DE102023209144A1 - Waferbearbeitungsverfahren und bauelementchip-herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit mehreren an einer ersten Fläche von diesen ausgebildeten Bauelementen umfasst ein Positionieren eines ersten Brennpunkts eines ersten Laserstrahls auf einer ersten Höhe, und ein Emittieren des ersten Laserstrahls auf den Wafer von einer Seite aus, auf der eine zweite Fläche liegt, um dadurch eine Schutzschicht auszubilden, ein Positionieren eines zweiten Brennpunkts eines zweiten Laserstrahls auf einer zweiten Höhe, die weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und ein Emittieren des zweiten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, um dadurch eine Trennstartposition auszubilden, die aus einer modifizierten Schicht und einem Riss aufgebaut ist, und ein Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer, um den Wafer an der Trennstartposition zu teilen und einen Teil einschließlich der zweiten Fläche von dem Wafer abzutrennen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist und mehrere an der ersten Fläche ausgebildete Bauelemente aufweist, und ein Bauelementchip-Herstellungsverfahren zum Ausbilden einzelner Bauelementchips durch Teilen des bearbeiteten Wafers.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Chips von Halbleiterbauelementen werden im Allgemeinen unter Verwendung eines scheibenförmigen Wafers hergestellt, der aus einem Halbleitermaterial gefertigt ist, wie zum Beispiel Silizium (Si) oder Siliziumcarbid (SiC). Einzelne Bauelementchips können erhalten werden, wenn mehrere Bauelemente an einer ersten Fläche des Wafers angeordnet sind, der Wafer von dessen zweiten Fläche aus geschliffen wird und dadurch verdünnt wird und der Wafer in Teile geteilt wird, die jeweils eines der Bauelemente aufweisen. Die erhaltenen Bauelementchips werden in vielfältigen Arten elektronischer Einrichtungen, wie zum Beispiel Mobiltelefonen und Personal Computer, installiert und werden darin verwendet.
  • Jedoch gab es insofern Probleme, dass in einem Fall, in dem ein Material, das eine hohe Mohs-Härte aufweist, wie zum Beispiel Siliziumcarbid, geschliffen wird, insbesondere das Abnutzungsausmaß der Schleifsteine, welche die zum Schleifen verwendeten Werkzeuge sind, groß ist und viel Zeit für die Bearbeitung benötigt wird. Folglich wurde ein Verfahren entwickelt, bei dem eine Trennstartposition (das heißt eine Abziehschicht), die aus einer modifizierten Schicht und einem Riss aufgebaut ist, auf einer bestimmten Höhe in dem Wafer ausgebildet wird, sodass sie sich durch den Wafer hindurch erstreckt, und eine äußere Kraft auf den Wafer aufgebracht wird, um den Wafer an der Trennstartposition in zwei Teile zu trennen, was in einer Verdünnung des Wafers resultiert (siehe japanische Offenlegungsschrift Nr. 2017-28072 ).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Ausbildung der Trennstartposition wird erreicht, indem ein Laserstrahl dazu gebracht wird, von der Seite, auf der die zweite Fläche liegt, auf den Wafer emittiert zu werden, während ein Brennpunkt des Laserstrahls dazu gebracht wird, sich durch einen Bereich zu bewegen, in dem geplant ist, die Trennstartposition auszubilden. Jedoch hat dieses Verfahren das Problem, dass Komponenten des Laserstrahls, die nicht zu der Ausbildung der Trennstartposition beitragen, sich so weiter innerhalb des Wafers bewegen, dass sie die erste Fläche erreichen und einen Schaden an den Bauelementen verursachen können, die an der ersten Fläche angeordnet sind. Dies führt zu der Notwendigkeit, die Leistung des Laserstrahls zu beschränken, oder zu der Notwendigkeit, die Trennstartposition auf einer Höhe in einem erheblichen Abstand von der ersten Fläche auszubilden, was in dem Versagen resultiert, die Trennstartposition auf effiziente Weise auszubilden.
  • Dementsprechend wurde die vorliegende Erfindung erdacht, um ein Waferbearbeitungsverfahren, das ein effizientes Verdünnen eines Wafers ermöglicht, der an dessen erster Fläche Bauelemente angeordnet aufweist, und ein Bauelementchip-Herstellungsverfahren bereitzustellen, das eine effiziente Herstellung von Bauelementchips durch Teilung des Wafers ermöglicht.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereitgestellt, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche und mehrere an der ersten Fläche ausgebildete Bauelemente aufweist, wobei das Waferbearbeitungsverfahren einen Schutzschicht-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines ersten Brennpunkts eines ersten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer ersten Höhe in dem Wafer und einem Emittieren des ersten Laserstrahls auf den Wafer von einer Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, während eines Bewegens des ersten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine Schutzschicht auf der ersten Höhe in dem Wafer auszubilden, nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen Trennstartposition-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines zweiten Brennpunkts eines zweiten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer zweiten Höhe in dem Wafer, wobei die zweite Höhe weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und einem Emittieren des zweiten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, während eines Bewegens des zweiten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine modifizierte Schicht auf der zweiten Höhe in dem Wafer auszubilden und einen Riss auszubilden, der sich von der modifizierten Schicht erstreckt, um eine Trennstartposition auszubilden, die aus der modifizierten Schicht und dem Riss aufgebaut ist, und nach dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt einen Trennschritt mit einem Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer beinhaltet, um den Wafer an der Trennstartposition zu teilen und einen Teil einschließlich der zweiten Fläche von dem Wafer abzutrennen, um dadurch die zweite Fläche von dem Wafer zu entfernen.
  • Vorzugsweise weist der erste Laserstrahl in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen kleineren Einfluss auf die Bauelemente auf als ein Einfluss, der durch den zweiten Laserstrahl auf die Bauelemente ausgeübt wird, wenn der zweite Laserstrahl die erste Fläche ohne Durchgang durch die Schutzschicht erreicht.
  • Vorzugsweise beinhaltet das Waferbearbeitungsverfahren ferner nach dem Ausführen des Trennschritts einen Schleifschritt mit einem Schleifen einer hinteren Fläche des Wafers die auf einer der ersten Fläche gegenüberliegenden Seite exponiert ist, um dadurch die Schutzschicht zu entfernen und die hintere Fläche abzuflachen.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bauelementchip-Fertigungsverfahren zum Fertigen von Bauelementchips durch Teilen eines Wafers bereitgestellt, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist und mehrere Bauelemente an der ersten Fläche ausgebildet aufweist, wobei das Bauelementchip-Herstellungsverfahren einen Schutzschicht-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines ersten Brennpunkts eines ersten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die imstande ist, in den Wafer einzudringen auf einer ersten Höhe in dem Wafer und einem Emittieren des ersten Laserstrahls auf den Wafer von einer Seite, auf der die zweite Fläche liegt, während einer Bewegung des ersten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine Schutzschicht auf der ersten Höhe in dem Wafer auszubilden, nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen Trennstartposition-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines zweiten Brennpunkts eines zweiten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer zweiten Höhe in dem Wafer, wobei die zweite Höhe weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und einem Emittieren des zweiten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite, auf der die zweite Fläche liegt, während einer Bewegung des zweiten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine modifizierte Schicht auf der zweiten Höhe in dem Wafer auszubilden und einen Riss auszubilden, der sich von der modifizierten Schicht erstreckt, um eine Trennstartposition auszubilden, die aus der modifizierten Schicht und dem Riss aufgebaut ist, nach dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt einen Trennschritt mit einem Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer, um den Wafer an der Trennstartposition zu teilen und einen Teil einschließlich der zweiten Fläche von dem Wafer abzutrennen, um dadurch die zweite Fläche von dem Wafer zu entfernen, nach dem Trennschritt einen Schleifschritt mit einem Schleifen einer hinteren Fläche des Wafers, die auf einer der ersten Fläche gegenüberliegenden Seite exponiert ist, um dadurch die Schutzschicht zu entfernen und die hintere Fläche abzuflachen, und einen Teilungsschritt mit einem Teilen des Wafers in Teile beinhaltet, die jeweils eines der Bauelemente aufweisen, um dadurch mehrere Bauelementchips herzustellen, die jeweils mit einem der Bauelemente versehen sind.
  • Vorzugsweise weist der erste Laserstrahl in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen kleineren Einfluss auf die Bauelemente auf als ein Einfluss, der durch den zweiten Laserstrahl auf die Bauelemente ausgeübt wird, wenn der zweite Laserstrahl die erste Fläche ohne Durchgang durch die Schutzschicht erreicht.
  • In dem Waferbearbeitungsverfahren und dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit Aspekten der vorliegenden Erfindung wird als Erstes der erste Brennpunkt des ersten Laserstrahls auf der ersten Höhe positioniert und die Schutzschicht wird durch den ersten Laserstrahl ausgebildet. Danach wird der zweite Brennpunkt des zweiten Laserstrahls auf der zweiten Höhe positioniert, die weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und der zweite Laserstrahl wird zu dem zweiten Brennpunkt emittiert. Infolgedessen wird die Trennstartposition in dem Wafer ausgebildet.
  • In diesem Fall, wenn der zweite Laserstrahl auf den Wafer emittiert wird, erreichen Komponenten des zweiten Laserstrahls, die durch den zweiten Brennpunkt hindurchgehen und sich in Richtung der ersten Fläche des Wafers bewegen, die Schutzschicht vor einem Erreichen der ersten Fläche. Dann erreicht der zweite Laserstrahl die erste Fläche in einem Zustand, in dem er aufgrund einer Reflexion, Absorption, Diffusion, usw. des zweiten Laserstrahls durch die Schutzschicht in seiner Intensität vermindert ist. Es ist auch möglich, dass der zweite Laserstrahl die erste Fläche nicht erreicht. Folglich reduziert die Ausbildung der Schutzschicht die Wahrscheinlichkeit, dass die Bauelemente beschädigt werden, wenn der zweite Laserstrahl auf den Wafer emittiert wird.
  • In einem Fall, in dem die Schutzschicht in dem Wafer ausgebildet wird, ist es möglich, zu verursachen, dass der zweite Laserstrahl auf einer Höhe fokussiert wird, die näher an der ersten Fläche ist als in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik, und die Trennstartposition kann somit auf einer Höhe ausgebildet werden, die näher an der ersten Fläche liegt. In diesem Fall kann die Materialmenge reduziert werden, die nach dem Trennschritt von dem Wafer abzuschneiden ist, wenn der Wafer geschliffen und dadurch verdünnt wird, was in einer Verminderung des Abnutzungsausmaßes der Schleifsteine und einer erhöhten Standzeit der Schleifsteine resultiert.
  • Zudem kann in dem Fall die Dicke des von dem Wafer abgetrennten Teils erhöht werden. Dieser abgetrennte Teil mit einer erhöhten Dicke kann als ein neuer Wafer zum Fertigen von Bauelementchips verwendet werden. Selbst wenn ein Bauelementwafer aus diesem neuen Wafer hergestellt wird, kann ein dicker abgetrennter Teil zurückgelassen werden. Das heißt, es wird ermöglicht, eine größere Anzahl von Bauelementchips mit einem verminderten Materialverlust herzustellen.
