DE1028706B - Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wird - Google Patents
Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wirdInfo
- Publication number
- DE1028706B DE1028706B DEV10729A DEV0010729A DE1028706B DE 1028706 B DE1028706 B DE 1028706B DE V10729 A DEV10729 A DE V10729A DE V0010729 A DEV0010729 A DE V0010729A DE 1028706 B DE1028706 B DE 1028706B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoelectric device
- cathode
- electrodes
- exposed
- deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/08—Cathode arrangements
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
Die Erfindung richtet sich auf die Verringerung des thermischen Dunkelstromes bei photoelektrischen
Einrichtungen, insbesondere Sekundärelektronenvervielfachern.
Bei derartigen Einrichtungen macht sich der Nachteil störend bemerkbar, daß zugleich mit den durch
Belichtung der Photokathode ausgelösten Photoelektronen, die allein zur Abbildung oder zur weiteren
Verstärkung in einem Sekundärelektronenvervielfacher nutzbar gemacht werden können, auch die
thermisch ausgelösten Elektronen der ganzen Kathodenfläche abgebildet oder verstärkt werden. Dieser
sogenannte thermische Dunkelstrom setzt sich, da in der Regel bei den zur Verwendung kommenden Photo kathoden
nicht die gesamte Fläche belichtet wird, aus einem auf der belichteten Teilfläche der Kathode entstehenden
Teil und einem von der nicht belichteten Teilfläche ausgehenden Teil zusammen.
Für die Unterdrückung des von der belichteten Kathodenfläche ausgehenden Dunkelstromanteiles sind
Vorschläge gemacht worden, die auf einer elektrischen Filterung des Elektronenstromes beruhen. Die praktische
Verwirklichung dieser Maßnahme ist jedoch gerade für Sekundärelektronenvervielfacher besonders
schwierig. Der von der nicht belichteten Teilfläche der Kathode ausgehende Dunkelstromanteil kann beispielsweise
durch mechanische Mittel unterdrückt werden. So wurde z. B. vorgeschlagen, die Photokathode
unmittelbar gegen eine am Eingang des Vervielfachers angeordnete Blende zu legen, deren Durchlaßöffnung
kleiner als die Fläche der Photokathode ist. Dabei soll die Photokathode schwenkbar angeordnet
sein, und in der Gebrauchslage gegen die Eintritts blende des Vervielfachers geklappt werden. Dieser
Vorschlag hat den Nachteil, daß abgesehen von den Unzulänglichkeiten, die ein mechanisch bewegtes
Teil — noch dazu eine Photokathode — in einem Vakuumgefäß mit sich bringt, die Kathodenfläche in
einem Vervielfacher jeweils nur auf eine bestimmte Teilfläche abgeblendet werden kann. Es ist also nicht
möglich, in einem derartigen Vervielfacher den belichteten Teil der Kathodenfläche zu ändern.
Gegenstand der Erfindung ist eine photoelektrische Einrichtung, bei der die Unterdrückung des Dunkelstromanteiles
der nicht belichteten Fläche der Ka- 4-5 thode ohne die genannten Nachteile der bekannten
Anordnungen erreicht wird. Gemäß der Erfindung sind zu diesem Zweck zwischen der Photokathode und
der ersten Anode elektrische oder magnetische Mittel vorgesehen, durch die der von der nicht belichteten
Teilfläche der Kathode ausgehende thermische Elektronenstrom auf eine neutrale Elektrode abgelenkt
wird, so daß der Ausgangsstrom der photoelektrischen Einrichtung nur von dem von der belichteten Teil-Photoelektrische
Einrichtung,
insbesondere
Sekundärelektronenvervielfacher,
Sekundärelektronenvervielfacher,
bei der nur ein Teil
der Kathodenfläche belichtet wird
der Kathodenfläche belichtet wird
Anmelder:
VEB Carl Zeiss Jena,
Jena, Carl-Zeiss-Str. 1
Jena, Carl-Zeiss-Str. 1
Lothar Schmidt und Eberhard Hahn, Jena,
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
fläche der Kathode ausgehenden Elektronenstrom abhängig ist.
Es ist zwar bereits bekannt, bei Sekundärelektronenvervielfachern zwischen der Photokathode und der
ersten Anode Hilfselektroden mit elektronenoptischer Wirkung anzuordnen. Diese Hilfselektroden haben
jedoch bei den bekannten Einrichtungen die Aufgabe, eine Fokussierung der von der Kathode ausgelösten
Elektronen herbeizuführen, um möglichst alle Elektronen auf die Eingangsöffnung des Vervielfachersystems
zu konzentrieren.
