DE10203730B4 - Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Abscheidung von metallfreien amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten auf Substraten,
bei dem von Targets auf die Substrate gesputtert oder mittels Bogenverdampfung abgeschieden wird,
bei dem mehrere Targets eingesetzt werden,
bei dem die Targets mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt werden,
bei dem unterschiedliche, durch Blenden abtrennbare Targets eingesetzt werden, die zu zeitlich unterschiedlichen Abschnitten freigegeben werden und eine Doppel- beziehungsweise Multilagenbeschichtung des Substrates herbeiführen.
bei dem mindestens eines der eingesetzten Targets ein reines Kohlenstoff-Target ist,
bei dem das Substrat mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt wird, und
bei dem eine Ionenstromdichte von mindestens 1 mA/cm2 am Substrat erreicht wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von metallfreien amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten durch Sputtern von Targets auf Substrate.
  • Für viele Anwendungsfälle ist es interessant, dünne Kohlenstoffschichten auf Substraten abzuscheiden. Dabei geht es insbesondere um Schichten aus hartem und verschleißfestem diamantähnlichen Kohlenstoff, wobei diese Schichten auch als DLC(diamond like carbon)-Schichten oder auch a-C:H-Schichten bezeichnet werden. Diese Schichten enthalten neben Kohlenstoff auch Wasserstoff mit einer Konzentration zwischen 10 und 30 Atomprozent, Metallanteile in weniger als 0,1 Atomprozent und andere Verunreinigungen (beispielsweise Sauerstoff, Stickstoff, Argon) mit einer Gesamtkonzentration von weniger als 3 Atomprozent.
  • Zur Abscheidung dieser harten amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten (DLC beziehungsweise a-C:H) und zu ihren Eigenschaften gibt es zahlreiche Publikationen. Derartige Schichten weisen neben sehr niedrigen Reibwerten gegenüber Stahl (< 0,2) eine hohe Härte- und Verschleißbeständigkeit auf. Die DLC-Schichten sind in der Regel chemisch inert, elektrisch isolierend mit spezifischen Widerständen von mehr als 106 Ohmzentimenter und sie sind im infraroten Spektralbereich transparent.
  • Qualitativ hochwertige a-C:H-Schichten, insbesondere qualitativ hochwertig hinsichtlich Härte und Verschleiß, werden heute vorwiegend noch in relativ kleinen Anlagen mittels plasmaaktivierter Gasphasenabscheidung (plasma activated chemical vapour deposition, kurz PACVD) hergestellt. Dabei werden überwiegend Hochfrequenztechniken mit Frequenzen von mehr als einem Megahertz (MHz) eingesetzt, in der Regel 13,56 MHz. Dabei ist die plasmaerzeugende Elektrode gleichzeitig das zu beschichtende Substrat. Als Kohlenstoffquelle werden dabei Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise Acetylen (C2H2) oder Methan (CH4), eingesetzt. Die Schichten entstehen durch Abscheidung von Ionen und Radikalen aus einer Glimmentladung auf einem ungeheizten Substrat.
  • Sehr nachteilig ist es, dass diese Hochfrequenzverfahren zur DLC-Abscheidung nur schwer hochskaliert werden können. Es wird eine negative Self-Bias-Spannung UB von einigen 100 Volt benötigt. Diese Spannung UB hängt aber stark vom Verhältnis der Flächen der Substratelektrode zur Anode ab. Als Anode wird in der Regel das geerdete Gehäuse der Anlage verwendet. UB sinkt dabei mit zunehmender Größe der Substratelektrode erheblich ab. Eine größere Substratfläche erfordert außerdem leistungsstärkere Hochfrequenzgeneratoren, um etwa konstante Leistungsdichten am Substrat noch aufrechtzuerhalten. Derartige leistungsstarke Hochfrequenzgeneratoren sind allerdings sehr teuer und reduzieren damit die Wirtschaftlichkeit derartiger Verfahren.
  • Um dieses Problem zu umgehen, ist daher schon vorgeschlagen worden, stattdessen den Mittelfrequenzbereich zwischen einem und einigen hundert kHz zur Abscheidung von a-C:H-Schichten zu nutzen. Die DE 195 13 614 C1 und andere haben dabei sowohl harmonische Wechselspannungen als auch gepulste Gleichspannungen vorgeschlagen. Auch hier handelt es sich aber meist um PACVD-Verfahren, bei denen wiederum die Substratelektrode gleichzeitig die plasmaerzeugende Elektrode ist. Dadurch ist es nicht möglich, Beschichtungsparameter wie beispielsweise den Ionenstrom und die Ionenenergie unabhängig voneinander einzustellen. Auch hier sind daher wirtschaftlichen Einsätzen derartiger Verfahren Grenzen gesetzt.
