DE102022211069A1

DE102022211069A1 - Einrichtungsverfahren

Info

Publication number: DE102022211069A1
Application number: DE102022211069.2A
Authority: DE
Inventors: Takenobu Mori; Mai Haneda; Atsushi Nakatsuka; Atsushi Takagi
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-10-26
Filing date: 2022-10-19
Publication date: 2023-04-27
Also published as: KR20230059720A; JP2023064325A; CN116021357A; TW202317318A; US20230126644A1

Abstract

Gespeichert wird eine Höhe eines Schleifmechanismus, wenn untere Oberflächen von Schleifsteinen mit einer oberen Oberfläche eines an einer Halteoberfläche gehaltenen Wafers in Kontakt gekommen sind, durch ein Absenken des Schleifmechanismus von oberhalb des Wafers. Basierend auf dieser Höhe wird dann eine Ursprungspunkthöhe bestimmt, die eine Höhe des Schleifmechanismus ist, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der Halteoberfläche in Kontakt gekommen sind.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Einrichtungsverfahren.
Beschreibung des Standes der Technik
Wie in JP 2001-001261A offenbart, führt eine Schleifvorrichtung, die mit Schleifsteinen einen an einer Halteoberfläche eines Einspanntisches gehaltenen Wafer schleift, eine Einrichtung durch, um eine Höhe eines Schleifmechanismus zu ermitteln, an dem die Schleifsteine angebracht sind, wenn untere Oberflächen der Schleifsteine mit der Halteoberfläche in Kontakt gekommen sind.
Für ein solches Einrichten gibt es zwei Fälle, von denen einer einen Sensor und der andere einen Einrichtungsblock verwendet, wie in JP 2012-135853A bzw. JP 2020-199597A offenbart.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Bei der Einrichtung, die den Einrichtungsblock verwendet, wird jedoch eine längere Zeit benötigt, da die Höhe des Schleifmechanismus geändert wird, um zu prüfen, ob der Einrichtungsblock zwischen die unteren Oberflächen der Schleifsteine und die Halteoberfläche gelangt oder nicht. Bei der Einrichtung, die den Sensor verwendet, ist der Sensor dagegen teuer.
Die vorliegende Erfindung weist daher die Aufgabe auf, ein Einrichtungsverfahren bereitzustellen, das es ermöglicht, ein Einrichten in einer relativ kurzen Zeit ohne Hinzufügen eines Sensors durchzuführen.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Einrichten einer Schleifvorrichtung bereitgestellt, wobei die Schleifvorrichtung einen Einspanntisch, der ein plattenförmiges Werkstück an einer Halteoberfläche davon hält, einen Schleifmechanismus, der Schleifsteine daran angebracht aufweist und mit den Schleifsteinen das an der Halteoberfläche gehaltene plattenförmige Werkstück schleift, einen Anhebemechanismus, der den Schleifmechanismus in einer Richtung senkrecht zu der Halteoberfläche bewegt, und eine Höhenbestimmungsvorrichtung aufweist, die eine Höhe des mit dem Anhebemechanismus bewegten Schleifmechanismus bestimmt, indem der Schleifmechanismus durch den Anhebemechanismus bewegt wird und die Höhe des Schleifmechanismus gespeichert wird, wenn untere Oberflächen der Schleifsteine mit der Halteoberfläche in Kontakt kommen. Der Schleifmechanismus weist einen Kontaktdetektionsabschnitt auf, der ausgestaltet ist, um einen Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit einer oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks zu detektieren. Das Verfahren umfasst einen Halteschritt eines Haltens des plattenförmigen Werkstücks an der Halteoberfläche des Einspanntisches, so dass ein dämpfender Abschnitt zwischen einem zentralen Bereich einer unteren Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks und der Halteoberfläche angeordnet ist, und einen Speicherschritt eines Speicherns der Höhe des Schleifmechanismus, wenn durch eine Detektion durch den Kontaktdetektionsabschnitt festgestellt wird, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks, das an der Halteoberfläche gehalten wird, durch ein Absenken des Schleifmechanismus mit den daran angebrachten Schleifsteinen von oberhalb des an der Halteoberfläche gehaltenen plattenförmigen Werkstücks in Kontakt gekommen sind.
Bevorzugt könnte die Schleifvorrichtung ferner eine Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche aufweisen, die eine Höhe der oberen Oberfläche des an der Halteoberfläche gehaltenen plattenförmigen Werkstücks misst, könnte die Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche ausgestaltet sein, um zusammen mit dem Schleifmechanismus in der Richtung senkrecht zur Halteoberfläche durch den Anhebemechanismus bewegt zu werden, und könnte der Kontaktdetektionsabschnitt ausgestaltet sein, um den Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks durch ein Absenken des Schleifmechanismus, ein Initiieren der Messung der Höhe der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks durch die Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine in Kontakt mit dem plattenförmigen Werkstück kommen, ein Beibehalten eines Absenkens der Schleifsteine, um die unteren Oberflächen der Schleifsteine gegen die obere Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks zu drücken, und ein Feststellen, dass ein Betrag einer Änderung eines von der Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche gemessenen Werts nicht mehr einem Betrag einer Änderung der Höhe der Schleifeinrichtung entspricht, zu detektieren.
Bevorzugt könnte der Schleifmechanismus eine Rotations-Detektionseinrichtung aufweisen, die eine Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine detektiert, und könnte der Kontaktdetektionsabschnitt den Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks basierend auf einer Abnahme der von der Rotations-Detektionseinrichtung detektierten Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine detektieren.
Bei diesem Einrichtungsverfahren könnte der dämpfende Abschnitt im Halteschritt ein Hohlraum sein, der zwischen der Halteoberfläche und dem zentralen Bereich der unteren Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks ausgebildet ist.
Gemäß diesem Einrichtungsverfahren wird im Speicherschritt der Schleifmechanismus von oberhalb des an der Halteoberfläche gehaltenen plattenförmigen Werkstücks abgesenkt und die Höhe des Schleifmechanismus, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks in Kontakt gekommen sind, wird gespeichert. Auf der Basis dieser Höhe wird dann eine Ursprungspunkthöhe ermittelt, die eine Höhe des Schleifmechanismus ist, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine Kontakt mit der Halteoberfläche aufgenommen haben.
Wie aus dem Vorstehenden ersichtlich, kann dieses Einrichtungsverfahren ohne Verwendung eines Einrichtungsblocks eine Einrichtung durchführen, um die Ursprungspunkthöhe des Schleifmechanismus zu bestimmen, beispielsweise nach einem Austausch der Schleifsteine. Die Einrichtung lässt sich daher in einer kurzen Zeit durchführen. Ferner kann die Einrichtung mit einer kostengünstigen Ausgestaltung durchgeführt werden, da kein Einrichtungssensor verwendet wird.
Zusätzlich ist im Halteschritt der dämpfende Abschnitt zwischen dem mittleren Bereich der unteren Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks und der Halteoberfläche angeordnet. Wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks in Berührung kommen, wird der dämpfende Abschnitt verformt, um eine Verringerung des Aufpralls bei der Berührung zu ermöglichen, wodurch ermöglicht wird, eine Beschädigung der unteren Oberflächen der Schleifsteine zu vermeiden.
Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausgestaltung einer Schleifvorrichtung darstellt, auf die ein Einrichtungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet werden kann;
2 ist eine teilweise querschnittliche Seitenansicht, welche die Ausgestaltung der Schleifvorrichtung darstellt;
3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausgestaltung einer Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche darstellt, die in der Schleifvorrichtung der 1 und 2 vorhanden ist;
4 ist eine Querschnittsansicht, die die Ausgestaltung der Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche darstellt;
5 ist eine schematische Ansicht, die einen Halteschritt des Einrichtungsverfahrens in einem Zustand darstellt, in dem ein distales Ende einer Sonde in Kontakt mit einer oberen Oberfläche eines Wafers als ein plattenförmiges Werkstück gekommen ist;
6 ist eine schematische Ansicht, die den Halteschritt in einem Zustand darstellt, in dem ein Hohlraum als ein dämpfender Abschnitt zwischen einer Halteoberfläche und einem zentralen Bereich einer unteren Oberfläche des Wafers ausgebildet worden ist;
7 ist eine vergrößerte fragmentarische Querschnittsansicht, die den Halteschritt in dem gleichen Zustand wie in 5 darstellt;
8 ist eine schematische Ansicht, die einen Speicherschritt des Einrichtungsverfahrens in einem Zustand darstellt, in dem ein in der Schleifvorrichtung enthaltener Schleifmechanismus von dem Zustand von 6 heruntergefahren gehalten wurde;
9 ist eine vergrößerte fragmentarische Querschnittsansicht, die den Speicherschritt in einem Zustand darstellt, in dem der Hohlraum durch Schleifsteine in Verbindung mit einem weiteren Absenken des Schleifmechanismus kollabiert ist;
10 ist eine schematische Ansicht, die eine erste Modifikation des Speicherschritts der 8 und 9 darstellt;
11 ist eine schematische Ansicht, die eine zweite Modifikation des Speicherschritts der 8 und 9 darstellt; und
12 ist eine Querschnittsansicht, die eine weitere Ausgestaltung der Halteoberfläche darstellt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Ausgestaltung einer Schleifvorrichtung 1 darstellt, auf die ein Einrichtungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die danach im Detail beschrieben wird, aufgebracht werden kann. 2 ist eine teilweise querschnittliche Seitenansicht, welche die Ausgestaltung der Schleifvorrichtung 1 darstellt. Die in 1 dargestellte Schleifvorrichtung 1 wird zum Schleifen eines Wafers 5 als ein Beispiel eines plattenförmigen Werkstücks verwendet. Bei dem Wafer 5 handelt es sich beispielsweise um einen runden Halbleiterwafer. Der Wafer 5 weist eine obere Oberfläche 6 als zu bearbeitende Oberfläche auf, an die eine Schleifbearbeitung aufgebracht wird.
Bei dem Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform wird der Wafer 5 in Form einer Rahmeneinheit 9 gehandhabt. Die Rahmeneinheit 9 ist durch ein Verbinden eines Ringrahmens 7, der eine Öffnung aufweist, die groß genug ist, um den Wafer 5 darin aufzunehmen, und des Waferss 5, der in der Öffnung des Ringrahmens 7 positioniert ist, über ein Band 8 ausgebildet worden. Beim Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform wird der Wafer 5 in der Form der Rahmeneinheit 9 einer Schleifbearbeitung an der Schleifvorrichtung 1 unterzogen.
Wie in 1 dargestellt, weist die Schleifvorrichtung 1 ein parallelepipedisches Bett 10, eine sich nach oben erstreckende Säule 11 und eine Steuerungseinrichtung 3 auf, die einzelne Elemente der Schleifvorrichtung 1 steuert.
An einer Seite einer oberen Oberfläche des Bettes 10 ist ein vertiefter Abschnitt 13 angeordnet. Innerhalb des vertieften Abschnitts 13 ist ein Wafer-Haltemechanismus 30 angeordnet. Der Wafer-Haltemechanismus 30 weist einen Einspanntisch 20, der den Wafer 5 an einer Halteoberfläche 22 davon hält, eine Tischbasis 55, die den Einspanntisch 20 trägt, einen Tischdrehmechanismus 50, der den Einspanntisch 20 und die Tischbasis 55 dreht, und einen Neigungseinstellmechanismus 40 auf, der eine Neigung des Einspanntisches 20 einstellt.
Wie in den 1 und 2 dargestellt, weist der Einspanntisch 20 ein poröses Element 21 als einen Wafer-Halteabschnitt und einen Rahmenkörper 23 auf, in dem das poröse Element 21 so aufgenommen ist, dass das poröse Element 21 an einer oberen Oberfläche davon frei liegt. Die obere Oberfläche des porösen Elements 21 dient als Halteoberfläche 22, an welcher der Wafer 5 unter Ansaugen gehalten werden soll. Die Halteoberfläche 22 hält den Wafer 5 unter Ansaugen durch ihre Verbindung mit einer Ansaugquelle 240, die hierin nachfolgend erwähnt wird. Eine obere Oberfläche des Rahmenkörpers 23, d. h. eine Rahmenkörperoberfläche 24, ist so ausgebildet, dass sie mit der Halteoberfläche 22 bündig ist.
Der Rahmenkörper 23 weist vier Klemmen 31 als Rahmenhalteabschnitte zum Halten des Ringrahmens 7 der Rahmeneinheit 9 auf.
Die Halteoberfläche 22 ist so ausgestaltet, dass sie den Wafer 5 über einer oberen Oberfläche des von den Klemmen 31 gehaltenen Ringrahmens 7 hält.
Unterhalb des Einspanntisches 20 ist die Tischbasis 55 angeordnet, an der der Einspanntisch 20 getragen wird. Unterhalb der Tischbasis 55 ist der Tischdrehmechanismus 50 angeordnet, wobei die Tischbasis 55 drehbar daran getragen wird.
Wie in 2 dargestellt, weist der Tischdrehmechanismus 50 einen Motor 521, eine an dem Motor 521 angebrachte Hauptantriebsrolle 522, eine mit der Hauptantriebsrolle 522 über ein Endlosband 523 verbundene angetriebene Rolle 524 und ein unterhalb der angetriebenen Rolle 524 angeordnetes Drehgelenk 525 auf. Die angetriebene Rolle 524 ist an einem unteren Abschnitt der Tischbasis 55 mit geringem Durchmesser getragen.
Im Tischdrehmechanismus 50 werden das Endlosband 523 und die angetriebene Rolle 524 gedreht, wenn die Hauptantriebsrolle 522 durch den Motor 521 in drehbar angetrieben wird. Dadurch werden die Tischbasis 55 und der Einspanntisch 20 gedreht, wie durch einen Pfeil 502 angezeigt.
Um die Tischbasis 55 herum ist der Neigungseinstellmechanismus 40 angeordnet, um die Neigung des Einspanntisches 20 einzustellen.
Der Neigungseinstellmechanismus 40 weist eine unter dem Einspanntisch 20 angeordnete innere Basis 41, zwei oder einen Neigungseinstellschaft 42, eine oder zwei an der inneren Basis 41 befestigte ortsfeste Schäfte 43 und ein ringförmiges Element 45 auf.
Das ringförmige Element 45 trägt die Tischbasis 55 drehbar über ein Verbindungselement 46 mit darin enthaltenen Lagern, so dass das ringförmige Element 45 die Tischbasis 55 umgibt.
Jeder ortsfeste Schaft 43 ist an seinem oberen Ende an einer unteren Oberfläche des ringförmigen Elements 45 befestigt und ist auch an seinem unteren Ende an einer oberen Oberfläche der inneren Basis 41 befestigt.
Jeder Neigungseinstellschaft 42 ist zwischen der inneren Basis 41 und dem ringförmigen Element 45 angeordnet und kann einen entsprechenden gegenüberliegenden Abschnitt des ringförmigen Elements 45 entlang einer Z-Achsen-Richtung anheben oder absenken. Die Neigung des Einspanntisches 20 wird dementsprechend eingestellt.
In dem Neigungseinstellmechanismus 40 ist das ringförmige Element 45 an drei Stellen an der inneren Basis 41 angeordnet. An zwei der drei Stellen kann ein jeweiliger der zwei Neigungseinstellschäfte 42 angeordnet sein, und an der verbleibenden einen Stelle könnte der eine ortsfeste Schaft 43 angeordnet sein. Alternativ könnte der Neigungseinstellmechanismus 40 keinen ortsfesten Schaft 43 aufweisen, und an jeder der oben genannten drei Stellen könnte der Neigungseinstellschaft 42 angeordnet sein.
Ein Strömungskanal 243 ist mit dem Einspanntisch 20 verbunden, und an den Strömungskanal 243 sind die Ansaugquelle 240, eine Luftzufuhrquelle 241 und eine Wasserversorgungsquelle 242 über ein Ansaugventil 270, ein Luftventil 271 bzw. ein Wasserventil 272 verbunden.
In der Schleifvorrichtung 1 ist es somit möglich, der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 Luft oder Wasser zuzuführen und auch eine Ansaugkraft von der Ansaugquelle 240 auf die Halteoberfläche 22 aufzubringen.
Wie in 1 dargestellt, ist eine Abdeckplatte 39 um den Einspanntisch 20 herum angeordnet. Die Abdeckplatte 39 ist zusammen mit dem Einspanntisch 20 in einer Y-Achsen-Richtung beweglich. Mit der Abdeckplatte 39 sind Balg-Abdeckungen 12 verbunden. Die Balg-Abdeckungen 12 können sich in der Y-Achsen-Richtung aufweiten und zusammenziehen. Unterhalb des Wafer-Haltemechanismus 30 ist ein Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 angeordnet.
