DE10300080A1 - Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage" - Google Patents

Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage" Download PDF

Info

Publication number
DE10300080A1
DE10300080A1 DE10300080A DE10300080A DE10300080A1 DE 10300080 A1 DE10300080 A1 DE 10300080A1 DE 10300080 A DE10300080 A DE 10300080A DE 10300080 A DE10300080 A DE 10300080A DE 10300080 A1 DE10300080 A1 DE 10300080A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
crystals
concentration
dark conductivity
damage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10300080A
Other languages
English (en)
Inventor
Karsten Prof. Dr. Buse
Jörg Dr. Hukriede
Manfred Dipl.-Phys. Müller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deutsche Telekom AG
Original Assignee
Deutsche Telekom AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche Telekom AG filed Critical Deutsche Telekom AG
Priority to DE10300080A priority Critical patent/DE10300080A1/de
Priority to PL378217A priority patent/PL378217A1/pl
Priority to CNB2003801068853A priority patent/CN100387936C/zh
Priority to US10/541,480 priority patent/US20060291519A1/en
Priority to EP03785588A priority patent/EP1583939A1/de
Priority to JP2004564165A priority patent/JP2006512610A/ja
Priority to PCT/DE2003/004191 priority patent/WO2004061397A1/de
Priority to AU2003294662A priority patent/AU2003294662B2/en
Priority to CA002508828A priority patent/CA2508828A1/en
Publication of DE10300080A1 publication Critical patent/DE10300080A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/3525Optical damage
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/30Niobates; Vanadates; Tantalates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Verfahren zur Desensibilisierung eines Kristalls mit nichtlinearen optischen Eigenschaften, insbesondere eines Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat Kristalls, gegen Schadennahme bei intensiver Lichteinwirkung ("optical damage"), wobei der Schaden durch lichtinduzierte Änderungen der Brechungsindizes hervorgerufen wird und wobei die Dunkelleitfähigkeit des Kristalls durch Dotierung mit extrinsischen Ionen erhöht wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Desensibilisierung eines Kristalls mit nichtlinearen optischen Eigenschaften, insbesondere eines Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat-Kristalls, gegen Schadennahme bei intensiver Lichteinwirkung („optical damage"), wobei der Schaden durch lichtinduzierte Änderungen der Brechungsindizes hervorgerufen wird.
  • Lithiumniobat und Lithiumtantalat sind oxidische Kristalle, die zahlreiche Anwendungen in der nichtlinearen Optik finden. So dienen sie beispielsweise in der integrierten Optik als Substrate für die Wellenleiterherstellung. Mittels des elektrooptischen Effekts lassen sich durch Anlegen einer Spannung die Brechungsindizes des Kristalls verändern, was Lithiumniobat zu einem vielfach verwendeten Material beim Bau schneller Modulatoren für die Telekommunikation macht. In den Bereichen der Frequenzverdopplung und der Frequenzkonversion von Laserlicht ist Lithiumniobat aufgrund seiner großen nichtlinearen Koeffizienten ein wichtiges Material. Insbesondere hat die Möglichkeit, das Material periodisch zu polen (PPLN – „periodically poled lithium niobate"), zu vielen bedeutenden Anwendungen geführt. So wird PPLN beispielsweise zum Bau durchstimmbarer Lichtquellen, sogenannter optischer parametrischer Oszillatoren („OPO's"), genutzt. Bei allen hier exemplarisch genannten Anwendungen kann der optische Schaden als Problem auftreten.
  • Für OPO's werden Volumenkristalle verwendet, die beispielsweise 20 mm lang sind und einen Querschnitt von 1 × 5 mm2 haben. Da in der Regel höhere Intensitäten zu höheren Effizienzen der beteiligten Prozesse führen, ist es erstrebenswert, die Bauteile bei möglichst hohen Lichtintensitäten zu betreiben. Zur optimalen Ausnutzung der nichtlinearen Eigenschaften des Kristalls wird daher intensives Laserlicht mittels Linsen in das Material fokussiert oder das Licht wird im Kristall in Wellenleitern geführt. Dabei ergibt sich allerdings folgendes Problem: Die Kristalle reagieren auf die hohen Intensitäten durch Veränderung ihrer Materialeigenschaften. Dieser Effekt wird als „optischer Schaden" („optical damage") bezeichnet. Er führt dazu, dass durch das Material geführte Laserstrahlen stark aufgefächert und gestreut werden und somit ihr Intensitätsprofil verändern. In Folge dessen nimmt die durch den Wellenleiter geführte Lichtleistung stark ab. In Volumenkristallen treten zudem Linseneffekte auf, die die Strahlen fokussieren oder defokussieren können, so dass das sorgfältig berechnete optische Bauelement seine Funktion nicht mehr erfüllen kann. Dabei tragen zum optischen Schaden in Lithiumniobat und Lithiumtantalat zwei Effekte bei, die unabhängig voneinander auftreten können:
