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QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNG
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität und den Vorteil der koreanischen Patentanmeldungen Nr.
10-2022-0 166 375 , eingereicht am 2. Dezember 2022, und Nr.
10-2023-0 117 810 , eingereicht am 5. September 2023.
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HINTERGRUND
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TECHNISCHES GEBIET
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Ausführungsformen betreffen eine Anzeigevorrichtung.
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BESCHREIBUNG DER BEZOGENEN TECHNIK
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Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen werden in Abhängigkeit von den Materialien einer Emissionsschicht in anorganische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen unterteilt. Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung des Aktivmatrix-Typs weist eine organische lichtemittierende Diode (OLED) auf, die selbst Licht emittiert und Vorteile einer schnellen Antwortgeschwindigkeit, einer hohen Lichtausbeute, einer hohen Leuchtkraft und eines großen Betrachtungswinkels aufweist. Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist OLEDs auf, die in jedem Pixel gebildet sind. Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist nicht nur eine schnelle Antwortgeschwindigkeit, eine hohe Lichtausbeute, eine hohe Leuchtkraft und einen weiten Betrachtungswinkel auf, sondern gibt auch eine schwarze Grauskala als perfektes Schwarz wieder und verfügt somit über ein ausgezeichnetes Kontrastverhältnis und einen großen Farbumfang.
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KURZER ÜBERBLICK
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In letzter Zeit wurden organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen auf einem Kunststoffsubstrat, was ein flexibles Material ist, implementiert. Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben erkannt, dass es aufgrund von verschiedenen Problemen einige Vorteile gibt, die Anzeigevorrichtungen auf einem Glassubstrat zu implementieren. Jedoch haben die Erfinder auch erkannt, dass, wenn die organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen auf Glassubstraten implementiert sind, ein technisches Problem dahingehend besteht, dass eine Steifigkeit reduziert ist, wenn Kerben oder Rundungen verarbeitet werden oder Löcher in einem Panel gebildet werden, und es schwierig ist, verschiedene Formen zu verarbeiten. Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen Anzeigevorrichtungen bereit, die die verschiedenen technischen Probleme der bezogenen Technik, einschließlich des oben identifizierten Problems, angehen.
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Zum Beispiel stellen Ausführungsformen eine Anzeigevorrichtung bereit, die beim Bearbeiten eines Glassubstrats und Bilden von Löchern in verschiedenen Formen die Steifigkeit beibehält.
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Ausführungsformen stellen eine Anzeigevorrichtung bereit, in der ein Abschälen um ein Loch herum verbessert ist.
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Es ist zu beachten, dass die Aufgabe der vorliegenden Offenbarung nicht auf die oben beschriebene Aufgabe beschränkt ist, und andere Aufgaben der vorliegenden Offenbarung werden für die Fachpersonen in der Technik aus den folgenden Beschreibungen ersichtlich sein. Gemäß Aspekten der vorliegenden Offenbarung werden Anzeigevorrichtungen gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die ein Glassubstrat, das einen Anzeigebereich, einen lichtdurchlässigen Bereich und einen den lichtdurchlässigen Bereich umgebenden Nicht-Anzeigebereich aufweist, einen Schaltungsabschnitt und einen Lichtemittierendes-Element-Abschnitt, die in dem Anzeigebereich angeordnet sind, eine Ätzstoppschicht, die in dem Nicht-Anzeigebereich angeordnet ist, und eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen, die in dem Nicht-Anzeigebereich angeordnet sind, aufweist, wobei das Glassubstrat eine erste Öffnung aufweist, die an einer Position angeordnet ist, die dem lichtdurchlässigen Bereich entspricht, und die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen auf der Ätzstoppschicht angeordnet sind.
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Jede von der Mehrzahl von vorstehenden Strukturen kann ein unterschnittenes Profil aufweisen.
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Jede von der Mehrzahl von vorstehenden Strukturen kann die gleiche Schichtstruktur aufweisen wie eine Source-Elektrode des Schaltungsabschnitts.
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Die Ätzstoppschicht kann einen Vorsprung aufweisen, der in Richtung einer Innenseite der ersten Öffnung vorsteht.
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Die Ätzstoppschicht kann eine oder mehrere von einer organischen isolierenden Schicht, einer anorganischen isolierenden Schicht und einer Metallschicht aufweisen.
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Die Anzeigevorrichtung kann einen Damm aufweisen, der in dem Nicht-Anzeigebereich angeordnet ist, wobei die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen eine Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen, die zwischen dem Anzeigebereich und dem Damm angeordnet sind, eine Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen, die zwischen dem Damm und der Ätzstoppschicht angeordnet sind, und eine Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen, die auf der Ätzstoppschicht angeordnet sind, aufweisen kann.
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Die Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen, die Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen und die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen können die gleiche Form aufweisen.
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Zumindest eine von der Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen, der Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen und der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen kann eine verschiedene Form oder ein verschiedenes Material aufweisen.
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Die Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen können eine Metallschicht aufweisen, und die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen können eine organische isolierende Schicht aufweisen.
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Die organische isolierende Schicht der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen kann eine Dummy-Schicht einer Dammschicht in dem Anzeigebereich sein.
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Die Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen können eine anorganische isolierende Schicht aufweisen, und die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen können eine Metallschicht aufweisen.
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Jede von der Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen kann eine erste Strukturschicht und eine zweite Strukturschicht, die auf der ersten Strukturschicht angeordnet ist, aufweisen, wobei die erste Strukturschicht eine anorganische isolierende Schicht sein kann, und die zweite Strukturschicht eine organische isolierende Schicht sein kann.
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Die Anzeigevorrichtung kann eine Seitendeckschicht, die in der ersten Öffnung angeordnet ist, und eine Rückseitendeckschicht, die auf einer unteren Oberfläche des Glassubstrats und einer unteren Oberfläche der Seitendeckschicht angeordnet ist, aufweisen.
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Die untere Oberfläche der Seitendeckschicht kann eine Krümmung aufweisen.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die ein Glassubstrat, das einen Anzeigebereich, einen lichtdurchlässigen Bereich und einen den lichtdurchlässigen Bereich umgebenden Nicht-Anzeigebereich aufweist, einen Schaltungsabschnitt und einen Lichtemittierendes-Element-Abschnitt, die in dem Anzeigebereich angeordnet sind, eine in dem Nicht-Anzeigebereich angeordnete Ätzstoppschicht und eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen, die in dem Nicht-Anzeigebereich angeordnet sind, aufweist, wobei das Glassubstrat eine erste Öffnung aufweist, die an einer Position angeordnet ist, die dem lichtdurchlässigen Bereich entspricht, wobei jede von der Mehrzahl von vorstehenden Strukturen eine erste Strukturschicht, eine dritte Strukturschicht und eine zweite Strukturschicht, die zwischen der ersten Strukturschicht und der dritten Strukturschicht angeordnet ist, aufweist, wobei eine Breite der zweiten Strukturschicht geringer ist als eine Breite von jeder von der ersten Strukturschicht und der dritten Strukturschicht.
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KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
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Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden für die Fachpersonen der Technik durch detailliertes Beschreiben beispielhafter Ausführungsformen davon unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher, in denen:
- 1 eine konzeptionelle Darstellung einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist;
- 2 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-I' der 1 ist;
- 3 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts A der 2 ist;
- 4 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts B der 2 ist;
- 5A ein modifiziertes Beispiel der 3 ist;
- 5B ein modifiziertes Beispiel der 4 ist;
- 6 eine Ansicht ist, die Ätzstoppschichten darstellt, die einen lichtdurchlässigen Bereich und einen Kantenbereich eines Substrats umgeben;
- 7 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II' der 1 ist;
- 8 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts C der 6 ist;
- 9 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts D der 8 ist;
- 10 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
- 11 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts E der 10 ist;
- 12 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts F der 10 ist;
- 13 eine Ansicht ist, die ein Anzeigepanel darstellt, bevor ein lichtdurchlässiger Bereich gebildet wird;
- 14A bis 14E Ansichten sind, die einen Vorgang des Ätzens eines Substrats zum Bilden eines lichtdurchlässigen Bereichs in dem Anzeigepanel darstellen;
- 15 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
- 16 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts H der 15 ist;
- 17 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
- 18 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts I der 17 ist;
- 19 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
- 20 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
- 21 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; und
- 22 eine Ansicht ist, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ihrer Implementierungsverfahren werden durch die folgenden Ausführungsformen verdeutlicht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt und kann mit einer Vielzahl von verschiedenen Modifikationen implementiert werden. Die Ausführungsformen dienen lediglich dazu, den Fachpersonen der Technik ein vollständiges Verständnis des Umfangs der vorliegenden Offenbarung zu ermöglichen.
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Die Abbildungen, Abmessungen (beispielsweise Länge, Breite, Höhe, Dicke, Radius, Durchmesser, Bereich usw.), Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und dergleichen, die in den Zeichnungen zum Beschreiben der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, dienen lediglich der Veranschaulichung, und somit ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die in den Zeichnungen dargestellten Sachverhalte beschränkt.
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Eine Abmessung einschließlich einer Größe und der Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind der Einfachheit der Beschreibung halber dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente beschränkt, aber es ist anzumerken, dass die relativen Abmessungen einschließlich der relativen Größe, Lage und Dicke der in verschiedenen hiermit eingereichten Zeichnungen dargestellten Komponenten Teil der vorliegenden Offenbarung sind.
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In der gesamten Beschreibung beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf im Wesentlichen gleiche Komponenten. Ferner werden beim Beschreiben der vorliegenden Offenbarung detaillierte Beschreibungen bekannter Technologien weggelassen, wenn festgestellt wird, dass sie den Kern der vorliegenden Offenbarung unnötig verschleiern könnten.
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Begriffe, wie beispielsweise „aufweisend“, „mit“ und „bestehend aus“, die hierin verwendet werden, sollen das Hinzufügen weiterer Elemente ermöglichen, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Wenn eine Komponente in der Einzahl ausgedrückt wird, kann sie als die Mehrzahlform aufgefasst werden, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben ist.
