DE102020203417A1

DE102020203417A1 - Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe und Lampensystem

Info

Publication number: DE102020203417A1
Application number: DE102020203417.6A
Authority: DE
Inventors: Anna Maria Koprek; Jan Winderlich; Franz-Josef Schilling; Holger Kurz
Original assignee: Heraeus Noblelight GmbH
Current assignee: Heraeus Noblelight GmbH
Priority date: 2020-03-17
Filing date: 2020-03-17
Publication date: 2021-09-23
Also published as: WO2021185582A1; CN115152003A; JP2023515040A; EP4122000A1; US20230115738A1

Abstract

Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) umfasst ein Entladungsgefäß (6, 6a, 6b, 6c, 6d), das einen mit einer Füllung aus Quecksilber und einem Füllgas, insbesondere einem Edelgas, versehenen Entladungsraum (8) gasdicht einschließt, wobei das Entladungsgefäß (6, 6a, 6b, 6c, 6d) einen ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) und einen zweiten Endabschnitt (62) aufweist, eine an dem ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) angeordnete erste Elektrode (11) und eine an dem zweiten Endabschnitt (62) angeordnete zweite Elektrode (12) zur Aufrechterhaltung einer Entladung entlang einem Entladungsweg (13) zwischen der ersten Elektrode (11) und der zweiten Elektrode (12), und ein Amalgamdepot (18) zur Regulierung des Quecksilberdampfdrucks in dem Entladungsraum (8) an dem ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) außerhalb des Entladungswegs (13) angeordnet ist, wobei die Position des Amalgamdepots (18) mittels eines Haftvermittlers (17, 17b, 17c) festgelegt ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Niederdruck- Quecksilberdampfentladungslampe. Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen werden beispielsweise in Systemen zur Trinkwasserentkeimung oder zur Brauchwasseraufbereitung eingesetzt. Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen können auch zur Wasserentkeimung in der Fischzucht eingesetzt werden. Andere Anwendungsgebiete umfassen Oberflächendesinfektion oder Desinfektion von Luft in Klima- und Kühlanlagen. Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen erreichen sehr hohe UV-Leistungsdichten und können bei verschiedenen Umgebungstemperaturen eingesetzt werden.
In einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe wird Quecksilber zum Erzeugen von ultraviolettem (UV) Licht verwendet. Beim Betrieb einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe wird deren Lebensdauer und Betriebseffizienz maßgeblich beeinflusst von dem Dampfdruck des Quecksilbers. Der Quecksilberdampfdrucks ist stark abhängig von der Temperatur des Quecksilbers in der Lampe. Um das Quecksilber sicher und einfach handhaben zu können, wird in vielen Fällen ein Amalgam verwendet. Im Sinne der vorliegenden Anmeldung können sowohl metallische Quecksilberlegierungen als auch Quecksilbersalze, wie Quecksilberiodid, als Amalgam bezeichnet sein. Der zum effizienten Betreiben einer Niederdruck-Quecksilberdampf Lampe erforderliche optimale Quecksilberdampfdruck ist temperaturabhängig. Die Temperatur, bei der sich der optimale Dampfdruck einstellt, ist materialabhängig. Für ein spezifisches Amalgam oder eine spezifische Mischung verschiedener Amalgame kann die materialspezifische Idealtemperatur für den Betrieb einer Quecksilber-Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen einfach bspw. experimentell bestimmt werden. Die materialabhängige Idealtemperatur einer beliebigen handelsüblichen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen kann im Hinblick auf die Auslegung einer Anlage als vorbestimmt angesehen werden. Die konstruktive Auslegung und/oder Regelung des Lampensystems kann durch den Fachmann anhand der vorbekannten Idealtemperatur des Amalgams ausgelegt werden.
Zum effizienten Betreiben von Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen sind unterschiedliche Konzepte bekannt.
Aus DE 10 2008 032 608 A1 ist ein Verfahren zum Betreiben einer Amalgamlampe bekannt, durch das die Hoflaufzeit reduziert wird. Die Hochlaufzeit bezeichnet den erforderlichen Zeitraum, um beim Aktivieren einer kalten Amalgamlampe oder Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe eine gewünschte Betriebstemperatur zu erreichen, welche zu der Idealtemperatur korrespondieren kann. Die in DE 10 2008 032 608 A1 offenbarte Lampe ist ausgestattet mit einem Amalgamdepot an der Innenseite des Lampenrohres, das durch einen Infrarotstrahler aufgeheizt wird. Zwischen dem Quarz-Lampenrohr und dem Amalgamdepot kann eine Haftvermittlerschicht aus einem Edelmetall aufgebracht sein. Vor der Zündung der Lampe wird das Amalgamdepot mit der Infrarotlampe erhitzt und dadurch Quecksilberdampf freigesetzt, welches der Entladung schon während der Zündung zur Verfügung steht, sodass eine hohe UV-Leistungsdichte bereits beim Einschalten der Lampe bereitsteht. Infolge der Anordnung des Amalgams im Entladungsweg der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe zwischen deren Elektroden ist die Temperatur des Amalgamdepots im laufenden Betrieb der Lampe hoch und kann insbesondere bei hohen Umgebungstemperaturen oder langem Betrieb eine gewünschte Betriebstemperatur deutlich überschreiten, sodass die Effizienz der Lampe sinkt.