    Als erstes ist der sogenannte „photorefraktive Effekt" zu nennen, der bei Bestrahlung des Kristalls mit Licht im sichtbaren Spektralbereich zu einer Umverteilung von Ladungen zwischen Störstellen im Material führt. Die Ladungsträger werden in den beleuchteten Bereichen angeregt, bewegen sich durch den Kristall hindurch und werden letztlich an Störstellen in unbeleuchteten Bereichen wieder eingefangen. In Lithiumniobat- und Lithiumtantalat-Kristallen ist dabei der volumenphotovoltaische Effekt der dominierende Ladungsantrieb. Die Ladungsumverteilung bewirkt den Aufbau von elektrischen Raumladungsfeldern im Material, die den Brechungsindex über den elektrooptischen Effekt modulieren. Diese lichtinduzierten Brechungsindexinhomogenitäten verursachen optischen Schaden.
  • Dabei tragen gerade in Fall von Lithiumniobat und Lithiumtantalat verschiedene Arten von Störstellen zum lichtinduzierten Ladungstransport bei. So wird unterschieden zwischen intrinsischen, also materialeigenen, und extrinsischen, also materialfremden Störstellen. Die wichtigste extrinsische Störstelle ist Eisen, das in Lithiumniobat und Lithiumtantalat als Fe2+ und Fe3+ vorkommt. Dabei wirkt Fe2+ als Spender und Fe3+ als Fänger für Elektronen, die durch Lichteinstrahlung im Material umverteilt werden können. Schon eine geringe Verunreinigungsmenge an Eisen reicht aus, um starke lichtinduzierte Raumladungsfelder aufzubauen und damit störenden optischen Schaden zu erzeugen. Die schwer zu kontrollierende Restverunreinigung des Kristalls an Eisen ist daher ein grundsätzliches Problem. Zwar ist es durch optimierte Herstellungsverfahren mittlerweile gelungen, kommerziell erhältliche Lithiumniobat-Kristalle mit verhältnismäßig geringen Eisenverunreinigungen herzustellen, bei denen die Eisenkonzentration bei nur wenigen ppm (parts per million) liegt, dennoch kann der optische Schaden nicht vollständig unterdrückt werden. Neben dem Eisen bilden auch andere Übergangsmetalle extrinsische, den optischen Schaden verstärkende Störstellen in Lithiumniobat und Lithiumtantalat. Beispiele hierfür sind Kupfer, Mangan, Chrom oder Cer.
  • Die wichtigsten intrinsischen, den Ladungstransport unterstützende Störstellen in Lithiumniobat bilden im Kristallgitter fehlplatzierte Niob-Ionen, die an einem Lithiumplatz eingebaut sind. Diese Störstellen sind in kongruent schmelzendem Lithiumniobat schon aus thermodynamischen Gründen immer in einer gewissen Konzentration zu finden. Durch Lichteinstrahlung können von diesen Störstellen Elektronen abgelöst und im Material umverteilt werden, so dass sich ein optischer Schaden durch Raumladungsfelder ergibt.
  • Die Eisenstörstellen und die fehlplatzierten Niob-Ionen befinden sich energetisch gesehen in der Bandlücke des Kristalls. Bezogen auf das Leitungsband liegt Eisen dabei energetisch tiefer, fehlplatziertes Niob dagegen flacher. Dieses Schema wird auch als „Zwei-Zentren-Modell" bezeichnet. Durch Einstrahlung von intensivem Licht können Elektronen von den Störstellen ins Leitungsband angeregt werden, wo sie nach dem Umherwandern von anderen Störstellen wieder eingefangen werden. Andererseits können Ladungsträger aber auch durch direkte Übergänge von einer Störstellensorte in die andere gelangen, ohne dass ein Umweg über das Leitungsband nötig wird.
  • Als weiterer Effekt trägt der thermooptische Effekt zum optischen Schaden bei. Dieser beschreibt die Änderung der Brechungsindizes des Materials in Abhängigkeit von der Temperatur. Wenn ein stark fokussierter Laserstrahl auf den Kristall trifft, so werden mitunter Intensitäten im Bereich vieler Gigawatt pro Quadratmeter erreicht. Wird ein Teil des Lichts vom Material absorbiert, so wandelt sich die Lichtenergie in Wärmeenergie um, und der Kristall erhitzt sich lokal. Dies führt ebenfalls zu lokalen Änderungen des Brechungsindex und damit zu optischem Schaden.
  • Im Stand der Technik sind verschiedene Methoden bekannt, den optischen Schaden in Lithiumniobat oder -tantalat zu vermindern. Diese Verfahren lassen sich in sechs Untergruppen unterteilen, die im folgenden kurz skizziert werden:
