DE102022129309A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102022129309A1
DE102022129309A1 DE102022129309.2A DE102022129309A DE102022129309A1 DE 102022129309 A1 DE102022129309 A1 DE 102022129309A1 DE 102022129309 A DE102022129309 A DE 102022129309A DE 102022129309 A1 DE102022129309 A1 DE 102022129309A1
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touch
electrode
sub
gate
gate signal
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Cheolse KIM
Sungchul Kim
HoonBae Kim
SunYeop KIM
Jinseong Kim
Juhan Kim
Haewon Lee
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LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung umfasst ein Substrat, das mehrere Unterpixel umfasst; eine erste Berührungselektrode auf dem Substrat, die mindestens ein Unterpixel der mehreren Unterpixel überlappt; eine zweite Berührungselektrode auf dem Substrat, die von der ersten Berührungselektrode beabstandet ist und das mindestens eine Unterpixel überlappt; eine Isolierschicht, die die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode bedeckt; mehrere Ladetransistoren auf der Isolierschicht, die mit einer der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sind; mehrere Erfassungstransistoren auf der Isolierschicht, die mit einer der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sind; eine Planarisierungsschicht, die die mehreren Ladetransistoren und die mehreren Erfassungstransistoren bedeckt; und eine Leuchtdiode auf der Planarisierungsschicht.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0182501 , die am 20. Dezember 2021 eingereicht wurde, der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0193489 , die am 30. Dezember 2021 eingereicht wurde, und der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0193490 , die am 30. Dezember 2021 eingereicht wurde, jeweils beim koreanischen Patentamt.
  • HINTERGRUND
  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Ansteuerung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eine zelleninterne Berührungsstruktur implementieren kann, und ein Verfahren zu ihrer Ansteuerung.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Da die Welt gegenwärtig in ein vollumfängliches Informationszeitalter eintritt, entwickelt sich das Gebiet von Anzeigevorrichtungen, die elektrische Informationssignale visuell ausdrücken, schnell und Studien werden fortgesetzt, um die Leistungsfähigkeit verschiedener Anzeigevorrichtungen zu verbessern, beispielsweise durch ein geringes Gewicht und eine geringe Leistungsaufnahme.
  • Unter solchen Anzeigevorrichtungen gibt es eine Anzeigevorrichtung, die ein berührungsbasiertes Eingabeverfahren bietet, um es einem Anwender zu ermöglichen, Informationen oder Befehle einfach, intuitiv und bequem einzugeben, wobei es von üblichen Eingabeverfahren wie Knöpfen, Tastaturen oder Maus abweicht. Die berührungsbasierte Anzeigevorrichtung kann angesteuert werden, indem die Ansteuerzeit in eine Anzeigeansteuerperiode und eine Berührungsansteuerperiode unterteilt wird. Das heißt, die berührungsbasierte Anzeigevorrichtung führt eine Anzeigeansteuerung während der Anzeigeansteuerperiode durch und erfasst eine Berührung durch die Berührungsansteuerung während der Berührungsansteuerperiode, die nach der Anzeigeansteuerperiode fortgeführt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Aufgabe, die durch die vorliegende Offenbarung gelöst werden soll, ist es, eine Anzeigevorrichtung mit einer zelleninternen Berührungsstruktur und ein Verfahren zum Ansteuern derselben zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe, die durch die vorliegende Offenbarung gelöst werden soll, ist es, eine Anzeigevorrichtung, die eine Berührungserfassungsgenauigkeit verbessert, und ein Verfahren zum Ansteuern derselben zu schaffen.
  • Aufgaben der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben erwähnten Aufgaben beschränkt und andere Aufgaben, die oben nicht erwähnt sind, sind für Fachleute aus den folgenden Beschreibungen klar ersichtlich. Eine oder mehrere dieser Aufgaben werden durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
  • Gemäß einem Aspekt umfasst eine Anzeigevorrichtung: ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste Berührungselektrode auf dem Substrat, wobei die erste Berührungselektrode mindestens ein Unterpixel der mehreren Unterpixel überlappt; eine zweite Berührungselektrode auf dem Substrat, die von der ersten Berührungselektrode beabstandet ist, wobei die zweite Berührungselektrode das mindestens eine Unterpixel der mehreren Unterpixel überlappt; eine Isolierschicht, die die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode bedeckt; mehrere Ladetransistoren auf der Isolierschicht, wobei die mehreren Ladetransistoren mit einer von der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden ist; mehrere Erfassungstransistoren auf der Isolierschicht, wobei die mehreren Erfassungstransistoren mit einer von der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden ist; eine Planarisierungsschicht, die die mehreren Ladetransistoren und die mehreren Erfassungstransistoren bedeckt; und eine Leuchtdiode auf der Planarisierungsschicht.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt umfasst eine Anzeigevorrichtung: ein Substrat; mehrere Pixel auf dem Substrat, wobei die mehreren Pixel ein erstes Pixel umfassen, das ein lichtemittierendes Element aufweist; einen Berührungsblock auf dem Substrat, wobei der Berührungsblock eine erste Elektrode mit mehreren ersten Teilelektroden und eine zweite Elektrode mit mehreren zweiten Teilelektroden, die zwischen den mehreren ersten Teilelektroden so eingefügt sind, dass mindestens eine erste Teilelektrode zwischen zwei zweiten Teilelektroden angeordnet ist, aufweist, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode das lichtemittierende Element überlappen und näher an dem Substrat liegen als das lichtemittierende Element.
  • Weitere Einzelheiten der beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann eine Anzeigevorrichtung mit einer zelleninternen Struktur mit einem einfachen Prozess und niedrigen Kosten implementiert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann während der Berührungserfassung ungeachtet der Größe der parasitären Kapazität zwischen der Berührungselektrode und den anderen Komponenten nur eine Menge elektrischer Ladungen, die auf der Berührungselektrode ausgebildet werden, erfasst werden.
  • Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf den oben dargestellten Inhalt beschränkt und verschiedenere Wirkungen sind in der vorliegenden Beschreibung enthalten.
  • Figurenliste
  • Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen besser verständlich; es zeigen:
    • 1 eine Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 einen Schaltplan eines Unterpixels eines Abschnitts A von 1 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ein Diagramm einer Berührungselektrode einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts T1 von 3 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 6A eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitts B von 4 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 6B eine Querschnittsansicht entlang VIb-VIb' von 6A gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 6C eine Querschnittsansicht entlang VIc-VIc' von 6A gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 7A eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt C von 4 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 7B nur eine Berührungselektrode in 7A gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 7C eine Querschnittsansicht entlang VIIc-VIIc' von 7A gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 8 eine Ansicht zum Erläutern eines Berührungserfassungsverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ein Diagramm zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
    • 10 bis 12B Zeitvorgabediagramme, die eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • Genaue Beschreibung
  • Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erzielen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen, die unten zusammen mit den beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben sind, deutlich. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hierin offenbarten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert werden. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft bereitgestellt, damit Fachleute die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen können. Daher wird die vorliegende Offenbarung nur durch den Umfang der beigefügten Ansprüche definiert.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen in der gesamten Beschreibung gleiche Elemente. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine genaue Erläuterung bekannter verwandter Technologien weggelassen werden, um zu vermeiden, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig verunklart wird. Die hierin verwendeten Begriffe wie „enthalten“, „aufweisen“ und „umfassen“ sollen im Allgemeinen ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Verweise auf den Singular können den Plural umfassen, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben ist.
  • Komponenten werden so ausgelegt, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, selbst wenn dieser nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung von Begriffen wie „auf‟, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen positioniert sein, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „direkt“ oder „unmittelbar“ verwendet.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf‟ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen eingefügt sein.
  • Obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und dergleichen zum Beschreiben verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe beschränkt. Diese Begriffe werden lediglich verwendet, um eine Komponente von den anderen Komponenten zu unterscheiden. Daher kann eine nachstehend zu erwähnende erste Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen in der gesamten Beschreibung gleiche Elemente.
  • Eine Größe und Dicke jeder in der Zeichnung gezeigten Komponente sind zur Vereinfachung der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und Dicke der gezeigten Komponente beschränkt.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig übernommen oder miteinander kombiniert werden und können auf technisch verschiedene Weise miteinander verzahnt und betrieben werden und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird die vorliegende Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Zur Vereinfachung der Beschreibung sind in 1 unter zahlreichen Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 ein Substrat 110, mehrere flexible Filme 160 und mehrere Leiterplatten 170 dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 umfasst die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, mehrere flexible Filme 160 und mehrere Leiterplatten 170.
  • Das Substrat 110 ist ein Substrat, das mehrere Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 trägt und schützt. Das Substrat 110 kann aus Glas oder einem flexiblen Kunststoffmaterial ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 beispielsweise aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet ist, kann das Substrat aus Polyimid (PI) ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Das Substrat 110 weist einen aktiven Bereich AA und einen nichtaktiven Bereich NA auf
  • Der aktive Bereich AA ist in einem mittleren Abschnitt des Substrats 110 angeordnet und Bilder werden in dem aktiven Bereich der Anzeigevorrichtung 100 angezeigt. In dem aktiven Bereich AA können ein Anzeigeelement und verschiedene Ansteuerelemente zum Ansteuern des Anzeigeelements angeordnet sein. Beispielsweise kann das Anzeigeelement durch eine Leuchtdiode ED (z. B. ein lichtemittierendes Element) mit einer Anode AN, einer Emissionsschicht EL und einer Kathode CT ausgebildet sein. Ferner können in dem aktiven Bereich AA verschiedene Ansteuerelemente zum Ansteuern des Anzeigeelements wie etwa Transistoren TR1, TR2, TR3, ein Kondensator SC oder Verdrahtungsleitungen angeordnet sein.
  • Mehrere Unterpixel SP können in dem aktiven Bereich AA enthalten sein. Das Unterpixel SP ist eine minimale Einheit, die einen Bildschirm bildet, und jedes der mehreren Unterpixel SP kann eine Leuchtdiode ED und eine Ansteuerschaltung aufweisen. Die mehreren Unterpixel SP können als Schnittbereiche mehrerer Gate-Leitungen GL, die in einer ersten Richtung angeordnet sind, und mehrerer Datenleitungen DL, die in einer zweiten Richtung angeordnet sind, die sich von der ersten Richtung unterscheidet, definiert sein. Hier kann die erste Richtung eine horizontale Richtung von 1 sein und die zweite Richtung kann eine vertikale Richtung von 1 sein, sie sind aber nicht darauf beschränkt. Jedes der mehreren Unterpixel SP kann Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen emittieren. Beispielsweise umfassen die mehreren Unterpixel SP ein rotes Unterpixel SPR, ein grünes Unterpixel SPG, ein blaues Unterpixel SPB und ein weißes Unterpixel SPW.
  • Die Ansteuerschaltung des Unterpixels SP ist eine Schaltung zum Steuern der Ansteuerung der Leuchtdiode ED. Beispielsweise kann die Ansteuerschaltung einen Schalttransistor, einen Ansteuertransistor und einen Kondensator SC aufweisen. Die Ansteuerschaltung kann mit Signalleitungen wie etwa einer Gate-Leitung GL und einer Datenleitung DL elektrisch verbunden sein, die mit einem Gate-Treiber und einem Datentreiber verbunden sind, die in dem nichtaktiven Bereich NA angeordnet sind.
  • Der nichtaktive Bereich NA ist in einem Umfangsbereich des Substrats 110 angeordnet und in dem nichtaktiven Bereich werden keine Bilder angezeigt. Der nichtaktive Bereich NA ist so angeordnet, dass er den aktiven Bereich AA umschließt, ist aber nicht darauf beschränkt. In dem nichtaktiven Bereich NA können verschiedene Komponenten zum Ansteuern mehrerer Unterpixel SP angeordnet sein, die in dem aktiven Bereich AA angeordnet sind. Beispielsweise können ein Treiber, eine Ansteuerschaltung, eine Signalleitung und ein flexibler Film 160 angeordnet sein, die ein Signal zum Ansteuern der mehreren Unterpixel SP liefern.
  • Die mehreren flexiblen Filme 160 sind an einem Ende des Substrats 110 angeordnet. Die mehreren flexiblen Filme 160 sind mit einem Ende des Substrats 110 elektrisch verbunden. Die mehreren flexiblen Filme 160 sind Filme, in denen verschiedene Komponenten auf einem Basisfilm, der formbar ist, angeordnet sind, um ein Signal an die mehreren Unterpixel SP des aktiven Bereichs AA zu liefern. Ein Ende der mehreren flexiblen Filme 160 ist in dem nichtaktiven Bereich NA des Substrats 110 angeordnet, um eine Datenspannung an die mehreren Unterpixel SP des aktiven Bereichs AA zu liefern. Obwohl die mehreren flexiblen Filme 160 in 1 als vier gezeigt sind, kann die Anzahl der flexiblen Folien 160 je nach Entwurf variieren und ist nicht darauf beschränkt.
  • In den mehreren flexiblen Filmen 160 kann ein Treiber wie beispielsweise ein Gate-Treiber oder ein Datentreiber angeordnet sein. Der Treiber ist eine Komponente, die Daten zum Anzeigen von Bildern und ein Ansteuersignal zum Verarbeiten der Daten verarbeitet. Der Treiber kann abhängig je nach Montageverfahren durch eine Chip-auf-Glas-Technik (COG-Technik), eine Chip-auf-Film-Technik (COF-Technik) oder eine Bandträgerbaugruppen-Technik (TCP-Technik) angeordnet sein. In der vorliegenden Beschreibung ist zur Vereinfachung der Beschreibung beschrieben, dass der Treiber auf den mehreren flexiblen Filmen 160 durch eine Chip-auf-Film-Technik montiert ist, er ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Leiterplatte 170 ist mit den mehreren flexiblen Filmen 160 verbunden. Die Leiterplatte 170 ist eine Komponente, die Signale an den Treiber liefert. Verschiedene Komponenten können in der Leiterplatte 170 angeordnet sein, um verschiedene Ansteuersignale wie beispielsweise ein Ansteuersignal oder eine Datenspannung an den Treiber zu liefern. Obwohl zwei Leiterplatten 170 in 1 gezeigt sind, kann die Anzahl der Leiterplatten 170 je nach Entwurf variieren und ist nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung mit einer Berührungsstruktur sein. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung 100 ferner einen Berührungstreiber aufweisen. Der Berührungstreiber ist in dem Gate-Treiber angeordnet oder in der Leiterplatte 170 angeordnet. Wenn der Berührungstreiber in dem Gate-Treiber angeordnet ist, kann der Gate-Treiber in dem nichtaktiven Bereich NA des Substrats 110 auf eine Gate-in-Tafel-Weise (GIP-Weise) montiert sein oder an dem nichtaktiven Bereich NA angebracht sein.
  • Indes kann die Anzeigevorrichtung 100 je nach der Emissionsrichtung von Licht, das von der Leuchtdiode emittiert wird, als ein Typ mit Emission nach oben oder ein Typ mit Emission nach unten ausgebildet sein.
  • Gemäß dem Typ mit Emission nach oben wird Licht, das von der Leuchtdiode emittiert wird, oberhalb des Substrats emittiert, auf dem die Leuchtdiode angeordnet ist. Im Fall des Typs mit Emission nach oben kann eine reflektierende Schicht unter der Anode ausgebildet sein, um zu ermöglichen, dass sich das von der Leuchtdiode emittierte Licht oberhalb des Substrats, d. h. in Richtung der Kathode, fortpflanzt.
  • Gemäß dem Typ mit Emission nach unten wird Licht, das von der Leuchtdiode emittiert wird, unterhalb des Substrats emittiert, auf dem die Leuchtdiode angeordnet ist. In dem Fall des Typs mit Emission nach unten kann die Anode nur aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein und die Kathode kann aus dem Metallmaterial mit einem hohen Reflexionsvermögen ausgebildet sein, um zu ermöglichen, dass sich das von der Leuchtdiode emittierte Licht unterhalb des Substrats fortpflanzt.
  • Im Folgenden erfolgt zur Vereinfachung der Beschreibung die Beschreibung unter der Annahme, dass die Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach unten ist, aber sie ist nicht darauf beschränkt.
  • 2 ist ein Schaltplan eines Unterpixels eines Abschnitts A von 1 gemäß einer Ausführungsform.
  • Unter Bezugnahme auf 2 umfassen die mehreren Unterpixel SP ein rotes Unterpixel SPR, ein weißes Unterpixel SPW, ein blaues Unterpixel SPB und ein grünes Unterpixel SPG. Ferner umfasst die Ansteuerschaltung zum Ansteuern der Leuchtdioden ED der Unterpixel SPR, SPW, SPB, SPG einen ersten Transistor TR1, einen zweiten Transistor TR2, einen dritten Transistor TR3 und einen Speicherkondensator SC. Um die Ansteuerschaltung anzusteuern, sind mehrere Verdrahtungsleitungen einschließlich einer Gate-Leitung GL, einer Datenleitung DL, einer Hochpotential-Leistungsleitung VDD, einer Erfassungsleitung SL und einer Referenzleitung RL auf dem Substrat 110 angeordnet. Jedes Unterpixel SPR, SPW, SPB, SPG hat die gleiche Struktur, so dass das rote Unterpixel SPR unten als Referenz beschrieben wird.
  • Der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2 und der dritte Transistors TR3, die in der Ansteuerschaltung des roten Unterpixels SPR enthalten sind, umfassen jeweils eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode.
  • Der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2 und der dritte Transistor TR3 können P-Typ-Dünnschichttransistoren oder N-Typ-Dünnschichttransistoren sein. Da beispielsweise in dem P-Typ-Dünnschichttransistor Löcher von der Source-Elektrode zu der Drain-Elektrode fließen, fließt der Strom von der Source-Elektrode zu der Drain-Elektrode. Da bei dem N-Typ-Dünnschichttransistor Elektronen von der Source-Elektrode zu der Drain-Elektrode fließen, fließt der Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode. Nachfolgend erfolgt die Beschreibung unter der Annahme, dass der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2 und der dritte Transistor TR3 N-Typ-Dünnschichttransistoren sind, bei denen der Strom von der Drain-Elektrode zu der Source-Elektrode fließt, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Der erste Transistor TR1 umfasst eine erste aktive Schicht, eine erste Gate-Elektrode, eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode. Die erste Gate-Elektrode ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, die erste Source-Elektrode ist mit der Anode der Leuchtdiode ED verbunden und die erste Drain-Elektrode ist mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD verbunden. Wenn eine Spannung des ersten Knotens N1 größer als eine Schwellenspannung ist, ist der erste Transistor TR1 eingeschaltet, und wenn die Spannung des ersten Knotens N1 kleiner als die Schwellenspannung ist, ist der erste Transistor TR1 ausgeschaltet. Wenn der erste Transistor TR1 eingeschaltet ist, kann ein Ansteuerstrom durch den ersten Transistor TR1 zu der Leuchtdiode ED übertragen werden. Daher kann der erste Transistor TR1, der den an die Leuchtdiode ED übertragenen Ansteuerstrom steuert, als Ansteuertransistor bezeichnet werden.
