DE102023100055A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Hideki Yamaguchi
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

Es wird eine Halbleitervorrichtung erhalten, die in der Lage ist, einen Isolationsabstand zwischen einem Halbleiterelement und einer Verdrahtung sicherzustellen, während eine Beschädigung des Halbleiterelements verhindert wird. Die Halbleitervorrichtung weist ein erstes Halbleiterelement (1), ein zweites Halbleiterelement (8), eine erste Verdrahtung (11) und eine zweite Verdrahtung (7) auf. Das erste Halbleiterelement (1) weist eine erste Hauptfläche (1a) und eine zweite Hauptfläche (1b) auf. Eine Elektrode (1c) ist auf der ersten Hauptfläche (1a) ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement (8) ist an einer Position angeordnet, die von einer Position des ersten Halbleiterelements (1) in einer Dickenrichtung abweicht. Die erste Verdrahtung (11) weist ein Ende (11a) auf, welches mit der Elektrode (1c) verbunden ist. Das Ende (11a) weist eine obere Fläche (11aa) und eine Schnittfläche (11ab) auf. Die Schnittfläche (11ab) befindet sich in einer von der oberen Fläche (11aa) abweichenden Richtung. Ein Durchmesser (D2) der zweiten Verdrahtung (7) ist kleiner als ein Durchmesser (D1) der ersten Verdrahtung. Die zweite Verdrahtung (7) weist ein erstes Ende (7a) und ein zweites Ende (7b) auf. Das erste Ende (7a) ist direkt mit der oberen Fläche (11aa) des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (11) verbunden.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Herkömmlich ist eine Halbleitervorrichtung bekannt, in welcher eine Basis (Kontaktierhügel) auf einer Elektrode eines Halbleiterelements bereitgestellt ist, zum Beispiel für den Zweck einer Sicherstellung eines Isolationsabstandes zwischen dem Halbleiterelement und einer Verdrahtung, welche mit der Elektrode des Halbleiterelements verbunden ist und die Verdrahtung ist mit der Basis verbunden (siehe zum Beispiel die Japanische Patentoffenlegungs-Nr. 2004-247672 ). Die Japanische Patentoffenlegungs-Nr. 2004-247672 offenbart eine Halbleitervorrichtung, in welcher ein mehrstufiger Kontaktierhügel als eine Basis ausgebildet ist, indem eine Metallverdrahtung auf einer Elektrode eines Halbleiterelements mehrere Male verbunden wird, und die Verdrahtung ist mit dem mehrstufigen Kontaktierhügel verbunden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Um in der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung die Basis auszubilden, welche die Verdrahtung auf der Elektrode verbindet, wird ein Verbindungsvorgang mehrere Male auf der Elektrode des Halbleiterelements ausgeführt. In diesem Fall besteht wegen einer Einwirkung aufgrund des mehrfach auf das Halbleiterelement angewendeten Verbindungsvorgangs die Möglichkeit, dass das Halbleiterelement beschädigt wird.
  • Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, einen Isolationsabstand zwischen dem Halbleiterelement und der Verdrahtung sicherzustellen, während eine Beschädigung des Halbleiterelements verhindert wird.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung enthält ein erstes Halbleiterelement, ein zweites Halbleiterelement, eine erste Verdrahtung, und eine zweite Verdrahtung. Das erste Halbleiterelement weist eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche auf. Die zweite Hauptfläche befindet sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche. Eine Elektrode ist auf der ersten Hauptfläche ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement ist an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche in Richtung der zweiten Hauptfläche abweicht. Die erste Verdrahtung ist mit der Elektrode verbunden. Die erste Verdrahtung weist ein Ende auf, welches mit der Elektrode verbunden ist. Das Ende weist eine obere Fläche und eine Schnittfläche auf. Die Schnittfläche befindet sich in einer von der oberen Fläche abweichenden Richtung. Die zweite Verdrahtung verbindet das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement elektrisch. Ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung ist kleiner als ein Durchmesser der ersten Verdrahtung. Die zweite Verdrahtung weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf. Das zweite Ende befindet sich auf einer dem ersten Ende gegenüberliegenden Seite. Das erste Ende ist direkt mit der oberen Fläche am Ende der ersten Verdrahtung verbunden. Das zweite Ende ist mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung enthält ein erstes Halbleiterelement, ein zweites Halbleiterelement, eine erste Verdrahtung, und eine zweite Verdrahtung. Das erste Halbleiterelement weist eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche auf. Die zweite Hauptfläche befindet sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche. Eine Elektrode ist auf der ersten Hauptfläche ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement ist an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche in Richtung der zweiten Hauptfläche abweicht. Die erste Verdrahtung ist mit der Elektrode verbunden. Die erste Verdrahtung weist eine Bandform auf und weist ein Ende auf, welches mit der Elektrode verbunden ist. Das Ende weist eine obere Fläche auf. Die zweite Verdrahtung verbindet das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement elektrisch. Ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung ist kleiner als eine Breite der ersten Verdrahtung in einer Richtung, welche eine Erstreckungsrichtung der ersten Verdrahtung schneidet. Die zweite Verdrahtung weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf. Das zweite Ende befindet sich auf einer dem ersten Ende gegenüberliegenden Seite. Das erste Ende ist direkt mit der oberen Fläche am Ende der ersten Verdrahtung verbunden. Das zweite Ende ist mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Vorbereiten eines ersten Halbleiterelements und eines zweiten Halbleiterelements. Das erste Halbleiterelement weist eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche auf. Die zweite Hauptfläche befindet sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche. Eine Elektrode ist auf der ersten Hauptfläche ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement ist an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche in Richtung der zweiten Hauptfläche abweicht. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung umfasst ferner ein Verbinden eines Endes einer ersten Verdrahtung mit der Elektrode, und ein elektrisches Verbinden des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements durch eine zweite Verdrahtung. Das Ende weist eine obere Fläche und eine Schnittfläche auf. Die Schnittfläche befindet sich in einer von der oberen Fläche abweichenden Richtung. Ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung ist kleiner als ein Durchmesser der ersten Verdrahtung. Die zweite Verdrahtung weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf. Das zweite Ende befindet sich auf einer dem ersten Ende gegenüberliegenden Seite. Beim elektrischen Verbinden des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements durch die zweite Verdrahtung, wird das erste Ende direkt mit einer oberen Fläche des Endes der ersten Verdrahtung verbunden. Das zweite Ende ist mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Vorbereiten eines ersten Halbleiterelements und eines zweiten Halbleiterelements. Das erste Halbleiterelement weist eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche auf. Die zweite Hauptfläche befindet sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche. Eine Elektrode ist auf der ersten Hauptfläche ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement ist an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche in Richtung der zweiten Hauptfläche abweicht. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung umfasst ferner ein Verbinden eines Endes einer ersten Verdrahtung mit der Elektrode, und ein elektrisches Verbinden des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements durch eine zweite Verdrahtung. Die erste Verdrahtung weist eine Bandform auf. Das Ende weist eine obere Fläche auf. Ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung ist kleiner als eine Breite der ersten Verdrahtung in einer Richtung, welche eine Erstreckungsrichtung der ersten Verdrahtung schneidet. Die zweite Verdrahtung weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf. Das zweite Ende befindet sich auf einer dem ersten Ende gegenüberliegenden Seite. Beim elektrischen Verbinden des ersten Halbleiterelements und des zweiten Halbleiterelements durch die zweite Verdrahtung, wird das erste Ende direkt mit der oberen Fläche des Endes der ersten Verdrahtung verbunden. Das zweite Ende wird mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden.
  • Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Figuren deutlicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Ansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht.
    • 2 ist eine schematische Teilschnittansicht der in 1 veranschaulichten Halbleitervorrichtung.
    • 3 ist eine schematische Teildraufsicht der in 1 veranschaulichten Halbleitervorrichtung.
    • 4 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zur Herstellung Halbleitervorrichtung in 1 veranschaulicht.
    • 5 ist ein schematisches Diagramm, welches das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 1 veranschaulicht.
    • 6 ist ein Abschnitt einer Teildraufsicht, welcher eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht.
    • 7 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Modifikation der Halbleitervorrichtung in 6 veranschaulicht.
    • 8 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform veranschaulicht.
    • 9 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform veranschaulicht.
    • 10 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform veranschaulicht.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die gleichen Komponenten sind mittels identischer Bezugszeichen gekennzeichnet, und eine wiederholte Beschreibung wird ausgelassen.
  • Erste Ausführungsform
  • <Konfiguration der Halbleitervorrichtung>
  • 1 ist eine schematische Ansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. 2 ist eine schematische Teilschnittansicht der in 1 veranschaulichten Halbleitervorrichtung. 3 ist eine schematische Teildraufsicht der in 1 veranschaulichten Halbleitervorrichtung. 2 ist eine Querschnittsansicht, die entlang eines Schnitts entnommen ist, der durch eine zweite Verdrahtung 7 und eine erste Verdrahtung 11 eines Teils in 3 verläuft.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung weist hauptsächlich Anschlussrahmen 2a, 2b, ein erstes Halbleiterelement 1, ein zweites Halbleiterelement 8, ein drittes Halbleiterelement 3, eine erste Verdrahtung 11, eine zweite Verdrahtung 7, und ein Gießharz 4 auf.