  • Dementsprechend werden in Übereinstimmung mit Aspekten der vorliegenden Erfindung ein Waferbearbeitungsverfahren, das ein effizientes Verdünnen eines Wafers ermöglicht, der an dessen ersten Fläche Bauelemente angeordnet aufweist, und ein Bauelementchip-Fertigungsverfahren bereitgestellt, das ein effizientes Herstellen von Bauelementchips durch Teilen des Wafers ermöglicht.
  • Der obige und andere Gegenstände, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und ihre Umsetzungsweise werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wafer schematisch veranschaulicht;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Laserbearbeitungsvorrichtung schematisch veranschaulicht;
    • 3 ist ein Blockdiagramm, das die Struktur einer Laserstrahl-Emittiereinheit schematisch veranschaulicht;
    • 4 ist eine Schnittansicht, die den Wafer in einem Schutzschicht-Ausbildungsschritt schematisch veranschaulicht;
    • 5 ist eine Schnittansicht, die den Wafer in einem Trennstartposition-Ausbildungsschritt schematisch veranschaulicht;
    • 6A ist eine Schnittansicht, die den Wafer in einem Trennschritt schematisch veranschaulicht;
    • 6B ist eine Schnittansicht, die den Wafer in dem Trennschritt schematisch veranschaulicht;
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer in einem Schleifschritt schematisch veranschaulicht;
    • 8 ist eine Schnittansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Wafer geschliffen wird;
    • 9 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Wafer geteilt wird; und
    • 10 ist ein Flussdiagramm, das eine Abfolge von Schritten eines Waferbearbeitungsverfahrens und eines Bauelementchip-Herstellungsverfahrens veranschaulicht.
  • AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen durch ein Waferbearbeitungsverfahren zu bearbeitenden Wafer 11 und ein Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform schematisch veranschaulicht. In 4 werden schematische Schnittansichten des Wafers 11, usw. vorgestellt. Der Wafer 11 ist aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Silizium (Si) oder Siliziumcarbid (SiC) hergestellt. Es ist jedoch anzumerken, dass das Material des Wafers 11 nicht auf die obigen Beispiele beschränkt ist. Der Wafer 11 ist scheibenförmig und weist eine erste Fläche (das heißt eine vordere Fläche) 11a und eine zweite Fläche (das heißt eine hintere Fläche) 11b auf, die jeweils im Wesentlichen kreisförmig sind. Die zweite Fläche 11b liegt auf der Seite des Wafers 11, die der ersten Fläche 11a in der Dickenrichtung des Wafers 11 gegenüberliegt. Der Wafer 11 weist einen Durchmesser von beispielsweise in etwa 300 mm (12 Inch) auf und weist eine Dicke von beispielsweise in etwa 500 pm, gemessen von der ersten Fläche 11a zu der zweiten Fläche 11b auf. Es ist jedoch anzumerken, dass der Durchmesser und die Dicke des Wafers 11 auf die obigen Beispiele beschränkt sind.
  • Eine Kerbe 13, welche die Kristallorientierung des Wafers 11 angibt, ist in einem äußeren Umfangsabschnitt des Wafers 11 definiert. Die Kerbe 13 gibt eine spezifische Kristallorientierung an, die in dem Wafer 11 enthalten ist. Wie in 1 veranschaulicht, sind mehrere geplante Trennlinien (Straßen) 15 in einem Gittermuster an der ersten Fläche 11a eingerichtet. Bauelemente 17, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs) sind in jeweiligen Bereichen ausgebildet, die durch die mehreren geplanten Trennlinien 15 definiert werden. Wie oben beschrieben können Bauelementchips, die jeweils mit einem der Bauelemente 17 versehen sind, durch Verdünnen des Wafers 11 und Teilen des Wafers 11 entlang der geplanten Trennlinien 15 hergestellt werden.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Laserbearbeitungsvorrichtung 2 schematisch veranschaulicht, die für eine Laserbearbeitung des Wafers 11 verwendet wird. Eine X-Achsenrichtung (das heißt eine zweite Richtung) und eine Y-Achsenrichtung (das heißt eine erste Richtung), die in 2 veranschaulicht sind, sind Richtungen, die auf einer horizontalen Ebene senkrecht zueinander sind, und eine Z-Achsenrichtung ist eine Richtung (das heißt eine vertikale Richtung) senkrecht zu jeweils der X-Achsenrichtung und der Y-Achsenrichtung.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet eine Basis 4, die andere Komponenten von dieser unterstützt. Ein X- und Y-Achsen-Bewegungsmechanismus 6 ist an einer oberen Fläche der Basis 4 angeordnet. Der X- und Y-Achsen-Bewegungsmechanismus 6 beinhaltet ein Paar Y-Achsen-Führungsschienen 8, die an der oberen Fläche der Basis 4 befestigt und entlang der Y-Achsenrichtung angeordnet sind. An der oberen Seite des Paars Y-Achsen-Führungsschienen 8 ist eine Y-Achsen-Bewegungsplatte 10 so angebracht, dass sie entlang des Paars Y-Achsen-Führungsschienen 8 verschiebbar ist. Eine Kugelspindel ist auf der unteren Seite der Y-Achsen-Bewegungsplatte 10 angeordnet.
  • Die Kugelspindel beinhaltet einen nicht veranschaulichten Mutterabschnitt, der an einer unteren Fläche der Y-Achsen-Bewegungsplatte 10 befestigt ist. Ein Schraubenschaft 12 ist so mit dem Mutterabschnitt gekoppelt, dass er imstande ist, sich unter Verwendung nicht veranschaulichter Kugeln zu drehen. Der Schraubenschaft 12 ist entlang der Y-Achsenrichtung und zwischen dem Paar Y-Achsen-Führungsschienen 8 angeordnet. Ein Motor 14 zum Drehen des Schraubenschafts 12 ist mit einem Endabschnitt des Schraubenschafts 12 gekoppelt. Sobald der Motor 14 angetrieben wird, bewegt sich die Y-Achsen-Bewegungsplatte 10 entlang der Y-Achsenrichtung. Das Paar Y-Achsen-Führungsschienen 8, die Y-Achsen-Bewegungsplatte 10, der Schraubenschaft 12, der Mutterabschnitt, der Motor 14, usw. bilden zusammen einen Y-Achsen-Bewegungsmechanismus aus.
  • Ein Paar X-Achsen-Führungsschienen 16 ist an einer oberen Fläche der Y-Achsen-Bewegungsplatte 10 befestigt. Das Paar X-Achsen-Führungsschienen 16 ist entlang der Y-Achsenrichtung angeordnet. Auf der oberen Seite des Paars X-Achsen-Führungsschienen 16 ist eine X-Achsen-Bewegungsplatte 18 montiert, sodass sie entlang des Paars X-Achsen-Führungsschienen 16 verschiebbar ist. Auf der unteren Seite der X-Achsen-Bewegungsplatte 18 ist eine Kugelspindel angeordnet. Die Kugelspindel beinhaltet einen nicht veranschaulichten Mutterabschnitt, der an einer unteren Fläche der X-Achsen-Bewegungsplatte 18 befestigt ist. Ein Schraubenschaft 20 ist so mit dem Mutterabschnitt gekoppelt, dass er imstande ist, sich unter Verwendung von nicht veranschaulichten Kugeln zu drehen. Der Schraubenschaft 20 ist entlang der X-Achsenrichtung und zwischen dem Paar X-Achsen-Führungsschienen 16 angeordnet. Ein Motor 22 zum Drehen des Schraubenschafts 20 ist mit einem Endabschnitt des Schraubenschafts 20 gekoppelt. Sobald der Motor 22 angetrieben wird, bewegt sich die X-Achsen-Bewegungsplatte 18 entlang der X-Achsenrichtung. Das Paar X-Achsen-Führungsschienen 16, die X-Achsen-Bewegungsplatte 18, der Schraubenschaft 20, der Mutterabschnitt, der Motor 22, usw. bilden zusammen einen X-Achsen-Bewegungsmechanismus aus. Eine säulenförmige Tischbasis 24 ist auf der oberen Seite der X-Achsen-Bewegungsplatte 18 angeordnet. Die Tischbasis 24 beinhaltet eine nicht veranschaulichte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einen Motor.
  • Ein scheibenförmiger Spanntisch 26 ist an einem oberen Abschnitt der Tischbasis 24 angeordnet. Die Rotationsantriebsquelle ist imstande, zu bewirken, dass sich der Spanntisch 26 in einem vorbestimmten Winkelbereich um eine gerade Rotationsachse dreht, die durch eine Mitte einer Haltefläche 26a des Spanntischs 26 und parallel zu der Z-Achsenrichtung verläuft. Der Spanntisch 26 beinhaltet einen scheibenförmigen Rahmen, der aus einem nicht porösen Metall hergestellt ist.
  • Eine nicht veranschaulichte scheibenförmige Vertiefung ist in einer Mitte des Rahmens definiert. Eine scheibenförmige poröse Platte, die aus Keramik hergestellt ist, ist in dieser Vertiefung befestigt. Ein nicht veranschaulichter, vorgegebener Durchgang ist in dem Rahmen definiert. Ein Unterdruck wird durch den vorgegebenen Durchgang von einer nicht veranschaulichten Saugquelle, wie zum Beispiel einem Ejektor, zu einer oberen Fläche der porösen Platte übertragen. Eine ringförmige obere Fläche des Rahmens und die kreisförmige obere Fläche der porösen Platte sind im Wesentlichen bündig zueinander und dienen zusammen als Haltefläche 26a, die zum Halten des Wafers 11 unter Saugwirkung im Wesentlichen flach ist. In einem Zustand des Haltens unter Saugwirkung an der Haltefläche 26a kann der Wafer 11 durch den X- und Y-Achsenbewegungsmechanismus 6 entlang der X-Achsenrichtung und der Y-Achsenrichtung bewegt werden. An einem äußeren Umfangsabschnitt des Spanntischs 26 sind mehrere Klammereinheiten 26b (bei der vorliegenden Ausführungsform 4) in im Wesentlichen regelmäßigen Abständen entlang der Umfangsrichtung des Spanntischs 26 angeordnet. Die Klammereinheiten 26b halten zusammen einen Rahmen einer Rahmeneinheit, die nachfolgend beschrieben wird und zwischen diesen platziert ist.
  • Eine Stützstruktur 30 ist an einem vorbestimmten Bereich der Basis 4 angeordnet der sich hinter dem X- und Y-Achsen-Bewegungsmechanismus 6 befindet. Ein Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 32 ist an einer Seitenfläche der Stützstruktur 30 angeordnet, wobei sich die Seitenfläche entlang einer Y-Z-Ebene erstreckt. Der Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 32 beinhaltet ein Paar Z-Achsen-Führungsschienen 34. Das Paar Z-Achsen-Führungsschienen 34 ist an der Seitenfläche der Stützstruktur 30 befestigt und ist entlang der Z-Achsenrichtung angeordnet. Eine Z-Achsen-Bewegungsplatte 36 ist so an dem Paar Z-Achsen-Führungsschienen 34 montiert, dass sie entlang des Paars Z-Achsen-Führungsschienen 34 verschiebbar ist. Eine nicht veranschaulichte Kugelspindel ist auf einer hinteren Seite der Z-Achsen-Bewegungsplatte 36 angeordnet. Die Kugelspindel beinhaltet einen nicht veranschaulichten Mutterabschnitt, der an einer hinteren Fläche der Z-Achsen-Bewegungsplatte 36 befestigt ist. Ein nicht veranschaulichter Schraubenschaft ist so mit dem Mutterabschnitt gekoppelt, dass er imstande ist, sich unter Verwendung von Kugeln zu drehen. Der Schraubenschaft ist entlang der Z-Achsenrichtung und zwischen dem Paar Z-Achsen-Führungsschienen 34 angeordnet. Ein Motor 38 zum Drehen des Schraubenschafts ist mit einem oberen Endabschnitt des Schraubenschafts gekoppelt. Sobald der Motor 38 angetrieben wird, bewegt sich die Z-Achsen-Bewegungsplatte 36 entlang der Z-Achsenrichtung.
