DE69726322T2 - Seitliche Strombegrenzung für einen oberflächenemittierenden Laser - Google Patents

Seitliche Strombegrenzung für einen oberflächenemittierenden Laser Download PDF

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Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Die vorliegende Erfindung betrifft oberflächenemittierende Laser (VCSELs) und insbesondere VCSELs, die eine Strombegrenzung aufweisen. Genauer betrifft die Erfindung VCSELs, die eine verbesserte Strombegrenzung aufweisen, welche durch ein Implantat oder eine Diffusion verursacht wird, die keine ungewollte Beschädigung im VCSEL-Aufbau aufweist.
  • Mehrere Patente setzen sich mit dem Problem der Strombegrenzung auseinander. Die US-Patentschrift Nr. 5,115,442 offenbart einen Aufbau, der einen Halbleiter-Viertelwellen-Stapel in beiden Spiegeln aufweist. Der gesamte Halbleiter-Epitaxialaufbau wird zuerst aufgebracht, worauf ein tiefes Protonenimplantat zum Begrenzen des Stroms folgt. Dies ist ein allgemein verwendeter Aufbau. Seine Nachteile beinhalten den Umstand, daß der obere Spiegel mehrere Mikron dick ist und das Implantat daher so tief sein muß, daß man hinsichtlich der Frage, wie klein der Stromweg ausgeführt werden kann, beschränkt ist. Da die Tiefe so groß ist und eine bedeutende Streuung der implantierten Ionen vorhanden ist, kann der Durchmesser des strombegrenzten Bereichs nicht so klein ausgeführt werden, wie man gerne hätte. Dies macht es schwieriger, eine Einfachmodusvorrichtung herzustellen, und schwieriger, den Strom, der zum Erreichen der Schwelle für die Lasertätigkeit benötigt wird, klein zu halten. Zusätzlich wird durch das Implantat in der Nähe des aktiven Bereichs eine Beschädigung erzeugt, die schließlich die Lebensdauer der Vorrichtung beschränken könnte. Die Größenbeschränkung beschränkt die Leistung. Darüber hinaus bestehen aufgrund der Nähe des implantierten Bereichs nächst dem Verstärkungsbereich Bedenken hinsichtlich der Verläßlichkeit.
  • Eine zweite verwandte US-Patentschrift Nr. 5,256,596 stellt ebenfalls eine Strombegrenzung unter Verwendung einer Ionenimplantation bereit, wobei jedoch vor dem Implantieren eine Mesa geätzt wird, so daß die Implantattiefe geringer ist. Bei diesem Aufbau wird ein versenktes Implantat verwendet, um eine Strombegrenzung bereitzustellen. Es wird jedoch zuerst der gesamte Epitaxialaufbau aufgebracht, und vor der Ionenimplantation muß eine Mesa geätzt werden, um das Implantat in der richtigen Tiefe anzuordnen, da die Reichweite von Dotierungsatomen verglichen mit Protonen ziemlich gering ist. Tatsächlich kann man sich fragen, ob der in 3 gezeigte Aufbau dieses Patents überhaupt machbar ist, da er die Implantation von p-typischen Atomen einige Mikron unter der Oberfläche erfordern würde. Die Nachteile dieser Verfahrensweise sind, daß sie zu einer nichtebenen Oberfläche führt und eine Implantation durch den oder nahe am aktiven Bereich erfordert, was zu möglichen Verläßlichkeitsproblemen führt.
  • Die am 12. Dezember 1995 ausgegebene US-Patentschrift 5,475,701 von Mary Hibbs-Brenner wird hiermit verweisend in diese Beschreibung aufgenommen.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen wie nachstehend in Anspruch 1 definierten oberflächenemittierenden Laser bereit.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch einen wie nachstehend in Anspruch 2 definierten oberflächenemittierenden Laser bereit.
  • Der Laser kann die Merkmale der abhängigen Ansprüche 3 und/oder 4 beinhalten.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein wie nachstehend in Anspruch 5 definiertes Verfahren bereit.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein wie nachste hend in Anspruch 6 definiertes Verfahren bereit.
  • Das Verfahren kann die Merkmale eines oder mehrerer der abhängigen Ansprüche 7 und 8 beinhalten.