  • Der Anschlussrahmen 2a ist entfernt von einer oberen Fläche des Anschlussrahmens 2b angeordnet. Der IC-Anschluss 6 ist an einem Ende des Anschlussrahmens 2a ausgebildet. Ein Leistungsanschluss 5 ist an einem Ende des Anschlussrahmens 2b angeordnet. Der IC-Anschluss 6 und der Leistungsanschluss 5 sind Anschlüsse, welche die Halbleitervorrichtung mit einer Außenseite verbinden. Zum Beispiel sind die Anschlussrahmen 2a, 2b aus Kupfer oder aus einer Kupferlegierung ausgebildet. Die Anschlussrahmen 2a, 2b weisen Stufen auf, die durch Biegen ausgebildet wurden. Der Anschlussrahmen 2a ist an einer Höhenposition eines Rahmens (nicht veranschaulicht) angeordnet. Die Dicken der Anschlussrahmen 2a, 2b sind in Übereinstimmung mit Werten eines Stroms festgelegt, welcher durch den IC-Anschluss 6 und den Leistungsanschluss 5 fließt, wenn die Halbleitervorrichtung tatsächlich verwendet wird, um die Anschlussrahmen 2a, 2b mittels einer Pressverarbeitung stabil herzustellen. Zum Beispiel sind die Dicken der Anschlussrahmen 2a, 2b größer als oder gleich 0,1 mm und kleiner als oder gleich 1 mm.
  • Das zweite Halbleiterelement 8 ist mit der oberen Fläche des Anschlussrahmens 2a mittels einer dazwischen eingefügten Verbindungsschicht 10 verbunden. Zum Beispiel ist die Verbindungsschicht 10 eine leitende Verbindungsschicht, welche durch Aushärten einer Silber- (Ag) Paste erhalten wird. Das erste Halbleiterelement 1 und das dritte Halbleiterelement 3 sind mit Abständen auf der oberen Fläche des Anschlussrahmens 2b angeordnet. Das erste Halbleiterelement 1 und das dritte Halbleiterelement 3 sind mit der oberen Fläche des Anschlussrahmens 2b mittels eines dazwischen eingefügten Lots 9 verbunden.
  • Die zweite Verdrahtung 7 ist derart angeordnet, dass sie zwischen dem ersten Halbleiterelement 1 und dem zweiten Halbleiterelement 8 und zwischen dem zweiten Halbleiterelement 8 und dem Anschlussrahmen 2a verbunden ist. Die erste Verdrahtung 11 ist derart angeordnet, dass sie zwischen dem ersten Halbleiterelement 1 und dem dritten Halbleiterelement 3 und zwischen dem dritten Halbleiterelement 3 und dem Anschlussrahmen 2b verbunden ist.
  • Die erste Verdrahtung 11 ist mit dem ersten Halbleiterelement 1 verbunden, welches ein Leistungshalbleiterelement wie der IGBT ist, und sie ist eine Verdrahtung, durch welche ein hoher Strom fließt. Aus diesem Grund wird als das Material der ersten Verdrahtung 11 allgemein kostengünstiges Aluminium (Al) verwendet, obwohl die elektrische Leitfähigkeit nicht so hoch wie die von Silber (Ag) ist. Zum Beispiel ist ein Durchmesser D1 der ersten Verdrahtung 11, welche eine Aluminiumverdrahtung 16 ist, größer als oder gleich 0,1 mm und kleiner als oder gleich 0,5 mm.
  • Zum Beispiel wird ein Material mit einer relativ hohen elektrischen Leitfähigkeit wie Gold (Au), Silber (Ag), oder Kupfer (Cu) als das Material der zweiten Verdrahtung 7 ausgewählt. Zum Beispiel ist ein Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 kleiner oder gleich 0,05 mm.
  • Das Gießharz 4 ist derart ausgebildet, dass es Teile der Anschlussrahmen 2a, 2b, das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, das dritte Halbleiterelement 3, die erste Verdrahtung 11, und die zweite Verdrahtung 7 in dem Gießharz 4 hält. Zum Beispiel ist das Gießharz 4 aus einem wärmehärtenden Epoxidharz ausgebildet. Das Gießharz 4 kann ein Füllmaterial enthalten. Zum Beispiel kann ein aus Siliziumdioxid ausgebildetes Füllmaterial verwendet werden. Solch ein Gießharz 4 kann einen Wärmeausdehnungskoeffizienten in der Nähe eines Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupfer aufweisen, welches die Anschlussrahmen 2a, 2b ausbildet.
  • Der IC-Anschluss 6, der am Ende des Anschlussrahmens 2a ausgebildet ist, ragt zur Außenseite des Gießharzes 4 hervor. Der Leistungsanschluss 5, der am Ende des Anschlussrahmens 2b ausgebildet ist, ragt zur Außenseite des Gießharzes 4 hervor. Der Leistungsanschluss 5 ragt von der ersten Seitenfläche des Gießharzes 4 hervor. Der IC-Anschluss 6 ragt von einer zweiten Seitenfläche hervor, die sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Seitenfläche in dem Gießharz 4 befindet. Der Leistungsanschluss 5 ist derart ausgebildet, dass er sich in eine Richtung (aufwärts) erstreckt, welche die obere Fläche des Anschlussrahmens 2b schneidet, mit welchem das Halbleiterelement 1 verbunden ist. Der IC-Anschluss 6 ist derart ausgebildet, dass er sich in einer Richtung (aufwärts) erstreckt, welche die obere Fläche des Anschlussrahmens 2a schneidet, mit welchem das Halbleiterelement 8 verbunden ist. Wie in 1 veranschaulicht, ist das zweites Halbleiterelement 8 an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements 1 in einer Dickenrichtung von einer ersten Hauptfläche 1a zu einer zweiten Hauptfläche 1b, nämlich in eine durch einen Pfeil 30 in 1 gekennzeichnete Richtung, abweicht.
  • Zum Beispiel ist das erste Halbleiterelement 1 ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT). Zum Beispiel kann das erste Halbleiterelement 1 ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) sein. Zum Beispiel ist das zweite Halbleiterelement 8 ein integriertes Schaltungs- (IC) Element. Das dritte Halbleiterelement 3 kann ein Diodenelement, und zum Beispiel eine Schottky-Diode (SBD) sein. Zum Beispiel kann ein Material, welches das erste Halbleiterelement 1 und das dritte Halbleiterelement 3 bildet, Silizium sein, und es kann ein abweichendes Material wie Siliziumkarbid sein.
  • Wie in 2 veranschaulicht, weist das erste Halbleiterelement 1 eine erste Hauptfläche 1a und eine zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Eine Elektrode 1c ist auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Eine zweite Hauptfläche 1b ist dem Anschlussrahmen 2b zugewandt. Eine erste Verdrahtung 11 ist mit der Elektrode 1c verbunden. Die erste Verdrahtung 11 weist ein Ende 11a auf, welches mit der Elektrode 1c verbunden ist. Die erste Verdrahtung 11 ist mit der Elektrode 1c mittels Wedge-Bonden verbunden. Dementsprechend weist das Ende 11a eine obere Fläche 11aa und eine Schnittfläche 11ab auf. Die Schnittfläche 11 ab ist eine Scherfläche der ersten Verdrahtung 11 und sie befindet sich in einer von der oberen Fläche 11aa abweichenden Richtung. Die Schnittfläche 11ab ist eine Seitenendfläche des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11.
  • Die zweite Verdrahtung 7 verbindet das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 miteinander. Wie in 2 veranschaulicht, ist ein Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 kleiner als ein Durchmesser D1 der ersten Verdrahtung 11. Die zweite Verdrahtung 7 weist ein erstes Ende 7a und ein zweites Ende 7b auf. Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. Das erste Ende 7a ist direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden. Wie in 1 veranschaulicht, ist das zweite Ende 7b mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden.
  • Wie in 3 veranschaulicht, sind zwei erste Verdrahtungen 11 mit der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelement 1 verbunden. Die Anzahl von Verdrahtungen 11, die mit der Elektrode 1c verbunden sind, kann größer als oder gleich 3 sein. Die zweite Verdrahtung 7 ist mit jeder der Vielzahl von ersten Verdrahtungen 11 verbunden, die mit der Elektrode 1c verbunden sind.
  • Die zweite Verdrahtung 7 ist mit dem ersten Halbleiterelement 1 und dem zweiten Halbleiterelement 8 mittels Kugel-Bonden (engl. ball bonding) verbunden. An dem ersten Ende 7a oder an dem zweiten Ende 7b der zweiten Verdrahtung 7, entspricht eine flache Form eines Teils, welches mit der oberen Fläche 11aa oder einer Elektrode (nicht veranschaulicht) des zweiten Halbleiterelements 8 an dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden ist, zum Beispiel einer Kreisform oder einer Halbkreisform. Die flache Form des Teils ist wenigstens teilweise gekrümmt. Das heißt, das erste Ende 7a oder das zweite Ende 7b der zweiten Verdrahtung 7 weist im Gegensatz zum Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 die Schnittfläche nicht auf.