Gemäß EP 3 267 466 B1 ist eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe vorgesehen, bei der ein Amalgamdepot in der Nähe einer Elektrode, jedoch außerhalb des Entladungsweges zwischen den Elektroden der Lampe angeordnet werden soll, um während dem Lampenbetrieb die Wärmeabgabe der Elektrode zum Temperieren des Amalgamdepots zu verwenden. Um zu vermeiden, dass das Amalgam überhitzt und die Idealtemperatur überschreitet oder schlimmstenfalls sogar schmilzt, schlägt EP 3 267 466 B1 vor, das Lampenhüllrohr zwischen der Elektrodenwendel und dem Amalgamdepot mit einer Verengung zu versehen, um das Amalgamdepot durch die Verengung von der von der Wendel emittierten direkten Wärmestrahlung abzuschirmen. Nachteilig an dieser Ausgestaltung ist die der enge Zusammenhang zwischen Temperatur und Hitzestrahlung der Elektrodenwendel und der Temperatur des Amalgamdepots. Insbesondere beim Dauerbetrieb zeigt sich, dass die optimale Effizienzausbeute mit einer derartigen Lampe nicht sichergestellt werden kann, weil das Amalgamdepot übermäßig stark erhitzt werden und schlimmstenfalls sogar schmelzen kann. Andererseits zeigt sich insbesondere bei kühlen Umgebungstemperaturen, beispielsweise in einer Wasserentkeimungsanlage, dass das Amalgamdepot oftmals nicht mit ausreichend Hitze versorgt wird, um die Idealtemperatur des Amalgamdepots zu erreichen.
EP 3 298 620 B1 schlägt eine Vorrichtung zum geregelten Temperieren einer Gasentladungslampe vor, die ein Amalgamreservoir mit Amalgamdepot hat. Das Amalgamreservoir soll durch ein einseitig geschlossen Glasröhrchen gebildet sein, dass an einem axialen Ende der Lampe ausgebildet ist. Ferner soll die Vorrichtung eine Hülse aus einem wärmeleitenden Werkstoff umfassen, die auf das Amalgamreservoir aufschiebbar ist. Alternativ kann das Amalgamreservoir durch eine Tasche gebildet sein, die an einem axialen Ende der Gasentladungslampe ausgebildet ist oder durch eine Teilfläche einer Innenwand des den Quecksilberdampf einfassenden Glaskolbens. Außerhalb der Glasröhre soll nahe dem Amalgamreservoir ein elektrisches Heizelement zum Beheizen des Amalgamreservoirs angeordnet sein. Das Heizelement soll gebildet sein durch einen Transformatorkern, der Teil eines Transformators ist, dessen Sekundärwicklung mit einer Temperaturregelungselektronik verbunden ist.
Es kann er seine Aufgabe der Erfindung angesehen werden, eine insbesondere verbesserte Alternative bereitzustellen für eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen und/oder ein Lampensystem mit einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe, welches die Nachteile des Stands der Technik überwindet und insbesondere einen dauerhaft sicheren und effizienten Lampenbetrieb unabhängig von Umgebungsbedingungen gewährleistet.
Diese Aufgabe löst der Gegenstand von Anspruch 1. Demnach ist eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe vorgesehen, die ein Entladungsgefäß umfasst, dass einen mit einer Füllung aus Quecksilber und einem Füllgas, insbesondere einem Edelgas, versehenen Entladungsraum gasdicht einschließt, wobei das Entladungsgefäß einen ersten Endabschnitt und einen zweiten Endabschnitt aufweist. Der erste Endabschnitt kann gegenüber dem zweiten Endabschnitt angeordnet sein. Das Entladungsgefäß kann ein im Allgemeinen länglicher, rohrartiger Körper sein. Insbesondere kann das Entladungsgefäß aus einem für ultraviolettes Licht zumindest teilweise transluzentes Material, wie einem Glas, beispielsweise einem Borosilikatglas oder einem Quarzglas, gebildet sein.
