DE10225606A1

DE10225606A1 - Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number: DE10225606A1
Application number: DE2002125606
Authority: DE
Inventors: Horst Dipl.-Ing. Kibbel; Ulf Dr.-Ing. König; Hartmut Dr.Rer.Nat. Presting
Original assignee: DaimlerChrysler AG
Current assignee: Daimler AG
Priority date: 2002-06-07
Filing date: 2002-06-07
Publication date: 2004-01-08
Also published as: WO2003105239A2; EP1520304A2; WO2003105239A3; AU2003246400A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche (31), insbesondere eines Fahrzeugbauteils (3), ausgebildet ist, wobei das Halbleiterbauelement (1) direkt auf der Oberfläche abgeschieden oder aufgewachsen ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Halbleiterbauelement direkt auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche (31), insbesondere eines Fahrzeugbauteils (3), abgeschieden wird, wobei wenigstens eine Schicht (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) des in Schichten aufgebauten Halbleiterbauelements (1) wenigstens teilweise aus Nanopartikeln hergestellt wird, die auf die gekrümmte Oberfläche zur Bildung der Schicht aufgebracht werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Halbleiterbauelemente finden in immer mehr Bereichen der Technik Anwendung. So werden beispielsweise Solarzellen auf immer mehr Oberflächen vorgesehen, um den Energiebedarf zeitgemäß mit regenerativen Energien zu decken.
Hierzu werden Solarzellen großtechnisch hergestellt und zumeist zu sogenannten Paneelen (Baugruppen) zusammengesetzt, welche dann auf die Oberflächen aufgesetzt werden.
Ein Nachteil ergibt sich daraus, dass die Solarzellen selbst nicht an die Oberflächenbeschaffenheit der durch mit Licht beschienenen Oberflächen angepasst sind. Die Solarzellen werden plan hergestellt, zu Paneelen zusammengebaut und dann diese umständlich auf die Oberflächenstruktur – falls überhaupt – angepasst. Das macht die Solarzellen unansehnlich, da dicke, auffällige Platten entstehen, die zudem aufwendig auf die Oberflächen montiert werden müssen. In Anwendungsgebieten, wo Ästhetik und wenig sperrige Bauformen eine Rolle spielen, ist der gewollte und zeitgemäße Einsatz von Solarzellen zur Energiegewinnung nicht möglich. So ist der Anwendungsbereich in der Automobilindustrie fast vollkommen verschlossen für die regenerative Energie nutzenden Solarzellen.
Weiterhin ist die externe, nicht der Anwendung angepasste Herstellung der Solarzellen hinderlich, da eine nachträgliche Anpassung zeit- und kostenaufwendig ist, soweit sie überhaupt noch möglich ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung zur Verfügung zu stellen, bei denen die herkömmliche, aufwendige Anpassung an Oberflächen und Formen nicht mehr notwendig ist.
Die Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 18 gelöst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Halbleiterbauelement auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche, insbesondere eines Fahrzeugbauteils, ausgebildet ist, wobei das Halbleiterbauelement direkt auf der Oberfläche abgeschieden oder aufgewachsen ist.
Die Erfindung schlägt vor, die Halbleiterbauelemente so bereitzustellen, dass diese direkt auf der Oberfläche herzustellen sind, ohne diese extern zu fertigen. Dadurch sind die Halbleiterbauelemente von ihrer Formgebung perfekt auf den Oberflächenverlauf angepasst. Die Anwendung von Halbleiterbauelementen ist nicht mehr auf die Verwendung auf vollkommen planen Oberflächen beschränkt. Die aufwendige Bereitstellung von Halbleiterbauelementen in Form von hierzu notwendigen Gehäusen oder Paneelen mit den oben genannten Nachteilen wird umgangen und vermieden.
Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Halbleiterbauelement eine Solarzelle ist.
Vorteilhafterweise ist die gekrümmte Oberfläche die Oberfläche eines Fahrzeugbauteils, insbesondere eines Karosserieformteils, insbesondere der Motorhaube, des Kofferraumdeckels oder des Daches oder ein Dachelement, insbesondere aus Glas. Hierdurch wird der Einsatz von Solarzellen auf Automobilen ermöglicht, wobei die ästhetischen Aspekte Berücksichtigung finden. Ebenso wird durch die perfekte Anpassung der Formgebung des Halbleiterbauelements auf die fließenden Formen der Karosserie der Luftwiderstand erniedrigt, was sich positiv auf den Energieverbrauch auswirkt.