    Der durch Lichteinstrahlung erzeugte optische Schaden in handelsüblichen Lithiumniobat-Kristallen kann gemindert werden durch Heizen der Kristalle auf Temperaturen bis typischerweise 200°C. Diese Methode ist weit verbreitet und wird insbesondere für Anwendungen in der Frequenzverdopplung und in OPO's eingesetzt. Sie dient auch zur thermischen Abstimmung der Phasenanpassungs-Wellenlänge der Strahlung. Dabei müssen die geänderten Brechungsindizes des Materials bei der Arbeitstemperatur in die Konzeption der Bauteile einbezogen werden. Das ist aber kein Problem, da die Temperaturerhöhung homogen über den ganzen Kristall erfolgt, wenn dieser von außen mit einem geeigneten Heizer homogen erwärmt wird. Die Ursache des Effekts wird folgendermaßen gedeutet: Durch das Heizen des Materials wird die elektronische Photoleitfähigkeit stark erhöht. Dadurch werden die lichtinduzierten Raumladungsfelder praktisch kurzgeschlossen, wodurch sich der optische Schaden dramatisch verringert.
  • Es ist zudem bekannt, den Kristall zur Minderung des optischen Schadens mit Magnesium, Zink oder Indium zu dotieren. Diese Methode zielt darauf ab, den optischen Schaden durch Elimination des zweiten, flachen Zentrums zu beseitigen, indem große Mengen Magnesium, Zink oder Indium der Kristallschmelze zugesetzt werden. Problematisch ist allerdings, dass zu einer akzeptablen Beseitigung des optischen Schadens eine so hohe Konzentration der Verunreinigungen im Kristall erforderlich ist (im Fall des Mg ca. 5 mol%), dass sich die optische Qualität der Kristalle stark verschlechtert. Insbesondere die Homogenität des Kristalls leidet, so dass das Material für Anwendungen nicht in Frage kommt, bei denen es großer Kristalle bedarf. Gerade diese sind aber von besonderem Interesse, da große Kristalle die Effizienzen der nichtlinearen Prozesse enorm steigern. Auch hier wird die periodische Polbarkeit der Kristalle durch die Magnesium-Dotierung erschwert. Derart dotiertes Lithiumniobat und -tantalat findet kaum kommerzielle Anwendung, da es auch preislich in keinem Verhältnis zu handelsüblichen undotierten Kristallen steht.
  • Als weitere Methode bietet sich die Geometrie entlang der c-Achse an. Dabei wird ausgenutzt, dass die den optischen Schaden verursachenden Raumladungsfelder sich in erster Linie entlang der kristallographischen c-Achse im Material aufbauen. Für integriert-optische Komponenten ist es daher zweckmäßig, die optischen Wellenleiter entlang der c-Achse verlaufen zu lassen, um damit den optischen Schaden zu minimieren. Dadurch bauen sich die störenden Raumladungsfelder entlang des Wellenleiters und nicht senkrecht dazu über dessen Querschnitt auf.
  • Zudem ist es bekannt, periodisch gepoltes Lithiumniobat (PPLN) zu verwenden. Das PPLN zeichnet sich dadurch aus, dass die Richtung der kristallographischen c-Achse räumlich periodisch invertiert ist. Das bewirkt, dass der Kristall in viele kleine Domänen unterteilt wird, die typischerweise eine Breite von nur wenigen Mikrometern haben. Da sich angrenzende Bereiche positiver und negativer Nettoladung gegenseitig aufheben, wird die über einen großen Kristallbereich integrierte lichtinduzierte Ladungsumverteilung stark ineffizient. Das wiederum führt zu einer starken Verminderung des optischen Schadens, da die resultierenden Raumladungsfelder verhältnismäßig klein sind. Trotzdem kann schon dieser geringe Effekt eine Verletzung der Phasenanpassbedingungen und damit den Ausfall des Bauteils nach sich ziehen.
  • Zur Minderung des Schadens kann auch stöchiometrisches Lithiumniobat eingesetzt werden. Darunter wird eine Kristallzusammensetzung verstanden, die bezogen auf die Gesamtzahl der Lithium- und Niob-Ionen einen Anteil von ca. 50 % Lithium-Ionen enthält. Handelsübliches, sogenanntes „kongruent schmelzendes" Material hat dagegen nur einen Gehalt von 48.4 % Lithium. Stöchiometrisches Lithiumniobat zeichnet sich durch einen starken Anstieg der Photoleitfähigkeit aus. Dadurch werden die lichtinduzierten Raumladungsfelder kurzgeschlossen und der optische Schaden reduziert. Wie im Fall des magnesiumdotierten Materials tritt auch bei stöchiometrischen Kristallen das Problem auf, dass das Material nicht reproduzierbar hergestellt werden kann. Dies verhindert den kommerziellen Einsatz solcher Kristalle.
  • Eine weitere Möglichkeit ist, integriert-optische Wellenleiter einzusetzen, bei denen die zur Lichtführung notwendige Erhöhung des Brechungsindex durch chemischen Protonenaustausch geschieht (APE – „annealed proton exchange"). Solche zeigen im Gegensatz zu konventionell durch Titaneindiffusion hergestellten Wellenleitern einen stark verminderten optischen Schaden. Dieser Effekt wird folgendermaßen gedeutet: Den im Material vorhandenen Protonen wird die Eigenschaft zugeschrieben, den Reduktionsgrad [Fe2+]/[Fe3+] der vorhandenen Restverunreinigung an Eisen zu verändern. Wenn viele Protonen im Material vorhanden sind, so soll dies dazu führen, dass Fe2+ in Fe3+ umgeladen wird. Die Anfälligkeit des Materials gegenüber optischem Schaden ist damit stark vermindert. Titaneindiffundierte Wellenleiter in Lithiumniobat zeigen genau den umgekehrten Effekt. Hier wird spekuliert, dass das eindiffundierte Titan dazu führt, dass Fe2+ in Fe3+ umgewandelt wird. In der Tat sind titaneindiffundierte Wellenleiter sehr viel sensitiver gegenüber optischem Schaden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nunmehr, ein Verfahren zu schaffen, das sich mit einfachen Mitteln kostengünstig umsetzen lässt und mit dem Kristalle mit nichtlinearen optischen Eigenschaften, insbesondere Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat, effizient gegen optischen Schaden desensibilisiert werden können.