  • Der zweite Transistor TR2 umfasst eine zweite aktive Schicht, eine zweite Gate-Elektrode, eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode. Die zweite Gate-Elektrode ist mit der Gate-Leitung GL verbunden, die zweite Source-Elektrode ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden und die zweite Drain-Elektrode ist mit einer ersten Datenleitung DL1 verbunden. Der zweite Transistor TR2 kann basierend auf einer Gate-Spannung aus der Gate-Leitung GL ein- oder ausgeschaltet werden. Wenn der zweite Transistor TR2 eingeschaltet ist, kann eine Datenspannung aus der Datenleitung DL in den ersten Knoten N1 geladen werden. Daher kann der zweite Transistor TR2, der durch die Gate-Leitung GL eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, auch als Schalttransistor bezeichnet werden.
  • indes ist im Fall des weißen Unterpixels SPW eine zweite Drain-Elektrode des zweiten Transistors TR2 mit einer zweiten Datenleitung DL2 verbunden, im Fall des blauen Unterpixels SPB eine zweite Drain-Elektrode des zweiten Transistors TR2 mit einer dritten Datenleitung DL3 verbunden und im Fall des grünen Unterpixels SPG eine zweite Drain-Elektrode des zweiten Transistors TR2 mit einer vierten Datenleitung DL4 verbunden.
  • Der dritte Transistor TR3 umfasst eine dritte aktive Schicht, eine dritte Gate-Elektrode, eine dritte Source-Elektrode und eine dritte Drain-Elektrode. Die dritte Gate-Elektrode ist mit der Erfassungsleitung SL verbunden, die dritte Source-Elektrode ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden und die dritte Drain-Elektrode ist mit der Referenzleitung RL verbunden. Der dritte Transistor TR3 kann basierend auf einer Erfassungsspannung aus der Erfassungsleitung SL ein- oder ausgeschaltet werden. Wenn der dritte Transistor TR3 eingeschaltet ist, kann eine Referenzspannung Vref aus der Referenzleitung RL zu dem zweiten Knoten N2 und dem Speicherkondensator SC übertragen werden. Daher kann der dritte Transistor TR3 auch als Erfassungstransistor bezeichnet werden.
  • Obwohl in 3 dargestellt ist, dass die Gate-Leitung GL und die Erfassungsleitung SL separate Verdrahtungsleitungen sind, können die Gate-Leitung GL und die Erfassungsleitung SL indes als eine Verdrahtungsleitung implementiert ein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Speicherkondensator SC ist zwischen die erste Gate-Elektrode und die erste Source-Elektrode des ersten Transistors TR1 geschaltet. Das heißt, der Speicherkondensator SC kann zwischen den ersten Knoten N1 und den zweiten Knoten N2 geschaltet sein. Der Speicherkondensator SC hält eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Gate-Elektrode und der ersten Source-Elektrode des ersten Transistors TR1 aufrecht, während die Leuchtdiode ED Licht emittiert, so dass der Leuchtdiode ED ein konstanter Ansteuerstrom zugeführt werden kann. Der Speicherkondensator SC umfasst mehrere Kondensatorelektroden und beispielsweise ist eine von mehreren Kondensatorelektroden mit dem ersten Knoten N1 und die andere mit dem zweiten Knoten N2 verbunden.
  • Die Leuchtdiode ED umfasst eine Anode, eine Emissionsschicht und eine Kathode. Die Anode der Leuchtdiode ED ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden und die Kathode ist mit der Niederpotential-Leistungsleitung VSS verbunden. Die Leuchtdiode ED wird von dem ersten Transistor TR1 mit einem Ansteuerstrom versorgt, um Licht zu emittieren.
  • Indes ist in 2 beschrieben, dass die Ansteuerschaltung jedes Unterpixels SPR, SPW, SPB, SPG der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine 3T1C-Struktur mit drei Transistoren und einem Speicherkondensator SC aufweist. Jedoch können die Anzahl und eine Verbindungsbeziehung der Transistoren und des Speicherkondensators je nach Entwurf auf verschiedene Weise variieren und sind nicht darauf beschränkt.
  • 3 ist ein Diagramm einer Berührungselektrode einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts T1 von 3 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 3 sind zur Vereinfachung der Beschreibung einfach Berührungselektroden TE1, TE2, Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2, Berührungs-Gate-Leitungen TG1, TG2 und sechs Referenzleitungen RL1, RL2, RL3-1, RL3-2, RL3- 3, RL3-4 dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 3 und 4 umfasst die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mehrere Berührungselektrodenblöcke T1, T2, T3, T4, ..., Tn. Die mehreren Berührungselektrodenblöcke T1, T2, T3, T4, ..., Tn können in der ersten Richtung und der zweiten Richtung angeordnet sein und dabei die mehreren Unterpixel SP in dem aktiven Bereich AA überlappen. Die mehreren Berührungselektrodenblöcke T1, T2, T3, T4, ..., Tn haben die gleiche Struktur, so dass der erste Berührungselektrodenblock T1 nachstehend als Referenz beschrieben wird.
  • Der Berührungselektrodenblock T1 umfasst eine erste Berührungselektrode TE1, eine zweite Berührungselektrode TE2 und mehrere Transistoren für Berührung Berühren TC1, TC2, TS1, TS2. Ferner sind die mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2 mit einer ersten Referenzleitung RL1, einer zweiten Referenzleitung RL2, mehreren dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3, RL3-4, einer ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 und einer zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden.
  • Die erste Berührungselektrode TE1 umfasst mehrere erste Teilelektroden 121, die sich in der ersten Richtung erstrecken, und eine erste Verbindungselektrode 122, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, um die mehreren ersten Teilelektroden 121 miteinander zu verbinden. Die mehreren ersten Teilelektroden 121 können so angeordnet sein, dass sie in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind. Jede der mehreren ersten Teilelektroden 121 kann die mehreren Unterpixel SP überlappen, die in der ersten Richtung angeordnet sind.
  • Die zweite Berührungselektrode TE2 ist so angeordnet, dass sie von der ersten Berührungselektrode TE1 beabstandet ist. Die zweite Berührungselektrode TE2 umfasst mehrere zweite Teilelektroden 123, die sich in der ersten Richtung erstrecken, und eine zweite Verbindungselektrode 124, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, um die mehreren zweiten Teilelektroden 123 miteinander zu verbinden. Die mehreren zweiten Teilelektroden 123 können in der zweiten Richtung voneinander beabstandet angeordnet sein. Jede der mehreren zweiten Teilelektroden 123 kann die mehreren Unterpixel SP überlappen, die in der ersten Richtung angeordnet sind.
  • Die mehreren ersten Teilelektroden 121 und die mehreren zweiten Teilelektroden 123 können in der zweiten Richtung abwechselnd angeordnet sein. Das heißt, die zweiten Teilelektroden 123 sind zwischen den ersten Teilelektroden 121 derart eingefügt, dass mindestens eine erste Teilelektrode zwischen zwei zweiten Teilelektroden angeordnet ist. Ferner sind in einem Unterpixel SP eine der mehreren ersten Teilelektroden 121 und eine der mehreren zweiten Teilelektroden 123 angeordnet. In einer Ausführungsform ist die erste Teilelektrode 121 über dem Unterpixel SP angeordnet und die zweite Teilelektrode 123 ist unter dem Unterpixel SP angeordnet, aber die Positionen der ersten Teilelektrode 121 und der zweiten Teilelektrode 123 sind nicht darauf beschränkt.
  • Die mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2 umfassen einen ersten Ladetransistor TC1, einen zweiten Ladetransistor TC2, einen ersten Erfassungstransistor TS1 und einen zweiten Erfassungstransistor TS2.
  • Der erste Ladetransistor TC1 umfasst eine vierte aktive Schicht, eine vierte Gate-Elektrode, eine vierte Source-Elektrode und eine vierte Drain-Elektrode. Die vierte Gate-Elektrode ist mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden, die vierte Source-Elektrode ist mit der ersten Berührungselektrode TE1 verbunden und die vierte Drain-Elektrode ist mit der ersten Referenzleitung RL1 verbunden. Der erste Ladetransistor TC1 wird basierend auf einem ersten Berührungs-Gate-Signal aus der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 ein- oder ausgeschaltet. Wenn der erste Ladetransistor TC1 eingeschaltet ist, wird eine erste Berührungsspannung aus der ersten Referenzleitung RL1 in die erste Berührungselektrode TE1 geladen.
  • Der zweite Ladetransistor TC2 umfasst eine fünfte aktive Schicht, eine fünfte Gate-Elektrode, eine fünfte Source-Elektrode und eine fünfte Drain-Elektrode. Die fünfte Gate-Elektrode ist mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden, die fünfte Source-Elektrode ist mit der zweiten Berührungselektrode TE2 verbunden und die fünfte Drain-Elektrode ist mit der zweiten Referenzleitung RL2 verbunden. Der zweite Ladetransistor TC2 wird basierend auf dem ersten Berührungs-Gate-Signal aus der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 ein- oder ausgeschaltet. Wenn der zweite Ladetransistor TC2 eingeschaltet ist, wird eine zweite Berührungsspannung aus der zweiten Referenzleitung RL2 in die zweite Berührungselektrode TE2 geladen.
  • Der erste Erfassungstransistor TS1 umfasst eine sechste aktive Schicht, eine sechste Gate-Elektrode, eine sechste Source-Elektrode und eine sechste Drain-Elektrode. Der erste Erfassungstransistor TS1 hat die gleiche Struktur wie der erste Ladetransistor TC1. Insbesondere ist die sechste Gate-Elektrode mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden, die sechste Drain-Elektrode ist mit der ersten Berührungselektrode TE1 verbunden und die sechste Source-Elektrode ist mit der 3-1-ten Referenzleitung RL3-1 verbunden. Der erste Erfassungstransistor TS1 wird basierend auf einem zweiten Berührungs-Gate-Signal aus der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 ein- oder ausgeschaltet. Wenn der erste Erfassungstransistor TS1 eingeschaltet ist, wird das Berührungserfassungssignal aus der ersten Berührungselektrode TE1 auf der 3-1-ten Referenzleitung RL3-1 erfasst.
  • Der zweite Erfassungstransistor TS2 umfasst eine siebte aktive Schicht, eine siebte Gate-Elektrode, eine siebte Source-Elektrode und eine siebte Drain-Elektrode. Der zweite Erfassungstransistor TS2 hat die gleiche Struktur wie der zweite Ladetransistor TC2. Insbesondere ist die siebte Gate-Elektrode mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden, die siebte Drain-Elektrode mit der zweiten Berührungselektrode TE2 verbunden und die siebte Source-Elektrode mit der 3-4-ten Referenzleitung RL3-4 verbunden. Der zweite Erfassungstransistor TS2 wird basierend auf einem zweiten Berührungs-Gate-Signal von der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 ein- oder ausgeschaltet. Wenn der zweite Erfassungstransistor TS2 eingeschaltet ist, wird das Berührungserfassungssignal aus der zweiten Berührungselektrode TE2 auf der 3-4-ten Referenzleitung RL3-4 erfasst.
  • Indes wird in der vorliegenden Offenbarung angenommen, dass der erste Ladetransistor TC1, der zweite Ladetransistor TC2, der erste Erfassungstransistor TS1 und der zweite Erfassungstransistor TS2 N-Typ-Dünnschichttransistoren sind, in denen der Strom von den Drain-Elektroden zu den Source-Elektroden fließt; sie sind aber nicht darauf beschränkt sind.
  • Es können mehrere erste Ladetransistoren TC1, mehrere zweite Ladetransistoren TC2, mehrere erste Erfassungstransistoren TS1 und mehrere zweite Erfassungstransistoren TS2 bereitgestellt sein. Das heißt, in einem Berührungselektrodenblock T1 sind möglicherweise nicht ein erster Ladetransistor, ein zweiter Ladetransistor, ein erster Erfassungstransistor und ein zweiter Erfassungstransistor, sondern die mehreren ersten Ladetransistoren TC1, zweiten Ladetransistoren TC2, ersten Erfassungstransistoren TS1 und zweiten Erfassungstransistoren TS2 bereitgestellt. Daher sind in einem Berührungselektrodenblock T1 die mehreren ersten Ladetransistoren TC1, zweiten Ladetransistoren TC2, ersten Erfassungstransistoren TS1 und zweiten Erfassungstransistoren TS2 bereitgestellt, so dass die Konzentration der Last in jedem der ersten Ladetransistoren TC1, zweiten Ladetransistoren TC2, ersten Erfassungstransistoren TS1 und zweiten Erfassungstransistoren TS2 des Berührungselektrodenblocks T1 unterdrückt wird.
  • Mehrere erste Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und mehrere zweite Berührungs-Gate-Leitungen TG2 sind bereitgestellt. Dabei sind die mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1, die in einem Berührungselektrodenblock T1 angeordnet sind, elektrisch miteinander verbunden, um das gleiche erste Berührungs-Gate-Signal an die mehreren ersten Ladetransistoren TC1 und die mehreren zweiten Ladetransistoren TC2 anzulegen. Ferner sind die mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2, die in einem Berührungselektrodenblock T1 angeordnet sind, elektrisch miteinander verbunden, um das gleiche zweite Berührungs-Gate-Signal an die mehreren ersten Erfassungstransistoren TS1 und die mehreren zweiten Erfassungstransistoren TS2 anzulegen.
  • Die ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und die zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 erstrecken sich in der ersten Richtung. Ferner sind die ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und die zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 abwechselnd angeordnet. Beispielsweise ist eine von der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 und der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 zwischen den mehreren Unterpixeln angeordnet, die in der zweiten Richtung benachbart zueinander sind. Ferner ist die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der ersten Zeile und den mehreren Unterpixeln SP in der zweiten Zeile angeordnet und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 ist zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der zweiten Zeile und den mehreren Unterpixeln SP in der dritten Zeile angeordnet. Diese Struktur wiederholt sich abwechselnd. Alternativ bilden eine erste Teilelektrode 121 und eine zweite Teilelektrode 123 ein Teilelektrodenpaar und eine von der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 und der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 ist zwischen Teilelektrodenpaaren angeordnet, die in der zweiten Richtung zueinander benachbart sind. Ferner ist die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 zwischen dem ersten Teilelektrodenpaar und dem zweiten Teilelektrodenpaar angeordnet und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 ist zwischen dem zweiten Teilelektrodenpaar und dem dritten Teilelektrodenpaar angeordnet, und diese Struktur wiederholt sich abwechselnd.
  • Die erste Referenzleitung RL1, die zweite Referenzleitung RL2 und die mehreren dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 erstrecken sich in der zweiten Richtung. Die erste Referenzleitung RL1, die zweite Referenzleitung RL2 und die mehreren dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 können die gleiche Referenzleitung RL sein, die in 2 beschrieben ist. Das heißt, die Referenzleitung RL legt während der Anzeigeperiode eine Referenzspannung Vref an die mehreren Unterpixel SP an und sendet oder empfängt während der Berührungsperiode Signale zum Berühren zu oder von der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2. Eine erste Referenzleitung RL1, die die erste Berührungsspannung an die erste Berührungselektrode TE1 anlegt, ist bereitgestellt und eine zweite Referenzleitung RL2, die die zweite Berührungsspannung an die zweite Berührungselektrode TE2 anlegt, ist bereitgestellt. Ferner sind mehrere dritte Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 bereitgestellt, die die Berührungserfassungssignale aus der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2 übertragen. Indes können die dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 Verdrahtungsleitungen sein, die von dem Multiplexer MUX abzweigen. Dabei ist der Multiplexer MUX an dem Rand des Substrats 110 angeordnet, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Der erste Erfassungstransistor TS1, der mit der ersten Berührungselektrode TE1 verbunden ist, und der zweite Erfassungstransistor TS2, der mit der zweiten Berührungselektrode TE2 verbunden ist, sind mit unterschiedlichen Verdrahtungsleitungen unter den mehreren dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 verbunden. Daher können Spannungen der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2 einzeln durch verschiedene dritte Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 erfasst werden. Wie es beispielsweise in 3 und 4 gezeigt ist, sind alle ersten Erfassungstransistoren TS1 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 mit der 3-1-ten Referenzleitung RL3-1 verbunden und alle zweiten Erfassungstransistoren TS2 mit der 3-4-ten Referenzleitung RL3-4 verbunden. Ferner sind, wie es in 3 gezeigt ist, alle ersten Erfassungstransistoren TS1 des zweiten Berührungselektrodenblocks T2 mit der 3-2-ten Referenzleitung RL3-2 verbunden und alle zweiten Erfassungstransistoren TS2 mit der 3-1-ten Referenzleitung RL3-1 verbunden. Die Verbindungsbeziehung der Erfassungstransistoren TS1 und TS2 und der dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3, RL3-4 ist jedoch nicht auf die in 3 und 4 dargestellten beschränkt.
  • Indes ist die Anzahl der ersten Teilelektroden 121, zweiten Teilelektroden 123, ersten Ladetransistoren TC1, zweiten Ladetransistoren TC2, ersten Erfassungstransistoren TS1, zweiten Erfassungstransistoren TS2, ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1, zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2, dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3 und RL3-4 nicht auf die in 4 dargestellte Anzahl beschränkt. Das heißt, die Anzahl kann je nach Entwurf variieren.
  • 5 zeigt eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 5 sind zur Vereinfachung der Beschreibung Signale von zwei Referenzleitungen RL1 und RL2 und den ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1-1, TG1-2, ..., TG1-n und den zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2-1, TG2-2, ..., TG2-n, die in jedem der mehreren Berührungselektrodenblöcke T1, T2, T3, T4, ..., Tn enthalten sind, schematisch dargestellt. Hier bezeichnen TG1-n und TG2-n jeweils die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 des n-ten Berührungselektrodenblocks Tn.