  • In der oben beschrieben Halbleitervorrichtung sind der Leistungsanschluss 5 und der IC-Anschluss 6, welche aus dem Gießharz 4 hervorragen, und die Region (Die-Verbindungsregion), mit welcher das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, und das dritte Halbleiterelement 3 verbunden sind, aus denselben Anschlussrahmen 2a, 2b ausgebildet, und die Die-Verbindungsregion kann durch ein isolierendes Substrat ausgebildet sein. Zum Beispiel kann ein isolierendes Substrat mit einer gestapelten Struktur, in welcher eine erste Metallschicht auf der oberen Fläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist und eine zweite Metallschicht auf einer unteren Fläche der isolierenden Schicht ausgebildet ist, als das isolierende Substrat verwendet werden. Die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht sind durch die isolierende Schicht elektrisch isoliert. In diesem Fall ist das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, oder das dritte Halbleiterelement 3 auf der ersten Metallschicht montiert. Der Leistungsanschluss 5 und der IC-Anschluss 6 können mit der ersten Metallschicht durch das Verbindungsmaterial wie einem Lot verbunden sein, oder sie können direkt mit der ersten Metallschicht durch Ultraschall-Bonden oder dergleichen verbunden sein. Alternativ können der Leistungsanschluss 5 und der IC-Anschluss 6 durch die Verbindungsverdrahtung mit der ersten Metallschicht verbunden sein.
  • <Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung>
  • 4 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zur Herstellung Halbleitervorrichtung in 1 veranschaulicht. 5 ist ein schematisches Diagramm, welches das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 1 veranschaulicht.
  • Wie in 4 veranschaulicht, wird in dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung ein erster Vorbereitungsprozess (S10) ausgeführt. In dem Vorbereitungsprozess (S10) werden Anschlussrahmen 2a, 2b, ein erstes Halbleiterelement 1, ein zweites Halbleiterelement 8, und ein drittes Halbleiterelement 3 vorbereitet. Darüber hinaus werden das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, und das dritte Halbleiterelement 3 mit den Anschlussrahmen 2a, 2b verbunden. Wie in 2 veranschaulicht, weist das erste Halbleiterelement 1 eine erste Hauptfläche 1a und eine zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Eine Elektrode 1c ist auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement 8 ist mit dem Anschlussrahmen 2a verbunden, welcher oberhalb des Anschlussrahmens 2b positioniert ist, mit welchem das erste Halbleiterelement 1 verbunden ist. Konkret wird eine Silberpaste auf der oberen Fläche des Anschlussrahmens 2a aufgebracht, und das zweite Halbleiterelement 8 wird auf der Silberpaste montiert. Die Silberpaste wird durch Erwärmen in einem Ofen ausgehärtet, um die Verbindungsschicht 10 auszubilden (siehe 1). Das zweite Halbleiterelement 8 wird mit dem Anschlussrahmen 2a durch die Verbindungsschicht 10 verbunden. Das erste Halbleiterelement 1 und das dritte Halbleiterelement 3 werden durch ein Lot 9 mit dem Anschlussrahmen 2b verbunden (siehe 1). Das zweite Halbleiterelement 8 ist oberhalb des ersten Halbleiterelements 1 an einer Position angeordnet, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements 1 in der Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche 1a zur zweiten Hauptfläche 1b abweicht.
  • Nachfolgend wird ein erster Verdrahtungsprozess (S20) ausgeführt. In diesem Prozess wird ein Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 mit der Elektrode 1c verbunden. Konkret werden die Elektrode 1c (siehe 2) des ersten Halbleiterelements 1 und die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 durch die erste Verdrahtung 11 verbunden. Die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 und ein Pad (nicht veranschaulicht), welches auf dem Anschlussrahmen 2b ausgebildet ist, werden durch die erste Verdrahtung 11 miteinander verbunden. Die erste Verdrahtung 11 wird mittels Wedge-Bonden unter Verwendung einer Ultraschallverbindungsvorrichtung verbunden. Während des Wedge-Bondens bleibt zum Beispiel eine Vertiefung, welche durch ein Werkzeug eingepresst wird, auf der oberen Fläche 11aa an dem Ende 11a zurück, welches mit der Elektrode 1c verbunden wird. Die Schnittfläche 11 ab, welche durch Schneiden der ersten Verdrahtung 11 während des Wedge-Bondens erhalten wird, wird an einem Seitenende des Endes 11a ausgebildet.
  • Nachfolgend wird ein zweiter Verdrahtungsprozess (S30) ausgeführt. Während des zweiten Verdrahtungsprozesses (S30) werden das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 durch die zweite Verdrahtung 7 elektrisch miteinander verbunden. Das zweite Halbleiterelement 8 und das Pad des Anschlussrahmens 2a werden durch die zweite Verdrahtung 7 elektrisch miteinander verbunden. Auf der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelements 1 wird das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden. Ein zweites Ende 7b wird mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden. Das zweite Halbleiterelement 8 und ein Pad (nicht veranschaulicht), welches auf dem Anschlussrahmen 2a ausgebildet ist, werden durch die zweite Verdrahtung 7 miteinander verbunden. Die zweite Verdrahtung 7 wird mittels Kugel-Bonden (engl. „ball bonding“) verbunden.
  • Hier wird das Kugel-Bonden kurz beschrieben. Beim Kugel-Bonden der zweiten Verdrahtung 7, wie in 5 veranschaulicht, wird die zweite Verdrahtung 7 gehalten, während das Ende der zweiten Verdrahtung 7 aus der Spitze einer Kapillare 13 hervorragt, die an einer Spitze eines Horns 12 der Ultraschallverbindungsvorrichtung befestigt ist. Die Kapillare 13 ist ein zylindrisches Verbindungswerkzeug. Die zweite Verdrahtung 7 wird in die Kapillare 13 eingesetzt und sie ragt, wie oben beschrieben, teilweise aus der Spitze der Kapillare 13 hervor. Eine Funkenstange 15 ist derart angeordnet, dass sie der zweiten Verdrahtung 7 zugewandt ist, welche aus der Spitze der Kapillare 13 hervorragt. Durch Anlegen einer Spannung an die Funkenstange 15 wird eine elektrische Entladung zwischen der Funkenstange 15 und der Spitze der zweiten Verdrahtung 7 erzeugt. Die elektrische Entladung schmilzt die Spitze der zweiten Verdrahtung 7, um einen „free air ball“ (FAB) 14 auszubilden. Nachdem der FAB 14 ausgebildet wurde, wird der FAB 14 der zweiten Verdrahtung 7 gegen die Elektrode (nicht veranschaulicht) gepresst, welche auf der oberen Fläche des zweiten Halbleiterelements 8 ausgebildet ist, welches ein Verbindungsziel ist, indem das Horn 12 und die Kapillare 13 bewegt werden. In diesem Zustand wird eine Ultraschallwelle auf die zweite Verdrahtung 7 angewendet, um den FAB 14 der zweiten Verdrahtung 7 mit der Elektrode des zweiten Halbleiterelements 8 zu verbinden.
  • Anschließend werden das Horn 12 und die Kapillare 13 bewegt, während die zweite Verdrahtung 7 aus der Spitze der Kapillare 13 abgewickelt wird, sodass die zweite Verdrahtung 7 eine Schleife ausbildet. Nachdem die Kapillare 13 auf die obere Fläche 11aa (siehe 2) des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 bewegt wurde, wird ein Teil der zweiten Verdrahtung 7, welcher sich an der Spitze der Kapillare 13 befindet, gegen die obere Fläche 11aa (siehe 2) des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 gepresst. Die zweite Verdrahtung 7 wird mit dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 durch Anwenden der Ultraschallwelle auf die zweite Verdrahtung 7 in diesem Zustand verbunden. Danach wird die Kapillare 13 angehoben, sodass sie von dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 getrennt wird, während ein Teil der zweiten Verdrahtung 7 gehalten wird. Infolgedessen wirkt eine Zugbelastung auf einen Teil der zweiten Verdrahtung 7 ein, welcher sich zwischen der Kapillare 13 und dem Teil (Befestigungsabschnitt) der zweiten Verdrahtung 7 befindet, welche mit dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden ist, und die zweite Verdrahtung 7 bricht. Auf diese Weise werden das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 durch die zweite Verdrahtung 7 elektrisch miteinander verbunden. Die zweite Verdrahtung 7, welche mit dem ersten Halbleiterelement 1 verbunden wird, ist eine Source-seitige Verdrahtung.
  • Wie oben beschrieben, ist der Durchmesser D1 größer als der Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7, und die zweite Verdrahtung 7, welche einen relativ geringen Durchmesser D2 aufweist, wird mit der ersten Verdrahtung 11 verbunden (was wedge-gebondete Verdrahtung genannt wird), welche eine Schnittfläche 11 ab an dem Ende 11a aufweist, das mit der Elektrode 1c durch Kugel-Bonden verbunden ist. Wie oben beschrieben, wird die zweite Verdrahtung 7 mit dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden, sodass ein Abstand L1 zwischen der Oberfläche der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelements 1 und der zweiten Verdrahtung 7 ausreichend erhöht werden kann, wie in 2 veranschaulicht ist. Darüber hinaus wird die zweite Verdrahtung 7 nicht direkt mit der Oberfläche der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelements 1 kugel-gebondet, sodass eine Wahrscheinlichkeit, dass das erste Halbleiterelement 1 aufgrund einer Einwirkung durch den Verbindungsvorgang beschädigt wird, reduziert werden kann.