  • Eine Unterstützung 40 ist an einer vorderen Fläche der Z-Achsen-Bewegungsplatte 36 befestigt. Die Unterstützung 40 unterstützt einen Abschnitt einer Laserstrahl-Emittiereinheit 42. 3 ist ein Blockdiagramm, das die Struktur der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 schematisch veranschaulicht. In 3 werden einige Komponenten der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 als Funktionsblocks dargestellt. Die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 beinhaltet einen Laseroszillator 44, der in Bezug auf die Basis 4 feststehend ist. Der Laseroszillator 44 weist zum Beispiel Nd:YVO4, ND:YAG oder Ähnliches als Lasermedium auf und emittiert einen gepulsten Laserstrahl LA mit einer Wellenlänge (zum Beispiel 1342 nm oder 1064 nm), die imstande ist, in den Wafer 11 einzudringen.
  • Der Laserstrahl LA bewegt sich zu einer Teilereinheit 48, nachdem dessen Leistung durch einen Abschwächer 46 eingestellt worden ist. Die Teilereinheit 48 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet zum Beispiel ein diffraktives optisches Element (DOE) und/oder einen Raumlichtmodulator einschließlich eines Flüssigkeitskristallphasen-Steuerungselements, das als „Liquid Crystal on Silicon-Spacial Light Modulator“ (LCOS-SLM) bezeichnet wird. Die Teilereinheit 48 weist zum Beispiel als Funktion ein Teilen des Laserstrahls LA auf. Zum Beispiel die Teilereinheit 48 den Laserstrahl LA, sodass der Laserstrahl LA, der von einem Emissionskopf 52 emittiert wird, mehrere Brennpunkte ausbildet, die in im Wesentlichen regelmäßigen Abständen entlang der Y-Achsenrichtung angeordnet sind.
  • Während 3 einen beispielhaften Fall veranschaulicht, bei dem der Laserstrahl LA durch die Teileinheit 48 geteilt wird, sodass fünf Brennpunkte P1 bis P5 ausgebildet werden, ist es ausreichend, wenn der Laserstrahl LA so geteilt wird, dass eine vorgegebene Anzahl von Brennpunkten ausgebildet wird, wobei die vorgegebene Anzahl zwei oder mehr ist (noch bevorzugter in einem Bereich von einschließlich zwei bis einschließlich 16). Die Teilereinheit 48 weist auch als Funktion auf, zuzulassen, dass der Laserstrahl LA auf einfache Weise durch diese hindurchgelangt, ohne den Laserstrahl LA zu teilen. Der Laserstrahl LA kann so angeordnet sein, dass er geteilt wird oder ungeteilt bleibt, indem ein Betrieb der Teilereinheit 48 gesteuert wird. Es ist anzumerken, dass die Teilereinheit 48 anstelle des LCOS-SLM ein Beugungsgitter aufweisen kann. Das Beugungsgitter teilt den Laserstrahl LA, sodass die vorgegebene Anzahl von Brennpunkten ausgebildet wird, sodass in einem Fall, in dem der Laserstrahl LA nicht geteilt wird, das Beugungsgitter von einem optischen Pfad des Laserstrahls LA entfernt werden kann. Es ist auch anzumerken, dass die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 nicht notwendigerweise die Teilereinheit 48 aufweisen muss.
  • Der Laserstrahl LA, der von dem Laseroszillator 44 aus startet, wird durch einen Spiegel 50 reflektiert, um zu dem Emissionskopf 52 geführt zu werden. Eine nicht veranschaulichte Kondensorlinse zum Sammeln und Fokussieren des Laserstrahls LA, usw. ist in dem Emissionskopf 52 untergebracht. Zum Zeitpunkt der Laserbearbeitung ist der Emissionskopf 52 so angeordnet, dass er der Haltefläche 26a zugewandt ist, und der Laserstrahl LA wird in Richtung der Haltefläche 26a emittiert. Der Emissionskopf 52 ist an einem vorderen Ende eines säulenförmigen Gehäuses 54 auf so eine Weise angeordnet, dass sich dessen Länge entlang der Y-Achsenrichtung erstreckt (siehe 2). Ein Abschnitt des Gehäuses 54 wird durch die Unterstützung 40 nahe eines hinteren Endabschnitts von dieser unterstützt. Darüber hinaus ist eine Bildgebungseinheit 56 an einer Seitenfläche des Gehäuses 54 in der Nähe des Emissionskopfes 52 befestigt, sodass die Bildgebungseinheit 56 imstande ist, der Haltefläche 26a zugewandt zu sein.
  • Die Bildgebungseinheit 56 ist zum Beispiel eine Kameraeinheit für sichtbares Licht, die eine Objektivlinse, eine Lichtquelle, wie zum Beispiel eine lichtemittierende Diode (LED) und ein Bildgebungselement, wie zum Beispiel einen Charge Coupled Device Image Sensor (CCD-Bildsensor) oder einen Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor (CMOS-Bildsensor) aufweist. In dem Fall der Kameraeinheit für sichtbares Licht werden Fotodioden, die beispielsweise Silizium (Si) verwenden, als Bildgebungselement verwendet. Es ist anzumerken, dass die Bildgebungseinheit 56 alternativ eine Infrarotkameraeinheit sein kann, die eine Lichtquelle, wie zum Beispiel eine LED, und ein Bildgebungselement aufweist. Im Fall der Infrarotkameraeinheit werden zum Beispiel Fotodioden als Bildgebungselement verwendet, die Indiumgalliumarsenid (InGaAs) verwenden. Eine Verwendung der Infrarotkameraeinheit ermöglicht es, die erste Fläche 11a von oberhalb der zweiten Fläche 11b mit dem dazwischenliegenden Wafer 11 selbst dann abzubilden, wenn die erste Fläche 11a unter Saugwirkung an der Haltefläche 26a gehalten wird.
  • Der Emissionskopf 52, das Gehäuse 54, die Bildgebungseinheit 56, usw. sind imstande, sich zusammen entlang der Z-Achsenrichtung mittels des Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 32 zu bewegen. Eine nicht veranschaulichte Abdeckung, welche die oben beschriebenen Komponenten abdeckt, ist an der Basis 4 angeordnet. Ein Touchscreen-Panel 58 ist an einer vorderen Fläche dieser Abdeckung angeordnet. Das Touchscreen-Panel 58 dient als Eingabeeinrichtung, wie zum Beispiel als ein kapazitiver Berührungssensor, und als Anzeigeeinrichtung, wie zum Beispiel als eine Flüssigkeitskristallanzeige. Ein Bediener benutzt das Touchscreen-Panel 58, um Bearbeitungsbedingungen für die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 einzustellen und ein durch die Bildgebungseinheit 56 erhaltenes Bild des Wafers 11 zu betrachten.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 wird verwendet, um in dem Wafer 11 eine Trennstartposition auszubilden. Wenn die Trennstartposition in dem Wafer 11 ausgebildet wird, wird der Wafer 11 als Erstes mit der zweiten Fläche (das heißt der hinteren Fläche) 11b nach oben gewandt auf dem Spanntisch 26 platziert, und der Wafer 11 wird unter Saugwirkung durch den Spanntisch 26 gehalten. Dann wird der Brennpunkt auf einer vorgegebenen Höhe innerhalb des Wafers 11 durch die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 positioniert, und ein von oberhalb der zweiten Fläche 11b des Wafers 11 emittierter Laserstrahl wird darauf fokussiert, um eine modifizierte Schicht und einen sich von der modifizierten Schicht erstreckenden Riss auszubilden. Die modifizierte Schicht und der Riss dienen zusammen als Trennstartposition (das heißt eine Abziehschicht). Dann wird eine äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht, um den Wafer 11 bei der Trennstartposition in einen oberen und unteren Teil zu trennen, was eine effiziente Verdünnung des Wafers 11 ergibt.
  • Allerdings bewegen sich Komponenten (das heißt Streulicht) des Laserstrahls, der von der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 auf den Wafer 11 emittiert wurde, die nicht zu der Ausbildung der Trennstartposition beigetragen haben und nicht durch den Wafer 11 absorbiert worden sind, durch den Wafer 11 und erreichen die erste Fläche 11a. Da die Bauelemente 17 an der ersten Fläche 11a ausgebildet sind, können die Bauelemente 17 durch diese Komponenten (das heißt Streulicht) des Laserstrahls beschädigt werden. Dementsprechend gibt es einen Bedarf, die Leistung des Laserstrahls zum Ausbilden der Trennstartposition zu begrenzen, um gegen eine Beschädigung der Bauelemente 17 vorzubeugen. Um eine hochqualitative Trennstartposition unter Verwendung eines Niedrigintensität-Laserstrahls auszubilden, benötigt eine Laserbearbeitung einen langen Zeitraum, sodass eine Trennstartposition nicht mit hoher Effizienz ausgebildet werden kann.
  • Um gegen eine Beschädigung der Bauelemente 17 vorzubeugen, gibt es zudem den Bedarf, den Brennpunkt des Laserstrahls mit einem vorgegebenen Abstand oder mehr von der ersten Fläche 11a aus einzustellen. Nachdem der Wafer 11 an der Trennstartposition in den oberen und unteren Teil getrennt worden ist und der abgetrennte obere Teil einschließlich der zweiten Fläche 11b entfernt worden ist, ist es in diesem Fall notwendig, einen großen Abschnitt des Wafers 11 in einem Schleifschritt zu zerspanen, der ausgeführt wird, um den Wafer 11 auf eine vorgegebene Enddicke zu verdünnen. Dies führt zu einer starken Abnutzung der Schleifsteine, die zu einer Schleifscheibe gehören, welche für das Schleifen verwendet wird, und zu der Notwendigkeit, die Schleifscheibe häufig zu ersetzen, was in einer schlechten Wirtschaftlichkeit resultiert.
  • Dementsprechend wird in dem Waferherstellungsverfahren und dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform vor der Ausbildung der Trennstartposition eine Schutzschicht in dem Wafer 11 ausgebildet, um eine effiziente Verdünnung des Wafers 11 zu ermöglichen, an dessen ersten Fläche 11a die Bauelemente 17 angeordnet sind. In diesem Fall trifft der Laserstrahl, der auf den Wafer 11 emittiert wird, wenn die Trennstartposition ausgebildet wird, auf die Schutzschicht, und der Laserstrahl wird beispielsweise durch die Schutzschicht reflektiert, abgeschwächt und gestreut. Dies führt zu einer verringerten Wahrscheinlichkeit einer Beschädigung der Bauelemente 17 und ermöglicht, dass der Laserstrahl unter intensiveren Bestrahlungsbedingungen auf den Wafer 11 emittiert wird. Darüber hinaus wird ermöglicht, die Trennstartposition näher an der ersten Fläche 11a auszubilden. In diesem Fall wird die Schleifmenge des Wafers 11 reduziert, was in einer verminderten Abnutzung der Schleifsteine und einer verlängerten Standzeit der Schleifsteine resultiert. Darüber hinaus wird auch die zum Schleifen benötigte Zeit reduziert, was in einer effizienteren Bearbeitung des Wafers 11 und einer effizienteren Herstellung der Bauelementchips resultiert.