Ebenso vorteilhaft kann als Oberfläche, auf der aufgewachsen wird, auch eine Oberfläche eines Gebäudes oder Teilen zum Verbauen an einem Gebäude vorgesehen sein. So sind Dachziegel oder Dachelemente denkbar, aber auch größere Bereiche der Außenwände.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung schlägt vor, dass die wenigstens eine Schicht des in Schichten aufgebauten Halbleiterbauelements wenigstens teilweise aus Nanopartikeln hergestellt ist. Hierdurch wird ein direktes Wachsen auf der gekrümmten Oberfläche besonders gut unterstützt.
Dem folgend ist in einer Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, dass die Nanopartikel aus mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial bestehen und aus einem Elementhalbleiter, insbesondere Silizium, einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, insbesondere aus Germanium und Silizium, bestehen. Durch die Anwendung dieser Materialien werden die besonders gute Energieausbeute und gute Verfügbarkeit dieser Materialien ausgenutzt.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Halbleitermaterial durch eine die Nanopartikel transportierende Emulsion oder ein Plasmaverfahren auf die Oberfläche abgeschieden worden ist. Eine Emulsion transportiert die Partikel ebenso wie ein Plasmaverfahren direkt auf jede beliebige Oberfläche, ohne dass diese plan sein muss.
Bevorzugterweise weist das Halbleiterbauelement eine photoaktive pn-Halbleiterschicht mit einer auf der einen Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen n-Halbleiterschicht und einer auf der anderen Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen p-Halbleiterschicht auf.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das sich dadurch auszeichnet, dass das Halbleiterbauelement direkt auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche, insbesondere eines Fahrzeugbauteils, abgeschieden wird, wobei wenigstens eine Schicht des in Schichten aufgebauten Halbleiterbauelements wenigstens teilweise aus Nanopartikeln hergestellt wird, die auf die Oberfläche zur Bildung der Schicht aufgebracht werden. Hierdurch ist eine Bildung eines Halbleiters auf einer beliebigen Oberfläche möglich, ohne dass die sonst strengen Anforderungen an Ebenheit beim Aufwachsen vorhanden sind.
Als gekrümmte Oberfläche wird nach einem bevorzugten Verfahrensschritt die Oberfläche eines Fahrzeugbauteils, welches insbesondere ein Karosserieformteil ist, insbesondere der Motorhaube, des Kofferraumdeckels oder des Daches oder ein Dachelement, insbesondere aus Glas, verwendet.
Auch hier sind jedoch wieder Anwendungen an Gebäuden oder Teilen davon denkbar.
Ein vorteilhafter Verfahrensschritt sieht vor, dass Nanopartikel aus mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial verwendet werden, wobei dieses aus einem Elementhalbleiter, insbesondere Silizium, einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, insbesondere aus Germanium und Silizium, besteht.
Ein vorteilhafter Verfahrensschritt sieht vor, dass die Nanopartikel einer Schicht durch eine dieselben transportierende Emulsion auf die gekrümmte Oberfläche aufgebracht werden.
Dem folgend schließt sich vorteilhafterweise ein Verfahrensschritt an, bei dem die anderen Bestandteile der Emulsion, welche nicht aus den Nanopartikeln gebildet werden und nur zum Transport der Nanopartikel dienen, durch einen Trocknungs- und Ausheizvorgang von der gekrümmten Oberfläche entfernt werden.
Ein ebenso vorteilhafter Verfahrensschritt sieht vor, dass die Nanopartikel einer Schicht durch ein dieselben auf die gekrümmte Oberfläche aufbringendes Plasma-Beschichtungsverfahren abgeschieden wird.
Bevorzugterweise wird anschließend an die Abscheidung der Nanopartikel auf die gekrümmte Oberfläche ein Erhitzungsprozess auf einige hundert Grad Celsius, insbesondere 400°C, durchgeführt. Hierdurch wird die Verschmelzung der Nanopartikel zu halbleitenden Strukturen verbessert.