  • Ein Verfahren zum Verbinden der zweiten Verdrahtung 7, welche das zweite Halbleiterelement 8 und das Pad des Anschlussrahmens 2a verbindet, ist grundsätzlich ähnlich dem oben beschriebenen Verfahren. Konkret wird, nachdem der FAB an der Spitze der zweiten Verdrahtung 7 ausgebildet wurde, der FAB 14 der zweiten Verdrahtung 7 gegen eine Elektrode (nicht veranschaulicht) gepresst, welche auf der oberen Fläche des zweiten Halbleiterelements 8 ausgebildet ist, durch Bewegen des Horns 12 und der Kapillare 13. In diesem Zustand wird eine Ultraschallwelle auf die zweite Verdrahtung 7 angewendet, um den FAB 14 der zweiten Verdrahtung 7 mit der Elektrode des zweiten Halbleiterelements 8 zu verbinden. Anschließend werden das Horn 12 und die Kapillare 13 bewegt, während die zweite Verdrahtung 7 aus der Spitze der Kapillare 13 abgewickelt wird, sodass die zweite Verdrahtung 7 eine Schleife ausbildet. Nachdem die Kapillare 13 auf das Pad des Anschlussrahmens 2a bewegt wurde, wird ein Teil der zweiten Verdrahtung 7, welcher sich an der Spitze der Kapillare 13 befindet, gegen das Pad gepresst. Die zweite Verdrahtung 7 wird in diesem Zustand mit dem Pad des Anschlussrahmens 2a durch Anwenden der Ultraschallwelle auf die zweite Verdrahtung 7 verbunden. Anschließend hebt sich die Kapillare 13 an, sodass sie von dem Anschlussrahmen 2a getrennt wird, während ein Teil der zweiten Verdrahtung 7 gehalten wird. Infolgedessen wirkt eine Zugbelastung auf einen Teil der zweiten Verdrahtung 7 ein, welcher sich zwischen dem Teil (Befestigungsabschnitt) der zweiten Verdrahtung 7, der mit dem Pad des Anschlussrahmens 2a verbunden ist und der Kapillare 13 befindet, und die zweite Verdrahtung 7 wird gebrochen. Auf diese Weise werden das zweite Halbleiterelement 8 und das Pad des Anschlussrahmens 2a durch die zweite Verdrahtung 7 elektrisch miteinander verbunden.
  • Nachfolgend wird ein Nachverarbeitungsprozess (S40) ausgeführt. In dem Nachverarbeitungsprozess (S40) werden Teile der Anschlussrahmen 2a, 2b, das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, das dritte Halbleiterelement 3, die erste Verdrahtung 11, und die zweite Verdrahtung 7 mittels Gießharz 4 versiegelt. Zum Beispiel wird das Gießharz 4 unter Verwendung einer Spritzgussvorrichtung gegossen. Auf diese Weise wird die Halbleitervorrichtung in den 1 bis 3 hergestellt.
  • <Umsetzung und Effekt>
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung weist das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, die erste Verdrahtung 11, und die zweite Verdrahtung 7 auf. Das erste Halbleiterelement 1 weist die erste Hauptfläche 1a und die zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Die Elektrode 1c ist auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement 8 ist an der Position angeordnet, die von der Position des ersten Halbleiterelements 1 in der Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche 1a bis zur zweiten Hauptfläche 1b abweicht. Die erste Verdrahtung 11 ist mit der Elektrode 1c verbunden. Die erste Verdrahtung 11 weist ein Ende 11a auf, welches mit der Elektrode 1c verbunden ist. Das Ende 11a weist eine oberen Fläche 11 aa und die Schnittfläche 11 ab auf. Die Schnittfläche 11 ab befindet sich in der von der oberen Fläche 11 aa abweichenden Richtung. Die zweite Verdrahtung 7 verbindet das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 elektrisch miteinander. Der Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als der Durchmesser D1 der ersten Verdrahtung. Die zweite Verdrahtung 7 weist das erste Ende 7a und das zweite Ende 7b auf. Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. Das erste Ende 7a ist direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden. Das zweite Ende 7b ist mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden.
  • In diesem Fall ist die zweite Verdrahtung 7 mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden, sodass ein Abstand L1 zwischen der zweiten Verdrahtung 7 und dem ersten Halbleiterelement 1 durch die erste Verdrahtung 11 ausreichend sichergestellt werden kann. Da das Ende 11a, welches die Basis der zweiten Verdrahtung 7 ist, mit der Elektrode 1c verbunden ist, ist die Basis auf dem ersten Halbleiterelement 1 wie in dem Fall ausgebildet, in dem ein mehrstufiger Kontaktierhügel als die Basis wie in dem herkömmlichen Fall ausgebildet ist, sodass eine Einwirkung aufgrund eines mehrfachen Verbindens nicht einwirkt. Folglich kann die Wahrscheinlichkeit reduziert werden, dass das erste Halbleiterelement 1 aufgrund der Einwirkung beschädigt wird.
  • Wenn zum Beispiel das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8, welche an unterschiedlichen Positionen in der Dickenrichtung des ersten Halbleiterelements 1 angeordnet sind, durch die zweite Verdrahtung 7, die kugel-gebondet werden soll, verbunden werden, wird ein für das Kugel-Bonden verwendeter Kopfteil wie die Kapillare 13 (siehe 5) der Ultraschallverbindungsvorrichtung unter unterschiedlichen Winkeln auf dem ersten Halbleiterelement 1 und dem zweiten Halbleiterelement 8 geneigt. Wenn die Neigung des Kopfteils wie oben beschrieben unterschiedlich ist, ändert sich die auf die zweite Verdrahtung 7 während des Verbindens einwirkende Belastung im Vergleich zum normalen Zeitpunkt (wenn der Kopfteil im Wesentlichen rechtwinklig zum ersten Halbleiterelement 1 und dergleichen steht). Aus diesem Grund ist es denkbar, dass die Belastung, welche von der normalen Belastung abweicht, auf das erste Halbleiterelement 1 während des Verbindens einwirkt, sodass das erste Halbleiterelement 1 beschädigt wird. In der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung ist jedoch die zweite Verdrahtung 7 mit dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden, sie steht aber nicht in direktem Kontakt mit dem ersten Halbleiterelement 1. Dementsprechend kann eine Erzeugung des obigen Problems verhindert werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung der vorliegenden Offenbarung umfasst den Prozess (S10) zum Vorbereiten des ersten Halbleiterelements 1 und des zweiten Halbleiterelements 8. Das erste Halbleiterelement 1 weist die erste Hauptfläche 1a und die zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Die Elektrode 1c wird auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement 8 wird an der Position angeordnet, die von der Position des ersten Halbleiterelements 1 in der Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche 1a bis zur zweiten Hauptfläche 1b abweicht. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung umfasst ferner den Prozess (S20) zum Verbinden des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 mit der Elektrode 1c, und den Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden des ersten Halbleiterelements 1 und des zweiten Halbleiterelements 8 durch die zweite Verdrahtung 7. Das Ende 11a weist eine oberen Fläche 11 aa und die Schnittfläche 11 ab auf. Die Schnittfläche 11ab befindet sich in der von der oberen Fläche 11 aa abweichenden Richtung. Ein Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als ein Durchmesser D1 der ersten Verdrahtung 11. Die zweite Verdrahtung 7 weist das erste Ende 7a und das zweite Ende 7b auf. Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden durch die zweite Verdrahtung 7 wird das erste Ende 7a direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden. Das zweite Ende 7b wird mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden.
  • Auf diese Weise kann die Halbleitervorrichtung in den 1 bis 3 erhalten werden.
  • In dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung kann das Ende 11a mit der Elektrode 1c durch Wedge-Bonden in dem Prozess (S20) zum Verbinden des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden werden. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden der zweiten Verdrahtung 7, kann die zweite Verdrahtung 7 mit dem ersten Halbleiterelement 1 und dem zweiten Halbleiterelement 8 durch das Kugel-Bonden verbunden werden.
  • Da in diesem Fall die obere Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung durch das Verarbeitungswerkzeug während des Wedge-Bondens gepresst wird, wird die Oberfläche 11aa eine relativ flache Oberfläche, welche zum Verbinden des ersten Endes 7a der zweiten Verdrahtung 7 geeignet ist. Infolgedessen kann das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 auf einfache Weise mit dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden werden.
  • Zweite Ausführungsform
  • <Konfiguration der Halbleitervorrichtung>
  • 6 ist ein Abschnitt einer Teildraufsicht, welcher eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung in 6 weist im Wesentlichen die gleiche Konfiguration auf wie jene der Halbleitervorrichtung in den 1 bis 3 und sie kann denselben Effekt erzielen, sie weicht aber dahingehend von der Halbleitervorrichtung in den 1 bis 3 ab, dass eine erste Verdrahtung 11 ein Flachdraht 19 ist, der eine Bandform aufweist.