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
  • Die generelle Idee der Erfindung liegt darin, die Anfälligkeit der Kristalle auf optischen Schaden dadurch zu reduzieren, dass die Dunkelleitfähigkeit des Materials durch geeignete Behandlungen gesteigert wird. Das führt dazu, dass die den optischen Schaden verursachenden Raumladungsfelder kurzgeschlossen werden, so dass sich der Effekt nicht so stark ausprägen kann. Eine gezielte Erhöhung der Dunkelleitfähigkeit kann dabei erfindungsgemäß auf verschiedene Art und Weise geschehen:
    Zum einen kann die Protonenkonzentration des Materials gesteigert werden. So ist es bekannt, dass die Dunkelleitfähigkeit undotierter und schwach eisendotierter Lithiumniobat-Kristalle von beweglichen Protonen dominiert ist. Dabei nimmt die protonische Leitfähigkeit exponentiell mit der Temperatur zu. Aus temperaturabhängigen Messungen ist eine Aktivierungsenergie von 1.1 eV für den Prozess gefunden worden. Die hohe Dunkelleitfähigkeit der Protonen wird zum Beispiel bei der Methode des thermischen Fixierens genutzt, mit der sich quasi-permanente Hologramme in Lithiumniobat erzeugen lassen. Dabei wird das Material während oder nach dem Beleuchten auf Temperaturen um 180 °C erhitzt, was die Beweglichkeit der Protonen im Material extrem steigert. Die Protonen bewegen sich dann durch Drift in dem durch Lichteinstrahlung erzeugten Raumladungsfeld und kompensieren es aufgrund ihrer Ladung. Das führt dazu, dass während des Fixierprozesses keine oder nur geringe Beugungseffizienzen geschriebener Hologramme detektiert werden können.
  • Die Protonenkonzentration bei bislang bekanntem Material ist durch den Züchtungsprozess der Kristalle festgelegt und damit durch den Hersteller vorgegeben. Messungen zeigen, dass die Protonenkonzentration bei maximal etwa 2.5 x 1024 m–3 liegt (s. Tabelle). In der Tabelle sind eingetragen gemessene Protonenkonzentrationen kongruent schmelzender, undotierter Lithiumniobat-Kristalle. Es zeigt sich, dass die Protonenkonzentrationen handelsüblicher Kristalle verschiedener Hersteller nicht sonderlich stark voneinander abweichen. Es lässt sich daraus also ableiten, dass handelsübliche, kongruent schmelzende Lithiumniobat-Kristalle eine Protonenkonzentration von maximal 2.5 x 1024 m–3 haben.
  • Figure 00080001
  • Es ist zudem bekannt, dass sich die Protonenkonzentration durch eine der beschriebenen Methoden ändert. Die Erfindung liegt nun darin, sich den direkten Zusammenhang zwischen der Protonenkonzentration und der Verminderung von optischem Schaden zu Nutze zu machen. Dabei hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, den Kristall außerdem einem Heizprozess auszusetzen. Dieses Vorgehen ist aus dem Stand der Technik nicht bekannt. Letztendlich wurde bislang der Protonenkonzentration von Lithiumniobat- und Lithiumtantalat-Volumenkristallen keine Bedeutung im Hinblick auf die Verminderung des optischen Schadens zugemessen. Ein Zusammenhang zwischen der protonischen Dunkelleitfähigkeit und der Verringerung des optischen Schadens wurde bislang nicht gesehen.
  • Aus dem Stand der Technik ist bekannt, dass protonenausgetauschte Wellenleiter in Lithiumniobat, also integriert-optische Komponenten, eine stark erhöhte Dunkelleitfähigkeit zeigen. Die gezielte Übertragung dieses Effekts auf allgemeine Kristalle und sein Einsatz zur Reduktion des optischen Schadens ist jedoch unbekannt. Es ist bisher auch nicht bekannt, diese Komponenten zwecks weiterer Erhöhung der protonischen Dunkelleitfähigkeit zu heizen.
  • Ganz allgemein ist auch schon darüber berichtet worden, dass Bereiche in Lithiumniobat-Kristallen mit hoher Protonenkonzentration eine höhere Resistenz gegenüber optischer Beschädigung zeigen. Allerdings wird nicht die Steigerung der Konzentration von Protonen zur Erhöhung der Dunkelleitfähigkeit und damit zur Nutzbarmachung des Effektes vorgeschlagen. Das war auch nicht möglich, da im Rahmen dieser Arbeit keinerlei Interpretation des Effekts geliefert und kein Zusammenhang zwischen der Protonenkonzentration und der Dunkelleitfähigkeit hergestellt worden ist. Auch wird das Heizen des Kristalls nicht vorgeschlagen, um die Dunkelleitfähigkeit zu erhöhen.