Die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe umfasst ferner eine an dem ersten Endabschnitt angeordnete erste Elektrode und eine an dem zweiten Endabschnitt angeordnete zweite Elektrode zur Aufrechterhaltung einer Entladung entlang einem Entladungsweg zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode. Gemäß einer Ausführung kann die erste Elektrode eine Anode und die zweite Elektrode eine Katode sein. Gemäß einer alternativen Ausführung kann die erste Elektrode eine Katode und die zweite Elektrode eine Anode sein. Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen können insbesondere ein zylinderförmiges Strahlerrohr aus Quarzglas aufweisen, welches ein Entladungsgefäß bildet. Das Entladungsgefäß oder Strahlerrohr kann an beiden Enden vermittels Quetschungen gasdicht verschlossen sein. Durch die gasdicht verschlossenen Endabschnitte sind Elektroden mit Kontaktdrähte zur Stromversorgung geführt. Das Quecksilber in dem Entladungsgefäß kann insbesondere als Amalgam eingebracht sein. Die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe mit Amalgamdepot hat ein Emissionsspektrum mit charakteristischen Linien bei 185 nm (UV-A-Strahlung) und/oder 254 nm (UV-C).
Erfindungsgemäß umfasst die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ein Amalgamdepot zur Regulierung des Quecksilberdampfdrucks, das in dem Entladungsraum an dem ersten Endabschnitt außerhalb des Entladungsweges angeordnet ist, wobei die Position des Amalgamdepots mittels eines Haftvermittlers festgelegt ist. Das Amalgamdepots kann eine metallische Quecksilber-Legierung oder eine ein Quecksilbersalz, wie Quecksilberiodid oder Quecksilberbromid, aufweisen oder eine Kombination davon. Vorzugsweise kann das Amalgam Quecksilber und wenigstens eines der folgenden Elemente aufweisen: Li; Be; Na; Mg; AI; K; Ca; Sc; Ti; Ni; Cu; Zn; Ga; As; Rr; Sr; Y; Zr; Pd; Ag; Cd; In; Sn; Se; Cs; Ba; Hf; Pt; Au; Tl; Pb; und/oder Ra. Vorzugsweise kann das Amalgam Quecksilber und wenigstens ein Edelmetall umfassen oder aus Quecksilber und einem oder mehreren Edelmetallen bestehen; insbesondere Au, Pd, und/oder Pt.
Der Haftvermittler kann wenigstens eines der folgenden Elemente oder ihre Legierungen aufweisen, insbesondere kann der Haftvermittler aus einem oder mehreren der nachfolgenden Elemente bestehen: Li; Be; Na; Mg; AI; K; Ca; Sc; Ti; Ni; Cu; Zn; Ga; As; Rr; Sr; Y; Zr; Pd; Ag; Cd; In; Sn; Se; Cs; Ba; Hf; Pt; Au; TI; Pb; und/oder Ra. Bevorzugt kann ein Haftvermittler Nickel, Palladium, Silber, Platin und/oder Gold umfassen oder daraus bestehen. Als Haftvermittler kann insbesondere ein Metallmaterial verwendet werden, welches sich an atmosphärischer Umgebungsluft verarbeiten, insbesondere schmelzen und/oder verformen lässt. Als Haftvermittlers kann insbesondere ein Metallmaterial verwendet werden, dass den Strahlerbetrieb nicht beeinträchtigt; insbesondere kann die Haftvermittlerschicht frei von Lithium und/oder frei von Natrium sein, welche das Quarzglas des Glasgefäßes angreifen könnte. Der Haftvermittler ist insbesondere frei von organischen Materialien. Vorzugsweise umfasst der Haftvermittler metallische Materialien oder besteht aus metallischen Materialien. Vorzugsweise kann die erste Elektrode in einem vorbestimmten Abstand zu dem Haftvermittler angeordnet sein, wobei der vorbestimmte Abstand derart bemessen ist, dass die Temperatur des Amalgamdepots unabhängig von einem vorbestimmten Entladungsstrom, insbesondere einem nominellen Entladungsstrom, der ersten Elektrode ist.