  • Der Flachdraht 19 umfasst ein Ende 11a, welches mit einer Elektrode 1c verbunden ist. Der Flachdraht 19 weist eine rechteckige Schnittform in der Breitenrichtung auf, welche die Erstreckungsrichtung schneidet. Das Ende 11a weist eine obere Fläche 11aa auf. Eine zweite Verdrahtung 7 verbindet das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 elektrisch (siehe 1). Ein Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als eine Breite W des Flachdrahtes 19 in der Richtung, welche die Erstreckungsrichtung des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, schneidet. Die zweite Verdrahtung 7 weist ein erstes Ende 7a und ein zweites Ende 7b auf (siehe 1). Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. Das zweite Ende 7b ist mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden, wie in 1 veranschaulicht. Das erste Ende 7a ist direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 verbunden.
  • Zum Beispiel kann Aluminium als ein Material für den Flachdraht 19 verwendet werden. In diesem Fall kann, wenn die zweite Verdrahtung 7 mit dem Flachdraht 19 verbunden wird, die Einwirkung (zum Beispiel, die Einwirkung, wenn das Ultraschall-Bonden ausgeführt wird), welche während des Verbindens erzeugt wird, bis zu einem gewissen Grad durch den Flachdraht 19 absorbiert werden. Infolgedessen kann die Wahrscheinlichkeit reduziert werden, dass das erste Halbleiterelement 1 durch die Einwirkung beschädigt wird.
  • <Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung>
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 6 weist eine Konfiguration auf, welche ähnlich jener des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 4 ist, aber der Inhalt des ersten Verdrahtungsprozesses (S20) in 4 weicht teilweise von jenem in 6 ab. In dem Prozess (S20), wird das Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, mit der Elektrode 1c verbunden. Konkret werden die Elektrode 1c (siehe 2) des ersten Halbleiterelements 1 und die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 durch den Flachdraht 19 miteinander verbunden. Ferner werden die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 und ein Pad (nicht veranschaulicht), welches auf dem Anschlussrahmen 2b ausgebildet ist, durch den Flachdraht 19 oder einen normalen leitenden Draht miteinander verbunden. Der Flachdraht 19 wird durch das Wedge-Bonden unter Verwendung der Ultraschallverbindungsvorrichtung verbunden. Während des Wedge-Bondens bleibt zum Beispiel eine Vertiefung, welche durch ein Werkzeug eingepresst wird, auf der oberen Fläche 11aa an dem Ende 11a zurück, welches mit der Elektrode 1c verbunden wird.
  • Die Prozesse (S10), (S30), (S40) abweichend von dem obigen Prozess (S20) sind ähnlich jenen in dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 4.
  • <Modifikation>
  • 7 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Modifikation der Halbleitervorrichtung in 6 veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung in 7 weist im Wesentlichen die gleiche Konfiguration auf wie jene der Halbleitervorrichtung in 6 auf, und sie kann dieselben Effekte erzielen, aber die Konfiguration des Verbindungsabschnittes zwischen dem Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist und der Elektrode 1c weicht von jener der Halbleitervorrichtung in 6 ab. In der Halbleitervorrichtung in 7 wird der Flachdraht 19 mit der Elektrode 1c mittels eines dazwischen eingefügten Lots 31 verbunden. Die Dicke des Lots 31 ist geringer als die Dicke T des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist.
  • <Umsetzung und Effekt>
  • Wie in den 1, 6, und 7 veranschaulicht, weist die Halbleitervorrichtung der vorliegenden Offenbarung das erste Halbleiterelement 1, das zweite Halbleiterelement 8, den Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, und die zweite Verdrahtung 7 auf. Das erste Halbleiterelement 1 weist die erste Hauptfläche 1a und die zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Die Elektrode 1c wird auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement 8 wird an der Position angeordnet, die von der Position des ersten Halbleiterelements 1 in der Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche 1a bis zur zweiten Hauptfläche 1b abweicht. Der Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, wird mit der Elektrode 1c verbunden. Der Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, weist eine Bandform auf und weist ein Ende 11a auf, welches mit der Elektrode 1c verbunden wird.
  • Das Ende 11a weist eine obere Fläche 11aa auf. Die zweite Verdrahtung 7 verbindet das erste Halbleiterelement 1 und das zweite Halbleiterelement 8 elektrisch miteinander. Ein Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als eine Breite W der ersten Verdrahtung 11 in der Richtung, welche die Erstreckungsrichtung der ersten Verdrahtung 11 schneidet. Der Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als eine Dicke T des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist. Die zweite Verdrahtung 7 weist das erste Ende 7a und das zweite Ende 7b auf. Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. Das erste Ende 7a wird direkt mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a des Flachdrahtes 19 verbunden, welcher die erste Verdrahtung 11 ist. Das zweite Ende 7b wird mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden.
  • In diesem Fall wird die zweite Verdrahtung 7 mit der oberen Fläche 11aa des Endes 11a des Flachdrahtes 19 verbunden, welcher die bandförmige erste Verdrahtung 11 ist, sodass ein Abstand L1 zwischen der zweiten Verdrahtung 7 und dem ersten Halbleiterelement 1 ausreichend durch den Flachdraht 19 sichergestellt werden kann. Da das Ende 11a, welches die Basis der zweiten Verdrahtung 7 ist, mit der Elektrode 1c verbunden wird, wird die Basis auf dem ersten Halbleiterelement 1 wie in dem Fall ausgebildet, in dem ein mehrstufiger Kontaktierhügel als die Basis wie in dem herkömmlichen Fall ausgebildet wird, sodass eine Einwirkung aufgrund eines mehrfachen Verbindens nicht einwirkt. Folglich kann die Wahrscheinlichkeit reduziert werden, dass das erste Halbleiterelement 1 aufgrund der Einwirkung beschädigt wird.
  • Darüber hinaus wird der Flachdraht 19 als erste Verdrahtung 11 verwendet, sodass der Bereich der oberen Fläche 11aa des Endes 11a größer gemacht werden kann als in dem Fall, in dem die erste Verdrahtung 11 eine lineare Verdrahtung ist. Daher kann der Freiheitsgrad beim Auswählen der Verbindungsposition der zweiten Verdrahtung 7 in Bezug auf die obere Fläche 11aa erhöht werden. Darüber hinaus kann die Vielzahl von zweiten Verdrahtungen 7 auf einfache Weise mit dem Ende 11a verbunden werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung der vorliegenden Offenbarung umfasst den Prozess (S10) zum Vorbereiten des ersten Halbleiterelements 1 und des zweiten Halbleiterelements 8. Das erste Halbleiterelement 1 weist die erste Hauptfläche 1a und die zweite Hauptfläche 1b auf. Die zweite Hauptfläche 1b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche 1a. Die Elektrode 1c wird auf der ersten Hauptfläche 1a ausgebildet. Das zweite Halbleiterelement 8 wird an der Position angeordnet, die von der Position des ersten Halbleiterelements 1 in der Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche 1a bis zur zweiten Hauptfläche 1b abweicht. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung enthält ferner den Prozess (S20) zum Verbinden des Endes 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, mit der Elektrode 1c, und den Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden des ersten Halbleiterelements 1 und des zweiten Halbleiterelements 8 miteinander durch die zweite Verdrahtung 7. Die erste Verdrahtung 11 ist ein Flachdraht 19, welcher eine Bandform aufweist. Das Ende 11a weist die obere Fläche 11aa auf. Der Durchmesser D2 der zweiten Verdrahtung 7 ist kleiner als die Breite W des Flachdrahtes 19 in der Richtung, welche die Erstreckungsrichtung des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, schneidet. Die zweite Verdrahtung 7 weist das erste Ende 7a und das zweite Ende 7b auf. Das zweite Ende 7b befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Endes 7a. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden durch die zweite Verdrahtung 7, wird das erste Ende 7a direkt mit der Oberfläche 11aa des Endes 11a des Flachdrahtes 19 verbunden, welcher die erste Verdrahtung 11 ist. Das zweite Ende 7b wird mit dem zweiten Halbleiterelement 8 verbunden.
  • Auf diese Weise kann die Halbleitervorrichtung in 6 erhalten werden.
  • Dritte Ausführungsform
  • <Konfiguration der Halbleitervorrichtung>
  • 8 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung in 8 weist im Wesentlichen die gleiche Konfiguration auf wie jene der Halbleitervorrichtung in 6 auf, und sie kann dieselben Effekte erzielen, aber die Konfiguration des Verbindungsabschnittes zwischen dem Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist und der Elektrode 1c weicht von jener der Halbleitervorrichtung in 6 ab. Konkret ist in der Halbleitervorrichtung in 8 die erste Verdrahtung 11 am Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, gebogen und gestapelt. In 8 ist der Flachdraht 19 am Ende 11a zweifach gebogen, um eine Stapelstruktur 20 mit drei gestapelten Schichten aufzuweisen. In dem Ende 11a ist die obere Fläche 11aa eine oberste Fläche der gestapelten Flachdrähte 19. Das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 ist mit der obersten Fläche der gestapelten Flachdrähte 19 verbunden. Die Richtung, in welche sich der Flachdraht 19 von dem Ende 11a erstreckt und die Richtung, in welche sich die zweite Verdrahtung 7 von der oberen Fläche 11aa des Endes 11a weg erstreckt, liegen einander in einer horizontalen Richtung gegenüber.
