DE102023129936A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

Anzeigevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102023129936A1
DE102023129936A1 DE102023129936.0A DE102023129936A DE102023129936A1 DE 102023129936 A1 DE102023129936 A1 DE 102023129936A1 DE 102023129936 A DE102023129936 A DE 102023129936A DE 102023129936 A1 DE102023129936 A1 DE 102023129936A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
layer
light
array
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102023129936.0A
Other languages
English (en)
Inventor
Daeyoung Seo
Hun Jang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of DE102023129936A1 publication Critical patent/DE102023129936A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste untere Anordnungselektrode in den mehreren Unterpixeln; eine erste Anordnungsleitung in den mehreren Unterpixeln, die auf einer anderen Schicht als der der ersten unteren Anordnungselektrode angeordnet ist; eine Leuchtdiode auf der ersten unteren Anordnungselektrode und der ersten Anordnungsleitung, die eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode umfasst; und eine zweite untere Anordnungselektrode zwischen der ersten unteren Anordnungselektrode und der Leuchtdiode, die mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0142147 , die am 31. Oktober 2022 beim Koreanischen Patentamt eingereicht wurde und deren Offenbarung hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
  • Hintergrund
  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Anzeigevorrichtung, die eine Leuchtdiode (LED) selbst anordnet.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Als Anzeigevorrichtungen, die für einen Monitor eines Computers, eines Fernsehers oder eines Mobiltelefons verwendet werden, sind eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED-Vorrichtung), die eine selbstemittierende Vorrichtung ist, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung), die eine separate Lichtquelle erfordert, und dergleichen bereits bekannt.
  • Ein Anwendungsbereich der Anzeigevorrichtungen wird auf persönliche digitale Assistenten sowie Monitore von Computern und Fernsehvorrichtungen ausgeweitet und es wird eine Anzeigevorrichtung mit einer großen Anzeigefläche und reduziertem Volumen und Gewicht untersucht.
  • Darüber hinaus erregt in letzter Zeit eine Anzeigevorrichtung mit einer Leuchtdiode (LED) als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation Aufmerksamkeit. Da die LED aus einem anorganischen Material und nicht aus einem organischen Material gebildet ist, ist die Zuverlässigkeit ausgezeichnet, so dass ihre Lebensdauer länger ist als jene der Flüssigkristallanzeigevorrichtung oder der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung. Darüber hinaus verfügt die LED über eine hohe Beleuchtungsgeschwindigkeit, eine ausgezeichnete Lichtausbeute und eine hohe Schlagfestigkeit, so dass die Stabilität ausgezeichnet ist und ein Bild mit hoher Leuchtdichte angezeigt werden kann.
  • Zusammenfassung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die ein verbessertes Beleuchtungsverhältnis der Leuchtdiode aufweist.
  • Dies wird im Wesentlichen durch eine Anzeigevorrichtung erreicht, bei der eine untere Anordnungselektrode, die in direktem Kontakt mit einer Leuchtdiode steht, unter der Leuchtdiode angeordnet und mit einer Leistungsleitung verbunden ist, um dadurch das Beleuchtungsverhältnis der Leuchtdiode zu verbessern.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannte Aufgabe beschränkt und andere Aufgaben, die oben nicht erwähnt sind, können für Fachleute anhand der folgenden Beschreibungen klar ersichtlich sein.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu lösen, umfasst eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste untere Anordnungselektrode in den mehreren Unterpixeln; eine erste Anordnungsleitung in den mehreren Unterpixeln, die auf einer anderen Schicht als die erste untere Anordnungselektrode angeordnet ist; eine Leuchtdiode auf der ersten unteren Anordnungselektrode und der ersten Anordnungsleitung, die eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode umfasst; und eine zweite untere Anordnungselektrode zwischen der ersten unteren Anordnungselektrode und der Leuchtdiode, die mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist. Dementsprechend wird die Anordnungsrate der Leuchtdiode verbessert und der Widerstand einer Leistungsleitung verringert, um die Beleuchtungsrate zu verbessern.
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu lösen, umfasst eine Anzeigevorrichtung gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste Anordnungsleitung und eine zweite Anordnungsleitung, die parallel in den mehreren Unterpixeln angeordnet sind; eine Leuchtdiode, die so angeordnet ist, dass sie die erste Anordnungsleitung oder die zweite Anordnungsleitung überlappt; und eine erste untere Hilfselektrode und eine zweite untere Hilfselektrode, die die Leuchtdiode und entweder die erste Anordnungsleitung oder die zweite Anordnungsleitung unter der Leuchtdiode überlappen. Dementsprechend wird die Anordnungsrate der Leuchtdiode verbessert und der Widerstand einer Leistungsleitung verringert, um die Beleuchtungsrate zu verbessern.
  • Im Folgenden werden optionale Merkmale erwähnt, die unabhängig voneinander oder in Kombination oder Unterkombination mit den oben genannten Aspekten kombiniert werden können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste untere Anordnungselektrode und die zweite untere Anordnungselektrode elektrisch verbunden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Anordnungsleitung und die erste Elektrode elektrisch verbunden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner eine Chipkontaktelektrode aufweisen, die die erste Anordnungsleitung und die erste Elektrode verbindet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Chipkontaktelektrode mit einer Seitenfläche der Leuchtdiode in Kontakt stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Anordnungsleitung mit einem Niederspannungs-Leistungskontaktstelle verbunden sein, an die eine Niederspannungsleistung angelegt wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner eine Planarisierungsschicht umfassen, die einen Teil der ersten unteren Anordnungselektrode bedeckt und eine Anordnungsnut aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Leuchtdiode in der Anordnungsnut angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner eine zweite Anordnungsleitung umfassen, die auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Anordnungsleitung durch ein Kontaktloch der Planarisierungsschicht mit der ersten unteren Anordnungselektrode verbunden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Anordnungsleitung mit einem Niederspannungs-Leistungskontaktstelle verbunden sein, an die eine Niederspannungsleistung angelegt wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Anordnungsleitung eine erste leitende Schicht auf der Planarisierungsschicht und eine erste Mantelschicht, die die erste leitende Schicht bedeckt, umfassen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Anordnungsleitung eine zweite leitende Schicht auf der Planarisierungsschicht und eine zweite Mantelschicht, die die zweite leitende Schicht bedeckt, umfassen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können sich mehrere Unterpixel, die in einer ersten Richtung auf dem Substrat angeordnet sind, die erste Anordnungsleitung und die zweite Anordnungsleitung teilen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner eine Niederpotential-Spannungskontaktstelle auf einer Oberfläche des Substrats aufweisen, an die eine Niederspannungsleistung angelegt wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Anordnungsleitung und die zweite Anordnungsleitung mit der Niederpotential-Spannungskontaktstelle verbunden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können mehrere Leuchtdioden bereitgestellt sein und mindestens zwei Leuchtdioden sind in jedem der mehreren Unterpixel angeordnet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner einen Ansteuertransistor auf dem Substrat umfassen, der mit der Leuchtdiode elektrisch verbunden ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Ansteuertransistor in jedem der mehreren Unterpixel angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Größen der Ansteuertransistoren in mindestens zwei Unterpixeln verschieden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Leuchtdiode eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode umfassen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite untere Hilfselektrode zwischen der ersten unteren Hilfselektrode und der Leuchtdiode so angeordnet sein, dass sie mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode in Kontakt steht.
  • Weitere Einzelheiten der beispielhaften Ausführungsformen sind in der genauen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind in Anordnungsnuten angeordnete Anordnungselektroden auf unterschiedlichen Schichten angeordnet, um die Intensität eines elektrischen Feldes zum Anordnen der Leuchtdiode zu verbessern.
  • Darüber hinaus stehen gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine erste Elektrode der Leuchtdiode und eine untere Anordnungselektrodein direktem Kontakt miteinander, so dass die Leuchtdiode nach dem Anordnen der Leuchtdiode auf dem Substrat fixiert werden kann.
  • Darüber hinaus ist gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Hilfselektrode mit einer Leistungsleitung verbunden, um einen Widerstand der Leistungsleitung zu verringern und ein Beleuchtungsverhältnis der Leuchtdiode zu verbessern.
  • Darüber hinaus ist gemäß den beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Leuchtdiode in der Planarisierungsschicht angeordnet, um eine Dicke der über der Leistungsleitung angeordneten Planarisierungsschicht zu verringern.
  • Die Wirkungen der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf den oben beispielhaft dargestellten Inhalt beschränkt und die vorliegende Beschreibung umfasst noch vielfältigere Wirkungen.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Die oben genannten und andere Aspekte, Merkmale sowie andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich; es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 eine schematische Draufsicht einer Anzeigetafel, die in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
    • 3 eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 eine Querschnittsansicht entlang der Leitungen A-A' und B-B' von 2;
    • 5 eine Querschnittsansicht entlang der Leitungen A-A' und C-C' von 2; und
    • 6A und 6B Querschnittsansichten zur Erläuterung eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Genaue Beschreibung der Ausführungsformen
  • Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erzielen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen ersichtlich, die unten zusammen mit den beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offenbarten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern wird in verschiedenen Formen umgesetzt. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft bereitgestellt, damit Fachleute die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen können.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den beigefügten Zeichnungen zur Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in der gesamten Beschreibung im Allgemeinen gleiche Elemente. Darüber hinaus kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine genaue Erläuterung bekannter verwandter Technologien verzichtet werden, um eine unnötige Verunklarung des Gegenstands der vorliegenden Offenbarung zu vermeiden. Die hier verwendeten Begriffe wie „umfassen“, „aufweisen“ und „bestehen aus“ sollen im Allgemeinen das Hinzufügen anderer Komponenten erlauben, es sei denn, die Begriffe werden zusammen mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Bezugnahmen im Singular können den Plural einschließen, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben ist.
  • Komponenten werden so ausgelegt, dass sie einen normalen Fehlerbereich umfassen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen mit Begriffen wie „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen positioniert sein, sofern die Begriffe nicht mit dem Begriff „direkt“ oder „unmittelbar“ verwendet werden.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine weitere Schicht oder ein weiteres Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
  • Obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und dergleichen zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zur Unterscheidung einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine im Folgenden zu erwähnende erste Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in der gesamten Beschreibung im Allgemeinen gleiche Elemente.
  • Größe und Dicke jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind zur Vereinfachung der Beschreibung dargestellt und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente beschränkt.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig zusammengefügt oder miteinander kombiniert werden und können auf technisch verschiedene Weise ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird die vorliegende Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • 1 ist eine schematische Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • In 1 sind zur Vereinfachung der Beschreibung unter verschiedenen Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 nur eine Anzeigetafel PN, ein Gate-Treiber GD, ein Datentreiber DD und ein Zeitvorgabe-Controller TC dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 umfasst die Anzeigevorrichtung 100 eine Anzeigetafel PN mit mehreren Unterpixeln SP, einem Gate-Treiber GD und einem Datentreiber DD, die verschiedene Signale an die Anzeigetafel PN liefern, sowie einen Zeitvorgabe-Controller TC, der den Gate-Treiber GD und den Datentreiber DD steuert.
  • Die Anzeigetafel PN ist eine Konfiguration, die dem Anwender Bilder anzeigt und die mehreren Unterpixel SP umfasst. In der Anzeigetafel PN schneiden sich die mehreren Abtastleitungen SL und die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Unterpixel SP sind jeweils mit den Abtastleitungen SL und den Datenleitungen DL verbunden. Darüber hinaus kann jedes der mehreren Unterpixel SP mit einer Hochspannungsleitung VL1, einer Niederspannungsleitung VL2, einer Referenzleitung VL3 und dergleichen verbunden sein.