  • Hiernach werden Schritte des Waferbearbeitungsverfahrens und des Bauelementchip-Herstellungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben. Es ist anzumerken, dass in dem Waferbearbeitungsverfahren und dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung einige der nachfolgend beschriebenen Schritte weggelassen werden können und ein Schritt oder Schritte zusätzlich ausgeführt werden können, die anders sind als die nachfolgend beschriebenen Schritte. Hier wird das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform in dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren einbezogen. Folglich werden nachfolgend die Schritte des Bauelementchip-Herstellungsverfahrens beschrieben. 10 ist ein Flussdiagramm, das einen Ablauf von Schritten des Bauelementchip-Herstellungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht.
  • In dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird ein Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 mit einem Ausbilden der Schutzschicht in dem Wafer 11 ausgeführt, bevor ein Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 mit einem Ausbilden der Trennstartposition in dem Wafer 11 ausgeführt wird. Der Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 und der Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 werden jeweils unter Verwendung von beispielsweise der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung 2 ausgeführt. 4 ist eine Schnittansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 ausgeführt wird.
  • Wenn mit dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 begonnen wird, wird der Wafer 11 als Erstes auf dem Spanntisch 26 platziert. Nachdem der Wafer 11 auf dem Spanntisch 26 platziert worden ist, wird der Wafer 11 unter Saugwirkung durch den Spanntisch 26 gehalten. Hierbei wird der Wafer 11 so auf dem Spanntisch 26 platziert, dass die erste Fläche 11a des Wafers 11 mit den daran ausgebildeten Bauelementen 17 der Haltefläche 26a des Spanntischs 26 zugewandt ist, während die zweite Fläche 11b des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Dies ist der Fall, da der Laserstrahl nicht von der Seite aus auf den Wafer 11 emittiert werden soll, auf der die erste Fläche 11a liegt, um dagegen vorzubeugen, dass der Laserstrahl direkt auf eines der Bauelemente 17 trifft, die an der ersten Fläche 11a ausgebildet sind.
  • Es ist anzumerken, dass ein Schutzband oder Ähnliches zum Schützen der Bauelemente 17 an der ersten Fläche 11a des Wafers 11 im Voraus angebracht worden sein kann. Darüber hinaus kann dieses Schutzband an dem Wafer 11 angeordnet werden, während es einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der Durchmesser des Wafers 11, und ein äußerer Umfangsabschnitt des Schutzbands kann an einem Ringrahmen angebracht sein. In diesem Fall wird der Ringrahmen durch die Klammereinheiten 26b des Spanntischs 26 fixiert. Es ist anzumerken, dass in jeder der Schnittansichten der begleitenden Zeichnungen die Bauelemente 17, die an der ersten Fläche 11a ausgebildet sind, und das Schutzband oder Ähnliches, das an der ersten Fläche 11a angebracht ist, weggelassen worden sind.
  • In dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 werden als Nächstes die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 und der Spanntisch 26 relativ zueinander entlang der Z-Achsenrichtung angehoben oder abgesenkt. Die Höhe eines ersten Brennpunkts 52b, der ein Brennpunkt eines ersten Laserstrahls 52a ist, der in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 von der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 auf den Wafer 11 emittiert werden soll, ist somit eingestellt. Dann wird der erste Brennpunkt 52b des ersten Laserstrahls 52a innerhalb des Wafers 11 auf einer ersten Höhe H1 positioniert. Die erste Höhe H1 wird nachfolgend im Detail beschrieben.
  • Als Nächstes werden der Emissionskopf 52 der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 und der Spanntisch 26 relativ zueinander entlang der horizontalen Ebene bewegt, die sich in der X-Achsenrichtung und der Y-Achsenrichtung erstreckt, wodurch der erste Brennpunkt 52b und der Wafer 11 relativ zueinander entlang der ersten Fläche 11a bewegt werden. Das heißt, dass mit dem Bearbeitungsvorschub begonnen wird. Während der erste Brennpunkt 52b und der Wafer 11 relativ zueinander bewegt werden, wird zudem die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 angetrieben, um den ersten Laserstrahl 52a, der eine Wellenlänge aufweist, die in den Wafer 11 eindringen kann, von der Seite aus auf den Wafer 11 zu emittieren, auf der die zweite Fläche 11b liegt.
  • Wenn der erste Laserstrahl 52a mit einer Wellenlänge, die in den Wafer 11 eindringen kann, auf den ersten Brennpunkt 52b innerhalb des Wafers 11 fokussiert wird, wird ein Teil des ersten Laserstrahls 52a durch den Wafer 11 absorbiert, um den Wafer 11 in der Nähe des ersten Brennpunkts 52b zu modifizieren, wodurch eine Schutzschicht 64 ausgebildet wird. Die Schutzschicht (das heißt eine modifizierte Schicht) 64 weist als Funktion ein Schützen der an der ersten Fläche 11a ausgebildeten Bauelemente 17 gegen einen zweiten Laserstrahl auf, der in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 auf den Wafer 11 emittiert werden soll, was als Nächstes beschrieben wird. Nachfolgend werden Bestrahlungsbedingungen für den in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 auf den Wafer 11 emittierten ersten Laserstrahl 52a zusammen mit Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl beschrieben, der in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 auf den Wafer 11 emittiert werden soll, was als Nächstes beschrieben wird.
  • Nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 wird in dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, usw., der Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 mit einem Ausbilden der Trennstartposition, die aus der modifizierten Schicht und dem Riss aufgebaut ist, in dem Wafer 11 ausgeführt. 5 ist eine Schnittansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 ausgeführt wird. In einem Fall, in dem der Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 ausgeführt wird, wird der Wafer 11 fortlaufend unter Saugwirkung von dem Spanntisch 26 gehalten.
  • In dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 werden die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 und der Spanntisch 26 entlang der Z-Achsenrichtung relativ zueinander angehoben oder abgesenkt. Die Höhe eines zweiten Brennpunkts 52d, der ein Brennpunkt eines zweiten Laserstrahls 52c ist, der in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 von der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 auf den Wafer 11 emittiert werden soll, wird somit eingestellt. Bei dieser Einstellung wird der zweite Brennpunkt 52d des zweiten Laserstrahls 52c auf einer zweiten Höhe H2 innerhalb des Wafers 11 positioniert, die höhe ist als die erste Höhe H1.
  • Als Nächstes werden der Emissionskopf 52 der Laserstrahl-Emittiereinheit 42 und der Spanntisch 26 relativ zueinander entlang der horizontalen Ebene bewegt, wodurch der zweite Brennpunkt 52d und der Wafer 11 relativ zueinander entlang der ersten Fläche 11a bewegt werden. Das heißt, dass mit einem Bearbeitungsvorschub begonnen wird. Während der zweite Brennpunkt 52d und der Wafer 11 relativ zueinander bewegt werden, wird zudem die Laserstrahl-Emittiereinheit 42 betrieben, um den zweiten Laserstrahl 52c von der Seite aus, auf der die zweite Fläche 11b liegt, auf den Wafer 11 zu emittieren, der eine Wellenlänge aufweist, die imstande ist, in den Wafer 11 einzudringen. Wenn der zweite Laserstrahl 52c mit einer Wellenlänge, welche in den Wafer 11 eindringen kann, auf den zweiten Brennpunkt 52d innerhalb des Wafers 11 fokussiert wird, wird ein Teil des zweiten Laserstrahls 52c durch den Wafer 11 absorbiert, um den Wafer 11 in der Nähe des zweiten Brennpunkts 52d zu modifizieren, um dadurch eine modifizierte Schicht 66 auszubilden. Ferner wird gleichzeitig ein Riss 68 ausgebildet, der sich von der modifizierten Schicht 66 erstreckt. Diese modifizierte Schicht 66 und der Riss 68 bilden zusammen eine Trennstartposition 70 aus.
  • Hierbei können die Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c so eingestellt werden, dass der Wafer 11 mit einer höheren Intensität bearbeitet wird als mit dem ersten Laserstrahl 52a. Es ist jedoch anzumerken, dass die Intensität des ersten Laserstrahls 52a und die Intensität des zweiten Laserstrahls 52c nicht auf das obige Beispiel beschränkt sind. Zudem können der erste Laserstrahl 52a und der zweite Laserstrahl 52c die gleiche Wellenlänge aufweisen, und beide können durch den Emissionskopf 52 der gleichen Laserstrahl-Emittiereinheit 42 emittiert werden. In diesem Fall wird ein Unterschied bei einem anderen Parameter als der Wellenlänge zwischen den Bestrahlungsbedingungen für die zwei Laserstrahlen vorgesehen.
  • Bei dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, usw., wird nach dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 ein Trennschritt S30 mit einem Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer 11 ausgeführt, um den Wafer 11 bei der Trennstartposition 70 zu teilen und ein Teil einschließlich der zweiten Fläche 11b von dem Wafer 11 zu trennen.
  • Die 6A und 6B beinhalten jeweils eine Schnittansicht, die den Wafer 11 schematisch veranschaulicht, wenn der Trennschritt S30 ausgeführt wird. Der Trennschritt S30 wird beispielsweise in einer in den 6A und 6B veranschaulichten Trennvorrichtung 71 ausgeführt. Die Trennvorrichtung 71 beinhaltet einen Haltetisch 73, der den Wafer 11 mit der darin ausgebildeten Trennstartposition (das heißt der Abziehschicht) 70 hält. Der Haltetisch 73 beinhaltet eine kreisförmige obere Fläche (das heißt eine Haltefläche) 73a und eine nicht veranschaulichte poröse Platte ist an der Haltefläche 73a exponiert. Ferner steht diese poröse Platte über einen Durchgang oder Ähnliches, der in dem Haltetisch 73 definiert ist, mit einer nicht veranschaulichten Saugquelle, wie zum Beispiel einer Vakuumpumpe, in Verbindung. Dann, wenn diese Saugquelle in Betrieb ist, wird ein Unterdruck in einem Raum in der Nähe der Haltefläche 73a des Haltetischs 73 erzeugt.
  • Zudem ist oberhalb des Haltetischs 73 eine Trenneinheit 72 vorgesehen. Die Trenneinheit 72 beinhaltet ein säulenförmiges Stützelement 74. Ein nicht veranschaulichter Hebe- und Senkmechanismus, der beispielsweise eine Kugelspindel verwendet, ist mit einem oberen Abschnitt des Stützelements 74 gekoppelt. Dann wird dieser Hebe- und Senkmechanismus dazu gebracht, zu arbeiten, um die Trenneinheit 72 anzuheben und abzusenken. Zudem ist ein unterer Endabschnitt des Stützelements 74 an einer Mitte eines oberen Abschnitts einer scheibenförmigen Basis 76 befestigt. Die Trenneinheit 72 beinhaltet einen nicht veranschaulichten inneren Saugmechanismus, um einen Unterdruck dazu zu bringen, auf eine untere Fläche der Basis 76 zu wirken, und ist imstande, als Saugpad zu dienen.