  • Unter Bezugnahme auf 5 wird die Anzeigevorrichtung 100 in der Anzeigeperiode und der Berührungsperiode in einem Rahmen zeitgeteilt angesteuert. Hier umfasst die Berührungsperiode mehrere Berührungsperioden TP1, TP2, ..., TPn. Insbesondere kann sich die n-te Berührungsperiode TPn auf eine Periode beziehen, in der Signale an eine erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-n und eine zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2-n des n-ten Berührungselektrodenblocks Tn angelegt sind.
  • Zuerst wird in der Anzeigeperiode die gleiche Referenzspannung Vref an die mehreren Unterpixel SP in der ersten Referenzleitung RL1, der zweiten Referenzleitung RL2 und den dritten Referenzleitungen RL3-1, RL3-2, RL3-3, RL3-4 angelegt. Ferner kann, obwohl dies nicht dargestellt ist, während der Anzeigeperiode das Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen GL angelegt werden. Dabei sind die ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1-1, TG1-2, ..., TG1-n und die zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2-1, TG2-2, ..., TG2-n Verdrahtungsleitungen zum Anlegen des Berührungs-Gate-Signals in der Berührungsperiode. Daher wird während der Signal mit niedrigem Pegel eingegeben, so dass die mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2 ausgeschaltet werden.
  • Während der Berührungsperiode wird eine erste Berührungsspannung V+ an die erste Referenzleitung RL1 angelegt und eine zweite Berührungsspannung V-an die zweite Referenzleitung RL2 angelegt. Hier ist die erste Berührungsspannung V+ eine Summe (Vref + V0) der Referenzspannung Vref und einer vorbestimmten Spannung V0 und die zweite Berührungsspannung V- ist eine Differenz (Vref - V0) der Referenzspannung Vref und einer vorbestimmten Spannung V0. Dabei ist die vorbestimmte Spannung V0 ein willkürlicher Spannungswert und kann je nach Entwurf frei eingestellt werden. Ferner können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal sequentiell an die ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1-1, TG1-2, ..., TG1-n und die zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2-1, TG2-2, ..., TG2-n angelegt werden. Dabei sind während jeder der mehreren Berührungsperioden TP1, TP2, ..., TPn das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal invertierte Signale. Beispielsweise können während der ersten Berührungsperiode TP1 das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal, die an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-1 und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2-1 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 angelegt werden, invertierte Signale voneinander sein. Während der restlichen Berührungsperiode mit Ausnahme der ersten Berührungsperiode TP1 wird ein Signal zum Ausschalten der Berührungstransistoren TC1, TC2, TS1, TS2 sowohl an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-1 als auch an die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2-1 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 angelegt.
  • Genauer gesagt wird ein hoher Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-1 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 angelegt. Daher werden der erste Ladetransistor TC1 und der zweite Ladetransistor TC2 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 eingeschaltet. Die erste Berührungsspannung V+ und die zweite Berührungsspannung V- werden durch die erste Referenzleitung RL1 bzw. die zweite Referenzleitung RL2 in die erste Berührungselektrode TE1 bzw. die zweite Berührungselektrode TE2 geladen.
  • Als Nächstes wird ein hoher Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals an die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2-1 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 angelegt. Daher werden der erste Erfassungstransistor TS1 und der zweite Erfassungstransistor TS2 des ersten Berührungselektrodenblocks T1 eingeschaltet. Das Berührungserfassungssignal aus der ersten Berührungselektrode TE1 wird von der mit dem ersten Erfassungstransistor TS1 verbundenen dritten Referenzleitung RL3-1 erfasst und das Berührungserfassungssignal aus der zweiten Berührungselektrode TE2 wird von der mit dem zweiten Erfassungstransistor TS2 verbundenen dritten Referenzleitung RL3-4 erfasst. Zu diesem Zeitpunkt wird ein niedriger Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-1 angelegt, so dass der erste Ladetransistor TC1 und der zweite Ladetransistor TC2 ausgeschaltet sind.
  • Nach dem Erfassen des Signals in dem ersten Berührungselektrodenblock T1 wird ein hoher Pegel des Berührungs-Gate-Signals sequentiell an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1-2 und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2-2 des zweiten Berührungselektrodenblocks T2 angelegt. Dieser Vorgang kann sequentiell an dem n-ten Berührungselektrodenblock Tn durchgeführt werden. Obwohl in 5 jedoch beschrieben ist, dass die Erfassung in den Berührungselektrodenblöcken T1, T2, T3, T4, ..., Tn sequentiell durchgeführt wird, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Das heißt, die Berührungserfassung kann gleichzeitig in den mehreren Berührungselektrodenblöcken T1, T2, T3, T4, ..., Tn durchgeführt werden.
  • Wenn die Berührung in einem Bereich durchgeführt wird, der einem bestimmten Berührungselektrodenblock entspricht, können Spannungen der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2 variieren. Das heißt, eine vorbestimmte erste Berührungsspannung V+ und eine vorbestimmte zweite Berührungsspannung V- werden an die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 angelegt, so dass dann, wenn die Berührung nicht durchgeführt wird, der erfasste Spannungswert zu allen Zeiten innerhalb eines vorbestimmten Bereichs liegen kann. Wenn sich ein Finger des Anwenders benachbart zu der ersten Berührungselektrode TE1 oder der zweiten Berührungselektrode TE2 eines bestimmten Berührungselektrodenblocks befindet, ändert sich eine Menge elektrischer Ladungen der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2. Insbesondere wird dann, wenn der von der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2 erfasste Spannungswert größer oder gleich einem vorbestimmten Bereich ist, bestimmt, dass die Berührungsbedienung in einem Bereich durchgeführt wird, der dem spezifischen Berührungselektrodenblock entspricht.
  • 6A ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt B von 4 gemäß einer Ausführungsform. 6B ist eine Querschnittsansicht entlang VIb-VIb' von 6A gemäß einer Ausführungsform. 6C ist eine Querschnittsansicht entlang Vic-VIc' von 6A. 6A ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen roten Unterpixel SPR, einen wei-ßen Unterpixel SPW, einen blauen Unterpixel SPB und einen grünen Unterpixel SPG, die ein Pixel bilden.
  • Unter Bezugnahme auf 6A bis 6C umfasst die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Berührungselektrode TE1, eine zweite Berührungselektrode TE2, einen ersten Transistor TR1, einen zweiten Transistor TR2, einen dritten Transistor TR3, einen Speicherkondensator SC, einen ersten Ladetransistor TC1, einen zweiten Ladetransistor TC2, einen ersten Erfassungstransistor TS1, einen zweiten Erfassungstransistor TS2, eine Leuchtdiode ED, eine Gate-Leitung GL, eine Erfassungsleitung SL, eine erste Berührungs-Gate-Leitung TG1, eine zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2, eine Datenleitung DL, eine Referenzleitung RL, eine Hochpotential-Leistungsleitung VDD und einen Farbfilter CF. In 6A bis 6C ist unter den mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2 der erste Ladetransistor TC1 dargestellt und unter den Berührungselektroden TE1 und TE2 sind die erste Teilelektrode 121 und die zweite Teilelektrode 123 dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 6A umfassen die mehreren Unterpixel SP ein rotes Unterpixel SPR, ein grünes Unterpixel SPG, ein blaues Unterpixel SPB und ein weißes Unterpixel SPW. Beispielsweise können das rote Unterpixel SPR, das weiße Unterpixel SPW, das blaue Unterpixel SPB und das grüne Unterpixel SPG sequentiell entlang einer ersten Richtung angeordnet sein. Jedoch ist die Anordnungsreihenfolge der mehreren Unterpixel SP nicht darauf beschränkt.
  • Jedes der mehreren Unterpixeln SP weist einen Emissionsbereich EA und einen Schaltungsbereich CA auf. Der Emissionsbereich EA ist ein Bereich, in dem einfarbiges Licht unabhängig emittiert wird, und die Leuchtdiode ED kann darin angeordnet sein. Insbesondere kann ein Bereich, der von der Bank 116 freigelegt ist und ermöglicht, dass Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, nach außen wandert, als der Emissionsbereich EA definiert sein. Wie es beispielsweise in 6B und 6C gezeigt ist, ist die Anode AN durch die Bank 116 freigelegt, so dass ein Bereich, in dem die Anode AN und die Emissionsschicht EL in direktem Kontakt miteinander stehen, ein Emissionsbereich EA sein kann.
  • Der Schaltungsbereich CA ist ein Bereich mit Ausnahme des Emissionsbereichs EA und eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern der mehreren Leuchtdioden ED und mehrere Verdrahtungsleitungen, die verschiedene Signale an die Ansteuerschaltung übertragen, können angeordnet sein. Der Schaltungsbereich CA, in dem die Ansteuerschaltung, die mehreren Verdrahtungsleitungen und die Bank 116 angeordnet sind, kann ein Nichtemissionsbereich sein. Beispielsweise ist in dem Schaltungsbereich CA eine Ansteuerschaltung, die den ersten Transistor TR1, den zweiten Transistor TR2, den dritten Transistor TR3, den Speicherkondensator SC, den ersten Ladetransistor TC1, den zweiten Ladetransistor TC2 und den ersten Erfassungstransistor TS1 umfasst, und der zweite Erfassungstransistor TS2, mehrere Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, mehrere Datenleitungen DL, mehrere Referenzleitungen RL, mehrere Gate-Leitungen GL, eine Erfassungsleitung SL, mehrere Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und TG2 und eine Bank 116 angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf 6A bis 6C gezeigt, sind die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 auf dem Substrat 110 angeordnet. Wie es in 6A bis 6C gezeigt ist, liegen die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 näher an dem Substrat als die Leuchtdiode ED. Insbesondere können die erste Unterelektrode 121 der ersten Berührungselektrode TE1 und die zweite Unterelektrode 123 der zweiten Berührungselektrode TE2 so angeordnet sein, dass sie sich entlang der ersten Richtung in den mehreren Unterpixeln SP erstrecken.
  • Die erste Teilelektrode 121 umfasst eine erste Hauptelektrodeneinheit 121a, die die Anode AN in dem Emissionsbereich EA jedes der mehreren Unterpixel SP überlappt, und eine erste Verbindungseinheit 121b, die mit der ersten Hauptelektrodeneinheit 121a verbunden ist. Die erste Hauptelektrodeneinheit 121a kann so ausgebildet sein, dass sie einen größeren Flächeninhalt als die erste Verbindungseinheit 121b hat. Die erste Verbindungseinheit 121b kann in dem Schaltungsbereich CA zwischen den Emissionsbereichen EA benachbarter Unterpixel SP angeordnet sein, um eine erste Hauptelektrodeneinheit 121a eines ersten Unterpixels mit einer anderen ersten Hauptelektrodeneinheit 121a eines benachbarten zweiten Unterpixels SP zu verbinden.
  • Die zweite Teilelektrode 123 umfasst eine zweite Hauptelektrodeneinheit 123a, die die Anode AN in dem Emissionsbereich EA jedes der mehreren Unterpixel SP überlappt, und eine zweite Verbindungseinheit 123b, die mit der zweiten Hauptelektrodeneinheit 123a verbunden ist. Die zweite Hauptelektrodeneinheit 123a kann so ausgebildet sein, dass sie einen größeren Flächeninhalt als die zweite Verbindungseinheit 123b hat. Die zweite Verbindungseinheit 123b kann in dem Schaltungsbereich CA zwischen den Emissionsbereichen EA benachbarter Unterpixel SP angeordnet sein. Ferner kann die zweite Teilelektrode 123 ferner eine Erweiterungseinheit 123c aufweisen, die sich aus der zweiten Verbindungseinheit 123b so erstreckt, dass sie mit dem zweiten Ladetransistor TC2 elektrisch verbunden ist, was nachstehend unter Bezugnahme auf 7A bis 7C beschrieben ist.
  • In dem Emissionsbereich EA eines Unterpixels SP sind sowohl die erste Teilelektrode 121 als auch die zweite Teilelektrode 123 angeordnet. Insbesondere sind, wie es in 6A gezeigt ist, die erste Teilelektrode 121 und die zweite Teilelektrode 123 in dem Emissionsbereich EA übereinander bzw. untereinander angeordnet. Jedoch sind die Positionen der ersten Teilelektrode 121 und der zweiten Teilelektrode 123 nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 sind aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet. Daher kann Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 durchlaufen, so dass es leicht emittiert wird. Die erste Berührungselektrode TE1 und die zweite Berührungselektrode TE2 können durch ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO) wie etwa Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) oder Indium-Zink-Zinn-Oxid (ITZO) oder einen transparenten Oxidhalbleiter wie Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Indium-Gallium-Oxid (IGO) oder Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO) ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Auch wenn dies nicht dargestellt ist, kann indes eine Pufferschicht zwischen dem Substrat 110 und den Berührungselektroden TE1 und TE2 angeordnet sein. Die Pufferschicht kann das Eindringen von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen durch das Substrat 110 verringern. Die Pufferschicht kann durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Siliciumoxid SiOx oder Siliciumnitrid SiNx ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Ferner kann die Pufferschicht je nach Typ des Substrats 110 oder Typ des Transistors weggelassen werden, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf die 6B und 6C ist eine erste Isolierschicht 111 auf den Berührungselektroden TE1 und TE2 angeordnet. Die erste Isolierschicht 111 ist eine Schicht zum Isolieren von Komponenten, die über und unter der ersten Isolierschicht 111 angeordnet sind, und kann aus einem Isoliermaterial ausgebildet sein. Beispielsweise kann die erste Isolierschicht 111 durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Siliciumoxid SiOx oder Siliciumnitrid SiNx ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf die 6A bis 6C sind mehrere Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, mehrere Datenleitungen DL, mehrere Referenzleitungen RL und eine Lichtabschirmschicht LS auf der ersten Isolierschicht 111 angeordnet.
  • Die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Referenzleitungen RL und die Lichtabschirmschicht LS sind auf der gleichen Schicht wie die erste Isolierschicht 111 angeordnet und aus dem gleichen leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise können die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Referenzleitungen RL und die Lichtabschirmschicht LS aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD sind Verdrahtungsleitungen, die das Hochpotential-Leistungssignal zu jedem der mehreren Unterpixel SP übertragen. Die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD erstrecken sich in der zweiten Richtung zwischen den mehreren Unterpixeln SP. Zwei Unterpixel SP, die in der ersten Richtung benachbart sind, können sich eine Hochpotential-Leistungsleitung VDD unter den mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD teilen. Beispielsweise ist eine Hochpotential-Leistungsleitung VDD auf einer linken Seite des roten Unterpixels SPR angeordnet, um eine Hochpotential-Leistungsspannung an den ersten Transistor TR1 jeweils des roten Unterpixels SPR und des weißen Unterpixels SPW zu liefern. Die andere Hochpotential-Leistungsleitung VDD ist auf einer rechten Seite des grünen Unterpixels SPG angeordnet, um eine Hochpotential-Leistungsspannung an den ersten Transistor TR1 jeweils des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG zu liefern.
  • Die mehreren Datenleitungen DL erstrecken sich zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der zweiten Richtung, um eine Datenspannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP zu übertragen. Die mehreren Datenleitungen DL umfassen eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine dritte Datenleitung DL3 und eine vierte Datenleitung DL4. Die erste Datenleitung DL1 ist zwischen dem roten Unterpixel SPR und dem weißen Unterpixel SPW angeordnet, um eine Datenspannung an den zweiten Transistor TR2 des roten Unterpixels SPR zu übertragen. Die zweite Datenleitung DL2 ist zwischen der ersten Datenleitung DL1 und dem weißen Unterpixel SPW angeordnet, um die Datenspannung an den zweiten Transistor TR2 des weißen Unterpixels SPW zu übertragen. Die dritte Datenleitung DL3 ist zwischen dem blauen Unterpixel SPB und dem grünen Unterpixel SPG angeordnet, um eine Datenspannung an den zweiten Transistor TR2 des blauen Unterpixels SPB zu übertragen. Die vierte Datenleitung DL4 ist zwischen der dritten Datenleitung DL3 und dem grünen Unterpixel SPG angeordnet, um die Datenspannung an den zweiten Transistor TR2 des grünen Unterpixels SPG zu übertragen.
  • Die mehreren Referenzleitungen RL erstrecken sich zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der zweiten Richtung, um die Referenzspannung Vref zu jedem der mehreren Unterpixel SP zu übertragen. Die mehreren Unterpixel SP, die ein Pixel bilden, können sich eine Referenzleitung RL teilen. Beispielsweise ist eine Referenzleitung RL zwischen dem weißen Unterpixel SPW und dem blauen Unterpixel SPB angeordnet, um die Referenzspannung Vref zu einem dritten Transistor TR3 jeweils des roten Unterpixels SPR, des weißen Unterpixels SPW, des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG zu übertragen.
  • Die Lichtabschirmschicht LS ist so angeordnet, dass sie die erste aktive Schicht ACT1 zumindest des ersten Transistors TR1 unter den mehreren Transistoren TR1, TR2 und TR3 überlappt, um auf die erste aktive Schicht ACT1 einfallendes Licht abzuschirmen. Wenn Licht auf die erste aktive Schicht ACT1 eingestrahlt wird, wird ein Leckstrom erzeugt, so dass die Zuverlässigkeit des ersten Transistors TR1, der ein Ansteuertransistor ist, verschlechtert werden kann. Wenn zu diesem Zeitpunkt die Lichtabschirmschicht LS aus einem undurchsichtigen leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon so angeordnet ist, dass sie die erste aktive Schicht ACT1 überlappt, kann Licht, das von dem unteren Abschnitt des Substrats 110 auf die erste aktive Schicht ACT1 einfällt, abgeschirmt oder zumindest reduziert werden. Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit des ersten Transistors TR1 verbessert werden. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt und die Lichtabschirmschicht LS kann so angeordnet sein, dass sie die zweite aktive Schicht ACT2 des zweiten Transistors TR2 und die dritte aktive Schicht ACT3 des dritten Transistors TR3 überlappt.
  • Obwohl in der Zeichnung dargestellt ist, dass die Lichtabschirmschicht LS eine Einzelschicht ist, kann die Lichtabschirmschicht LS als mehrere Schichten ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Lichtabschirmschicht LS aus mehreren Schichten ausgebildet sein, die so angeordnet sind, dass sie einander mit mindestens einer der ersten Isolierschicht 111, einer zweiten Isolierschicht 112, einer Gate-Isolierschicht 113 und einer Passivierungsschicht 114 dazwischen überlappen.