  • Die mehreren Unterpixel SP sind eine minimale Einheit, die einen Bildschirm ausbildet, und jedes der mehreren Unterpixel SP umfasst eine Leuchtdiode und eine Pixelschaltung zum Ansteuern der Leuchtdiode. Die mehreren Leuchtdioden können je nach Typ der Anzeigetafel PN auf unterschiedliche Weise definiert sein. Wenn die Anzeigetafel PN beispielsweise eine anorganische lichtemittierende Anzeigetafel ist, kann die Leuchtdiode eine Leuchtdiode (LED) oder eine Mikro-Leuchtdiode (LED) sein.
  • Der Gate-Treiber GD liefert mehrere Abtastsignale SCAN an mehrere Abtastleitungen SL gemäß mehreren Gate-Steuersignalen GCS, die aus dem Zeitvorgabe-Controller TC geliefert werden. Auch wenn in 1 dargestellt ist, dass ein Gate-Treiber GD so angeordnet ist, dass er von einer Seite der Anzeigetafel PN beabstandet ist, ist die Anzahl der Gate-Treiber GD und deren Platzierung jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der Datentreiber DD setzt die aus dem Zeitvorgabe-Controller TC eingegebenen Bilddaten RGB gemäß mehreren aus dem Zeitvorgabe-Controller TC gelieferten Datensteuersignalen DCS unter Verwendung einer Referenz-Gammaspannung in eine Datenspannung Vdata um. Der Datentreiber DD kann die umgesetzte Datenspannung Vdata an die mehreren Datenleitungen DL liefern.
  • Der Zeitvorgabe-Controller TC richtet die von außen eingegebenen RGB-Bilddaten aus, um die Bilddaten an den Datentreiber DD zu liefern. Der Zeitvorgabe-Controller TC kann ein Gate-Steuersignal GCS und ein Datensteuersignal DCS unter Verwendung von Synchronisationssignalen, die von außen eingegeben werden, wie etwa ein Punkttaktsignal, ein Datenfreigabesignal und horizontale/vertikale Synchronisationssignale erzeugen. Darüber hinaus liefert der Zeitvorgabe-Controller TC das erzeugte Gate-Steuersignal GCS und das Datensteuersignal DCS an den Gate-Treiber GD bzw. den Datentreiber DD, um den Gate-Treiber GD und den Datentreiber DD zu steuern.
  • Im Folgenden wird eine Anzeigetafel PN einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genauer beschrieben.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Anzeigetafel, die in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist. In 2 sind zur Vereinfachung der Beschreibung unter den verschiedenen Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 nur ein Substrat 110, mehrere Pixel PX, eine Kontaktstelle und Verdrahtungsleitungen dargestellt.
  • Das Substrat 110 ist eine Komponente zum Tragen verschiedener in der Anzeigetafel PN enthaltener Komponenten und kann aus einem Isoliermaterial bestehen. Beispielsweise kann das Substrat 110 aus Glas oder Harz bestehen. Ferner kann das Substrat 110 so ausgebildet sein, dass es Polymer oder Kunststoff enthält, oder es kann aus einem Material mit Flexibilität ausgebildet sein.
  • Das Substrat 110 ist in einen aktiven Bereich und einen nichtaktiven Bereich unterteilt und der aktive Bereich ist ein Bereich, in dem mehrere Pixel PX zum Anzeigen von Bildern angeordnet sind. Die mehreren Pixel PX können mindestens zwei oder mehr Unterpixel umfassen. Obwohl in den Zeichnungen dargestellt ist, dass die mehreren Pixel PX drei Unterpixel SP1, SP2 und SP3 umfasst, besteht keine Beschränkung darauf. Drei Unterpixel umfassen ein erstes Unterpixel SP1, ein zweites Unterpixel SP2 und ein drittes Unterpixel SP3. Im Folgenden wird jedes Unterpixel von drei Unterpixeln mit SP bezeichnet.
  • Jedes der mehreren Unterpixel SP ist eine einzelne Einheit, die Licht emittiert, und in jedem der mehreren Unterpixel SP sind eine Leuchtdiode 120 und eine Pixelschaltung ausgebildet. Das Einheitspixel mit drei Unterpixeln SP1, SP2 und SP3 umfasst ein rotes Unterpixel, ein grünes Unterpixel und ein blaues Unterpixel oder Unterpixel unter dem roten Unterpixel, dem grünen Unterpixel, dem blauen Unterpixel und dem weißen Unterpixel, die mindestens zweifarbiges Licht emittieren, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das Einheitspixel kann mindestens zwei oder mehr Unterpixel umfassen, die eine Leuchtdiode mit der niedrigsten Effizienz unter einer roten Leuchtdiode, einer grünen Leuchtdiode und einer blauen Leuchtdiode umfassen.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst ein erstes Unterpixel SP1, das rotes Licht emittiert, ein zweites Unterpixel SP2, das grünes Licht emittiert, und ein drittes Unterpixel SP3, das blaues Licht emittiert. Das erste Unterpixel SP1, das zweite Unterpixel SP2 und das dritte Unterpixel SP3 können in Zeilenrichtung parallel angeordnet sein.
  • Wie es oben erwähnt ist, ist der aktive Bereich ein Bereich, in dem mehrere Einheitspixel angeordnet sind, und der nichtaktive Bereich ist ein Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird und in dem die mehreren Einheitspixel nicht angeordnet sind. Das heißt, ein Gate-Treiber GD zum Ansteuern der mehreren Unterpixel SP, die in dem aktiven Bereich angeordnet sind, eine Verdrahtungsleitung und eine Kontaktstelle zum Anlegen von Signalen an Verdrahtungsleitungen sind in dem nichtaktiven Bereich angeordnet.
  • Der Gate-Treiber GD liefert über die Gate-Leitung GL ein Gate-Signal an die mehreren Unterpixel SP. Das Gate-Signal umfasst ein Abtastsignal und ein Emissionssignal. Das Abtastsignal wird über die Abtastleitung SL zugeführt und das Emissionssignal wird über die Emissionsleitung EL zugeführt. Darüber hinaus können die Abtastleitung SL und die Emissionsleitung EL gemeinsam als Gate-Leitungen GL bezeichnet werden.
  • Der Gate-Treiber GD umfasst einen Abtasttreiber, der ein Abtastsignal liefert, und einen Emissionstreiber, der ein Emissionssignal liefert.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist der Gate-Treiber GD in mehrere Bereiche auf dem Substrat 110 unterteilt, so dass er zwischen den mehreren Pixeln PX angeordnet ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Leuchtdiode eine LED (Leuchtdiode oder anorganische Leuchtdiode) sein. Die LED weist eine hervorragende Lichtausbeute auf, so dass die von der LED eingenommene Fläche im Vergleich zu der Fläche des Unterpixels SP sehr klein sein kann. Dementsprechend sind in jedem Unterpixel SP eine LED und eine Pixelschaltung zum Ansteuern der LED angeordnet und der Gate-Treiber GD kann in dem nichtaktiven Bereich in mindestens einem Unterpixel SP oder mindestens jedem Einheitspixel angeordnet sein.
  • Der Gate-Treiber GD von 2 ist alle zwei Einheitspixel angeordnet, um den Unterpixeln SP, die in derselben Zeile wie der Gate-Treiber GD angeordnet sind, ein Gate-Signal zuzuführen. Beispielsweise kann der Gate-Treiber GD zwischen einem Unterpixel mit blauer Emission und einem Unterpixel mit roter Emission angeordnet sein. Allerdings ist er nicht darauf beschränkt und in manchen Fällen kann die Anordnungsdichte des Gate-Treibers GD variieren.
  • Darüber hinaus sind ein Abtasttreiber und ein Emissionstreiber, die in dem Gate-Treiber GD enthalten sind, in derselben Zeile angeordnet, können jedoch in unterschiedlichen Bereichen angeordnet sein.
  • Der Datentreiber DD setzt Bilddaten in ein Datensignal um und liefert das umgesetzte Datensignal über die Datenleitung DL an das Unterpixel SP. Der Datentreiber DD kann auf einer Rückfläche des Substrats 110 oder auf einem separaten Substrat ausgebildet sein. Wenn der Datentreiber DD auf einer Oberfläche eines separaten Substrats ausgebildet ist, können die andere Oberfläche, auf der der Datentreiber DD nicht ausgebildet ist, und eine Rückfläche des Substrats 110 so verbunden sein, dass sie einander gegenüberliegen. Um die Vorderfläche und die Rückfläche des Substrats 110 elektrisch zu verbinden oder die Vorderfläche des Substrats 110 und die andere Oberfläche des separaten Substrats elektrisch zu verbinden, ist eine Seitenleitung auf einer Seitenfläche des Substrats 110 oder einem von Dem Substrat 110 getrennten Substrat angeordnet. Dementsprechend kann der Datentreiber, der auf der Rückfläche des Substrats 110 oder auf der anderen Oberfläche des separaten Substrats angeordnet ist, über die Seitenleitung ein Datensignal an das Unterpixel SP liefern.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Gate-Treiber GD zwischen benachbarten Einheitspixeln auf dem Substrat 110 angeordnet sein. Er ist jedoch nicht darauf beschränkt und der Gate-Treiber GD kann auf einer Seite oder auf beiden Seiten des Substrats 110 angeordnet sein.
  • Indes ist die Gate-Leitung GL in Zeilenrichtung auf dem Substrat 110 angeordnet und die Datenleitung DL kann in Spaltenrichtung angeordnet sein. Die Gate-Leitung GL und die Datenleitung DL sind in allen Unterpixeln SP angeordnet, um Signale an die in dem Unterpixel SP angeordnete Pixelschaltung zu liefern.
  • Kontaktstellenbereiche PA1 und PA2, in denen Kontaktstellen angeordnet sind, sind auf beiden Seiten des Substrats 110, das heißt über und unter dem Substrat 110 in der Spaltenrichtung, ausgebildet. In diesem Fall wird der über dem Substrat 110 ausgebildete Kontaktstellenbereich als erster Kontaktstellenbereich PA1 und der unter dem Substrat 110 ausgebildete Kontaktstellenbereich als zweiter Kontaktstellenbereich PA2 bezeichnet. In dem Substrat 110 liegen der erste Kontaktstellenbereich PA1 und der zweite Kontaktstellenbereich PA2 einander gegenüber.
  • In dem ersten Kontaktstellenbereich PA1 können eine Datenkontaktstelle DP, die mit der Datenleitung DL verbunden ist, eine Gate-Kontaktstelle GP, die mit dem Gate-Treiber GD verbunden ist, eine Hochpotential-Spannungskontaktstelle VP1, die mit einer Hochpotential-Spannungsleitung VL1 verbunden ist, und eine Referenzspannungskontaktstelle VP3, die mit einer Referenzspannungsleitung VL3 verbunden ist, angeordnet sein. In diesem Fall ist die Datenkontaktstelle in der gleichen Anzahl wie die Anzahl der Unterpixel SP, die in dem Einheitspixel enthalten sind, angeordnet.
  • In dem Gate-Treiber GD sind eine Verdrahtungsleitung, die verschiedene Taktsignale liefert, eine Verdrahtungsleitung, die eine Gate-Niederspannung liefert, und eine Verdrahtungsleitung, die eine Gate-Hochspannung liefert, zum Übertragen von Signalen angeordnet. Die Gate-Treiber GD sind in Spaltenrichtung parallel angeordnet, so dass Verdrahtungsleitungen, die Signale an den Gate-Treiber GD übertragen, nach dem Gate-Treiber GD ausgerichtet sind. Die Verdrahtungsleitungen, die Signale an den Gate-Treiber GD übertragen, werden als Gate-Ansteuerleitungen GDSL bezeichnet und die Gate-Ansteuerleitungen GDSL sind in Spaltenrichtung angeordnet und mit der Gate-Kontaktstelle GP verbunden, die in dem ersten Kontaktstellenbereich PA1 angeordnet ist, um ein Signal aus der Gate-Kontaktstelle GP zugeführt zu bekommen.