  • In der Trennvorrichtung 71 wird der Trennschritt S30 beispielsweise in Übereinstimmung mit dem folgenden Vorgang ausgeführt. Insbesondere wird als Erstes der Wafer 11 mit der darin ausgebildeten Trennstartposition 70 auf der Haltefläche 73a des Haltetischs 73 platziert, sodass die zweite Fläche 11b nach oben exponiert ist. Zu diesem Zeitpunkt ist die erste Fläche 11a der Haltefläche 73a zugewandt.
  • Als Nächstes wird die mit dem Haltetisch 73 verbundene Saugquelle betrieben, um zu verursachen, dass der Wafer 11 durch den Haltetisch 73 unter Saugwirkung gehalten wird. Als Nächstes wird der Hebe- und Senkmechanismus der Trenneinheit 72 angetrieben bzw. betrieben, um die Trenneinheit 72 von oberhalb des Haltetischs 73 aus abzusenken, um dadurch die untere Fläche der Basis 76 mit der zweiten Fläche 11b des Wafers 11 in Kontakt zu bringen. 6A veranschaulicht schematisch die Situation, in der die untere Fläche der Basis 76 mit der zweiten Fläche 11b des Wafers 11 in Kontakt ist.
  • Unmittelbar bevor, gleichzeitig mit oder nachdem die Basis 76 mit dem Wafer 11 in Kontakt gebracht worden ist, wird in dem Trennschritt S30 eine äußere Kraft auf den Wafer 11 ausgeübt. Sobald die äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht wird, erstreckt sich beispielsweise der zu der Trennstartposition 70 gehörende Riss 68, um den Wafer 11 bei der Trennstartposition 70 in einen die erste Fläche 11a einschließenden Teil und ein die zweite Fläche 11b einschließenden Teil abzutrennen. Die Trennung des Wafers 11 an der Trennstartposition 70 ergibt einen abgetrennten Teil 21 einschließlich der zweiten Fläche 11b, was einen verdünnten Wafer 19 einschließlich der ersten Fläche 11a zurücklässt.
  • Das Trennstück 21 kann von dem verdünnten Wafer 19 entfernt werden, indem ein Unterdruck (das heißt eine Saugkraft) dazu gebracht wird, von der Basis 76 der Trenneinheit 72 auf den abgetrennten Teil 21 zu wirken, um dadurch den abgetrennten Teil 21 dazu zu bringen, durch die Basis 6 unter Saugwirkung gehalten zu werden, und indem der Hebe- und Senkmechanismus der Trenneinheit 72 betrieben wird, um die Trenneinheit 72 anzuheben. Alternativ wird die Basis 76 der Trenneinheit 72 mit dem Wafer 11 vor der Trennung in Kontakt gebracht, und ein Unterdruck wird dazu gebracht, von der Basis 76 aus auf den Wafer 11 zu wirken, und danach wird die Trenneinheit 72 veranlasst, angehoben zu werden. In diesem Fall wird eine den Wafer 11 anhebende äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht, sodass der Wafer 11 mit der Trennstartposition 70 als Startposition dienend abgetrennt wird und der abgetrennte Teil 21 angehoben wird, was den verdünnten Wafer 19 zurücklässt. 6B ist eine Schnittansicht, die den Wafer 11, 19 und den abgetrennten Teil 21 schematisch veranschaulicht, wenn der abgetrennte Teil 21 von diesem entfernt worden ist.
  • Nachfolgend wird hier die in den Trennschritt S30 auf den Wafer 11 aufgebrachte äußere Kraft beschrieben. Als äußere Kraft wird beispielsweise eine Ultraschallschwingung auf den Wafer 11 aufgebracht. In diesem Fall kann beispielsweise ein Ultraschallschwinger einschließlich eines piezoelektrischen Elements, usw. in die Trenneinheit 72 der Trennvorrichtung 71 eingebaut sein, und es kann als äußere Kraft eine Ultraschallschwingung über die Basis 76 auf den Wafer 11 aufgebracht werden. Auch kann die äußere Kraft infolgedessen auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass die Basis 76 angehoben wird, während der Wafer 11 unter Saugwirkung gehalten wird. In diesem Fall wird auf den Wafer 11 eine äußere Kraft aufgebracht, die ein Anheben des Wafers 11 bewirkt.
  • Es ist anzumerken, dass die auf den Wafer 11 aufgebrachte äußere Kraft und das Verfahren zum Aufbringen der äußeren Kraft auf den Wafer 11 nicht auf die obigen Beispiele beschränkt sind. Zum Beispiel können nicht veranschaulichte klauenförmige oder keilförmige Einführelemente seitlich in den Wafer 11 eingeführt werden, um eine äußere Kraft auf den Wafer 11 aufzubringen, und die Trennung des Wafers 11 kann durch die von den Einführelementen aufgebrachte äußere Kraft verursacht werden. In diesem Fall sind distale Enden der Einführelemente auf der zweiten Höhe H2 des Wafers 11 positioniert (siehe 5, usw.) und die Einführelemente werden seitlich in den Wafer 11 eingeführt. Dies fördert eine Entwicklung des Risses 68 der Trennstartposition 70 von dem äußeren Umfangsabschnitt des Wafers 11 aus, was zu der Trennung des Wafers 11 an der gesamten Trennstartposition 70 in den oberen und unteren Teil führt. In diesem Fall ist es vorteilhaft, wenn die Einführelemente an einem äußeren Umfangsabschnitt der Basis 76 der Trenneinheit 72 angeordnet sind.
  • Es ist anzumerken, dass der Trennschritt S30 nicht notwendigerweise unter Verwendung der in den 6A und 6B veranschaulichten zugehörigen Trennvorrichtung 71 ausgeführt werden muss. Zum Beispiel kann die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 mit der Trenneinheit 72 versehen sein, und der Trennschritt S30 kann auf den Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 folgend ausgeführt werden, mit dem Wafer 11 weiterhin auf dem Spanntisch 26 der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 platziert. In diesem Fall dient der Spanntisch 26 als Haltetisch 73 der Trennvorrichtung 71.
  • Der verdünnte Wafer 19 kann auf einfache Weise erhalten werden, wenn die Trennstartposition 70 in dem Wafer 11 ausgebildet wird, die äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht wird, um die Trennung des Wafers 11 zu bewirken, und der abgetrennte Teil 21 einschließlich der zweiten Fläche 11b von diesem entfernt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Fläche 11b von dem verdünnten Wafer 19 entfernt. Hierbei wird eine exponierte Fläche des verdünnten Wafers 19 auf der zu der ersten Fläche 11a gegenüberliegenden Seite als hintere Fläche 11c definiert. Wenn der Wafer 11 auf die oben beschriebene Weise verdünnt wird, was in dem verdünnten Wafer 19 resultiert, ist das Volumen eines Abschnitts des Wafers 19, der beim Schleifen entfernt wird, das ausgeführt wird, wenn der Wafer 19 in einem Schleifschritt S40 auf eine finale Enddicke verdünnt wird, was als Nächstes beschrieben wird, sehr klein.
  • Nachdem der Trennschritt S30 ausgeführt worden ist, wird in dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, usw. der Schleifschritt S40 durchgeführt, der die hintere Fläche 11c des verdünnten Wafers 11, das heißt des Wafers 19, schleift, die auf der der ersten Fläche 11a gegenüberliegenden Seite exponiert ist. In dem Schleifschritt S40 wird die hintere Fläche 11c des verdünnten Wafers 11 (das heißt des Wafers 19) geschliffen, um die hintere Fläche 11c zu ebnen und den Wafer 11 auf die finale Enddicke zu verdünnen. Zu diesem Zeitpunkt wird die Schutzschicht 64 entfernt, die in dem Wafer in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 ausgebildet worden ist und in dem verdünnten Wafer 19 zurückgelassen worden ist.
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Schleifschritt S40 ausgeführt wird. 8 ist eine Schnittansicht, die schematisch veranschaulicht, wie der Schleifschritt S40 ausgeführt wird. In den 7 und 8 werden einige Abschnitte einer Schleifvorrichtung 78 schematisch veranschaulicht, die verwendet werden, um den Schleifschritt S40 durchzuführen. Nunmehr wird die Schleifvorrichtung 78, die den verdünnten Wafer 11 (das heißt den Wafer 19) schleift, nachfolgend beschrieben.
  • Die Schleifvorrichtung 78 beinhaltet einen scheibenförmigen Spanntisch 80. Der Spanntisch 80 beinhaltet einen scheibenförmigen Rahmen, der aus einer nicht porösen Keramik hergestellt ist. Eine nicht veranschaulichte scheibenförmige Vertiefung ist in der Mitte des Rahmens definiert. Eine scheibenförmige poröse Platte, die aus Keramik hergestellt ist, ist in dieser Vertiefung fixiert. Ein vorgegebener nicht veranschaulichter Durchgang ist in dem Rahmen definiert. Ein Unterdruck wird von einer nicht veranschaulichten Saugquelle, wie zum Beispiel einem Ejektor, durch den vorgegebenen Durchgang zu einer oberen Fläche der porösen Platte übertragen. Die obere Fläche der porösen Platte weist eine konische Form auf, wobei ein mittiger Abschnitt von dieser relativ zu einem äußeren Umfangsabschnitt von dieser leicht hervorsteht. Die kreisförmige obere Fläche der porösen Platte und eine ringförmige obere Fläche des Rahmens sind im Wesentlichen bündig zueinander und dienen zusammen als im Wesentlichen flache Haltefläche 80a zum Halten des Wafers 11 unter Saugwirkung.
  • Eine nicht veranschaulichte ringplattenförmige Tischbasis, die den Spanntisch 80 drehbar unterstützt, ist unterhalb des Spanntischs 80 vorgesehen. Zudem ist ein nicht veranschaulichter Neigungseinstellmechanismus, der die Neigung des Spanntischs 80 einstellt, unter der Tischbasis vorgesehen. Des Weiteren ist eine Spindel, die eine Rotationsachse 80b ausbildet, mit einem unteren Abschnitt des Spanntischs 80 gekoppelt. Eine nicht veranschaulichte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist durch eine Rolle, einen Riemen, usw. mit der Spindel gekoppelt. Sobald die Rotationsantriebsquelle angetrieben wird, dreht sich der Spanntisch 80 um die Rotationsachse 80b.
  • Eine Schleifeinheit 82 ist oberhalb des Spanntischs 80 angeordnet. Die Schleifeinheit 82 beinhaltet ein nicht veranschaulichtes zylindrisches Spindelgehäuse mit einer Länge, die sich im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung erstreckt. Ein nicht veranschaulichter Bearbeitungsvorschubmechanismus, der eine Kugelspindel verwendet, um die Schleifeinheit 82 entlang einer vorgegebenen Richtung (zum Beispiel der vertikalen Richtung) zu bewegen, ist mit dem Spindelgehäuse gekoppelt. Zudem ist ein Abschnitt einer säulenartigen Spindel 84 drehbar in dem Spindelgehäuse aufgenommen. Eine Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist an einem oberen Endabschnitt der Spindel 84 vorgesehen. Eine scheibenförmige Halterung 86 ist an einem unteren Endabschnitt der Spindel 84 befestigt. Eine ringförmige Schleifscheibe 88 ist an einer unteren Fläche der Halterung 86 angebracht.