  • Die zweite Isolierschicht 112 ist auf den mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, den mehreren Datenleitungen DL, den mehreren Referenzleitungen RL und der Lichtabschirmschicht LS angeordnet. Die zweite Isolierschicht 112 ist eine Schicht zum Isolieren von Komponenten, die über und unter der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet sind, und kann aus einem Isoliermaterial ausgebildet sein. Beispielsweise kann die zweite Isolierschicht 112 durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Siliciumoxid SiOx oder Siliciumnitrid SiNx konfiguriert sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf die 6A bis 6C sind in jedem der mehreren Unterpixel SP der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2, der dritte Transistor TR3 und der Speicherkondensator SC auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet.
  • Zunächst umfasst der erste Transistor TR1 eine erste aktive Schicht ACT1, eine erste Gate-Elektrode GE1, eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1.
  • Die erste aktive Schicht ACT1 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die erste aktive Schicht ACT1 kann aus einem Halbleitermaterial wie etwa einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die erste aktive Schicht ACT1 beispielsweise aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet ist, wird die erste aktive Schicht ACT1 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich ausgebildet und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können leitfähige Bereiche sein, sind nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 113 ist auf der ersten aktiven Schicht ACT1 angeordnet. Die Gate-Isolierschicht 113 ist eine Schicht zum elektrischen Isolieren der ersten Gate-Elektrode GE1 von der ersten aktiven Schicht ACT1 und kann aus einem Isoliermaterial ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Gate-Isolierschicht 113 durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Siliciumoxid SiOx oder Siliciumnitrid SiNx ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Gate-Elektrode GE1 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 so angeordnet, dass sie die erste aktive Schicht ACT1 überlappt. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein. ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1, die voneinander beabstandet sind, sind auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet. Die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 können mit der ersten aktiven Schicht ACT1 durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 können auf der gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode GE1 so angeordnet sein, dass sie aus dem gleichen leitfähigen Material ausgebildet sind, sind aber nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Drain-Elektrode DE1 ist mit den Hochpotential-Leistungsleitungen VDD elektrisch verbunden. Beispielsweise können die ersten Drain-Elektroden DE1 des roten Unterpixels SPR und des weißen Unterpixels SPW mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD auf der linken Seite des roten Unterpixels SPR elektrisch verbunden sein. Die ersten Drain-Elektroden DE1 des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG können mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD auf der rechten Seite des grünen Unterpixels SPR elektrisch verbunden sein.
  • Dabei kann ferner eine Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa angeordnet sein, um die erste Drain-Elektrode DE1 mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD elektrisch zu verbinden. Ein Ende der Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa ist mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD elektrisch verbunden und das andere Ende ist mit der ersten Drain-Elektrode DE1 jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch verbunden. Wenn beispielsweise die Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht wie die erste Drain-Elektrode DE1 ausgebildet ist, ist ein Ende der Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa über ein Kontaktloch, das in der Gate-Isolierschicht 113 und der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildet ist, mit der Hochpotential-Leistungsleitung VDD elektrisch verbunden. Das andere Ende der Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa erstreckt sich zu der ersten Drain-Elektrode DE1, so dass es einstückig mit der ersten Drain-Elektrode DE1 ausgebildet ist.
  • Dabei können die erste Drain-Elektrode DE1 des roten Unterpixels SPR und die erste Drain-Elektrode DE1 des weißen Unterpixels SPW, die mit den gleichen Hochpotential-Leistungsleitungen VDD elektrisch verbunden sind, mit der gleichen Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa verbunden sein. Die erste Drain-Elektrode DE1 des blauen Unterpixels SPB und die erste Drain-Elektrode DE1 des grünen Unterpixels SPG können auch mit der gleichen Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung VDDa verbunden sein. Jedoch können die erste Drain-Elektrode DE1 und die Hochpotential-Leistungsleitung VDD durch ein anderes Verfahren elektrisch verbunden werden, aber sie sind nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Source-Elektrode SE1 kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 und der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildetes Kontaktloch mit der Lichtabschirmschicht LS elektrisch verbunden sein. Ferner kann ein Teil der ersten aktiven Schicht ACT1, der mit der ersten Source-Elektrode SE1 verbunden ist, durch ein in der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildetes Kontaktloch mit der Lichtabschirmschicht LS elektrisch verbunden sein. Wenn die Lichtabschirmschicht LS schwebend ist, variiert eine Schwellenspannung des ersten Transistors TR1, so dass die Ansteuerung der Anzeigevorrichtung 100 beeinflusst wird. Dementsprechend ist die Lichtabschirmschicht LS mit der ersten Source-Elektrode SE1 elektrisch verbunden, um eine Spannung an die Lichtabschirmschicht LS anzulegen, und sie beeinflusst die Ansteuerung des ersten Transistors TR1 nicht. Obwohl in der vorliegenden Beschreibung beschrieben wurde, dass sowohl die erste aktive Schicht ACT1 als auch die erste Source-Elektrode SE1 in Kontakt mit der Lichtabschirmschicht LS stehen, kann jedoch eine der ersten Source-Elektrode SE1 oder der ersten aktive Schicht ACT1 in direktem Kontakt mit der Lichtabschirmschicht LS stehen. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Obwohl in 6B dargestellt ist, dass die Gate-Isolierschicht 113 auf dem gesamten Substrat 110 ausgebildet ist, kann die Gate-Isolierschicht 113 indes so strukturiert sein, dass sie die erste Gate-Elektrode GE1, die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 überlappt, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Der zweite Transistor TR2 umfasst eine zweite aktive Schicht ACT2, eine zweite Gate-Elektrode GE2, eine zweite Source-Elektrode SE2 und eine zweite Drain-Elektrode DE2.
  • Die zweite aktive Schicht ACT2 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die zweite aktive Schicht ACT2 kann aus einem Halbleitermaterial wie einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die zweite aktive Schicht ACT2 beispielsweise aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet ist, kann die zweite aktive Schicht ACT2 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich ausgebildet sein und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können leitfähige Bereiche sein. sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Source-Elektrode SE2 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die zweite Source-Elektrode SE2 kann einstückig mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 ausgebildet sein, so dass sie elektrisch miteinander verbunden sind. Beispielsweise ist das Halbleitermaterial auf der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildet und ein Teil des Halbleitermaterials wird leitend gemacht, um die zweite Source-Elektrode SE2 zu bilden. Daher kann ein nichtleitender Teil des Halbleitermaterials eine zweite aktive Schicht ACT2 werden und ein leitender Teil wird eine zweite Source-Elektrode SE2. Jedoch werden die zweite aktive Schicht ACT2 und die zweite Source-Elektrode SE2 separat ausgebildet, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Source-Elektrode SE2 ist mit der ersten Gate-Elektrode GE1 des ersten Transistors TR1 elektrisch verbunden. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch mit der zweiten Source-Elektrode SE2 elektrisch verbunden sein. Dementsprechend kann der erste Transistor TR1 durch ein Signal aus dem zweiten Transistor TR2 ein- oder ausgeschaltet werden.
  • Die Gate-Isolierschicht 113 ist auf der zweiten aktiven Schicht ACT2 angeordnet und die zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Drain-Elektrode DE2 und die zweite Gate-Elektrode GE2 sind auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet.
  • Die zweite Gate-Elektrode GE2 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 so angeordnet, dass sie die zweite aktive Schicht ACT2 überlappt. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein und der zweite Transistor TR2 kann basierend auf der Gate-Spannung, die an die zweite Gate-Elektrode GE2 übertragen wird, eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes erstreckt sich die zweite Gate-Elektrode GE2 aus der Gate-Leitung GL. Das heißt, die zweite Gate-Elektrode GE2 ist einstückig mit der Gate-Leitung GL ausgebildet und die zweite Gate-Elektrode GE2 und die Gate-Leitung GL können aus dem gleichen Material ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Gate-Leitung GL aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Leitung GL ist eine Verdrahtungsleitung, die die Gate-Spannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP überträgt und den Schaltungsbereich CA der mehreren Unterpixeln SP schneidet, um sich in der ersten Richtung zu erstrecken. Die Gate-Leitung GL erstreckt sich in der ersten Richtung, so dass sie die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Referenzleitungen RL schneidet, die sich in der zweiten Richtung erstrecken.
  • Die zweite Drain-Elektrode DE2 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet. Die zweite Drain-Elektrode DE2 ist mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 durch ein in der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden und mit einer der mehreren Datenleitungen DL durch ein Kontaktloch, das in der Gate-Isolierschicht 113 und der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildet ist, elektrisch verbunden. Beispielsweise ist die zweite Drain-Elektrode DE2 des roten Unterpixels SPR mit der ersten Datenleitung DL1 elektrisch verbunden und die zweite Drain-Elektrode DE2 des weißen Unterpixels SPW mit der zweiten Datenleitung DL2 elektrisch verbunden. Beispielsweise ist die zweite Drain-Elektrode DE2 des blauen Unterpixels SPB mit der dritten Datenleitung DL3 elektrisch verbunden und die zweite Drain-Elektrode DE2 des grünen Unterpixels SPG mit der vierten Datenleitung DL4 elektrisch verbunden. Die zweite Drain-Elektrode DE2 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Der dritte Transistor TR3 umfasst eine dritte aktive Schicht ACT3, eine dritte Gate-Elektrode GE3, eine dritte Source-Elektrode SE3 und eine dritte Drain-Elektrode DE3.
  • Die dritte aktive Schicht ACT3 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die dritte aktive Schicht ACT3 kann aus einem Halbleitermaterial wie einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die dritte aktive Schicht ACT3 beispielsweise aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet ist, ist die dritte aktive Schicht ACT3 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich ausgebildet und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können leitfähige Bereiche sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 113 ist auf der dritten aktiven Schicht ACT3 angeordnet und die dritte Gate-Elektrode GE3, die dritte Source-Elektrode SE3 und die dritte Drain-Elektrode DE3 sind auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet.
  • Die dritte Gate-Elektrode GE3 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 so angeordnet, dass sie die dritte aktive Schicht ACT3 überlappt. Die dritte Gate-Elektrode GE3 ist mit der Erfassungsleitung SL elektrisch verbunden und der dritte Transistor TR3 kann basierend auf der Erfassungsspannung, die an den dritten Transistor TR3 übertrage wird, ein- oder ausgeschaltet werden. Die dritte Gate-Elektrode GE3 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes erstreckt sich die dritte Gate-Elektrode GE3 aus der Erfassungsleitung SL. Das heißt, die dritte Gate-Elektrode GE3 ist einstückig mit der Erfassungsleitung SL ausgebildet und die dritte Gate-Elektrode GE3 und die Erfassungsleitung SL können aus dem gleichen Material ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Erfassungsleitung SL aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt dazu.
  • Die Erfassungsleitung SL überträgt eine Erfassungsspannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP und erstreckt sich zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der ersten Richtung. Beispielsweise erstreckt sich die Erfassungsleitung SL an einer Grenze zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der ersten Richtung, so dass sie die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Referenzleitungen RL schneidet, die sich in der zweiten Richtung erstrecken.
  • Die dritte Source-Elektrode SE3 kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch mit der dritten aktiven Schicht ACT3 elektrisch verbunden sein. Die dritte Source-Elektrode SE3 kann durch ein leitfähiges Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Ferner kann ein Teil der dritten aktiven Schicht ACT3, der mit der dritten Source-Elektrode SE3 in Kontakt steht, durch ein in der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildetes Kontaktloch mit der Lichtabschirmschicht LS elektrisch verbunden sein. Das heißt, die dritte die Source-Elektrode SE3 kann mit der Lichtabschirmschicht LS elektrisch verbunden sein, wobei die dritte aktive Schicht ACT3 dazwischen liegt. Daher können die dritte Source-Elektrode SE3 und die erste Source-Elektrode SE1 durch die Lichtabschirmschicht LS miteinander elektrisch verbunden sein.
  • Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch mit der dritten aktiven Schicht ACT3 elektrisch verbunden sein. Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die dritte Drain-Elektrode DE3 ist mit der Referenzleitung RL elektrisch verbunden. Beispielsweise können die dritten Drain-Elektroden DES des roten Unterpixels SPR, des weißen Unterpixels SPW, des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG mit derselben Referenzleitung RL elektrisch verbunden sein. Das heißt, die mehreren Unterpixel SP, die ein Pixel bilden, können sich eine Referenzleitung RL teilen.
  • Dabei kann eine Hilfsreferenzleitung RLa angeordnet sein, um die Referenzleitung RL, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, mit den mehreren Unterpixeln SP zu verbinden, die parallel entlang der ersten Richtung angeordnet sind. Die Hilfsreferenzleitung RLa kann auf der gleichen Schicht wie die Gate-Leitung GL, die Erfassungsleitung SL, die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 angeordnet sein. Die Hilfsreferenzleitung RLa erstreckt sich in der ersten Richtung, um die Referenzleitung RL und die dritte Drain-Elektrode DES jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch zu verbinden. Ein Ende der Hilfsreferenzleitung RLa ist durch ein in der zweiten Isolierschicht 112 und der Gate-Isolierschicht 112 ausgebildetes Kontaktloch mit der Referenzleitung RL elektrisch verbunden. Das andere Ende der Hilfsreferenzleitung RLa ist mit der dritten Drain-Elektrode DES jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch verbunden. Beispielsweise kann die Hilfsreferenzleitung RLa einstückig mit der dritten Drain-Elektrode DES jedes der mehreren Unterpixel SP ausgebildet sein. Daher kann die Referenzspannung Vref aus der Referenzleitung RL durch die Hilfsreferenzleitung RLa zu der dritten Drain-Elektrode DE3 übertragen werden. Jedoch kann die Hilfsreferenzleitung RLa getrennt von der dritten Drain-Elektrode DE3 ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Speicherkondensator SC ist in dem Schaltungsbereich der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Der Speicherkondensator SC kann eine Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode GE1 und der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 speichern, um zu ermöglichen, dass die Leuchtdiode ED einen konstanten Zustand kontinuierlich für einen Rahmen beibehält. Der Speicherkondensator SC umfasst eine erste Kondensatorelektrode SC1 und eine zweite Kondensatorelektrode SC2.
  • In jedem der mehreren Unterpixel SP ist die erste Kondensatorelektrode SC1 zwischen der ersten Isolierschicht 111 und der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die erste Kondensatorelektrode SC1 ist einstückig mit der Lichtabschirmschicht LS ausgebildet und über die Lichtabschirmschicht LS mit der ersten Source-Elektrode SE1 elektrisch verbunden.
  • Die zweite Isolierschicht 112 ist auf der ersten Kondensatorelektrode SC1 angeordnet und die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 kann so angeordnet sein, dass sie die erste Kondensatorelektrode SC1 überlappt. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist einstückig mit der zweiten Source-Elektrode SE2 ausgebildet, so dass sie mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden ist. Beispielsweise ist das Halbleitermaterial auf der zweiten Isolierschicht 112 ausgebildet und ein Teil des Halbleitermaterials ist leitend gemacht, um die zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Kondensatorelektrode SC2 zu bilden. Dementsprechend fungiert ein nichtleitender Teil des Halbleitermaterials als eine zweite aktive Schicht ACT2 und der leitende Teil fungiert als eine zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Kondensatorelektrode SC2. Wie es oben beschrieben ist, ist die erste Gate-Elektrode GE1 durch das in der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildete Kontaktloch mit der zweiten Source-Elektrode SE2 elektrisch verbunden. Dementsprechend ist die zweite Kondensatorelektrode SC2 mit der zweiten Source-Elektrode SE2 so einstückig ausgebildet, dass sie mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden ist.
  • Zusammenfassend ist die erste Kondensatorelektrode SC1 des Speicherkondensators SC einstückig mit der Lichtabschirmschicht LS ausgebildet, so dass sie mit der Lichtabschirmschicht LS, der ersten Source-Elektrode SE1 und der dritten Source-Elektrode SE3 elektrisch verbunden ist. Dementsprechend ist die zweite Kondensatorelektrode SC2 einstückig mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der zweiten aktiven Schicht ACT2 ausgebildet, so dass sie mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden ist. Dementsprechend halten die erste Kondensatorelektrode SC1 und die zweite Kondensatorelektrode SC2, die die zweite Isolierschicht 112 zwischen sich überlappen, die Spannung der ersten Gate-Elektrode GE1 und der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 konstant, während die Leuchtdiode ED Licht emittiert. Dadurch wird der konstante Zustand der Leuchtdiode ED aufrechterhalten.
  • Unter Bezugnahme auf die 6A und 6C ist der erste Ladetransistor TC1 auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Der erste Ladetransistor TC1 kann in einem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP, die in der zweiten Richtung benachbart sind, angeordnet sein. Beispielsweise kann der erste Ladetransistor TC1 in einem beliebigen Unterpixel SP in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP, die in der zweiten Richtung benachbart sind, angeordnet sein. Insbesondere ist einer der mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2 in dem Grenzbereich mehrerer Unterpixel SP angeordnet, die in der zweiten Richtung benachbart sind. Indes ist in der vorliegenden Offenbarung beschrieben, dass der erste Ladetransistor TC1 in dem Grenzbereich des roten Unterpixels SPR angeordnet ist, er ist aber nicht darauf beschränkt. Das heißt, der erste Ladetransistor TC1 kann in dem Grenzbereich der benachbarten weißen Unterpixel SPW, dem Grenzbereich der benachbarten blauen Unterpixel SPB oder dem Grenzbereich der benachbarten grünen Unterpixel SPG angeordnet sein.
  • Der erste Ladetransistor TC1 umfasst eine vierte aktive Schicht ACT4, eine vierte Gate-Elektrode GE4, eine vierte Source-Elektrode SE4 und eine vierte Drain-Elektrode DE4.
  • Die vierte aktive Schicht ACT4 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die vierte aktive Schicht ACT4 kann aus einem Halbleitermaterial wie einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die vierte aktive Schicht ACT4 beispielsweise aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet ist, ist die vierte aktive Schicht ACT4 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich ausgebildet und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können leitfähige Bereiche sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 113 ist auf der vierten aktiven Schicht ACT4 angeordnet und die vierte Gate-Elektrode GE4, die vierte Source-Elektrode SE4 und die vierte Drain-Elektrode DE4 sind auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet.