Der Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 bewegt den Wafer-Haltemechanismus 30, der den Einspanntisch 20 aufweist, und einen Schleifmechanismus 70 relativ in der Y-Achsen-Richtung parallel zur Halteoberfläche 22. Bei dem Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform ist der Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 so ausgestaltet, dass er den Wafer-Haltemechanismus 30 in der Y-Achsen-Richtung relativ zu dem Schleifmechanismus 70 bewegt.
Der Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 weist ein Paar parallel zur Y-Achsen-Richtung verlaufende Y-Achsen-Führungsschienen 92, einen auf den Y-Achsen-Führungsschienen 92 verschiebbaren Y-Achsen-Bewegungstisch 95, eine parallel zu den Y-Achsen-Führungsschienen 92 angeordnete Y-Achsen-Kugelgewindespindel 93, einen mit der Y-Achsen-Kugelgewindespindel 93 verbundenen Y-Achsen-Motor 94, einen Y-Achsen-Encoder 96 zum Detektieren eines Drehwinkels des Y-Achsen-Motors 94 und eine Haltebasis 91 auf, welche diese Elemente hält.
Der Y-Achsen Bewegungstisch 95 ist verschiebbar an den Y-Achsen Führungsschienen 92 angeordnet. An einer unteren Oberfläche des Y-Achsen-Bewegungstisches 95 ist ein Mutterabschnitt (nicht dargestellt) befestigt. Die Y-Achsen-Kugelgewindespindel 93 wird in Gewindeeingriff mit dem Mutterabschnitt gehalten. Der Y-Achsen-Motor 94 ist mit einem Endabschnitt der Y-Achsen-Kugelgewindespindel 93 verbunden.
In dem Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 wird der Y-Achsen-Bewegungstisch 95 veranlasst, sich in der Y-Achsen-Richtung entlang der Y-Achsen-Führungsschienen 92 zu bewegen, wenn die Y-Achsen-Kugelgewindespindel 93 durch den Y-Achsen-Motor 94 in Drehung versetzt wird. Am Y-Achsen-Bewegungstisch 95 ist der Wafer-Haltemechanismus 30 angebracht. Gleichzeitig mit einer Bewegung des Y-Achsen-Bewegungstisches 95 in der Y-Achsen-Richtung bewegt sich daher der Wafer-Haltemechanismus 30 mit dem darin enthaltenen Einspanntisch 20 in der Y-Achsen-Richtung.
Bei dem Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform wird der Wafer-Haltemechanismus 30 durch den Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 zwischen einem Waferplatzierbereich an einer -Y-Richtungs-Seite, an welcher der Wafer 5 an der Halteoberfläche 22 gehalten werden soll, und einem Schleifbereich an einer +Y-RichtungS-Seite, an welcher der Wafer 5 geschliffen wird, entlang der Y-Achsen-Richtung bewegt.
Wie auch in den 1 und 2 dargestellt, ist die Säule 11 aufrecht an einem hinteren Abschnitt (an der +Y-Richtungs-Seite) des Bettes 10 angeordnet. An der Säule 11 sind der Schleifmechanismus 70, der den Wafer 5 schleift, und ein Anhebemechanismus 60 angeordnet.
Der Anhebemechanismus 60 bewegt den Schleifmechanismus 70 in einer Richtung senkrecht zur Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20, d.h. in der Z-Achsen-Richtung (Schleifzufuhrrichtung). Der Anhebemechanismus 60 weist ein Paar Z-Achsen-Führungsschienen 61 parallel zur Z-Achsen-Richtung, einen Z-Achsen-Bewegungstisch 63, der auf den Z-Achsen-Führungsschienen 61 verschiebbar ist, eine Z-Achsen-Kugelgewindespindel 62 parallel zu den Z-Achsen-Führungsschienen 61, einen Z-Achsen-Motor 64 und einen Z-Achsen-Encoder 65 zum Detektieren eines Drehwinkels des Z-Achsen-Motors 64 auf. An dem Z-Achsen-Bewegungstisch 63 ist der Schleifmechanismus 70 gesichert.
Der Z-Achsen-Bewegungstisch 63 ist über Gleitelemente 67 verschiebbar an den Z-Achsen-Führungsschienen 61 angeordnet (siehe 2). An dem Z-Achsen Bewegungstisch 63 ist ein Mutterabschnitt 68 (siehe 2) befestigt. Die Z-Achsen-Kugelgewindespindel 62 wird im Gewindeeingriff mit dem Mutterabschnitt 68 gehalten. Der Z-Achsen-Motor 64 ist mit einem Endabschnitt der Z-Achsen-Kugelgewindespindel 62 verbunden.
Im Anhebemechanismus 60 werden der Mutterabschnitt 68 und der Z-Achsen-Bewegungstisch 63 entlang der Z-Achsen-Führungsschienen 61 angehoben oder abgesenkt, wenn die Z-Achsen-Kugelgewindespindel 62 vom Z-Achsen-Motor 64 gedreht wird. Der an dem Z-Achsen-Bewegungstisch 63 gesicherte Schleifmechanismus 70 wird daher zusammen mit dem Z-Achsen-Bewegungstisch 63 in der Z-Achsen-Richtung ebenfalls angehoben oder abgesenkt.
Der Z-Achsen-Encoder 65 fungiert als eine Höhenbestimmungsvorrichtung und bestimmt durch ein Detektieren eines Drehwinkels des Z-Achsen-Motors 64 eine Höhe des Schleifmechanismus 70 nach dessen Bewegung durch den Anhebemechanismus 60. Es ist zu beachten, dass der Z-Achsen-Encoder 65 als die Höhe des Schleifmechanismus 70 beispielsweise eine Höhe des Mutterabschnitts 68 des Anhebemechanismus 60 bestimmt, der sich zusammen mit dem Schleifmechanismus 70 in der Z-Achsen-Richtung bewegt.
Der Schleifmechanismus 70 schleift mit den Schleifsteinen 77 den an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 gehaltenen Wafer 5. Wie in den 1 und 2 dargestellt, weist der Schleifmechanismus 70 eine Halteeinrichtung 79, die an dem Z-Achsen-Bewegungstisch 63 befestigt ist, ein Spindelgehäuse 71, das an der Halteeinrichtung 79 gehalten ist, eine Spindel 72 zum Drehen der Schleifsteine 77, einen Spindelmotor 73, der die Spindel 72 drehend antreibt, ein Rotations-Detektionseinrichtung 78, die eine Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine 77 detektiert, eine Scheibenanbringung 74, die an einem unteren Ende der Spindel 72 angebracht ist, und eine an der Scheibenanbringung 74 angebrachte Schleifscheibe 75 auf.
Die Spindel 72 erstreckt sich entlang der Z-Achsen-Richtung so, dass sie orthogonal zur Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 ist, und ist am Spindelgehäuse 71 so untergebracht, dass sie um eine Achse drehbar ist, die sich entlang der Erstreckungsrichtung der Spindel 72 erstreckt. Der in 1 dargestellte Spindelmotor 73 ist mit einer Seite eines oberen Endes der Spindel 72 verbunden und dreht die Spindel 72.
Die Scheibenanbringung 74 ist in einer scheibenförmigen Form ausgebildet und am unteren Ende der Spindel 72 befestigt. Die Scheibenanbringung 74 trägt die Schleifscheibe 75.
Die Schleifscheibe 75 ist so ausgebildet, dass ihr Außendurchmesser im Wesentlichen mit einem Außendurchmesser der Scheibenanbringung 74 übereinstimmt. Die Schleifscheibe 75 weist eine ringförmige Scheibenbasis 76 auf, die aus einem metallischen Material ausgebildet ist. Innerhalb der Scheibenbasis 76 ist ein Bearbeitungswasserkanal 761 ausgebildet, um den Schleifsteinen 77 Bearbeitungswasser aus einer nicht dargestellten Wasserquelle zuzuführen (siehe 2) .