  • Erfindungsgemäß wird die protonische Leitfähigkeit dadurch gesteigert, dass die Konzentration der Protonen im Material gezielt durch eine geeignete Vorbehandlung erhöht wird. Die Dunkelleitfähigkeit σ0 lässt sich schreiben als
    Figure 00090001
  • Sie wächst demnach einerseits mit der Temperatur T und andererseits linear mit der Protonenkonzentration
    Figure 00090002
    . Dabei ist e die Elementarladung, kB die Boltzmann-Konstante, D0 der exponentielle Vorfaktor der Diffusionskonstante und ε = 1.1 eV die bereits eingeführte Aktivierungsenergie.
  • Die Protonenkonzentration von Lithiumniobat-Kristallen wird durch Auswertung von Absorptionsmessungen bestimmt. Dazu wird mit ordentlich polarisiertem Licht die OH-Streckschwingung bei 2870 nm detektiert. Die Höhe dieser Absorptionsbande ist proportional zur Protonenkonzentration des Materials und wird beschrieben durch:
    Figure 00090003
    = 1.67 × 1022 m–2 × α2870nm
  • Dabei ist α2870nm der Absorptionskoeffizient bei der angegebenen Wellenlänge.
  • Erfindungsgemäß wird die Protonenkonzentration um ein signifikantes Maß erhöht, wobei als signifikante Steigerung eine Steigerung um über 50% anzusehen ist. Dadurch erhöht sich ebenfalls die Dunkelleitfähigkeit des Materials. Folglich verringert sich die Stärke des lichtinduzierten Raumladungsfeldes, während die Resistenz des Materials gegenüber optischer Beschädigung ansteigt.
  • Die Protonenkonzentration handelsüblicher Lithiumniobat-Kristalle kann durch Temperprozesse oder durch chemische Prozesse dauerhaft gesteigert werden. Als Methoden bieten sich dabei das Heizen der Kristalle in protonenreicher Atmosphäre bei hohen Temperaturen um 1000°C und/oder mit angelegtem elektrischen Feld und/oder unter hohem Druck an. Beim einem chemischem Protonenaustausch werden Lithium-Ionen durch Protonen ersetzt. Durch diese Prozesse kann die Protonenkonzentration signifikant über das Niveau handelsüblicher Kristalle, das maximal bei etwa 2.5 × 1024 m–3 liegt, gesteigert werden. Mit den beschriebenen Methoden wird eine Protonenkonzentration von größer als 4 × 1024 m–3 erreicht.
  • In einer besonderen Ausführungsform wird die Dunkelleitfähigkeit durch eine signifikante Steigerung der Deuteronenkonzentration über das handelsübliche Niveau hinaus erreicht. Als signifikant wird das Überschreiten eines Werts von 1 × 1024 m–3 angesehen. In dieser Ausführungsform kommt statt der protonischen eine deuteronische Dunkelleitfähigkeit zum Tragen.
  • Beide genannten Arten der Dotierung können durchgeführt werden, indem der Kristall in einer entsprechend mit Ionen angereicherten Atmosphäre geheizt wird und/oder erhöhtem Druck und/oder einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.
  • Eine Erhöhung der Dunkelleitfähigkeit kann dabei erfindungsgemäß gleichsam durch eine Steigerung der Eisenkonzentration des Materials geschehen. So zeigen hoch eisendotierte Lithiumniobat-Kristalle eine Dunkelleitfähigkeit, die nicht mehr von Protonen dominiert ist. Stattdessen ist die Dunkelleitung jetzt elektronischer Natur: Durch thermische Anregung können Elektronen von Fe2+-Zentren abgelöst und von Fe3+-Zentren wieder eingefangen werden. Ein lichtinduziertes Raumladungsfeld wird dadurch schnell wieder gelöscht. Die Erfindung beruht nun darauf, das Material so stark mit Eisen zu dotieren, dass die elektronische Dunkelleitfähigkeit signifikant erhöht wird. Dies hat wiederum ein Kurzschließen der lichtinduzierten Raumladungsfelder zur Folge und bewirkt damit eine Steigerung der Resistenz gegenüber optischer Beschädigung.
  • In stark eisendotierten Lithiumniobat-Kristallen bildet sich eine signifikante Absorptionsbande im sichtbaren Spektralbereich aus, deren Maximum bei einer Wellenlänge von 477 nm liegt. Diese Absorption, die sich proportional zur Fe2+-Konzentration im Kristall verhält, ist von Nachteil, wenn das optische Bauteil mit sichtbarem Licht arbeiten soll. Durch kurzfristiges Heizen des Kristalls in geeigneter Atmosphäre bei Temperaturen um 1000 °C lässt sich allerdings Fe2+ dauerhaft in Fe3+ überführen und damit die störende Absorption verringern.
  • Stark eisendotierte Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat-Kristalle werden derzeit nicht zur Verminderung des optischen Schadens eingesetzt. Stattdessen erfolgt genau das Gegenteil: Die Hersteller legen Wert darauf, möglichst reine Kristalle zu züchten, die so wenig Eisenverunreinigungen wie möglich enthalten. Damit soll der photorefraktive Effekt und folglich die Ausprägung des optischen Schadens unterbunden werden.