  • Die vierte Gate-Elektrode GE4 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 so angeordnet, dass sie die vierte aktive Schicht ACT4 überlappt. Die vierte Gate-Elektrode GE4 kann mit einer ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 elektrisch verbunden sein. Daher wird der erste Ladetransistor TC1 basierend auf dem ersten Berührungs-Gate-Signal, das an die vierte Gate-Elektrode GE4 übertragen wird, ein- oder ausgeschaltet. Die vierte Gate-Elektrode GE4 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann sich die vierte Gate-Elektrode GE4 aus der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 erstrecken. Das heißt, die vierte Gate-Elektrode GE4 ist einstückig mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 ausgebildet und die vierte Gate-Elektrode GE4 und die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 können aus dem gleichen Material ausgebildet sein. Beispielsweise kann die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist es aber nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 ist eine Verdrahtungsleitung, die die erste Berührungs-Gate-Spannung an jeden der mehreren ersten Ladetransistoren TC1 überträgt. Die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 wird durch den gleichen Prozess aus dem gleichen Material wie die mehreren Gate-Leitungen GL und die mehreren Erfassungsleitungen SL auf der gleichen Schicht ausgebildet. Die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 erstreckt sich in der ersten Richtung und schneidet dabei den Schaltungsbereich CA der mehreren Unterpixel SP. Ferner kann die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP angeordnet sein. Insbesondere kann sich die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1, wie es in 6A gezeigt ist, in der ersten Richtung in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP erstrecken, die in der ersten Richtung benachbart sind. Die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 schneidet die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Referenzleitungen RL, die sich in der zweiten Richtung erstrecken.
  • Indes ist in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP nicht nur die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1, sondern auch die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 angeordnet. Die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 erstreckt sich in der ersten Richtung in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP, die in der zweiten Richtung benachbart sind. Dabei sind die ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und die zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 abwechselnd eine nach der anderen an der Grenze der mehreren Unterpixel SP angeordnet.
  • Die vierte Source-Elektrode SE4 kann mit der vierten aktiven Schicht ACT4 durch ein Kontaktloch, das auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildet ist, elektrisch verbunden sein. Die vierte Source-Elektrode SE4 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die vierte Source-Elektrode TE4 ist mit der ersten Berührungselektrode TE1 elektrisch verbunden. Beispielsweise ist die vierte Source-Elektrode SE4 mit der ersten Hauptelektrodeneinheit 121a der ersten Teilelektrode 121 elektrisch verbunden. Das heißt, die vierte Source-Elektrode SE4 ist mit der ersten Hauptelektrodeneinheit 121a durch das in der ersten Isolierschicht 111, der zweiten Isolierschicht 112 und der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildete Kontaktloch elektrisch verbunden. Daher kann die erste Berührungsspannung V+, die dem ersten Ladetransistor TC1 zugeführt wird, in die erste Berührungselektrode TE1 geladen werden. Indes wurde in der vorliegenden Offenbarung beschrieben, dass die vierte Source-Elektrode SE4 mit der ersten Hauptelektrodeneinheit 121a der ersten Teilelektrode 121 verbunden ist, aber nicht darauf beschränkt ist.
  • Die vierte Drain-Elektrode DE4 kann mit der vierten aktiven Schicht ACT4 durch ein Kontaktloch, das auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildet ist, elektrisch verbunden sein. Die vierte Drain-Elektrode DE4 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die vierte Drain-Elektrode DE4 ist mit der Referenzleitung RL elektrisch verbunden. Insbesondere ist die vierte Drain-Elektrode DE4 mit der Hilfsreferenzleitung RLa elektrisch verbunden. Insbesondere erstreckt sich die vierte Drain-Elektrode DE4, wie es in 6A gezeigt ist, aus der dritten Drain-Elektrode DE3 des roten Unterpixels SPR. Daher kann die vierte Drain-Elektrode DE4 einstückig mit der Hilfsreferenzleitung RLa und der dritten Drain-Elektrode DE3 des roten Unterpixels SPR ausgebildet sein. Daher kann die aus der Referenzleitung RL zugeführte erste Berührungsspannung V+ durch die Hilfsreferenzleitung RLa zu der vierten Drain-Elektrode DE4 übertragen werden.
  • Obwohl dies in 6A bis 6C nicht gezeigt ist, können der erste Erfassungstransistor TS1 und der erste Ladetransistor TC1 die gleiche Struktur haben. Das heißt, alle der mehreren Transistoren für Berührung TC1 und TS1, die mit der ersten Berührungselektrode TE1 verbunden sind, können die gleiche Struktur haben. Jedoch kann der erste Erfassungstransistor TS1 mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 statt mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden sein. Insbesondere ist die sechste Gate-Elektrode des ersten Erfassungstransistors TS1 mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden und die sechste Drain-Elektrode ist mit einer der mehreren ersten Hauptelektrodeneinheiten 121a der ersten Teilelektrode 121 verbunden und die sechste Source-Elektrode ist mit einer der mehreren Referenzleitungen RL verbunden.
  • Die Passivierungsschicht 114 ist auf dem ersten Transistor TR1, dem zweiten Transistor TR2, dem dritten Transistor TR3, dem Speicherkondensator SC und dem ersten Ladetransistor TC1 angeordnet. Die Passivierungsschicht 114 ist eine Isolierschicht zum Schützen von Komponenten unter der Passivierungsschicht 114. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht 114 durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Siliciumoxid SiOx oder Siliciumnitrid SiNx ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Ferner kann die Passivierungsschicht 114 je nach Ausführungsbeispiel weggelassen werden.
  • Mehrere Farbfilter CF können in dem Emissionsbereich jedes der mehreren Unterpixel SP auf der Passivierungsschicht 114 angeordnet sein. Wie es oben beschrieben ist, ist die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Typ mit Emission nach unten, bei dem aus der Leuchtdiode ED emittiertes Licht auf den unteren Abschnitt der Leuchtdiode ED und das Substrat 110 gerichtet ist. Daher können die mehreren Farbfilter CF unter der Leuchtdioden ED angeordnet sein. Das heißt, die mehreren Farbfilter CF können zwischen der Leuchtdiode ED und den mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 angeordnet sein. Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, tritt durch die mehreren Farbfilter CF und wird als verschiedene Lichtfarben implementiert. Indes ist kein separater Farbfilter CF in dem weißen Unterpixel SPW angeordnet und Licht, das von der Leuchtdiode DE emittiert wird, wird so emittiert, wie es ist.
  • Die mehreren Farbfilter CF können einen roten Farbfilter, einen blauen Farbfilter und einen grünen Farbfilter umfassen. Der rote Farbfilter ist in einem Emissionsbereich EA eines roten Unterpixels SPR der mehreren Unterpixel SP angeordnet, der blaue Farbfilter ist in einem Emissionsbereich EA des blauen Unterpixels SPB angeordnet und der grüne Farbfilter ist in einem Emissionsbereich EA des grünen Unterpixels SPG angeordnet.
  • Die Planarisierungsschicht 115 ist auf der Passivierungsschicht 114 und den mehreren Farbfiltern CF angeordnet. Die Planarisierungsschicht 115 ist eine Isolierschicht, die einen oberen Abschnitt des Substrats 110 einebnet, auf dem der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2, der dritte Transistor TR3, der Speicherkondensator SC, der erste Ladetransistor TC1, die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Referenzleitungen RL, die mehreren Gate-Leitungen GL, die mehreren Erfassungsleitungen SL und die mehreren Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und TG2 angeordnet sind. Die Planarisierungsschicht 115 kann aus einem organischen Material ausgebildet sein und kann beispielsweise durch eine Einzelschicht oder eine Doppelschicht aus Polyimid oder Photoacryl ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Leuchtdiode ED ist in einem Emissionsbereich EA jedes der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Leuchtdiode ED ist auf der Planarisierungsschicht 115 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Leuchtdiode ED umfasst eine Anode AN, eine Emissionsschicht EL und eine Kathode CA.
  • Die Anode AN ist auf der Planarisierungsschicht 115 in dem Emissionsbereich EA angeordnet. Die Anode AN versieht die Emissionsschicht EL mit Löchern, so dass die Anode aus einem leitfähigen Material mit einer hohen Austrittsarbeit ausgebildet sein kann. Beispielsweise kann die Anode AN aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO) ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes erstreckt sich die Anode AN in Richtung des Schaltungsbereichs CA. Ein Teil der Anode AN erstreckt sich von dem Emissionsbereich EA zu der ersten Source-Elektrode SE1 des Schaltungsbereichs CA und ist durch ein in der Planarisierungsschicht 115 und der Passivierungsschicht 114 ausgebildetes Kontaktloch mit der ersten Source-Elektrode SE1 elektrisch verbunden. Dementsprechend erstreckt sich die Anode AN der Leuchtdiode ED so zu dem Schaltungsbereich CA, dass sie mit der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 und der zweiten Kondensatorelektrode SC2 des Speicherkondensators SC elektrisch verbunden ist.
  • In dem Emissionsbereich EA und dem Schaltungsbereich CA ist die Emissionsschicht EL auf der Anode AN angeordnet. Die Emissionsschicht EL kann als eine Schicht über den mehreren Unterpixeln SP ausgebildet werden. Das heißt, die Emissionsschichten EL der mehreren Unterpixel SP sind miteinander so verbunden, dass sie einstückig ausgebildet sind. Die Emissionsschicht EL kann durch eine Emissionsschicht ausgebildet sein oder kann eine Struktur haben, in der mehrere Emissionsschichten, die unterschiedliches Farblicht emittieren, laminiert sind. Die Emissionsschicht EL kann ferner eine organische Schicht wie etwa eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen.
  • In dem Emissionsbereich EA und dem Schaltungsbereich CA ist die Kathode CT auf der Emissionsschicht EL angeordnet. Die Kathode CT liefert Elektronen an die Emissionsschicht EL, so dass die Kathode aus einem leitfähigen Material mit einer niedrigen Austrittsarbeit ausgebildet sein kann. Die Kathode CT kann als eine Schicht über den mehreren Unterpixeln SP ausgebildet sein. Das heißt, die Kathoden CT der mehreren Unterpixel SP sind so verbunden, dass sie einstückig ausgebildet sind. Beispielsweise kann die Kathode CT aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO) oder einer Ytterbium-Legierung (Yb-Legierung) ausgebildet sein und kann ferner eine Metalldotierungsschicht aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt. Obwohl dies in 4 und 5 nicht gezeigt ist, ist die Kathode CT der Leuchtdiode ED mit der Niederpotential-Leistungsleitung VSS elektrisch verbunden, so dass sie mit einer Niederpotential-Leistungsspannung versorgt wird.
  • Die Bank 116 ist zwischen der Anode AN und der Emissionsschicht EL angeordnet. Die Bank 116 ist so angeordnet, dass sie den aktiven Bereich AA überlappt und den Rand der Anode AN bedeckt. Die Bank 116 ist an der Grenze zwischen den Unterpixeln SP angeordnet, die benachbart zueinander sind, um die Mischung von Licht zu reduzieren, das von der Leuchtdiode ED jedes der mehreren Unterpixel SP emittiert wird. Beispielsweise kann die Bank 116 aus einem Isoliermaterial wie etwa Polyimid, Acryl oder Benzocyclobuten-Harz (BCB-Harz) ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • 7A ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Abschnitt C von 4 gemäß einer Ausführungsform. 7B zeigt eine Berührungselektrode in 7A gemäß einer Ausführungsform ohne die anderen Komponenten der Anzeigevorrichtung. 7C ist eine Querschnittsansicht entlang VIIc-VIIc' von 7A gemäß einer Ausführungsform. 7A bis 7C zeigen einen Bereich, in dem der zweite Ladetransistor TC2 angeordnet ist. Daher wird die Beschreibung für die gleichen Teile wie in 6A bis 6C weggelassen.
  • Unter Bezugnahme auf 7A bis 7C ist der zweite Ladetransistor TC2 auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Der zweite Ladetransistor TC2 kann in einem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP angeordnet sein, die in der zweiten Richtung benachbart sind. Beispielsweise kann der zweite Ladetransistor TC2 in einem beliebigen Unterpixel SP in dem Grenzbereich der mehreren Unterpixel SP angeordnet sein, die in der zweiten Richtung benachbart sind. Indes ist in der vorliegenden Offenbarung beschrieben, dass der zweite Ladetransistor TC2 in dem Grenzbereich des roten Unterpixels SPR angeordnet ist, er ist aber nicht darauf beschränkt. Das heißt, der zweite Ladetransistor TC2 kann in dem Grenzbereich der benachbarten weißen Unterpixel SPW, dem Grenzbereich der benachbarten blauen Unterpixel SPB oder dem Grenzbereich der benachbarten grünen Unterpixel SPG angeordnet sein.
  • Der zweite Ladetransistor TC2 umfasst eine fünfte aktive Schicht ACT5, eine fünfte Gate-Elektrode GE5, eine fünfte Source-Elektrode SE5 und eine fünfte Drain-Elektrode DE5.
  • Die fünfte aktive Schicht ACT5 ist auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die fünfte aktive Schicht ACTS kann aus einem Halbleitermaterial wie einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die fünfte aktive Schicht ACTS beispielsweise aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet ist, ist die fünfte aktive Schicht ACTS durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich ausgebildet und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können leitfähige Bereiche sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 113 ist auf der fünften aktiven Schicht ACT5 angeordnet und die fünfte Gate-Elektrode GE5, die fünfte Source-Elektrode SE5 und die fünfte Drain-Elektrode DES sind auf der Gate-Isolierschicht 113 angeordnet.
  • Die fünfte Gate-Elektrode GE5 ist auf der Gate-Isolierschicht 113 so angeordnet, dass sie die fünfte aktive Schicht ACT5 überlappt. Die fünfte Gate-Elektrode GE5 kann mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 elektrisch verbunden sein. Daher wird der zweite Ladetransistor TC2 basierend auf dem ersten Berührungs-Gate-Signal, das an die fünfte Gate-Elektrode GE5 übertragen wird, ein- oder ausgeschaltet. Die fünfte Gate-Elektrode GE5 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann sich die fünfte Gate-Elektrode GE5 aus der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 erstrecken. Das heißt, die fünfte Gate-Elektrode GE5 ist einstückig mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 ausgebildet und die fünfte Gate-Elektrode GE5 und die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 können aus dem gleichen Material ausgebildet sein. Beispielsweise kann die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist es aber nicht darauf beschränkt.
  • Die fünfte Source-Elektrode SE5 kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch mit der fünften aktiven Schicht ACTS elektrisch verbunden sein. Die fünfte Source-Elektrode SE5 kann aus einem leitfähigem Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die fünfte Source-Elektrode SE5 ist mit der zweiten Berührungselektrode TE2 elektrisch verbunden. Beispielsweise ist die fünfte Source-Elektrode SE5 mit der Erweiterungseinheit 123c der zweiten Teilelektrode 123 elektrisch verbunden. Hier kann die Erweiterungseinheit 123c ein Bereich sein, der sich aus der zweiten Verbindungseinheit 123b der zweiten Teilelektrode 123 erstreckt. Insbesondere ist, wie es in 7A und 7B dargestellt ist, die zweite Verbindungseinheit 123b auf der linken Seite von der zweiten Hauptelektrodeneinheit 123a gebildet, die in dem roten Unterpixel SPR angeordnet ist, und die Erweiterungseinheit 123c ist von der zweiten Verbindungseinheit 123b nach unten ausgebildet. Die Erweiterungseinheit 123c erstreckt sich von der zweiten Verbindungseinheit 123b zu dem Grenzabschnitt des benachbarten roten Unterpixels SPR in der zweiten Richtung. Die Erweiterungseinheit 123c ist durch das Kontaktloch, das in der ersten Isolierschicht 111, der zweiten Isolierschicht 112 und der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildet ist, mit der fünften Source-Elektrode SE5 elektrisch verbunden. Das heißt, ein Ende der Erweiterungseinheit 123c ist einstückig mit der zweiten Verbindungseinheit 123b ausgebildet und das andere Ende ist mit der fünften Source-Elektrode SE5 verbunden. Daher kann die zweite Berührungsspannung V-, die dem zweiten Ladetransistor TC2 geliefert wird, in die zweite Berührungselektrode TE2 geladen werden. Indes wurde in der vorliegenden Offenbarung beschrieben, dass die fünfte Source-Elektrode SE5 mit der Erweiterungseinheit 123c der zweiten Teilelektrode 123 verbunden ist, sie ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die fünfte Drain-Elektrode DES kann durch ein auf der Gate-Isolierschicht 113 ausgebildetes Kontaktloch mit der fünften aktiven Schicht ACTS elektrisch verbunden sein. Die fünfte Drain-Elektrode DES kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die fünfte Drain-Elektrode DES ist mit der Referenzleitung RL elektrisch verbunden. Insbesondere ist die fünfte Drain-Elektrode DES mit der Hilfsreferenzleitung RLa elektrisch verbunden. Insbesondere erstreckt sich, wie es in 7A gezeigt ist, die fünfte Drain-Elektrode DES aus der dritten Drain-Elektrode DE3 des roten Unterpixels SPR. Daher kann die fünfte Drain-Elektrode DES einstückig mit der Hilfsreferenzleitung RLa und der dritten Drain-Elektrode DE3 des roten Unterpixels SPR ausgebildet sein. Hier kann sich die mit der fünften Drain-Elektrode DES des zweiten Ladetransistors TC2 verbundene Referenzleitung RL von der mit der vierten Drain-Elektrode DE4 des ersten Ladetransistors TC1 verbundenen Referenzleitung RL unterscheiden. Daher kann die von der Referenzleitung RL gelieferte zweite Berührungsspannung V- durch die Hilfsreferenzleitung RLa zu der fünften Drain-Elektrode DES übertragen werden.
  • Obwohl des in 7A bis 7C nicht gezeigt ist, können der zweite Erfassungstransistor TS2 und der zweite Ladetransistor TC2 die gleiche Struktur haben. Das heißt, alle der mehreren Transistoren TC2 und TS2 zum Erfassen von Berührungen, die mit der zweiten Berührungselektrode TE2 verbunden sind, können die gleiche Struktur haben. Jedoch kann der zweite Erfassungstransistor TS2 mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 statt mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden sein. Insbesondere ist eine siebte Gate-Elektrode des zweiten Erfassungstransistors TS2 mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden und eine siebte Drain-Elektrode ist mit einer der Erweiterungseinheiten 123c der zweiten Teilelektrode 123 verbunden und eine siebte Source-Elektrode ist mit einer der mehreren Referenzleitungen RL verbunden.