  • Die Schleifscheibe 88 beinhaltet eine Basis 90, die aus einer Aluminiumlegierung hergestellt ist. Die Basis 90 ist so angeordnet, dass eine obere Fläche von dieser mit der Halterung 86 in Kontakt ist. An einer unteren Fläche der Basis 90 sind mehrere Schleifsteine 92 in im wesentlichen gleichen Abständen entlang der Umfangsrichtung der Basis 90 angeordnet. Jeder Schleifstein 92 beinhaltet zum Beispiel ein Bindemittel, wie zum Beispiel ein Metall, eine Keramik oder ein Harz, und Schleifkörner aus Diamant, kubischem Bornitrid (cBN) oder Ähnlichem. Schleifkörner mit einer relativ großen durchschnittlichen Partikelgröße werden in Grobschleifsteinen verwendet, während Schleifkörner mit einer relativ kleinen durchschnittlichen Partikelgröße in Fertigschleifsteinen verwendet werden. Wenn die Spindel 84 dazu gebracht wird, mit einer Drehung zu beginnen, wird eine ringförmige Schleiffläche durch die Orte der unteren Flächen der mehreren Schleifsteine 92 ausgebildet. Die Schleiffläche ist eine flache Fläche senkrecht zu der Längsrichtung der Spindel 84. 8 veranschaulicht den Schleifschritt S40. Es ist anzumerken, dass in 8 das Schutzband, usw. weggelassen worden sind.
  • In dem Schleifschritt S40 wird als Erstes die erste Fläche 11a des Wafers 19 (das heißt des verdünnten Wafers 11) von der Haltefläche 80a des Spanntischs 80 mit dem Schutzband zwischen der ersten Fläche 11a und der Haltefläche 80a eingefügt unter Saugwirkung gehalten. Als Nächstes wird die Tischbasis so geneigt, dass ein Abschnitt der Haltefläche 80a des Spanntischs 80 im Wesentlichen parallel zu der Schleiffläche der Schleifscheibe 88 ist. In dieser Situation wird der Spanntisch 80 dazu gebracht, mit einer Rotation um die Rotationsachse 80b mit einer vorgegebenen Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 200 U/Min) zu beginnen, und die Schleifscheibe 88 wird dazu gebracht, mit einer Rotation um eine Rotationsachse 84a mit einer vorgegebenen Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 3000 U/Min) zu beginnen. Ferner wird die Schleifeinheit 82 mit einer vorgegebenen Bearbeitungsvorschubgeschwindigkeit (zum Beispiel 1,0 pm/s) nach unten bewegt, während ein Schleiffluid, wie zum Beispiel reines Wasser, von einer nicht veranschaulichten Schleiffluid-Zuführdüse einem Kontaktbereich zwischen der Schleiffläche und der hinteren Fläche 11c des Wafers 19 zugeführt wird. Die hintere Fläche 11c wird durch Kontakt mit Schleifflächen der Schleifsteine 92 mit der hinteren Fläche 11c geschliffen. Der Bearbeitungsvorschub wird beibehalten, bis der Wafer 19 auf die vorgegebene Enddicke verdünnt ist.
  • Der Schleifschritt S40 kann in zwei Stufen, einem Grobschliff und einem Feinschliff, ausgeführt werden. Das heißt, dass in diesem Fall ein Grobschliff der hinteren Fläche 11c unter Verwendung einer Schleifeinheit 82 (das heißt einer Grobschleifeinheit) mit groben Schleifsteinen als Schleifsteine 92 ausgeführt wird und danach der Fertigschliff der hinteren Fläche 11c unter Verwendung einer anderen Schleifeinheit 82 (das heißt einer Fertigschleifeinheit) mit Fertigschleifsteinen als Schleifsteine 92 ausgeführt wird. Nach dem Fertigschliff wird zudem ein Polieren der hinteren Fläche 11c unter Verwendung einer nicht veranschaulichten Poliereinheit durchgeführt. Die Poliereinheit beinhaltet eine Spindel 84 und ein an einem Endabschnitt der Spindel 84 angebrachtes Polierpad. Ein Ausführen des Polierens zusätzlich zu dem Grobschliff und dem Feinschliff führt zu einer verbesserten Biegefestigkeit der letztendlich hergestellten Bauelementchips.
  • Insbesondere ist die Enddicke TE des Wafers 19, die nach Abschluss des Schleifschritts S40 erhalten wird, geringer als der Abstand zwischen der ersten Fläche 11a und der ersten H1, auf der die Schutzschicht 64 ausgebildet wird. Mit anderen Worten ist die erste Höhe H1 so eingestellt, dass der Abstand zwischen der ersten Fläche 11a und der ersten Höhe H1 größer ist als die Enddicke TE. In diesem Fall wird die in dem Wafer 19 ausgebildete Schutzschicht 64 durch das Schleifen entfernt, bevor die Dicke des Wafers 19 in dem Schleifschritt S40 auf die Enddicke TE vermindert wird.
  • Wenn die Schutzschicht 64 nach dem Schleifschritt S40 in dem Wafer 19 zurückgelassen wird, wird die Schutzschicht 64 gleichermaßen in den Bauelementchips zurückgelassen, die durch Teilen des Wafers 19 erhalten werden. Wenn ein Stoß auf einen der Bauelementchips, welche die Schutzschicht 64 als modifizierte Schicht aufweisen, aufgebracht wird, kann sich ein Riss auf einfache Weise von der Schutzschicht 64 erstrecken, sodass der Bauelementchip beschädigt wird. Wenn dagegen die Schutzschicht 64 in dem Schleifschritt S40 entfernt wird, wird die Schutzschicht 64 in den letztendlich hergestellten Bauelementchips nicht zurückgelassen, sodass die Bauelementchips eine höhere Festigkeit aufweisen.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 19, der durch Abtrennen des abgetrennten Teils 21 verdünnt worden ist, geschliffen, sodass das Ausmaß des Schleifens des Wafers 19, 11 niedriger ist als das in einem Fall, in dem der Wafer 11, bei dem der abgetrennte Teil 21 daran verbleibt, von der zweiten Fläche 11b aus geschliffen wird. Dies führt zu einer beträchtlichen Reduktion des Ausmaßes an Abnutzung der Schleifsteine 92.
  • Es kann an der ersten Fläche 11a oder der hinteren Fläche 11c des verdünnten Wafers 19 nach dem Schleifschritt S40 ein Metallfilm, ein Harzfilm oder Ähnliches ausgebildet werden. Wenn der Wafer 19 danach letztendlich entlang der geplanten Trennlinien 15 (siehe 1) getrennt wird, werden die einzelnen Bauelementchips erhalten. In dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird, nachdem der Schleifschritt S40 durchgeführt worden ist, ein Teilungsschritt S50 mit einem Teilen des Wafers 19 in Teile, die jeweils eines der Bauelemente 17 aufweisen, ausgeführt, wodurch die mehreren Bauelementchips hergestellt werden, die jeweils mit einem der Bauelemente 17 versehen sind.
  • Das Teilen des Wafers 19 kann beispielsweise durch Schneiden des Wafers 19 mittels einer ringförmigen Schneidklinge in einer Schneidvorrichtung ausgeführt werden, welche die Schneidklinge aufweist. Alternativ kann das Teilen des Wafers 19 ausgeführt werden, indem der Wafer 19 in der in 2 veranschaulichten Laserbearbeitungsvorrichtung 2 einer Laserbearbeitung ausgesetzt wird. Der Teilungsschritt S50 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf einen beispielhaften Fall beschrieben, bei dem die Schneidvorrichtung einschließlich der Schneidklinge verwendet wird, jedoch ist das Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt.
  • 9 ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer 19 während des Vorgangs schematisch veranschaulicht, indem er durch eine Schneidvorrichtung 94 geschnitten und geteilt wird. Wie in 9 veranschaulicht, wird ein Trennband 23 vorzugsweise an der hinteren Fläche 11c des Wafers 19 angebracht, bevor der Wafer 19 auf die Schneidvorrichtung 94 geladen wird, und ein Ringrahmen 25 wird vorzugsweise an einem äußeren Umfangsabschnitt des Trennbands 23 angebracht. Das heißt, dass der Wafer 19 vorzugsweise mit dem Trennband 23 und dem Ringrahmen 25 im Voraus integral verbunden wird, um eine Rahmeneinheit 27 auszubilden, die den Wafer 19, das Trennband 23 und den Ringrahmen 25 aufweist. In diesem Fall wird eine Handhabung des verdünnten Wafers 19 erleichtert und zudem eine Handhabung der Bauelementchips erleichtert, da die hergestellten Bauelementchips durch das Trennband 23 unterstützt werden.
  • Es ist anzumerken, dass in einem Fall, in dem das Schutzband oder Ähnliches zum Schützen der Bauelemente 17 an der ersten Fläche 11a des Wafers 19 angebracht worden ist, das Schutzband vorzugsweise abgezogen wird, bevor die Rahmeneinheit 27 auf die Schneidvorrichtung 94 geladen wird, nachdem die Rahmeneinheit 27 ausgebildet worden ist. Wenn der Wafer 19 an sich das Trennband 23 angebracht aufweist, ist das Abziehen des Schutzbands von dem verdünnten Wafer 19 relativ einfach.
  • Als Erstes wird nachfolgend die Schneidvorrichtung 94 beschrieben. Die Schneidvorrichtung 94 beinhaltet einen nicht veranschaulichten Spanntisch mit einer Struktur, die der des Spanntischs 26 der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 ähnlich ist. Eine obere Fläche des Spanntischs der Schneidvorrichtung 94 bildet eine Haltefläche aus, die den Wafer 19 unter Saugwirkung mit dem dazwischenliegenden Trennband 23 hält. Diese Haltefläche steht mit einer nicht veranschaulichten Saugquelle, wie zum Beispiel einem Ejektor, durch einen nicht veranschaulichten Saugdurchgang oder Ähnliches in Verbindung, der im Inneren des Spanntischs vorgesehen ist. Mehrere nicht veranschaulichte Klammern zum Halten des Ringrahmens 25, der den Wafer 11, 19 unterstützt, sind von allen vier Seiten um den Spanntisch vorgesehen. Auch bei der Schneidvorrichtung 94 ist der Spanntisch mit einer nicht veranschaulichten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, gekoppelt und dreht sich um eine Rotationsachse, die im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung ist. Zudem wird ein Bearbeitungsvorschub des Spanntischs durch einen Bewegungsmechanismus ausgeführt (das heißt eine Bearbeitungsvorschubeinheit).