  • <Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung>
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 8 weist eine Konfiguration auf, welche ähnlich jener des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 6 ist, aber der Inhalt des ersten Verdrahtungsprozesses (S20) in 4 weicht teilweise von jenem in 8 ab. In dem Prozess (S20) wird der Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, auf der Elektrode 1c gebogen und gestapelt. Konkret wird die Spitze des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, mit der Elektrode 1c verbunden, und die Spitze des Flachdrahtes 19 wird gebogen, um eine gestapelte Struktur 20 auszubilden. In dem Prozess (S20) werden die Elektrode 1c (siehe 2) des ersten Halbleiterelements 1 und die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 durch den Flachdraht 19 miteinander verbunden. Ferner werden die Elektrode des dritten Halbleiterelements 3 und ein Pad (nicht veranschaulicht), welches auf dem Anschlussrahmen 2b ausgebildet ist, durch den Flachdraht 19 oder einen normalen leitenden Draht miteinander verbunden. Der Flachdraht 19 wird durch das Wedge-Bonden unter Verwendung der Ultraschallverbindungsvorrichtung verbunden. Wenn der Flachdraht 19 mit der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelements 1 verbunden wird, wie in 8 veranschaulicht, wird zunächst die Spitze des Flachdrahtes 19 durch das Wedge-Bonden mit der Elektrode 1c verbunden. Anschließend wird auf die Spitze des Flachdrahtes 19 gedrückt, während er mehrere Male durch eine Betätigung des Verbindungswerkzeugs gebogen wird. Infolgedessen wird, wie in 8 veranschaulicht, das Ende 11a erhalten, welches eine gestapelte Struktur 20 ist, in welcher der Flachdraht 19 mehrere Male gefaltet und gestapelt ist.
  • Die Prozesse (S10), (S30), (S40) abweichend von dem obigen Prozess (S20) sind ähnlich jenen in dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 4.
  • <Umsetzung und Effekt>
  • In der Halbleitervorrichtung kann der Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, gebogen und gestapelt werden. In dem Ende 11a kann die obere Fläche 11aa die oberste Fläche des Flachdrahtes 19 sein, welcher auf der erste Verdrahtung 11 gestapelt ist.
  • Selbst wenn die Dicke T der ersten Verdrahtung in diesem Fall nicht ausreichend dick ist, kann die Höhe von der Elektrode 1c zur oberen Fläche 11aa des Endes 11a (die Höhe des Endes 11a) ausreichend erhöht werden durch Biegen und Stapeln des Flachdrahtes 19 an dem Ende 11a. Infolgedessen kann, ähnlich der Halbleitervorrichtung in den 1 bis 3, der Abstand L1 zwischen der zweiten Verdrahtung 7 und dem ersten Halbleiterelement 1 ausreichend erhöht werden. Da die Höhe des Endes 11a durch Änderung der Anzahl gestapelter Flachdrähte 19 kontrolliert werden kann, ist ein spezieller Flachdraht 19, welcher eine große Dicke T aufweist, nicht erforderlich, um diesen als erste Verdrahtung 11 zu verwenden, und es kann ein allgemeiner Flachdraht 19 verwendet werden. Infolgedessen kann eine Zunahme von Herstellungskosten der Halbleitervorrichtung verhindert werden.
  • In dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung kann die erste Verdrahtung 11 auf der Elektrode 1c an dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 in dem Prozess (S20) zum Verbinden des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11 gebogen und gestapelt werden. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden durch die zweite Verdrahtung 7, kann die obere Fläche 11aa die oberste Fläche der gestapelten ersten Verdrahtung 11 an dem Ende 11a sein.
  • In diesem Fall kann die Halbleitervorrichtung in 8 erhalten werden.
  • Vierte Ausführungsform
  • <Konfiguration der Halbleitervorrichtung>
  • 9 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung in 9 weist im Wesentlichen die gleiche Konfiguration auf wie jene der Halbleitervorrichtung in 6 auf, und sie kann dieselben Effekte erzielen, aber die Konfiguration des Verbindungsabschnittes zwischen dem Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist und der Elektrode 1c, weicht von jener der Halbleitervorrichtung in 6 ab. Konkret weist in der Halbleitervorrichtung von 9 das Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, einen Befestigungsabschnitt 11ac und einen Schleifenabschnitt 11ad auf. Der Befestigungsabschnitt 11ac ist direkt mit der Elektrode 1c verbunden. Der Schleifenabschnitt 11ad ist durchgehend mit dem Befestigungsabschnitt 11ac ausgebildet und wird zu einem Überstand auf der Seite der Richtung (die Richtung in Richtung des zweiten Halbleiterelements 8 oder aufwärts) weg von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung des Befestigungsabschnitts 11ac von der Elektrode 1c. Das Ende des Schleifenabschnitts 11ad, welches der Seite gegenüberliegt, die durchgehend mit dem Befestigungsabschnitt 11ac ausgebildet ist, erstreckt sich auf das dritte Halbleiterelement 3 (siehe 1) in dem Flachdraht 19. In dem Ende 11a ist eine oberen Fläche 11aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad. Eine zweite Verdrahtung 7 ist mit der oberen Fläche 11aa des Schleifenabschnitts 11ad verbunden.
  • Ein Teil des Schleifenabschnitts 11ad befindet sich auf dem Befestigungsabschnitt 11ac. In einer Draufsicht, welche aus der Richtung rechtwinklig zur Oberfläche der Elektrode 1c gesehen wird, überlappt ein Teil des Schleifenabschnitts 11ad den Befestigungsabschnitt 11ac. Ein erstes Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 kann mit dem Schleifenabschnitt 11ad an der Position verbunden sein, welche den Befestigungsabschnitt 11ac in der Draufsicht überlappt. Alternativ kann das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 mit dem Schleifenabschnitt 11ad an der Position verbunden sein, welche den Befestigungsabschnitt 11ac in der Draufsicht nicht überlappt. Die Richtung, in welche sich der Flachdraht 19 von dem Ende 11a erstreckt und die Richtung, in welche sich die zweite Verdrahtung 7 von der oberen Fläche 11aa des Endes 11a weg erstreckt, liegen einander in einer horizontalen Richtung gegenüber.
  • <Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung>
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 9 weist eine Konfiguration auf, welche ähnlich jener des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 6 ist, aber der Inhalt des ersten Verdrahtungsprozesses (S20) in 4 weicht teilweise von jenem in 9 ab. Wenn in dem Prozess (S20) der Flachdraht 19 mit der Elektrode 1c des ersten Halbleiterelements 1 verbunden wird, wird das Ende 11a, welches den Befestigungsabschnitt 11 ac und den Schleifenabschnitt 11ad aufweist, durch den Flachdraht 19 ausgebildet, welcher die erste Verdrahtung 11 ist. Konkret wird, wie in 9 veranschaulicht, die Spitze des Flachdrahtes 19 mit der Elektrode 1c durch Wedge-Bonden verbunden, um den Befestigungsabschnitt 11ac auszubilden. Anschließend wird der Flachdraht 19 derart gebogen, dass der Flachdraht 19 den Schleifenabschnitt 11ad auf dem Befestigungsabschnitt 11ac ausbildet, indem das Verbindungswerkzeug betätigt wird. Infolgedessen, wie in 9 veranschaulicht, werden der Befestigungsabschnitt 11ac, welcher direkt mit der Elektrode 1c verbunden wird und der Schleifenabschnitt 11ad, welcher durchgehend mit dem Befestigungsabschnitt 11ac ausgebildet wird und ein Überstand auf der Seite des zweiten Halbleiterelements 8 von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung des Flachdrahtes 19 wird, an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19 ausgebildet.
  • Die Prozesse (S10), (S30), (S40) abweichend von dem obigen Prozess (S20) sind ähnlich jenen in dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 4. In dem Prozess (S30) wird an dem Ende 11a die zweite Verdrahtung 7 mit der oberen Fläche des Schleifenabschnitts 11ad verbunden, welche die obere Fläche 11aa ist.
  • <Umsetzung und Effekt>
  • In der Halbleitervorrichtung enthält das Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, den Befestigungsabschnitt 11ac und den Schleifenabschnitt 11ad. Der Befestigungsabschnitt 11ac wird direkt mit der Elektrode 1c verbunden. Der Schleifenabschnitt 11ad wird durchgehend mit dem Befestigungsabschnitt 11ac ausgebildet und er wird ein Überstand auf der Seite des zweiten Halbleiterelements 8 von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung. In dem Ende 11a kann die obere Fläche 11aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad sein.
  • In diesem Fall wird in dem Schleifenabschnitt 11ad, mit welchem das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 verbunden wird, ein Raum unter der Region ausgebildet, mit welcher das erste Ende 7a verbunden wird. Daher kann, wenn das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 mit dem Flachdraht 19 verbunden wird, selbst wenn ein Werkzeug (Kapillare oder dergleichen) zum Verbinden der zweiten Verdrahtung 7 in Kontakt mit dem Ende 11a des Flachdrahtes 19 kommt, der Schleifenabschnitt 11ad auf einfache Weise verschoben werden, sodass eine Anwendung einer übermäßigen Kraft auf das Werkzeug verhindert werden kann. Daher kann die Wahrscheinlichkeit, dass das Werkzeug beschädigt wird oder ein Defekt in dem Prozess zum Verbinden des Endes 11a der zweiten Verdrahtung 7 erzeugt wird, reduziert werden.