  • Diese Erfindung besteht aus einem oberflächenemittierenden Laser, bei dem der Strom durch die Verwendung eines Implantats oder einer Diffusion in Spiegelschichten nahe an den aktiven Schichten jedes Spiegels auf die Mitte der Vorrichtung begrenzt wird; das heißt, das Implantat oder die Diffusion kann an der Oberseite des unteren Spiegels oder an der Unterseite des oberen Spiegels angeordnet werden.
  • Die hier umrissene Verfahrensweise umfaßt ein Wachstum durch metallorganische chemische Aufdampfung (MOCVD) in zwei Schritten. Der erste Spiegel wird gezüchtet und dann implantiert oder diffundiert, um eine Strombegrenzung bereitzustellen. Dann wird der Rest des Laseraufbaus, d. h., der Rest des ersten Spiegels, der Verstärkungsbereich und der zweite Spiegel, aufgebracht. Der Aufbau bleibt eben, wodurch die Herstellung von Anordnungen mit hoher Dichte erleichtert wird. Das Implantat oder die Diffusion ist seicht (einige Zehntel eines Mikrons), so daß die Ausmaße genau gesteuert werden können. Das Implantat oder die Diffusion befindet sich deutlich unterhalb des aktiven Bereichs, und Ionen müssen nicht durch den aktiven Bereich implantiert oder diffundiert werden. Diese Verfahrensweise stellt einen Aufbau für eine verbesserte Verläßlichkeit bereit.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1a ist ein Diagramm eines keine Ausführungsform der Erfindung darstellenden VCSEL, der ein strombegrenzendes Implantat oder eine Diffusion unter dem aktiven Bereich aufweist.
  • 1b zeigt ein Diagramm eines strombegrenzenden Im plantats oder einer Diffusion über dem aktiven Bereich im VCSEL, der keine Ausführungsform der Erfindung darstellt.
  • 2a ist ein Diagramm eines anderen VCSEL, der einen Teil der vorliegenden Erfindung bildet und ein strombegrenzendes Implantat oder eine Diffusion unter dem aktiven Bereich aufweist, das/die mit anderen elektronischen Schaltkreisen integriert werden kann.
  • 2b zeigt den VCSEL von 2a, doch mit dem strombegrenzenden Implantat oder der Diffusion über dem aktiven Bereich, wobei dieser VCSEL ebenfalls einen Teil der vorliegenden Erfindung bildet.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • 1a veranschaulicht die Gestaltung 10 des Aufbaus. Bei dieser Version sind abwechselnde epitaktische Schichten 14 und 16 für den Laser 10 auf ein Substrat 12 aufgebracht, das n-typisch dotiert ist. An der Unterseite des Substrats 12 ist ein breitflächiger Kontakt 15 (z. B. n-ohmisch) ausgebildet. Ein unterer Spiegel 17, der aus 26 Perioden von abwechselnden Schichten aus AlAs 16 und AlxGa(1–x)As (vorzugsweise ist x = 0, 15, doch kann x jeden beliebigen Wert aufweisen, der größer als 0,05 ist) 14 besteht, die alle n-typisch dotiert sind, wird gezüchtet, um einen hochreflektierenden Spiegel 17 zu bilden. Die gesamte Anzahl der Spiegelperioden kann abhängig von anderen Parametern größer oder geringer als 26 sein. An der Oberseite des Spiegels 17 ist ein p-typisches oder elektrisch isolierendes Dotierungsmaterial 20 in die oberen Schichten 14 und 16 implantiert oder diffundiert, um einen Stromfluß am Umfang des Spiegels 17 zu blockieren und den Strom auf das Ausmaß 40 zu begrenzen. Dieses p- oder isolierende Dotierungsmaterial kann zwischen 0 und 10 Perioden (20 Schichten) unter den ersten begrenzenden Schichten