  • 8 ist eine Ansicht zum Erläutern eines Berührungserfassungsverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Unter Bezugnahme auf 8 werden, wenn ein bestimmter Berührungselektrodenblock der Anzeigevorrichtung 100 berührt wird, verschiedene Kapazitäten Cf1, Cf2, Cm1, Cm2, Cp1, Cp2 zwischen dem Finger, der ersten Berührungselektrode TE1, der zweiten Berührungselektrode TE2 und der Kathode CT erzeugt. Hier ist Cf1 eine Kapazität zwischen dem Finger und der ersten Berührungselektrode TE1, Cf2 ist eine Kapazität zwischen dem Finger und der zweiten Berührungselektrode TE2 und Cm1 ist eine Kapazität zwischen der ersten Berührungselektrode TE1, die dem Finger entspricht, und der zweiten Berührungselektrode TE2. Ferner ist Cm2 eine Kapazität zwischen der ersten Berührungselektrode TE1 und der zweiten Berührungselektrode TE2, die zu der ersten Berührungselektrode TE1 benachbart sind, und der zweiten Berührungselektrode TE2, die dem Finger entspricht. Cp1 ist eine Parasitärkapazität zwischen den mehreren ersten Berührungselektroden TE1 und der Kathode CT und Cp2 ist eine Parasitärkapazität zwischen den mehreren zweiten Berührungselektroden TE2 und der Kathode CT. Obwohl hier dargestellt ist, dass Cp1 und Cp2 Parasitärkapazitäten zwischen den Berührungselektroden TE1 und TE2 und der Kathode CT sind, können sich Cp1 und Cp2 auf eine Gesamtheit der Parasitärkapazitäten zwischen anderen Elektroden oder Verdrahtungsleitungen, die zwischen den Berührungselektroden TE1 und TE2 angeordnet sind, und der Kathode CT und den Berührungselektroden TE1 und TE2 beziehen. In 8 ist zur Vereinfachung der Beschreibung nur die Kathode CT als eine Komponente dargestellt, die die Parasitärkapazität erzeugt.
  • Wenn der Anwender die Anzeigevorrichtung mit einem Finger berührt, können eine Menge elektrischer Ladungen, die in der ersten Berührungselektrode TE1 entsprechend dem Finger ausgebildet werden, und eine Menge elektrischer Ladungen, die in der zweiten Berührungselektrode TE2 ausgebildet werden, wie folgt dargestellt werden. Q ( TE 1 ) = C f1 V + + C m1 ( V + − V − ) + C p1 V +
    Figure DE102022129309A1_0001
     Q ( TE 2 ) = C m2 ( V − − V + ) + C p2 V
    Figure DE102022129309A1_0002
  • Hier bezeichnen V+ und V- eine erste Berührungsspannung V+, die in die erste Berührungselektrode TE1 durch die erste Referenzleitung RL1 geladen wird, bzw. eine zweite Berührungsspannung V-, die in die zweite Berührungselektrode TE2 durch die zweite Referenzleitung RL2 geladen wird.
  • Ferner kann eine Gesamtmenge erfasster elektrischer Ladungen, die eine Summe Q(TE1)+Q(TE2) einer Menge elektrischer Ladungen ist, die durch die dritten Referenzleitungen RL3-1 und RL3-4 erfasst werden, wie folgt dargestellt werden. Q ( RO ) = C f1 V + + C p1 V + + C p2 V − + ( C m1 − C m2 ) ( V + − V − )
    Figure DE102022129309A1_0003
  • Wenn hier für die Gleichungsnäherung die erste Berührungsspannung V+ und die zweite Berührungsspannung V- gleichgesetzt sind und die Anzeigevorrichtung 100 mit einer Beziehung von „Cp1 = Cp2“ ausgelegt ist, ist eine Gesamtmenge von erfassten elektrischen Ladungen, die letztlich erfasst werden, wie folgt. Q ( RO ) = ( C f1 − Δ C m ) V + ( ∵ Δ C m1 = C m + Δ C m ,C m2 = C m )
    Figure DE102022129309A1_0004
  • Im Ergebnis kann in Gleichung 3 der Einfluss durch die Parasitärkapazität beseitigt werden. Dementsprechend wird ungeachtet der Größe der parasitären Kapazität nur die in den Berührungselektroden TE1 und TE2 gebildete Kapazität erfasst.
  • Im Allgemeinen verwendet eine Berührungstechnik, die für die Anzeigevorrichtung verwendet wird, eine Zusatzfilm-Weise oder eine Berührung-auf-Verkapselung-Weise, bei der die Berührungsstruktur auf einer Verkapselungseinheit ausgebildet wird. Bei der Zusatzfilm-Weise ist die Berührungstafel oberhalb des Films ausgebildet, so dass ein separater Material- und Bearbeitungsaufwand verursacht wird. Ferner ist das Berührungsmuster auf dem Film ausgebildet, so dass die Lichtdurchlässigkeit und die Auflösung der Anzeigevorrichtung verschlechtert werden. Im Fall der Berührung-auf-Verkapselung-Weise bestehen Nachteile insofern, als zum Bilden der Berührungselektrode mindestens vier Fotomaskenlagen erforderlich sind und eine separate Ausrüstung zum Herstellen der Maske erforderlich ist.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Anzeigevorrichtung 100 vom Typ mit zelleninterner Berührung. Das heißt, eine Struktur zum Implementieren der Berührung wird nicht separat ausgebildet, sondern kann zusammen mit den anderen Komponenten durch einen kontinuierlichen Prozess in der Anzeigevorrichtung 100 ausgebildet werden.
  • Insbesondere sind die Berührungselektroden TE1 und TE2 aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet, um zwischen dem Substrat 110 und der Leuchtdiode ED angeordnet zu werden. Daher kann Licht, das von der Leuchtdiode ED emittiert wird, die transparenten Berührungselektroden TE1 und TE2 durchlaufen, so dass es leicht emittiert wird. Die mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1 und TS2, die mit den mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 elektrisch verbunden sind, können gleichzeitig mit den mehreren Transistoren TR1, TR2, TR3 in dem Unterpixel SP durch den gleichen Prozess ausgebildet werden. Mehrere Berührungs-Gate-Leitungen TG1 und TG2 zum Ansteuern der mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 können gleichzeitig mit den mehreren Gate-Leitungen GL und den mehreren Erfassungsleitungen SL durch den gleichen Prozess ausgebildet werden. Die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 tauschen Signale für Berührung durch eine Referenzleitung RL aus, die die Referenzspannung Vref an die mehreren Unterpixel SP überträgt.
  • Daher implementiert die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Anzeigevorrichtung 100 mit einer zelleninternen Berührungsstruktur lediglich durch Hinzufügen der Maske zum Ausbilden der Berührungselektroden TE1 und TE2. Dementsprechend besteht ein Vorteil darin, dass die Berührungsstruktur durch einen einfachen Prozess mit minimalen Kosten implementiert werden kann.
  • Ferner kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ungeachtet der Größe der Menge an elektrischen Ladungen, die durch die Parasitärkapazität erzeugt werden, nur die Menge an elektrischen Ladungen, die in den Berührungselektroden TE1 und TE2 gebildet werden, erfasst werden. Daher kann die Genauigkeit der Berührungserfassung verbessert werden. Um die Parasitärkapazität zu verringern, ist es ferner nicht erforderlich, die Planarisierungsschicht zwischen den Berührungselektroden TE1 und TE2 und den anderen Komponenten anzuordnen, so dass der Prozess vereinfacht und Kosten eingespart werden können.
  • Ferner kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Parasitärkapazität durch die Berührungselektroden TE1 und TE2 ignoriert werden und die an die Berührungselektroden TE1 und TE2 angelegte durchschnittliche Spannung kann konstant aufrechterhalten werden. Daher kann der Einfluss auf die Anode AN, die über den Berührungselektroden TE1 und TE1 angeordnet ist, reduziert werden. Das heißt, obwohl sich die Berührungselektroden TE1 und TE2 unterhalb der Anode AN befinden, beeinflusst dies nicht den Strom, der durch die Anode AN fließt. Dementsprechend kann, obwohl die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als die zelleninterne Berührungsstruktur implementiert ist, eine Anzeigeeigenschaft der Anzeigevorrichtung 100 konstant aufrechterhalten werden.
  • 9 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 10 zeigt eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 9 sind zur Vereinfachung der Beschreibung unter verschiedenen Komponenten der Anzeigevorrichtung nur ein Substrat 110, ein Gate-Treiber GD und ein Berührungstreiber TD dargestellt. In 10 sind zur Vereinfachung der Beschreibung, Signale der Gate-Leitungen GL1, GL2, ..., GLm, GLm+1, GLm+2, ..., GL2m und Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB1), TG2(SPB1), TG1(SPB2), TG2 (SPB2) schematisch dargestellt.
  • Zunächst umfasst die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 9 das Substrat 110, den Gate-Treiber GD und den Berührungstreiber TD.
  • Das Substrat 110 weist mehrere Unterpixelblöcke SPB auf. Jeder der mehreren Unterpixelblöcke SPB umfasst einige der mehreren Unterpixel SP. Das heißt, die mehreren Unterpixel SP sind in mehrere Unterpixelblöcke SPB unterteilt. Beispielsweise können die mehreren Unterpixelblöcke SPB einzelne Bereiche sein, die durch Unterteilen des Substrats 110 durch eine virtuelle Linie in der ersten Richtung erhalten werden. Jeder der mehreren Unterpixelblöcke SPB weist die gleiche Anzahl von Unterpixeln SP auf. Das Substrat 110 umfasst insgesamt n Unterpixelblöcke SPB1, SPB2, ..., SPBn. Insbesondere ist ein zweiter Unterpixelblock SPB2 unterhalb des ersten Unterpixelblocks SPB1 und ein dritter Unterpixelblock unterhalb des zweiten Unterpixelblocks angeordnet und auf diese Weise können insgesamt n Unterpixelblöcke SPB1, SPB2, ..., SPBn von einem oberen Abschnitt bis zu einem unteren Abschnitt auf dem Substrat 110 enthalten sein.
  • Jeder der mehreren Unterpixelblöcke SPB umfasst die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2. Insbesondere können die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 so angeordnet sein, dass sie jedem der mehreren Unterpixel SP entsprechen. Jeder der mehreren Unterpixelblöcken SPB umfasst die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2, die das entsprechende Unterpixel SP überlappen.
  • Der Gate-Treiber GD kann mit den mehreren Unterpixeln SP des Substrats 110 durch die mehreren Gate-Leitungen GL elektrisch verbunden sein. Jede der mehreren Gate-Leitungen GL kann mit den mehreren Unterpixeln SP elektrisch verbunden sein, die in der ersten Richtung angeordnet sind. Ein Unterpixelblock SPB kann insgesamt m Gate-Leitungen GL1, GL2, ..., GLm, GLm+1, GLm+2, ..., GL2m, ..., GLnm entsprechen. Beispielsweise ist der erste Unterpixelblock SPB1 mit einer ersten Gate-Leitung GL1, einer zweiten Gate-Leitung GL2, ..., einer m-ten Gate-Leitung GLm elektrisch verbunden. Der zweite Unterpixelblock SPB2 kann mit einer m+1-ten Gate-Leitung GLm+1, einer m+2-ten Gate-Leitung GLm+2, ... und einer 2m-ten Gate-Leitung GL2m elektrisch verbunden sein.
  • Der Gate-Treiber GD liefert als Antwort auf das Gate-Steuersignal, das von dem Zeitvorgabe-Controller geliefert wird, sequentiell eine Gate-Leitung an die mehreren Gate-Leitungen GL. Daher können die mehreren zweiten Transistoren TR2, die mit den mehreren Gate-Leitungen GL elektrisch verbunden sind, sequentiell angesteuert werden. Der Gate-Treiber GD umfasst mehrere integrierte Gate-Schaltungen. Jede der mehreren integrierten Gate-Schaltungen umfasst ein Schieberegister, einen Pegelumsetzer und einen Ausgangspuffer. Das Schieberegister erzeugt sequentiell einen Gate-Impuls. Der Pegelumsetzer verschiebt eine Schwingungsweite des Gate-Impulses auf einen vorbestimmten Pegel, um ein Gate-Signal zu erzeugen. Der Ausgangspuffer liefert ein Gate-Signal, das von dem Pegelumsetzer geliefert wird, an die Gate-Leitung GL.
  • Der Gate-Treiber GD ist an dem nichtaktiven Bereich NA des Substrats als ein Chip angebracht oder ist in dem nichtaktiven Bereich NA des Substrats 110 auf die Gate-in-Tafel-Weise montiert. Auch wenn dies nicht dargestellt ist, kann der Zeitvorgabe-Controller zum Liefern des Gate-Steuersignals an den Gate-Treiber GD auf der Leiterplatte 170 angeordnet sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Der Berührungstreiber TD kann in dem Gate-Treiber GD angeordnet sein. Der Berührungstreiber TD kann mit den mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 des Substrats 110 durch die mehreren Berührungs-Gate-Leitungen TG elektrisch verbunden sein. Indes beziehen sich TG(SPB1), TG(SPB2), ..., TG(SPBn) von 9 auf alle Berührungs-Gate-Leitungen TG, die mit den mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2 des entsprechenden Unterpixelblocks SPB verbunden sind. Beispielsweise können die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2, die in dem ersten Unterpixelblock SPB1 angeordnet sind, mit der Berührungs-Gate-Leitung TG(SPB1) elektrisch verbunden sein. Die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2, die in dem zweiten Unterpixelblock SPB2 angeordnet sind, können mit der Berührungs-Gate-Leitung TG(SPB2) elektrisch verbunden sein. Die mehreren Berührungselektroden TE1 und TE2, die in dem n-ten Unterpixelblock SPBn angeordnet sind, können mit der Berührungs-Gate-Leitung TG(SPBn) elektrisch verbunden sein.
  • Obwohl in 9 zur Vereinfachung der Beschreibung dargestellt, dass ein Unterpixelblock SPB und eine Berührungs-Gate-Leitung TG einander entsprechen, sind sie indes nicht darauf beschränkt. Das heißt, mehrere Berührungs-Gate-Leitungen TG, die sich von dem Berührungstreiber TD zu jedem der mehreren Unterpixelblöcke SPB erstrecken, können ausgebildet sein.
  • Der Berührungstreiber TD liefert als Antwort auf das PWM-Signal sequentiell ein Berührungs-Gate-Signal an die mehreren Berührungs-Gate-Leitungen TG. Dementsprechend werden die mehreren Transistoren für Berührung TC1, TC2, TS1, TS2, die mit jeder der mehreren Berührungs-Gate-Leitungen TG elektrisch verbunden sind, sequentiell angesteuert. Hier wird ein PWM-Signal von dem Zeitvorgabe-Controller geliefert, ist aber nicht darauf beschränkt. Der Berührungstreiber TD umfasst mehrere integrierte Berührungsschaltungen. Jede der mehreren integrierten Berührungsschaltungen umfasst ein Schieberegister, einen Pegelumsetzer, einen Ausgangspuffer und einen Invertierer. Das Schieberegister erzeugt sequentiell einen Berührungs-Gate-Impuls. Der Pegelumsetzer verschiebt eine Schwingungsweite des Berührungs-Gate-Impulses auf einen vorbestimmten Pegel, um ein Berührungs-Gate-Signal zu erzeugen. Der Ausgangspuffer liefert ein Berührungs-Gate-Signal, das von dem Pegelumsetzer geliefert wird, an die Berührungs-Gate-Leitung TG. Der Invertierer invertiert das erzeugte Berührungs-Gate-Signal, um ein invertiertes Berührungs-Gate-Signal zu erzeugen.
  • Indes können die mehreren Berührungs-Gate-Leitungen TG eine erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 und eine zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 umfassen. Die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 kann eine Verdrahtungsleitung sein, die mit mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 verbunden ist. Die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 kann eine Verdrahtungsleitung sein, die mit mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 verbunden ist. Ferner umfasst das Berührungs-Gate-Signal ein erstes Berührungs-Gate-Signal und ein zweites Berührungs-Gate-Signal. Das heißt, die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 liefert ein erstes Berührungs-Gate-Signal und die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 liefert ein zweites Berührungs-Gate-Signal. In einer Berührungsperiode können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal zueinander invertierte Signale sein. Insbesondere erzeugt jede der mehreren integrierten Berührungsschaltungen zuerst ein erstes Berührungs-Gate-Signal, um das erste Berührungs-Gate-Signal an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 auszugeben. Ferner wird das zweite Gate-Signal, das zu dem ersten Berührungs-Gate-Signal invertiert ist, unter Verwendung des Invertierers erzeugt und an die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 ausgegeben.
  • Obwohl in 9 der Berührungstreiber TD in dem Gate-Treiber GD angeordnet ist, ist er jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann der Berührungstreiber TD in der Leiterplatte 170 angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 10 kann ein Rahmen der Anzeigevorrichtung mehrere Teilrahmen umfassen. Hier können die mehreren Teilrahmen jedem der mehreren Unterpixelblöcke SPB entsprechen. Das heißt, der erste Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern des ersten Unterpixelblocks SPB1, der zweite Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern des zweiten Unterpixelblocks SPB2 und der n-te Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern des n-ten Unterpixelblocks SPBn. Jeder der mehreren Teilrahmen kann zeitgeteilt in der Anzeigeperiode und der Berührungsperiode angesteuert werden.
  • Zuerst wird in der Anzeigeperiode des ersten Teilrahmens das Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen GL angelegt, die dem ersten Unterpixelblock SPB1 entsprechen. Dabei entspricht der erste Unterpixelblock SPB1 der ersten Gate-Leitung GL1, der zweiten Gate-Leitung GL2, ... und der m-ten Gate-Leitung GLm. Daher kann das Gate-Signal sequentiell an die erste Gate-Leitung GL1, die zweite Gate-Leitung GL2, ... und die m-te Gate-Leitung GLm angelegt werden. Daher können die mehreren zweiten Transistoren TR2, die mit der ersten Gate-Leitung GL1, der zweiten Gate-Leitung GL2, ... und der m-ten Gate-Leitung GLm verbunden sind, sequentiell eingeschaltet werden.
  • Nach der Anzeigeperiode des ersten Teilrahmens kann eine Berührungsperiode des ersten Teilrahmens durchgeführt werden. Insbesondere kann das erste Berührungs-Gate-Signal an die mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB1) angelegt werden, die dem ersten Unterpixelblock SPB1 entsprechen. Daher werden die mehreren ersten Ladetransistoren TC1 und die mehreren zweiten Ladetransistoren TC2, die mit den mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1 (SPB1) verbunden sind, eingeschaltet. Ferner kann das zweite Berührungs-Gate-Signal an die mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2(SPB2) angelegt werden, die dem ersten Unterpixelblock SPB1 entsprechen. Daher werden die mehreren ersten Erfassungstransistoren TS1 und die mehreren zweiten Erfassungstransistoren TS2, die mit den mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 (SPB2) verbunden sind, eingeschaltet.