  • Die Hochpotential-Spannungsleitung VL1 kann in Spaltenrichtung für jedes Einheitspixel oder jedes Unterpixel SP angeordnet sein. Obwohl in den Zeichnungen dargestellt ist, dass die Hochpotential-Spannungsleitungen in jedem Einheitspixel PX auf der linken/rechten Seite angeordnet sind, besteht keine Beschränkung darauf. Die Hochpotential-SpannungsleitungVLl, die in Spaltenrichtung angeordnet ist, liefert über ein Hochpotential-Spannungskontaktstelle VP1 in dem ersten Kontaktstellenbereich PA1 eine Hochpotentialspannung an die mehreren Unterpixel SP. Die mehreren Hochpotential-Spannungsleitungen VL1, die in Spaltenrichtung angeordnet sind, sind mit Hilfs-Hochpotential-Spannungsleitungen AVL1, die in Zeilenrichtung angeordnet sind, so verbunden, dass sie eine Netzstruktur bilden. Eine Hilfs-Hochpotential-Spannungsleitung AVL1 kann in jeder Zeile, in der das Unterpixel SP angeordnet ist, oder alle mehreren Zeilen angeordnet sein. Die Hilfs-Hochpotential-Spannungsleitung AVL1 unterdrückt den Spannungsabfall der Hochpotential-Spannungsleitung VL1 und kann den mehreren Unterpixeln SP eine Hochpotentialspannung zuführen.
  • In dem zweiten Kontaktstellenbereich PA2 kann eine Niederpotential-Spannungskontaktstelle VP2 angeordnet sein, die mit der Niederpotential-Spannungsleitung verbunden ist. In diesem Fall wird eine Anordnungsleitung AL zur Selbstanordnung der Leuchtdiode nach der Anordnung der Leuchtdiode als Niederpotential-Spannungsleitung verwendet.
  • In jedem Unterpixel SP können zwei Anordnungsleitungen AL in Spaltenrichtung angeordnet sein. Die Anordnungsleitung AL umfasst eine erste Anordnungsleitung 122 und eine zweite Anordnungsleitung 123. Die in Spaltenrichtung angeordnete Anordnungsleitung AL versorgt die mehreren Unterpixel SP über eine Niederpotential-Spannungskontaktstelle VP2 in dem zweiten Kontaktstellenbereich mit einer Niederpotentialspannung PA2. Mehrere Niederpotential-Spannungskontaktstellen VP2 sind angeordnet und können in mindestens j eder zweiten Anordnungsleitung angeordnet sein.
  • Die mehreren Anordnungsleitungen AL, die in Spaltenrichtung angeordnet sind, werden mit der Hilfs-Niederpotential-Spannungsleitung AAL verbunden, die in Zeilenrichtung angeordnet ist, bevor sie mit der Niederpotential-Spannungskontaktstelle VP2 verbunden werden. Obwohl in der Zeichnung die Hilfs-Niederpotential-Spannungsleitung AAL nur auf einer Seitenfläche des Substrats 110 dargestellt ist, ist sie nicht darauf beschränkt und kann auf mindestens einer Seitenfläche des Substrats 110 angeordnet sein. Darüber hinaus können Verdrahtungsleitungen zum Verbinden der mehreren Anordnungsleitungen AL in der Zeilenrichtung in jeder Zeile oder alle mehreren Zeilen angeordnet sein, in denen das Unterpixel SP angeordnet ist. Dementsprechend unterdrückt die Hilfs-Niederpotential-Spannungsleitung AAL den Spannungsabfall der Anordnungsleitung AL und kann den mehreren Unterpixeln SP eine Niederpotentialspannung zuführen.
  • Die Referenzspannungsleitung VL3 kann in der Spaltenrichtung in jedem Einheitspixel angeordnet sein, das in der Zeilenrichtung angeordnet ist. Die in Spaltenrichtung angeordnete Referenzspannungsleitung VL3 liefert die Referenzspannung über eine separat angeordnete Zeilenrichtungsleitung an das Einheitspixel. Die Referenzspannungsleitung VL3 ist mit der Referenzspannungskontaktstelle VP3 verbunden, die in dem ersten Kontaktstellenbereich PA1 angeordnet ist, und die Referenzspannung wird über die Referenzspannungskontaktstelle VP3 an die mehreren Referenzspannungsleitungen VL3 geliefert.
  • Die Anzeigetafel PN, die in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, kann den Rand des Substrats 110 abschleifen und entfernen, um die Einfassung zu reduzieren. Die Einfassung ist ein Randbereich des Substrats 110, in dem das Unterpixel SP nicht angeordnet ist. Wenn der Rand geschliffen wird, werden Teile der Kontaktstelle und der Verdrahtungsleitung, die an dem Rand des Substrats 110 angeordnet sind, entfernt und die Größe des Substrats 110 wird reduziert, um die Anzeigetafel PN mit einer Größe eines endgültigen Substrats 110F zu implementieren.
  • Insbesondere werden die meisten der in dem ersten Kontaktstellenbereich PA1 und in dem zweiten Kontaktstellenbereich PA2 angeordneten Kontaktstellen aus dem endgültigen Substrat 110F entfernt, so dass nur ein Teil der Kontaktstellen oder eine Spur davon übrig bleiben kann.
  • Im Folgenden werden die mehreren Unterpixel SP anhand von 2 zusammen näher beschrieben.
  • 3 ist eine vergrößerte Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Leitungen A-A' und B-B' von 3. 5 ist eine Querschnittsansicht entlang der Leitungen A-A' und C-C' von 3. Unter Bezugnahme auf 3 umfasst jedes der mehreren Unterpixel SP einen ersten Transistor T1, einen zweiten Transistor T2, einen dritten Transistor T3, einen Speicherkondensator Cst und eine oder mehrere Leuchtdioden LED. In 3 ist zur Vereinfachung der Zeichnung die Schraffur der ersten Mantelschicht 122b, der zweiten Mantelschicht 123b, der Pixelelektrode PE und der Leuchtdiode LED weggelassen und die Kontaktelektrode CE ist nicht dargestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 3 und 4 umfassen die mehreren Unterpixel SP ein erstes Unterpixel SP1, ein zweites Unterpixel SP2 und ein drittes Unterpixel SP3. Das erste Unterpixel SP1, das zweite Unterpixel SP2 und das dritte Unterpixel SP3 umfassen jeweils eine Leuchtdiode LED und eine Pixelschaltung, um unabhängig Licht zu emittieren. Beispielsweise ist das erste Unterpixel SP1 ein rotes Unterpixel, das zweite Unterpixel SP2 ein grünes Unterpixel und das dritte Unterpixel SP3 ein blaues Unterpixel, es besteht jedoch keine Beschränkung hierauf.
  • Die Anzeigetafel PN umfasst ein Substrat 110, eine Pufferschicht 111, eine Gate-Isolierschicht 112, eine Zwischenschicht-Isolierschicht 113, eine erste Passivierungsschicht 114, eine erste Planarisierungsschicht 115, eine zweite Passivierungsschicht 116, eine dritte Passivierungsschicht 117 und eine zweite Planarisierungsschicht 118.
  • Eine Hochpotential-Leistungsleitung VL1, mehrere Datenleitungen DL, eine Referenzleitung VL3, eine Anordnungsleitung AL, eine Lichtabschirmungsschicht LS und eine erste Kondensatorelektrode SC1 sind auf dem Substrat 110 angeordnet.
  • Die Hochpotential-Leistungsleitung VL1 ist eine Verdrahtungsleitung, die eine Hochpotential-Leistungsspannung an jedes der mehreren Unterpixel SP überträgt. Die mehreren Hochpotential-Leistungsleitungen VL1 können die Hochpotential-Leistungsspannung an einen zweiten Transistor T2 jedes der mehreren Unterpixel SP übertragen. Die Hochpotential-Leistungsleitung VL1 kann sich entlang einer Spaltenrichtung zwischen den mehreren Unterpixeln SP erstrecken. Beispielsweise kann die Hochpotential-Leistungsleitung VL1 entlang einer Spaltenrichtung zwischen dem ersten Unterpixel SP1 und dem dritten Unterpixel SP3 angeordnet sein. Darüber hinaus kann die Hochpotential-Leistungsleitung VL1 über die weiter unten beschriebene Hochpotential-Leistungsleitung AVL1 eine Hochpotential-Leistungsspannung an jedes der mehreren in Zeilenrichtung angeordneten Unterpixel SP übertragen. In diesem Fall kann die Hochpotential-Leistungsleitung VL1 als erste Leistungsleitung bezeichnet werden. Darüber hinaus kann die Spaltenrichtung als erste Richtung und die Zeilenrichtung als zweite Richtung bezeichnet werden.
  • Die mehreren Datenleitungen DL sind Verdrahtungsleitungen, die die Datenspannung Vdata an jedes der mehreren Unterpixel SP übertragen. Die mehreren Datenleitungen DL können mit dem ersten Transistor T1 jedes der mehreren Unterpixel SP verbunden sein. Die mehreren Datenleitungen DL können sich entlang einer Spaltenrichtung zwischen den mehreren Unterpixeln SP erstrecken. Beispielsweise überträgt eine Datenleitung DL, die sich in Spaltenrichtung zwischen dem ersten Unterpixel SP1 und der Hochpotential-Leistungsleitung VL1 erstreckt, eine Datenspannung Vdata an das erste Unterpixel SP1. Eine Datenleitung DL, die zwischen dem ersten Unterpixel SP1 und dem zweiten Unterpixel SP2 angeordnet ist, überträgt eine Datenspannung Vdata an das zweite Unterpixel SP2. Ferner kann eine Datenleitung DL, die zwischen dem dritten Unterpixel SP3 und der Hochpotential-Leistungsleitung VL1 angeordnet ist, eine Datenspannung Vdata an das dritte Unterpixel SP3 übertragen.
  • Die Referenzleitung VL3 ist eine Verdrahtungsleitung, die eine Referenzspannung an die mehreren Unterpixel SP überträgt. Die Referenzleitung VL3 kann mit dem dritten Transistor T3 jedes der mehreren Unterpixel SP verbunden sein. Die Referenzleitung VL3 kann sich entlang der Spaltenrichtung zwischen den mehreren Unterpixeln SP erstrecken. Beispielsweise kann sich die Referenzleitung VL3 entlang der Spaltenrichtung zwischen dem zweiten Unterpixel SP2 und dem dritten Unterpixel SP3 erstrecken. Ferner erstreckt sich eine dritte Drain-Elektrode DE3 des dritten Transistors T3 jeweils des ersten Unterpixels SP1, des zweiten Unterpixels SP2 und des dritten Unterpixels SP3, die zu der Referenzleitung VL3 benachbart sind, so in Zeilenrichtung, dass er mit der Referenzleitung VL3 elektrisch verbunden ist. In diesem Fall kann die Referenzspannungsleitung VL3 als dritte Leistungsleitung bezeichnet werden.
  • Die Lichtabschirmungsschicht LS ist auf dem Substrat 110 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Lichtabschirmungsschicht LS blockiert Licht, das aus dem unteren Abschnitt des Substrats 110 auf den Transistor einfällt, um einen Leckstrom zu minimieren. Beispielsweise kann die Lichtabschirmungsschicht LS Licht blockieren, das auf eine zweite aktive Schicht ACT2 des zweiten Transistors T2 einfällt, der ein Ansteuertransistor ist.