Ein bevorzugter Verfahrensschritt sieht vor, dass auf der oberen Fläche der Halbleiterschichten, welche der gekrümmten Oberfläche abgewandt ist, eine elektrisch leitende Vorder-Kontaktschicht ausgebildet wird, welche insbesondere für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtig ist.
Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen oder deren Unterkombinationen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung weiter erläutert. Im Einzelnen zeigt die schematische Darstellung in:

1 eine erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement.

1 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement 1, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren direkt auf der Oberfläche hergestellt worden ist.
Das als Solarzelle 2 ausgebildete Halbleiterbauelement 1 ist auf der unebenen, gekrümmten Oberfläche 31 eines Fahrzeugbauteils 3 (Karosserieformteils) ausgebildet.
Die Schichten 4, 5, 7, 8, 9, 10, 11, 12 der Solarzelle sind hierbei aus mittels einer Emulsion abgeschiedenen Nanopartikeln hergestellt.
Die Nanopartikel bestehen dabei aus mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial, beispielsweise aus einem Elementhalbleiter, insbesondere Silizium, einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, insbesondere aus Germanium und Silizium.
Die Solarzelle 2 weist zur Energieumwandlung eine photoaktive pn-Halbleiterschicht 8 mit einer auf der oberen Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen n-Halbleiterschicht 7 und einer auf der unteren Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen p-Halbleiterschicht 9 auf. Hier ist photovoltaisch aktives, dotiertes Silizium als Grundstoff für die die Halbleiterschicht bildenden Nanopartikel durch gute und billige Verfügbarkeit sehr gut geeignet.
Zur Stromabnahme ist an der Unterseite (der der gekrümmten Oberfläche 31 zugewandten Seite) eine elektrisch leitende Rück-Kontaktschicht 5 aus Metall ausgebildet und an der Oberseite, welche der gekrümmten Oberfläche 31 abgewandt ist, eine elektrisch leitende Vorder-Kontaktschicht 11 ausgebildet. Die Vorder-Kontaktschicht 11 ist für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtig, damit die Lichtquanten die Halbleiterschichten erreichen können. Als Material wird zum Beispiel Indium-Zinnoxid ("ITO") verwendet, das diese Voraussetzungen erfüllt. Hier ist auch genauso ein elektrisch leitendes, ebenso durchsichtiges Polymer möglich. Ebenso sind die bekannten gitter- oder fadenartig ausgebildeten Metallstrukturen zur Stromableitung auf der Oberseite möglich.
Damit es nicht zu ungewollten Stromabflüssen kommt, ist die Solarzelle an seiner an die gekrümmte Oberfläche 31 angrenzenden Fläche mit einer elektrisch isolierenden Isolationsschicht 4 versehen. Es ist auch denkbar, dass weder Isolationsschicht noch Rück-Kontaktschicht vorgesehen sind, dann wird die Aufgabe der Stromableitung durch das Metall des Karosserieteils selbst übernommen.
Zwischen der Vorder-Kontaktschicht 11 und der p-Halbleiterschicht 9 ist eine Antireflexschicht 10 aufgebracht, damit die Lichtquanten nicht ungenutzt wieder ausgespiegelt werden können. Die Antireflexschicht kann durch ein geeignetes Material oder aber auch durch eine Oberflächenstrukturierung einer vorhandenen Schicht gebildet werden.
Zum Schutz der Vorder-Kontaktschicht 11 gegen mechanische und/oder chemische Störeinflüsse ist auf der Vorder-Kontaktschicht eine für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtige Schutzschicht 12 aufgebracht. Hier kann ein einfacher Lack oder ähnliches Anwendung finden.
Zur Herstellung der einzelnen Schichten aus den mono- oder polykristallinen Nanopartikeln werden diese mittels einer Emulsion, in der die Nanopartikel enthalten sind, über die Fläche gebracht, auf der sie abgeschieden werden sollen. Nach Entfernen der Trägerflüssigkeit durch einen Heiz- und Trocknungsschritt bilden dann die gewöhnlich in einem Durchmesserbereich von 1 nm bis 100 nm liegenden Nanopartikel die Schicht. Damit diese noch in ihren physikalischen, insbesondere elektrischen Eigenschaften verbessert wird, kann noch ein Heizprozess bei einigen hundert Grad Celsius vorgesehen sein, beispielsweise 400°C, der auch die Kristalleigenschaften des abgeschiedenen Halbleitermaterials verbessert.