gelegen sein, befindet sich jedoch vorzugsweise 2 Peri oden unter der ersten begrenzenden Schicht. Vorzugsweise beträgt die Tiefe des Implantats 20 mehrere Zehntel eines Mikrons, kann jedoch in einem Bereich zwischen 0, 1 und 2 μm liegen. Das Ausmaß 40 kann zwischen 0,1 und 60 Mikron betragen, beträgt jedoch typischerweise mehrere Mikron, z. B. 2 bis 5 Mikron. An der Oberseite der implantierten oder diffundierten Oberfläche können mehrere weitere Spiegelperioden (0 bis 10) ausgebildet sein, worauf der Mittelabschnitt des Aufbaus 10 folgt, der aus zwei AlxGa(1–x)As-Begrenzungsschichten 24 (x = 0,6) besteht. x kann 0,25 oder mehr betragen. Diese Schichten 24 sind höchstwahrscheinlich geringfügig dotiert, und zwar n-typisch an der Schicht, die dem n-dotierten Spiegel am nächsten liegt, und p-typisch an der Schicht, die dem p-typischen Spiegel am nächsten liegt, obwohl auch die Möglichkeit besteht, daß diese Schichten undotiert belassen werden könnten. Die Schichten 24 schließen einen Bereich 22 ein, der drei GaAs-Quantenquellen 28 aufweist, die durch vier AlxGa(1–x) As-Sperrschichten 26 (x = 0,25) voneinander und von den begrenzenden Schichten 24 getrennt sind. Die Anzahl der GaAs-Quantenquellen kann "eins" bis "fünf" betragen. Alternativ könnte man möglicherweise über einen aktiven Bereich 22 ohne Quantenquellen verfügen, z. B. einen Bereich, der eine emittierende Schicht mit einer Dicke von etwa 0,2 μm aufweist. Über der begrenzenden Schicht 24 am aktiven Bereich 22 ist ein p-typischer Spiegel 30 gezüchtet, der aus 18 Perioden von abwechselnden Schichten aus p-AlAs 31 und p-AlxGa(x–1)As 32 (x beträgt vorzugsweise 0,15, kann jedoch jeden beliebigen Wert aufweisen, der größer als 0,05 ist) besteht. Die Anzahl der Perioden kann abhängig von anderen Parametern größer oder geringer als 18 sein. Über dem Spiegel 30 ist eine GaAs-Kontaktschicht 34 ausgebildet. Am Umfang der Kontaktschicht 34, des Spiegels 30, des aktiven Bereichs 22 und der begrenzenden Schichten 24 ist ein Protonenisolationsimplantat 38 angeordnet, um eine Vorrichtung 10 von einer gleichartigen benachbarten Vorrichtung auf einem Chip zu trennen. Wenn ein einzel ner Laserchip 10 hergestellt werden würde, wäre es möglich, daß dieses Protonenimplantat 38 beseitigt werden könnte, wenn sich das Implantat oder die Diffusion, die über dem n-Spiegel hergestellt ist, bis zum Rand des Chips erstrecken würde. Die Anschlüsse des Lasers 10 werden durch Aufbringen zumindest eines p-typischen ohmischen Kontakts 36 an der oberen Oberfläche der Kontaktschicht 34 und eines breitflächigen n-typischen ohmischen Kontakts 15 an der Rückseite des Wafersubstrats 12 gebildet. Die sich ergebende Vorrichtung emittiert Laserlicht im Bereich von 760 bis 870 Nanometern (nm).
  • 1b zeigt den gleichen VCSEL-Aufbau wie 1a, außer daß das Dotierungsmaterial 20 als n-typisches oder elektrisch isolierendes Dotierungsmaterial vorzugsweise mehrere Schichten über der begrenzenden Schicht 24 in die Schichten 31 und 32 implantiert oder diffundiert ist, um zum Blockieren des Stromflusses vom Umfang des aktiven Bereichs 22 und des unteren Spiegels 17 zu wirken und den Stromfluß innerhalb des Ausmaßes 40 zu begrenzen. Das Dotierungsmaterial 20 weist ähnliche Ausmaße wie das Implantat oder die Diffusion von 1a auf.