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Komponenten werden derart interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
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Wenn die räumliche Beziehung oder Verbindungsbeziehung zwischen zwei Komponenten unter Verwendung von Begriffen, wie beispielsweise „auf“, „über“, „unter“, „neben“, „verbinden oder koppeln“, „kreuzen oder überschneiden“ und dergleichen, beschrieben ist, können eine oder mehrere andere Komponenten zwischen den beiden Komponenten eingefügt sein, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Ausdruck „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
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Wenn die zeitliche Abfolgebeziehung mit Begriffen, wie beispielsweise „nach“, „nachfolgend“, „als nächstes“, „vor“ und dergleichen, beschrieben wird, kann ein nicht kontinuierlicher Fall eingeschlossen sein, sofern nicht der Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet wird.
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Zum Unterscheiden zwischen Komponenten können Ordnungszahlen, wie beispielsweise „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und dergleichen, vor dem Namen der Komponente verwendet werden, aber die Funktion oder Struktur ist nicht durch diese Ordnungszahlen oder Komponentennamen begrenzt. Der Einfachheit der Beschreibung halber können verschiedene Ausführungsformen verschiedene Ordnungszahlen vor den Namen der gleichen Komponente stehen.
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Die folgenden Ausführungsformen können teilweise oder vollständig miteinander gekoppelt oder kombiniert sein und können auf technisch unterschiedliche Weise zusammenwirken und ausgeführt werden. Jede von den Ausführungsformen kann in Bezug auf die andere unabhängig funktionsfähig sein und kann zusammen in verwandten Beziehungen implementiert sein.
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Nachfolgend werden verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
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1 ist eine konzeptionelle Darstellung einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-I' der 1. 3 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts A der 2. 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts B der 2. 5A ist ein modifiziertes Beispiel der 3. 5B ist ein modifiziertes Beispiel der 4.
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Bezugnehmend auf 1 und 2 kann eine Anzeigevorrichtung 1 einen Anzeigebereich DA, von dem ein Bild ausgegeben wird, und einen lichtdurchlässigen Bereich TA, durch den Licht einfällt, aufweisen. Der lichtdurchlässige Bereich TA kann eine Lochstruktur aufweisen, damit Licht auf einen unterhalb eines Anzeigepanels angeordneten Sensor 40 einfallen kann, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht unbedingt hierauf beschränkt.
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Das Anzeigepanel kann einen Schaltungsabschnitt 13, der auf einem Substrat 10 angeordnet ist, und einen Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15, der auf dem Schaltungsabschnitt 13 angeordnet ist, aufweisen. Eine Polarisationsplatte 19 kann auf dem Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 angeordnet sein, und ein Deckglas 20 kann auf der Polarisationsplatte 19 angeordnet sein. Darüber hinaus kann ein Berührungsabschnitt 18 zwischen dem Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 und der Polarisationsplatte 19 angeordnet sein.
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Gemäß der Ausführungsform kann das Substrat 10 ein Glassubstrat sein, das eine vorher festgelegte Stärke aufweist. Jedoch ist das Substrat 10 nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, sondern kann auch ein flexibles Material, wie beispielsweise Polyimid, aufweisen.
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Der Schaltungsabschnitt 13 kann einen Pixelschaltkreis, der mit Leitungen, wie beispielsweise Datenleitungen, Gate-Leitungen, Stromleitungen und dergleichen, verbunden ist, einen Gate-Ansteuerungsabschnitt, der mit den Gate-Leitungen verbunden ist, und dergleichen aufweisen.
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Der Schaltungsabschnitt 13 kann Schaltungselemente aufweisen, wie beispielsweise einen Transistor, der als ein Dünnschichttransistor (TFT) implementiert ist, einen Kondensator und dergleichen. Die Verdrahtungen und Schaltkreiselemente des Schaltungsabschnitts 13 können mit einer Mehrzahl von isolierenden Schichten, zwei oder mehr Metallschichten, die voneinander getrennt sind, wobei die isolierenden Schichten dazwischen angeordnet sind, und eine aktive Schicht, die ein Halbleitermaterial aufweist, aufweisen.
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Der Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 kann eine Vorrichtungsstruktur, wie beispielsweise eine Organische-lichtemittierende-Diode (OLED)-Anzeige, eine Quantenpunktanzeige, eine Mikro-Lichtemittierende-Diode (LED)-Anzeige oder Ähnliches, aufweisen. Nachfolgend wird eine OLED-Struktur, die eine Organische-Verbindung-Schicht aufweist, als ein Beispiel beschrieben.
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Die Organische-Verbindung-Schicht kann eine Löcherinjektionsschicht HIL, eine Löchertransportschicht HTL, eine Emissionsschicht EML, eine Elektronentransportschicht ETL und eine Elektroneninjektionsschicht EIL aufweisen, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Wenn eine Spannung an eine Anode und eine Kathode einer OLED angelegt wird, bewegen sich Löcher, die durch die Löchertransportschicht HTL hindurchtreten, und Elektronen, die durch die Elektronentransportschicht ETL hindurchtreten, derart zu der Emissionsschicht EML, dass Exzitonen erzeugt werden, und somit kann von der Emissionsschicht EML sichtbares Licht emittiert werden.
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Der Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 kann ferner eine Farbfilter-Matrix aufweisen, die auf Pixeln angeordnet ist und selektiv Licht roter, grüner und blauer Wellenlängen hindurchlassen.
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Der Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 kann mittels einer Schutzschicht überdeckt sein, und die Schutzschicht kann mittels eines Verkapselungsabschnitts 17 bedeckt sein. Die Schutzschicht und der Verkapselungsabschnitt 17 können eine Struktur aufweisen, in der organische isolierende Schichten und anorganische isolierende Schichten abwechselnd gestapelt sind. Die anorganische isolierende Schicht kann das Eindringen von Feuchtigkeit oder Sauerstoff verhindern. Die organische isolierende Schicht kann eine Oberfläche der anorganischen isolierenden Schicht einebnen. Somit ist, wenn die isolierende organische Schicht und die isolierende anorganische Schicht in mehrlagigen Schichten gestapelt sind, ein Bewegungspfad der Feuchtigkeit oder des Sauerstoffs länger als bei einer einzelnen Schicht, so dass das Eindringen von Feuchtigkeit/Sauerstoff, das den Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 beeinträchtigt, wirksam blockiert werden kann.
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Die Polarisationsplatte 19 kann auf dem Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15 angeordnet sein. Die Polarisationsplatte 19 kann die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung im Freien verbessern. Die Polarisationsplatte 19 kann zum Verbessern der Helligkeit der Pixel von einer Oberfläche des Anzeigepanels reflektiertes Licht reduzieren und von dem Metall des Schaltungsabschnitts 13 reflektiertes Licht blockieren.
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Der lichtdurchlässige Bereich TA kann zwischen den Anzeigebereichen DA gebildet sein. Ein erster Nicht-Anzeigebereich NDA1 kann derart angeordnet sein, dass er den lichtdurchlässigen Bereich TA umgibt. Der erste Nicht-Anzeigebereich NDA1 kann zum Schützen der lichtemittierenden Elemente in dem Anzeigebereich DA vor Feuchtigkeit oder Sauerstoff, die aus dem lichtdurchlässigen Bereich TA eingebracht werden können, eine Struktur aus einer Mehrzahl von Dämmen aufweisen.
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Der lichtdurchlässige Bereich TA kann zum Injizieren von Licht in den Sensor 40, wie beispielsweise eine Kamera, eine Durchgangslochstruktur aufweisen. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und in dem lichtdurchlässigen Bereich TA können Pixel in einer geringen Dichte angeordnet sein.
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Das Substrat 10 kann eine erste Öffnung 11 aufweisen, die in dem lichtdurchlässigen Bereich TA angeordnet ist. Die erste Öffnung 11 kann eine konische Form aufweisen, die sich in der Breite verengt, wenn sie sich dem Deckglas 20 nähert. Jedoch ist die erste Öffnung 11 nicht notwendigerweise hierauf beschränkt und kann eine konische Form aufweisen, die in der Breite zunimmt, wenn sie sich dem Deckglas 20 nähert, oder kann in einer Dickenrichtung eine konstante Breite aufweisen. Die konische Form der ersten Öffnung 11 kann durch den Typ einer Ätzlösung und ein Ätzverfahren unterschiedlich verändert werden.
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Eine erste Ätzstoppschicht ES1 kann an der ersten Öffnung 11 des Substrats 10 angeordnet sein. Darüber hinaus kann eine zweite Ätzstoppschicht ES2 an einer Kante des Substrats 10 angeordnet sein. Die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 können verhindern, dass eine Ätzlösung beim Ätzen des Substrats 10 in das Panel eindringt.
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Die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 können ein organisches Material aufweisen, das gegen eine Ätzlösung beständig ist. Zum Beispiel kann die Ätzstoppschicht eines ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Polymer auf Polyesterbasis, einem Polymer auf Silikonbasis, einem Polymer auf Acrylbasis, einem Polymer auf Polyolefinbasis und einem Copolymer davon aufweisen. Jedoch ist die Ätzstoppschicht nicht notwendigerweise hierauf beschränkt und kann verschiedene Materialien aufweisen, die gegen die Ätzlösung beständig sind.
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Die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 können gebildet sein, indem sie sich von zumindest einer der Schichten erstrecken, die den Schaltungsabschnitt 13, den Lichtemittierendes-Element-Abschnitt 15, den Verkapselungsabschnitt 17 und den Berührungsabschnitt 18 einrichten. Das bedeutet, dass die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 Dummy-Schichten des Schaltungsabschnitts 13, des Lichtemittierendes-Element-Abschnitts 15, des Verkapselungsabschnitts 17 oder des Berührungsabschnitts 18 sein können. Mit dieser Konfiguration kann die Ätzstoppschicht gebildet werden, ohne einen separaten Vorgang hinzuzufügen.
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Gemäß der Ausführungsform kann die erste Ätzstoppschicht ES1 einen Vorsprung P1 aufweisen, der in Richtung einer Innenseite der ersten Öffnung 11 vorsteht. Der Vorsprung P1 kann als ein Abschnitt definiert sein, der in Richtung des lichtdurchlässigen Bereichs TA weiter vorsteht als eine obere Oberfläche der ersten Öffnung 11. Der Vorsprung P1 kann in einem Vorgang des Laserschneidens der Ätzstoppschicht gebildet werden.