  • Die Schneidvorrichtung beinhaltet eine Schneideinheit 96, die über dem Spanntisch angeordnet ist. Die Schneideinheit 96 beinhaltet eine ringförmige Schneidklinge 100 und schneidet den Wafer 19 durch die Schneidklinge 100. Die Schneideinheit 96 beinhaltet ein Spindelgehäuse 98, das einen proximalen Abschnitt einer nicht veranschaulichten Spindel aufnimmt, die eine Rotationsachse parallel zu der Haltefläche des Spanntischs ausbildet, sodass die Spindel imstande ist, sich zu drehen. Eine Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, der bewirkt, dass sich die Spindel dreht, ist in dem Spindelgehäuse 98 aufgenommen und diese Rotationsantriebsquelle wird angetrieben, um zu verursachen, dass die Spindel damit beginnt, sich zu drehen. Die ringförmige Schneidklinge 100 ist an einem distalen Ende der Spindel fixiert. Die Rotation der Spindel verursacht, dass sich die Klinge 100 dreht. Die Schneidklinge 100 beinhaltet einen Schleifscheibenabschnitt einschließlich eines ringförmigen Bindemittels, das aus einem metallischen Material, einem Harzmaterial oder Ähnlichem hergestellt ist, und Schleifkörner aus Diamant oder Ähnlichem, die durch das Bindematerial hindurch verteilt und in diesem fixiert sind.
  • Die Schneideinheit 96 beinhaltet ferner ein Paar Schneidfluid-Zuführdüsen 102, die sich entlang beider Seitenflächen der Schneidklinge 100 erstrecken. Während der Wafer 19 durch die Schneidklinge 100 geschnitten wird, wird ein Schneidfluid, wie zum Beispiel reines Wasser, von jeder der Schneidfluid-Zuführdüsen 102 zu der Schneidklinge 100 geführt. Rückstände und Wärme, die während des Schneidens des Wafers 19 durch die Schneidklinge 100 erzeugt werden, werden durch das Schneidfluid entfernt.
  • In dem Teilungsschritt S50 wird der Wafer 19 auf die Schneidvorrichtung 94 geladen, und der Wafer 19 wird durch den Spanntisch unter Saugwirkung gehalten. Dann wird der Spanntisch gedreht, um dafür zu sorgen, dass die Ausrichtung der geplanten Trennlinien 15 des Wafers 19 mit den Bearbeitungsvorschubrichtungen der Schneidvorrichtung 94 übereinstimmen. Zudem wird der Spanntisch entlang der Haltefläche bewegt, um die Schneidklinge 100 über einer der geplanten Trennlinien 15 zu positionieren. Danach wird die Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel der Motor, an deren distalem Ende die Schneidklinge 100 angebracht ist, angetrieben, um mit der Drehung der Schneidklinge 100 zu beginnen. Als Nächstes wird die Schneidklinge 100 auf eine vorgegebene Höhe abgesenkt, und die Bearbeitungsvorschubeinheit wird angetrieben, um den Bearbeitungsvorschub des Spanntischs auszuführen und den Schleifscheibenabschnitt der sich drehenden Schneidklinge 100 mit dem Wafer 19 in Kontakt zu bringen, sodass der Wafer geschnitten wird. Wenn der Wafer 19 entlang der geplanten Trennlinien 15 geschnitten wird, werden Trennnuten 29 in dem Wafer 19 ausgebildet.
  • Wenn die Trennnuten 29 entlang sämtlicher geplanter Trennlinien 15 des Wafers 19 ausgebildet sind, ist die Teilung des Wafers 19 vollständig, was darin resultiert, dass die einzelnen Bauelementchips, die jeweils mit einem der Bauelemente 17 versehen sind, hergestellt sind. Die Bauelementchips werden weiterhin durch das Trennband 23 unterstützt. Danach wird das Trennband 23 in einer Öffnung des Ringrahmens 25 radial nach außen expandiert, was in sich verbreiternden Spalten zwischen den Bauelementchips und Vereinfachung der Aufnahme der Bauelementchips von dem Trennband 23 resultiert. Dann werden die Bauelementchips von dem Trennband 23 abgenommen, wodurch die Bauelementchips letztendlich erhalten werden. Wie oben beschrieben, werden die einzelnen Bauelementchips, die jeweils mit einem der Bauelemente 17 versehen sind, durch das Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform hergestellt.
  • Nachfolgend wird die Höhe (das heißt die erste Höhe H1) des ersten Brennpunkts 52b, auf der der erste Laserstrahl 52a fokussiert wird, und die Höhe (das heißt die zweite H2) des zweiten Brennpunkts 52d, auf der der zweite Laserstrahl 52c fokussiert wird, im Detail beschrieben.
  • Die zweite Höhe H2 des zweiten Brennpunkts 52d, auf die der zweite Laserstrahl 52c fokussiert wird, wird als eine Höhe eingestellt, die weiter von der ersten Fläche 11a des Wafers 11 entfernt ist als die erste Höhe H1 des ersten Brennpunkts 52b, auf welcher der erste Laserstrahl 52a fokussiert wird. Um dies mit einer anderen Sichtweise zu beschreiben, wird bei dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, usw. die erste Höhe H1 auf ein Niveau zwischen der zweiten Höhe H2 und der ersten Fläche 11a eingestellt. Wenn der zweite Laserstrahl 52c in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 auf den zweiten Brennpunkt 52d fokussiert wird, gelangen Komponenten des zweiten Laserstrahls 52c, der keinen Beitrag zu der Ausbildung der Trennstartposition 70 leistet, in diesem Fall durch den zweiten Brennpunkt 52d, um auf die Schutzschicht 64 zu treffen. Dann erreicht der zweite Laserstrahl 52c die erste Fläche 11a des Wafers 11 in einem aufgrund von Reflexion, Absorption, Diffusion, usw. des zweiten Laserstrahls 52c durch die Schutzschicht 64 reduzierten Zustand. Es ist auch möglich, dass der zweite Laserstrahl 52c die erste Fläche 11a nicht erreicht. Dementsprechend ist es weniger wahrscheinlich, dass eine Beschädigung der Bauelemente 17 auftritt als in einem Fall, in dem der zweite Laserstrahl 52c nicht durch die Schutzschicht 64 gelangt und nicht in seiner Intensität vermindert wird.
  • In dem in Beziehung stehenden Stand der Technik werden den Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c Beschränkungen auferlegt, um dagegen vorzubeugen, dass eines der Bauelemente 17 beschädigt wird, wenn der zweite Laserstrahl 52c durch den zweiten Brennpunkt 52d gelangt und die erste Fläche 11a erreicht. Darüber hinaus ist es in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik notwendig, den zweiten Brennpunkt 52d des zweiten Laserstrahls 52c von der ersten Fläche 11a aus auf eine vorgegebene Distanz oder mehr einzustellen. Dagegen ist es in einem Fall möglich, in dem die Schutzschicht 64 im Voraus an einer Position ausgebildet worden ist, die näher an der ersten Fläche 11a ist als der zweite Brennpunkt 52d, den zweiten Laserstrahl 52c mit Bestrahlungsbedingungen auf den Wafer 11 aufzubringen, die im in Beziehung stehenden Stand der Technik eine Beschädigung der Bauelemente 17 verursachen würden. Folglich kann es möglich sein, den zweiten Laserstrahl 52c auf den Wafer 11 mit Bestrahlungsbedingungen aufzubringen, die zu einer erhöhten Qualität der auszubildenden Trennstartposition 70 führt.
  • Zudem ist es in einem Fall, in dem die Schutzschicht 64 ausgebildet worden ist, möglich, zu bewirken, dass der zweite Laserstrahl 52c auf einer Höhe näher an der ersten Fläche 11a als in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik fokussiert wird, sodass die Trennstartposition 70 folglich auf einer Höhe näher an der ersten Fläche 11a ausgebildet werden kann. In diesem Fall kann die Materialmenge reduziert werden, die in dem nach dem Trennschicht S30 auszuführenden Schleifschritt S40 von dem Wafer 11 abzuschneiden ist, was zu einer Verminderung des Abnutzungsbetrags der Schleifsteine 92 und zu einer verlängerten Standzeit der Schleifscheibe 88 führt. Wenn die Trennstartposition 70 näher an der ersten Fläche 11a ausgebildet wird, wird der abgetrennte Teil 21, der in dem Trennschritt S30 von dem Wafer 11 abzutrennen ist, eine erhöhte Dicke aufweisen. Der abgetrennte Teil 21 mit einer erhöhten Dicke kann als neuer Wafer 11 zum Herstellen zusätzlicher Bauelementchips verwendet werden. Selbst wenn ein Bauelementwafer aus dem neuen Wafer 11 hergestellt wird, kann ein dicker abgetrennter Teil zurückbleiben. Das heißt, dass ermöglicht wird, eine größere Anzahl von Bauelementchips mit einem geringeren Materialverlust herzustellen.
  • Hierfür werden nachfolgend die Bestrahlungsbedingungen für den Laserstrahlt beschrieben. In dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 und dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 wird jeweils der Laserstrahl 52a oder 52c mit verschieden Parametern auf den Wafer 11 emittiert, die zu den Bestrahlungsbedingungen gehören und auf angemessene Werte oder Ähnliches eingestellt werden. Beispiele für Elemente der Bestrahlungsbedingungen beinhalten die Wellenlänge des Laserstrahls 52a oder 52c, die Wiederholfrequenz, die durchschnittliche Leistung, die Bearbeitungsvorschubgeschwindigkeit, den Bearbeitungspfad und die Höhe des Brennpunkts 52b oder 52d.
  • In dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 werden die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a so eingestellt, dass die Schutzschicht 64, die eine vorgegebene Funktion ausführt, innerhalb des Wafers 11 ausgebildet werden kann. Das heißt, dass der erste Laserstrahl 52a, der zu der Ausbildung der Schutzschicht 64 beiträgt, mit vorgegebenen Bestrahlungsbedingungen auf den Wafer 11 emittiert wird, um zu ermöglichen, dass die Intensität des zweiten Laserstrahls 52c zu einem ausreichenden Ausmaß reduziert werden kann, wenn der zweite Laserstrahl 52c durch die ausgebildete Schutzschicht 64 gelangt. Jedoch ist in Bezug auf den ersten Laserstrahl 52a anzumerken, dass es ausreicht, dass dadurch eine modifizierte Schicht mit einer vorgegebenen Qualität in dem Wafer 11 ausgebildet werden kann, die es der modifizierten Schicht ermöglicht, als Schutzschicht 64 zu dienen. Anders als der zweite Laserstrahl 52c muss der erste Laserstrahl 52a nicht imstande sein, einen Riss auszubilden, der sich in dem Wafer 11 von der Schutzschicht 64 aus erstreckt. Es ist jedoch anzumerken, dass der erste Laserstrahl 52a einen Riss in dem Wafer 11 ausbilden kann.
  • Insbesondere ist der erste Brennpunkt 52b näher an der ersten Fläche 11a als der zweite Brennpunkt 52d, und der Wafer 11 ist nicht mit einer weiteren Schutzschicht bereitgestellt, die den ersten Laserstrahl 52a abschirmt, wenn der erste Laserstrahl 52a auf den Wafer 11 emittiert wird. Daher werden die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a so eingestellt, dass keine Beschädigung oder Ähnliches an den Bauelementen 17 hervorgerufen wird, wenn Komponenten des ersten Laserstrahls 52a die erste Fläche 11a erreichen und durch den ersten Brennpunkt 52b gelangen, ohne beispielsweise durch den Wafer 11 absorbiert zu werden.