  • 2a veranschaulicht eine Gestaltung 50 des Aufbaus, wobei beide Kontakte der p-n-Verbindung aus einer oberen Oberfläche hergestellt werden können, wodurch eine Integration mit elektronischen Schaltkreisen oder anderen Vorrichtungen auf einem halbisolierenden Substrat gestattet wird. Bei dieser Version sind epitaktische Schichten 14 und 16 für den Laser 50 auf ein halbisolierendes Substrat 12 aufgebracht. Ein unterer Spiegel 17 weist 26 Perioden (d. h., 52 Schichten) von abwechselnden Schichten aus AlAs 16 und AlxGa(1–x)As (x = 0,16) 14 auf, die alle n-typisch dotiert, völlig undotiert oder bis auf die letzten paar Schichten undotiert sein können. Die Schichten 14 und 16 werden gezüchtet, um einen hochreflektierenden Spiegel 17 zu bilden. Eine Kontaktschicht 54 aus n-dotiertem AlxGa(1–x)As (x = 0,10, könnte jedoch von 0,0 bis 0,20 reichen) ist auf der obersten Schicht 16 des Spiegels 17 ausgebildet. Ein p-typisches oder elektrisch isolierendes Dotierungsmaterial 20 ist in die Kontaktschicht 54 implantiert oder diffundiert, um den Stromfluß am Umfang des Spiegels 17 zu blockieren und den Stromfluß auf das Ausmaß 40 zu begrenzen. Das Dotierungsmaterial 20 weist ähnliche Ausmaße wie das Implantat 20 von 1a auf. Anders als in der Beschreibung zu 1a kann sich der p-typische oder elektrisch isolierende Dotierungsmaterialbereich in diesem Fall nicht bis zum Rand des Chips erstrecken, da er ansonsten die Herstellung dieses n-ohmischen Kontakts 52 verhindern würde. Das p-typische oder elektrisch isolierende Implantat oder der diffundierte Bereich 20 sieht wie ein Ring aus. Das Ausmaß 40 beträgt typischerweise zwischen zwei und fünf Mikron. Der obere und der mittlere Abschnitt des Aufbaus 50 bilden nach einem Ätzen eine Mesa auf der Kontaktschicht 54. Der mittlere Abschnitt besteht aus zwei undotierten AlxGa_(1–x)As-Begrenzungsschichten 24 (x = 0, 6, kann jedoch einen Wert von 0,25 oder größer aufweisen), die einen Bereich 22 einschließen, der drei undotierte GaAs-Quantenquellen 28 aufweist, die durch AlxGa(1–x)As-Sperrschichten 26 (der bevorzugte Wert für x beträgt 0,25) voneinander und von den begrenzenden Schichten 24 getrennt sind. Über der begrenzenden Schicht 24 am aktiven Bereich 22 ist ein p-typischer Spiegel 30 gezüchtet, der aus 18 Perioden von abwechselnden Schichten aus p-AlAs 31 und p-AlxGa(1–x)As 32 (x = 0,15, kann jedoch einen Wert von 0,05 oder größer betragen) besteht. Über dem Spiegel 30 ist eine p+GaAs-Kontaktschicht 34 ausgebildet. Die Schichten 34, 31, 32, 26, 28 und 24 sind an ihrem Umfang bis zur Kontaktschicht hinunter geätzt, um auf der Schicht 54 eine Mesa zu bilden. Am Umfang des Kontaktschicht 34, des Spiegels 30, des aktiven Bereichs 22 und der begrenzenden Schichten 24 der Mesa kann ein Protonenisolationsimplantat 38 eingesetzt werden, um den Strom vom Rand der Mesa zu isolieren. Die Vorrichtung 50 könnte jedoch ohne dieses Protonen implantat hergestellt werden, obwohl sie damit verläßlicher sein kann. Das Protonenisolationsimplantat kann sich in einen Abschnitt der Kontaktschicht 54 erstrecken, der sich in einer Tiefe befindet, die geringer als die Dicke der Schicht 54 ist. Die Entfernung zwischen den inneren Rändern des Protonenimplantats beträgt zwischen 10 und 100 μm. Die Anschlüsse des Lasers 50 für die p-n-Verbindung werden durch Aufbringen zumindest eines p-typischen ohmischen Kontakts 36 an der oberen Oberfläche der Kontaktschicht 34 und zumindest eines n-typischen ohmischen Kontakts 52 an einer äußeren Oberfläche der Kontaktschicht 54 außerhalb des Umfangs der Mesa, die den aktiven Bereich 22 und den Spiegel 30 umfaßt, und auch außerhalb des Umfangs des p-typischen oder elektrisch isolierenden Implantats oder der Diffusion gebildet.