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Wie in 3 dargestellt, weist das Substrat 10 eine Öffnung 11 auf. Der lichtdurchlässige Bereich des Substrats 10 überlappt in einer Draufsicht mit der Öffnung 11 des Substrats 10. Hierbei ist eine Ätzstoppschicht ES1 angrenzend an die Öffnung 11. Wie in 3 dargestellt, ist die Deckschicht 30 zwischen der Ätzstoppschicht ES1 und dem Substrat 10. In einigen Ausführungsformen ist die Ätzstoppschicht ES1 sowohl auf dem Substrat 10 als auch auf der Deckschicht 30. Die Ätzstoppschicht ES1 weist eine obere Oberfläche US, eine untere Oberfläche LS und eine Seitenfläche SSS zwischen der oberen Oberfläche US und der unteren Oberfläche LS auf. In einigen Ausführungsformen berührt die untere Oberfläche LS der Ätzstoppschicht ES1 direkt das Substrat 10 und die Deckschicht 30.
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Ferner kann, wie dargestellt, eine Polarisationsplatte 19 auf dem Substrat 10 und der Deckschicht 30 sein. In einigen Ausführungsformen kann die Polarisationsplatte 19 die obere Oberfläche US und die Seitenfläche SSS der Ätzstoppschicht ES1 direkt berühren. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt
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Eine Deckschicht 30 kann auf einer Rückseite des Substrats 10 gebildet sein. Zum Beispiel kann die Deckschicht 30 aus einem organischen Material gebildet sein, das ein Polymer auf Polyesterbasis oder ein Polymer auf Acrylbasis aufweist.
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Die Deckschicht 30 kann eine Seitendeckschicht 31, die auf einer inneren Seitenfläche der ersten Öffnung 11 gebildet ist, sowie eine Rückseitendeckschicht 32, die auf einem unteren Abschnitt des Substrats angeordnet ist, aufweisen. Eine untere Oberfläche 31 a der Seitendeckschicht 31 kann derart gebildet sein, dass sie in Richtung der Ätzstoppschicht konkav ist. Jedoch ist die Seitendeckschicht 31 nicht notwendigerweise hierauf beschränkt und kann in Abhängigkeit von dem Material nicht kontrahiert sein. Somit kann die untere Oberfläche 31 a der Seitendeckschicht 31 nach dem Aushärten im Wesentlichen flach sein.
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Eine erste geneigte Fläche 11a der ersten Öffnung 11 und eine Seitenfläche S11 des Vorsprungs P1 der ersten Ätzstoppschicht können verschiedene Neigungen aufweisen. Zum Beispiel kann ein Neigungswinkel der Seitenfläche S11 des Vorsprungs P1 größer sein als ein Neigungswinkel der ersten geneigten Fläche 11a. Dies liegt daran, dass die erste Öffnung 11 mittels einer Ätzlösung geätzt wird und eine konische Form aufweist, während die erste Ätzstoppschicht ES1 mittels eines Lasers geschnitten derart wird, dass ein relativ vertikaler Querschnitt gebildet wird. Eine Seitenfläche S21 der unterhalb des Vorsprungs P1 angeordneten Deckschicht 30 kann den gleichen Neigungswinkel aufweisen wie die Seitenfläche S11 des Vorsprungs P1.
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Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die erste geneigte Fläche 11a kann die gleiche Neigung aufweisen wie die Seitenfläche der ersten Ätzstoppschicht ES1. Alternativ hierzu kann die erste geneigte Fläche 11a eine abgerundete Form aufweisen.
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Bezugnehmend auf 2 und 4 kann ein zweiter Nicht-Anzeigebereich NDA2 an einer Kante des Anzeigepanels angeordnet sein. Der zweite Nicht-Anzeigebereich NDA2 kann ein Randabschnitt sein, der erforderlich ist, um ein Muttersubstrat in eine Mehrzahl von Panels zu unterteilen.
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Das Substrat 10 kann eine zweite geneigte Fläche 12a aufweisen, die an seiner Kante gebildet ist. Die zweite geneigte Fläche 12a kann den gleichen Winkel aufweisen wie die erste geneigte Fläche 11a, die in der ersten Öffnung 11 gebildet ist. Die erste Öffnung 11 und die zweite geneigte Fläche 12a werden durch eine Ätzlösung gleichzeitig gebildet, so dass die erste Öffnung 11 und die zweite geneigte Fläche 12a den gleichen Neigungswinkel und die gleiche Ätztiefe aufweisen können.
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Gemäß der Ausführungsform kann die erste Öffnung 11 in einem Substrat jedes Anzeigepanels in einem Vorgang des Trennens einer Mehrzahl von Anzeigepanels durch Ätzen eines Muttersubstrats gleichzeitig gebildet werden. Dementsprechend kann die Öffnung ohne zusätzliche Ausrüstung und ohne Verringerung der Steifigkeit gebildet werden. Darüber hinaus können verschiedene Formen von Öffnungen gebildet werden, indem eine Maskenstruktur geändert wird.
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Die zweite Ätzstoppschicht ES2, die in dem zweiten Nicht-Anzeigebereich NDA2 angeordnet ist, kann verhindern, dass eine Ätzlösung in eine Mehrzahl von Anzeigepanels eindringt, wenn ein Muttersubstrat zum Trennen der Mehrzahl von Anzeigepanels geätzt wird.
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Die zweite Ätzstoppschicht ES2 kann sich von zumindest einer der Schichten des Schaltungsabschnitts 13, des Lichtemittierendes-Element-Abschnitts 15, des Verkapselungsabschnitts 17 und des Berührungsabschnitts 18 aus erstrecken. Alternativ hierzu kann die zweite Ätzstoppschicht in einem Vorgang des Bildens von mindestens einer der Schichten des Schaltungsabschnitts 13, des Lichtemittierendes-Element-Abschnitts 15, des Verkapselungsabschnitts 17 und des Berührungsabschnitts 18 gebildet werden. Mit dieser Konfiguration kann die zweite Ätzstoppschicht ES2 gebildet werden, ohne einen separaten Vorgang hinzuzufügen.
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Gemäß der Ausführungsform kann die zweite Ätzstoppschicht ES2 einen Vorsprung P2 aufweisen, der von der zweiten geneigten Fläche 12a nach außen vorsteht. Der Vorsprung P2 kann eine Beschädigung des Anzeigepanels beim Laserschneiden der zweiten Ätzstoppschicht ES2 verhindern.
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Eine Seitenfläche S22 der unterhalb des Vorsprungs P2 angeordneten Deckschicht 30 kann den gleichen Neigungswinkel aufweisen wie eine Seitenfläche S12 des Vorsprungs P2.
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Bezugnehmend auf 5A kann die erste Ätzstoppschicht ES1 eine erste Teilschicht bis dritte Teilschicht ES11, ES12 und ES13 aufweisen. Die erste Teilschicht ES11 kann eine anorganische isolierende Schicht sein, und die dritte Teilschicht ES13 kann eine organische isolierende Schicht sein. Da ein Haftvermögen zwischen der organischen isolierenden Schicht und dem Substrat 10 relativ schwach ist, kann das Haftvermögen zwischen der organischen isolierenden Schicht und dem Substrat 10 durch die anorganische isolierende Schicht verbessert sein. Die anorganische isolierende Schicht kann geätzt werden, wenn die anorganische isolierende Schicht während des Vorgangs des Ätzens des Substrats in Kontakt mit der Ätzlösung ist.
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Die zweite Teilschicht ES12 kann eine Metallschicht sein. Die zweite Teilschicht ES12 kann Molybdän (Mo) oder Ähnliches aufweisen, das im Vergleich zu der ersten Teilschicht ES11 eine relativ größere chemische Beständigkeit gegenüber einer Ätzlösung aufweist. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die zweite Teilschicht ES12 kann in einigen Fällen weggelassen werden.
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Die erste Öffnung 11 kann vollständig mit der Deckschicht 30 gefüllt sein. Dementsprechend kann, wenn die erste Ätzstoppschicht ES1 mittels eines Lasers geschnitten wird, die in der ersten Öffnung 11 gebildete Deckschicht 30 derart geschnitten werden, dass sie den gleichen Querschnitt wie die erste Ätzstoppschicht ES1 aufweist. Somit können der Querschnitt der ersten Ätzstoppschicht ES1 und der Querschnitt der in der ersten Öffnung 11 gebildeten Deckschicht 30 koplanar zueinander sein.
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In dem Substrat 10 kann die erste geneigte Fläche 11 a eher eine abgerundete Form aufweisen als eine konische Form. Das bedeutet, dass, wenn die erste Teilschicht ES11 geätzt wird, um eine obere Oberfläche des Substrats freizulegen, die obere Oberfläche des Substrats ebenfalls geätzt wird, so dass die erste geneigte Fläche 11a der Öffnung eine abgerundete Form aufweisen kann.
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Bezugnehmend auf 5B kann die zweite Ätzstoppschicht ES2 eine erste Teilschicht ES21 und eine zweite Teilschicht ES22 aufweisen. Die erste Teilschicht ES21 kann eine anorganische isolierende Schicht sein, und die zweite Teilschicht ES22 kann eine organische isolierende Schicht sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die zweite Ätzstoppschicht kann die in 5A dargestellte Schichtstruktur aufweisen.
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Die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 können die gleiche Schichtstruktur oder verschiedene Schichtstrukturen aufweisen. Zum Beispiel können sich einige Schichten in dem Anzeigebereich DA bis zu dem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 erstrecken, aber es kann schwierig sein, sie bis zu dem zweiten Nicht-Anzeigebereich NDA2 auszudehnen. In diesem Fall können die erste Ätzstoppschicht ES1 und die zweite Ätzstoppschicht ES2 verschiedene Schichtstrukturen aufweisen.
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Darüber hinaus kann die erste Ätzstoppschicht ES1 gebildet sein, indem sie sich kontinuierlich von dem Anzeigebereich DA aus erstreckt, während die zweite Ätzstoppschicht ES2 derart gebildet sein kann, dass sie nicht mit dem Anzeigebereich DA verbunden ist. Alternativ hierzu kann, im Gegensatz dazu, die zweite Ätzstoppschicht ES2 derart gebildet sein, dass sie sich von dem Anzeigebereich DA aus erstreckt, während die erste Ätzstoppschicht ES1 derart gebildet sein kann, dass sie nicht mit dem Anzeigebereich DA verbunden ist.