  • In jedem der mehreren Unterpixel SP ist eine erste Kondensatorelektrode SC1 auf dem Substrat 110 angeordnet. Die erste Kondensatorelektrode SC1 kann zusammen mit der anderen Kondensatorelektrode einen Speicherkondensator Cst bilden. Die erste Kondensatorelektrode SC1 kann einstückig mit der Lichtabschirmungsschicht LS ausgebildet sein.
  • Die Pufferschicht 111 ist auf der Hochpotential-Leistungsleitung VL1, den mehreren Datenleitungen DL, der Referenzleitung VL3, der Lichtabschirmungsschicht LS und der ersten Kondensatorelektrode SC1 angeordnet. Die Pufferschicht 111 kann das Eindringen von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen durch das Substrat 110 hindurch verringern. Die Pufferschicht 111 kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist j edoch nicht darauf beschränkt. Je nach Art des Substrats 110 oder Art des Transistors kann die Pufferschicht 111 jedoch weggelassen werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • Zunächst wird der erste Transistor T1 auf der Pufferschicht 111 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Der erste Transistor T1 ist ein Transistor, der eine Datenspannung Vdata an die zweite Gate-Elektrode GE2 des zweiten Transistors T2 überträgt. Der erste Transistor T1 kann durch ein Abtastsignal aus der Abtastleitung SL eingeschaltet werden und eine Datenspannung Vdata aus der Datenleitung DL kann über den eingeschalteten ersten Transistor T1 an die zweite Gate-Elektrode GE2 des zweiten Transistors T2 übertragen werden. Dementsprechend kann der erste Transistor T1 als Schalttransistor bezeichnet werden.
  • Der erste Transistor T1 umfasst eine erste aktive Schicht ACT1, eine erste Gate-Elektrode GE1, eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1.
  • Die erste aktive Schicht ACT1 ist auf der Pufferschicht 111 angeordnet. Die erste aktive Schicht ACT1 kann aus einem Halbleitermaterial wie etwa einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 112 ist auf der ersten aktiven Schicht ACT1 angeordnet. Die Gate-Isolierschicht 112 ist eine Isolierschicht, die die erste aktive Schicht ACT1 von der ersten Gate-Elektrode GE1 isoliert und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Gate-Elektrode GE1 ist auf der Gate-Isolierschicht 112 angeordnet. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann mit der Abtastleitung SL elektrisch verbunden sein. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ist auf der ersten Gate-Elektrode GE1 angeordnet. In der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ist ein Kontaktloch ausgebildet, um die Verbindung der ersten Source-Elektrode SE1 und der ersten Drain-Elektrode DE1 mit der ersten aktiven Schicht ACT1 zu ermöglichen. Die Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ist eine Isolierschicht, die Komponenten unter der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 schützt, und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist j edoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1, die mit der ersten aktiven Schicht ACT1 elektrisch verbunden sind, sind auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die erste Drain-Elektrode DE1 kann mit der Datenleitung DL und der ersten aktiven Schicht ACT1 verbunden sein und die erste Source-Elektrode SE1 kann mit der ersten aktiven Schicht ACT1 und der zweiten Gate-Elektrode GE2 des zweiten Transistors T2 verbunden sein. Die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 können aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der zweite Transistor T2 ist auf der Pufferschicht 111 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Der zweite Transistor T2 ist ein Transistor, der der Leuchtdiode LED einen Ansteuerstrom zuführt. Der zweite Transistor T2 wird eingeschaltet, um den Strom zu steuern, der zu der Leuchtdiode LED fließt. Dementsprechend kann der zweite Transistor T2, der den Ansteuerstrom steuert, als Ansteuertransistor bezeichnet werden.
  • Der zweite Transistor T2 umfasst eine zweite aktive Schicht ACT2, eine zweite Gate-Elektrode GE2, eine zweite Source-Elektrode SE2 und eine zweite Drain-Elektrode DE2.
  • Die zweite aktive Schicht ACT2 ist auf der Pufferschicht 111 angeordnet. Die zweite aktive Schicht ACT2 kann aus einem Halbleitermaterial wie etwa einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 112 ist auf der zweiten aktiven Schicht ACT2 angeordnet und die zweite Gate-Elektrode GE2 ist auf der Gate-Isolierschicht 112 angeordnet. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann mit der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors T1 elektrisch verbunden sein. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2 kann je nach Typ der Leuchtdiode LED, die mit dem zweiten Transistor T2 verbunden ist, variieren. In diesem Fall bezieht sich ein Typ der Leuchtdiode LED auf einen Typ des zu emittierenden Lichts, so dass die Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2 entsprechend einer roten Leuchtdiode, einer grünen Leuchtdiode und einer blauen Leuchtdiode variiert. Je größer die Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2 ist, desto größer ist die Größe des Ansteuerstroms, so dass die Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2 entsprechend dem Wirkungsgrad der Leuchtdiode LED bestimmt werden kann.
  • Beispielsweise ist in 3 eine Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2, die in dem ersten Unterpixel SP1 angeordnet ist, am größten, eine Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2, die in dem zweiten Unterpixel SP2 angeordnet ist, kleiner als die Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2, die in dem ersten Unterpixel SP1 angeordnet ist. Ferner ist eine Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2, die in dem dritten Unterpixel SP3 angeordnet ist, kleiner als die Größe der zweiten aktiven Schicht ACT2, die in dem zweiten Unterpixel SP2 angeordnet ist. In diesem Fall ist eine in dem ersten Unterpixel SP1 angeordnete Leuchtdiode LED eine rote Leuchtdiode, eine in dem zweiten Unterpixel SP2 angeordnete Leuchtdiode LED eine grüne Leuchtdiode und eine in dem dritten Unterpixel SP3 angeordnete Leuchtdiode LED eine blaue Leuchtdiode, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • Die Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ist auf der zweiten Gate-Elektrode GE2 angeordnet und die zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Drain-Elektrode DE2, die elektrisch mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 verbunden sind, sind auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die zweite Drain-Elektrode DE2 ist mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 und der Hochpotential-Leistungsleitung VL1 elektrisch verbunden und die zweite Source-Elektrode SE2 ist mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 und der Leuchtdiode LED elektrisch verbunden. Die zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Drain-Elektrode DE2 können aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der dritte Transistor T3 ist auf der Pufferschicht 111 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Der dritte Transistor T3 ist ein Transistor zur Kompensation einer Schwellenspannung des zweiten Transistors T2. Der dritte Transistor T3 ist zwischen die zweite Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 und die Referenzleitung VL3 geschaltet. Der dritte Transistor T3 wird eingeschaltet, um die Referenzspannung an die zweite Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 zu übertragen, um eine Schwellenspannung des zweiten Transistors T2 zu erfassen. Dementsprechend kann der dritte Transistor T3, der eine Charakteristik des zweiten Transistors T2 erfasst, als Erfassungstransistor bezeichnet werden.
  • Der dritte Transistor T3 umfasst eine dritte aktive Schicht ACT3, eine dritte Gate-Elektrode GE3, eine dritte Source-Elektrode SE3 und eine dritte Drain-Elektrode DE3.
  • Die dritte aktive Schicht ACT3 ist auf der Pufferschicht 111 angeordnet. Die dritte aktive Schicht ACT3 kann aus einem Halbleitermaterial wie etwa einem Oxidhalbleiter, amorphem Silicium oder Polysilicium ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolierschicht 112 ist auf der dritten aktiven Schicht ACT3 angeordnet und die dritte Gate-Elektrode GE3 ist auf der Gate-Isolierschicht 112 angeordnet. Die dritte Gate-Elektrode GE3 kann mit der Abtastleitung SL elektrisch verbunden sein. Die dritte Gate-Elektrode GE3 kann aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ist auf der dritten Gate-Elektrode GE3 angeordnet und die dritte Source-Elektrode SE3 und die dritte Drain-Elektrode DE3, die mit der dritten aktiven Schicht ACT3 elektrisch verbunden sind, sind auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann mit der dritten aktiven Schicht ACT3 und der Referenzleitung RL elektrisch verbunden sein und die dritte Source-Elektrode SE3 kann mit der dritten aktiven Schicht ACT3 und der zweiten Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 elektrisch verbunden sein. Die dritte Source-Elektrode SE3 und die dritte Drain-Elektrode DE3 können aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, sind j edoch nicht darauf beschränkt.
  • Sowohl der erste Transistor T1 als auch der dritte Transistor T3, die in 3 dargestellt sind, sind Transistoren, die mit der Abtastleitung SL verbunden sind, um gesteuert zu werden, sind aber nicht darauf beschränkt und die Pixelschaltung kann Transistoren umfassen, die mit einer Emissionsleitung EL verbunden sind.
  • Als Nächstes ist die zweite Kondensatorelektrode SC2 auf der Gate-Isolierschicht 112 angeordnet. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist eine der Elektroden, die den Speicherkondensator Cst bilden, und kann so angeordnet sein, dass sie die erste Kondensatorelektrode SC1 überlappt. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist einstückig mit der zweiten Gate-Elektrode GE2 des zweiten Transistors T2 ausgebildet, so dass sie mit der zweiten Gate-Elektrode GE2 elektrisch verbunden ist. Die erste Kondensatorelektrode SC1 und die zweite Kondensatorelektrode SC2 können so angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind, wobei die Pufferschicht 111 und die Gate-Isolierschicht 112 dazwischen liegen.
  • Ferner sind die mehreren Abtastleitungen SL, eine Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung AVL1, eine erste untere Anordnungselektrode 121 und eine dritte Kondensatorelektrode SC3 auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet.
  • Zunächst ist die Abtastleitung SL eine Verdrahtungsleitung, die das Abtastsignal SCAN an die mehreren Unterpixel SP überträgt. Die Abtastleitung SL kann sich in Zeilenrichtung erstrecken, wobei sie die mehreren Unterpixel SP durchquert. Die Abtastleitung SL kann mit der ersten Gate-Elektrode GE1 des ersten Transistors T1 und der dritten Gate-Elektrode GE3 des dritten Transistors T3 jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch verbunden sein.
  • Die Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung AVL1 ist auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung AVL1 erstreckt sich in Zeilenrichtung so, dass sie die mehreren Unterpixel SP durchquert. Die Hilfs-Hochpotential-Leistungsleitung AVL1 kann mit der Hochpotential-Leistungsleitung VL1, die sich in Spaltenrichtung erstreckt, und mit der zweiten Drain-Elektrode DE2 des zweiten Transistors T2 jedes der mehreren Unterpixel SP, die entlang der Zeilenrichtung angeordnet sind, elektrisch verbunden sein.
  • Die erste untere Anordnungselektrode 121 ist auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die erste untere Anordnungselektrode 121 kann teilweise in einem Bereich des Unterpixels SP ausgebildet sein, der die Leuchtdiode LED überlappt. Die erste untere Anordnungselektrode 121 ist so angeordnet, dass sie die Leuchtdiode LED und die zweite Anordnungsleitung 123, die weiter unten beschrieben ist, überlappt und ist mit der zweiten Anordnungsleitung 123 elektrisch verbunden. Die erste untere Anordnungselektrode 121 ist eine in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnete Komponente und wird nicht mit den anderen Unterpixeln SP gemeinsam genutzt.