  • Außerdem kann eine erhöhte Dunkelleitfähigkeit dadurch erreicht werden, dass das Material nicht mit Eisen, sondern mit anderen extrinsischen Ionen dotiert ist, deren Gesamtkonzentration den Wert an Restverunreinigungen handelsüblicher, undotierter Lithiumniobat-Kristalle signifikant übersteigt. Als signifikant wird das Überschreiten eines Werts von 2 × 1024 m–3 angesehen.
  • Es ist im Hinblick auf beide erfindungsgemäß vorgeschlagenen Methoden vorteilhaft, den jeweiligen Effekt mit der Methode der Temperaturerhöhung des Kristalls zu verknüpfen. Dadurch erhöht sich die protonische, die deuteronische beziehungsweise die elektronische Dunkelleitfähigkeit noch weiter, so dass die Resistenz des Kristalls gegenüber optischer Beschädigung weiter zunimmt. Das erlaubt, optische Bauteile unter Beibehaltung der Methode des Kristallheizens einzusetzen, die aber dann weitaus höheren Lichtleistungen ausgesetzt werden können als bisher, bevor störender optischer Schaden auftritt.
  • Zusammenfassend lässt sich feststellen, dass die Erfindung eine neue Methode darstellt, den optischen Schaden in Volumenkristallen zu vermindern und damit das Material für einen größeren Anwendungsbereich attraktiv zu machen. Durch Dotierung der Kristalle mit großen Mengen von Protonen, Deuteronen oder Eisen-Ionen wird die Dunkelleitfähigkeit des Materials stark erhöht. Zusätzliches Heizen des Materials verstärkt den Effekt. Das Verfahren führt zum Kurzschließen der lichtinduzierten Raumladungsfelder und damit zur Reduktion des photorefraktiven Effekts. Als Konsequenz wird der Kristall resistent gegenüber optischer Beschädigung.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Desensibilisierung eines Kristalls mit nichtlinearen optischen Eigenschaften, insbesondere eines Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat Kristalls, gegen Schadennahme bei intensiver Lichteinwirkung („optical damage"), wobei der Schaden durch lichtinduzierte Änderungen der Brechungsindizes hervorgerufen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Dunkelleitfähigkeit des Kristalls durch Dotierung mit extrinsischen Ionen erhöht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall mit Protonen dotiert wird, welche die Protonische Dunkelleitfähigkeit erhöhen, wobei eine Konzentration von mehr als 3 × 1024 m–3, insbesondere mehr als 4 × 1024 m–3 erreicht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall mit Deuteronen dotiert wird, welche die deuteronische Dunkelleitfähigkeit erhöhen, wobei eine Konzentration von mehr als 1 x 1024 m–3 erreicht wird.
  4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall mit Ionen dotiert wird, welche die elektronische Dunkelleitfähigkeit erhöhen, wobei eine Konzentration von mehr als 2 x 1024 m–3 erreicht wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionen Eisen-Ionen sind, deren Konzentration mehr als 1 x 1025 m–3 erreicht.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionenkonzentration durch Heizen des Kristalls in einer ionenreichen Atmosphäre erhöht wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizen unter Beaufschlagung durch hohen Druck, insbesondere über 100bar, geschieht.
  8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während der Dotierung ein elektrisches Feld an den Kristall angelegt wird.
  9. Kristall, der durch Erhöhung seiner Dunkelleitfähigkeit durch das Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche desensibilisiert ist.
  10. Optisches Bauteil aufweisend einen Kristall nach Anspruch 9.
DE10300080A 2003-01-04 2003-01-04 Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage" Withdrawn DE10300080A1 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10300080A DE10300080A1 (de) 2003-01-04 2003-01-04 Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage"
PL378217A PL378217A1 (pl) 2003-01-04 2003-12-19 Zwiększenie odporności kryształów na Optical Damage
CNB2003801068853A CN100387936C (zh) 2003-01-04 2003-12-19 减小晶体对光强度曝光的损伤效应的敏感性的方法
US10/541,480 US20060291519A1 (en) 2003-01-04 2003-12-19 Increasing the resistance of crystals to optical damage
EP03785588A EP1583939A1 (de) 2003-01-04 2003-12-19 Erhöhung der resistenz von kristallen gegen ,,optical damage"
JP2004564165A JP2006512610A (ja) 2003-01-04 2003-12-19 「光損傷」に対する結晶の耐性の向上
PCT/DE2003/004191 WO2004061397A1 (de) 2003-01-04 2003-12-19 Erhöhung der resistenz von kristallen gegen ,,optical damage'
AU2003294662A AU2003294662B2 (en) 2003-01-04 2003-12-19 Increasing of resistance of crystals to optical damage
CA002508828A CA2508828A1 (en) 2003-01-04 2003-12-19 Increasing the resistance of crystals to "optical damage"