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6 ist eine Ansicht, die eine Form darstellt, in der die Ätzstoppschicht den lichtdurchlässigen Bereich umgibt.
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Bezugnehmend auf 6 kann die erste Ätzstoppschicht ES1 derart angeordnet sein, dass sie den Umfang der ersten Öffnung 11 vollständig umgibt. Darüber hinaus kann die zweite Ätzstoppschicht ES2 derart angeordnet sein, dass sie eine äußere Umfangsfläche des Anzeigepanels vollständig umgibt.
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Gemäß der Ausführungsform kann, da die erste Ätzstoppschicht ES1 derart angeordnet ist, dass sie den Umfang der ersten Öffnung 11 vollständig umgibt, und die zweite Ätzstoppschicht ES2 derart angeordnet ist, dass sie die äußere Umfangsfläche des Anzeigepanels vollständig umgibt, verhindert werden, dass eine Ätzlösung in das Panel eindringt, in einem Fall, in dem gleichzeitig mit dem Schneiden eines Muttersubstrats ein Durchgangsloch im Inneren des Substrats gebildet wird.
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Gemäß der Ausführungsform kann die Öffnung in dem Glassubstrat durch Ätzen in verschiedenen Formen gebildet werden. Somit besteht, im Vergleich zu herkömmlichen Ritz-, Brech- und Schleiftechniken ein Vorteil dahingehend, dass verschiedene Öffnungen gebildet werden können, während die Steifigkeit des Substrats erhalten bleibt. Darüber hinaus besteht ein Vorteil dahingehend, dass die Öffnung gleichzeitig gebildet werden kann, wenn die Seitenfläche des Substrats 10 zum Bilden von Kerben oder Rundungen an der Seitenfläche des Substrats 10 bearbeitet wird.
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7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' der 1.
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Bezugnehmend auf 7 kann der Anzeigebereich DA das Substrat 10, eine Mehrfachpufferschicht 102 und eine aktive Pufferschicht 103 aufweisen, und ein erster Transistor 120 kann auf der aktiven Pufferschicht 103 angeordnet sein.
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Eine untere Gate-isolierende Schicht 104 kann derart angeordnet sein, dass sie eine erste Halbleiterschicht 123, die den ersten Transistor 120 einrichtet, von einer ersten Gate-Elektrode 122 auf der ersten Halbleiterschicht 123 isoliert. Eine erste untere Zwischenisolationsschicht 105 und eine zweite untere Zwischenisolationsschicht 106 können nacheinander auf der ersten Gate-Elektrode 122 angeordnet sein, und eine obere Pufferschicht 107 kann darauf angeordnet sein.
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Die Mehrfachpufferschicht 102 kann die Diffusion von Feuchtigkeit oder Sauerstoff, die in das Substrat 10 eindringen, verzögern und kann gebildet sein, indem Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxid (SiOx) zumindest einmalig abwechselnd gestapelt werden.
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Eine aktive Pufferschicht 103 kann dazu dienen, die erste Halbleiterschicht 123 zu schützen und verschiedene Typen von Defekten zu blockieren, die von dem Substrat 10 aus eingeführt werden. Die aktive Schicht 103 kann aus a-Si, Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumoxid (SiOx) oder dergleichen gebildet sein.
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Die erste Halbleiterschicht 123 des ersten Transistors 120 kann aus einer polykristallinen Halbleiterschicht gebildet sein, und die erste Halbleiterschicht 123 kann einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich aufweisen.
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Die polykristalline Halbleiterschicht weist eine höhere Beweglichkeit auf als eine amorphe Halbleiterschicht und eine Oxid-Halbleiterschicht und weist daher einen niedrigen Energieverbrauch und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit auf. Aufgrund dieser Vorteile kann die polykristalline Halbleiterschicht für einen Ansteuerungstransistor verwendet werden.
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Die erste Gate-Elektrode 122 kann auf der unteren Gate-isolierenden Schicht 104 angeordnet sein und kann derart angeordnet sein, dass sie die erste Halbleiterschicht 123 überlappt.
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Ein zweiter Transistor 130 kann auf der oberen Pufferschicht 107 angeordnet sein, und eine lichtblockierende Schicht 136 kann unter einem Bereich angeordnet sein, der dem zweiten Transistor 130 entspricht.
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Die lichtblockierende Schicht 136 kann auf der ersten unteren Zwischenisolationsschicht 105 in einem Bereich angeordnet sein, der dem zweiten Transistor 130 entspricht, und eine zweite Halbleiterschicht 133 des zweiten Transistors 130 kann derart auf der zweiten unteren isolierenden Zwischenisolationsschicht 106 und der oberen Pufferschicht 107 angeordnet sein, dass sie die lichtblockierende Schicht 136 überlappt.
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Eine obere Gate-isolierende Schicht 137 zum Isolieren einer zweiten Gate-Elektrode 132 von der zweiten Halbleiterschicht 133 kann auf der zweiten Halbleiterschicht 133 angeordnet sein.
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Eine obere Zwischenisolationsschicht 108 kann auf der zweiten Gate-Elektrode 132 angeordnet sein. Jede von der ersten Gate-Elektrode 122 und der zweiten Gate-Elektrode 132 kann als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht aus einem ausgewählt aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Die erste untere Zwischenisolationsschicht 105 und die zweite untere Zwischenisolationsschicht 106 können aus anorganischen isolierenden Schichten gebildet sein, die einen höheren Wasserstoffpartikelgehalt aufweisen als die obere Zwischenisolationsschicht 108. Zum Beispiel können die erste untere Zwischenisolationsschicht 105 und die zweite untere Zwischenisolationsschicht 106 aus Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein, das durch einen Abscheidungsvorgang unter Verwendung von NH3-Gas gebildet wird, und die obere Zwischenisolationsschicht 108 kann aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Wasserstoffpartikel, die in der ersten unteren Zwischenisolationsschicht 105 und der zweiten unteren Zwischenisolationsschicht 106 enthalten sind, können während eines Hydrogenierungsvorgangs derart in die polykristalline Halbleiterschicht hineindiffundieren, dass Poren in der polykristallinen Halbleiterschicht mit Wasserstoff gefüllt sind. Dementsprechend kann die polykristalline Halbleiterschicht stabilisiert sein, wodurch eine Verschlechterung der Eigenschaften des ersten Transistors 120 verhindert wird.
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Nach einem Aktivierungs- und Hydrogenierungsvorgang der ersten Halbleiterschicht 123 des ersten Transistors 120 kann die zweite Halbleiterschicht 133 des zweiten Transistors 130 gebildet werden, und in diesem Fall kann die zweite Halbleiterschicht 133 aus einem Oxidhalbleiter gebildet werden. Da die zweite Halbleiterschicht 133 nicht einer Hochtemperaturatmosphäre des Aktivierungs- und Hydrogenierungsvorgangs der ersten Halbleiterschicht 123 ausgesetzt ist, kann eine Beschädigung der zweiten Halbleiterschicht 133 verhindert werden, was eine Zuverlässigkeit verbessern kann.
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Nachdem die obere Zwischenisolationsschicht 108 angeordnet ist, können ein erstes Source-Kontaktloch 125S und ein erstes Drain-Kontaktloch 125D in zugeordneter Weise derart gebildet werden, dass sie einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des ersten Transistors entsprechen, und ein zweites Source-Kontaktloch 135S und ein zweites Drain-Kontaktloch 135D können in zugeordneter Weise derart gebildet werden, dass sie einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des zweiten Transistors 130 entsprechen.
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Das erste Source-Kontaktloch 125S und das erste Drain-Kontaktloch 125D können von der oberen Zwischenisolationsschicht 108 bis zu der unteren Gate-isolierenden Schicht 104 durchgehend gebildet sein, und das zweite Source-Kontaktloch 135S und das zweite Drain-Kontaktloch 135D können in dem zweiten Transistor 130 ebenso gebildet sein.
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Eine erste Source-Elektrode 121 und eine erste Drain-Elektrode 124, die dem ersten Transistor 120 entsprechen, und eine zweite Source-Elektrode 131 und eine zweite Drain-Elektrode 134, die dem zweiten Transistor 130 entsprechen, können gleichzeitig gebildet werden, wodurch die Anzahl von Vorgängen zum Bilden der Source-Elektroden und Drain-Elektroden von jedem von dem ersten Transistor 120 und dem zweiten Transistor 130 reduziert ist.
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Die erste Source-Elektrode 121 und erste Drain-Elektrode 124 und die zweite Source- Elektrode 131 und zweite Drain-Elektrode 134 können als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht aus zumindest einem von ausgewählt aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon gebildet sein, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
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Die erste Source-Elektrode 121 und erste Drain-Elektrode 124, eine Verbindungselektrode 145 und die zweite Source-Elektrode 131 und zweite Drain-Elektrode 134 können eine dreilagige Struktur aufweisen, und beispielsweise kann die erste Source-Elektrode 121 eine erste Schicht 121 a, eine zweite Schicht 121b und eine dritte Schicht 121 c aufweisen, und andere Source-Elektroden und Drain-Elektroden können die gleiche Struktur wie die erste Source-Elektrode 121 aufweisen. In einigen Ausführungsformen weisen die vorstehenden Strukturen ST eine gleiche Schichtstruktur auf wie eine Source-Elektrode oder die Verbindungselektrode 145 des Schaltungsabschnitts. Zum Beispiel weisen die vorstehenden Strukturen ST auch eine dreilagige Struktur auf. Wie in 11 dargestellt, kann jede von den vorstehenden Strukturen ST eine erste Strukturschicht ML1 mit einer ersten Dicke D1, eine zweite Strukturschicht ML2 mit einer zweiten Dicke D2 und eine dritte Strukturschicht ML3 mit einer dritten Dicke D3 aufweisen, die nacheinander gestapelt sind.