  • Die dritte Kondensatorelektrode SC3 ist auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 angeordnet. Die dritte Kondensatorelektrode SC3 ist eine Elektrode, die den Speicherkondensator Cst bildet, und kann so angeordnet sein, dass sie die erste Kondensatorelektrode SC 1 und die zweite Kondensatorelektrode SC2 überlappt. Die dritte Kondensatorelektrode SC3 ist einstückig mit der zweiten Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 so ausgebildet, dass sie mit der zweiten Source-Elektrode SE2 elektrisch verbunden ist. Ferner kann die zweite Source-Elektrode SE2 durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 und der Pufferschicht 111 ausgebildet ist, mit der ersten Kondensatorelektrode SC1 elektrisch verbunden sein. Daher können die erste Kondensatorelektrode SC1 und die dritte Kondensatorelektrode SC3 mit der zweiten Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 elektrisch verbunden sein.
  • Der Speicherkondensator Cst speichert eine Potentialdifferenz zwischen der zweiten Gate-Elektrode GE2 und der zweiten Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2, während die Leuchtdiode LED Licht emittiert, so dass der Leuchtdiode LED ein konstanter Strom zugeführt wird. Der Speicherkondensator Cst umfasst die erste Kondensatorelektrode SC1, die zweite Kondensatorelektrode SC2 und die dritte Kondensatorelektrode SC3, um eine Spannung zwischen der zweiten Gate-Elektrode GE2 und der zweiten Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 zu speichern. Die erste Kondensatorelektrode SC1 ist auf dem Substrat 110 ausgebildet und mit der zweiten Source-Elektrode SE2 verbunden, und die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist auf der Pufferschicht 111 und der Gate-Isolierschicht 112 ausgebildet und mit der zweiten Gate-Elektrode GE2 verbunden. Die dritte Kondensatorelektrode SC3 ist auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ausgebildet und mit der zweiten Source-Elektrode SE2 verbunden.
  • Die erste Passivierungsschicht 114 ist auf dem ersten Transistor T1, dem zweiten Transistor T2, dem dritten Transistor T3 und dem Speicherkondensator Cst angeordnet. Die erste Passivierungsschicht 114 ist eine Isolierschicht, die Komponenten unter der ersten Passivierungsschicht 114 schützt, und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 ist auf der ersten Passivierungsschicht 114 angeordnet. Die erste Planarisierungsschicht 115 kann einen oberen Abschnitt des Substrats 110 planarisieren, auf dem die mehreren Transistoren T1, T2 und T3 und der Speicherkondensator Cst angeordnet sind. Die erste Planarisierungsschicht 115 kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht bestehen und beispielsweise aus Photolack oder einem organischen Material auf Acrylbasis bestehen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Planarisierungsschicht 115 und die erste Passivierungsschicht 114 umfassen eine Anordnungsnut LH1 zum Anordnen der Leuchtdiode LED. Die erste Planarisierungsschicht 115 und die erste Passivierungsschicht 114 legen einen Teil der ersten unteren Anordnungselektrode 121 frei und bedecken gleichzeitig einen Rand der ersten unteren Anordnungselektrode 121. Die Anordnungsnut LH1 ist ein Bereich, der durch Entfernen der ersten Planarisierungsschicht 115 und der ersten Passivierungsschicht 114 ausgebildet wird und ein Teil der ersten unteren Anordnungselektrode 121 sowie ein Teil der Zwischenschicht-Isolierschicht werden freigelegt. Die Anordnungsnut LH1 kann so ausgebildet sein, dass sie die gleiche Form wie die in der Anordnungsnut LH1 angeordnete Leuchtdiode LED aufweist. Eine Größe der Anordnungsnut LH1 ist ungefähr gleich oder größer als die Größe der Leuchtdiode LED, so dass die Leuchtdiode LED in der Anordnungsnut LH1 angeordnet wird.
  • Die zweite Passivierungsschicht 116 ist auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet. Insbesondere ist die zweite Passivierungsschicht 116 nicht nur auf der ersten Planarisierungsschicht 115, sondern auch auf der ersten unteren Anordnungselektrode 121 und der Zwischenschicht-Isolierschicht 114 angeordnet, die in der Anordnungsnut LH1 angeordnet sind. Die zweite Passivierungsschicht 116 ist eine Isolierschicht, die Komponenten unter der zweiten Passivierungsschicht 116 schützt, und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Verbindungselektrode 120, die mehreren ersten Anordnungsleitungen 122 und die mehreren zweiten Anordnungsleitungen 123 sind auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet.
  • Zunächst ist die Verbindungselektrode 120 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Verbindungselektrode 120 ist eine Elektrode, die den zweiten Transistor T2 und die Pixelelektrode PE elektrisch verbindet. Die Verbindungselektrode 120 kann über ein in der zweiten Passivierungsschicht 116, der ersten Planarisierungsschicht 115 und der ersten Passivierungsschicht 114 ausgebildetes elektrisch mit der zweiten Source-Elektrode SE2 Kontaktloch verbunden sein, die auch als dritte Kondensatorelektrode SC3 dient.
  • Die Verbindungselektrode 120 kann eine doppelschichtige Struktur aufweisen, die aus einer ersten Verbindungsschicht 120a und einer zweiten Verbindungsschicht 120b ausgebildet ist. Die erste Verbindungsschicht 120a ist auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet und die zweite Verbindungsschicht 120b, die die erste Verbindungsschicht 120a bedeckt, ist angeordnet. Die zweite Verbindungsschicht 120b kann so angeordnet sein, dass sie die Gesamtheit der oberen Oberfläche und der Seitenflächen der ersten Verbindungsschicht 120a umschließt. Die zweite Verbindungsschicht 120b besteht aus einem Material, das korrosionsbeständiger ist als das der ersten Verbindungsschicht 120a, so dass bei der Herstellung der Anzeigevorrichtung 100 der Kurzschlussdefekt aufgrund der Migration zwischen der ersten Verbindungsschicht 120a und der benachbarten Verdrahtungsleitung minimiert werden kann. Beispielsweise ist die erste Verbindungsschicht 120a aus einem leitfähigen Material wie Kupfer (Cu) oder Chrom (Cr) ausgebildet und die zweite Verbindungsschicht 120b aus Molybdän (Mo) oder Titan-Molybdän (MoTi) ausgebildet, sie sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Mehrere Anordnungsleitungen AL sind auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet. Insbesondere sind die mehreren Anordnungsleitungen AL auf der ersten Planarisierungsschicht 115 angeordnet, die in der Umgebung der Anordnungsnut LH1 angeordnet ist. Bei den mehreren Anordnungsleitungen AL handelt es sich um Verdrahtungsleitungen, die eine Niederpotential-Leistungsspannung an die Leuchtdiode LED übertragen. Die mehreren Anordnungsleitungen AL können sich in der Spaltenrichtung in jedem der mehreren Unterpixel SP erstrecken. Beispielsweise kann ein Paar Anordnungsleitungen AL, die in einem vorbestimmten Abstand zueinander beabstandet sind, jeweils in dem ersten Unterpixel SP1, in dem zweiten Unterpixel SP2 und in dem dritten Unterpixel SP3 angeordnet sein. Ein Paar Anordnungsleitungen AL kann eine erste Anordnungsleitung 122 und eine zweite Anordnungsleitung 123 umfassen. Die erste Anordnungsleitung 122 und die zweite Anordnungsleitung 123 sind so angeordnet, dass sie die erste untere Anordnungselektrode 121 überlappen. In 4 ist zwar dargestellt, dass die zweite Anordnungsleitung 123 so angeordnet ist, dass sie die erste untere Anordnungselektrode 121 überlappt, es besteht jedoch keine Beschränkung darauf.
  • Jede der mehreren Anordnungsleitungen AL umfasst eine leitende Schicht und eine Mantelschicht. Die leitende Schicht ist auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet und die Mantelschicht, die die Gesamtheit der oberen Oberfläche und der Seitenflächen der leitenden Schicht bedeckt, ist auf der leitenden Schicht angeordnet. Insbesondere sind eine erste leitende Schicht 122a und eine zweite leitende Schicht 123a auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet, und eine erste Mantelschicht 122b und eine zweite Mantelschicht 123b sind auf der ersten leitenden Schicht 122a und der zweiten leitenden Schicht 123a angeordnet. Beispielsweise können die erste leitende Schicht 122a und die zweite leitende Schicht 123a aus einem leitfähigen Material wie etwa Kupfer (Cu) und Chrom (Cr) ausgebildet sein. Ferner sind die erste Mantelschicht 122b und die zweite Mantelschicht 123b aus einem Material, das korrosionsbeständiger ist als die erste leitende Schicht 122a und die zweite leitende Schicht 123a, beispielsweise Molybdän (Mo) oder Titanmolybdän (MoTi) ausgebildet, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Insbesondere ist die erste Mantelschicht 122b auf einer Seitenfläche der ersten Planarisierungsschicht 115 und in der Anordnungsnut LH1 angeordnet und bedeckt gleichzeitig die obere Oberfläche und die Seitenflächen der ersten leitenden Schicht 122a. Die erste Mantelschicht 122b, die in der Anordnungsnut LH1 angeordnet ist, überlappt die Leuchtdiode LED. Die erste Mantelschicht 122b, die auf der Seitenfläche der ersten Planarisierungsschicht 115 und in der Anordnungsnut LH1 angeordnet ist, bedeckt möglicherweise die Seitenfläche der ersten Planarisierungsschicht 115 und die Innenseite der Anordnungsnut LH1 nicht vollständig, ist aber möglicherweise nur in einem Bereich angeordnet, der weniger als der Hälfte davon entspricht. Ferner bedeckt die zweite Mantelschicht 123b die obere Oberfläche und die Seitenflächen der zweiten leitenden Schicht 123a, ist jedoch nicht auf einer Seitenfläche der ersten Planarisierungsschicht 115 und einer Innenseite der Anordnungsnut LH1 angeordnet.
  • Die erste Mantelschicht 122b und die erste untere Anordnungselektrode 121, die in der Anordnungsnut LH1 angeordnet sind, sind auf unterschiedlichen Schichten angeordnet, so dass ein Abstand zwischen der ersten Mantelschicht 122b und der ersten unteren Anordnungselektrode 121 verringert werden kann. Um die Leuchtdiode LED anzuordnen, wird die Intensität des elektrischen Feldes erhöht, um das Anordnungsvermögen zu verbessern, da der Abstand zwischen den in der Anordnungsnut LH1 angeordneten Anordnungselektroden schmal ist. Wenn die erste Mantelschicht 122b und die erste untere Anordnungselektrode 121 auf derselben Schicht angeordnet sind, wird eine Verringerung des Abstands zwischen der ersten Mantelschicht 122b und der ersten unteren Anordnungselektrode 121 eingeschränkt. Dementsprechend sind in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Mantelschicht 122b und die erste untere Anordnungselektrode 121, die in der Anordnungsnut LH1 ausgebildet sind, um ein elektrisches Feld zu bilden, auf unterschiedlichen Schichten angeordnet. Daher kann das Anordnungsvermögen zum Anordnen der Leuchtdiode LED verbessert werden.
  • Die zweite leitende Schicht 123a, die in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet ist, ist über eine Leitungskontaktelektrode LCE elektrisch mit der ersten unteren Anordnungselektrode 121 verbunden. Die Leitungskontaktelektrode LCE ist in einem Leitungskontaktloch LH2 angeordnet, das in der zweiten Passivierungsschicht 116, der ersten Planarisierungsschicht 115 und der ersten Passivierungsschicht 114 ausgebildet ist. Das Leitungskontaktloch LH2 kann durch zweifaches Durchführen eines Kontaktlochausbildungsprozesses ausgebildet werden. Ein erstes Leitungskontaktloch LH2a wird durch einen ersten Kontaktlochausbildungsprozess ausgebildet und ein zweites Leitungskontaktloch LH2b kann durch einen zweiten Kontaktlochausbildungsprozess ausgebildet werden. Das erste Leitungskontaktloch LH2a ist ein Kontaktloch, das in der ersten Planarisierungsschicht 115 und der ersten Passivierungsschicht 114 ausgebildet ist, und das zweite Leitungskontaktloch LH2b ist ein Kontaktloch, das in der zweiten Passivierungsschicht 116 ausgebildet ist. Das heißt, das Leitungskontaktloch LH2 kann das erste Leitungskontaktloch LH2a und das zweite Leitungskontaktloch HL2b umfassen. In diesem Fall ist die Größe des ersten Leitungskontaktlochs LH2a größer als die Größe des zweiten Leitungskontaktlochs LH2b, um das erste Leitungskontaktloch LH2a und das zweite Leitungskontaktloch LH2b auszurichten.