An einer unteren Oberfläche der Scheibenbasis 76 sind die Schleifscheiben 75 in einem ringförmigen Muster über einen gesamten Umfang der unteren Oberfläche angeordnet und befestigt. Die Schleifsteine 77 werden zusammen mit der Spindel 72 durch den Spindelmotor 73 um eine Mitte davon gedreht und schleifen die obere Oberfläche 6 des am Einspanntisch 20 gehaltenen Wafers 5.
Die Schleifvorrichtung 1 weist auch eine Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche auf, die eine Höhe der oberen Oberfläche des an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 gehaltenen Wafers 5 misst. Die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche ist durch ein Anbringungselement 81 an der Halteeinrichtung 79 des Schleifmechanismus 70 angebracht und ist somit an dem Schleifmechanismus 70 angeordnet. Die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche wird daher zusammen mit dem Schleifmechanismus 70 durch den Anhebemechanismus 60 in der Richtung senkrecht zur Halteoberfläche 22, d.h. in der Z-Achsen-Richtung bewegt.
Die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche muss so ausgestaltet sein, dass sie durch den Anhebemechanismus 60 zusammen mit dem Schleifmechanismus 70 in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist. Beispielsweise könnte die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche an einem Teil des Anhebemechanismus 60 angeordnet sein, der sich zusammen mit dem Schleifmechanismus 70 auf und ab bewegt.
Die Schleifvorrichtung 1 weist ferner eine berührende oder berührungslose Höhenmesseinrichtung 83 für die Halteoberfläche zum Messen einer Höhe der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 auf. Die Höhenmesseinrichtung 83 für die Halteoberfläche ist auf dem Bett 10 neben dem vertieften Abschnitt 13 angeordnet.
Unter Bezugnahme auf die 3 und 4 wird nun eine Ausgestaltung der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche beschrieben. 3 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Ausgestaltung der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche darstellt, und 4 ist eine Querschnittsansicht, welche die Ausgestaltung der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche darstellt. Die in 3 und 4 dargestellte Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche weist eine Sonde 110, die an einem distalen Ende davon in Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 zu bringen ist, ein Gehäuse 112 als ein Führungsabschnitt, der die Sonde 110 nach oben und unten beweglich trägt, so dass sich die Sonde 110 unter ihrem eigenen Gewicht nach unten bewegen kann, und eine Skala 114 zum Ablesen einer Höhenposition der Sonde 110 auf.
Bei dem Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform weist die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche auch einen Bewegungsmechanismus 113, der die Sonde 110 entlang der Z-Achsen-Richtung bewegt, ein Detektionssystem 115, das Teilungen 140 der Skala 114 abliest, eine Abgabeöffnung 116 und ein Drosselventil 117 zur Absaugung und ein Gehäuse 101 als eine Einhausung auf.
Die Sonde 110 erstreckt sich in der Richtung senkrecht zur Halteoberfläche 22, d.h. in der Z-Achsen-Richtung. Die Sonde 110 ist an einem oberen Endabschnitt davon mit einem Verbindungselement 103 verbunden.
Das Gehäuse 101 wird von oben durch das in 1 und 2 dargestellte Anbringungselement 81 getragen. Wie in 3 und 4 dargestellt, ist die Sonde 110 in einer rechteckigen Prismenform ausgebildet, erstreckt sich durch das Gehäuse 101 und steht an einem distalen Endabschnitt davon von einer unteren Oberfläche des Gehäuses 101 nach unten vor.
Das Gehäuse 112 umgibt Seitenoberflächen 111 der Sonde 110 und trägt die Sonde 110 berührungslos und beweglich in der Z-Achsen-Richtung senkrecht zur Halteoberfläche 22.
Im Einzelnen weist das Gehäuse 112 einen Zylinder 120 auf, in dem die Sonde 110 untergebracht ist. Der Zylinder 120 ist an einer Anbringungsoberfläche 102 im Inneren des Gehäuses 101 angeordnet. In dem Zylinder 120 ist ein Hohlraum in einer rechteckigen Form im Querschnitt ausgebildet, welcher der Form der Sonde 110 im Querschnitt entspricht, so dass die Sonde 110 in dem Hohlraum untergebracht wird. Der Zylinder 120 ist so ausgestaltet, dass er eine Ausdehnung der Sonde 110 durch den Hohlraum ermöglicht, so dass die Sonde 110 an ihrem Umfang kontaktlos getragen werden kann.
Der Zylinder 120 weist auch innere Tragwände 121 und mehrere Ausstoßdüsen 122 auf, die durch die Tragwände 121 angeordnet sind. Die Tragwände 121 sind den Seitenoberflächen 111 der Sonde 110 zugewandt, wobei die dazwischen gleiche Abstände aufrechterhalten werden.
Wie in 4 dargestellt, weist der Zylinder 120 ferner eine Einströmöffnung 123 auf, die mit einer nicht dargestellten Luftzufuhrquelle verbunden ist, sowie Strömungspfade 124, die eine Verbindung zwischen der Einströmöffnung 123 und den einzelnen Ausstoßdüsen 122 herstellen.
In dem Gehäuse 112, in dem die Tragwände 121 des Zylinders 120 den Seitenoberflächen 111 der Sonde 110 zugewandt sind, wird die der Einströmöffnung 123 zugeführte Luft über die Strömungspfade 124 und die durch die Tragwände 121 angeordneten Ausstoßdüsen 122 gegen die Seitenoberflächen 111 der Sonde 110 geblasen. Das Gehäuse 112 kann daher die Sonde 110 tragen, wobei sich zwischen den Seitenoberflächen 111 der Sonde 110 und den Tragwänden 121 Luft befindet.
Im Gehäuse 112 wird die in den Zylinder 120 geströmte Luft aus einem oberen Abgabefreiraum 125 und einem unteren Abgabefreiraum 126 des Zylinders 120 abgegeben. Aufgrund einer solchen Konstruktion kann das Gehäuse 112 die Sonde 110 in der Z-Achsen-Richtung beweglich und berührungsfrei tragen.
Die Abgabeöffnung 116 gibt die aus dem Gehäuse 112 in das Gehäuse 101 abgegebene Luft nach außerhalb des Gehäuses 101. Das Drosselventil 117, das mit der Abgabeöffnung 116 verbunden ist, steuert eine Absaugrate der Luft, um den Druck im Inneren des Gehäuses 101 einzustellen, wodurch eine Drückkraft der Sonde 110 gegen die obere Oberfläche 6 des Wafers 5 reguliert wird.
Der Bewegungsmechanismus 113 ist an der Anbringungsoberfläche 102 des Gehäuses 101 an einer Stelle in der Nähe der Sonde 110 angeordnet. Der Bewegungsmechanismus 113 weist einen Zylinder 130 und einen Kolben 131 auf. Innerhalb des Zylinders 130 bewegt sich der Kolben 131 in der Z-Achsen-Richtung parallel zu einer axialen Richtung der Sonde 110.
Der Bewegungsmechanismus 113 weist auch Einströmöffnungen 132 und 133 im Zylinder 130 auf, um zu veranlassen, dass Luft in den Zylinder 130 strömt. Der Bewegungsmechanismus 113 mit einer solchen Konstruktion, wie oben beschrieben, kann die Sonde 110 in der Z-Achsen-Richtung über das Verbindungselement 103 bewegen, indem der Kolben 131 linear in der Z-Achsen-Richtung bewegt wird.
Konkret wird, wenn die Sonde 110 durch den Bewegungsmechanismus 113 in einer +Z-Richtung angehoben werden soll, Luft aus der nicht dargestellten Luftversorgung über die Einströmöffnung 132 in den Zylinder 130 zugeführt. Der Kolben 131 bewegt sich daher innerhalb des Zylinders 130 nach oben. Der Kolben 131 kommt dann mit dem Verbindungselement 103 in Kontakt und hebt das Verbindungselement 103 an, wodurch die mit dem Verbindungselement 103 verbundene Sonde 110 angehoben wird.
Wenn die Sonde 110 durch den Bewegungsmechanismus 113 abgesenkt werden soll, wird andererseits Luft von der nicht dargestellten Luftzufuhrquelle über die Einströmöffnung 133 in den Zylinder 130 zugeführt. Der Kolben 131 bewegt sich daher innerhalb des Zylinders 130 nach unten. Damit einhergehend bewegt sich die Sonde 110 unter dem Eigengewicht der Sonde 110 und demjenigen des mit der Sonde 110 verbundenen Verbindungselements 103 nach unten.