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Ein Speicherkondensator 140 kann zwischen dem ersten Transistor 120 und dem zweiten Transistor 130 angeordnet sein. Der Speicherkondensator 140 kann durch Überlappen einer unteren Speicherelektrode 141 und einer oberen Speicherelektrode 142 gebildet sein, wobei die erste untere Zwischenisolationsschicht 105 dazwischen eingefügt ist.
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Die untere Speicherelektrode 141 kann auf der unteren Gate-isolierenden Schicht 104 angeordnet sein, die auf der gleichen Schicht gebildet ist wie die erste Gate-Elektrode 122, und kann aus dem gleichen Material gebildet sein wie die erste Gate-Elektrode 122. Die obere Speicherelektrode 142 kann durch eine Speicherzuführungsleitung 143 elektrisch mit einem Pixelschaltkreis verbunden sein. Die obere Speicherelektrode 142 kann auf der gleichen Schicht gebildet sein wie die lichtblockierende Schicht 136 und aus dem gleichen Material gebildet sein wie die lichtblockierende Schicht 136. Die obere Speicherelektrode 142 ist durch ein Speicherkontaktloch 144 freigelegt, das durch die zweite untere Zwischenisolationsschicht 106, die obere Pufferschicht 107, die obere Gate-isolierende Schicht 137 und die obere Zwischenisolationsschicht 108 hindurchtritt und ist mit der Speicherzuführungsleitung 143 verbunden.
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Die obere Speicherelektrode 142 ist in einem Abstand von der lichtblockierenden Schicht 136 angeordnet, jedoch können die obere Speicherelektrode 142 und die lichtblockierende Schicht 136 ebenso als ein integrierter Körper gebildet sein, in dem sie miteinander verbunden sind. Die Speicherzuführungsleitung 143 kann derart gebildet sein, dass sie koplanar mit der ersten Source-Elektrode 121 und ersten Drain-Elektrode 124 und der zweiten Source-Elektrode 131 und zweiten Drain-Elektrode 134 ist, und aus dem gleichen Material gebildet sein wie die erste Source-Elektrode 121 und erste Drain-Elektrode 124 und die zweite Source-Elektrode 131 und zweite Drain-Elektrode 134, und dementsprechend kann die Speicherzuführungsleitung 143 durch den gleichen Maskenprozess gleichzeitig mit der ersten Source-Elektrode 121 und ersten Drain-Elektrode 124 und der zweiten Source-Elektrode 131 und zweiten Drain-Elektrode 134 gebildet werden.
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Eine Schutzschicht 109 kann mittels Abscheidens eines anorganischen isolierenden Materials, wie beispielsweise SiNx oder SiOx, auf einer gesamten Oberfläche des Substrats 10, auf dem die erste Source-Elektrode 121 und erste Drain-Elektrode 124, die zweite Source-Elektrode 131 und zweite Drain-Elektrode 134 und die Speicherzuführungsleitung 143 gebildet sind, gebildet werden.
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Eine erste Planarisierungsschicht 110 kann auf der Schutzschicht 109 gebildet sein. Insbesondere kann die erste Planarisierungsschicht 110 durch Aufbringen eines organischen isolierenden Materials, wie beispielsweise eines Harzes auf Acrylbasis, auf der gesamten Oberfläche der Schutzschicht 109 angeordnet werden.
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Nachdem die Schutzschicht 109 und die erste Planarisierungsschicht 110 angeordnet sind, kann ein Kontaktloch, das die erste Source-Elektrode 121 oder die erste Drain-Elektrode 124 des ersten Transistors 120 freilegt, durch einen photolithographischen Vorgang gebildet werden. Die Verbindungselektrode 145, die aus einem Material, das Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr oder eine Legierung davon aufweist, gebildet ist, kann in einem Bereich des Kontaktlochs, das die erste Drain-Elektrode 124 freilegt, angeordnet sein.
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Eine zweite Planarisierungsschicht 111 kann auf der Verbindungselektrode 145 angeordnet sein, und ein Kontaktloch, das die Verbindungselektrode 145 freilegt, kann in der zweiten Planarisierungsschicht 111 derart gebildet sein, dass ein lichtemittierendes Element 150, das mit dem ersten Transistor 120 verbunden ist, angeordnet werden kann.
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Das lichtemittierende Element 150 kann eine Anode 151, die mit der ersten Drain-Elektrode 124 des ersten Transistors 120 verbunden ist, zumindest einen auf der Anode 151 gebildeten lichtemittierenden Stapel 152 und eine auf dem lichtemittierenden Stapel 152 gebildete Kathode 153 aufweisen.
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Der lichtemittierende Stapel 152 kann eine Löcherinjektionsschicht, eine Löchertransportschicht, eine Emissionsschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen, und in einer Tandemstruktur, in der eine Mehrzahl von Emissionsschichten einander überlappen, kann zusätzlich eine Ladungserzeugungsschicht zwischen der Emissionsschicht und der Emissionsschicht angeordnet sein. Die Emissionsschichten können für jeweilige Subpixel verschiedene Farben emittieren.
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Die Anode 151 kann mit der Verbindungselektrode 145 verbunden sein, die durch ein Kontaktloch, das durch die zweite Planarisierungsschicht 111 verläuft, freigelegt ist. Die Anode 151 kann in einer mehrlagigen Form gebildet sein, die eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht und eine lichtundurchlässige leitfähige Schicht mit hohem Reflexionsgrad aufweist. Die lichtdurchlässige leitfähige Schicht kann aus einem Material, das eine relativ großen Austrittsarbeitswert aufweist, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), gebildet sein, und die lichtundurchlässige leitfähige Schicht kann eine einlagige oder mehrlagige Struktur aufweisen, die Al, Ag, Cu, Pb, Mo, Ti oder eine Legierung davon enthält.
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Zum Beispiel kann die Anode 151 in einer Struktur gebildet sein, in der eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht, eine lichtundurchlässige leitfähige Schicht und eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind, oder in einer Form, in der eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht und eine lichtundurchlässige leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind.
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Die Anode 151 kann in einem Emissionsbereich, der durch einen Wall 154 bereitgestellt ist, sowie auf der zweiten Planarisierungsschicht 111 derart angeordnet sein, dass sie einen Pixel-Schaltkreisbereich überlappt, in dem der erste Transistor 120 und der zweite Transistor 130 sowie der Speicherkondensator 140 angeordnet sind, wodurch ein Bereich zum Emittieren von Licht vergrößert ist.
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Der lichtemittierende Stapel 152 kann gebildet werden, indem die Löchertransportschicht, die organische Emissionsschicht und die Elektronentransportschicht in dieser Reihenfolge oder in umgekehrter Reihenfolge auf der Anode 151 gestapelt werden. Darüber hinaus kann der lichtemittierende Stapel 152 ferner eine Ladungserzeugungsschicht aufweisen und kann einen ersten lichtemittierenden Stapel und einen zweiten lichtemittierenden Stapel aufweisen, die einander zugewandt sind, wobei die Ladungserzeugungsschicht dazwischen eingefügt ist.
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Der Wall 154 kann derart gebildet sein, dass er die Anode 151 freilegt. Der Wall 154 kann aus einem organischen Material, wie beispielsweise Photoacryl, gebildet sein und kann ein durchscheinendes Material aufweisen, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Der Wall 154 kann derart aus einem lichtundurchlässigen Material gebildet sein, dass Lichtinterferenz zwischen den Subpixel verhindert wird.
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Die Kathode 153 kann derart auf einer oberen Oberfläche des lichtemittierenden Stapels 152 gebildet sein, dass sie der Anode 151 gegenüber liegt, wobei der lichtemittierende Stapel 152 dazwischen eingefügt ist. Wenn die Kathode 153 in einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung des Top-Emissionstyps angewendet wird, kann die Kathode 153 aus einer lichtdurchlässigen leitfähigen Schicht gebildet sein, indem ITO, IZO oder Magnesium-Silber (Mg-Ag) dünn gebildet werden.
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Der Verkapselungsabschnitt 17 zum Schützen des lichtemittierenden Elements 150 kann auf der Kathode 153 gebildet sein. Da das lichtemittierende Element 150 aufgrund der Eigenschaften eines organischen Materials des lichtemittierenden Stapels 152 mit Feuchtigkeit oder Sauerstoff von außen reagiert, können dunkle Flecken oder Pixelschrumpfung auftreten. Um die dunklen Flecken oder die Pixelschrumpfung zu verhindern, kann der Verkapselungsabschnitt 17 auf der Kathode 153 angeordnet sein.
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Der Verkapselungsabschnitt 17 kann eine erste anorganische isolierende Schicht 171, eine Fremdmaterial-Kompensationsschicht 172 und eine zweite anorganische isolierende Schicht 173 aufweisen.
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Der Berührungsabschnitt 18 kann auf dem Verkapselungsabschnitt 17 angeordnet sein. Der Berührungsabschnitt 18 kann eine erste Planarisierungsschicht 181, eine Berührungselektrode 182 und eine zweite Planarisierungsschicht 183 aufweisen. Die erste Planarisierungsschicht 181 und die zweite Planarisierungsschicht 183 können derart angeordnet sein, dass sie einen abgestuften Abschnitt an einem Punkt, an dem die Berührungselektrode 182 angeordnet ist, ausgleicht, und derart, dass ermöglicht ist, dass die Berührungselektrode 182 gut elektrisch isoliert ist.
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Gemäß Ausführungsformen können, mittels Anordnens des ersten Transistors 120, der aus polykristallinem Niedertemperatursilizium gebildet ist, und des zweiten Transistors 130, der aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, in verschiedenen Schichten, in der Anzeigevorrichtung 1 Dünnschichttransistoren (TFTs), die verschiedene Ansteuerungseigenschaften aufweisen, angeordnet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und es können nur Dünnschichttransistoren, die die gleichen Ansteuerungseigenschaften aufweisen, verwendet werden.
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8 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts C der 6. 9 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts D der 8. 10 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 11 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts E der 10. 12 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts F der 10.