  • Zu diesem Zeitpunkt können in der Berührungsperiode das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal zueinander invertierte Signale sein. Das heißt, wenn das erste Berührungs-Gate-Signal einen hohen Pegel hat, hat das zweite Berührungs-Gate-Signal einen niedrigen Pegel, und wenn das erste Berührungs-Gate-Signal einen niedrigen Pegel hat, kann das zweite Berührungs-Gate-Signal einen hohen Pegel haben. Daher können dann, wenn die mehreren ersten Ladetransistoren TC1 und die mehreren zweiten Ladetransistoren TC2 eingeschaltet sind, die mehreren ersten Erfassungstransistoren TS1 und die mehreren zweiten Erfassungstransistoren TS2 ausgeschaltet sein. Dementsprechend können die erste Berührungsspannung V+ und die zweite Berührungsspannung V- jeweils in die mehreren ersten Berührungselektroden TE1 und die mehreren zweiten Berührungselektroden TE2 des ersten Unterpixelblocks SPB1 geladen werden. Wenn ferner die mehreren ersten Ladetransistoren TC1 und die mehreren zweiten Ladetransistoren TC2 ausgeschaltet sind, können die mehreren ersten Erfassungstransistoren TS1 und die mehreren zweiten Erfassungstransistoren TS2 eingeschaltet sein. Dementsprechend kann das Berührungserfassungssignal aus jeder der mehreren ersten Berührungselektroden TE1 und der mehreren zweiten Berührungselektroden TE2 des ersten Unterpixelblocks SPB1 übertragen werden.
  • Nachdem die Berührungsperiode des ersten Teilrahmens endet, kann mit einer Anzeigeperiode des zweiten Teilrahmens fortgefahren werden. Das heißt, es kann mit der Ansteuerung für den zweiten Unterpixelblock SPB2, der unterhalb des ersten Unterpixelblocks SPB1 des Substrats 110 angeordnet ist, fortgefahren werden.
  • Insbesondere wird in der Anzeigeperiode des zweiten Teilrahmens das Gate-Signal sequentiell an die mehreren Gate-Leitungen GLm+1, GLm+2, ..., GL2m angelegt, die dem zweiten Unterpixelblock SPB2 entsprechen. Als Nächstes können in der Berührungsperiode des zweiten Teilrahmens das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an die mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB2) und die mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2(SPB2), die dem zweiten Unterpixelblock SPB2 entsprechen, angelegt werden. Dieser Vorgang kann sequentiell für den n-ten Unterpixelblock SPBn durchgeführt werden. Solch ein Rahmen wird wiederholt, so dass die Anzeigevorrichtung angesteuert werden kann.
  • Obwohl in 10 sowohl das erste Berührungs-Gate-Signal als auch das zweite Berührungs-Gate-Signal sieben Spitzen aufweisen, ist die vorliegende Offenbarung indes nicht darauf beschränkt.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Anzeigevorrichtung vom Typ mit zelleninterner Berührung sein. Insbesondere kann ein Rahmen der Anzeigevorrichtung durch mehrere Teilrahmen mit einer Anzeigeperiode und einer Berührungsperiode ausgebildet sein. Daher können das Ansteuern für die mehreren Unterpixel SP und das Erfassen für die Berührungselektroden TE1 und TE2 in der Anzeigevorrichtung einfach durchgeführt werden.
  • 11 zeigt eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 11 sind zur Vereinfachung der Beschreibung Signale der Gate-Leitungen GL1, GL2, ..., GLm, GLm+1, GLm+2, ..., GL2m und Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB1), TG2(SPB1), TG1(SPB2), TG2 (SPB2) schematisch dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 11 kann ein Rahmen der Anzeigevorrichtung mehrere Teilrahmen umfassen. Hier können die mehreren Teilrahmen Perioden sein, die sequentiell die mehreren Unterpixelblöcke SPB anzeigen. Das heißt, der erste Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern der mehreren Unterpixel SP des ersten Unterpixelblocks SPB1, der zweite Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern der mehreren Unterpixel SP des zweiten Unterpixelblocks SPB2 und der n-te Teilrahmen ist eine Periode zum Ansteuern der mehreren Unterpixel SP des n-ten Unterpixelblocks SPBn. Jeder der mehreren Teilrahmen kann in der ersten Berührungsperiode und der zweiten Berührungsperiode zeitgeteilt angesteuert werden. Zu diesem Zeitpunkt können die erste Berührungsperiode und die zweite Berührungsperiode für unterschiedliche Unterpixelblöcke SPB unter den mehreren Unterpixelblöcken SPB gebildet werden.
  • Zuerst wird in der Anzeigeperiode des ersten Teilrahmens das Gate-Signal sequentiell an die mehreren Gate-Leitungen GL1, GL2, ..., GLm angelegt, die dem ersten Unterpixelblock SPB 1 entsprechen.
  • Nach der Anzeigeperiode des ersten Teilrahmens kann mit einer ersten Berührungsperiode des ersten Teilrahmens fortgefahren werden. Insbesondere können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB1) und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2(SPB 1), die dem ersten Unterpixelblock SPB 1 entsprechen, angelegt werden.
  • Nach der ersten Berührungsperiode des ersten Teilrahmens kann mit einer zweiten Berührungsperiode des ersten Teilrahmens fortgefahren werden. Insbesondere können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB2) und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2(SPB2), die dem zweiten Unterpixelblock SPB2 entsprechen, angelegt werden.
  • Nachdem die zweite Berührungsperiode des ersten Teilrahmens endet, kann mit einer Anzeigeperiode des zweiten Teilrahmens fortgefahren werden. Das heißt, es kann mit der Ansteuerung für den zweiten Unterpixelblock SPB2, der unterhalb des ersten Unterpixelblocks SPB1 des Substrats 110 angeordnet ist, fortgefahren werden.
  • Insbesondere wird in der Anzeigeperiode des zweiten Teilrahmens das Gate-Signal sequentiell an die mehreren Gate-Leitungen GLm+1, GLm+2, ..., GL2m angelegt, die dem zweiten Unterpixelblock SPB2 entsprechen. Als Nächstes können in der ersten Berührungsperiode des zweiten Teilrahmens das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB2) und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 (SPB2), die dem zweiten Unterpixelblock SPB2 entsprechen, angelegt werden. Als Nächstes können in der zweiten Berührungsperiode des zweiten Teilrahmens das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen TG1(SPB3) und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen TG2 (SPB3), die dem dritten Unterpixelblock SPB3 entsprechen, angelegt werden.
  • Dieser Vorgang kann sequentiell für den n-ten Unterpixelblock SPBn durchgeführt werden. Solch ein Rahmen wird wiederholt, so dass die Anzeigevorrichtung angesteuert werden kann.
  • Obwohl in 11 beschrieben ist, dass die Anzeigeperiode und die erste Berührungsperiode eines Teilrahmens für denselben Unterpixelblock SPB gebildet werden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Obwohl in 11 beschrieben ist, dass die erste Berührungsperiode und die zweite Berührungsperiode eines Teilrahmens sequentiell für den benachbarten Unterpixelblock SPB gebildet werden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Das heißt, die erste Berührungsperiode und die zweite Berührungsperiode eines Teilrahmens können für beliebige unterschiedliche Unterpixelblöcke SPB von den mehreren Unterpixelblöcken SPB gebildet werden.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Rahmen in mehrere Teilrahmen unterteilt und jeder der mehreren Teilrahmen umfasst eine erste Berührungsperiode und eine zweite Berührungsperiode. Dabei können die erste Berührungsperiode und die zweite Berührungsperiode für unterschiedliche Unterpixelblöcke SPB gebildet werden. Das heißt, in einem Teilrahmen kann die Berührungserfassung für zwei unterschiedliche Unterpixelblöcke SPB durchgeführt werden. Daher kann die Genauigkeit der Berührungserfassung verbessert werden.
  • 12A zeigt eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 12A sind zur Vereinfachung der Beschreibung Signale der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 und der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 schematisch dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 12A können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal an die erste Berührungs-Gate-Leitung TG1 bzw. die zweite Berührungs-Gate-Leitung TG2 der Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angelegt werden. Wenn das erste Berührungs-Gate-Signal auf einem hohen Pegel ist, können die mehreren ersten Ladetransistoren TC1 und die mehreren zweiten Ladetransistoren TC2, die mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden sind, eingeschaltet werden. Wenn das zweite Berührungs-Gate-Signal auf einem hohen Pegel ist, können die mehreren ersten Erfassungstransistoren TS1 und die mehreren zweiten Erfassungstransistoren TS2, die mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden sind, eingeschaltet werden. Zu diesem Zeitpunkt können das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal in derselben Berührungsperiode zueinander invertierte Signale sein. Ferner überlappen sich eine Periode, in der das erste Berührungs-Gate-Signal auf einem hohen Pegel ist, und eine Periode, in der das zweite Berührungs-Gate-Signal auf einem hohen Pegel ist, nicht. Ferner können Höhen H1 und H2 von Spitzen des ersten Berührungs-Gate-Signals und des zweiten Berührungs-Gate-Signals gleich sein.
  • Insbesondere kann dann, wenn der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf eine erste Spannung (V1) oder niedriger reduziert wird, ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel auf den hohen Pegel erhöht werden. Das heißt, wenn der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals höher als die erste Spannung (V1) ist, kann das zweite Berührungs-Gate-Signal den niedrigen Pegel haben. Wenn die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 eingeschaltet sind, können daher die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 ausgeschaltet sein. Zu einem Zeitpunkt, zu dem der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals unter die erste Spannung (V1) reduziert wird, kann ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel erhöht werden. Wenn das zweite Gate-Signal vollständig auf dem hohen Pegel ist, kann das erste Berührungs-Gate-Signal auf dem niedrigen Pegel sein. Daher können dann, wenn die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 eingeschaltet sind, die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 ausgeschaltet sein. Hier kann die erste Spannung V1 eine Spannung, die höher ist als die Spannung mit niedrigem Pegel ist zwischen der Spannung mit niedrigem Pegel und der Spannung mit hohem Pegel sein. Beispielsweise kann sich die erste Spannung V1 auf eine Spannung beziehen, die einer Schwellenspannung der mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 entspricht.
  • Wenn der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf die erste Spannung (V1) oder niedriger reduziert wird, kann ferner ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel auf den hohen Pegel erhöht werden. Das heißt, wenn der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals höher als die erste Spannung (V1) ist, kann das erste Berührungs-Gate-Signal auf dem niedrigen Pegel sein. Daher können dann, wenn die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 eingeschaltet sind, die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 ausgeschaltet sein. Zu einem Zeitpunkt, zu dem der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals unter die erste Spannung (V1) reduziert wird, kann ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel erhöht werden. Wenn das erste Gate-Signal vollständig auf dem hohen Pegel ist, kann das zweite Berührungs-Gate-Signal auf dem niedrigen Pegel sein. Wenn die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 eingeschaltet sind, können daher die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 ausgeschaltet sein. Hier kann die erste Spannung V1 eine Spannung, die höher ist als die Spannung mit niedrigem Pegel ist, zwischen der Spannung mit niedrigem Pegel und der Spannung mit hohem Pegel sein. Beispielsweise kann sich die erste Spannung V1 auf eine Spannung beziehen, die einer Schwellenspannung der mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 entspricht.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann dann, wenn der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf die erste Spannung oder niedriger reduziert wird, ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel auf den hohen Pegel erhöht werden. Wenn der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf die erste Spannung oder darunter reduziert wird, kann ferner ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von dem niedrigen Pegel auf den hohen Pegel erhöht werden. Insbesondere kann sich die erste Spannung auf eine Schwellenspannung der mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 und der mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 beziehen. Daher wird verhindert, dass die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2, die mit der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 verbunden sind, und die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2, die mit der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 verbunden sind, gleichzeitig eingeschaltet sind. Daher kann die Genauigkeit der Berührungserfassung verbessert werden.
  • 12B zeigt eine schematische Betriebszeitvorgabe zum Erläutern eines Ansteuerverfahrens einer Anzeigevorrichtung noch gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In 12B sind zur Vereinfachung der Beschreibung Signale der ersten Berührungs-Gate-Leitung TG1 und der zweiten Berührungs-Gate-Leitung TG2 schematisch dargestellt. 12B gleicht 12A mit Ausnahme einer Höhe H2 der Spitze des zweiten Berührungs-Gate-Signals, so dass eine redundante Beschreibung entfällt.
  • Unter Bezugnahme auf 12B kann eine Höhe H2 der Spitze des zweiten Berührungs-Gate-Signals höher sein als eine Höhe H1 der Spitze des ersten Berührungs-Gate-Signals. Dementsprechend wird, obwohl eine Periode, in der das zweite Berührungs-Gate-Signal auf einem hohen Pegel ist, relativ kurz ist, die Höhe H2 der Spitze erhöht, um eine Menge elektrischer Ladungen zu erhöhen, die durch die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 erfasst wird. Hier bezieht sich die Höhe der Spitze auf eine Differenz zwischen dem niedrigen Pegel und dem hohen Pegel.
  • Insbesondere wird eine Zeitvorgabe, zu der das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal von dem niedrigen Pegel auf den hohen Pegel erhöht werden, so geändert, dass die Zeitvorgaben, zu denen die mehreren Ladetransistoren TC1 und TC2 und die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 eingeschaltet sind, sich nicht überlappen. Dabei kann eine Hochpegelperiode des zweiten Berührungs-Gate-Signals kürzer sein als eine Hochpegelperiode des ersten Berührungs-Gate-Signals. Daher wird die Höhe H2 der Spitze des zweiten Berührungs-Gate-Signals erhöht, so dass sie höher als die Höhe H1 der Spitze des ersten Berührungs-Gate-Signals ist, so dass die verkürzte Hochpegelperiode des zweiten Berührungs-Gate-Signals kompensiert werden kann.
  • Bei der Anzeigevorrichtung gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Differenz zwischen dem niedrigen Pegel und dem hohen Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals größer sein als eine Differenz zwischen dem niedrigen Pegel und dem hohen Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals. Dementsprechend wird eine Menge an elektrischen Ladungen, die durch die mehreren Erfassungstransistoren TS1 und TS2 erfasst wird, erhöht, um die Genauigkeit der Berührungserfassung zu verbessern.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste Berührungselektrode auf dem Substrat, die jedes der mehreren Unterpixel überlappt; eine zweite Berührungselektrode, die auf dem Substrat so angeordnet ist, dass sie von der ersten Berührungselektrode beabstandet ist und jedes der mehreren Unterpixel überlappt; eine Isolierschicht, die die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode bedeckt; mehrere Ladetransistoren auf der Isolierschicht, die mit einer der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sind; mehrere Erfassungstransistoren auf der Isolierschicht, die mit einer der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sind; eine Planarisierungsschicht, die die mehreren Ladetransistoren und die mehreren Erfassungstransistoren bedeckt; und eine Leuchtdiode auf der Planarisierungsschicht.
  • Die mehreren Unterpixel können einen Emissionsbereich und einen Schaltungsbereich aufweisen. Die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode können so angeordnet sein, dass sie eine Anode der Leuchtdiode in dem Emissionsbereich überlappen. Die erste Berührungselektrode und die zweite Berührungselektrode können aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner mehrere Referenzleitungen aufweisen, die mit den mehreren Unterpixeln elektrisch verbunden sind. Eine von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode der mehreren Ladetransistoren kann mit den mehreren Referenzleitungen elektrisch verbunden sein. Die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode der mehreren Ladetransistoren kann mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sein. Eine von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode der mehreren Erfassungstransistoren kann mit den mehreren Referenzleitungen elektrisch verbunden sein. Die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode der mehreren Erfassungstransistoren kann mit der ersten Berührungselektrode oder der zweiten Berührungselektrode elektrisch verbunden sein.
  • Die mehreren Referenzleitungen können dazu ausgelegt sein, während einer Anzeigeperiode eine Referenzspannung an die mehreren Unterpixel anzulegen. Die mehreren Referenzleitungen können dazu ausgelegt sein, während einer Berührungsperiode Signale für Berührung mit der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode auszutauschen.
  • Die mehreren Referenzleitungen können umfassen: eine erste Referenzleitung, die während der Berührungsperiode eine erste Berührungsspannung an die erste Berührungselektrode anlegt; eine zweite Referenzleitung, die während der Berührungsperiode eine zweite Berührungsspannung an die zweite Berührungselektrode anlegt; und/oder mehrere dritte Referenzleitungen, die während der Berührungsperiode ein Berührungserfassungssignal aus der ersten Berührungselektrode und der zweiten Berührungselektrode übertragen.
  • Die mehreren Ladetransistoren können umfassen: einen ersten Ladetransistor zum Anlegen der ersten Berührungsspannung an die erste Berührungselektrode durch die erste Referenzleitung; und/oder einen zweiten Ladetransistor zum Anlegen der zweiten Berührungsspannung an die zweite Berührungselektrode durch die zweite Referenzleitung. Die mehreren Erfassungstransistoren können umfassen: einen ersten Erfassungstransistor, der das Berührungserfassungssignal von der ersten Berührungselektrode durch eine der mehreren dritten Referenzleitungen überträgt; und/oder einen zweiten Erfassungstransistor, der das Berührungserfassungssignal von der zweiten Berührungselektrode durch die andere der mehreren dritten Referenzleitungen überträgt.
  • Die erste Berührungsspannung kann eine Summe aus der Referenzspannung und einer vorbestimmten Spannung sein. Die zweite Berührungsspannung kann eine Differenz der Referenzspannung und der vorbestimmten Spannung sein.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner umfassen: mehrere Gate-Leitungen, die mit den mehreren Unterpixeln elektrisch verbunden sind; mehrere erste Berührungs-Gate-Leitungen, die sich in der gleichen Richtung wie die mehreren Gate-Leitungen erstrecken und mit den Gate-Elektroden der mehreren Ladetransistoren elektrisch verbunden sind; und/oder mehrere zweite Berührungs-Gate-Leitungen, die sich in der gleichen Richtung wie die mehreren Gate-Leitungen erstrecken und mit den Gate-Elektroden der mehreren Erfassungstransistoren elektrisch verbunden sind.
  • Ein Rahmen kann umfassen: eine Anzeigeperiode, in der ein Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen angelegt wird; und eine Berührungsperiode, in der ein erstes Berührungs-Gate-Signal und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen angelegt werden, nach der Anzeigeperiode.