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10300080A DE10300080A1 (de) 2003-01-04 2003-01-04 Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage"

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10300080A1 true DE10300080A1 (de) 2004-07-22

Family

ID=32519608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10300080A Withdrawn DE10300080A1 (de) 2003-01-04 2003-01-04 Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen "Optical Damage"

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20060291519A1 (de)
EP (1) EP1583939A1 (de)
JP (1) JP2006512610A (de)
CN (1) CN100387936C (de)
AU (1) AU2003294662B2 (de)
CA (1) CA2508828A1 (de)
DE (1) DE10300080A1 (de)
PL (1) PL378217A1 (de)
WO (1) WO2004061397A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007004400A1 (de) * 2007-01-30 2008-07-31 Deutsche Telekom Ag Optische Reinigung nichtlinear-optischer Kristalle
US7833345B2 (en) 2004-01-14 2010-11-16 Deutsche Telekom Ag Treatment of crystals in order to avoid light-induced modifications of the refractive index
RU2614199C1 (ru) * 2015-12-16 2017-03-23 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВО "Кубанский государственный университет") Градиентный периодически поляризованный ниобат лития

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4532378B2 (ja) * 2005-09-28 2010-08-25 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 レーザ光源運用方法
CN103334156B (zh) * 2013-07-12 2016-03-23 东南大学 一种光学晶体掺杂方法
CN110670134B (zh) * 2019-09-20 2021-04-23 南开大学 一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5902519A (en) * 1997-03-18 1999-05-11 Northrop Grumman Corproation Process for oxidizing iron-doped lithium niobate
WO2001029593A1 (en) * 1999-10-15 2001-04-26 California Institute Of Technology Ion exchange waveguides and methods of fabrication

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05105594A (ja) * 1991-10-16 1993-04-27 Hitachi Metals Ltd タンタル酸リチウム単結晶の製造方法および光素子
JPH05105590A (ja) * 1991-10-22 1993-04-27 Hitachi Metals Ltd ニオブ酸リチウム単結晶および光素子
JPH05105593A (ja) * 1991-10-22 1993-04-27 Hitachi Metals Ltd タンタル酸リチウム単結晶、および光素子
JPH05270992A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Daiso Co Ltd 光損傷のないニオブ酸リチウム単結晶
JP2931960B2 (ja) * 1996-07-30 1999-08-09 科学技術庁無機材質研究所長 鉄添加ニオブ酸リチウム単結晶およびその熱処理方法および当該単結晶を含むホログラム応用素子
JPH1063170A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ホログラム記録媒体およびその製造方法
US6652780B2 (en) * 1997-03-18 2003-11-25 Northrop Grumman Process for oxidizing iron-doped lithium niobate
US6468699B2 (en) * 1999-05-14 2002-10-22 Adil Lahrichi Reversible hologram fixation in photorefractive materials using incoherent ultraviolet light
GB2353091A (en) * 1999-08-11 2001-02-14 Secr Defence Object comparator using a reference generated refractive index grating
WO2004092583A1 (ja) * 2003-04-17 2004-10-28 Zexel Valeo Climate Control Corporation 斜板式圧縮機

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5902519A (en) * 1997-03-18 1999-05-11 Northrop Grumman Corproation Process for oxidizing iron-doped lithium niobate
WO2001029593A1 (en) * 1999-10-15 2001-04-26 California Institute Of Technology Ion exchange waveguides and methods of fabrication

Non-Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal Of Lightwave Technology, Vol.11, No.4, April 1993, S.589-594;
NEE,I., et.al.: Role of iron in lithium-niobate crystals for the dark-storage time of holograms. In: Journal Of Applied Physics, Vol.88, No.7, 1.Oct. 2000, S.4282-4286 *
NEE,I., et.al.: Role of iron in lithium-niobate crystals for the dark-storage time of holograms. In: Journal Of Applied Physics, Vol.88, No.7, 1.Oct. 2000, S.4282-4286;
PEITHMANN,K., et.al.: Photorefractive properties of highly-doped lithium niobate crystals in the visible and near-infrared. In: Appl. Phys. B 68, 1999, S.777-784 *
PEITHMANN,K., et.al.: Photorefractive properties of highly-doped lithium niobate crystals in the visible and near-infrared. In: Appl. Phys. B 68, 1999, S.777-784;
RAMS,J., CABRERA,J.M.: Nonlinear optical efficient LiNbO3 waveguides proton exchanged in benzoic acid vapor: Effect of the vapor pressure. In: Journal Of Applied Physics, Vol.85, No.3, 1.Feb. 1999, S.1322-1328 *
RAMS,J., CABRERA,J.M.: Nonlinear optical efficient LiNbO3 waveguides proton exchanged in benzoic acid vapor: Effect of the vapor pressure. In: Journal Of Applied Physics, Vol.85, No.3, 1.Feb. 1999, S.1322-1328;
WEBJÖRN,Jonas: Structural Influence of Proton Exchange on Domain- Inverted Lithium Niobate Revealed by Means of Selective Etching. In: *
YANG,Yunping, et.al.: Ionic and electronic dark decay of holograms in LiNbO3:Fe crystals. In: Applied Physics Letters, Vol.78, No.26, 25.June 2001, S.4076-4078 *
YANG,Yunping, et.al.: Ionic and electronic dark decay of holograms in LiNbO3:Fe crystals. In: Applied Physics Letters, Vol.78, No.26, 25.June 2001, S.4076-4078;