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Bezugnehmend auf 8 und 9 kann der lichtdurchlässige Bereich TA, in dem verschiedene Sensoren angeordnet sind, in einer kreisförmigen Form gebildet sein, und der erste Nicht-Anzeigebereich NDA1 kann um den lichtdurchlässigen Bereich herum angeordnet sein. Jedoch ist der lichtdurchlässige Bereich TA nicht notwendigerweise hierauf beschränkt und kann verschiedene Formen aufweisen, wie beispielsweise eine polygonale Form und eine elliptische Form, und die Form des ersten Nicht-Anzeigebereichs NDA1 kann entsprechend ebenfalls variieren.
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Der erste Nicht-Anzeigebereich NDA1 kann einen Verdrahtungsbereich NDA13, in dem Verdrahtungen TL, die an dem lichtdurchlässigen Bereich TA vorbeiführen, angeordnet sind, einen Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11, der zwischen dem Verdrahtungsbereich NDA13 und dem lichtdurchlässigen Bereich TA angeordnet ist, und einen Dummy-Bereich NDA12, in dem die erste Ätzstoppschicht ES1 gebildet ist, aufweisen. Der Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 und der Dummy-Bereich NDA12 können derart angeordnet sein, dass sie den lichtdurchlässigen Bereich TA umgeben. Der Dummy-Bereich NDA12 kann ebenfalls dazu dienen, ein Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern.
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Bezugnehmend auf 10 können Dämme DAMM und eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST in dem Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 gebildet sein, indem eine Mehrzahl von Schichten verwendet werden, die sich von einem Anzeigebereich aus erstrecken. Die Anzahl von Dämmen DAMM und von vorstehenden Strukturen ST ist nicht besonders begrenzt.
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Die Dämme DAMM und die vorstehenden Strukturen ST können jeweils in einer geschlossenen Schleifenform angeordnet sein, die einen lichtdurchlässigen Bereich TA umgibt. Mit dieser Konfiguration kann verhindert werden, dass Feuchtigkeit durch den lichtdurchlässigen Bereich TA in den Anzeigebereich eindringt. Eine Breite des Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereichs NDA11 kann einen ausgewählten Abstand (oder einen vorher festgelegten Abstand) aufweisen, um ein Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern.
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Der Dummy-Bereich NDA12 kann ein Bereich sein, der für einen Rand während des Ätzens und/oder Laserschneidens eines Substrats 10 gebildet ist. Ohne den Dummy-Bereich NDA12 kann der Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 während des Laserschneidens beschädigt werden und somit anfällig für das Eindringen von Feuchtigkeit sein. Darüber hinaus kann das Substrat 10 durch den Laser beschädigt werden. Der Dummy-Bereich NDA12 kann nur minimale Schichten aufweisen, die auf dem Substrat 10 angeordnet sind, um das Laserschneiden zu erleichtern.
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Eine erste Ätzstoppschicht ES1 kann in dem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet sein, um zu verhindern, dass eine Ätzlösung in das Panel eindringt, wenn das Substrat 10 geätzt wird. Die erste Ätzstoppschicht ES1 kann eine organische isolierende Schicht oder eine Metallschicht aufweisen, die von der Ätzlösung nicht geätzt wird. Die Metallschicht kann Molybdän (Mo) aufweisen, das eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber der Ätzlösung aufweist.
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Eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST können in dem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 angeordnet sein. Die vorstehende Struktur ST ist derart gebildet, dass sie ein unterschnittenes Profil aufweist, so dass ein lichtemittierender Stapel 152, der in dem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 gebildet ist, unterbrochen sein kann.
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Die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST können eine erste vorstehende Struktur ST1 und eine zweite vorstehende Struktur ST2, die in dem Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 angeordnet sind, und eine dritte vorstehende Struktur ST3, die in dem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet ist, aufweisen.
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Eine Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 können zwischen dem Anzeigebereich und dem Damm DAMM angeordnet sein, und eine Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 können zwischen dem Damm DAMM und dem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet sein. Eine Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 können in dem Dummy-Bereich NDA12 auf der ersten Ätzstoppschicht ES1 angeordnet sein.
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Die Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1, die Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 und die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 können die gleiche Form aufweisen, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt. Zum Beispiel können die erste vorstehende Struktur ST1 und die zweite vorstehende Struktur ST2 die gleiche Form aufweisen, jedoch kann die dritte vorstehende Struktur ST3 eine verschiedene Form aufweisen. Jede von den vorstehenden Strukturen ST1, ST2 und ST3 kann auf verschiedene Weise modifiziert sein, solange sie eine Struktur aufweist, die in der Lage ist, den lichtemittierenden Stapel 152 zu unterbrechen.
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Das Substrat 10 kann eine erste Öffnung 11 aufweisen, die in einem Bereich gebildet ist, der dem lichtdurchlässigen Bereich TA entspricht. Ein Durchmesser der ersten Öffnung 11 kann größer sein als der des lichtdurchlässigen Bereichs TA.
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Eine Seitendeckschicht 31 kann auf einer Seitenfläche der ersten Öffnung 11 gebildet sein. Die Seitendeckschicht 31 kann die Seitenfläche der ersten Öffnung 11 bedecken. Die erste Ätzstoppschicht ES1 kann auf der Seitendeckschicht 31 angeordnet sein.
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Die Seitendeckschicht 31 kann aus einem organischen Material gebildet sein, das Licht absorbiert. In einer Ausführungsform kann die Seitendeckschicht 31 ein organisches Material aufweisen, das eine optische Dichte (OD) von 1,0 oder mehr aufweist.
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Eine Rückseitendeckschicht 32 kann unter dem Substrat 10 und der Seitendeckschicht 31 angeordnet sein. Die Rückseitendeckschicht 32 kann derart gebildet sein, dass sie sich von einer Seitenfläche des Substrats 10 bis zu der Seitendeckschicht 31 erstreckt.
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In der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform kann eine Haftfestigkeit der Rückseitendeckschicht 32 verbessert sein, indem die Rückseitendeckschicht 32 derart gebildet ist, dass sie die Seitendeckschicht 31 überdeckt. Die Rückseitendeckschicht 32 kann zum Schützen des Substrats 10 nur auf der Rückseite des Substrats 10 gebildet sein. Jedoch weist die Rückseitendeckschicht 32, die aus einem organischen Material gebildet ist, eine relativ geringe Haftfestigkeit mit dem Substrat 10 auf und kann daher durch äußere Einflüsse oder Einwirkung von dem Substrat 10 abgelöst werden. Daher kann die Haftfestigkeit der Rückseitendeckschicht 32 verbessert werden, indem die Rückseitendeckschicht 32 derart gebildet ist, dass sie die Seitendeckschicht 31, die aus einem organischen Material gebildet ist, an einem Außenumfang des Substrats 10 berühren kann. Dementsprechend kann verhindert werden, dass sich die Rückseitendeckschicht 32 von dem Substrat 10 ablöst.
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Gemäß der Ausführungsform kann eine Seitenfläche des lichtdurchlässigen Bereichs TA vertikal gebildet sein. Das bedeutet, dass eine Seitenfläche der Rückseitendeckschicht 32, eine Seitenfläche der Seitendeckschicht 31, eine Seitenfläche der ersten Ätzstoppschicht ES1 und eine Seitenfläche einer Polarisationsplatte 19, die die Seitenfläche des lichtdurchlässigen Bereichs TA bilden, per Laser geschnitten werden und derart gebildet werden können, dass sie die gleiche vertikale Ebene aufweisen.
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Bezugnehmend auf 11 können die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST jeweils eine erste Strukturschicht ML1, eine zweite Strukturschicht ML2 und eine dritte Strukturschicht ML3 aufweisen, die nacheinander gestapelt sind. Die erste Strukturschicht ML1 und die dritte Strukturschicht ML3 können aus einem Titanmaterial (Ti) gebildet sein, und die zweite Strukturschicht ML2 kann aus einem Aluminiummaterial (Al) gebildet sein.
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Die vorstehende Struktur ST gemäß der Ausführungsform kann aus dem gleichen Material wie die erste Source-Elektrode 121 und die erste Drain-Elektrode 124 oder eine Verbindungselektrode 145 in dem Anzeigebereich gebildet sein. Das bedeutet, dass die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST gleichzeitig gebildet werden können, wenn die Verbindungselektrode 145 gebildet wird, und kann dann derart geätzt werden, dass sie in die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST getrennt werden. Zu diesem Zeitpunkt kann die zweite Strukturschicht ML2, die aus einem Aluminiummaterial gebildet ist, aufgrund des Unterschieds in der Ätzreaktionsgeschwindigkeit relativ stärker geätzt werden. Dementsprechend kann eine Breite der zweiten Strukturschicht ML2 kleiner sein als eine Breite der dritten Strukturschicht ML3, wodurch ein unterschnittenes Profil entsteht. Dementsprechend kann der lichtemittierende Stapel 152, der auf der Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST gebildet wird, nicht durchgehend gebildet werden und kann zwischen der Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST unterbrochen sein. Somit kann ein Feuchtigkeitseindringpfad blockiert sein.
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Gemäß der Ausführungsform können die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST ein Abschälen einer anorganischen isolierenden Schicht, die zusätzlich darauf angeordnet ist, verhindern. Eine anorganische isolierende Schicht kann beim Laserätzen oder durch eine äußere Einwirkung relativ leicht abgeschält werden. Jedoch kann gemäß der Ausführungsform, da die isolierende Schicht zwischen die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST, die jeweils ein unterschnittenes Profil aufweisen, gefüllt ist, kann ein Abschälen verhindert werden. Somit kann das Eindringen von Feuchtigkeit wirksam verhindert werden.
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Bezugnehmend auf 12 ist die vorstehende Struktur ST3 auf der Ätzstoppschicht ES1. Hierbei weist die vorstehende Struktur ST3 eine erste Strukturschicht ML1 mit einer ersten Dicke D1, eine zweite Strukturschicht ML2 mit einer zweiten Dicke D2 und eine dritte Strukturschicht ML3 mit einer dritten Dicke D3 auf. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Dicke D2 der zweiten Strukturschicht ML2 größer als entweder die dritte Dicke D3 der dritten Strukturschicht ML3 oder die erste Dicke D1 der ersten Strukturschicht ML1. In einigen Ausführungsformen kann die erste Dicke D1 der ersten Strukturschicht ML1 die gleiche Dicke aufweisen wie die dritte Dicke D3 der dritten Strukturschicht ML3. In anderen Ausführungsformen kann die erste Dicke D1 der ersten Strukturschicht ML1 eine verschiedene Dicke als die dritte Dicke D3 der dritten Strukturschicht ML3 aufweisen. Zum Beispiel kann die erste Dicke D1 der ersten Strukturschicht ML1 größer oder kleiner sein als die dritte Dicke D3 der dritten Strukturschicht ML3.