Die Regelungselektronik kann dazu eingerichtet sein, die Temperatur des Amalgamdepots derart einzustellen, dass sich der Quecksilberdampfdruck im Entladungsbereich in einem optimalen Druckbereichs befindet. Im optimalen Druckbereich entspricht die Leuchtleistung des Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe wenigstens 90% der höchstmöglichen Leuchtleistung. Die höchstmögliche Leuchtleistung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ist in Abhängigkeit vom spezifischen Amalgam und der Geometrie des Entladungsgefäßes der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe vorbestimmt. Die höchstmögliche Leuchtleistung wird erreicht, wenn das Amalgamdepot auf dessen Idealtemperatur temperiert ist. Die Regelungselektronik kann dazu eingerichtet sein, die Temperatur des Amalgamdepots derart zu regeln, dass die Temperatur des Amalgamdepots sich in einem optimalen Temperaturbereich befindet. Der optimale Temperaturbereich kann zu de optimalen Druckbereich korrespondieren. Der optimale Temperaturbereich kann beispielsweise eine Abweichung relativ zu der Idealtemperatur um nicht mehr als ±10°C, vorzugsweise nicht mehr als ±5°c; besonders bevorzugt nicht mehr als ±2°C erlauben. Insbesondere ist in dem optimalen Druckbereich das Produkt des Quecksilberdampfdrucks p_Hg in der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe und dem Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes wenigstens 0,13 und höchstens 5 Pa*cm, bevorzugt wenigstens 1 und höchstens 4,5 Pa*cm, besonders bevorzugt wenigstens 1,3 und höchstens 4 Pa*cm. Die Bestimmung des optimalen Druckbereichs einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ist beispielsweise in „Discharge Lamps, Chr. Meyer and H. Nienhuis, Kluwer, 1988, 70-72, ISBN 90 201 2147 2“ beschrieben.
Gemäß einer Ausführung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe umfasst die erste Elektrode wenigstens einen Kontaktdraht, der sich von der ersten Elektrode im Entladungsraum bis außerhalb des Entladungsgefäß ist erstreckt. Insbesondere kann die erste Elektrode genau einen oder genau zwei Kontaktdrähte aufweisen, die sich von der Elektrode im Entladungsraum bis außerhalb des Entladungsgefäßes erstrecken. Die Elektrode kann mit einem wendelförmigen Glühkörpern gebildet sein, der sich im Entladungsraum von einen ersten Kontaktdraht zu einem zweiten Kontaktdraht erstreckt. Die erste Elektrode kann durch den ersten Kontaktdraht und/oder den zweiten Kontaktdraht mit dem Entladungsstrom für die Entladung versorgt werden.
Der Kontaktdraht weist wenigstens abschnittsweise, insbesondere kontinuierlich, innerhalb des Entladungsraum eine dielektrische Ummantelung auf. Die dielektrische Ummantelung kann aus einem anorganischen Material gebildet sein, insbesondere aus einer Keramikmaterial, einem Glasmaterial oder einer Kombination daraus. Insbesondere kann die dielektrische Ummantelung aus einem Glas, wie Borosilikatglas oder Quarzglas, bestehen. Der Haftvermittler ist vorzugsweise an der Ummantelung angeordnet. Es kann bevorzugt sein, dass der wenigstens eine Kontaktdraht, insbesondere die genau zwei Kontaktdrähte gehalten und/oder abgestützt sind durch die Ummantelung. Es kann bevorzugt sein, dass der Haftvermittler und das Amalgamdepots von der Ummantelung getragen und/oder gehalten sind. Insbesondere sind das Amalgamdepots und der Haftvermittler an der Ummantelung berührungsfrei relativ zu dem wenigstens einen Kontaktdraht gehalten, sodass Haftvermittler und Amalgamdepot weder direkt noch indirekt von wenigstens einem Kontaktdraht getragen werden, sondern die strukturelle Halterung des Amalgamdepots und des Haftvermittler ausschließlich vermittels der Ummantelung erfolgt. Die dielektrische Ummantelung wenigstens eines Kontaktdrahtes kann außerhalb des Entladungsweges zwischen den Elektroden in dem ersten Endabschnitt des Entladungsgefäßes angeordnet sein. Vorzugsweise befindet sich die Ummantelung vollständig außerhalb des Entladungsweges im ersten Endabschnitt des Entladungsraum der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe.
Der wenigstens eine Kontaktdraht kann einen Kontaktbereich umfassen, in dem der Kontaktdraht mit der ersten Elektrode vorzugsweise außerhalb der Ummantelung in einem Berührkontakt steht. Der Berührkontakt des Kontaktdrahtes und der ersten Elektrode kann beispielsweise realisiert sein als Lötverbindung, Schraubverbindung, Steckverbindung, Schweißverbindung oder dergleichen. Kontaktdraht und Elektrode können zur Übertragung des Entladungsstromes für die Entladung miteinander verbunden sein. Es kann bevorzugt sein, dass der Kontaktdraht aus einem ersten elektrischen leitfähigen Material, wie aus Molybdän oder einer Molybdän-Legierung, gebildet sein oder daraus bestehen. Insbesondere kann die Elektrode aus einem zweiten elektrisch leitfähigen Material, wie Wolfram oder einer Wolframlegierung, gebildet sein oder daraus bestehen.