  • Indes ist die zweite untere Anordnungselektrode 125 auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet. Die zweite untere Anordnungselektrode 125 kann aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess wie die erste Mantelschicht 122b, die zweite Mantelschicht 123b und die zweite Verbindungsschicht 120b ausgebildet werden. Die zweite untere Anordnungselektrode 125 ist in der Anordnungsnut LH1 so angeordnet, dass sie in direktem Kontakt mit der Leuchtdiode LED steht. Ferner ist die zweite untere Anordnungselektrode 125 von der ersten Mantelschicht 122b beabstandet und überlappt teilweise die erste untere Anordnungselektrode 121. Vor dem Anordnen der Leuchtdiode LED wird die zweite untere Anordnungselektrode 125 schwebend gehalten, um mit einem angelegten Signal gekoppelt zu werden, das durch die erste untere Anordnungselektrode 121 angelegt werden soll, die als Anordnungsleitung dienen soll. Nicht nur die Anordnungsleitung AL, sondern auch sowohl die erste untere Anordnungselektrode 121, die mit der Anordnungsleitung AL elektrisch verbunden ist, als auch die zweite untere Anordnungselektrode 125, die mit der ersten unteren Anordnungselektrode 121 gekoppelt ist, bilden ein elektrisches Feld, um die Leuchtdiode LED sich selbst anordnen zu lassen.
  • Die dritte Passivierungsschicht 117 ist auf der Verbindungselektrode 120 und der Anordnungsleitung AL angeordnet. Insbesondere legt die dritte Passivierungsschicht 117 die gesamte zweite untere Anordnungselektrode 125 und einen Teil der Anordnungsleitung AL nach außen frei. Die dritte Passivierungsschicht 117 ist eine Isolierschicht, die Komponenten unter der dritten Passivierungsschicht 117 schützt, und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Als Nächstes sind die mehreren Leuchtdioden LED auf der dritten Passivierungsschicht 117 und der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 angeordnet. Die Leuchtdioden LED sind in der Anordnungsnut LH1 angeordnet. In einem Unterpixel SP sind eine oder mehrere Leuchtdioden LED angeordnet. Die Leuchtdiode LED ist ein Element, das durch den Strom Licht emittiert. Die Leuchtdiode LED kann eine Leuchtdiode LED, die rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht emittiert, umfassen und durch eine Kombination davon Licht in verschiedenen Farben einschließlich Weiß implementieren. Darüber hinaus kann Licht verschiedener Farben implementiert werden, wobei die Leuchtdiode LED, die Licht spezifischer Farbe emittiert, und ein Lichtumwandlungselement, das Licht von der Leuchtdiode LED in Licht einer anderen Farbe umwandelt, verwendet werden. Die Leuchtdiode LED ist elektrisch zwischen den zweiten Transistor T2 und die Anordnungsleitung AL geschaltet und wird von dem zweiten Transistor T2 mit einem Ansteuerstrom versorgt, um Licht zu emittieren.
  • Dabei können die mehreren Leuchtdioden LED, die in einem Unterpixel SP angeordnet sind, parallel geschaltet sein. Das heißt, eine Elektrode jeder der mehreren Leuchtdioden LED ist mit derselben Source-Elektrode des zweiten Transistors T2 verbunden und die andere Elektrode ist mit derselben Anordnungsleitung AL verbunden.
  • Indes kann die in jedem der mehreren Unterpixel angeordnete Leuchtdiode LED eine andere Struktur haben. Beispielsweise kann die Leuchtdiode LED eine erste Leuchtdiode 130 und eine zweite Leuchtdiode 140 umfassen. Die erste Leuchtdiode 130 kann in dem ersten Unterpixel SP unter den mehreren Unterpixeln SP angeordnet sein und die zweite Leuchtdiode 140 kann in dem zweiten Unterpixel SP2 und in dem dritten Unterpixel SP3 unter den mehreren Unterpixel SP angeordnet sein. Der Typ der Leuchtdiode LED dient jedoch nur der Veranschaulichung und als Leuchtdiode LED wird nur die erste Leuchtdiode 130 oder die zweite Leuchtdiode 140 verwendet, es kann aber auch ohne Einschränkung darauf ein anderer Typ Leuchtdiode verwendet werden. Auch wenn in 4 und 5 ist zur Vereinfachung der Beschreibung dargestellt ist, dass in jedem der mehreren Unterpixel SP zwei Leuchtdioden LED angeordnet sind, ist ferner die Anzahl der Leuchtdioden LED, die in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet ist, hierauf nicht beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf 4 umfasst die erste Leuchtdiode 130 unter den mehreren Leuchtdioden LED eine erste Halbleiterschicht 131, eine Emissionsschicht 132, eine zweite Halbleiterschicht 133, eine erste Elektrode 134, eine zweite Elektrode 135 und eine Einkapselungsschicht 136.
  • Die erste Halbleiterschicht 131 ist auf der dritten Passivierungsschicht 117 angeordnet und die zweite Halbleiterschicht 133 ist auf der ersten Halbleiterschicht 131 angeordnet. Die erste Halbleiterschicht 131 und die zweite Halbleiterschicht 133 können Schichten sein, die durch Dotieren von n-Typ- und p-Typ-Fremdstoffen in ein bestimmtes Material ausgebildet sind. Beispielsweise können die erste Halbleiterschicht 131 und die zweite Halbleiterschicht 133 Schichten sein, die durch Dotieren von p-Typ- oder n-Typ-Fremdstoffen in ein Material wie etwa Galliumnitrid (GaN), Indiumaluminiumphosphid (InAlP) oder Galliumarsenid (GaAs) ausgebildet sind. Ferner kann der p-Typ-Fremdstoff Magnesium (Mg), Zink (Zn), Beryllium (Be) und dergleichen sein und der n-Typ-Fremdstoff Silicium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn) und dergleichen sein, sie sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Ein Teil der ersten Halbleiterschicht 131 kann so angeordnet sein, dass er nach außen aus der zweiten Halbleiterschicht 133 hervorsteht. Eine obere Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 131 kann durch einen Teil, der eine untere Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 133 überlappt, und einen Teil, der an einer Außenseite der unteren Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 133 angeordnet ist, ausgebildet sein. Größen und Formen der ersten Halbleiterschicht 131 und der zweiten Halbleiterschicht 133 können jedoch zu verschiedenen Formen modifiziert werden, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Emissionsschicht 132 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 131 und der zweiten Halbleiterschicht 133 angeordnet. Der Emissionsschicht 132 werden Löcher und Elektronen aus der ersten Halbleiterschicht 131 und der zweiten Halbleiterschicht 133 zugeführt, um Licht zu emittieren. Die Emissionsschicht 132 kann durch eine Einzelschicht oder eine Mehr-Quantentopf-Struktur (MQW) ausgebildet sein und kann beispielsweise aus Indiumgalliumnitrid (InGaN), Galliumnitrid (GaN) oder dergleichen ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Elektrode 134, die eine untere Oberfläche und Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht 131 umschließt, ist angeordnet. Die erste Elektrode 134 ist eine Elektrode, die die erste Leuchtdiode 130 und die Anordnungsleitung AL elektrisch verbindet. Die erste Elektrode 134 kann aus einem leitenden Material ausgebildet sein, beispielsweise einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) oder einem undurchsichtigen leitfähigen Material wie Titan (Ti), Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Elektrode 135 ist auf der oberen Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 133 angeordnet. Die zweite Elektrode 135 ist eine Elektrode, die eine nachstehend beschriebene Pixelelektrode PE und die zweite Halbleiterschicht 133 elektrisch verbindet. Die zweite Elektrode 135 ist aus einem leitfähigen Material wie beispielsweise einem transparenten leitenden Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) ausgebildet, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Einkapselungsschicht 136, die zumindest einen Teil der ersten Halbleiterschicht 131, der Emissionsschicht 132, der zweiten Halbleiterschicht 133, der ersten Elektrode 134 und der zweiten Elektrode 135 umschließt, wird angeordnet. Die Einkapselungsschicht 136 besteht aus einem Isoliermaterial, um die erste Halbleiterschicht 131, die Emissionsschicht 132 und die zweite Halbleiterschicht 133 zu schützen. Die Einkapselungsschicht 136 kann so angeordnet sein, dass sie die Emissionsschicht 132, einen Teil einer Seitenfläche der ersten Halbleiterschicht 131, der zu der Emissionsschicht 132 benachbart ist, und einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Halbleiterschicht 133, der zu der Emissionsschicht 132 benachbart ist, bedeckt. Die erste Elektrode 134 und die zweite Elektrode 135 liegen aus der Einkapselungsschicht 136 und einer später zu bildenden Chipkontaktelektrode CCE frei und eine Pixelelektrode PE und die erste Elektrode 134 und die zweite Elektrode 135 können elektrisch verbunden werden.
  • Unter Bezugnahme auf 5 umfasst die zweite Leuchtdiode 140 eine erste Halbleiterschicht 141, eine Emissionsschicht 142, eine zweite Halbleiterschicht 143, eine erste Elektrode 144, eine zweite Elektrode 145 und eine Einkapselungsschicht 146. Die erste Halbleiterschicht 141, die Emissionsschicht 142, die zweite Halbleiterschicht 143, die zweite Elektrode 145 und die Einkapselungsschicht 146 der zweiten Leuchtdiode 140 sind im Wesentlichen die gleichen wie die erste Halbleiterschicht 131, die Emissionsschicht 132, die zweite Halbleiterschicht 133, die zweite Elektrode 135 und die Einkapselungsschicht 136 der zweiten Leuchtdiode 130. Der einzige Unterschied zwischen der zweiten Leuchtdiode 140 und der ersten Leuchtdiode 130 besteht jedoch in der Struktur der ersten Elektrode 144, die restliche Konfiguration ist jedoch im Wesentlichen die gleiche.
  • Die erste Elektrode 144 der zweiten Leuchtdiode 140 ist so angeordnet, dass sie nur mit einer unteren Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 141 in Kontakt steht. Im Vergleich zu der ersten Leuchtdiode 130, bei der die erste Elektrode 134 sowohl die untere Oberfläche als auch die Seitenfläche der ersten Halbleiterschicht 141 bedeckt, ist in der zweiten Leuchtdiode 140 die erste Elektrode 144 nur auf der unteren Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 141 angeordnet. Daher kann die Seitenfläche der ersten Halbleiterschicht 141 der zweiten Leuchtdiode 140 aus der ersten Elektrode 144 freigelegt sein. Die Chipkontaktelektrode CCE steht daher so mit der Seitenfläche der ersten Halbleiterschicht 141 und der Seitenfläche der ersten Elektrode 144 in Kontakt, dass sie mit der zweiten Leuchtdiode 140 elektrisch verbunden ist.