Es handelt sich also hierbei um eine grundsätzlich andere Aufgabe als beim Gegenstand der vorliegenden
Erfindung. Eine Verringerung des Dunkelstroms ist mit der bekannten Einrichtung weder beabsichtigt
noch überhaupt erreichbar.
Im Gegensatz dazu ist es mit der erfindungsgemäßen Einrichtung möglich, von einer relativ großen
Kathode, deren Vorteile allgemein bekannt sind, nur solche Elektronen auf eine Teilfläche der ersten Anode
oder eine Öffnung dieser Elektrode zu lenken, die von dem belichteten Teil der Kathodenfläche ausgehen.
Die neutrale Elektrode, auf die die von dem nicht belichteten Teil der Elektrode ausgelösten thermischen
Elektronen abgelenkt werden, kann ringförmig ausgebildet sein und eine Öffnung besitzen, durch die die
von der belichteten Teilfläche der Kathode ausgehenden Elektronen hindurchtreten können. Vorzugsweise
kann dazu die ringförmig ausgebildete erste Anode verwendet werden. Die Mittel zur Ablenkung des von
der nicht belichteten Teilfläche der Kathode aus
809 507/325
gehenden thermischen Elektronenstromes können aus an entsprechenden Potentialen liegenden Ablenkelektroden
bestehen. Diese können entweder als zu dem übrigen System koaxiale Zylinder oder als mehrere
symmetrisch zur Achse angeordnete ebene oder gekrümmte Elektroden ausgebildet sein.
In der Zeichnung sind einige Ausführungsformen des Gegenstandes der Erfindung als Beispiele schematisch
dargestellt.
In Abb. 1 ist 1 eine Durchsichts-Photokathode eines Sekundärelektronenvervielfachers, die vom in Pfeilrichtung
einfallenden Licht getroffen wird. Eine zylindrische
Hilfselektrode 2 dient zur Ablenkung der vom nicht belichteten Teil der Kathode 1 ausgehenden
thermischen Elektronen, die auf die Fläche der ersten Anode 3 des Systems auftreffen, während die vom
belichteten Teil D der Kathode ausgelösten Elektronen durch die Bohrung der Anode 3 in das Vervielfachersystem gelangen, dessen erste beide Prallplatten
mit 4 und 5 bezeichnet sind. Die gleiche Elektrodenanordnung ist in AbI). 2 dargestellt mit dem Unterschied,
daß hierbei die Hilfselektrode 2 auf Kathoden potential liegt, während sie bei der Anordnung nach
Abb. 1 mit der Anode 3 verbunden ist. Ferner wird bei der Anordnung nach Abb. 2 ein größerer Teil Z)
der Kathode 1 vom Licht getroffen als bei der in Abb. 1 dargestellten Anordnung. Aus den in beiden
Anordnungen gezeichneten Feldlinien 6 ist zu ersehen, wie die Gestaltung des Feldes zwischen Kathode 1
und erster Anode 3 durch eine koaxiale zylindrische Hilfselektrode 2 je nach dem Potential dieser Elektrode
so ausgebildet werden kann, daß nur Elektronen von einem bestimmten Teil der Kathodenfläche auf
die Öffnung der Anode gelangen können.
Durch geeignete Wahl der Potentiale des zwischen Kathode, Hilfselektrode und erster Anode gebildeten
Feldes kann also erreicht werden, daß nur der von dem belichteten Teil der Kathode ausgehende Elektronenstrom
für die weitere Verwendung im Sekundärelektronenvervielfacher nutzbar gemacht wird.
während der vom nicht belichteten Teil der Kathode ausgehende thermische Dunkelstrom unterdrückt
wird. Mit der Einrichtung nach Abb. 1 und 2 ist es also möglich, von einer Kathode belichtete Flächen
verschiedenen Durchmessers unter den günstigsten Bedingungen des Verhältnisses vom Signalstrom zum
thermischen Dunkelstrom in einem einzigen Sekundärelektronenvervielfacher auszunutzen.
Für Anwendungsgebiete, bei denen unsymmetrische Flächen der Kathode belichtet werden, wie z. B. in der
Spektroskopie, kann eine Anordnung nach Abb. 3 benutzt werden. Bei dieser in Draufsicht dargestellten
Ausführungsform ist die zylindrische Hilfselektrode 2 der Abb. 1 und 2 durch vier voneinander getrennte
plattenförmige Elektroden 7, 8, 9 und 10 ersetzt. Diese können sämtlich an dem gleichen Potential liegen.
