Deckels (70) eingespritzte Lötstifte.
  • 5 zeigte ein erfahrungsgemäßes Leistungshalbleitermodul gemäß 3 mit einer erhöhten Funktonalität. Durch die Anordnung von weiteren aktiven und/oder passiven Bauelementen, wie Widerständen, Kondensatoren oder integrierten Schaltungen, wird aus dem bekannten Leistungshalbleitermodul ein intelligentes Leistungshalbleitermodul, da hier zumindest teilweise die Funktonalität einer Treiber- oder sonstigen Schaltung (Auswerte-, Sensorikbeschaltung) direkt in bzw. auf dem Modul angeordnet wird. Falls auch Lastanschlüsse in der beschriebenen Art ausgebildet sind, können auch Stromsensoren und deren Auswerteschaltungen auf der Leiterplatte angeordnet werden.
  • 5 zeigt weiterhin einen zusätzlichen Kontaktverbinder, eine Kontaktfeder (60), der die Grundplatte (60) und damit auch den Kühlkörper elektrisch leitend mit der Leiterplatte (71) verbindet. Somit wird an der Leiterplatte (71) dieses Potential für dort beispielhaft angeordnete Auswerteschaltungen zur Verfügung gestellt.
  • 6 zeigt eine Anordnung von drei erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodulen in dreidimensionaler Ansicht. Hierbei bilden drei Leistungshalbleitermodule (10) mit jeweils einer Halbbrückenschaltung eine 3-Phasen Brückenschaltung. Ein gemeinsamer Deckel (70) mit einer Anordnung der Leiterbahnen (72) und Kontaktelementen (76) gemäß 5 überdeckt alle drei Einzelmodule (10).

Claims (9)

  1. Leistungshalbleitermodul (10) mit einer Grundplatte (20) oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse (30) einem Deckel (70) und mit mindestens einem innerhalb des Gehäuses (30) angeordneten elektrisch isolierenden Substrat (50), das seinerseits besteht aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54), darauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (56) sowie nach außen führenden Anschlusselementen für Last- und Hilfskontakte, wobei zumindest ein Teil der Anschlusselemente im Inneren des Leistungshalbleitermoduls gebildet wird durch Kontaktverbinder (60), die zwischen Verbindungsbahnen (54) und Kontaktpunkten (78) auf einer Leiterplatte (71) angeordnet sind und wobei diese Leiterplatte Leiterbahnen (72) aufweist, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Kontaktelementen (76) verbindet.
  2. Leistungshalbleitermodul (10) nach Anspruch 1, wobei auf der Leiterplatte (71) aktive und/oder passive elektronische Bauelemente (80, 82) angeordnet und schaltungsgerecht mit den Verbindungsbahnen (72) verbunden sind.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei auch die Grundplatte (20) oder der Kühlkörper mittels mindestens eines Kontaktverbinders (60) mit der Leiterplatte (71) verbunden ist.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Kontaktverbinder (60) als Kontaktfedern ausgebildet sind.
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leiterplatte (71) innerhalb des Leistungshalbleitermoduls (1) parallel zwischen dem Substrat (50) und dem Deckel (70) angeordnet ist und diese Leiterplatte (71) Kontaktelemente (76) aufweist, die durch die Leiterplatte selbst sowie den Deckel hindurch führen.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leiterplatte (71) innerhalb eines rahmenartig ausgebildeten Deckels (70) eingebettet ist und somit selbst einen Teil des Deckels (70) bildet.
  7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leiterplatte gebildet wird aus dem Deckel (70) selbst mit, auf seiner Innenseite angeordneten Leiterbahnen und wobei das Leistungshalbleitermodul durch diesen Deckel hindurchführende Kontaktelemente (76) aufweist.
  8. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Kontaktelemente als Steckstiftverbinder oder Lötösen ausgebildet sind.
  9. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei mindestens ein Substrat (50) ein Sensorikbauteil aufweist.
DE10316355A 2003-04-10 2003-04-10 Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung Expired - Fee Related DE10316355C5 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10316355A DE10316355C5 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung
DK04006022T DK1467407T3 (da) 2003-04-10 2004-03-13 Effekthalvledermodul
ES04006022T ES2316889T3 (es) 2003-04-10 2004-03-13 Modulo semiconductor de potencia.
AT04006022T ATE416478T1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul
EP04006022A EP1467407B1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul
DE502004008566T DE502004008566D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul
JP2004095429A JP4264375B2 (ja) 2003-04-10 2004-03-29 パワー半導体モジュール
US10/821,290 US6958534B2 (en) 2003-04-10 2004-04-09 Power semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10316355A DE10316355C5 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10316355B3 true DE10316355B3 (de) 2004-07-01
DE10316355C5 DE10316355C5 (de) 2008-03-06