  • Als Nächstes kann eine Haftschicht zwischen den mehreren Leuchtdioden LED und der dritten Passivierungsschicht 117 und der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 angeordnet sein. Die Haftschicht kann ein organischer Film sein, der die Leuchtdiode LED während des Selbstanordnungsprozess der Leuchtdiode LED vorübergehend fixiert. Wenn bei der Herstellung der Anzeigevorrichtung 100 ein organischer Film ausgebildet wird, der die Leuchtdiode LED bedeckt, wird ein Teil des organischen Films in einen Raum zwischen der Leuchtdiode LED und der dritten Passivierungsschicht 117 und der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 gefüllt, um die Leuchtdiode LED vorübergehend auf der dritten Passivierungsschicht 117 und der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 zu fixieren. Danach bleibt, auch wenn der organische Film entfernt wird, ein Teil des organischen Films, der unter die Leuchtdiode LED dringt, zurück, ohne entfernt zu werden, um als Haftschicht zu dienen. Die Haftschicht kann aus einem organischen Material wie beispielsweise Photolack oder einem organischen Material auf Acrylbasis ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Chipkontaktelektrode CCE ist auf der Seitenfläche der Leuchtdiode LED angeordnet. Die Chipkontaktelektrode CCE ist eine Elektrode, die die Leuchtdiode LED und die Anordnungsleitung AL elektrisch verbindet und außerdem über der Anordnungsleitung AL, in der die dritte Passivierungsschicht 117 nicht angeordnet ist, und auf der zweiten Passivierungsschicht 116, die auf der Seitenfläche der Anordnungsnut LH1 angeordnet ist, angeordnet ist. Die Chipkontaktelektrode CCE kann auch den Rand der Anordnungsleitung AL bedecken. Die Chipkontaktelektrode CCE ist so angeordnet, dass sie zumindest einen Teil der ersten Halbleiterschichten 131 und 141 und der ersten Elektroden 134 und 144 umschließt, um die ersten Halbleiterschichten 131 und 141 und die ersten Elektroden 134 und 144 und die Anordnungsleitung AL elektrisch zu verbinden. In diesem Fall ist die Chipkontaktelektrode CCE zudem mit der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 verbunden. Um die zweite Anordnungsleitung 123 und die Leuchtdiode LED elektrisch zu verbinden, ist die zweite untere Anordnungselektrode 125, die in direktem Kontakt mit der unteren Oberfläche der ersten Elektroden 134 und 144 steht, ebenfalls angeschlossen, um einen Kontaktwiderstand der zweiten Anordnungsleitung 123 zu verringern. Daher kann die Beleuchtungsrate der Leuchtdiode LED verbessert werden. Die Beleuchtungsrate kann sich auf das Verhältnis der Anzahl der Leuchtdioden LED, die normalerweise Licht emittieren, zu allen auf der Anzeigetafel angeordneten Leuchtdioden LED beziehen.
  • Als Nächstes ist die zweite Planarisierungsschicht 118 auf der Leuchtdiode LED und der Chipkontaktelektrode CCE angeordnet. Die zweite Planarisierungsschicht 118 planarisiert einen oberen Abschnitt des Substrats 110, in dem die Leuchtdiode LED angeordnet ist, und kann die Leuchtdiode LED zusammen mit der Haftschicht auf dem Substrat 110 fixieren. Die in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthaltene Leuchtdiode LED ist in der Anordnungsnut LH1 angeordnet, die in der ersten Planarisierungsschicht 115 ausgebildet ist, um die Dicke der zweiten Planarisierungsschicht 118 zu verringern, und durch eine einzelne Schicht implementiert. Sie ist jedoch nicht darauf beschränkt und die zweite Planarisierungsschicht 118 kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht ausgebildet sein und beispielsweise aus Photolack oder einem organischen Material auf Acrylbasis ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine Schutzschicht 119 ist auf der zweiten Planarisierungsschicht 118 und der Leuchtdiode LED angeordnet. Die Schutzschicht 119 ist in einem Bereich mit Ausnahme eines Teils der zweiten Elektroden 135 und 145 der Leuchtdiode LED angeordnet. Die Schutzschicht 119 ist eine Isolierschicht, die Komponenten unter der Schutzschicht 119 schützt, und kann aus einer Einzelschicht oder einer Doppelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Pixelelektrode 142 ist auf der Schutzschicht 119 angeordnet. Die Pixelelektrode PE ist eine Elektrode, die die mehreren Leuchtdioden LED und die Verbindungselektrode 120 elektrisch verbindet. Die Pixelelektrode PE kann mit der Leuchtdiode LED, der Verbindungselektrode 120 und dem zweiten Transistor T2 durch das in der zweiten Planarisierungsschicht 118 ausgebildete Kontaktloch elektrische verbunden sein. Dementsprechend können die zweiten Elektroden 135 und 145 der Leuchtdioden LED, die Verbindungselektrode 120 und die zweite Source-Elektrode SE2 des zweiten Transistors T2 mittels der Pixelelektrode PE elektrisch miteinander verbunden sein. Die Pixelelektrode PE kann aus einem leitfähigen Material wie beispielsweise einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind ein Paar Anordnungsleitungen AL, das in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet ist, die erste untere Anordnungselektrode 121, die mit einem beliebigen Paar Anordnungsleitungen AL verbunden ist, und die zweite untere Anordnungselektrode 125, die so angeordnet ist, dass sie die erste untere Anordnungselektrode 121 überlappt, Elektroden zur Selbstanordnung der Leuchtdiode LED. Wenn die Anzeigevorrichtung 100 hergestellt wird, erzeugen die erste untere Anordnungselektrode 121 und die zweite untere Anordnungselektrode 125 zusammen mit einem Paar Anordnungsleitungen AL ein elektrisches Feld, um die Leuchtdiode LED sich selbst anordnen zu lassen.
  • Nachfolgend wird ein Selbstanordnungsverfahren einer Leuchtdiode LED einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 6A und 6B beschrieben.
  • 6A und 6B sind Querschnittsansichten zur Erläuterung eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Zunächst werden unter Bezugnahme auf 6A die Pufferschicht 111 und die Zwischenschicht-Isolierschicht 113 auf dem Substrat 110 ausgebildet und die erste untere Anordnungselektrode 121 wird auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 113 ausgebildet.
  • Als Nächstes werden die erste Passivierungsschicht 114, die erste Planarisierungsschicht 115 und die zweite Passivierungsschicht 116 nacheinander auf der ersten unteren Anordnungselektrode 121 ausgebildet. Ferner werden die Anordnungselektrode AL und die zweite untere Anordnungselektrode 125 auf der zweiten Passivierungsschicht 116 ausgebildet.
  • Nach Abschluss der Herstellung der Anzeigevorrichtung 100 können die zweite Anordnungsleitung 123, die erste untere Anordnungselektrode 121 und die zweite untere Anordnungselektrode 125 als Paar Niederpotential-Leistungsleitungen dienen. Während des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung 100 werden unterschiedliche Spannungen an zwei benachbarte Anordnungselektroden AL angelegt und nach Abschluss des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung 100 kann an zwei benachbarte Anordnungselektroden AL die gleiche Niederpotentialspannung angelegt werden.
  • Die erste Anordnungsleitung 122, die auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet ist, umfasst eine erste leitende Schicht 122a und eine erste Mantelschicht 122b, die die erste leitende Schicht 122a bedeckt.
  • Die zweite Anordnungsleitung 123 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 116 angeordnet. Die zweite Anordnungsleitung 123 umfasst eine zweite leitende Schicht 123a und eine zweite Mantelschicht 123b, die die zweite leitende Schicht 123a bedeckt. Die zweite leitende Schicht 123a der zweiten Anordnungselektrode 123 kann über ein Kontaktloch, das in der zweiten Passivierungsschicht 116, der ersten Planarisierungsschicht 115 und der ersten Passivierungsschicht 114 ausgebildet ist, mit der ersten unteren Anordnungselektrode 125 elektrisch verbunden sein. Dementsprechend kann die Ausbildung der Anordnungselektrode einschließlich der Anordnungsleitung AL und der unteren Anordnungselektroden 121 und 125 abgeschlossen werden.
  • Als Nächstes wird die dritte Passivierungsschicht 117 auf der Anordnungselektrode AL ausgebildet und eine organische Schicht DAL mit einer Öffnung DALH wird auf der dritten Passivierungsschicht 117 ausgebildet. Die Öffnung DALH der organischen Schicht DAL kann einem Bereich entsprechen, in dem die Leuchtdiode LED selbstangeordnet wird. Die Öffnung DALH der organischen Schicht DAL kann die Anordnungsleitung AL und die unteren Anordnungselektroden 121 und 125 überlappen. Nach Abschluss der Selbstanordnung der Leuchtdiode LED wird die organische Schicht DAL entfernt, so dass sie in der fertigen Anzeigevorrichtung 100 während des Herstellungsprozesses nicht mehr vorhanden ist.
  • Das Substrat 110, auf dem die organische Schicht DAL ausgebildet ist, und die Leuchtdiode LED werden in eine mit Fluiden gefüllte Kammer injiziert und eine Wechselspannung wird an die Anordnungselektrode einschließlich der Anordnungsleitung AL und der unteren Anordnungselektroden 121 und 125 angelegt, um ein elektrisches Feld zu erzeugen. Beispielsweise wird die gleiche Spannung an die zweite Anordnungsleitung 123 und die erste untere Anordnungselektrode 121 angelegt und die zweite untere Anordnungselektrode 125 wird mit der ersten unteren Anordnungselektrode 121 gekoppelt, um auch in der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 eine Spannung zu erzeugen, damit sie als Anordnungselektrode dient. Zwischen der ersten Anordnungsleitung 122 und der zweiten Anordnungsleitung 123, der ersten unteren Anordnungselektrode 121 und der zweiten unteren Anordnungselektrode 125 kann ein elektrisches Feld erzeugt werden.
  • Die Leuchtdiode LED wird durch das elektrische Feld dielektrisch polarisiert, sodass sie eine Polarität aufweist. Darüber hinaus kann sich die dielektrisch polarisierte Leuchtdiode LED durch Dielektrophorese (DEP), also ein elektrisches Feld, in einer bestimmten Richtung bewegen oder fixiert werden. Dementsprechend können die mehreren Leuchtdioden LED in der Öffnung DALH über der Anordnungsleitung AL und den unteren Anordnungselektroden 121 und 125 unter Verwendung der Dielektrophorese sich selbst anordnen.
  • Nach der Selbstanordnung der Leuchtdiode LED in der Öffnung DALH werden die ersten Elektroden 134 und 144 der Leuchtdiode LED und die zweite untere Anordnungselektrode 125 leitend, während sie miteinander in Kontakt stehen. Daher befindet sich die zweite untere Anordnungselektrode 125 in dem gleichen Zustand, in dem sie mit den ersten Elektroden 134 und 144 integriert ist. Daher kann die Leuchtdiode LED nach der Selbstanordnung stabil an dem Substrat 110 fixiert sein.
  • Wenn schließlich die Selbstanordnung der Leuchtdiode LED abgeschlossen ist, wird die organische Schicht DAL entfernt und eine weitere Konfiguration, wie etwa die zweite Planarisierungsschicht 118 und die Pixelelektrode PE, wird ausgebildet, um den Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung 100 abzuschließen.
  • Indes ist die Dielektrophoresekraft proportional zu der Größe der Leuchtdiode LED und zu der Intensität des elektrischen Feldes. Je größer die Leuchtdiode LED oder je größer die Intensität des elektrischen Feldes ist, desto stärker wirkt die Dielektrophorese zur Verbesserung der Anordnungsrate.