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Des Weiteren überlappt, wie dargestellt, die dritte Strukturschicht ML3 die zweite Strukturschicht ML2 in einer Draufsicht vollständig.
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In einigen Ausführungsformen ist der lichtemittierende Stapel 152 auf der vorstehenden Struktur ST3 angeordnet. In einigen Ausführungsformen überlappt der lichtemittierende Stapel 152 (genauer gesagt, ein erster Abschnitt des lichtemittierenden Stapels 152FP) die dritte Strukturschicht ML3 in einer Draufsicht vollständig.
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Wie in 12 dargestellt, weist in einigen Ausführungsformen der lichtemittierende Stapel 152 auf der Ätzstoppschicht ES1 einen ersten Abschnitt 152FP und einen zweiten Abschnitt 152SP auf. Der zweite Abschnitt 152SP des lichtemittierenden Stapels 152 ist in einem Abstand von dem ersten Abschnitt 152FP des lichtemittierenden Stapels 152 angeordnet. Herbei befindet sich der erste Abschnitt 152FP des lichtemittierenden Stapels auf der dritten Strukturschicht ML3 der vorstehenden Struktur ST3 und berührt diese. Der zweite Abschnitt 152SP des lichtemittierenden Stapels ist angrenzend an und in einem Abstand von der ersten Strukturschicht ML1 der vorstehenden Struktur ST3 angeordnet.
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Die isolierende Schicht 171 ist auf der Ätzstoppschicht ES1 und der vorstehenden Struktur ST3. In einer Ausführungsform berührt die isolierende Schicht 171 direkt den zweiten Abschnitt 152SP des lichtemittierenden Stapels, die Ätzstoppschicht ES1 und die erste Strukturschicht ML1 der vorstehenden Struktur ST3.
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Bezugnehmend auf 12 können die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 auf der ersten Ätzstoppschicht ES1 angeordnet sein. Von der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 kann die am weitesten außen angeordnete dritte vorstehende Struktur ST3 weiter in Richtung des lichtdurchlässigen Bereichs TA vorstehen als eine erste geneigte Fläche 11a der ersten Öffnung 11 des Substrats 10. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die erste geneigte Fläche 11a der ersten Öffnung 11 des Substrats 10 kann weiter in Richtung des lichtdurchlässigen Bereichs TA vorstehen als die dritte vorstehende Struktur ST3, die, von den dritten vorstehenden Strukturen ST3, an der äußersten Seite angeordnet ist.
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Der lichtemittierende Stapel 152, der auf der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 gebildet wird, kann nicht durchgehend gebildet sein und kann zwischen der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 unterbrochen sein. Somit kann ein Feuchtigkeitseindringpfad blockiert sein.
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Gemäß der Ausführungsform kann durch das Bilden der Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 in dem Dummy-Bereich NDA12 ein Abschälen der anorganischen isolierenden Schicht während des Laserätzens oder aufgrund einer externen Einwirkung verhindert werden.
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Die Mehrzahl von dritten vorstehenden Strukturen ST3 können direkt auf der ersten Ätzstoppschicht ES1 gebildet sein oder können auf einer auf der ersten Ätzstoppschicht ES1 angeordneten Dummy-Schicht angeordnet sein.
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13 ist eine Ansicht, die das Anzeigepanel vor dem Bilden des lichtdurchlässigen Bereichs darstellt. 14A bis 14E sind Ansichten, die einen Vorgang des Ätzens des Substrats zum Bilden des lichtdurchlässigen Bereichs in dem Anzeigepanel darstellen.
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Bezugnehmend auf 13 und 14A können Maskenstrukturen MP1 auf einem unteren Abschnitt eines Substrats 10 gebildet werden. Gemäß der Ausführungsform können eine Mehrzahl von Öffnungen gleichzeitig gebildet werden, indem die Maskenstruktur MP1 entsprechend der Anzahl und Form der ersten Öffnungen, die in dem Substrat 10 gebildet werden sollen, gebildet wird und das Substrat 10 einer Ätzlösung ausgesetzt wird. Darüber hinaus können von einem Muttersubstrat eine Mehrzahl von Panels abgetrennt werden, während die Öffnungen in jedem Panel gebildet werden.
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Wie in 14B dargestellt, kann das zwischen den Maskenstrukturen MP1 freiliegende Substrat 10 geätzt werden, indem die Ätzlösung mit dem freigelegten Bereich in Kontakt gebracht wird. Zu diesem Zeitpunkt können anorganische isolierende Schichten 102 und 103, die auf dem geätzten Substrat 10 gebildet sind, durch die Ätzlösung geätzt werden. Jedoch dringt die Ätzlösung aufgrund einer ersten Ätzstoppschicht ES1, die auf den anorganischen isolierenden Schichten 102 und 103 angeordnet ist, nicht in das Panel ein. Die erste Ätzstoppschicht ES1 kann unter Verwendung verschiedener organischer isolierender Schichten oder metallischer Schichten, die in einem Anzeigebereich gebildet sind, gebildet sein.
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Bezugnehmend auf 14C kann eine Seitendeckschicht 31 in eine erste Öffnung 11 des Substrats 10 gefüllt werden. Danach wird, wenn die Seitendeckschicht 31 ausgehärtet wird, die Seitendeckschicht 31 um eine ausgewählte (oder vorher festgelegte) Höhe h1 kontrahiert, so dass auf einer unteren Oberfläche 31 a der Seitendeckschicht 31 eine Krümmung gebildet werden kann. Jedoch kann sich die Seitendeckschicht 31 in Abhängigkeit von einem Material nicht zusammenziehen.
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Bezugnehmend auf 14D kann eine Rückseitendeckschicht 32 vollständig auf einer unteren Oberfläche des Substrats 10 und der unteren Oberfläche der Seitendeckschicht 31 gebildet werden. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die Rückseitendeckschicht 32 kann nur auf der unteren Oberfläche des Substrats 10 gebildet werden.
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Bezugnehmend auf 14E kann ein lichtdurchlässiger Bereich TA gebildet werden, indem ein Laser auf die erste Öffnung des Substrats 10 gestrahlt wird. Zu diesem Zeitpunkt können die erste Ätzstoppschicht ES1 und eine dritte vorstehende Struktur ST3, die oberhalb des Substrats 10 angeordnet ist, mit einem Laser geschnitten werden. Gemäß der Ausführungsform wird ein Kontaktbereich zwischen der vorstehenden Struktur ST und der anorganischen isolierenden Schicht vergrößert, so dass ein Phänomen, bei dem die anorganische isolierende Schicht während der Laserbestrahlung abgeschält wird, verbessert werden kann.
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15 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 16 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts H der 15.
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Bezugnehmend auf 15 können eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST in einem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 angeordnet sein. Die vorstehende Struktur ST ist derart gebildet, dass sie ein unterschnittenes Profil aufweist, so dass ein lichtemittierender Stapel, der in dem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 gebildet ist, unterbrochen sein kann.
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Die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST können eine erste vorstehende Struktur ST1 und eine zweite vorstehende Struktur ST2, die in einem Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 angeordnet sind, und eine dritte vorstehende Struktur ST3, die in einem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet ist, aufweisen. Eine Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 können zwischen einem Anzeigebereich und einem Damm DAMM angeordnet sein, und eine Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 können zwischen dem Damm DAMM und dem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet sein.
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Gemäß der Ausführungsform können die erste vorstehende Struktur ST1 und die zweite vorstehende Struktur ST2 die gleiche Form aufweisen, jedoch kann die dritte vorstehende Struktur ST3 eine verschiedene Form aufweisen. Wie unter Bezugnahme auf 11 beschrieben, können in jeder von den ersten vorstehenden Strukturen ST1 und den zweiten vorstehenden Strukturen ST2 eine erste Strukturschicht ML1, eine zweite Strukturschicht ML2 und eine dritte Strukturschicht ML3 nacheinander gestapelt sein.
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Die erste Strukturschicht ML1 und die dritte Strukturschicht ML3 können aus einem Titan (Ti)-Material gebildet sein, und die zweite Strukturschicht ML2 kann aus einem Aluminium (Al)-Material gebildet sein. Die erste vorstehende Struktur ST1 und die zweite vorstehende Struktur ST2 gemäß der Ausführungsform können aus dem gleichen Material gebildet sein wie eine Source-Elektrode oder eine Verbindungselektrode 145 in dem Anzeigebereich. Das bedeutet, dass die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST als eine Dummy-Schicht gebildet werden können, wenn die Verbindungselektrode 145 gebildet wird, und dann kann die Dummy-Schicht in die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST unterteilt werden. Zu diesem Zeitpunkt kann die zweite Strukturschicht ML2 aufgrund eines Unterschieds in der Ätzgeschwindigkeit relativ stärker geätzt werden. Dementsprechend kann eine Breite der zweiten Strukturschicht ML2 kleiner sein als eine Breite der dritten Strukturschicht ML3, wodurch ein unterschnittenes Profil entsteht.
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Die dritte vorstehende Struktur ST3 kann auf einer ersten Teilschicht ES11 und einer zweiten Teilschicht ES12 angeordnet sein. Die erste Teilschicht ES11 kann die gleiche Schicht sein wie die erste Planarisierungsschicht in dem Anzeigebereich, und die zweite Teilschicht ES12 kann die gleiche Schicht sein wie die zweite Planarisierungsschicht in dem Anzeigebereich.
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Die dritte vorstehende Struktur ST3 kann unter Verwendung einer Wallschicht 154 gebildet werden, die auf der zweiten Teilschicht ES12 angeordnet ist. Gemäß der Ausführungsform weist ein lichtemittierender Stapel 152 aufgrund der dritten vorstehenden Struktur ST3 eine ungleichmäßige Form auf, so dass ein Feuchtigkeitseindringpfad derart gebildet sein kann, dass er lang ist. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und der lichtemittierende Stapel kann unterbrochen sein, indem die dritte vorstehende Struktur ST3 in einem unterschnittenen Profil gebildet ist.