Die dielektrische Ummantelung kann den wenigstens einen Kontaktdraht in dem ersten Endabschnitt kontinuierlich umhüllen. Zwischen Ummantelung und Elektrode kann ein Übergangsbereich vorgesehen sein, in dem sich der Kontaktdraht ohne Ummantelung innerhalb des Entladungsgefäßes erstreckt. Die dielektrische Ummantelung des wenigstens einen Kontaktdrahts kann sich kontinuierlich vom axialen ersten Endabschnitt des Entladungsgefäßes bis zu der Elektrode, bis zu dem Kontaktbereich oder bis zu einem Übergangsbereich zwischen der Elektrode beziehungsweise dem Kontaktbereich unterbrechungsfrei erstrecken. Insbesondere ist der Haftvermittler und/oder das Amalgamdepot ausschließlich an der bandförmigen Ummantelung angeordnet.
Gemäß einer Weiterbildung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe schließt die Ummantelung den Kontaktdraht abdichtend ein. Insbesondere kann die Ummantelung durch anpressen des dialektischen Materials an den Kontaktdraht geformt sein. Es kann bevorzugt sein, dass die Ummantelung den Kontaktdraht derart abdichtend umschließt, dass entlang des Kontaktdrahts keine Umgebungsluft in den Entladungsraum eindringen kann und/oder das aus dem Entladungsraum kein Quecksilberfluid, kein Quecksilberdampf, und/oder kein Füllgas in die Umgebung außerhalb der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe entweichen kann. Als Umgebungsbedingungen kann im Allgemeinen von Standardbedingungen ausgegangen werden, d.h. einen atmosphärischer Druck von 1013 hPa und einer Umgehungstemperatur von 25 °C.
Vorzugsweise kann der Kontaktdraht innerhalb der Ummantelung mit wenigstens einem Abdichtplättchen geformt sein, wobei das Abdichtplättchen insbesondere in axialer Richtung abschnittsweise den Kontaktdraht bildet. Das Abdichtplättchen kann einen elliptischen, rautenförmigen (mit abgerundeten Ecken) oder ähnlichen abgeflachten Querschnitt aufweisen, der vorzugsweise in einer Querrichtung eine geringste Querbreite hat, die der konstanten Querbreite des Kontaktdrahtes in axialer Richtung vor und/oder nach dem Abdichtplättchen entspricht. Der abdichtende Einschluss des Kontaktdrahtes vermittels der Ummantelung kann insbesondere im Bereich des Abdichtplättchens erfolgen.
Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe, die mit den vorherigen kombinierbar ist, ist die Ummantelung aus dem selben Material gebildet wie das Entladungsgefäß. Vorzugsweise kann die Ummantelung aus demselben Material wie das Entladungsgefäß bestehen. Die Ummantelung und das Entladungsgefäß können aus einem Glasmaterial, insbesondere Quarzglas, gebildet sein oder daraus bestehen. Durch die Verwendung desselben Materials für die Ummantelung und das Entladungsgefäß kann die Fertigung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe besonders einfach verlässlich und zuverlässig realisiert sein. Eines oder mehrere Amalgamdepots können mittels Haftvermittler in gleicher Weise an der Ummantelung, einem Hitzeschild und/oder dem Entladungsgefäß angeordnet sein.
Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe erstreckt sich die Ummantelung bandförmig in den Entladungsraum hinein. Insbesondere kann die Ummantelung am axialen Ende des Entladungsgefäßes beginnend sich kontinuierlich bandförmig in den Entladungsraum hinein erstrecken. Insbesondere weist die bandförmige Ummantelung eine Breite auf, die kleiner ist als ein Innendurchmesser des Entladungsgefäßes, wobei insbesondere die Breite mehr als 50%, vorzugsweise mehr als 75 % und/oder weniger als 95 %, vorzugsweise weniger als 90 % des Innendurchmessers misst. Vorzugsweise kann die Breite etwa 85% des Innendurchmessers betragen. Insbesondere weist die bandförmige Ummantelung eine Dicke auf, die kleiner ist als die Hälfte des Innendurchmessers des Entladungsgefäßes, wobei die Dicke mehr als 10 %, vorzugsweise mehr als 20 %, und/oder weniger als 40 %, vorzugsweise weniger als 30 % des Innendurchmessers misst. Vorzugsweise kann die Dicke etwa 20% des Innendurchmessers betragen. Insbesondere weist die bandförmige Ummantelung eine Höhe auf, die im Wesentlichen dem Durchmesser des Entladungsgefäßes entsprechen kann. Die Höhe misst insbesondere mehr als 50 %, vorzugsweise mehr als 60 %, und/oder weniger als 150 %, vorzugsweise weniger als 125 % des Innendurchmessers. Vorzugsweise kann die Höhe etwa 75% oder etwa 100% des Innendurchmessers betragen.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung kann die bandförmige Ummantelung einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Die Ummantelung kann insbesondere an den lateralen Seitenflächen Unebenheiten, beispielsweise wellenförmige Unebenheiten, aufweisen. Vorzugsweise ist die Ummantelung an ihren lateralen Seitenflächen frei von Aussparungen. Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ist der Haftvermittler auf einer lateralen Oberfläche der Ummantelung angeordnet. Alternativ oder zusätzlich kann eine zur ersten Elektrode weisende Stirnfläche der Ummantelung frei von einem Haftvermittler sein. Die zu der ersten Elektrode weisende Stirnfläche der Ummantelung kann frei von dem Amalgamdepot sein. Durch Anordnung des Haftvermittler und/oder des Amalgamdepot an einer lateral Fläche auf einer Längsseite vorbestimmter Breite und/oder einer Querseite vorbestimmter Dicke kann mit einfachen Mitteln eine präzise und gut reproduzierbar Distanz zwischen dem Glühkörper der ersten Elektrode und dem Amalgamdepot bei der Herstellung der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen eingestellt werden. Die zu der ersten Elektrode weisende Stirnfläche der Ummantelung kann einen lateral vergrößerten Querschnitt relativ zu Querschnitt der bandförmigen Ummantelung entlang der axialen Höhe der bandförmigen Ummantelung aufweisen und/oder mit einem Hitzeschild versehen sein. Bei einer derartigen Ausgestaltung wird Wärmestrahlung vom Glühkörper der ersten Elektrode von dem Amalgamdepot an der lateralen Oberfläche der Ummantelung ferngehalten, sodass der axiale Abstand zwischen Elektrode und Amalgamdepot relativ klein bemessen sein kann.
Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ist die Ummantelung im ersten Endabschnitt des Entladungsgefäßes befestigt, insbesondere angeschweißt. Die bandförmige Ummantelung kann einstückig mit dem ersten Endabschnitt und/oder einem vorzugsweise tellerförmigen Verbindungsabschnitt es Entladungsgefäßes, gebildet sein. Es ist denkbar, dass die bandförmige Ummantelung mit dem ersten Endabschnitt des Entladungsgefäßes materialschlüssig verbunden ist. Beispielsweise kann die bandförmige Ummantelung mit dem ersten Endabschnitt durch schweißen, insbesondere reibschweißen, verbunden sein. Der erste Endabschnitt des Entladungsgefäßes kann einen Fußabschnitt mit einen geringeren Innen- und/oder Außendurchmesser aufweisen, wie das dem Innen- und/oder Außendurchmesser Entladungsgefäß insbesondere in einem Zylinderrohrabschnitt entlang des Entladungsweges. Die Wandstärke des Entladungsgefäßes kann im ersten Endabschnitt und entlang des Entladungsgefäßes die gleiche sein. Der erste Endabschnitt des Entladungsgefäßes kann in axialer Richtung außenseitig frei von einer Quetschung gebildet sein. Insbesondere kann die bandförmige Ummantelung innerhalb des Entladungsgefäßes am ersten Endabschnitt als eine Quetschung gebildet sein.