Der Bewegungsmechanismus 113 kann auch die Absenkgeschwindigkeit der Sonde 110 begrenzen, indem die Absenkgeschwindigkeit des Kolbens 131 durch eine Steuerung der Einströmgeschwindigkeit der Luft aus der Einströmöffnung 133 eingestellt wird. Ferner kann der Bewegungsmechanismus 113 die Sonde 110 absenken, bis das distale Ende der Sonde 110 in Kontakt mit einer Oberfläche unterhalb der Sonde 110 kommt, beispielsweise mit der oberen Oberfläche 6 des an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 gehaltenen Wafers 5.
Wie in 3 und 4 dargestellt, hängt die Skala 114 von einem Endabschnitt des Verbindungselements 103 herab und ist parallel zu einer Erstreckungsrichtung der Sonde 110, d.h. der Z-Achsen-Richtung, angeordnet. Die Skala 114 ist über das Verbindungselement 103 mit der Sonde 110 verbunden und ist daher zusammen mit der Sonde 110 in der Z-Achsen-Richtung beweglich.
Das Detektionssystem 115 ist an einem unteren Endabschnitt des Gehäuses 101 angebracht. Das Detektionssystem 115 weist eine Tragplatte 150, die sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und eine Detektionseinheit 151 auf, die an einem oberen Ende der Tragplatte 150 angeordnet ist. Die Detektionseinheit 151 ist den Teilungen 140 der Skala 114 zugewandt und liest die Teilungen 140 ab. Die Detektionseinheit 151 kann daher die Höhe der Sonde 110, die in Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 steht, detektieren, indem sie eine Gegenüberliegende der Teilungen 104 der Skala 114 abliest, die sich zusammen mit der Sonde 110 in der Z-Achsen-Richtung bewegt.
Die in den 1 und 2 dargestellte Steuerungseinrichtung 3 weist eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU), einen Speicher usw. auf und steuert die einzelnen Elemente der Schleifvorrichtung 1, um eine Einrichtung des Schleifmechanismus 70 und eine Schleifbearbeitung am Wafer 5 durchzuführen. Die Steuerungseinrichtung 3 fungiert auch als ein Detektionsabschnitt, der einen Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 in dem Schleifmechanismus 70 mit der oberen Oberfläche 6 des an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 gehaltenen Wafers 5 detektiert. An die Steuerungseinrichtung 3 ist ein Speicherabschnitt 4 angeschlossen, um einen Messwert oder dergleichen für die Höhe des Schleifmechanismus 70 zu speichern.
Im Folgenden wird das Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform für den Schleifmechanismus 70 beschrieben. Dieses Einrichtungsverfahren wird beispielsweise nach einem Austausch der Schleifsteine 77 durchgeführt. Dieses Einrichtungsverfahren bewegt den Schleifmechanismus 70 durch den Anhebemechanismus 60 und speichert eine Höhe des Schleifmechanismus 70, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 in Kontakt mit der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 gekommen sind.
[Halteschritt]
In einem Halteschritt hält die Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 des Wafers 5 so, dass ein dämpfender Abschnitt zwischen einem zentralen Bereich 51 (siehe 6) der unteren Oberfläche des Wafers 5 als das plattenförmige Werkstück und der Halteoberfläche 22 angeordnet ist.
Konkret dargestellt platziert, wie in 2 dargestellt, ein Bediener zunächst den Wafer 5 in der Rahmeneinheit 9 über das Band 8 an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 und hält den Ringrahmen 7 der Rahmeneinheit 9 durch die Klemmen 31. Die Rahmeneinheit 9 mit dem darin enthaltenen Wafer 5 wird somit am Einspanntisch 20 gehalten und getragen.
Unter Verwendung des in 1 dargestellten Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 90 stellt die Steuerungseinrichtung 3 als nächstes die Position des Einspanntisches 20 so ein, dass die Schleifsteine 77 um und in der Nähe einer Mitte des an der Halteoberfläche 22 des Einspanntischs 20 gehaltenen Wafers 5 positioniert werden.
Danach senkt die Steuerungseinrichtung 3 unter Verwendung des Anhebemechanismus 60 den Schleifmechanismus 70 mit den daran gesicherten Schleifsteinen 77 und der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche von oberhalb des an der Halteoberfläche 22 gehaltenen Wafers 5 ab. Dabei hält die Steuerungseinrichtung 3 die Sonde 110 der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche unter ihrem Eigengewicht vom Gehäuse 101 herabhängend.
Als nächstes wird auf 5 bis 7 Bezug genommen. 5 ist eine schematische Ansicht, die den Halteschritt in einem Zustand darstellt, in dem das distale Ende der Sonde 110 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen ist, 6 ist eine schematische Ansicht, die den Halteschritt in einem Zustand darstellt, in dem ein Hohlraum 210 als der dämpfende Abschnitt zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 ausgebildet ist, und 7 ist eine vergrößerte fragmentarische Querschnittsansicht, die den Halteschritt im gleichen Zustand wie in 5 darstellt.
Wenn die Sonde 110 unter ihrem eigenen Gewicht vom Gehäuse 101 herabhängt und der Schleifmechanismus 70 und die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche wie oben beschrieben abgesenkt werden, kommt das distale Ende der Sonde 110, wie in 5 dargestellt, mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 dies tun.
Wenn der Schleifmechanismus 70 und die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche abgesenkt werden und das distale Ende der Sonde 110 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommt, bewegt sich die Sonde 110 in der +Z-Richtung relativ zum Gehäuse 101 nach oben (siehe 4), und eine Höhenänderung der Sonde 110 in der +Z-Richtung wird von der Detektionseinheit 151 detektiert. Basierend auf der Detektion dieser Höhenänderung der Sonde 110 in der +Z-Richtung detektiert die Steuerungseinrichtung 3, dass das distale Ende der Sonde 110 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen ist. Die Steuerungseinrichtung 3 stoppt dann das Absenken des Schleifmechanismus 70 und der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche durch den Anhebemechanismus 60 und erfasst als einen ersten Messwert A1 eine Höhe der Sonde 110, die von der Detektionseinheit 151 der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche detektiert wurde.
Als nächstes steuert die Steuerungseinrichtung 3 das Luftventil 271 (siehe 2), um die Luftzufuhrquelle 241 mit der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 in Verbindung zu bringen, wodurch ein Luftstoß von der Halteoberfläche 22 eingeleitet wird. Luft von der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 wird daher gegen das Band 8 der Rahmeneinheit 9 geblasen, das der Halteoberfläche 22 gegenüber angeordnet ist. Dadurch werden das Band 8 und der Wafer 5 in der +Z-Richtung angehoben, und wie in 6 dargestellt, wird der Hohlraum 210 als der dämpfende Abschnitt zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 ausgebildet. Alternativ könnte auch Wasser von der Halteoberfläche 22 ausgestoßen werden, um den dämpfenden Abschnitt auszubilden.
Wie oben beschrieben, hält die Halteoberfläche 22 den Wafer 5 im Halteschritt, so dass der Hohlraum 210 zwischen dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 und der Halteoberfläche 22 ausgebildet und als der dämpfende Abschnitt angeordnet wird, wie in den 6 und 7 dargestellt.
Aufgrund der Ausbildung des Hohlraums 210 bewegt sich die Sonde 110, die mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt ist, in der +Z-Richtung nach oben, wie durch einen Pfeil 400 in 6 angezeigt. Die Steuerungseinrichtung 3 detektiert die Höhe der hochgefahrenen Sonde 110 durch die Detektionseinheit 151 der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche und erfasst sie als zweiten Messwert A2. Ferner ermittelt die Steuerungseinrichtung 3 die Differenz (|A1 - A21) zwischen dem ersten Messwert A1 und dem zweiten Messwert A2 und ermittelt diese Differenz als Dicke V1 des Hohlraums 210.
Es ist zu beachten, dass, um zu verhindern, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen, wenn die Sonde 110 durch die Ausbildung des Hohlraums 210 angehoben wird, die Sonde 110 von dem Gehäuse 101 herabhängt, um das distale Ende der Sonde 110 tiefer als die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 vorher zu positionieren.