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Wie in 15 dargestellt, kann der lichtemittierende Stapel 152 derart gebildet sein, dass er eine Mehrzahl von Gräben (oder Grabenabschnitten) TR in dem Dummy-Bereich NDA12 aufweist. Hierbei ist der lichtemittierende Stapel 152 in dem Dummy-Bereich NDA12 durchgehend und zusammenhängend verbunden.
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Bezugnehmend auf 16 weist der Grabenabschnitt TR des lichtemittierenden Stapels 152 eine Bodenfläche BSTR auf. In einigen Ausführungsformen erstreckt sich die Bodenfläche BSTR des Grabenabschnitts TR in die Ätzstoppschicht ES12. Zum Beispiel weist die Ätzstoppschicht ES12 eine Oberseite TSS auf. Wie in 16 dargestellt, erstreckt sich die Bodenfläche BSTR des Grabenabschnitts TR derart in die Ätzstoppschicht ES12, dass die Bodenfläche BSTR unterhalb der oberen Oberfläche TSS liegt.
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17 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 18 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts I der 17.
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Bezugnehmend auf 17 können eine Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST in einem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 angeordnet sein. Die vorstehende Struktur ST ist derart gebildet, dass sie ein unterschnittenes Profil aufweist, so dass ein lichtemittierender Stapel 152, der in dem ersten Nicht-Anzeigebereich NDA1 gebildet ist, unterbrochen sein kann.
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Die Mehrzahl von vorstehenden Strukturen ST können eine erste vorstehende Struktur ST1 und eine zweite vorstehende Struktur ST2, die in einem Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 angeordnet sind, und eine dritte vorstehende Struktur ST3, die in einem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet ist, aufweisen. Eine Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 können zwischen einem Anzeigebereich und einem Damm DAMM angeordnet sein, und eine Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 können zwischen dem Damm DAMM und dem Dummy-Bereich NDA12 angeordnet sein.
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Gemäß einer Ausführungsform können die erste vorstehende Struktur ST1 und die zweite vorstehende Struktur ST2 verschiedene Formen aufweisen, und die zweite vorstehende Struktur ST2 und die dritte vorstehende Struktur ST3 können die gleiche Form aufweisen.
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Wie in 11 dargestellt, können in jeder von den zweiten vorstehenden Strukturen ST2 und den dritten vorstehenden Strukturen ST3 eine erste Strukturschicht ML1, eine zweite Strukturschicht ML2 und eine dritte Strukturschicht ML3 nacheinander gestapelt sein. Die erste Strukturschicht ML1 und die dritte Strukturschicht ML3 können aus einem Titanmaterial (Ti) gebildet sein, und die zweite Strukturschicht ML2 kann aus einem Aluminiummaterial (Al) gebildet sein. Eine Breite der dritten Strukturschicht ML3 kann derart gebildet sein, dass sie größer ist als eine Breite der zweiten Strukturschicht ML2, wodurch sie ein unterschnittenes Profil erhält.
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Die erste vorstehende Struktur ST1 kann eine 1-1 Strukturschicht 112 und eine 1-2 Strukturschicht 113 aufweisen, die auf den Pufferschichten 102 und 103 angeordnet sind. Die 1-1 Strukturschicht 112 kann eine anorganische isolierende Schicht sein, und die 1-2 Strukturschicht 113 kann eine organische isolierende Schicht sein. Zum Beispiel kann die 1-1-Strukturschicht 112 die gleiche Schicht sein wie die obere Zwischenisolationsschicht in dem Anzeigebereich, und die 1-2-Strukturschicht 113 kann die gleiche Schicht sein wie die zweite Planarisierungsschicht. Jedoch können die 1-1 Strukturschicht 112 und die 1-2 Strukturschicht 113 unter Verwendung verschiedener anorganischer/organischer isolierender Schichten gebildet sein. Darüber hinaus können sowohl die 1-1 Strukturschicht 112 als auch die 1-2 Strukturschicht 113 als anorganische isolierende Schichten oder organische isolierende Schichten gebildet sein.
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Auf einer oberen Oberfläche der 1-2 Strukturschicht 113 kann eine Krümmung gebildet sein. Diese kann durch isotropes Ätzen der organischen isolierenden Schicht gebildet werden. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die obere Oberfläche der 1-2 Strukturschicht kann eine ebene Oberfläche sein.
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Bezugnehmend auf 18 wird eine Dicke der 1-2 Strukturschicht 113 von einer Kante EG der vorstehenden Struktur ST1 zu einer Mitte CTR der zweiten vorstehenden Struktur ST1 dicker. Zum Beispiel weist die 1-2 Strukturschicht 113 einen halbkreisförmigen Abschnitt auf, und je näher die 1-2 Strukturschicht 113 von der Mitte CTR an die Kante EG kommt, desto geringer ist ihre Dicke. Das bedeutet, dass eine Dicke T1 angrenzend an die Mitte CTR ist größer als eine Dicke T2 angrenzend an die Kante EG.
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19 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 20 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 21 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 22 ist eine Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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Bezugnehmend auf 19 können eine Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 und eine Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 in einem Feuchtigkeitseindringen-Verhinderungsbereich NDA11 gebildet sein. Jede von der Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 und der Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 weist einen oberen Abschnitt auf, der eine trapezförmige Form aufweist, und ist in einer unterschnittenen Struktur gebildet, so dass ein lichtemittierender Stapel 152 unterbrochen sein kann. Insbesondere weist jede von der Mehrzahl von ersten vorstehenden Strukturen ST1 und von der Mehrzahl von zweiten vorstehenden Strukturen ST2 eine trapezförmige Querschnittsform auf.
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Eine erste Teilschicht ES11, eine zweite Teilschicht ES12 und eine dritte Teilschicht ES13 können in einem Dummy-Bereich NDA12 gebildet sein. Die erste Teilschicht ES11 kann die gleiche Schicht sein wie die erste Planarisierungsschicht in dem Anzeigebereich, die zweite Teilschicht ES12 kann die gleiche Schicht sein wie die zweite Planarisierungsschicht in dem Anzeigebereich, und die dritte Teilschicht ES13 kann die gleiche Schicht sein wie die Wallschicht in dem Anzeigebereich. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise hierauf beschränkt, und die erste Teilschicht bis dritte Teilschicht ES11, ES12 und ES13 können aus verschiedenen organischen isolierenden Schichten und Metallschichten gebildet sein, die gegenüber einer Flusssäurelösung korrosionsbeständig sind. Bezugnehmend auf 20 weist eine erste Teilschicht ES11 einen Vorsprung PES auf, der in Richtung eines Anzeigebereichs vorsteht und somit ein unterschnittenes Profil aufweist, so dass ein lichtemittierender Stapel 152 unterbrochen werden kann.
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Bezugnehmend auf 21 kann eine erste Ätzstoppschicht ES1 derart gebildet sein, dass sie sich von einem Damm DAMM erstreckt. Bei dieser Konfiguration wird eine Länge der ersten Ätzstoppschicht ES1 vergrößert, wodurch ein relativ ausreichender Dummy-Bereich NDA12 sichergestellt ist. Alternativ hierzu kann, wie in 22 dargestellt, eine erste Ätzstoppschicht ES1 von einem Damm DAMM getrennt sein. In einer dritten Teilschicht ES13 ist ein unebener Abschnitt gebildet, so dass ein Pfad, durch den Feuchtigkeit entlang eines lichtemittierenden Stapels eindringt, derart gebildet sein kann, dass er lang ist. Darüber hinaus kann eine in der dritten Teilschicht ES13 gebildete Nut in einem unterschnittenen Profil gebildet sein, so dass der lichtemittierende Stapel unterbrochen sein kann.
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Da der Inhalt der vorliegenden Offenbarung, der in den zu lösenden Problemen, den Mitteln zur Problemlösung und den Effekten beschrieben ist, keine wesentlichen Merkmale der Ansprüche festlegt, ist der Umfang der Ansprüche nicht auf die in dem Inhalt der Offenbarung beschriebenen Gegenstände beschränkt.
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Gemäß einer Ausführungsform besteht ein Vorteil in einer Prozessoptimierung darin, dass beim Schneiden eines Muttersubstrats gleichzeitig Löcher verschiedener Formen in einem Panel gebildet werden können.
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Außerdem kann ein Fall, in dem beim Ätzen eines Glassubstrats eine Ätzlösung in ein Panel eindringt, verhindert werden.
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Darüber hinaus kann ein Fall, in dem durch einen lichtdurchlässigen Bereich Feuchtigkeit eindringt, verhindert werden.
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Außerdem kann ein Fall, in dem ein Ablösen von Schichten um einen lichtdurchlässigen Bereich herum auftritt, verhindert werden.
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Wirkungen der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Wirkungen beschränkt, und andere, nicht genannte Wirkungen sind für die Fachpersonen aus den folgenden Ansprüchen klar ersichtlich.
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Während die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung oben unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen im Detail beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise auf diese Ausführungsformen beschränkt, und verschiedene Änderungen und Modifikationen können vorgenommen werden, ohne von der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Dementsprechend sind die hierin offenbaren Ausführungsformen als beschreibend und nicht als einschränkend für die vorliegende Offenbarung zu betrachten, und der Umfang der vorliegenden Offenbarung wird durch diese Ausführungsformen nicht eingeschränkt. Dementsprechend sollten die oben beschriebenen Ausführungsformen als beispielhaft und in keinem Aspekt einschränkend verstanden werden.
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Die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen können kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen bereitzustellen.
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Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen im Lichte der obigen detaillierten Beschreibung vorgenommen werden. Im Allgemeinen sollten in den folgenden Ansprüchen die verwendeten Begriffe nicht derart ausgelegt werden, dass sie die Ansprüche auf die in der Anmeldung und den Ansprüchen offenbaren spezifischen Ausführungsformen beschränken, sondern sollten derart ausgelegt werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen einschließen. Dementsprechend sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung beschränkt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- KR 1020220166375 [0001]
- KR 1020230117810 [0001]