Gemäß einer Ausführung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe, die mit den vorherigen kombinierbar ist, ist wenigstens ein Hitzeschild zwischen der ersten Elektrode und dem ersten Endabschnitt angeordnet, wobei der Haftvermittler sowie gegebenenfalls das Amalgamdepot relativ zu dem Hitzeschild gegenüber der ersten Elektrode angeordnet ist. Es kann bevorzugt sein, dass der Hitzeschild derart angeordnet ist, dass die Temperatur des Amalgamdepots unabhängig von dem Entladungsstrom der ersten Elektrode, insbesondere der Temperatur eines Glühkörpers der ersten Elektrode, ist. Der Hitzeschild kann beispielsweise aus einem anorganischen Material, wie einem Keramikmaterial, einem Glasmaterial, insbesondere Quarzglas, gebildet sein. In axialer Richtung hat der Hitzeschild vorzugsweise eine Dicke von wenigstens 1 mm, insbesondere wenigstens als 5 mm und/oder nicht mehr als 10 mm, insbesondere 2 mm oder weniger. Das Material des Hitzeschildes kann vorzugsweise ein infrarotes Licht zumindest teilweise reflektierendes Material sein. Insbesondere kann das Material des Hitzeschildes dazu ausgelegt sein, infrarote Strahlung einem Wellenlängenspektrum von 780 nm oder mehr, insbesondere 780 nm bis 3000 nm, zu wenigstens 50 %, wenigstens 75 % oder wenigstens 90 % zu reflektieren. Der Hitzeschild kann zumindest teilweise aus einem amorphen, opaken Quarzglas gebildet sein. Es ist denkbar, dass der Hitzeschild teilweise aus einem Metallmaterial gebildet ist, beispielsweise Aluminium oder Gold. Insbesondere kann der Hitzeschild mit Ausnahme von wenigstens einem Abschnitt, der an wenigstens einen Kontaktdraht unmittelbar angrenzt, mit einem Metallmaterial gebildet sein, insbesondere damit beschichtet sein oder daraus bestehen. Gemäß einer Ausführung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe kann der Hitzeschild zumindest teilweise durch die bandförmige Ummantelung gebildet sein. Alternativ kann die Elektrode wenigstens einen Kontaktdraht zum Versorgen der ersten Elektrode mit einem Entladungsstrom aufweisen, wobei der wenigstens eine Kontaktdraht den Hitzeschild trägt.
Der Hitzeschild kann zumindest abschnittsweise formkomplementär zu einer Innenseite des Entladungsgefäß geformt sein. Beispielsweise kann der Hitzeschild mehrere diskrete Umfangsabschnitte, beispielsweise zwei Umfangsabschnitte, drei Umfangsabschnitte, vier, fünf oder mehr Umfangsabschnitte aufweisen, an denen der Hitzeschild in einem Berührkontakt mit einer Innenseite des Entladungsgefäß steht. Diese Umfangsabschnitte können als Umfangskontaktabschnitte bezeichnet sein. Zwischen benachbarten Umfangskontaktabschnitte weist eine solcher Hitzeschild radiale Rücksprünge auf, in denen der Hitzeschild kontaktfrei bezüglich des Innenumfangs des Entladungsgefäßes ist. Vorzugsweise umfasst ein Hitzeschild wenigstens einen, insbesondere zwei oder mehr radiale Rücksprache, durch die im Entladungsgefäß ein Gasaustausch zwischen dem Bereich des Amalgamdepots und dem Entladungsweg stattfinden kann. Zwischen dem Hitzeschild und dem Entladungsgefäß kann wenigstens eine Durchgangsöffnung gebildet sein, durch die Quecksilberdampf von dem Amalgamdepot zu dem Entladungsweg gelangen kann.
Der Hitzeschild kann wenigstens einen keilförmigen radiale Rücksprung zum Aufnehmen, insbesondere einstecken, des wenigstens einen Kontaktdrahtes haben. Bei einer Entladungslampe, dessen erste Elektrode zwei Kontaktdrähte hat, kann bevorzugt sein, dass ein Hitzeschild wenigstens einen ersten keilförmigen Rücksprung zum Aufnehmen eines ersten Kontaktdrahtes und einen zweiten keilförmigen Rücksprung zum Aufnehmen eines zweitens Kontaktdrahtes hat. Der wenigstens eine Kontaktdraht kann mit einem Vorsprung zum Tragen des Hitzeschildes ausgestattet sein. Beispielsweise kann an dem Kontaktdraht eine insbesondere metallische Lagehülse vorzugsweise aus Nickel vorgesehen sein. Gemäß einer Ausführung ist der Hitzeschild ortsfest einem wenigstens einen Kontaktdraht gehalten. Der der Hitzeschild kann der wenigstens eine Kontaktdraht gehalten sein mit wenigstens einem Axialanschlag, wie ein Vorsprung, und/oder durch eine reibschlüssige Verbindung, wobei die Verbindung zwischen dem Hitzeschild und dem wenigstens einen Kontaktdraht durch eine zumindest abschnittsweise schräge, keilförmige, helikale oder andere ungerade Axialerstreckung des Kontaktdrahtes gebildet sein kann. Der Hitzeschild kann in einem Berührkontakt zu einer der ersten Elektrode, insbesondere einem Glühkörper der ersten Elektrode, angeordnet sein. Die erste Elektrode kann einen Anschlag zum ortsfesten halten des Hitzeschildes bilden.
Gemäß einer Ausführung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe kann der Hitzeschild aus einem dielektrischen Material gebildet sein. Insbesondere kann der Hitzeschild aus transparentem Quarzglas und/oder amorphem Quarzglas, vorzugsweise halbleiterdotiertem amorphen Quarzglas gebildet sein.