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7833345B2 (en) 2004-01-14 2010-11-16 Deutsche Telekom Ag Treatment of crystals in order to avoid light-induced modifications of the refractive index
DE102007004400A1 (de) * 2007-01-30 2008-07-31 Deutsche Telekom Ag Optische Reinigung nichtlinear-optischer Kristalle
US8437066B2 (en) 2007-01-30 2013-05-07 Deutsche Telekom Ag Optical purification of crystals
RU2614199C1 (ru) * 2015-12-16 2017-03-23 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВО "Кубанский государственный университет") Градиентный периодически поляризованный ниобат лития

Also Published As

Publication number Publication date
PL378217A1 (pl) 2006-03-20
WO2004061397A1 (de) 2004-07-22
JP2006512610A (ja) 2006-04-13
CA2508828A1 (en) 2004-07-22
AU2003294662B2 (en) 2008-05-29
CN100387936C (zh) 2008-05-14
AU2003294662A1 (en) 2004-07-29
US20060291519A1 (en) 2006-12-28
CN1729383A (zh) 2006-02-01
EP1583939A1 (de) 2005-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yamamoto et al. Increased optical damage resistance in Sc2O3‐doped LiNbO3
DE69735956T2 (de) Methode zur polarisation optischer kristalle
DE19815362A1 (de) Verfahren zur Beeinflussung eines parasitären Ladungsträgergitters in optisch nichtlinearen Materialien bei der Frequenzkonversion von Laserstrahlung
DE112016006006T5 (de) Optische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung
DE69126155T2 (de) Optische Wellenlängenwandlervorrichtung zur Erzeugung der zweiten Harmonischen mit Cerenkovstrahlung in einem Wellenleiter
DE19514065C2 (de) Nichtlinearer optischer Strontium-Beryllatoborat-Kristall, Verfahren zur Herstellung und seine Verwendung
DE10300080A1 (de) Erhöhung der Resistenz von Kristallen gegen &#34;Optical Damage&#34;
DE102007028610A1 (de) Verwendung von undotierten Kristallen der Yttrium Aluminium Borat Familie für nichtlineare optische Eigenschaften
DE2815335A1 (de) Pleochroitische farbstoffe und mit diesen verwendbare elektrooptische anzeigevorrichtungen
US10409138B2 (en) Nonlinear optical material and methods of fabrication
DE69108121T2 (de) Dotiertes KTiOP04 mit niedriger Leitfähigkeit und darauf basierende Bauelemente.
Zhang et al. Enhanced 532 nm laser damage threshold and optical performance of KDP crystals by Zn2+ doping
DE102017124839A1 (de) Herstellung ferroelektrischer Domänen
Wang et al. Laser damage mechanism and threshold improvement of nonlinear optical La 3 Ga 5.5 Nb 0.5 O 14 crystal for a mid-infrared high-intensity laser
EP2004884B1 (de) Behandlung von kristallen zur vermeidung optischen schadens
WO2005068690A1 (de) Behandlung von kristallen zur vermeidung lichtinduzierter änderungen des brechungsindex
DE69103125T2 (de) Hitzebeständiger Herapathit und Verfahren zu dessen Herstellung.
Lian et al. Nonlinear optical characteristics of DADP crystals with different deuterium
DE2222319C3 (de) Verfahren zum Herstellen Vi0n Ejn. kristallen aus (Li tief 2 O) titf 0,44-0 S (Nb tief 2 O tief 5) tief 0,56-n,5
Wu et al. Research on the nonlinear absorption coefficient of 98% deuterated DKDP crystal at fourth-harmonic-generation wavelength
DE3854341T2 (de) Nichtlineare optische Substanz.
Hartwig Photorefractive lithium niobate crystals for applications in photonics; Photorefraktive Lithiumniobatkristalle fuer Anwendungen in der Photonik
DE2222319B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus (Li rief 2 O) tief 0,44-0,5 (Nb tief 2 0 tief 5) tief 0,56 - 0,5
Kumar et al. Effect of rare earth Nd+ ion on the growth, structural, spectral, optical and mechanical properties of piperidinium p-hydroxybenzoate single crystals
DD292222A5 (de) Verfahren zum herstellen fotochromer glaeser mit einer lichtinduzierten absorptionsbande im nahen infraroten spektralbereich

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110802