[Speicherschritt]
Unter Bezugnahme auf die 8 und 9 wird als nächstes ein Speicherschritt in dem Einrichtungsverfahren dieser Ausführungsform beschrieben. 8 ist eine schematische Ansicht, die den Speicherschritt in einem Zustand darstellt, in dem der Schleifmechanismus 70 gegenüber dem Zustand von 6 abgesenkt gehalten wurde, und 9 ist eine vergrößerte, fragmentarische Querschnittsansicht, die den Speicherschritt in einem Zustand darstellt, in dem der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 in Verbindung mit einem weiteren Absenken des Schleifmechanismus 70 kollabiert ist.
Unter Verwendung des Anhebemechanismus 60 nimmt die Steuerungseinrichtung 3 dann das Absenken des Schleifmechanismus 70 von oberhalb des Wafers 5, der an der Halteoberfläche 22 gehalten wird, wieder auf, um die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt zu bringen.
Wie bereits erwähnt, hat zu diesem Zeitpunkt das distale Ende der Sonde 110 bereits Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5, aufgenommen, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 in Kontakt kommen. Die Steuerungseinrichtung 3 hat daher bereits die Messung der Höhe der oberen Oberfläche der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 durch die Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche initiiert, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit dem Wafer 5 in Kontakt kommen.
Unter Verwendung des Anhebemechanismus 60 senkt die Steuerungseinrichtung 3 den Schleifmechanismus 70 kontinuierlich ab, wie durch einen Pfeil 401 in 8 angedeutet. Wie in 8 und 9 dargestellt, bewegt sich die Sonde 110 in Verbindung mit dem Absenken des Schleifmechanismus 70 relativ zum Gehäuse 101 nach oben, bis die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen und die obere Oberfläche 6 drücken, so dass sich die Höhe der Sonde 110, wie sie von der Detektionseinheit 151 detektiert wird, in der +Z-Richtung ändert (siehe den Pfeil 400 in 8). Genauer gesagt ändert sich, bis die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 der Wafer 5 in Kontakt kommen, der Messwert der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche in der +Z-Richtung um den gleichen Betrag wie die vom Z-Achsen-Encoder 65 ermittelte Änderung der Höhe des Schleifmechanismus 70 pro Zeiteinheit in der -Z-Richtung. Änderungen des Messwerts der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche entsprechen somit denjenigen der Höhe des Schleifmechanismus 70.
Nachdem die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 aufgenommen haben, wird der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 gemeinsam mit dem Absenken des Schleifmechanismus 70 kollabiert, so dass die obere Oberfläche 6 des Wafers 5 beginnt, sich in der -Z-Richtung nach unten zu bewegen. Das distale Ende der Sonde 110, das mit der oberen Oberfläche 6 in Kontakt ist, beginnt daher ebenfalls, sich in der -Z-Richtung nach unten zu bewegen. Die Sonde 110, die sich relativ zum Gehäuse 101 eine aufwärts bewegt hat, bewegt sich daher gemeinsam mit dem Absenken des Schleifmechanismus 70 nach unten. Der Betrag der Änderung des Messwerts der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche in der +Z-Richtung pro Zeiteinheit ist daher nicht mehr derselbe wie der Betrag der Änderung der Höhe des Schleifmechanismus 70 in -Z-Richtung pro Zeiteinheit. Mit anderen Worten: Die Änderungen des Messwertes der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche entsprechen nicht mehr denen der Höhe des Schleifmechanismus 70.
Die Steuerungseinrichtung 3 stellt dann fest, dass Änderungen des Messwerts der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche nicht mehr den Änderungen der Höhe des Schleifmechanismus 70 entsprechen, die durch das Drücken der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 durch die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 verursacht werden, und detektiert daher, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des an der Halteoberfläche 22 gehaltenen Wafers 5 in Kontakt gekommen sind. Zu diesem Zeitpunkt stoppt die Steuerungseinrichtung 3 das Absenken des Schleifmechanismus 70 durch den Anhebemechanismus 60, erfasst als eine erste Höhe Z1 (siehe 8) den vom Z-Achsen-Encoder 65 ermittelten Wert einer Höhe des Schleifmechanismus 70 und speichert ihn im Speicher der Steuerungseinrichtung 3 und/oder des Speicherabschnitts 4. Es ist zu beachten, dass in 2 eine virtuelle Skala 200 dargestellt ist, welche die durch den Z-Achsen-Encoder 65 ermittelte Höhe des Schleifmechanismus 70 anzeigt. Danach hebt die Steuerungseinrichtung 3 den Schleifmechanismus 70 unter Verwendung des Anhebemechanismus 60 an.
Basierend auf der so erhaltenen ersten Höhe Z1 des Schleifmechanismus 70 bestimmt die Steuerungseinrichtung 3 als nächstes die Höhe des Schleifmechanismus 70, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 Kontakt mit der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 aufgenommen haben, also die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70.
Konkret berechnet die Steuerungseinrichtung 3 die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70, indem von der ersten Höhe Z1 des Schleifmechanismus 70 die oben erwähnte Dicke V1 des Hohlraums 210 sowie eine Dicke W1 des Wafers 5 und eine Dicke T1 des Bandes 8 (siehe 8 und 9) subtrahiert werden, wobei die Dicken W1 und T1 vorher bekannt sind, wie in der folgenden Gleichung (1) angegeben.
[Math. 1] $Z 0 = Z 1 - V 1 - W 1 - T 1$
Wie oben beschrieben, hat die Steuerungseinrichtung 3 in diesem Schritt bereits das Absenken des Schleifmechanismus 70 gestoppt und die erste Höhe Z1 erfasst, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen und der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 zu kollabieren beginnt, wie in 8 und 9 dargestellt. Die Dicke des Hohlraums 210 hat sich daher im Wesentlichen nicht verändert. Der Wafer 5, das Band 8 und der Hohlraum 210 befinden sich also zwischen den unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 und der Halteoberfläche 22, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen und die erste Höhe Z1 des Schleifmechanismus 70 erfasst wird.
Die Steuerungseinrichtung 3 kann daher die Höhe des Schleifmechanismus 70 erfassen, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 Kontakt mit der Halteoberfläche 22 des Einspanntisches 20 aufgenommen haben, mit anderen Worten, die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70, indem die Dicken des Wafers 5, des Bandes 8 und des Hohlraums 210 von der ersten Höhe Z1 durch die oben in Gleichung (1) angegebene Berechnung subtrahiert werden. Die Steuerungseinrichtung 3 speichert die so erfasste Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 im Speicher der Steuerungseinrichtung 3 und/oder im Speicherabschnitt 4.
Wie oben beschrieben, wird bei dieser Ausführungsform im Speicherschritt der Schleifmechanismus 70 von oberhalb des an der Halteoberfläche 22 gehaltenen Wafers 5 abgesenkt, und wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 aufgenommen haben, wird die Höhe des Schleifmechanismus 70 gespeichert. Basierend auf dieser Höhe wird dann die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 bestimmt.
In dieser Ausführungsform kann somit eine Einrichtung zum Bestimmen der Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 ohne ein Verwenden eines Einrichtungsblocks durchgeführt werden, beispielsweise nachdem die Schleifsteine 77 ausgetauscht wurden. Die Einrichtung lässt sich somit in kurzer Zeit durchführen. Zusätzlich ermöglicht die Verwendung des Wafers 5 bei der Einrichtung ein Schleifen des Wafers 5 im Anschluss an die Einrichtung. Somit kann eine Effizienz der Arbeit von der Einrichtung bis zum Schleifschritt verbessert werden. Da kein Einrichtungssensor verwendet wird, kann die Einrichtung mit einer kostengünstigen Ausgestaltung der Anlage durchgeführt werden.
Ferner ist in dieser Ausführungsform der Hohlraum 210 als dämpfender Abschnitt zwischen dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 und der Halteoberfläche 22 im Halteschritt ausgebildet. Wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen, wird der Hohlraum 210 verformt, um eine Verringerung eines Aufpralls beim Kontakt zu ermöglichen und dadurch eine Beschädigung der unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 zu verhindern.
Unter Bezugnahme auf die 10 und 11 werden nun eine erste Modifikation und eine zweite Modifikation des Speicherschritts der 8 und 9 beschrieben. 10 ist eine schematische Ansicht, welche die erste Modifikation des Speicherschritts von 8 und 9 darstellt, und 11 ist eine schematische Ansicht, welche die zweite Modifikation des Speicherschritts von 8 und 9 darstellt.