  • Das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal können in der Berührungsperiode invertierte Signale sein.
  • Als Antwort darauf, dass ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf kleiner oder gleich einer ersten Spannung reduziert wird, kann ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von einem ersten Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf einen zweiten Pegel ansteigen, wobei das zweite Berührungs-Gate-Signal größer ist als der erste Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals. Als Antwort darauf, dass der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf kleiner oder gleich der ersten Spannung reduziert wird, kann der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von einem ersten Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf einen zweiten Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals, der größer ist als der erste Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals, ansteigen. Die erste Spannung kann größer sein als der erste Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals und der erste Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals. Wenn der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf eine erste Spannung oder weniger reduziert wird, kann ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von einem niedrigen Pegel auf einen hohen Pegel ansteigen. Wenn der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf die erste Spannung oder weniger reduziert wird, kann ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von einem niedrigen Pegel auf einen hohen Pegel ansteigen. Die erste Spannung kann eine Spannung sein, die höher ist als die Spannung des niedrigen Pegels des ersten Berührungs-Gate-Signals und des zweiten Berührungs-Gate-Signals.
  • Eine Differenz des ersten Pegels und des zweiten Pegels des zweiten Berührungs-Gate-Signals kann größer sein als eine Differenz des ersten Pegels und des zweiten Pegels des ersten Berührungs-Gate-Signals. Eine Differenz des niedrigen Pegels und des hohen Pegels des zweiten Berührungs-Gate-Signals kann größer sein als eine Differenz des niedrigen Pegels und des hohen Pegels des ersten Berührungs-Gate-Signals.
  • Die mehreren Unterpixel können in mehrere Unterpixelblöcke unterteilt sein. Das Substrat kann mehrere Unterpixelblöcke aufweisen, die einige der mehreren Unterpixel aufweisen, ein Rahmen kann mehrere Teilrahmen umfassen, die sequentiell die mehreren Unterpixelblöcke ansteuern, und jeder der mehreren Teilrahmen kann umfassen: eine Anzeigeperiode, in der ein Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen eines Unterpixelblocks unter den mehreren Unterpixelblöcken angelegt wird; und eine Berührungsperiode, in der ein erstes Berührungs-Gate-Signal und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen des einen Unterpixelblocks unter den mehreren Unterpixelblöcken angelegt werden, nach der Anzeigeperiode.
  • Die mehreren Unterpixelblöcke können einen ersten Unterpixelblock und einen zweiten Unterpixelblock unterhalb des ersten Unterpixelblocks umfassen, und dann, wenn die Berührungsperiode in dem Teilrahmen für den ersten Unterpixelblock endet, kann die Anzeigeperiode in dem Teilrahmen für den zweiten Unterpixelblock beginnen.
  • Das Substrat kann mehrere Unterpixelblöcke enthalten, die einige der mehreren Unterpixel umfassen, ein Rahmen kann mehrere Teilrahmen umfassen, die sequentiell die mehreren Unterpixelblöcke ansteuern, wobei jeder der mehreren Teilrahmen umfassen kann: eine Anzeigeperiode, in der ein Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen eines Unterpixelblocks unter den mehreren Unterpixelblöcken angelegt wird; eine erste Berührungsperiode, in der ein erstes Berührungs-Gate-Signal und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen des einen Unterpixelblocks unter den mehreren Unterpixelblöcken angelegt werden, nach der Anzeigeperiode, und eine zweite Berührungsperiode, in der ein erstes Berührungs-Gate-Signal und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an jede der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen und der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen des anderen Unterpixelblocks unter den mehreren Unterpixelblöcken angelegt werden, nach der ersten Berührungsperiode.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner umfassen: einen Berührungstreiber, der mit den mehreren Ladetransistoren und den mehreren Erfassungstransistoren elektrisch verbunden ist; einen Gate-Treiber, der mit den mehreren Unterpixeln elektrisch verbunden ist; und eine Leiterplatte, die mit dem Substrat an der Außenseite des Substrats elektrisch verbunden ist.
  • Der Berührungstreiber kann in dem Gate-Treiber angeordnet sein.
  • Der Gate-Treiber kann in einem nichtaktiven Bereich des Substrats auf eine Gate-in-Tafel-Weise (GIP-Weise) montiert sein.
  • Der Gate-Treiber kann an einem nichtaktiven Bereich des Substrats angebracht sein.
  • Der Berührungstreiber kann auf der Leiterplatte angeordnet sein.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ausführlich unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden, ohne von dem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur zu Veranschaulichungszwecken bereitgestellt, sollen aber das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Daher sollte klar sein, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Grundlage der folgenden Ansprüche ausgelegt werden und alle technischen Konzepte im Äquivalenzumfang davon sollten so ausgelegt werden, dass sie unter den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020210182501 [0001]
    • KR 1020210193489 [0001]
    • KR 1020210193490 [0001]

Claims (20)

  1. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (110), das mehrere Unterpixel (SP) aufweist; eine erste Berührungselektrode (TE1) auf dem Substrat (110), wobei die erste Berührungselektrode (TE1) zumindest ein Unterpixel (SP) der mehreren Unterpixel überlappt; eine zweite Berührungselektrode (TE2) auf dem Substrat (110), die von der ersten Berührungselektrode (TE29) beabstandet ist, wobei die zweite Berührungselektrode (TE2) das mindestens eine Unterpixel (SP) der mehreren Unterpixel überlappt; eine Isolierschicht (111), die die erste Berührungselektrode (TE1) und die zweite Berührungselektrode (TE2) bedeckt; mehrere Ladetransistoren (TC1, TC2) auf der Isolierschicht (111), wobei jeder der mehreren Ladetransistoren (TC1, TC2) mit einer der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) elektrisch verbunden ist; mehrere Erfassungstransistoren (TS1, TS2) auf der Isolierschicht (111), wobei jeder der mehreren Erfassungstransistoren (111) mit einer der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) elektrisch verbunden ist; eine Planarisierungsschicht (115), die die mehreren Ladetransistoren (TC1, TC2) und die mehreren Erfassungstransistoren (TS1, TS2) bedeckt; und eine Leuchtdiode (ED) auf der Planarisierungsschicht (111).
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die mehreren Unterpixel (SP) einen Emissionsbereich (EA) und einen Schaltungsbereich (CA) aufweisen, wobei die erste Berührungselektrode (TE1) und die zweite Berührungselektrode (TE2) ein transparentes leitfähiges Material enthalten und eine Anode (AN) der Leuchtdiode (ED) in dem Emissionsbereich (EA) überlappen.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner umfasst: mehrere Referenzleitungen (RL), die mit den mehreren Unterpixeln (SP) elektrisch verbunden sind, wobei eine Source-Elektrode (SE4, SE5) oder eine Drain-Elektrode (DE4, DE5) jedes der Ladetransistoren (TC1, TC2) mit einer der mehreren Referenzleitungen (RL) elektrisch verbunden ist, wobei die andere der Source-Elektrode (SE4, SE5) und der Drain-Elektrode (DE4, DE5) jedes der Ladetransistoren (TC1, TC2) mit einer der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) elektrisch verbunden ist, wobei eine Source-Elektrode (SE, SE) oder eine Drain-Elektrode jedes der Erfassungstransistoren (TS1, TS2) mit einer der mehreren Referenzleitungen (RL) elektrisch verbunden sind, und wobei die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode jedes der Erfassungstransistoren (TS1, TS2) mit einer der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) elektrisch verbunden ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die mehreren Referenzleitungen (RL) dazu ausgelegt sind, in einer Anzeigeperiode eine Referenzspannung (Vref) an die mehreren Unterpixel (SP) anzulegen, und/oder wobei die mehreren Referenzleitungen (RL) so ausgelegt ist, dass sie in einer Berührungsperiode zum Erfassen einer Berührung der Anzeigevorrichtung mit der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) verbunden sind.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die mehreren Referenzleitungen (RL) umfassen: eine erste Referenzleitung (RL1), die mit der ersten Berührungselektrode (TE1) verbunden ist, zum Anlegen einer ersten Berührungsspannung während der Berührungsperiode; eine zweite Referenzleitung (RL2), die mit der zweiten Berührungselektrode (TE2) verbunden ist, zum Anlegen einer zweiten Berührungsspannung während der Berührungsperiode; und mehrere dritte Referenzleitungen (RL3) zum Übertragen eines Berührungserfassungssignals von der ersten Berührungselektrode (TE1) und der zweiten Berührungselektrode (TE2) während der Berührungsperiode.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die mehreren Ladetransistoren (TC1, TC2) umfassen: einen ersten Ladetransistor (TC1), der dazu ausgelegt ist, die erste Berührungselektrode (TE1) mit der ersten Referenzleitung (RL1) zu verbinden, um die erste Berührungsspannung während der Berührungsperiode an die erste Berührungselektrode (TE1) anzulegen; und einen zweiten Ladetransistor (TC2), der dazu ausgelegt ist, die zweite Berührungselektrode (TE2) mit der zweiten Referenzleitung (RL2) zu verbinden, um die zweite Berührungsspannung während der Berührungsperiode an die zweite Berührungselektrode (TE2) anzulegen, und wobei die mehreren Erfassungstransistoren (TS1, TS2) umfassen: einen ersten Erfassungstransistor (TS1), der dazu ausgelegt ist, die erste Berührungselektrode (TE1) mit einer der mehreren dritten Referenzleitungen (RL3-1) zu verbinden, um während der Berührungsperiode das Berührungserfassungssignal von der ersten Berührungselektrode (TE1) zu der einen der mehreren dritten Referenzleitungen (RL3-1) zu übertragen; und einen zweiten Erfassungstransistor (TS1), der dazu ausgelegt ist, die zweite Berührungselektrode (TE2) mit einer anderen der mehreren dritten Referenzleitungen (RL3-2) zu verbinden, um während der Berührungsperiode das Berührungserfassungssignal von der zweiten Berührungselektrode (TE2) durch die andere der mehreren dritten Referenzleitungen (RL3-1) zu übertragen.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei die erste Berührungsspannung eine Summe aus der Referenzspannung und einer vorbestimmten Spannung ist und/oder die zweite Berührungsspannung eine Differenz aus der Referenzspannung und der vorbestimmten Spannung ist.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner umfasst: mehrere Gate-Leitungen (GL), die mit den mehreren Unterpixeln (SP) elektrisch verbunden sind; mehrere erste Berührungs-Gate-Leitungen (TG1), die sich parallel zu den mehreren Gate-Leitungen (GL) erstrecken, wobei die mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG) mit Gate-Elektroden (GE4, GE5) der mehreren Ladetransistoren (TC1, TC2) elektrisch verbunden sind; und mehrere zweite Berührungs-Gate-Leitungen (TG2), die sich parallel zu den mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG1) und den mehreren Gate-Leitungen (GL) erstrecken, wobei die mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen (TG2) mit Gate-Elektroden der mehreren Erfassungstransistoren (TS 1, TS2) elektrisch verbunden sind.
  9. Verfahren zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein Rahmen der Anzeigevorrichtung umfasst: eine Anzeigeperiode, während der ein Gate-Signal an die mehreren Gate-Leitungen (GL) angelegt wird; und eine Berührungsperiode, während der ein erstes Berührungs-Gate-Signal an die mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG1) angelegt wird und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an die mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen (TG2) angelegt wird, wobei die Berührungsperiode nach der Anzeigeperiode ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das erste Berührungs-Gate-Signal und das zweite Berührungs-Gate-Signal während der Berührungsperiode zueinander invertiert sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei als Antwort darauf, dass ein Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf kleiner oder gleich einer ersten Spannung reduziert wird, ein Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals von einem ersten Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf einen zweiten Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals, der grö-ßer als der erste Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals ist, ansteigt, wobei als Antwort darauf, dass der Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals auf kleiner oder gleich der ersten Spannung reduziert wird, der Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals von einem ersten Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals auf einen zweiten Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals, der größer als der erste Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals ist, ansteigt, und wobei die erste Spannung größer ist als der erste Pegel des ersten Berührungs-Gate-Signals und der erste Pegel des zweiten Berührungs-Gate-Signals.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei eine Differenz des ersten Pegels und des zweiten Pegels des zweiten Berührungs-Gate-Signals größer ist als eine Differenz des ersten Pegels und des zweiten Pegels des ersten Berührungs-Gate-Signals.
  13. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die mehreren Unterpixel in mehrere Unterpixelblöcke (SPB) unterteilt sind, wobei ein Rahmen der Anzeigevorrichtung mehrere Teilrahmen umfasst, während derer die mehreren Unterpixelblöcke (SPB) sequentiell angesteuert werden, wobei jeder der mehreren Teilrahmen umfasst: eine Anzeigeperiode, während der ein Gate-Signal an eine Teilmenge von Gate-Leitungen (GL1...GLm) aus den mehreren Gate-Leitungen angelegt wird, die mit einem Unterpixelblock (SPB1) aus den mehreren Unterpixelblöcken verbunden ist; und eine Berührungsperiode, während der ein erstes Berührungs-Gate-Signal an eine Teilmenge der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG1) angelegt wird, die mit dem einen Unterpixelblock (SPB1) verbunden ist, und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an eine Teilmenge der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen (TG2) angelegt wird, die mit dem einen Unterpixelblock (SPB1) verbunden sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der eine Unterpixelblock (SPB1) ein erster Unterpixelblock ist und die mehreren Unterpixelblöcke ferner einen zweiten Unterpixelblock (SPB2), der nach dem ersten Unterpixelblock (SPB1) angesteuert wird, umfassen und wobei dann, wenn die Berührungsperiode in dem Teilrahmen für den ersten Unterpixelblock (SPB1) endet, eine Anzeigeperiode in einem nächsten Teilrahmen für den zweiten Unterpixelblock (SPB2) beginnt.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die mehreren Unterpixelblöcke einen ersten Unterpixelblock (SPB1) und einen zweiten Unterpixelblock (SPB2) umfassen, wobei die Berührungsperiode umfasst: eine erste Berührungsperiode, während der ein erstes Berührungs-Gate-Signal an eine erste Teilmenge der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG1) angelegt wird, die mit dem ersten Unterpixelblock (SPB1) verbunden ist, und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an eine erste Teilmenge der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen (TG2) angelegt wird, die mit dem ersten Unterpixelblock (SPB1) verbunden ist, wobei die erste Berührungsperiode nach der Anzeigeperiode ist, und eine zweite Berührungsperiode, während der ein erstes Berührungs-Gate-Signal an eine zweite Teilmenge der mehreren ersten Berührungs-Gate-Leitungen (TG1) angelegt wird, die mit dem zweiten Unterpixelblock (SPB2) verbunden ist, und ein zweites Berührungs-Gate-Signal an eine zweite Teilmenge der mehreren zweiten Berührungs-Gate-Leitungen (TG2) angelegt wird, die mit dem zweiten Unterpixelblock (SPB2) unter den mehreren Unterpixelblöcken verbunden ist, wobei die zweite Berührungsperiode nach der ersten Berührungsperiode ist.
  16. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (110); mehrere Pixel (SP) auf dem Substrat (110), wobei die mehreren Pixel ein erstes Pixel umfassen, das ein lichtemittierendes Element (ED) aufweist; einen Berührungsblock (T1, ..., Tn) auf dem Substrat (110), wobei der Berührungsblock (T1, ..., Tn) eine erste Elektrode (TE1) mit mehreren ersten Teilelektroden (121) und eine zweite Elektrode (TE2) mit mehreren zweiten Teilelektroden (123), die zwischen den mehreren ersten Teilelektroden (121) so eingefügt sind, dass die ersten Teilelektroden und die zweiten Teilelektroden (123) abwechselnd angeordnet sind, umfasst, wobei die erste Elektrode (TE1) und die zweite Elektrode (TE2) das lichtemittierende Element (ED) überlappen und näher an dem Substrat (110) liegen als das lichtemittierende Element (ED).
  17. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 16, wobei die erste Elektrode (TE1) ferner eine erste Verbindungselektrode (122) umfasst, die sich in eine erste Richtung erstreckt, und die mehreren ersten Unterelektroden (121) sich von der ersten Verbindungselektrode (122) in einer zweiten Richtung erstrecken, die die erste Richtung schneidet, wobei die zweite Elektrode (TE2) ferner eine zweite Verbindungselektrode (124) umfasst, die sich in der ersten Richtung erstreckt, und die mehreren zweiten Teilelektroden (123) sich von der zweiten Verbindungselektrode (124) in der zweiten Richtung erstrecken.
  18. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei die erste Elektrode (TE1) und die zweite Elektrode (TE2) eine Anode (AN) des lichtemittierenden Elements (ED) überlappen.
  19. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 16, 17 oder 18, die ferner umfasst: mehrere Referenzleitungen (RL), die dazu ausgelegt sind, in einer Anzeigeperiode eine Referenzspannung an die mehreren Pixel (SP) anzulegen, und mit der ersten Elektrode (TE1) und der zweiten Elektrode (TE2) verbunden sind, um eine Berührung der Anzeigevorrichtung in einer Berührungsperiode zu erfassen.
  20. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, die ferner umfasst: einen ersten Ladetransistor (TC1), der mit der ersten Elektrode (TE1) verbunden ist, wobei der erste Ladetransistor (TC1) dazu ausgelegt ist, in der Berührungsperiode eine erste Berührungsspannung an die erste Elektrode (TE1) durch eine erste Referenzleitung (RL1) der mehreren Referenzleitungen anzulegen; einen zweiten Ladetransistor (TC2), der mit der zweiten Elektrode (TE2) verbunden ist, wobei der zweite Ladetransistor (TC2) dazu ausgelegt ist, in der Berührungsperiode eine zweite Berührungsspannung an die zweite Elektrode (TE2) durch eine zweite Referenzleitung (RL2) der mehreren Referenzleitungen anzulegen, einen ersten Erfassungstransistor (TS1), der mit der ersten Elektrode (TE1) verbunden ist, wobei der erste Erfassungstransistor (TS1) dazu ausgelegt ist, in der Berührungsperiode ein erstes Berührungserfassungssignal von der ersten Elektrode (TE1) durch eine dritte Referenzleitung (RL3) der mehreren Referenzleitungen zu übertragen; und einen zweiten Erfassungstransistor (TS2), der mit der zweiten Elektrode (TE2) verbunden ist, wobei der zweite Erfassungstransistor (TS2) dazu ausgelegt ist, in der Berührungsperiode ein zweites Berührungserfassungssignal von der zweiten Elektrode (TE2) durch eine vierte Referenzleitung (RL4) der mehreren Referenzleitungen zu übertragen.
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