Das die Nanopartikel bildende mono- oder polykristalline Halbleitermaterial kann aus einem Elementhalbleiter, beispielsweise Silizium, aber auch aus einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, beispielsweise aus Germanium mit Silizium, bestehen.
Hier ist die Wahl nach entsprechenden Randparametern wie Kosten und sonstige Eigenschaften zu wählen.
Anstelle eines Emulsions-Auftragungsverfahrens kann auch mittels eines bekannten Plasmaverfahrens erreicht werden, dass die Nanopartikel auf die Oberfläche abgeschieden werden. Hier ist eine entsprechende Wahl nach den örtlichen Begebenheiten zu treffen.
Nach Bedarf kann noch auf der gekrümmten Oberfläche 31 vor dem Aufbringen einer metallenen Rück-Kontaktschicht 5 für die Solarzelle 2 eine elektrisch isolierende Isolationsschicht 9 hergestellt werden, damit keine ungewollten Stromabflüsse über das Material des Fahrzeugbauteils entstehen.
Um die ungewollte Auskopplung von Licht aus der Solarzelle zu vermindern, ist eine auf die obere Halbleiterschicht 9 oder auf die auf der oberen Halbleiterschicht hergestellten Vorder-Kontaktschicht 11 eine Antireflexschicht 10 aufzubringen.
Eine solche Antireflexschicht 10 kann durch einen Oberflächenstrukturierungsprozess einer Oberfläche, einer der Schichten oder durch eine eigene aufgebrachte Schicht erreicht werden.
Schließlich kann noch zum Schutz der Solarzelle, beispielsweise auf der Vorder-Kontaktschicht 11 oder einer darauf befindlichen Antireflexschicht, eine gegen mechanische und/oder chemische Störeinflüsse schützende, für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtige Schutzschicht 12 aufgebracht werden.

1: Halbleiterbauelement
2: Wandelement
3: Fahrzeugbauteil
31: Oberfläche des Fahrzeugbauteils
4: Isolationsschicht
5: Rück-Kontaktschicht
7: n-Halbleiterschicht
8: pn-Halbleiterschicht
9: p-Halbleiterschicht
10: Antireflexschicht
10a: obere Fläche
11: Vorder-Kontaktschicht
12: Schutzschicht

Claims

Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, dass es auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche (31), insbesondere eines Fahrzeugbauteils (3), ausgebildet ist, wobei das Halbleiterbauelement (1) direkt auf der Oberfläche abgeschieden oder aufgewachsen ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement eine Solarzelle (2) ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die gekrümmte Oberfläche (31) die Oberfläche eines Fahrzeugbauteils (3) ist, insbesondere eines Karosserieformteils, insbesondere der Motorhaube, des Kofferraumdeckels oder des Daches oder ein Dachelement, insbesondere aus Glas, ist.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Schicht (4, 5, 7, 8, 9, 10, 11, 12) des in Schichten aufgebauten Halbleiterbauelements (1) wenigstens teilweise aus Nanopartikeln hergestellt ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanopartikel aus mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial bestehen und aus einem Elementhalbleiter, insbesondere Silizium, einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, insbesondere aus Germanium und Silizium, bestehen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial photovoltaisch aktives, dotiertes Silizium ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial durch eine die Nanopartikel transportierende Emulsion oder ein Plasmaverfahren auf die Oberfläche abgeschieden worden ist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement (1) eine photoaktive pn-Halbleiterschicht (8) mit einer auf der einen Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen n-Halbleiterschicht (7) und einer auf der anderen Fläche der pn-Halbleiterschicht befindlichen p-Halbleiterschicht (9) aufweist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement (1) auf der der gekrümmten Oberfläche (31) zugewandten Seite, eine elektrisch leitende Rück-Kontaktschicht (5), insbesondere aus Metall, aufweist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement an seiner an die gekrümmte Oberfläche (31) angrenzenden Fläche eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (4) aufweist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der oberen Seite des Halbleiterbauelements, welche der gekrümmten Oberfläche (31) abgewandt ist, eine elektrisch leitende Vorder-Kontaktschicht (11) ausgebildet ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Vorder-Kontaktschicht (11) für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtig ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorder-Kontaktschicht (11) im wesentlichen aus Zinkoxid oder aus einem elektrisch leitenden Polymer besteht.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorder-Kontaktschicht (11) aus fadenartig ausgebildeten Metallstrukturen besteht.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Vorder-Kontaktschicht (11) und einer Halbleiterschicht (7, 8, 9) oder direkt auf der Vorder-Kontaktschicht (11) eine Antireflexschicht (10) aufgebracht ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Antireflexschicht (10) durch eine geeignete Oberflächenstrukturierung gebildet ist.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Vorder-Kontaktschicht (11) eine gegen mechanische und/oder chemische Störeinflüsse schützende, für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtige Schutzschicht (12) aufgebracht ist.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, dadurch gekennzeichnet, dass es direkt auf einer unebenen, gekrümmten Oberfläche (31), insbesondere eines Fahrzeugbauteils (3), abgeschieden wird, wobei wenigstens eine Schicht (4, 5, 7, 8, 9, 10, 11, 12) des in Schichten aufgebauten Halbleiterbauelements (1) wenigstens teilweise aus Nanopartikeln hergestellt wird, die auf die gekrümmte Oberfläche zur Bildung der Schicht aufgebracht werden.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Halbleiterbauelement eine Solarzelle (2) hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass Nanopartikel aus mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial verwendet werden, wobei dieses aus einem Elementhalbleiter, insbesondere Silizium, einem Verbindungshalbleiter oder einer Kombination aus Element- und Verbindungshalbleitern, insbesondere aus Germanium und Silizium, besteht.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Halbleitermaterial photovoltaisch aktives, dotiertes Silizium gewählt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanopartikel einer Schicht durch eine dieselben transportierende Emulsion auf die gekrümmte Oberfläche aufgebracht werden.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die anderen Bestandteile der Emulsion, welche nicht aus den Nanopartikeln gebildet werden und nur zum Transport der Nanopartikel dienen, durch einen Trocknungs- und Ausheizvorgang von der gekrümmten Oberfläche entfernt werden.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanopartikel einer Schicht durch ein dieselben auf die gekrümmte Oberfläche (31) aufbringendes Plasma-Beschichtungsverfahren abgeschieden werden.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend an die Abscheidung der Nanopartikel auf die gekrümmte Oberfläche ein Erhitzungsprozess auf einige hundert Grad Celsius, insbesondere 400°C, durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass als gekrümmte Oberfläche (31) die Oberfläche eines Fahrzeugbauteils (3), welches insbesondere ein Karosserieformteil ist, insbesondere der Motorhaube, des Kofferraumdeckels oder des Daches oder ein Dachelement, insbesondere aus Glas, verwendet wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass auf der gekrümmten Oberfläche (31) eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (4) hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass auf der gekrümmten Oberfläche (31) eine elektrisch leitende Rück-Kontaktschicht (5), insbesondere aus Metall, abgeschieden wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass auf der gekrümmten Oberfläche (31) eine n- oder p-Halbleiterschicht (9), darauf eine photoaktive pn-Halbleiterschicht (8) und darauf eine p- oder n-Halbleiterschicht (7) hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass auf die obere Halbleiterschicht eine Antireflexschicht (10) aufgebracht wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 18 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass auf der oberen Fläche (10a) der Halbleiterschichten, welche der gekrümmten Oberfläche (31) abgewandt ist, eine elektrisch leitende Vorder-Kontaktschicht (11) ausgebildet wird, welche insbesondere für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtig ist.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass als Material für die Vorder-Kontaktschicht (11) im wesentlichen Zinkoxid oder elektrisch leitendes Polymer verwendet wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Vorder-Kontaktschicht (11) eine Antireflexschicht (10) aufgebracht wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 30 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Antireflexschicht (10) durch eine Oberflächenstrukturierung der darunter oder darüber liegenden Schicht gebildet wird.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 31 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Vorder-Kontaktschicht (11) eine gegen mechanische und/oder chemische Störeinflüsse schützende, für den wesentlichen Teil des Sonnenspektrums durchsichtige Schutzschicht (12) aufgebracht wird.