Wenn das Absenken des Schleifmechanismus 70 gestoppt und die erste Höhe Z1 erfasst wird, könnte eine Situation eintreten, in der, wie in 10 dargestellt, der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 im Wesentlichen kollabiert ist und sich die Dicke V1 des Hohlraums 210 erheblich verändert hat. In diesem Fall führt die Steuerungseinrichtung 3 die oben in Gleichung (1) angegebene Berechnung durch, nachdem sie V1 gemäß dem Betrag der Änderung der Dicke des Hohlraums 210 korrigiert hat.
Wenn das Absenken des Schleifmechanismus 70 gestoppt und die erste Höhe Z1 erfasst wird, könnte eine andere Situation eintreten, in der, wie in 11 dargestellt, der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 vollständig kollabiert wurde und das Band 8 mit der Halteoberfläche 22 in Kontakt ist. In dieser Situation wird die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 durch ein Subtrahieren der Dicke W1 des Wafers 5 und der Dicke T1 des Bandes 8, wobei die Dicken W1 und T1 vorher bekannt sind, von der ersten Höhe Z1, die die Höhe des Schleifmechanismus 70 ist, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen sind, gemäß der folgenden Gleichung (2) anstelle der oben erwähnten Gleichung (1) berechnet.
[Math. 2] $Z 0 = Z 1 - W 1 - T 1$
Als eine weitere Alternative könnte nach einem Erfassen der ersten Höhe Z1, bevor sich die Dicke des Hohlraums 210 zu ändern beginnt, das Absenken des Schleifmechanismus 70 wieder aufgenommen werden. Wenn der Hohlraum 210 durch die Schleifsteine 77 vollständig kollabiert ist, könnte das Absenken des Schleifmechanismus 70 gestoppt werden, gefolgt von einer Erfassung einer zweiten Höhe Z2 des Schleifmechanismus 70, wie in 11 dargestellt. Die Dicke V1 des Hohlraums 210 könnte dann durch ein Subtrahieren der zweiten Höhe Z2 von der ersten Höhe Z1 bestimmt werden, wie in der folgenden Gleichung (3) angegeben.
[Math. 3] $V 1 = | (Z 1 - Z 2) |$
Es ist zu beachten, dass der Hohlraum 210 als vollständig kollabiert detektiert wird, wenn der Betrag einer Änderung der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche in der +Z-Richtung pro Zeiteinheit gleich geworden ist und dem Betrag einer Änderung der Höhe des Schleifmechanismus 70 in der -Z-Richtung pro Zeiteinheit entspricht.
In dieser Ausführungsform detektiert die Steuerungseinrichtung 3 als der Kontaktdetektionsabschnitt, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen sind, und bestimmt als erste Höhe Z1 die Höhe des Schleifmechanismus 70 zu diesem Zeitpunkt, wobei sie sich darauf verlässt, dass sich der Messwert der Höhenmesseinrichtung 80 für die obere Oberfläche der oberen Oberfläche nicht mehr ändert.
In diesem Zusammenhang könnte die Steuerungseinrichtung 3 die in 1 dargestellte Rotations-Detektionseinrichtung 78 verwenden, um zu detektieren, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen sind. Wie bereits erwähnt, detektiert die Rotations-Detektionseinrichtung 78 die Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine 77. In dieser Ausführungsform detektiert die Rotations-Detektionseinrichtung 78 als die Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine 77 die Drehgeschwindigkeit der Spindel 72, an der die Schleifsteine 77 über die Schleifscheibe 75 und die Scheibenbasis 76 befestigt sind.
Mit dieser Ausgestaltung steuert die Steuerungseinrichtung 3 beim Absenken des Schleifmechanismus 70 von oberhalb des an der Halteoberfläche 22 gehaltenen Wafers 5 im Speicherschritt den Spindelmotor 73, um die Spindel 72 und die am distalen Ende der Spindel 72 über die Schleifscheibe 75 und der Scheibenbasis 76 gesicherten Schleifsteine 77 zu drehen und detektiert zudem die Drehgeschwindigkeit der Spindel 72 mit Hilfe der Rotations-Detektionseinrichtung 78.
Dabei stoppt die Steuerungseinrichtung 3 den Spindelmotor 73, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen, und lässt die Spindel 72 träge drehen.
In Verbindung mit dem Absenken des Schleifmechanismus 70 kommen dann die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt und drücken die obere Oberfläche 6. Aufgrund des Reibungswiderstands zwischen den Schleifsteinen 77 und der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 nimmt die Drehgeschwindigkeit der Spindel 72, wie sie von der Rotations-Detektionseinrichtung 78 detektiert wird, daher ab. Aufgrund der von der Rotations-Detektionseinrichtung 78 detektierten Abnahme der Drehgeschwindigkeit der Spindel 72 detektiert die Steuerungseinrichtung 3 dann, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen sind. In diesem Fall stoppt die Steuerungseinrichtung 3 das Absenken des Schleifmechanismus 70 durch den Anhebemechanismus 60 und kann als die erste Höhe Z1 den Wert der Höhe des Schleifmechanismus 70 erfassen, der durch den Z-Achsen-Encoder 65 ermittelt wurde.
Bei dieser Ausgestaltung kann sich der Hohlraum 210 auch verformen und einen Stoß beim Kontakt verringern, wenn die unteren Oberflächen der rotierenden Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen. Dadurch kann eine Beschädigung an den unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 verhindert werden.
Alternativ könnte die Rotations-Detektionseinrichtung 78 so ausgestaltet sein, dass elektrische Leistung detektiert, die der Spindelmotor 73 zum Drehen der Spindel 72 verbraucht. In diesem Fall ist es der Spindel 72 erlaubt, frei zu drehen, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen, so dass der von der Rotations-Detektionseinrichtung 78 detektierte Leistungsaufnahme des Spindelmotors 73 relativ gering bleibt.
Wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt kommen und die obere Oberfläche 6 drücken, steigt dagegen der von der Rotations-Detektionseinrichtung 78 detektierte Leistungsaufnahme des Spindelmotors 73 aufgrund des oben erwähnten Reibungswiderstands auf einen relativ großen Wert an. Basierend auf diesem Anstieg der von der Rotations-Detektionseinrichtung 78 detektierten Leistungsaufnahme kann die Steuerungseinrichtung 3 dann detektieren, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 in Kontakt mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 gekommen sind. Es ist zu beachten, dass die Rotations-Detektionseinrichtung 78 auch so ausgestaltet sein könnte, dass sie einen Laststromwert des Spindelmotors 73 als die Leistungsaufnahme des Spindelmotors 73 detektiert.
Die Rotations-Detektionseinrichtung 78 könnte eine Scheibe aufweisen, die am oberen Ende der Spindel 72 angeordnet ist und die darin ausgebildete Schlitze definiert, sowie einen Sensor, der die Schlitze detektiert (beide nicht dargestellt). In diesem Fall kann die Rotations-Detektionseinrichtung 78 die Drehgeschwindigkeit der Spindel 72 ermitteln, indem mit dem Sensor die Schlitze in der Scheibe detektiert, die sich zusammen mit der Spindel 72 dreht.
In dieser Ausführungsform ist der Hohlraum 210 als der dämpfende Abschnitt ausgebildet, der zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 angeordnet ist. In dieser Hinsicht könnte anstelle des Hohlraums 210 beispielsweise eine Lage aus Schwammgummi, ein Luftsack oder dergleichen als der dämpfende Abschnitt zwischen dem Band 8 und der Halteoberfläche 22 angeordnet werden. In diesem Fall wird die Rahmeneinheit 9 mit dem darin enthaltenen Wafer 5 im Halteschritt am Einspanntisch 20 gehalten, ohne dass der Hohlraum 210 zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 ausgebildet ist.
In diesem Fall berechnet die Steuerungseinrichtung 3 nach der Erfassung der ersten Höhe Z1 im Speicherschritt die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 unter Verwendung der Dicke des dämpfenden Abschnitts wie beispielsweise der Lage aus Schwammgummi oder des Luftsacks anstelle der Dicke V1 des Hohlraums 210 in der oben erwähnten Gleichung (1).
Alternativ könnte auch ein relativ dickes dämpfendes Band als das Band 8 in der Rahmeneinheit 9 verwendet werden, so dass das Band 8 als der dämpfende Abschnitt verwendet werden kann. Auch in diesem Fall wird die Rahmeneinheit 9 mit dem darin enthaltenen Wafer 5 im Halteschritt am Einspanntisch 20 gehalten, ohne die Ausbildung des Hohlraums 210 zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5.