Es ist jedoch auch möglich, je zwei dieser Elektroden an voneinander verschiedene Potentiale U1
und U2 zu legen, wie dies in Abb. 3 gezeigt ist. Hierdurch
ist es beispielsweise möglich, die von einer in Form eines schmalen Rechteckes belichteten Kathodenfläche
ausgehenden Elektronen so zu beeinflussen, daß sie durch eine beispielsweise quadratisch ausgebildete
Öffnung 11 der ersten Anode hindurchfliegen können. Es ist also praktisch möglich, mit einem einzigen
Sekundärelektronenvervielfacher, der mit den angegebenen Hilfselektroden ausgerüstet ist, das gün
stigste Verhältnis von Signalstrom zu thermischem Dunkelstrom für drei verschiedene, in der Praxis
häufig vorkommende Fälle, nämlich eine kleine Kathodenfläche für astronomische Zwecke, eine große
Fläche für die Registrierung von 3.-, β- und y-Teilchen
und eine schmale rechteckige Fläche für spektrale Messungen, einzustellen.
Abb. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Systems mit einer Auflichtkathode in Seitenansicht und Draufsicht.
Hierbei fällt das Licht in Richtung der Pfeile durch eine lichtdurchlässige Elektrode 12, die beispielsweise aus einem grobmaschigen Netz bestehen
kann, auf eine auf der Innenwandung eines in den Abbildungen nicht dargestellten Gefäßes aufgebrachte
Kathode 14. Die zur Ablenkung der aus der Kathode ausgelösten Elektronen dienende Hilfselektrode
ist mit 15 bezeichnet. 3 ist die erste Anode, 4 und 5 sind die beiden ersten Prallplatten des Vervielfachersystems.
In den Abb. 5 bis 8 sind schematisch einige typische Bilder von Feldlinien und Elektronenbahnen dargestellt,
die bei verschiedenen Potentialen der Elektroden auftreten können, und die mit verhältnismäßig
einfachen Mitteln praktisch realisierbar sind. Die Ladungszustände der einzelnen Elektroden sind durch
(+), (0) und ( —) angedeutet. Dabei besteht die erste Anode 3 bei den in Abb. 7 und 8 dargestellten Beispielen
aus zwei ringförmigen Teilen 3' und 3". Die Kathodenfläche 14 kann auch in der Weise als zylindrische
Fläche auf die Innenwand des nicht dargestellten Glaskolbens aufgebracht sein, daß sie in ihrer
Schichtdicke verlaufend nach der Lichteintrittsseite immer dünner wird und somit an dieser Stelle als
Durchsichtskathode wirkt.
Eine Zylinderlinsenwirkung kann dabei in ähnlicher Weise wie bei der Einrichtung nach Abb. 3 erreicht
werden. Es besteht z. B. die Möglichkeit, mehrere voneinander isolierte Segmente vorzusehen, von denen
beispielsweise drei als Kathode ausgebildet sind, während das vierte aus einem lichtdurchlässigen Netz besteht.
Dabei können das Netz und die gegenüberliegende Kathodenfläche einerseits sowie die beiden
übrigen Kathodensegmente andererseits an entgegengesetzte Potentiale gelegt werden. Auch die Hilfselektrode
12 der Ausführungsform nach Abb. 4 kann zusätzlich als Kathodenfläche ausgebildet werden. In
allen Fällen ist es möglich. Kathoden und Hilfselektroden unmittelbar auf der Glasfläche des Gefäßes,
beispielsweise durch Aufdampfen, anzubringen.
Claims (11)
1. Photoelektrische Einrichtung, insbesondere
Sekundärelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenfläche belichtet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der Photokathode und der ersten Anode elektrische oder magnetische
Mittel vorgesehen sind, durch die der von der nicht belichteten Teilfläche der Kathode ausgehende
thermische Elektronenstrom auf eine neutrale Elektrode abgelenkt wird, so daß der Ausgangsstrom
der photoelektrischen Einrichtung nur von dem von der belichteten Teilfläche der Kathode
ausgehenden Elektronenstrom abhängig ist.
2. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmig
ausgebildete neutrale Elektrode eine öffnung besitzt, durch die die von der belichteten
Teilfläche der Kathode ausgehenden Elektronen hindurchtreten können.
3. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Ablenkung des von der nicht belichteten Teilfläehe der Photokathode ausgehenden thermischen Elek-
tronenstromes an entsprechenden Potentialen liegende Ablenkelektroden dienen.
4. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkmittel
aus einem zu den übrigen Elektroden koaxialen Zylinder bestehen.
5. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkmittel
aus mehreren, beispielsweise vier symmetrisch zur Achse angeordneten ebenen oder ge- ίο
krümmten Elektroden bestehen.
6. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkelektroden
als Photokathoden ausgebildet sind.
7. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens
eine der Ablenkelektroden lichtdurchlässig ist.
8. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung
von vier Ablenkelektroden entweder alle
oder je zwei gegenüberliegende auf gleichem Potential liegen.
9. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkelektroden
als metallischer Belag auf die Glaswand des die photoelektrische Einrichtung enthaltenden
Gefäßes aufgebracht sind.
10. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenfläche
unterteilt ist und daß ihre einzelnen Teile gleichzeitig als Elektroden zur Unterdrükkung
des thermischen Dunkelstromes wirken.
11. Photoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Anode aus mehreren auf verschiedenen Potentialen liegenden, beispielsweise ringförmig ausgebildeten
Teilen besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 893 239.
Deutsche Patentschrift Nr. 893 239.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
1 809 507/325 4.58
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEV10729A DE1028706B (de) | 1956-06-05 | 1956-06-05 | Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wird |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEV10729A DE1028706B (de) | 1956-06-05 | 1956-06-05 | Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wird |
GB3739556A GB854640A (en) | 1956-12-06 | 1956-12-06 | Improvements in photoelectric devices, particularly secondary electron multipliers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1028706B true DE1028706B (de) | 1958-04-24 |
Family
ID=26001237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEV10729A Pending DE1028706B (de) | 1956-06-05 | 1956-06-05 | Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wird |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1028706B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1214808B (de) * | 1959-02-11 | 1966-04-21 | Philips Nv | Elektronenoptik fuer eine Elektronenroehre mit grossflaechiger Photokathode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE893239C (de) * | 1936-05-31 | 1953-10-15 | Siemens Ag | Mit Sekundaeremission arbeitende Verstaerkereinrichtung fuer Fotokathoden |
-
1956
- 1956-06-05 DE DEV10729A patent/DE1028706B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE893239C (de) * | 1936-05-31 | 1953-10-15 | Siemens Ag | Mit Sekundaeremission arbeitende Verstaerkereinrichtung fuer Fotokathoden |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1214808B (de) * | 1959-02-11 | 1966-04-21 | Philips Nv | Elektronenoptik fuer eine Elektronenroehre mit grossflaechiger Photokathode |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2727156C2 (de) | ||
DE1089895B (de) | Elektronischer Bildverstaerker | |
DE3217405A1 (de) | Elektronenvervielfachungsstruktur, verfahren zum herstellen einer derartigen struktur und ihre anwendung in einer fotoelektrischen roehre | |
DE3638893C2 (de) | ||
DE892144C (de) | Elektronenstrahlroehre mit Photozellenmosaik | |
DE1062355B (de) | Photoelektronenvervielfacher mit Dynoden-Kaskade | |
DE1014242B (de) | Sekundaeremissionsvervielfacher mit einer Fotokathode, bei dem im Anodenraum Glimmlicht entsteht | |
DE1028706B (de) | Photoelektrische Einrichtung, insbesondere Sekundaerelektronenvervielfacher, bei der nur ein Teil der Kathodenflaeche belichtet wird | |
DE895200C (de) | Kathodenstrahlroehre | |
DE872354C (de) | Mosaikschirm fuer Kathodenstrahl-Senderoehren | |
DE1439838B2 (de) | Feldemi s si ons-Ionen-Mi kro skop | |
DE2128017C3 (de) | Photodetektorröhre | |
DE701576C (de) | Elektronenoptische Anordnung zur Abbildung eines grossflaechigen Elektronenbildes auf eine Schirmelektrode unter Zwischenschaltung einer oder mehrerer undurchlaessiger Prallelektroden fuer Sekundaeremissionsverstaerkung | |
DE733345C (de) | Elektronenoptische elektrische Einzellinse | |
DE2639033B2 (de) | Bauteil in mit Ladungsträgerstrahlen arbeitenden elektrischen Vakuumgeräten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE757332C (de) | Speichernde Bildsenderoehre mit elektronendurchlaessiger Mosaikelektrode | |
DE2209533A1 (de) | Lichtverstarker | |
DE2329190A1 (de) | Roentgenspektrometer | |
DE907449C (de) | Korpuskularstrahlapparat zur Untersuchung von Objekten, insbesondere Elektronenmikroskop | |
CH165549A (de) | Einrichtung zum Abbilden von Gegenständen. | |
DE2120235B2 (de) | Vorrichtung zum Vervielfachen von Elektronen | |
AT154076B (de) | Kathodenstrahlröhre. | |
DE1764033C3 (de) | ||
DE2327253C2 (de) | Bildverstärkerröhre | |
DE892488C (de) | Sekundaerelektronenvervielfacher |