Family

ID=32404459

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10316355A Expired - Fee Related DE10316355C5 (de) 2003-04-10 2003-04-10 Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung
DE502004008566T Expired - Lifetime DE502004008566D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE502004008566T Expired - Lifetime DE502004008566D1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6958534B2 (de)
EP (1) EP1467407B1 (de)
JP (1) JP4264375B2 (de)
AT (1) ATE416478T1 (de)
DE (2) DE10316355C5 (de)
DK (1) DK1467407T3 (de)
ES (1) ES2316889T3 (de)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10333328B3 (de) * 2003-07-23 2005-01-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik
DE102004025609A1 (de) * 2004-05-25 2005-12-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
US7030491B2 (en) 2003-07-23 2006-04-18 Semikron Electronik Gmbh Power semiconductor module with deflection-resistant base plate
FR2877436A1 (fr) * 2004-11-03 2006-05-05 Mitsubishi Electric Corp Dispositif de detection de courant
DE102004057421A1 (de) * 2004-11-27 2006-06-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004061099A1 (de) * 2004-12-18 2006-06-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit ESD-Schutzbeschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005046063B3 (de) * 2005-09-27 2007-03-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
DE102006011995B3 (de) * 2006-03-16 2007-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte
EP1855319A2 (de) 2006-05-09 2007-11-14 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul
EP1768182A3 (de) * 2005-09-27 2009-09-16 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
WO2009127179A1 (de) * 2008-04-15 2009-10-22 Conti Temic Microelectonic Gmbh Verfahren zur herstellung und aufbau eines leistungsmoduls
DE102006025453B4 (de) * 2006-05-31 2009-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnung
DE102005053396B4 (de) * 2005-11-09 2010-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung, insbesondere Frequenzumrichter
DE102006008807B4 (de) * 2006-02-25 2010-10-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE202014003171U1 (de) 2014-04-15 2014-05-14 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
EP2933836A1 (de) 2014-04-15 2015-10-21 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul
DE102014110008A1 (de) * 2014-07-16 2016-01-21 Infineon Technologies Ag Träger, Halbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung
EP2980848A1 (de) * 2014-07-28 2016-02-03 General Electric Company Halbleitermodul und halbleitermodulpaket
DE202016006849U1 (de) * 2016-11-07 2018-02-08 Liebherr-Elektronik Gmbh Leistungselektronikmodul
EP3937214A1 (de) * 2020-07-07 2022-01-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer leistungseinheit
DE102005063532B3 (de) 2005-02-17 2022-03-10 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbaugruppe
DE102022213629A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102022213628A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102023116599A1 (de) * 2023-06-23 2024-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleitermodulanordnung

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005024900B4 (de) * 2004-06-08 2012-08-16 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungsmodul
DE102005055713B4 (de) * 2005-11-23 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen
DE102006027481C5 (de) * 2006-06-14 2012-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen
DE102007022336A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitersubstrat mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu
WO2009023551A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-19 Arizona Board Of Regents And On Behalf Of Arizona State University Hybrid integrated mems reconfigurable antenna array (himra)
JP5176507B2 (ja) * 2007-12-04 2013-04-03 富士電機株式会社 半導体装置
CN102576706B (zh) * 2010-03-16 2015-07-22 富士电机株式会社 半导体器件
DE102010053392A1 (de) 2010-12-03 2012-06-06 Volkswagen Ag Leistungshalbleitermodul, Kondensatormodul, Schaltungsanordnung sowie elektrisches System eines Kraftfahrzeugs
GB201122324D0 (en) 2011-12-23 2012-02-01 Univ Edinburgh Antenna element & antenna device comprising such elements
DE102012012759A1 (de) * 2012-06-27 2014-01-02 Sensitec Gmbh Anordnung zur Strommessung
CN104701277B (zh) * 2013-12-10 2017-12-05 江苏宏微科技股份有限公司 功率模块的封装结构
US10959342B2 (en) 2019-04-08 2021-03-23 Kevin R. Williams Condensation resistant power semiconductor module
US9620877B2 (en) 2014-06-17 2017-04-11 Semiconductor Components Industries, Llc Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods
DE102014109816B4 (de) * 2014-07-14 2016-11-03 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul und System mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen
US9431311B1 (en) 2015-02-19 2016-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with elastic coupler and related methods
DE102016107083B4 (de) * 2016-04-18 2019-05-23 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung und Fahrzeug hiermit
CN111162015A (zh) * 2019-12-20 2020-05-15 珠海格力电器股份有限公司 一种智能功率模块及封装方法
DE112024002197T5 (de) * 2024-03-15 2026-04-30 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungshalbleitervorrichtung und verfahren für dessen herstellung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE10025696A1 (de) * 1999-05-25 2000-11-30 Ohg Accossato Giovanni Sas Di Steuerungsvorrichtung für die Bremse oder Kupplung eines Motorrads und Betätigungshebel für diese Vorrichtung
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE10033610A1 (de) * 1999-07-23 2001-03-01 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965710A (en) * 1989-11-16 1990-10-23 International Rectifier Corporation Insulated gate bipolar transistor power module
US6414391B1 (en) * 1998-06-30 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Module assembly for stacked BGA packages with a common bus bar in the assembly
JP3547333B2 (ja) * 1999-02-22 2004-07-28 株式会社日立産機システム 電力変換装置
US6222264B1 (en) * 1999-10-15 2001-04-24 Dell Usa, L.P. Cooling apparatus for an electronic package
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
US6703703B2 (en) * 2000-01-12 2004-03-09 International Rectifier Corporation Low cost power semiconductor module without substrate
US6373125B1 (en) 2000-02-23 2002-04-16 International Business Machines Corporation Chip scale package with direct attachment of chip to lead frame
US6867493B2 (en) * 2000-11-15 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless multi-die carrier
JP4130527B2 (ja) * 2000-12-13 2008-08-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3923258B2 (ja) * 2001-01-17 2007-05-30 松下電器産業株式会社 電力制御系電子回路装置及びその製造方法
EP1289014B1 (de) * 2001-04-02 2013-06-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Leistungshalbleiterbauteil