  • 2b zeigt den gleichen VCSEL-Aufbau mit ähnlichen Ausmaßen und Materialien wie 1a, außer daß das Dotierungsmaterial 20 als ein n-typisches oder elektrisch isolierendes Dotierungsmaterial vorzugsweise mehrere Schichten (0 bis 10 Perioden oder 0 bis 20 Schichten) über der begrenzenden Schicht 24 in die Schichten 31 und 32 des Spiegels 30 implantiert oder diffundiert ist, um zum Blockieren des Stromflusses vom Umfang des aktiven Bereichs 22 und des unteren Spiegels 17 zu wirken und den Stromfluß in den Rahmen des Ausmaßes 40 zu begrenzen.
  • Die Vorrichtung 10, 50 kann durch epitaktisches Aufbringen eines n-typischen Spiegels in einem OMVPE (metallorganischen Dampfphasenepitaxie) oder einem MBE (Molekularstrahlepitaxie)-Reaktor hergestellt werden. Die Schichten der Vorrichtung 10, 50 werden aus dem Reaktor, der die Schichten bildet, entnommen, und ein Photoresist wird auf den Wafer 10, 50 gesponnen und in einer solchen Weise bemustert, daß die Schichten an einem Bereich für eine Mitte 40 der Vorrichtung 10, 50 geschützt werden. Das p-, n- oder elektrisch isolierend typische Dotierungsmaterial wird in einen Ring außerhalb des geschützten Bereichs, welcher den Durchmesser 40 aufweist, implantiert oder diffundiert. Die Vorrichtung wird wieder im epitaktischen Wachstumsreaktor angeordnet und die verbleibenden Schichten des Aufbaus werden aufgebracht. Nach dem Wachsen des Materials werden das Protonenisolationsimplantat 38 und die Aufbringungen des n- bzw. p-ohmischen Kontakts 15 bzw. 36 unter Verwendung normaler Halbleiterverarbeitungstechniken hergestellt. Wenn die Vorrichtung 10, 50 durch Anlegen einer Vorwärtsvorspannung an die p-i-n-Verbindung, die durch den oberen p-dotierten Spiegel 30, den undotierten oder geringfügig dotierten aktiven Bereich 22 und den unteren n-dotierten Spiegel 17 gebildet wird, betrieben wird, wird der Strom gezwungen, nur durch die nichtimplantierte Mitte 40 der Vorrichtung 10, 50 zu fließen.
  • Bei der vorliegenden Erfindung, die Vorteile gegenüber der oben erwähnten Patentschrift Nr. 5,115,442 aufweist, muß die Tiefe des p-, n- oder elektrisch isolierend typischen Implantats oder der Diffusion nur einige Zehntel eines Mikrons betragen, kann jedoch von 0,1 bis 2 μm reichen. Daher kann der Durchmesser 40 des nichtimplantierten oder nichtdiffundierten Bereichs auf ein Ausmaß von einigen Mikron klein gehalten werden, kann jedoch von 0, 1 bis 60 μm reichen, wobei in den Fällen, in denen dieses Ausmaß bei gerade einigen Mikron gehalten wird, ein Bedarf nur eines sehr geringen Stroms zum Erreichen der Schwelle für die Lasertätigkeit verwirklicht werden kann. Zusätzlich wird die Beschädigung aufgrund des Implantats 20 vom aktiven Bereich 22 des Lasers 10 und 50 fern gehalten, wodurch die Verläßlichkeit der Vorrichtung erhöht wird.
  • Diese Erfindung bietet Vorteile gegenüber dem Aufbau, der in der oben erwähnten Patentschrift Nr. 5,256,590 offenbart ist. Da das epitaktische Wachstum in zwei Schritten vorgenommen wird, wobei das begrenzende Im plantat oder die Diffusion 20 nach dem ersten Wachstum durchgeführt wird, müssen nur einige Zehntel eines Mikrons implantiert oder diffundiert werden. Im Fall eines Implantats beschränkt dies die benötigten Energien, was erneut eine engere Steuerung der Ausmaße gestattet und die Erfordernis einer Mesaätzung vor der Implantation beseitigt. Diese Mesaätzung legt die sehr reaktiven AlAs-Schichten 31 im oberen Spiegel 30 frei, was die Verläßlichkeit beeinflussen würde. Die Energien des unteren Implantats 20 beschränken die Implantatbeschädigung und die Größe der Implantatstreuung. Indem das Implantat 20 mehrere Perioden über oder unter dem aktiven Bereich 22 gehalten wird, wird das die Verläßlichkeit beschränkende Implantat zusätzlich von den aktiven Schichten des Lasers fern gehalten.