  • In dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung können in dem Prozess (S20) zum Verbinden des Endes 11a der ersten Verdrahtung 11, der Befestigungsabschnitt 11ac, welcher direkt mit der Elektrode 1c verbunden wird und der Schleifenabschnitt 11ad, welcher mit dem Befestigungsabschnitt 11ac verbunden wird und ein Überstand auf der Seite des zweiten Halbleiterelements 8 von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung wird, an dem Ende 11a der ersten Verdrahtung 11 ausgebildet werden. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden durch die zweite Verdrahtung 7, kann die obere Fläche 11aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad an dem Ende 11a sein.
  • In diesem Fall kann die Halbleitervorrichtung in 9 erhalten werden.
  • Fünfte Ausführungsform
  • <Konfiguration der Halbleitervorrichtung>
  • 10 ist eine schematische Teilschnittansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung in 10 weist im Wesentlichen die gleiche Konfiguration auf wie jene der Halbleitervorrichtung in 8 auf, und sie kann dieselben Effekte erzielen, aber die Konfiguration des Verbindungsabschnittes zwischen dem Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist und der Elektrode 1c, weicht von jener der Halbleitervorrichtung in 8 ab. Konkret weist in der Halbleitervorrichtung von 10 das Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, einen in geschlossener Schleifenform ausgebildeten Schleifenabschnitt 11ad und einen gestapelten Befestigungsabschnitt 11ae auf. Der gestapelte Befestigungsabschnitt 11ae ist ein gestapelter Strukturabschnitt, welcher eine unterste Schicht, die direkt mit der Elektrode 1c verbunden ist und eine obere Schicht aufweist, die auf der untersten Schicht gestapelt ist. Der Schleifenabschnitt 11ad ist durchgehend mit dem gestapelten Befestigungsabschnitt 11ae ausgebildet und wird ein Überstand auf der Seite der Richtung (die Richtung in Richtung des zweiten Halbleiterelements 8 oder aufwärts) weg von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung des gestapelten Befestigungsabschnitts 11ae von der Elektrode 1c. Beide Enden des Schleifenabschnitts 11ad sind durchgehend mit der oberen Schicht ausgebildet, die auf dem gestapelten Befestigungsabschnitt 11 ae gestapelt ist. Aus diesem Grund ist der Schleifenabschnitt 11ad eine geschlossene Schleife. Ein Teil des Schleifenabschnitts 11ad befindet sich in einer Draufsicht außerhalb des gestapelten Befestigungsabschnitts 11ae. In dem Ende 11a ist eine oberen Fläche 11aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad. Eine zweite Verdrahtung 7 ist mit der oberen Fläche 11 aa des Schleifenabschnitts 11ad verbunden.
  • Ein Teil des Schleifenabschnitts 11ad befindet sich auf der untersten Schicht der gestapelten Struktur. In einer Draufsicht, welche aus der Richtung rechtwinklig zu der Oberfläche der Elektrode 1c gesehen wird, überlappt ein Teil des Schleifenabschnitts 11ad die unterste Schicht. Das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 kann mit dem Schleifenabschnitt 11ad an der Position verbunden sein, welche in der Draufsicht die unterste Schicht überlappt. Alternativ kann das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 mit dem Schleifenabschnitt 11ad an der Position verbunden sein, welche die unterste Schicht in der Draufsicht nicht überlappt. Die Richtung, in welche sich der Flachdraht 19 von dem Ende 11a erstreckt und die Richtung, in welche sich die zweite Verdrahtung 7 von der oberen Fläche 11aa des Endes 11a weg erstreckt, liegen einander in einer horizontalen Richtung gegenüber.
  • <Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung>
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 10 weist eine Konfiguration auf, die im Wesentlichen ähnlich jener des Verfahrens zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 8 ist, aber der Inhalt des ersten Verdrahtungsprozesses (S20), der in 4 veranschaulicht ist, weicht teilweise von dem in 10 ab. In dem Prozess (S20) wird an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, der Flachdraht 19 gebogen und gestapelt, und der Flachdraht 19 bildet einen in Form einer geschlossenen Schleife ausbildeten Schleifenabschnitt 11ad aus. Konkret, wie in 10 veranschaulicht, wird die Spitze des Flachdrahtes 19 mit der Elektrode 1c durch das Wedge-Bonden verbunden, um die unterste Schicht des gestapelten Befestigungsabschnitts 11 ae auszubilden. Anschließend wird der Flachdraht 19 derart gebogen, dass der Flachdraht 19 den Schleifenabschnitt 11ad auf der untersten Schicht ausbildet, indem das Verbindungswerkzeug betätigt wird. Anschließend wird der gestapelte Flachdraht 19 gepresst, sodass der gestapelte Befestigungsabschnitt 11 ae ausgebildet wird. Infolgedessen, wie in 10 veranschaulicht, werden der gestapelte Befestigungsabschnitt 11ae, welcher die unterste Schicht aufweist, die direkt mit der Elektrode 1c verbunden wird und der geschlossene Schleifenabschnitt 11ad, welcher durchgehend mit dem gestapelten Befestigungsabschnitt 11ae ausgebildet wird und ein Überstand auf der Seite des zweiten Halbleiterelements 8 von der Elektrode 1c in der Dickenrichtung des Flachdrahtes 19 wird, an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19 ausgebildet.
  • Die Prozesse (S10), (S30), (S40) abweichend von dem obigen Prozess (S20) sind ähnlich jenen in dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 4. In dem Prozess (S30) wird an dem Ende 11a die zweite Verdrahtung 7 mit der oberen Fläche des Schleifenabschnitts 11ad verbunden, welche die obere Fläche 11aa ist.
  • <Umsetzung und Effekt>
  • In der Halbleitervorrichtung kann der Flachdraht 19 an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, gebogen und gestapelt sein, und der in einer geschlossenen Schleife ausgebildete Schleifenabschnitt 11a kann durch den Flachdraht 19 ausgebildet werden. In dem Ende 11a kann die obere Fläche 11aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad sein.
  • In dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung kann in dem Prozess (S20) zum Verbinden der Enden 11a der ersten Verdrahtungen 11, an dem Ende 11a des Flachdrahtes 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, der Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, gebogen und gestapelt werden und der Flachdraht 19 kann den als geschlossene Schleife geformten Schleifenabschnitt 11ad ausbilden. In dem Prozess (S30) zum elektrischen Verbinden durch die zweite Verdrahtung 7, kann die obere Fläche 11 aa die obere Fläche des Schleifenabschnitts 11ad an dem Ende 11a sein.
  • In diesem Fall wird in dem Schleifenabschnitt 11ad, mit welchem das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 verbunden wird, ein Raum unter der Region ausgebildet, mit welcher das erste Ende 7a verbunden wird. Daher kann, wenn das erste Ende 7a der zweiten Verdrahtung 7 mit dem Flachdraht 19, welcher die erste Verdrahtung 11 ist, verbunden wird, selbst wenn das Werkzeug (Kapillare oder dergleichen) zum Verbinden der zweiten Verdrahtung 7 in Kontakt mit dem Ende 11a des Flachdrahtes 19 kommt, der Schleifenabschnitt 11ad auf einfache Weise verschoben werden, sodass die Anwendung einer übermäßigen Kraft auf das Werkzeug verhindert werden kann. Daher kann die Wahrscheinlichkeit, dass das Werkzeug beschädigt wird oder ein Defekt in dem Prozess zum Verbinden des Endes 11a der zweiten Verdrahtung 7 erzeugt wird, reduziert werden.
  • Darüber hinaus weist der Schleifenabschnitt 11ad eine Form einer geschlossenen Schleife auf, sodass die Form, welche die Leistung des Schleifenabschnitts 11ad aufrechterhält, verbessert werden kann. Daher kann der Schleifenabschnitt 11ad selbst wenn der Schleifenabschnitt 11ad bis zu einem gewissen Grad verschoben wird, zur ursprünglichen Form zurückkehren. Daher kann der Abstand zwischen dem ersten Halbleiterelement 1 und der zweiten Verdrahtung 7 in ausreichender Weise aufrechterhalten werden.