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE10025696A1 (de) * 1999-05-25 2000-11-30 Ohg Accossato Giovanni Sas Di Steuerungsvorrichtung für die Bremse oder Kupplung eines Motorrads und Betätigungshebel für diese Vorrichtung
DE10033610A1 (de) * 1999-07-23 2001-03-01 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030491B2 (en) 2003-07-23 2006-04-18 Semikron Electronik Gmbh Power semiconductor module with deflection-resistant base plate
US7164201B2 (en) 2003-07-23 2007-01-16 Semikron Elektronik & Co. Kg Semiconductor module with scalable construction
DE10333328B3 (de) * 2003-07-23 2005-01-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik
DE102004025609A1 (de) * 2004-05-25 2005-12-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102004025609B4 (de) * 2004-05-25 2010-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
FR2877436A1 (fr) * 2004-11-03 2006-05-05 Mitsubishi Electric Corp Dispositif de detection de courant
DE102004057421B4 (de) * 2004-11-27 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004057421A1 (de) * 2004-11-27 2006-06-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004061099A1 (de) * 2004-12-18 2006-06-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit ESD-Schutzbeschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004061099B4 (de) * 2004-12-18 2010-11-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit ESD-Schutzbeschaltung
DE102005063532B3 (de) 2005-02-17 2022-03-10 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbaugruppe
EP1768182A3 (de) * 2005-09-27 2009-09-16 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
DE102005046063B3 (de) * 2005-09-27 2007-03-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
DE102005053396B4 (de) * 2005-11-09 2010-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung, insbesondere Frequenzumrichter
DE102006008807B4 (de) * 2006-02-25 2010-10-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE102006011995B3 (de) * 2006-03-16 2007-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte
EP1855319A3 (de) * 2006-05-09 2008-05-28 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul
US7495324B2 (en) 2006-05-09 2009-02-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
EP1855319A2 (de) 2006-05-09 2007-11-14 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul
DE102006025453B4 (de) * 2006-05-31 2009-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnung
US7708584B2 (en) 2006-05-31 2010-05-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor circuit arrangement
WO2009127179A1 (de) * 2008-04-15 2009-10-22 Conti Temic Microelectonic Gmbh Verfahren zur herstellung und aufbau eines leistungsmoduls
DE202014003171U1 (de) 2014-04-15 2014-05-14 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
EP2933836A1 (de) 2014-04-15 2015-10-21 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul
DE102014110008A1 (de) * 2014-07-16 2016-01-21 Infineon Technologies Ag Träger, Halbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung
US9484275B2 (en) 2014-07-28 2016-11-01 Ge Energy Power Conversion Technology Ltd Semiconductor module for high pressure applications
EP2980848A1 (de) * 2014-07-28 2016-02-03 General Electric Company Halbleitermodul und halbleitermodulpaket
DE202016006849U1 (de) * 2016-11-07 2018-02-08 Liebherr-Elektronik Gmbh Leistungselektronikmodul
EP3937214A1 (de) * 2020-07-07 2022-01-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer leistungseinheit
WO2022008121A1 (de) * 2020-07-07 2022-01-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls, entsprechender zwischenprodukte, resultierendes leistungsmoduls sowie eines umrichtersystems mit diesem leistungsmodul
DE102022213629A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102022213628A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102023116599A1 (de) * 2023-06-23 2024-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleitermodulanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1467407B1 (de) 2008-12-03
US20040245548A1 (en) 2004-12-09
DK1467407T3 (da) 2009-02-23
ES2316889T3 (es) 2009-04-16
JP4264375B2 (ja) 2009-05-13
US6958534B2 (en) 2005-10-25
DE10316355C5 (de) 2008-03-06
ATE416478T1 (de) 2008-12-15
DE502004008566D1 (de) 2009-01-15
EP1467407A1 (de) 2004-10-13
JP2004319991A (ja) 2004-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10316355B3 (de) Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung
DE10306643B4 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102004025609B4 (de) Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
EP0855090B1 (de) Multichipmodul
DE102013201931B4 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10250538A1 (de) Elektronisches Bauteil als Multichipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10258570A1 (de) Gehäuse für Leistungshalbleitermodule
DE10127947C1 (de) Schaltungsanordnung
DE10141114C1 (de) Schaltungsanordnung
WO1999000845A1 (de) Elektronisches steuergerät
DE10333328B3 (de) Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik
DE102009027416B4 (de) Halbleitermodul mit steckbarem Anschluss und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit steckbarem Anschluss
DE10333329B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte
DE102005050534A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102014104013A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil
DE102016101757A1 (de) Schaltungsmodul mit oberflächenmontierbaren unterlagsblöcken zum anschliessen einer leiterplatte
DE102017006406A1 (de) Gehäustes IC-Bauelement
DE10142118B4 (de) Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung
WO2007045112A1 (de) Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr
EP1647051B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit vom substrat gelösten leiterbahnenden als externe anschlüsse
DE9207613U1 (de) Elektronisches SMD-Bauelement
DE102010019717A1 (de) Leistungsschaltung
EP1069656B1 (de) Elektrische Steckverbinderanordnung
DE102004061099A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit ESD-Schutzbeschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102024202609A1 (de) Leistungsmodul mit Schaltungsträger, Trägersubstrat und Leiterstruktur mit externem Kontaktbereich

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
8363 Opposition against the patent
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG, 90431 NUERNBERG,

8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8392 Publication of changed patent specification
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131101