  • Andere Gestaltungen der Vorrichtung würden zuerst das Wachstum eines p-typischen Spiegels 17 mit einem n-typischen oder elektrisch isolierenden Implantat oder einer Diffusion 20 gefolgt vom aktiven Bereich 22 und dem n-typischen Spiegel 30 beinhalten. Zusätzlich können für eine Emission im Bereich von 870 bis 1000 nm In-GaAs-Quantenquellen 28 verwendet werden. In diesem Fall kann Licht entweder von der oberen oder der unteren Oberfläche des Lasers 10 oder 50 emittiert werden. Es können andere Materialien wie etwa das AlGaInP-Materialsystem, das zu einem Laser 10 oder 50 führt, der im Bereich von 630 bis 700 nm emittiert, oder das InGaAsP-Materialsystem für eine Vorrichtung 10 oder 50, die nahe an 1,3 Mikron emittiert, verwendet werden. Sogar im Fall der Laser, die bei 760 bis 870 nm emittieren, können die verschiedenen Zusammensetzungen, die in der obigen Beschreibung erwähnt sind, verändert werden, d. h., die Zusammensetzungen mit "x" im Spiegel könnten von 0,05 bis 0,3 schwanken, oder die Zusammensetzungen mit "x" der begrenzenden Schicht könnten von 0,4 bis 0,8 bei den Spiegeln und von 0,1 bis 0,5 zwischen den Quantenquellen schwanken.

Claims (8)

  1. Oberflächenemittierender Laser (10), der eine verbesserte Strombegrenzung aufweist, umfassend: ein Substrat (12), das eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist oder halbisolierend ist, und eine erste und eine zweite Oberfläche aufweist; einen ersten Spiegel (17), der eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und an der zweiten Oberfläche des Substrats ausgebildet ist; eine erste Kontaktschicht (54), die eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und am ersten Spiegel ausgebildet ist; einen ersten implantierten oder diffundierten Bereich, der eine stromblockierende Art von Dotierungsmaterial (20) aufweist, das vor dem Wachstum der zusätzlichen epitaktischen Schichten über der ersten Kontaktschicht in die erste Kontaktschicht implantiert oder diffundiert ist, wobei der implantierte oder diffundierte Bereich am Rand und um ein Gebiet der ersten Kontaktschicht ausgebildet ist, wobei dieses Gebiet einen Durchmesser zwischen 0,1 und 60 μm aufweist, und der implantierte oder diffundierte Bereich eine Tiefe zwischen 0,1 und 2 μm aufweist; einen aktiven Bereich (22), der über der ersten Kontaktschicht ausgebildet ist, die den ersten implantierten oder diffundierten Bereich aufweist; einen zweiten Spiegel (30), der eine zweite Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und am aktiven Bereich ausgebildet ist; und eine zweite Kontaktschicht, die eine zweite Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und am zweiten Spiegel ausgebildet ist; und wobei der erste implantierte oder diffundierte Bereich den Strom auf ein Gebiet im mittleren Bereich des oberflächenemittierenden Lasers beschränkt, das nicht implantiert (40) ist, und an der ersten Kontaktschicht eine metallische Kontaktschicht aufgebracht ist.