  • Ähnliche Probleme bestehen bei Konzeptionen etwa nach der DE 196 51 615 C1 , in der ein PVD-Verfahren vorgeschlagen wird. Dort wird am Target mit mittelfrequenter Spannung gearbeitet, um einen reaktiven Sputterprozess zu erhalten.
  • S. Fujimaki, H. Kashiwase und Y. Kokaku haben in „New DLC coating method using magnetron plasma in an unbalanced magnetic field” in: Vacuum 59 (2000), Seiten 657 bis 664 eine modifizierte Vorgehensweise angeregt, die sie als Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) bezeichnen. Zum Beschichten von Magnetspeicherplatten werden diese nahe am Target und in der Entladungszone des Targets als ebene Substrate in einen Bereich hoher Plasmadichte eingebracht. Der Abstand des Substrats vom Target bzw. der Kathode beträgt 40 mm und bleibt während der Beschichtung konstant, da alle Elemente zueinander in einer festen, unbeweglichen Position stehen. Eine unbalancierte Magnetronkathode am Target liefert die Plasmaunterstützung. Am Substrat liegt eine gepulste Gleichspannung (DC) an, um Substrataufladungen zu vermeiden. Es entstehen sehr dünne (15 nm) und polymerartige Schichten mit hohem spezifischem Widerstand, aber relativ niedriger Härte von weniger als 15 GPa. Die extrem geringe Schichtdicke und die niedrige Härte sind für viele Anwendungsfälle nicht ausreichend.
  • Ältere, beispielsweise aus der US 4,597,844 A bekannte Vorschläge zur Abscheidung von amorphen Kohlenstoff und Wasserstoff enthaltenden Schichten verwenden Graphittargets und nur Wasserstoff und/oder Fluor enthaltende Reaktivgase. Dies führt zu polymerartigen Schichten mit sehr hohen spezifischen Widerständen von mehr als 108 Ohmzentimetern und einem Wasserstoffgehalt in den Schichten von 0,5 bis 0,9, gemessen am Verhältnis von der Zahl der Wasserstoffatome zur Zahl der Kohlenstoffatome (H/C). Diese Schichten entsprechen nicht mehr den gestiegenen Anforderungen.
  • Von daher sind gänzlich andere Ansätze zur Erzielung von Kohlenstoffschichten mit den geeigneten Eigenschaften getätigt worden. So sind metallhaltige Kohlenstoffschichten vorgeschlagen worden, erstmals in der EP 0 087 836 B1 . Derartige, meist als Me-C:H oder Me-DLC bezeichnete Schichten werden in industrierelevanten Dimensionen in Vakuumbeschichtungsverfahren hergestellt, und zwar durch Zerstäuben (Sputtern) einer Festkörperoberfläche (eines Targets) durch Beschuss mit energiereichen Ionen. Als Targetmaterialien dienen üblicherweise Carbid-bildende Metalle wie Titan, Niob, Chrom, Wolfram oder auch Carbide wie Wolframcarbid. Ein Nachteil derartiger Schichten ist allerdings, dass ihre niedrigsten Verschleißraten, gemessen mit einem Kalotten-Tester, zwischen etwa 2 und 5 VE liegen, also wesentlich schlechter sind, als die von harten a-C:H-Schichten, die etwa zwischen 0,5 und 1 VE betragen. 1 VE ist eine Verschleißeinheit und entspricht 10–15 m3/Nm.
  • Es ist daher versucht worden, den Metallanteil in derartigen Schichten zu reduzieren, indem die metallischen Targets durch eine modifizierte Prozessführung weitgehend mit Kohlenstoff bedeckt werden, was als „Vergiftung” bezeichnet wird. Derartige Verfahren sind aber schwer zu beherrschen, da die Entladungsprozesse sehr instabil werden und nicht über längere Zeiten aufrecht zu erhalten sind.