In diesem Fall berechnet die Steuerungseinrichtung 3 die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 im Speicherschritt durch ein Subtrahieren der Dicke W1 des Wafers 5 und der Dicke T1 des Bandes 8, wobei die Dicken W1 und T1 vorher bekannt sind, von der ersten Höhe Z1, welche die Höhe des Schleifmechanismus 70 ist, wenn die unteren Oberflächen der Schleifsteine 77 mit der oberen Oberfläche 6 des Wafers 5 in Kontakt gekommen sind, gemäß der oben beschriebenen Gleichung (2) anstelle der oben erwähnten Gleichung (1).
In dieser Ausführungsform wird der Wafer 5 in der Form der Rahmeneinheit 9 gehandhabt, so dass die Rahmeneinheit 9 mit dem darin vorhandenen Wafer 5 am Einspanntisch 20 gehalten und getragen wird, indem der Ringrahmen 7 der Rahmeneinheit 9 mit den Klemmen 31 des Einspanntisches 20 gehalten wird.
In dieser Hinsicht wird nun auf 12 verwiesen. 12 ist eine Querschnittsansicht, die eine andere Ausgestaltung der Halteoberfläche 22 darstellt. Der Wafer 5 kann auch gehandhabt werden, ohne dass er in der Form der Rahmeneinheit 9 vorgesehen ist. In diesem Fall könnte eine Halteoberfläche 22 eines Einspanntisches 20 beispielsweise eine zentrale Halteoberfläche 221 und eine ringförmige Halteoberfläche 222 aufweisen, wie in 12 dargestellt.
Bei dieser Ausgestaltung hält die Steuerungseinrichtung 3 beispielsweise den Wafer 5, der das Schutzband 15 aufweist, an einem Außenumfangsabschnitt davon unter Ansaugung an der ringförmigen Halteoberfläche 222, indem das Ansaugventil 270 (siehe 2) gesteuert wird, um die Ansaugquelle 240 mit der ringförmigen Halteoberfläche 222 in Verbindung zu bringen.
Die Steuerungseinrichtung 3 steuert dann das Luftventil 271 (siehe 2), um die Luftzufuhrquelle 241 mit der zentralen Halteoberfläche 221 in Verbindung zu bringen, wodurch Luft aus der zentralen Halteoberfläche 221 ausgestoßen wird. Deswegen kann ein Hohlraum 210 als ein dämpfender Abschnitt zwischen der Halteoberfläche 22 und dem zentralen Bereich 51 der unteren Oberfläche des Wafers 5 ausgebildet werden.
In diesem Fall berechnet die Steuerungseinrichtung 3 die Ursprungspunkthöhe Z0 des Schleifmechanismus 70 durch ein Subtrahieren der Dicke V1 des Hohlraums 210, und der Dicke W1 des Wafers 5 und einer Dicke H1 des Schutzbandes 15, wobei die Dicken W1 und H1 vorher bekannt sind, von der ersten Höhe Z1 des Schleifmechanismus 70 gemäß der folgenden Gleichung (4) anstelle der oben erwähnten Gleichung (1).
[Math. 4] $Z 0 = Z 1 - V 1 - W 1 - H 1$
In dieser Ausführungsform wird der Wafer 5 als das plattenförmige Werkstück verwendet, das an der Halteoberfläche 22 gehalten wird, um eine Einrichtung durchzuführen. In dieser Hinsicht könnte anstelle des Wafers 5 auch ein anderes plattenförmiges Werkstück, wie beispielsweise eine Abrichtplatte, an der Halteoberfläche 22 gehalten werden.
Ferner könnte als die Höhenbestimmungsvorrichtung, welche die Höhe des Schleifmechanismus 70 bestimmt, anstelle des Z-Achsen-Encoders 65 eine in 1 dargestellte Linearskala 25 verwendet werden. Die Linearskala 25 weist eine Ableseeinheit 26 und einen Skalenabschnitt 27 auf. Die Ableseeinheit 26 ist an dem Z-Achsen-Bewegungstisch 63 des Anhebemechanismus 60 angeordnet und bewegt sich zusammen mit dem Schleifmechanismus 70 in der Z-Achsen-Richtung. Der Skalenabschnitt 27 ist an einer Seitenoberfläche in der -Y-Richtung einer der Z-Achsen-Führungsschienen 61 angeordnet, wobei die eine Z-Achsen-Führungsschiene 61 an einer +X-Richtungsseite angeordnet ist. Die Ableseeinheit 26 liest Teilungen des Skalenabschnitts 27 ab, wodurch die Höhe des durch den Anhebemechanismus 60 in der Z-Achsen-Richtung bewegten Schleifmechanismus 70 ermittelt werden kann.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2001001261 A [0002]
JP 2012135853 A [0003]
JP 2020199597 A [0003]

Claims

Verfahren zum Einrichten einer Schleifvorrichtung, wobei die Schleifvorrichtung einen Einspanntisch, der ein plattenförmiges Werkstück an einer Halteoberfläche davon hält, einen Schleifmechanismus, der Schleifsteine daran angebracht aufweist und mit den Schleifsteinen das an der Halteoberfläche gehaltene plattenförmige Werkstück schleift, einen Anhebemechanismus, der den Schleifmechanismus in einer Richtung senkrecht zu der Halteoberfläche bewegt, und eine Höhenbestimmungsvorrichtung aufweist, die eine Höhe des mit dem Anhebemechanismus bewegten Schleifmechanismus bestimmt, indem der Schleifmechanismus durch den Anhebemechanismus bewegt wird und die Höhe des Schleifmechanismus gespeichert wird, wenn untere Oberflächen der Schleifsteine mit der Halteoberfläche in Kontakt kommen, der Schleifmechanismus einen Kontaktdetektionsabschnitt aufweist, der ausgestaltet ist, um einen Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit einer oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks zu detektieren, wobei das Verfahren umfasst: einen Halteschritt eines Haltens des plattenförmigen Werkstücks an der Halteoberfläche des Einspanntisches, so dass ein dämpfender Abschnitt zwischen einem zentralen Bereich einer unteren Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks und der Halteoberfläche angeordnet ist; und einen Speicherschritt eines Speicherns der Höhe des Schleifmechanismus, wenn durch eine Detektion durch den Kontaktdetektionsabschnitt festgestellt wird, dass die unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks, das an der Halteoberfläche gehalten wird, durch ein Absenken des Schleifmechanismus mit den daran angebrachten Schleifsteinen von oberhalb des an der Halteoberfläche gehaltenen plattenförmigen Werkstücks in Kontakt gekommen sind.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Schleifvorrichtung ferner eine Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche aufweist, die eine Höhe der oberen Oberfläche des an der Halteoberfläche gehaltenen plattenförmigen Werkstücks misst, die Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche ausgestaltet ist, um zusammen mit dem Schleifmechanismus in der Richtung senkrecht zur Halteoberfläche durch den Anhebemechanismus bewegt zu werden, und der Kontaktdetektionsabschnitt ausgestaltet ist, um den Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks durch ein Absenken des Schleifmechanismus, ein Initiieren der Messung der Höhe der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks durch die Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche, bevor die unteren Oberflächen der Schleifsteine in Kontakt mit dem plattenförmigen Werkstück kommen, ein Beibehalten eines Absenkens der Schleifsteine, um die unteren Oberflächen der Schleifsteine gegen die obere Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks zu drücken, und ein Feststellen, dass ein Betrag einer Änderung eines von der Höhenmesseinrichtung für die obere Oberfläche gemessenen Werts nicht mehr einem Betrag einer Änderung der Höhe der Schleifeinrichtung entspricht, zu detektieren.
Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Schleifmechanismus eine Rotations-Detektionseinrichtung aufweist, die eine Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine detektiert, und der Kontaktdetektionsabschnitt den Kontakt der unteren Oberflächen der Schleifsteine mit der oberen Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks basierend auf einer Abnahme der von der Rotations-Detektionseinrichtung detektierten Drehgeschwindigkeit der Schleifsteine detektiert.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der dämpfende Abschnitt im Halteschritt ein Hohlraum ist, der zwischen der Halteoberfläche und dem zentralen Bereich der unteren Oberfläche des plattenförmigen Werkstücks ausgebildet ist.