  2. Oberflächenemittierender Laser, der eine verbesserte Strombeschränkung aufweist, umfassend: ein Substrat (12), das eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist oder halbisolierend ist, und eine erste und eine zweite Oberfläche (14, 16) aufweist; einen ersten Spiegel (17), der eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist und an der zweiten Oberfläche des Substrats ausgebildet ist; eine erste Kontaktschicht (54), die eine erste Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und am ersten Spiegel ausgebildet ist; einen zweiten Spiegel (30), der eine zweite Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist; einen ersten implantierten oder diffundierten Bereich, der eine stromblockierende Art von Dotierungsmaterial (20) aufweist, das vor dem Wachstum der zusätzlichen epitaktischen Schichten über dem zweiten Spiegel in Spiegelschichten (31, 32) des zweiten Spiegels implantiert oder diffundiert ist, wobei der implantierte oder diffundierte Bereich am Rand und um ein Gebiet der Spiegelschichten (31, 32) ausgebildet ist, wobei dieses Gebiet einen Durchmesser zwischen 0,1 und 60 μm aufweist und der implantierte oder diffundierte Bereich eine Tiefe zwischen 0,1 und 2 μm aufweist; einen aktiven Bereich (22), der zwischen dem ersten und dem zweiten Spiegel ausgebildet ist, eine zweite Kontaktschicht (34), die eine zweite Art von elektrisch leitfähigem Dotierungsmaterial aufweist, und am zweiten Spiegel ausgebildet ist; und wobei der erste implantierte oder diffundierte Bereich den Strom auf ein Gebiet am mittleren Bereich des oberflächenemittierenden Lasers beschränkt, das nicht implantiert ist, und an der ersten Kontaktschicht eine metallische Kontaktschicht aufgebracht ist.
  3. Oberflächenemittierender Laser nach Anspruch 1 oder 2, wobei der aktive Bereich (22) zumindest eine Quantenquelle (28) aufweist.
  4. Oberflächenemittierender Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend einen zweiten implantierten Bereich (38), der am Rand der zweiten Kontaktschicht (34), des zweiten Spiegels (30) und des aktiven Bereichs (22) ausgebildet ist.
  5. Verfahren zum Herstellen eines oberflächenemittierenden Lasers, der eine verbesserte Strombegrenzung aufweist, umfassend die folgenden Schritte: Ausbilden eines ersten Spiegels, der eine erste Oberfläche aufweist, an einer zweiten Oberfläche des Substrats; Ausbilden einer ersten Kontaktschicht (54) am ersten Spiegel (12); Oberflächenimplantieren oder -diffundieren eines stromblockierenden Dotierungsmaterials an einem Bereich am Rand und um ein Gebiet der ersten Kontaktschicht, wobei das Gebiet einen Durchmesser zwischen 0,1 und 60 μm aufweist und der implantierte oder diffundierte Bereich ein Tiefenausmaß zwischen 0,1 und 2 μm aufweist, Ausbilden eines aktiven Bereichs (22) an der ersten Kontaktschicht; Ausbilden eines zweiten Spiegels (30) am aktiven Bereich; und Ausbilden einer zweiten Kontaktschicht (34) am zweiten Spiegel; und wobei der implantierte oder diffundierte Bereich den Strom auf ein Gebiet im mittleren Bereich des oberflächenemittierenden Lasers beschränkt, das nicht implantiert ist, und Ablagern einer metallischen Kontaktschicht an der ersten Kontaktschicht.
  6. Verfahren zum Herstellen eines oberflächenemittierenden Lasers, der eine verbesserte Strombegren zung aufweist, umfassend die folgenden Schritte: Ausbilden eines ersten Spiegels (17) an einer zweiten Oberfläche eines Substrats, das eine erste und eine zweite Oberfläche aufweist; Ausbilden einer ersten Kontaktschicht (54) am ersten Spiegel (12); Ausbilden eines zweiten Spiegels (30); und Ausbilden eines aktiven Bereichs (22) zwischen dem ersten und dem zweiten Spiegel; Oberflächenimplantieren oder -diffundieren eines stromblockierenden Dotierungsmaterials an einem Bereich am Rand und um ein Gebiet von Spiegelschichten (31, 32) des zweiten Spiegels, wobei das Gebiet einen Durchmesser zwischen 0,1 und 60 μm aufweist und der implantierte oder diffundierte Bereich ein Tiefenausmaß zwischen 0,1 und 2 μm aufweist; Ausbilden einer zweiten Kontaktschicht (34) am zweiten Spiegel; und wobei der implantierte oder diffundierte Bereich den Strom auf ein Gebiet im mittleren Bereich des oberflächenemittierenden Lasers beschränkt, das nicht implantiert ist, und Ablagern einer metallischen Kontaktschicht an der ersten Kontaktschicht.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 6, ferner umfassend das Ausbilden eines protonenimplantierten Bereichs (38) an einem Rand der zweiten Kontaktschicht (34) und des aktiven Bereichs (22).
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der aktive Bereich zumindest eine Quantumquelle aufweist.
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