  • Dementsprechend kann bei der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Intensität des elektrischen Feldes erhöht werden, um die Dielektrophorese zu erhöhen. Wie es oben beschrieben ist, sind die erste untere Anordnungselektrode 121 und die erste Mantelschicht 122b auf unterschiedlichen Schichten angeordnet, um den Abstand zwischen der ersten unteren Anordnungselektrode 121 und der ersten Mantelschicht 122b zu verringern, wodurch die Intensität des elektrischen Feldes erhöht und die Selbstanordnungsrate verbessert wird.
  • Die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste untere Anordnungselektrode in den mehreren Unterpixeln; eine erste Anordnungsleitung in den mehreren Unterpixeln, die auf einer anderen Schicht als die erste untere Anordnungselektrode angeordnet ist; eine Leuchtdiode auf der ersten unteren Anordnungselektrode und der ersten Anordnungsleitung, die eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode umfasst; und eine zweite untere Anordnungselektrode zwischen der ersten unteren Anordnungselektrode und der Leuchtdiode, die mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist.
  • Die erste untere Anordnungselektrode und die zweite untere Anordnungselektrode können elektrisch verbunden sein.
  • Die erste Anordnungsleitung und die erste Elektrode können elektrisch verbunden sein. Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine Chipkontaktelektrode umfassen, die die erste Anordnungsleitung und die erste Elektrode verbindet. Die Chipkontaktelektrode kann mit einer Seitenfläche der Leuchtdiode in Kontakt stehen. Die erste Anordnungsleitung kann mit einer Niederspannungs-Leistungskontaktstelle verbunden sein, an die eine Niederpotentialleistung angelegt ist.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine Planarisierungsschicht umfassen, die einen Teil der ersten unteren Anordnungselektrode bedeckt und eine Anordnungsnut aufweist. Die Leuchtdiode kann in der Anordnungsnut angeordnet sein. Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine zweite Anordnungsleitung aufweisen, die auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist. Die zweite Anordnungsleitung kann durch ein Kontaktloch der Planarisierungsschicht mit der ersten unteren Anordnungselektrode verbunden sein. Die zweite Anordnungsleitung kann mit einer Niederspannungs-Leistungskontaktstelle verbunden sein, an die eine Niederpotentialleistung angelegt ist. Die erste Anordnungsleitung kann eine erste leitende Schicht auf der Planarisierungsschicht und eine erste Mantelschicht, die die erste leitende Schicht bedeckt, umfassen und die zweite Anordnungsleitung kann eine zweite leitende Schicht auf der Planarisierungsschicht und eine zweite Mantelschicht, die die zweite leitende Schicht bedeckt, umfassen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist; eine erste Anordnungsleitung und eine zweite Anordnungsleitung, die parallel in den mehreren Unterpixeln angeordnet sind; eine Leuchtdiode, die so angeordnet ist, dass sie die erste Anordnungsleitung oder die zweite Anordnungsleitung überlappt; und eine erste untere Hilfselektrode und eine zweite untere Hilfselektrode, die die Leuchtdiode und entweder die erste Anordnungsleitung oder die zweite Anordnungsleitung unter der Leuchtdiode überlappen.
  • Mehrere Unterpixel, die in einer ersten Richtung auf dem Substrat angeordnet sind, nutzen die erste Anordnungsleitung und die zweite Anordnungsleitung gemeinsam.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine Niederpotential-Spannungskontaktstelle auf einer Oberfläche des Substrats umfassen, an das eine Niederpotentialleistung angelegt ist. Die erste Anordnungsleitung und die zweite Anordnungsleitung können mit der Niederpotential-Spannungskontaktstelle verbunden sein.
  • Es können mehrere Leuchtdioden bereitgestellt sein und in jedem der mehreren Unterpixel können mindestens zwei Leuchtdioden angeordnet sein.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner einen Ansteuertransistor auf dem Substrat umfassen, der mit der Leuchtdiode elektrisch verbunden ist. Der Ansteuertransistor kann in jedem der mehreren Unterpixel angeordnet sein und die Größen der Ansteuertransistoren in mindestens zwei Unterpixeln können unterschiedlich sein.
  • Die Leuchtdiode kann eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht und eine zweite Elektrode umfassen und die zweite untere Hilfselektrode kann zwischen der ersten unteren Hilfselektrode und der Leuchtdiode so angeordnet sein, dass sie mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode in Kontakt steht.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ausführlich unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nur zu Veranschaulichungszwecken bereitgestellt, sollen jedoch nicht das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung einschränken. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Daher sollte ersichtlich sein, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in jeder Hinsicht veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Grundlage der folgenden Ansprüche ausgelegt werden und alle technischen Konzepte in ihrem Äquivalenzumfang sollen derart ausgelegt werden, dass sie unter den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220142147 [0001]

Claims (14)

  1. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (110), das mehrere Unterpixel (SP) aufweist; eine erste untere Anordnungselektrode (121) in den mehreren Unterpixeln (SP); eine erste Anordnungsleitung (122) in den mehreren Unterpixeln (SP), die auf einer Schicht angeordnet ist, die sich von der der ersten unteren Anordnungselektrode (121) unterscheidet; eine Leuchtdiode (130) auf der ersten unteren Anordnungselektrode (121) und der ersten Anordnungsleitung (122), die eine erste Elektrode (134), eine Halbleiterschicht (131, 133) und eine zweite Elektrode (135) umfasst; und eine zweite untere Anordnungselektrode (125) zwischen der ersten unteren Anordnungselektrode (121) und der Leuchtdiode (130), die mit der ersten Elektrode (131) oder der zweiten Elektrode (135) elektrisch verbunden ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste untere Anordnungselektrode (121) und die zweite untere Anordnungselektrode (125) elektrisch verbunden sind und/oder die erste Anordnungsleitung (122) und die erste Elektrode (131) elektrisch verbunden sind.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, die ferner eine Chipkontaktelektrode (CCE) aufweist, die die erste Anordnungsleitung (122) und die erste Elektrode (131) verbindet, wobei die Chipkontaktelektrode (CCE) mit einer Seitenfläche der Leuchtdiode (130) in Kontakt steht.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei die erste Anordnungsleitung (122) mit einer Niederpotential-Leistungskontaktstelle (VP2) verbunden ist, an die eine Niederpotentialleistung angelegt ist.
  5. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner eine Planarisierungsschicht (118) umfasst, die einen Teil der ersten unteren Anordnungselektrode (121) bedeckt und eine Anordnungsnut (LH1) aufweist, wobei vorzugsweise die Leuchtdiode (130) in der Anordnungsnut (LH1) angeordnet ist.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, die ferner eine zweite Anordnungsleitung (123) aufweist, die auf der Planarisierungsschicht (116) angeordnet ist, wobei die zweite Anordnungsleitung (123) über ein Kontaktloch (LH2) der Planarisierungsschicht (116) mit der ersten unteren Anordnungselektrode (121) verbunden ist.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei die zweite Anordnungsleitung (123) mit einer Niederpotential-Leistungskontaktstelle (VP2) verbunden ist, an die eine Niederpotentialleistung angelegt ist.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei die erste Anordnungsleitung (122) eine erste leitende Schicht (122a) auf der Planarisierungsschicht (116) und eine erste Mantelschicht (122b), die die erste leitende Schicht (122a) bedeckt, umfasst, und/oder wobei die zweite Anordnungsleitung (123) eine zweite leitende Schicht (123a) auf der Planarisierungsschicht (116) und eine zweite Mantelschicht (123b), die die zweite leitende Schicht (123a) bedeckt, umfasst.
  9. Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (110), das mehrere Unterpixel (SP) aufweist; eine erste Anordnungsleitung (122) und eine zweite Anordnungsleitung (123), die parallel in den mehreren Unterpixeln (SP) angeordnet sind; eine Leuchtdiode (130), die so angeordnet ist, dass sie die erste Anordnungsleitung (122) oder die zweite Anordnungsleitung (123) überlappt; und eine erste untere Hilfselektrode (121) und eine zweite untere Hilfselektrode (125), die die Leuchtdiode (130) und entweder die erste Anordnungsleitung (122) oder die zweite Anordnungsleitung (123) unter der Leuchtdiode (130) überlappen.
  10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei mehrere Unterpixel (SP), die in einer ersten Richtung auf dem Substrat (110) angeordnet sind, die erste Anordnungsleitung (122) und die zweite Anordnungsleitung (123) gemeinsam nutzen.
  11. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner umfasst: eine Niederpotential-Spannungskontaktstelle (VP2) auf einer Oberfläche des Substrats (110), an die eine Niederpotentialleistung angelegt ist, wobei die erste Anordnungsleitung (122) und die zweite Anordnungsleitung (123) mit der Niederpotential-Spannungskontaktstelle (VP2) verbunden sind.
  12. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mehrere Leuchtdioden (130) bereitgestellt sind und in jedem der mehreren Unterpixel (SP) mindestens zwei Leuchtdioden angeordnet sind.
  13. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner einen Ansteuertransistor (T2) auf dem Substrat (110) umfasst, der mit der Leuchtdiode (130) elektrisch verbunden ist, wobei der Ansteuertransistor (T2) vorzugsweise in jedem der mehreren Unterpixel (SP) angeordnet ist und/oder die Größen der Ansteuertransistoren (T2) in mindestens zwei Unterpixeln (SP) unterschiedlich sind.
  14. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 9-13, wobei die Leuchtdiode (130) eine erste Elektrode (131), eine Halbleiterschicht (131, 133) und eine zweite Elektrode (135) umfasst, und wobei die zweite untere Hilfselektrode (125) zwischen der ersten unteren Hilfselektrode (121) und der Leuchtdiode (130) so angeordnet ist, dass sie mit der ersten Elektrode (131) oder der zweiten Elektrode (135) in Kontakt steht.
DE102023129936.0A 2022-10-31 2023-10-30 Anzeigevorrichtung Pending DE102023129936A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0142147 2022-10-31
KR1020220142147A KR20240060995A (ko) 2022-10-31 2022-10-31 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102023129936A1 true DE102023129936A1 (de) 2024-05-02

Family

ID=90628915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102023129936.0A Pending DE102023129936A1 (de) 2022-10-31 2023-10-30 Anzeigevorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240145634A1 (de)
JP (1) JP2024066484A (de)
KR (1) KR20240060995A (de)
DE (1) DE102023129936A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220142147A (ko) 2021-04-14 2022-10-21 김보성 도시시설물 안전 관리 방법 및 이를 이용하는 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220142147A (ko) 2021-04-14 2022-10-21 김보성 도시시설물 안전 관리 방법 및 이를 이용하는 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024066484A (ja) 2024-05-15
US20240145634A1 (en) 2024-05-02
KR20240060995A (ko) 2024-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102018128304B4 (de) Organische Licht-emittierende Anzeigevorrichtung
DE102018129857A1 (de) Organische Leuchtdiodenanzeige
DE102016125727A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeige
DE102005020939A1 (de) Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Herstellverfahren für dieses
DE102019134179B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE102015226690A1 (de) Matrixsubstrat und Anzeigefeld
DE102020124938A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018129427A1 (de) Organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung
DE102019130733A1 (de) Transparente Anzeigevorrichtung
DE102020133833A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018129973A1 (de) Licht emittierende Anzeigevorrichtung
DE102021116361A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018127255A1 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung
DE112021001003T5 (de) Anzeigevorrichtung
DE102022130909A1 (de) Lichtemittierende anzeigevorrichtung
DE102023129936A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE112021002392T5 (de) Arraysubstrat und Anzeigevorrichtung
DE112020003511T5 (de) Anzeigesystem
DE102023133070A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023134077A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023128524A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023126113A1 (de) Lichtemittierendes element und dasselbe aufweisende anzeigevorrichtung
DE102023135755A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023131760A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023136727A1 (de) Anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed