DE102022106139A1 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Abstract

Ein Halbleiterbauteil (10) zum Emittieren von Licht mit einem Grundkörper (14), der einen Emissionsbereich (18) für das Licht aufweist, dem ein erster Spiegelabschnitt, ein zweiter Spiegelabschnitt (24) und ein zwischen den beiden Spiegelabschnitten angeordneter aktiver Abschnitt zur Erzeugung des Lichts zugeordnet sind, wobei der Querschnitt einer Blende kleiner ist als der Querschnitt eines Emissionsbereichs.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil zum Emittieren von Licht.
  • Es wird vorgeschlagen, ein Halbleiterbauteil zu schaffen, das einen Grundkörper aufweist, mit einem sich auf einer Oberfläche des Grundkörpers erstreckenden Emissionsbereich für das Licht aufweist, dem eine erste Spiegellage, eine zweite Spiegellage und eine sich zwischen den beiden Spiegellagen im Wesentlichen parallel zur Oberfläche erstreckende aktive Zone zur Erzeugung des Lichts zugeordnet sind, die seitlich durch eine Blende derart begrenzt ist, dass die aktive Zone einen größeren, parallel zur Oberfläche ausgerichteten Querschnitt aufweist als der Emissionsbereich.
  • Das Halbleiterbauteil ist stapelartig strukturiert, wobei das Licht senkrecht zur Oberfläche emittiert wird. Vorzugsweise kann es sich bei dem Halbleiterbauteil um ein VCSEL (vertical-cavity surface-emitting lasers) handeln.
  • Hierdurch wird ein Halbleiterlaser bereitgestellt, der eine hohe Lichtintensität erzeugen kann, da er eine gegenüber seines Emissionsbereichs vergrößerte aktive Zone aufweist. Dabei kann ein Array aus Halbleiterlasern erzeugt werden, dass zwar einen geringeren Füllfaktor aufweist, aber dennoch eine Lichtintensität erzeugt, die einem herkömmlichen Array gleichkommt. Jedoch ist aufgrund des geringen Füllfaktors die Realisierung von Arrays mit optischen Elementen leichter zu bewerkstelligen.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungen sind in den Unteransprüchen aufgeführt.
  • Vorteilhafterweise kann der Querschnitt des Emissionsbereichs in etwa höchstens 50 %, vorzugsweise 25 %, jedoch insbesondere 10 %, des Querschnitts der aktiven Zone betragen. Hierbei kann die durch die Blende begrenzte aktive Zone sich bezüglich der optischen Achse des emittierten Lichts unterhalb des Emissionsbereichs seitlich weiter erstrecken als der Emissionsbereich.
  • Vorzugsweise weist der Querschnitt der aktiven Zone eine Abmessung von mindestens 10 Mikrometern, vorzugsweise 20 Mikrometern, jedoch insbesondere 40 Mikrometern auf, sodass unterschiedliche Lasermoden innerhalb einer durch die Spiegellagen und die aktive Zone gebildete Vertikalkavität realisierbar sind. Hierbei kann die Abmessung entlang einer einzelnen parallel zur Haupterstreckungsebene des Querschnitts der aktiven Zone ausgerichteten Achse vorliegen.
  • Bei einer besonderen Weiterbildung weist die Oberfläche am Emissionsbereich eine geringere Reflektivität auf als der Restabschnitt der Oberfläche, der nicht zum Emissionsbereich gehört. Hierdurch wird der Emissionsbereich bestimmt, der ein Auskoppeln des Lichts ermöglicht.
  • Ferner kann hierzu die Reflektivität des Emissionsbereichs bei < 99 %, vorzugsweise bei < 95 %, liegen. Der Restabschnitt der Oberfläche kann eine Reflektivität von in etwa mindestens 99,9 % aufweisen.
  • Damit die vorteilhafte Reflektivität erreicht werden kann, wird die erste Spiegellage an die Oberfläche angrenzend ausgebildet, wobei ein Unterschied der Reflektivität zwischen dem Emissionsbereich und dem Restabschnitt der Oberfläche durch einen unterschiedlichen Abstand zwischen einer Außenfläche des ersten Spiegelabschnitts und der Oberfläche erreicht wird. Dabei kann der Abstand so eingerichtet werden, dass am Emissionsbereich eine destruktive und am Restabschnitt konstruktive Interferenz erreicht wird. Hierdurch kann eine kontrollierte Herstellung einer entsprechenden Reflektivität erzeugt werden.
  • Besonders bevorzugt ist es, eine erste Spiegellage aus einer Mehrzahl an Schichten zu bilden, wobei am Emissionsbereich einige der Schichten entfernt werden, sodass die Reflektivität am Emissionsbereich reduziert ist. Dabei können die äußersten Schichten entfernt werden. Es kann auch ein Gitter in die äußersten Schichten eingebracht werden.
  • Weiterhin kann auf dem Restabschnitt der Oberfläche, der nicht zum Emissionsbereich gehört, ein metallischer und/oder dielektrischer Spiegel angeordnet werden, sodass dieser Abschnitt der Oberfläche eine höhere Reflektivität als der Emissionsbereich aufweist. Dabei können die Spiegellagen unverändert bleiben, sodass die Reflektivität des Restabschnitts durch die metallischen Spiegel erhöht wird.
  • Vorzugweise ist der metallische Spiegel auf einer dielektrischen Schicht auf der Oberfläche angeordnet. Die dielektrische Schicht verhindert ein Eindiffundieren und damit verbundenes Verschlechtern der durch den metallischen Spiegel erzeugten Reflektivität.
  • Damit eine hohe Effizienz erreicht wird, kann der Emissionsbereich mit Siliziumnitrid passiviert werden.
  • Vorzugsweise ist der Querschnitt der aktiven Zone streifenförmig ausgebildet, sodass die aktive Zone streifenförmig ist. Streifenförmig umfasst sowohl gerade Streifen als auch gebogenen Streifen.
  • Ferner wird vorgeschlagen, ein Array aus einer Mehrzahl an Halbleiterbauteilen vorzusehen, wobei der jeweilige Querschnitt der durch die Blende geformten aktiven Zone streifenförmig ist. Dabei kann der Querschnitt eine Längsachse aufweisen, entlang sich die streifenförmige aktive Zone im Wesentlichen erstreckt. Die Längsachse ist in etwa parallel zur Oberfläche ausgerichtet.
  • Insbesondere ist der jeweilige Emissionsbereich bezüglich des Querschnitts mittig auf der aktiven Zone angeordnet. Vorzugsweise ist der Emissionsbereich mittig auf der aktiven Zone angeordnet, wenn der Querschnitt der aktiven Zone ein gerader Streifen ist.
  • Weiterhin können die streifenförmigen aktiven Zonen parallel zueinander ausgerichtet sein. Dabei können die Emissionsbereiche der unterschiedlichen aktiven Zonen entlang einer imaginären geraden Linie angeordnet sein oder bezüglich solch einer Linie gegeneinander versetzt sein.
  • Ferner können die streifenförmigen aktiven Zonen senkrecht zueinander ausgerichtet sein. Es kann auch eine aktive Zone mit einem kreuzartigen Querschnitt einem Emissionsbereich zugeordnet sein.
  • Die aktiven Zonen können ineinander übergehen, sodass eine durchgehende große aktive Zone entsteht. So wird eine aktive Zone mit mehreren Emissionsbereichen erreicht. Abschnitte der großen aktiven Zone können zueinander winklig ausgerichtet sein. Z.B. ist es möglich, die Abschnitte im rechten Winkel, stumpfen Winkel und/oder spitzen Winkel zueinander auszurichten.
  • Weiter können gebogene Querschnitte der aktiven Zone einem Emissionsbereich zugeordnet sein, sodass beispielsweise ringförmige Arraystrukturen ausbildbar sind, die ein oder mehrere Emissionsbereiche aufweisen.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen verwendbar sind.
  • Der Rahmen der Erfindung ist nur durch die Ansprüche definiert.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen näher erläutert.
  • Es zeige:
    • 1 ein Halbleiterbauteil zum Emittieren von Licht mit einem Grundkörper,
    • 2 eine Schnittdarstellung durch das Halbleiterbauteil wobei schematisch die Intensitätsverteilung und die entsprechende Mode des Laserlichts dargestellt ist,
    • 3 bis 10 unterschiedliche Ausführungsformen der aktiven Bereiche.
  • In 1 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils 10 gezeigt, das einen Grundkörper 12 aufweist, mit mindestens einem Abschnitt 14, das einen sich auf einer Oberfläche 16 des Grundkörpers 12 erstreckenden Emissionsbereich 18 für das Licht 20 aufweist. Ferner umfasst der Grundkörper 12 ein Substrat 19, dass im Wesentlichen aus Galliumarsenid besteht.
  • Der Abschnitt 14 ist auf dem Substrat 19 angeordnet. Auf der Oberfläche 16 sind elektrische Kontakte 21 angeordnet.
  • In dem Abschnitt 14 ist eine erste Spiegellage 22, eine zweite Spiegellage 24 und eine sich zwischen den beiden Spiegellagen 22, 24 im Wesentlichen parallel zur Oberfläche 16 erstreckende aktive Zone 26 zur Erzeugung des Lichts 20 angeordnet.
  • Die Spiegellagen 22, 24 und die aktive Zone 26 sind in einer sogenannten Stackstruktur gestapelt, zu der das Laserlicht 20 senkrecht aus der Oberfläche 16 emittiert wird. Solch ein Halbleiterbauteil 10 wird als VCSEL (vertical-cavity surface-emitting lasers) bezeichnet, dessen Vertikalkavität 28 zwischen den Spiegellagen 22, 24 angeordnet ist.
  • Die aktive Zone 26 ist seitlich bezogen auf ihre Haupterstreckungsebene durch eine Blende 29 begrenzt. Die Blende 29 erstreckt sich in der Haupterstreckungsebene der aktiven Zone 26, die senkrecht zur Propagationsrichtung 30 des Lichts 20 ausgerichtet ist.
  • Durch die Blende 29 wird die aktive Zone 26 auf einen Querschnitt 32 begrenzt, der der Öffnung der Blende 29 entspricht. Der Querschnitt 32 der aktiven Zone 26 ist größer als der Querschnitt 34 des Emissionsbereichs 18. Beide Querschnitte 32, 34 sind parallel zueinander ausgerichtet und voneinander entlang der Propagationsrichtung 30 des Lichts 20 beabstandet.
  • Der Querschnitt 32 des Emissionsbereichs 18 beträgt in etwa höchstens 50 %, vorzugsweise 25 %, jedoch insbesondere 10 %, des Querschnitts 34 der aktiven Zone 26. Die Querschnitte 32, 34 werden anhand ihrer Zone bemessen, die sich aus ihren Abmessungen entlang Richtungen in ihren jeweiligen Erstreckungsebenen ergibt. Dabei kann die grundlegende Form der Querschnitte 32, 34 ähnlich oder gleich sein. Beispielsweise können die Querschnitte 32, 34 in einer Richtung eine gleichgroße Abmessung aufweisen, während sie in einer weiteren Richtung unterschiedlich große Abmessungen aufweisen. Vorzugsweise weist der Querschnitt 32 der aktiven Zone 26 eine Abmessung von mindestens 10 Mikrometern, vorzugsweise 20 Mikrometern, jedoch insbesondere 40 Mikrometern, auf.
  • In 2 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterbauteils 10 gezeigt. Durch die gegenüber herkömmlichen VCSELn vergrößerte aktive Zone 26 wird eine verlängerte Vertikalkavität 28 in der Erstreckungsebene der aktiven Zone 26 erzeugt. Dadurch können innerhalb der Vertikalkavität 28 unterschiedliche Lasermoden 36 ausgebildet werden, die schematisch durch zick-zack-förmige Pfeile in der Schnittdarstellung des Halbleiterbauteils 10 dargestellt sind. Rein exemplarisch ist unterhalb der Schnittdarstellung des Halbleiterbauteils 10 sind die Intensitätsmaxima einer Lasermode 36 höherer Ordnung dargestellt.
  • Dabei wird das Intensitätsprofil des ausgekoppelten Lichts 20 im Nahfeld 38 im Emissionsbereich 18 mehrere Intensitätsmaxima aufweisen, während im Fernfeld 40 diese Intensitätsmaxima sich zu weniger Intensitätsmaxima vereinen. Rein exemplarisch können so im Fernfeld 40 zwei Intensitätsmaxima entstehen.
  • Damit die Auskopplung des Laserlichts 20 aus dem gegenüber der aktiven Zone 26 verringerten Emissionsbereich 18 möglich ist, weist die Oberfläche 16 am Emissionsbereich 18 eine geringere Reflektivität auf als der Restabschnitt 42 der Oberfläche 16. Der Restabschnitt 42 gehört nicht zum Emissionsbereich 18. Die aktive Zone 26 ist unter dem Restabschnitt 42 angeordnet. Vorzugsweise beträgt die Reflektivität des Emissionsbereichs < 99 %, vorzugsweise jedoch < 95 %. Der Restabschnitt 42 hingegen kann eine Reflektivität von in etwa mindestens 99,9 % aufweisen.
  • Die Reflektivität der Oberfläche 16 kann insbesondere durch Maßnahmen am ersten Spiegelabschnitt 22 eingestellt werden, der an die Oberfläche angrenzt. Der erste Spiegelabschnitt 22 ist als DBR (distributed Bragg reflector)-Spiegel ausgeführt, der eine Mehrzahl an gestapelten Reflexionsschichten 44 aufweist.
  • Rein exemplarisch kann ein Abstand zwischen einer Außenfläche der erste Spiegellage 22 und der Oberfläche 16 am Emissionsbereich 18 gegenüber der restlichen Oberfläche unterschiedlich groß sein. Die Außenfläche der ersten Spiegellage 22 ist an der der Oberfläche zugewandten Seite angeordnet. Durch eine entsprechende Wahl der unterschiedlichen Abstände wird das Licht 20 im Emissionsbereich destruktiv interferieren und im Bereich der restlichen Oberfläche 16 konstruktiv interferiert. Dadurch wird eine Entspiegelung im Emissionsbereich erreicht.
  • Alternativ oder ergänzen kann zusätzlich eine dielektrische Schicht auf der Oberfläche 16 aufgebracht werden, die so eingerichtet ist, dass das Licht 20 im Emissionsbereich destruktiv interferiert und im Bereich der restlichen Oberfläche 16 konstruktiv interferiert.
  • Ferner kann zusätzlich eine Antireflexionsbeschichtung auf dem Emissionsbereich 18 angebracht werden, sodass dort die Reflektivität verringert wird.
  • Alternativ oder ergänzend kann wenigstens eine der Reflexionsschichten 44 der ersten Spiegellage 22 im Emissionsbereich 18 entfernt werden. Dadurch wird die Reflektivität am Emissionsbereich 18 reduziert. Insbesondere werden die äußersten Reflexionsschichten 44 entfernt, die an die Oberfläche 16 angrenzen. Es kann auch ein Gitter zur Polarisation und/oder Beugung in die äußersten Reflexionsschichten 44 eingebracht werden.
  • Weiterhin alternativ oder ergänzend kann auf dem Restabschnitt 42 der Oberfläche 16, der nicht zum Emissionsbereich 18 gehört, ein metallischer und/oder dielektrischer Spiegel 46 angeordnet werden. Dabei kann der metallische und/oder dielektrische Spiegel 46 auf einer weiteren dielektrischen Schicht, die auf der Oberfläche 16 aufgebracht ist, angeordnet werden, sodass ein Eindiffundieren des Materials des Spiegels 46 verhindert wird. Der metallische Spiegel 46 kann Gold beinhalten.
  • Gemäß 3 bis 8 ist der Querschnitt 32 der aktiven Zone 26 streifenförmig ausgebildet, was zu einer streifenförmigen aktiven Zone 26 führt. Streifenförmig umfasst sowohl gerade Streifen als auch gebogenen Streifen.
  • In 3 und 4 sind die streifenförmigen Querschnitte 32 in einem Array 49 parallel zueinander ausgerichtet, wobei der jeweilige Emissionsbereich 18 mittig bezüglich der aktiven Zone 26 positioniert ist. Dabei weisen die Längsenden 50 einer streifenförmigen aktiven Zone 26 bezüglich des ihr zugeordneten Emissionsbereichs 18 den gleichen Abstand auf.
  • Gemäß 3 sind die Emissionsbereiche 18 des Arrays entlang einer imaginären geraden Linie 48 aufgereiht. Rein exemplarisch sind in 3 zwei Reihen aus jeweils vier Emissionsbereichen 18 dargestellt. Es kann lediglich eine Reihe oder bezüglich solch einer Linie 48 gegeneinander versetzt sein.
  • In 4 sind die Emissionsbereiche 18 zueinander versetzt, sodass zueinander direkt benachbarte Emissionsbereiche 18 nicht auf einer gemeinsamen imaginären geraden Linie 48 angeordnet sind. Rein exemplarisch sind die Längsenden 50 einer ersten aktiven Zone 26 auf einer gemeinsamen Linie 48 mit einem Emissionsbereich 18 einer zweiten zur ersten direkt benachbarten aktiven Zone 26 angeordnet. Das führt dazu, dass die Längsenden 50 und die Emissionsbereiche 18 unterschiedlicher aktiver Zonen 26 entlang einer gemeinsamen Linie 48 insbesondere abwechselnd angeordnet.
  • In 5 sind die streifenförmigen aktiven Zonen 26 senkrecht zueinander ausgerichtet. Hierbei ist jedem Emissionsbereich 18 eine eigene streifenförmige aktive Zone 26 zugeordnet. Vorzugsweise sind zueinander direkt benachbarte aktive Zonen 26 unterschiedlicher Emissionsbereiche 18 senkrecht zueinander ausgerichtet. Dabei ist das Längsende 50 einer ersten aktiven Zone 26 auf den Emissionsbereich 18 einer zweiten zur ersten aktiven Zone 26 benachbarten aktiven Zone 26 gerichtet.
  • In 6 sind aktive Zonen 26 offenbart, die einen kreuzförmigen Querschnitt 32 aufweisen. Sind die Kreuzarme 52 sind gleichlang und parallel zu Kreuzarmen 52 anderer aktiver Zonen 26. Die Längsenden 50 vierer benachbarter kreuzförmiger aktiver Zonen 26 sind einander zugewandt. Zwischen vier kreuzförmigen aktiven Zonen 26 ist eine kreuzförmige aktive Zone 26 positioniert, deren Kreuzarme 52 parallel zu den Kreuzarmen 52 der vier benachbarten kreuzförmigen aktiven Zonen 26 ausgerichtet sind. Die Emissionsbereiche 18 können in den Kreuzungspunkten der Kreuzarme 52 angeordnet sein.
  • In 7 ist die kreuzförmige aktive Zone 26, die zwischen vier benachbarten kreuzförmigen aktiven Zonen 26 positioniert ist, gegenüber den benachbarten kreuzförmigen aktiven Zonen 26 derart ausgerichtet, dass ihre Kreuzarme 52 zueinander nicht parallel ausgerichtet sind. Dabei zeigen die Längsenden 50 der zwischen den vier benachbarten kreuzförmigen aktiven Zonen 26 angeordneten aktiven Zone 26 auf die Emissionsbereiche 18 der vier benachbarten kreuzförmigen aktiven Zonen 26.
  • In 8 ist ein Array 49 aus kreuzförmigen aktiven Zonen 26 dargestellt, bei dem die Emissionsbereiche 18 auf gedachten Linien 48 angeordnet sind, die entlang der Kreuzarme 52 verlaufen. Optional können die aktiven Zonen direkt aneinandergrenzen oder ineinander übergehen, wie in der 8 gezeigt. Rein exemplarisch kann eine durchgehende aktive Zone 26 vorgesehen werden, die mehrere Emissionsbereich 18 aufweist. Es können Abschnitte der durchgehenden aktiven Zone 26 senkrecht oder in einem anderen Winkel zueinander ausgerichtet sein. Dadurch wird ein rechteckiges Gitter aus aktiven Zonen 26 erzeugt.
  • In 9 ist ein Array 49 aus ringförmigen aktiven Zonen 26 dargestellt. Jede ringförmige aktive Zone 26 weist vier Emissionsbereiche 18 auf, die in etwa um 90° zueinander entlang der aktiven Zone 26 beabstandet sind. Die Abschnitte zwischen zwei Emissionsbereiche 18 der jeweiligen ringförmigen aktiven Zonen 26 sind in etwa 90° groß. Die ringförmigen aktiven Zonen 26 sind voneinander beabstandet. Dabei sind die Emissionsbereiche 18 entlang sich kreuzender gedachter Linien 48 angeordnet. Die Schnittpunkte der Linien 48 sind vorzugsweise in dem jeweiligen Zentrum einer ringförmigen aktiven Zone 26 angeordnet. Die Emissionsbereiche 18 direkt benachbarter ringförmiger aktiver Zonen 26 liegen sich unmittelbar gegenüber und sind an Stellen der aktiven Zonen 26 angeordnet, die voneinander einen geringsten Abstand aufweisen bezogen auf restliche Abschnitte der direkt benachbarten aktiven Zonen 26.
  • In 10 ist ein Array 49 gezeigt, bei dem die ringförmigen aktiven Zonen 26 voneinander nicht beabstandet sind, sodass sich direkt benachbarte ringförmige aktive Zonen 26 jeweils einen Emissionsbereich 18 teilen. Dabei überlappen die ringförmigen aktiven Zonen 26 ohne dabei Schnittpunkte zu bilden. Die ringförmigen aktiven Zonen 26 überlappen in tangierender Weise. Dabei ist jeweils ein Emissionsbereich 18 an dem Überlappbereich zwischen den ringförmigen aktiven Zonen 26 angeordnet. Alternativ können die ringförmigen aktiven Zonen 26 auch Schnittpunkte bilden, an denen jeweils ein Emissionsbereich 18 angeordnet ist.
  • Die eine ringförmige aktiven Zonen 26 weist vier Emissionsbereiche 18 auf, die in Abständen von 90° bezüglich entlang der ringförmigen aktiven Zone 26 bezüglich ihres Mittelpunkts angeordnet sind. Dadurch bilden die aneinander gebrachten ringförmigen aktiven Zone 26 ein zusammenhängendes Netz, bei dem die aktiven Zonen 26 die Maschen darstellen.
  • Die Merkmale der 3 bis 8 können sich miteinander kombiniert werden. Ferner können die Merkmale der 9 und 10 miteinander kombiniert werden.

Claims (17)

  1. Halbleiterbauteil (10) zum Emittieren von Licht (20) mit einem Grundkörper (12), der einen sich auf einer Oberfläche (16) des Grundkörpers (12) erstreckenden Emissionsbereich (18) für das Licht (20) aufweist, dem eine erste Spiegellage (22), eine zweite Spiegellage (24) und eine sich zwischen den beiden Spiegellagen (22, 26) im Wesentlichen parallel zur Oberfläche (16) erstreckende aktive Zone (26) zur Erzeugung des Lichts (20) zugeordnet sind, die seitlich durch eine Blende (29) derart begrenzt ist, dass der aktive Bereich (26) einen größeren, parallel zur Oberfläche (16) ausgerichteten Querschnitt (32) aufweist als der Emissionsbereich (18).
  2. Halbleiterbauteil (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Querschnitt (34) des Emissionsbereichs (18) in etwa höchstens 50 %, vorzugsweise 25 %, jedoch insbesondere 10 %, des Querschnitts (32) der aktiven Zone (26) beträgt.
  3. Halbleiterbauteil (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Querschnitt (32) der aktiven Zone (26) eine Abmessung von mindestens 10 Mikrometern, vorzugsweise 20 Mikrometern, jedoch insbesondere 40 Mikrometern, aufweist, sodass unterschiedliche Lasermoden innerhalb einer durch die Spiegellagen (22, 24) und die aktive Zone (26) gebildete Vertikalkavität (28) realisierbar sind.
  4. Halbleiterbauteil (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (16) im Emissionsbereich (18) eine geringere Reflektivität aufweist als der Restabschnitt (42) der Oberfläche (16), der nicht zum Emissionsbereich (18) gehört.
  5. Halbleiterbauteil (10) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektivität des Emissionsbereichs bei < 99 %, vorzugsweise bei < 95 %, liegt.
  6. Halbleiterbauteil (10) nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand zwischen einer Außenfläche der erste Spiegellage (22) und der Oberfläche (16) am Emissionsbereich (18) gegenüber der restlichen Oberfläche unterschiedlich groß ist, sodass das Licht (20) im Emissionsbereich destruktiv interferiert und im Bereich der restlichen Oberfläche (16) konstruktiv interferiert.
  7. Halbleiterbauteil (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, eine zusätzlich dielektrische Schicht auf der Oberfläche (16) aufgebracht ist, die so eingerichtet ist, dass das Licht (20) im Emissionsbereich destruktiv interferiert und im Bereich der restlichen Oberfläche (16) konstruktiv interferiert.
  8. Halbleiterbauteil (10) nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Spiegellage (22) aus einer Mehrzahl an Zonen (26) gebildet ist, wobei am Emissionsbereich (18) einige der Schichten (26) entfernt sind, sodass die Reflektivität am Emissionsbereich (18) reduziert ist.
  9. Halbleiterbauteil (10) nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Restabschnitt (42) der Oberfläche (16), der nicht zum Emissionsbereich (18) gehört, ein metallischer Spiegel (46) angeordnet ist, sodass dieser Abschnitt der Oberfläche (16) eine höhere Reflektivität als der Emissionsbereich (18) aufweist.
  10. Halbleiterbauteil (10) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der metallische Spiegel auf einer dielektrischen Zone auf der Oberfläche (16) angeordnet ist.
  11. Halbleiterbauteil (10) nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Restabschnitt (42) der Oberfläche (16), der nicht zum Emissionsbereich (18) gehört, ein dielektrischer Spiegel angeordnet ist, sodass dieser Abschnitt der Oberfläche (16) eine höhere Reflektivität als der Emissionsbereich (18) aufweist.
  12. Halbleiterbauteil (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Querschnitt (32) der aktiven Zone (26) streifenförmig.
  13. Array (49) aus einer Mehrzahl an Halbleiterbauteilen (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der jeweilige Querschnitt (32) der durch die Blende (29) geformten aktiven Zone (26) streifenförmig ist.
  14. Array (49) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der jeweilige Emissionsbereich (18) bezüglich des Querschnitts (32) mittig auf der aktiven Zone (26) angeordnet ist.
  15. Array (49) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die streifenförmigen aktiven Zonen parallel zueinander ausgerichtet sind.
  16. Array (49) nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die streifenförmigen aktiven Zonen (26) senkrecht zueinander ausgerichtet sind.
  17. Array (49) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine aktive Zone (26) mehrere Emissionsbereich (18) zugeordnet sind, wobei der aktive Bereich vorzugsweise Abschnitte aufweist, die zueinander senkrecht ausgerichtet sind.
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