  • Während die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, sollte verstanden werden, dass die hier offenbarten Ausführungsformen in jeder Hinsicht veranschaulichend und nicht einschränkend sind. Der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung ist durch die Begriffe der Ansprüche definiert, und es ist beabsichtigt, beliebige Modifikationen innerhalb der Bedeutung und des Schutzbereichs zu beinhalten, welche äquivalent zu den Begriffen und Ansprüchen sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2004247672 [0002]

Claims (11)

  1. Halbleitervorrichtung aufweisend: • ein erstes Halbleiterelement (1), welches eine erste Hauptfläche (1a) und eine zweite Hauptfläche (1b) aufweist, die sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche (1a) befindet, wobei eine Elektrode (1c) auf der ersten Hauptfläche (1a) ausgebildet ist; • ein zweites Halbleiterelement (8), welches an einer Position angeordnet ist, die von einer Position des ersten Halbleiterelements (1) in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche (1a) in Richtung der zweiten Hauptfläche (1b) abweicht; • eine erste Verdrahtung (11), welche mit der Elektrode (1c) verbunden ist; und • eine zweite Verdrahtung (7), um das erste Halbleiterelement (1) und das zweite Halbleiterelement (8) elektrisch zu verbinden, wobei • die erste Verdrahtung (11) ein Ende (11 a) aufweist, welches mit der Elektrode (1c) verbunden ist, • das Ende (11a) eine obere Fläche (11aa) und eine Schnittfläche (11ab) aufweist, welche sich in einer von der oberen Fläche (11 aa) abweichenden Richtung befindet, • ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung (7) kleiner als ist als ein Durchmesser der ersten Verdrahtung (11), • die zweite Verdrahtung (7) ein erstes Ende (7a) und ein zweites Ende (7b) aufweist, welches sich auf einer gegenüberliegenden Seite des ersten Endes (7a) befindet, • das erste Ende (7a) mit der oberen Fläche (11aa) des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (11) direkt verbunden ist, und • das zweite Ende (7b) mit dem zweiten Halbleiterelement (8) verbunden ist.
  2. Halbleitervorrichtung aufweisend: • ein erstes Halbleiterelement (1), welches eine erste Hauptfläche (1a) und eine zweite Hauptfläche (1b) aufweist, die sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche (1a) befindet, wobei eine Elektrode (1c) auf der ersten Hauptfläche (1a) ausgebildet ist; • ein zweites Halbleiterelement (8), welches an einer Position angeordnet ist, die von einer Position des ersten Halbleiterelements (1) in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche (1a) in Richtung der zweiten Hauptfläche (1b) abweicht; • eine erste Verdrahtung (19), welche mit der Elektrode (1c) verbunden ist; und • eine zweite Verdrahtung (7), um das erste Halbleiterelement (1) und das zweite Halbleiterelement (8) elektrisch zu verbinden, wobei • die erste Verdrahtung (19) über eine Bandform verfügt und ein Ende (11 a) aufweist, welches mit der Elektrode (1c) verbunden ist, • das Ende (11a) eine obere Fläche (11aa) aufweist, • ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung (7) kleiner ist als eine Breite der ersten Verdrahtung in einer Richtung, welche eine Erstreckungsrichtung der ersten Verdrahtung (19) schneidet, • die zweite Verdrahtung (7) ein erstes Ende (7a) und ein zweites Ende (7b) aufweist, welches sich auf einer gegenüberliegenden Seite des ersten Endes (7a) befindet, • das erste Ende (7a) mit der oberen Fläche (11aa) des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (19) direkt verbunden ist, und • das zweite Ende (7b) mit dem zweiten Halbleiterelement (8) verbunden ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei • die erste Verdrahtung (19) an dem Ende (11a) der ersten Verdrahtung (19) gebogen und gestapelt ist, und • die obere Fläche (11aa) eine oberste Fläche der ersten Verdrahtung (19) ist, die an dem Ende (11a) gestapelt ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei • das Ende (11a) der ersten Verdrahtung (19) einen Befestigungsabschnitt (11ac), welcher direkt mit der Elektrode (1c) verbunden ist und einen Schleifenabschnitt (11ad) aufweist, welcher fortlaufend mit dem Befestigungsabschnitt (11ac) ausgebildet ist und zu einem Überstand auf einer Seite des zweiten Halbleiterelements (8) von der Elektrode (1c) in der Dickenrichtung wird, und • die obere Fläche (11aa) eine obere Fläche des Schleifenabschnitts (11ad) an dem Ende (11a) ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei • an dem Ende (11a) der ersten Verdrahtung (19), die erste Verdrahtung (19) gebogen und gestapelt ist, und ein Schleifenabschnitt (11a) durch die erste Verdrahtung (19) ausgebildet ist, wobei der Schleifenabschnitt (11ad) eine geschlossene Schleifenform aufweist, und • die obere Fläche (11aa) eine obere Fläche des Schleifenabschnitts (11ad) in dem Ende (11a) ist.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist: • Vorbereiten eines ersten Halbleiterelements (1) und eines zweiten Halbleiterelements (8), wobei das erste Halbleiterelement (1) eine erste Hauptfläche (1a) und eine zweite Hauptfläche (1b) aufweist, welche sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche (1a) befindet, wobei eine Elektrode (1c) auf der ersten Hauptfläche (1a) ausgebildet wird, das zweite Halbleiterelement (8) an einer Position angeordnet wird, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements (1) in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche (1a) in Richtung der zweiten Hauptfläche (1b) abweicht; • Verbinden eines Endes (11a) einer ersten Verdrahtung (11) mit der Elektrode (1c); und • elektrisches Verbinden des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch eine zweite Verdrahtung (7), wobei • das Ende (11a) eine obere Fläche (11aa) und eine Schnittfläche (11ab) aufweist, welche sich in einer von der oberen Fläche (11 aa) abweichenden Richtung befindet, • ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung (7) kleiner als ist als ein Durchmesser der ersten Verdrahtung (11), • die zweite Verdrahtung (7) ein erstes Ende (7a) und ein zweites Ende (7b) aufweist, welches sich auf einer gegenüberliegenden Seite des ersten Endes (7a) befindet, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), das erste Ende (7a) direkt mit der oberen Fläche (11aa) des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (11) verbunden wird, und das zweite Ende (7b) mit dem zweiten Halbleiterelement (8) verbunden wird.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist: • Vorbereiten eines ersten Halbleiterelements (1) und eines zweiten Halbleiterelements (8), wobei das erste Halbleiterelement (1) eine erste Hauptfläche (1a) und eine zweite Hauptfläche (1b) aufweist, welche sich auf einer gegenüberliegenden Seite der ersten Hauptfläche (1a) befindet, wobei eine Elektrode (1c) auf der ersten Hauptfläche (1a) ausgebildet wird, das zweite Halbleiterelement (8) an einer Position angeordnet wird, welche von einer Position des ersten Halbleiterelements (1) in einer Dickenrichtung von der ersten Hauptfläche (1a) in Richtung der zweiten Hauptfläche (1b) abweicht; • Verbinden eines Endes (11a) einer ersten Verdrahtung (19) mit der Elektrode (1c); • elektrisches Verbinden des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch eine zweite Verdrahtung (7), wobei • die erste Verdrahtung (19) eine Bandform aufweist, • das Ende (11a) eine obere Fläche (11aa) aufweist, • ein Durchmesser der zweiten Verdrahtung (7) kleiner als eine Breite der ersten Verdrahtung (19) in einer Richtung ist, welche eine Erstreckungsrichtung der ersten Verdrahtung (19) schneidet, • die zweite Verdrahtung (7) ein erstes Ende (7a) und ein zweites Ende (7b) aufweist, welches sich auf einer gegenüberliegenden Seite des ersten Endes (7a) befindet, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), das erste Ende (7a) direkt mit der oberen Fläche (11aa) des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (19) verbunden wird, und das zweite Ende (7b) mit dem zweiten Halbleiterelement (8) verbunden wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei • beim Verbinden des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (19) mit der Elektrode (1c), die erste Verdrahtung (19) an dem Ende (11 a) der ersten Verdrahtung (19) gebogen und auf der Elektrode (1c) gestapelt wird, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), die obere Fläche (11aa) eine oberste Fläche der ersten Verdrahtung (19) ist, die an dem Ende (11a) gestapelt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, wobei • während des Verbindens des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (19) mit der Elektrode (1c), ein Befestigungsabschnitt (11ac), welcher direkt mit der Elektrode (1c) verbunden wird und ein Schleifenabschnitt (11ad), welcher durchgehend mit dem Befestigungsabschnitt (11ac) ausgebildet wird und ein Überstand auf einer Seite eines zweiten Halbleiterelements (8) von der Elektrode (1c) in der Dickenrichtung wird, an dem Ende (11 a) der ersten Verdrahtung (19) ausgebildet werden, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), die obere Fläche (11aa) eine obere Fläche des Schleifenabschnitts (11ad) an dem Ende (11a) ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 7, wobei • während des Verbindens des Endes (11a) der ersten Verdrahtung (19) mit der Elektrode (1c), an dem Ende (11a) der ersten Verdrahtung (19), die erste Verdrahtung (19) gebogen und gestapelt wird, und ein Schleifenabschnitt (11ad) durch die erste Verdrahtung (19) ausgebildet wird, wobei der Schleifenabschnitt (11ad) eine geschlossene Schleifenform aufweist, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), die obere Fläche (11aa) eine obere Fläche des Schleifenabschnitts (11ad) an dem Ende (11a) ist.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei • während des Verbindens des Endes (11 a) der ersten Verdrahtung (11, 19) mit der Elektrode (1c), das Ende (11 a) durch Wedge-Bonden mit der Elektrode (1c) verbunden wird, und • während des elektrischen Verbindens des ersten Halbleiterelements (1) und des zweiten Halbleiterelements (8) durch die zweite Verdrahtung (7), die zweite Verdrahtung (7) mit dem ersten Halbleiterelement (1) und dem zweiten Halbleiterelement (8) mittels Kugel-Bonden verbunden wird.
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