  • Zum Beispiel können die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a im Vergleich mit insbesondere den Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c beschrieben werden, der in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 auf den Wafer 11 emittiert wird. Die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a werden so eingestellt, dass der erste Laserstrahl 52a eine niedrigere Intensität aufweist als der zweite Laserstrahl 52c. Das heißt, dass der erste Laserstrahl 52a, der in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 emittiert wird, einen kleineren Einfluss auf die Bauelemente 17 hat als ein Einfluss, der durch den zweiten Laserstrahl 52c auf die Bauelemente 17 ausgeübt wird. Es ist jedoch anzumerken, dass die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a und die Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c nicht auf die obigen Beispiele beschränkt sind. Es ist anzumerken, dass der durch den zweiten Laserstrahl 52c auf die Bauelemente 17 ausgeübte Einfluss, der mit dem Einfluss verglichen worden ist, der durch den ersten Laserstrahl 52a auf die Bauelemente 17 ausgeübt wird, sich auf einen Einfluss bezieht, der durch den zweiten Laserstrahl 52c auf die Bauelemente 17 ausgeübt wird, wenn der zweite Laserstrahl 52c die erste Fläche 11a erreicht, ohne durch die Schutzschicht 64 zu gelangen.
  • Es ist anzumerken, dass in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 die Schutzschicht 64 nicht notwendigerweise vollständig über den Wafer 11 hinweg auf einer Ebene parallel zu der ersten Fläche 11a ausgebildet werden muss. Der Bereich, in dem die Schutzschicht 64 ausgebildet wird, kann so bestimmt werden, dass er mit dem Bereich übereinstimmt, wo der zweite Laserstrahl 52c aufgebracht wird (das heißt, der Ort des zweiten Brennpunkts 52d). Das heißt, dass der Ort des ersten Brennpunkts 52b in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt S10 und der Ort des zweiten Brennpunkts 52d in dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt S20 miteinander korrespondieren können, wenn sie auf eine Ebene parallel zu der ersten Fläche 11a projiziert werden.
  • Zudem werden die Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c vorzugsweise so eingestellt, dass die Trennstartposition 70 einschließlich der modifizierten Schicht 66 und des Risses 68 mit vorgegebenen Qualitäten auf der zweiten Höhe H2 in dem Wafer 11 ausgebildet werden kann. In dem Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, usw., können Komponenten des zweiten Laserstrahls 52c, die durch den zweiten Brennpunkt 52d gelangt sind, auf die Schutzschicht 64 treffen, um durch diese beispielsweise reflektiert und abgeschwächt zu werden. Dies ermöglicht es, den zweiten Laserstrahl 52c mit Bestrahlungsbedingungen höherer Intensität auf den Wafer 11 zu emittieren als in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik.
  • Die erste Höhe H1, welche die Höhe des ersten Brennpunkts 52b ist, und die zweite H2, welche die Höhe des zweiten Brennpunkts 52d ist, werden nachfolgend genauer beschrieben.
  • Die folgende Beschreibung nimmt einen beispielhaften Fall an, in dem der Wafer 11 ein Siliziumwafer ist, die Dicke T (das heißt der Abstand zwischen der ersten Fläche 11a und der zweiten Fläche 11b) des Wafers 11 500 µm beträgt und die Enddicke TE des Wafers 11, 19, die nach dem Schleifschritt S40 erreicht wird, 30 µm ist.
  • In diesem Fall ist die erste Höhe H1, welche die Höhe des ersten Brennpunkts 52b ist, auf die der erste Laserstrahl 52a fokussiert wird, vorzugsweise auf ein Niveau eingestellt, das um eine Distanz in einem Bereich von einschließlich 40 bis einschließlich 80 µm höher ist als die erste Fläche 11a. Das heißt, dass die erste Höhe H1 vorzugsweise auf eine Position eingestellt wird, die weiter von der ersten Fläche 11a entfernt ist als die Höhe, auf welcher nach dem Schleifen um eine Distanz in einem Bereich von einschließlich 10 bis einschließlich 50 µm geplant ist, dass dort die hintere Fläche 11c des Wafers 11, 19 liegt. Die erste Höhe H1 wird vorzugsweise so bestimmt, dass dieser Bereich in Bezug auf die Schleifmenge des Schleifschritts S40 erfüllt wird.
  • Darüber hinaus wird in diesem Fall die zweite Höhe H2, welche die Höhe des zweiten Brennpunkts 52d ist, auf welcher der zweite Laserstrahl 52c fokussiert wird, vorzugsweise auf ein Niveau eingestellt, dass um einen Abstand in einem Bereich von einschließlich 90 bis einschließlich 130 µm höher ist als die erste Fläche 11a. Das heißt, dass die zweite Höhe H2 vorzugsweise auf eine Position eingestellt wird, die um in etwa 50 µm weiter von der ersten Fläche 11a entfernt ist als die erste Höhe H1. Ferner wird die zweite Höhe H2 vorzugsweise näher an der ersten Fläche 11a eingestellt, um zuzulassen, dass der abgetrennte Teil 21 an der Trennstartposition 70 getrennt wird, um eine größere Dicke aufzuweisen.
  • Das Waferbearbeitungsverfahren und das Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform stellt bei dem Auswählen der Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c eine größere Flexibilität bereit als in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik und ermöglicht eine Auswahl geeigneterer Bestrahlungsbedingungen. Zudem wird ermöglicht, die Trennstartposition 70 auf einer Höhe auszubilden, die näher an der ersten Fläche 11a ist, was zu einer höheren Dicke des abgetrennten Teils 21 und wiederum zu einer vereinfachten Wiederverwendung des abgetrennten Teils 21 als Bauelementwafer führt. Dementsprechend ermöglichen das Waferbearbeitungsverfahren und das Bauelementchip-Herstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform eine effiziente Verdünnung des Wafers 11 mit den an dessen ersten Fläche 11a angeordneten Bauelementen 17 und ein effizientes Herstellen der Bauelementchips durch die Teilung des Wafers 11.
  • Es ist anzumerken, dass in der vorangegangenen Beschreibung der Ausführungsform die Anwendung des ersten Laserstrahls 52a und des zweiten Laserstrahls 52c an dem Wafer 11 unter Bezugnahme auf den Fall beschrieben worden ist, in dem der Wafer 11 ein Siliziumwafer ist, jedoch ist der Wafer 11 nicht auf den Siliziumwafer beschränkt. Zum Beispiel kann der Wafer 11 alternativ ein SiC-Wafer oder ein Wafer sein, der aus einem anderen Material hergestellt ist. Selbst in einem Fall, in dem der Wafer 11 kein Siliziumwafer ist, werden die Bestrahlungsbedingungen für den ersten Laserstrahl 52a vorzugsweise so bestimmt, um die Ausbildung der Schutzschicht 64 in dem Wafer 11 zu ermöglichen. Zudem werden die Bestrahlungsbedingungen für den zweiten Laserstrahl 52c vorzugsweise so bestimmt, um zu ermöglichen, dass die Trennstartposition 70 in dem Wafer 11 ausgebildet wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert, und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind daher durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017028072 [0003]

Claims (5)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist und mehrere an der ersten Fläche ausgebildete Bauelemente aufweist, wobei das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Schutzschicht-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines ersten Brennpunkts eines ersten Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer ersten Höhe in dem Wafer und einem Emittieren des ersten Laserstrahls auf den Wafer von einer Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, während einer Bewegung des ersten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch in dem Wafer eine Schutzschicht auf der ersten Höhe auszubilden; nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen Trennstartposition-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines zweiten Brennpunkts eines zweiten Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer zweiten Höhe in dem Wafer, wobei die zweite Höhe weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und einem Emittieren des zweiten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, während einer Bewegung des zweiten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine modifizierte Schicht auf der zweiten Höhe in dem Wafer auszubilden und einen sich von der modifizierten Schicht erstreckenden Riss auszubilden, um eine Trennstartposition auszubilden, die aus der modifizierten Schicht und dem Riss aufgebaut ist; und nach dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt einen Trennschritt mit einem Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer, um den Wafer an der Trennstartposition zu teilen und einen Teil einschließlich der zweiten Fläche von dem Wafer zu trennen, um dadurch die zweite Fläche von dem Wafer zu entfernen.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der erste Laserstrahl in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen kleineren Einfluss auf die Bauelemente aufweist als ein Einfluss, der durch den zweiten Laserstrahl auf die Bauelemente entstünde, wenn der zweite Laserstrahl die erste Fläche ohne Durchgang durch die Schutzschicht erreichen würde.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, das ferner umfasst: nach dem Ausführen des Trennschritts einen Schleifschritt mit einem Schleifen einer hinteren Fläche des Wafers, die auf einer der ersten Fläche gegenüberliegenden Seite exponiert ist, um dadurch die Schutzschicht zu entfernen und die hintere Fläche abzuflachen.
  4. Bauelementchip-Herstellungsverfahren zum Herstellen von Bauelementchips durch Teilen eines Wafers, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist und mehrere an der ersten Fläche ausgebildete Bauelemente aufweist, wobei das Bauelementchip-Herstellungsverfahren umfasst: einen Schutzschicht-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines ersten Brennpunkts eines ersten Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer ersten Höhe in dem Wafer und einem Emittieren des ersten Laserstrahls auf den Wafer von einer Seite aus, auf der die zweite Fläche liegt, während eines Bewegens des ersten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine Schutzschicht auf der ersten Höhe in dem Wafer auszubilden; nach dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen Trennstartposition-Ausbildungsschritt mit einem Positionieren eines zweiten Brennpunkts eines zweiten Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die imstande ist, in den Wafer einzudringen, auf einer zweiten Höhe in dem Wafer, wobei die zweite Höhe weiter von der ersten Fläche entfernt ist als die erste Höhe, und einem Emittieren des zweiten Laserstrahls auf den Wafer von der Seite aus, auf welcher die zweite Fläche liegt, während eines Bewegens des zweiten Brennpunkts und des Wafers relativ zueinander entlang der ersten Fläche, um dadurch eine modifizierte Schicht auf der zweiten Höhe in dem Wafer auszubilden und einen Riss auszubilden, der sich von der modifizierten Schicht erstreckt, um eine Trennstartposition auszubilden, die aus der modifizierten Schicht und dem Riss aufgebaut ist; nach dem Trennstartposition-Ausbildungsschritt einen Trennschritt mit einem Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer, um den Wafer an der Trennstartposition zu teilen und einen Teil einschließlich der zweiten Fläche von dem Wafer zu trennen, wodurch die zweite Fläche von dem Wafer entfernt wird; nach dem Trennschritt einen Schleifschritt mit einem Schleifen einer hinteren Fläche des Wafers, die auf einer der ersten Fläche gegenüberliegenden Seite exponiert ist, um dadurch die Schutzschicht zu entfernen und die hintere Fläche abzuflachen; und einen Teilungsschritt mit einem Teilen des Wafers in Teile, die jeweils eines der Bauelemente aufweisen, um dadurch mehrere Bauelementchips herzustellen, die jeweils mit einem der Bauelemente versehen sind.
  5. Bauelementchip-Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, bei dem der erste Laserstrahl in dem Schutzschicht-Ausbildungsschritt einen geringeren Einfluss auf die Bauelemente aufweist als ein Einfluss, der durch den zweiten Laserstrahl auf die Bauelemente entstünde, wenn der zweite Laserstrahl die erste Fläche ohne Durchgang durch die Schutzschicht erreichen würde.
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