  • Als weiterer Ansatz wird daher von Da-Yung Wang, Chi-Lung Chang und Wei-Yu Ho in „Characterisation of hydrogen – free diamond – like carbon films deposited by pulsed plasma technology” in: Thin Solid Films 355 bis 356 (1999), Seiten 246 bis 251 ein Beschichtungsverfahren für eine titandotierte, also metallhaltige, dafür aber wasserstofffreie Schicht vorgeschlagen. Die Autoren führen die mangelnde Härte bekannter Schichten auf das Vorhandensein von Wasserstoffatomen zurück. Sowohl die verwendeten Graphit- als auch die Titantargets und das Substrat werden jeweils mit gepulsten Mittelfrequenz-Gleichspannungen (DC) versorgt. Die entstehenden Schichten unterscheiden sich natürlich deutlich von wasserstoffhaltigen Beschichtungen.
  • Es besteht daher unverändert der Wunsch, metallfreie Kohlenstoffschichten abzuscheiden, um die Nachteile der Me-C:H-Schichten nicht in Kauf nehmen zu müssen. Gewünscht wäre ein Verfahren zur Abscheidung einer derartigen metallfreien Kohlenstoffschicht, das auch in größerem Maßstab und wirtschaftlich eingesetzt werden kann.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein derartiges Verfahren vorzuschlagen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zur Abscheidung von metallfreien amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten auf Substraten, bei dem von Targets auf die Substrate gesputtert oder mittels Bogenverdampfung abgeschieden wird, bei dem mehrere Targets eingesetzt werden, bei dem die Targets mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt werden, bei dem unterschiedliche, durch Blenden abtrennbare Targets eingesetzt werden, die zu zeitlich unterschiedlichen Abschnitten freigegeben werden und eine Doppel- beziehungsweise Multilagenbeschichtung des Substrates herbeiführen bei dem mindestens eines der eingesetzten Targets ein reines Kohlenstoff-Target ist, bei dem das Substrat mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt wird, und bei dem eine Ionenstromdichte von mindestens 1 mA/cm2 am Substrat erreicht wird.
  • Überraschenderweise zeigte sich, dass bei einem derartigen Verfahren die von herkömmlich hergestellten a-C:H beziehungsweise DLC-Schichten bekannten Verschleiß- und Härtewerte erreicht und zum Teil noch übertroffen werden können. Bisher war es nicht für möglich gehalten worden, mit einem reinen Gleichstrom-Sputter-Verfahren derartige Werte erreichen zu können, also ohne den Einsatz von Hochfrequenz- oder wenigstens Mittelfrequenz-Verfahren. Nur bei den in der Qualität schlechteren und ganz anders aufgebauten Me-C:H-Schichten wurde bisher ein Sputtern als sinnvoll gesehen, für a-C:H-Schichten sind nur Entladungen von Kohlenstoffplasmen in Betracht gezogen worden.
  • Zu unterscheiden ist dabei noch zwischen der negativen Vorspannung am Target und der negativen Vorspannung am Substrat. Die negative Vorspannung am Target selbst ist erfindungsgemäß eine negative Gleichspannung. Die negative Vorspannung am Substrat ist eine ebenfalls negative Gleichspannung.
  • Es ist aber in einer anderen Ausführungsform auch möglich, die negative Vorspannung am Substrat mit einer Mittelfrequenzspannung zwischen 30 und 300 kHz anzuregen. Es wird dann unverändert vom Target mit Gleichstrom gesputtert, da dort eine negative Gleichspannung anliegt, im Gegensatz etwa zur DE 196 51 615 C1 .
  • In der DE 100 18 143 A1 wird zwar mit einer Mittelfrequenz am Substrat gearbeitet, dort aber findet kein Sputtern von einem Target statt.
  • Als Kohlenstoff-Target wird bevorzugt ein reines Graphit-Target eingesetzt, da sich dieses Material besonders bewährt hat. In bestimmten Anwendungsfällen ist aber auch Glaskohlenstoff von Vorteil.
  • Dabei lassen sich die besten Werte erreichen, wenn in der unbalancierten Magnetron-Betriebsart gearbeitet wird. Dadurch werden in einem Substrat wesentlich höhere Ionenstromdichten realisiert, als im balancierten, konventionellen Magnetronbetrieb. Diese Ionenstromdichten haben sich als erforderlich herausgestellt, um die harte DLC-Modifikation abzuscheiden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Abscheidung lässt sich relativ einfach hochskalieren, ebenso wie das Verfahren, mit dem sonst Me-DLC-Schichten, also deutlich schlechtere Schichten, hochskalierbar sind.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren handelt es sich um ein reines Gleichstromverfahren. Dadurch werden keine kostenintensiven Hochfrequenz(HF-) oder Mittelfrequenz(MF-)Stromversorgungen benötigt und es gibt auch keine schwer beherrschbaren Plasmazustände, also auch keine Entladungen an unerwünschten Orten in der Beschichtungskammer, die bei Mittelfrequenz und Hochfrequenz gelegentlich auftreten.
  • Erfindungsgemäß lässt sich zuverlässiger, kostengünstiger und auch mit geringerem apparativem Aufwand eine Beschichtungsqualität erreichen, die der herkömmlichen mit viel größerem Aufwand erzielbaren ohne weiteres vergleichbar ist und sich auch auf deutlich größere Substratflächen anwenden lässt.
  • Von besonderem Vorteil ist es auch, dass das erfindungsgemäße Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten auch in eine PVD-(physical vapour deposition)Beschichtungsanlage integriert werden kann. Dadurch wird es besonders einfach möglich, die für eine optimale Haftung sinnvoll erscheinenden Zwischenschichten aus Übergangsmetallen wie Titan, Niob oder Chrom zunächst abzuscheiden, bevor dann die eigentlich gewünschte metallfreie Kohlenstoffschicht über dieser Zwischenschicht abgeschieden wird.
  • Das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren ist außerordentlich flexibel. Bei Verwendung mehrerer Targets können mit einer für das Verfahren geeigneten Anlage DLC Schichten abgeschieden werden, auch in Multilagen.
  • Außerdem lassen sich Kombinationen von zum Beispiel DLC- und Kohlenstoffnitridschichten (CNX-Schichten) herstellen. Hierzu wird beispielsweise am Ende des Beschichtungsvorganges das Kohlenwasserstoffreaktivgas durch Stickstoff ersetzt. Eine solche Schicht ist zum Beispiel sinnvoll, wenn harte und außerdem gut benetzende Schichten benötigt werden. CNX (X bis 0,2) weist eine deutlich höhere Oberflächenenergie und damit eine bessere Benetzung als DLC auf.
  • Als Reaktionsgas hat sich eine Mischung aus einem oder mehreren Edelgasen und einem oder mehreren Kohlenwasserstoffen bewährt. Besonders bevorzugt ist eine Mischung aus Argon und Acetylen.
  • Zur Haftungsverbesserung können erfindungsgemäß beispielsweise Zwischenschichten abgeschieden werden, die aus Metallen, Metallnitriden, Metallcarbiden, Metallcarbonitriden oder auch aus Mehrlagenanordnungen aus diesen Komponenten bestehen. Besonders bevorzugt ist dabei ein Dickenbereich zwischen 0,02 und 2 μm.
  • Bevorzugt wird außerdem eine Deckschicht abgeschieden, die ausschließlich Kohlenstoff und Wasserstoff und/oder Stickstoff und weniger als 0,1% Metallverunreinigungen enthält.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung wird das Reaktivgas während des Beschichtungsvorganges mit zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen sowie mit Stickstoff und/oder Sauerstoff gemischt oder durch Stickstoff ersetzt.
  • Dabei ist es bevorzugt, wenn die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Silizium enthalten oder wenn die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Tetramethylsilan (TMS) enthalten oder wenn die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Hexamethyldisiloxan (HMDSO) enthalten. Silizium ist kein Metall, wenn es auch metallische Eigenschaften hat. Der Einbau von Silizium in die gewünschten Schichten ist mit diesen zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen besonders leicht möglich.
  • Im Folgenden werden anhand einiger Ausführungsbeispiele Möglichkeiten für eine Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben. Es handelt sich dabei um praktisch erprobte Ausführungsbeispiele.
  • In einem ersten Beispiel erfolgt die Abscheidung einer metallfreien Kohlenstoffschicht in einer Gleichstrom-Magnetron-Sputteranlage mit vier Sputterkatoden. Es wird mit unbalancierten Magnetrons gearbeitet. Als Substrate dienen Flachproben aus Kugellagerstahl 100 Cr6 sowie dünne, etwa 0,2 mm messende Siliziumscheiben, ferner HSS-Spiralbohrer und andere metallische Substrate mit komplexen Geometrien. Die Substrate werden auf Standard-Substrathaltern für Mehrfachrotationen (2-fach oder 3-fach) befestigt und rotieren während des gesamten Beschichtungsprozesses.
  • Es werden insgesamt vier Targets eingesetzt, nämlich zwei aus Graphit und zwei aus Titan. Letztere dienen zur Herstellung einer metallischen Haftvermittlerschicht, die unterhalb der metallfreien Kohlenstoffschicht angeordnet werden soll.
  • Der Beschichtungsprozess lässt sich in vier Abschnitte unterteilen: in einem ersten Abschnitt wird das Substrat durch Ionenätzen (Ar+) gereinigt, wobei die Targets durch eine Blende, den sogenannten Shutter, abgedeckt sind. In einem zweiten Schritt wird dieser Shutter vor den beiden Titan-Targets geöffnet, während die beiden Graphit-Targets abgedeckt bleiben. Es wird die metallische Haftvermittlerschicht aus Titan durch nichtreaktives Sputtern des Titans mit Argon aufgebracht.
  • In einem dritten Abschnitt wird in den reaktiven Sputterprozess übergeleitet. Dabei wird zunächst langsam das Reaktivgas C2H2 zum Sputtergas dazugegeben und der C2H2-Gasfluss in einer Rampe bis zum festgelegten Endwert gesteigert. Die Titan-Targets werden abgeschaltet und die Graphit-Targets durch Öffnen der entsprechenden Shutter nehmen ihre Tätigkeit auf.
  • In einem vierten Schritt wird die metallfreie Kohlenstoffschicht in Form einer DLC-(Diamond like Carbon)Schicht mit einem konstanten C2H2-Fluss bei einer konstanten Gleichstrom-Bias-Spannung von minus 300 Volt abgeschieden. In einem praktischen Versuch beträgt die Abscheiderate 0,8 μm pro Stunde und die erreichte Schichtdicke 2,5 μm.
  • Die Schichtzusammensetzung kann mittels Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) und die Struktur mittels Raman-Spektroskopie analysiert werden. Zur Charakterisierung der mechanischen und tribologischen Eigenschaften sind die Härte und der abrasive Verschleiß und auch die Haftung interessant. Die Härte kann mit einem Indentor-Verfahren, die Verschleißwerte mit einem Kalotten(Calo)-Tester und die Haftung mittels eines Rockwell-Eindruck-Testes sowie mittels Scretch-Testen bestimmt werden.
  • Eine Versuchsauswertung zeigt, dass sowohl die Zusammensetzung der Schichten als auch die Verschleiß- und Härtewerte als auch die Haftung der erfindungsgemäß erzeugten Schicht praktisch identisch derjenigen ist, die bei einer herkömmlich mittels Hochfrequenzverfahren abgeschiedenen DLC-Schicht erreicht werden konnte. Trotz der deutlich vorteilhafteren und einfacheren Herstellungsmöglichkeiten zeigt sich also keinerlei Qualitätsnachteil bei der Schicht.
  • Die Rockwellhärte (HRC) der Substrate ist sowohl beim herkömmlichen als auch beim erfindungsgemäßen Verfahren gegenüber dem Zustand vor den Beschichtungen (HRC ungefähr 62) nahezu unverändert. Dies zeigt, dass die Substrattemperaturen bei dem herkömmlichen und bei dem erfindungsgemäßen Verfahren jeweils unter 200°C bleiben.
  • Bei einem zweiten Beispiel erfolgt die Schichtabscheidung ebenfalls in einer Gleichstrom-Magnetron-Sputter-Anlage mit vier Sputterkathoden. Es wird wiederum mit unbalancierten Magnetrons gearbeitet. Zwei Targets bestehen wiederum aus Graphit, die beiden anderen Targets aus Niob (Nb). Die Substrate sind die gleichen wie im ersten Beispiel.
  • Der Beschichtungsprozess läuft wiederum in vier Abschnitten ab. Zunächst wird eine Substratreinigung durch Ionenätzen (Ar+) durchgeführt, wobei die Targets durch eine Blende (Shutter) abgedeckt sind. Als zweites werden die Shutter vor den Niob-Targets geöffnet und die metallische Haftvermittlerschicht (Nb) durch nichtreaktives Sputtern von Niob mit Argon aufgebracht. Als drittes wird in den reaktiven Sputter-Prozess mittels der beiden Graphit-Targets übergeleitet, und zwar durch langsame Zugabe des Reaktivgases C3H8 zum Sputtergas und durch Abschalten der Niob-Targets. Dabei wird der C3H8-Gasfluss in einer Rampe bis zum festgelegten Endwert gesteigert. Schließlich wird die Kohlenstoffschicht wiederum als DLC-Schicht mit einem konstanten C3H8-Fluss bei einer konstanten Gleichstrom-Bias-Spannung von minus 200 Volt abgeschieden. Die Abscheiderate beträgt bei diesem Versuch 1,4 μm pro Stunde und die erreichte Schichtdicke 3 μm.
  • Eine Analyse der Schichten erbringt in einem Versuch die gleichen Ergebnisse wie beim ersten Beispiel.
  • In einem dritten Beispiel werden jetzt im Gegensatz zu den beiden vorgehenden Beispielen Flachproben aus verschiedenen Stahlsorten beschichtet. Dabei wird hier auf die Rotation verzichtet. Mit einer Substratanordnung direkt gegenüber einem Graphit-Target wird eine um etwa den Faktor 3 höhere Beschichtungsrate erreicht.
  • Zunächst erfolgt vor einem Titantarget die Abscheidung der metallischen Zwischenschicht. Anschließend werden die Substrate vor ein Graphit-Target geschwenkt und verbleiben dann in dieser Position. Dann werden, wie in den anderen Beispielen, die Schritte des Überleitens in den reaktiven Sputter-Prozess und der Abscheidung der Kohlenstoffschicht durchgeführt. Dabei wird als Kohlenstoffträger in diesem Beispiel Acetylen genutzt.
  • Die Abscheiderate beträgt 2,3 μm pro Stunde, die erreichte Schichtdicke 5 μm.
  • Die Rockwellhärten (HRC) der Substrate nach den Beschichtungen sind auch bei einem Vergleich dieses erfindungsgemäßen Beispiels mit einem herkömmlichen Verfahren jeweils gegenüber dem Zustand vor den Beschichtungen mit HRC ungefähr 62 nahezu unverändert. Auch hier sind die Substrattemperaturen demnach unter 200°C geblieben.
  • In der folgenden Tabelle sind einige der bei den tatsächlich durchgeführten Beispielen festgestellten Ergebnisse zusammengestellt.
    Schicht Schichtdicke/μm Metall-Haftvermittler Wasserstoff -Gehalt/Atom-% Härte/GPa Abrasivverschleiß (relative Einheiten) Haftungs-Klasse
    HF-DLC (Referenz) 3,0 Ti 15 31 0,5–0,7 1
    DLC-Schicht – Beispiel 1 2,7 Ti 14 32 0,6–0,8 1
    DLC-Schicht – Beispiel 2 3,0 Nb 15 30 0,5–0,7 1–2
    DLC-Schicht – Beispiel 3 5,0 Ti 13 36 0,6–0,8 1–2

Claims (14)

  1. Verfahren zur Abscheidung von metallfreien amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten auf Substraten, bei dem von Targets auf die Substrate gesputtert oder mittels Bogenverdampfung abgeschieden wird, bei dem mehrere Targets eingesetzt werden, bei dem die Targets mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt werden, bei dem unterschiedliche, durch Blenden abtrennbare Targets eingesetzt werden, die zu zeitlich unterschiedlichen Abschnitten freigegeben werden und eine Doppel- beziehungsweise Multilagenbeschichtung des Substrates herbeiführen. bei dem mindestens eines der eingesetzten Targets ein reines Kohlenstoff-Target ist, bei dem das Substrat mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt wird, und bei dem eine Ionenstromdichte von mindestens 1 mA/cm2 am Substrat erreicht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eines der Targets ein Graphit-Target eingesetzt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eines der Targets ein Glaskohlenstoff-Target eingesetzt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der weiteren Targets ein metallisches Target ist.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Zwischenschicht zur Haftverbesserung aus Metallen, Metallnitriden, Metallcarbiden, Metallcarbonitriden oder Mehrlagenanordnungen mit diesen Komponenten abgeschieden wird, bevorzugt mit einer Dicke zwischen 0,02 μm und 2 μm.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Deckschicht aus Kohlenstoff, Wasserstoff und/oder Stickstoff mit Metallverunreinigungen von weniger als 0,1% abgeschieden wird.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat mit einer Mittelfrequenzspannung zwischen 30 und 300 kHz angeregt wird.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hohe Ionenstromdichte am Substrat dadurch erzielt wird, dass in der unbalancierten Magnetronbetriebsart gearbeitet wird.
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Reaktivgas eine Mischung aus Edelgasen und Kohlenwasserstoffgasen und/oder Kohlenwasserstoffdämpfen eingesetzt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Reaktivgas eine Mischung aus Argon und Acetylen eingesetzt wird.
  11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktivgas während des Beschichtungsvorganges mit zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen sowie mit Stickstoff und/oder Sauerstoff gemischt oder durch Stickstoff ersetzt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Silizium enthalten.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Tetramethylsilan enthalten.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zusätzlichen gas- oder dampfförmigen Verbindungen Hexamethyldisiloxan enthalten.
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