Gemäß einer alternativen Ausführung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe, die mit den vorherigen kombinierbar ist, kann der Haftvermittler zumindest teilweise an einer Innenseite des Entladungsgefäßes angeordnet sein. Optional kann der Haftvermittler ausschließlich an einer Innenseite des Entladungsgefäßes angeordnet sein. Der Haftvermittler erstreckt sich zumindest teilweise umfänglich, insbesondere vollumfänglich oder nur abschnittsweise, an der Innenseite des Entladungsgefäßes.
Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ist das Amalgamdepot mit einem elektromagnetischen Empfänger zum Umwandeln elektromagnetischer Eingangssignale in Wärme ausgestattet. Der elektromagnetische Empfänger kann ringförmig, insbesondere Spulen förmig, oder Gitter förmig sein. Gemäß einer Weiterbildung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe umfasst der elektromagnetische Empfänger den Haftvermittler und/oder das Amalgamdepot oder ist daraus gebildet. Alternativ kann der Empfänger separat von dem Amalgamdepot und/oder separat zu dem Haftvermittler gebildet sein.
Die Erfindung kann auch ein Lampensystem mit einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe und einem elektromagnetischen Sender zum Anregen des elektromagnetischen Empfängers sein. Insbesondere können bei dem Lampensystem der elektromagnetische Sender und der elektromagnetische Empfänger derart aufeinander abgestimmt sein, dass der Sender dem Empfänger einen Heizstrom zum Temperieren des Amalgamdepots insbesondere induktiv und/oder kapazitiv übermittelt. Das Lampensystem kann wenigstens einen Temperatursensor aufweisen. Der Temperatursensor kann insbesondere ein Lampentemperatursensor zum Erfassen einer Temperatur der Lampe, insbesondere des Entladungsgefäßes, des Amalgamdepots, des Füllgases und/oder des Quecksilberdampfs umfassen. Der Alternativ oder zusätzlich kann das Lampensystem einen Temperatursensor umfassen, der realisiert ist als Umgebungstemperatursensor zum Erfassen einer Umgebungstemperatur eines Mediums, wie Wasser oder Umgebungsluft, nahe dem Entladungsgefäß oder in einem Berührkontakt mit dem Entladungsgefäß. Es sei klar, dass sich das Medium außerhalb des gasdicht von dem Entladungsgefäß umhüllten Entladungsraum befindet.
Gemäß einer Weiterbildung umfasst das Lampensystem eine Regelungselektronik zum Einstellen der Temperatur des Amalgamdepots insbesondere unter Berücksichtigung einer von dem wenigstens einen Temperatursensor erfassten Temperatur. Das Lampensystem kann ferner eine Lampenfassung mit Anschlusskontakten oder Kontaktaufnahmen für den wenigstens einen Kontaktdraht der ersten Elektrode zum Bereitstellen des Entladungsstromes umfassen. Die Lampenfassung kann den elektromagnetischen Sender, die Regelungselektronik und/oder den wenigstens einen Temperatursensor umfassen. Beispielsweise kann die Lampenfassung ein Gehäuse aufweisen, durch welches sich die Anschlusskontakte erstrecken, oder welches Kontaktaufnahmen für den wenigstens einen Kontaktdraht aufweist, wobei innerhalb des Gehäuses der elektromagnetische Sender, die Regelungselektronik und/oder der wenigstens eine Temperatursensors angeordnet sind.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Ansprüchen angegeben. Besondere Ausführungsformen und Aspekte der Erfindung sind nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Figuren beschreiben, in denen zeigen:

1 ein erfindungsgemäßes Lampensystem mit erfindungsgemäßer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe gemäß einer ersten Ausführung;
2 eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe gemäß einer zweiten Ausführung;
3a eine Detailansicht der Quecksilber-Niederdruck Dampflampe gemäß 2;
3b eine Seitenansicht des Ausschnitts gemäß 3a;
3c perspektivische Ansicht des Ausschnitts gemäß 3a;
4 ein erster Endabschnitt einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe gemäß einer dritten Ausführung;
5 eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe gemäß einer vierten Ausführung; und
6 eine Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe gemäß einer fünften Ausführung.

In der nachfolgenden Beschreibung spezieller Ausführungsformen anhand der Figuren sind zur einfacheren Lesbarkeit gleiche oder ähnlich Komponenten mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen.
1 zeigt ein stilisiertes Lampensystem 100 mit einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1. Die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 umfasst als wesentliche Komponente ein Entladungsgefäß 6 mit einem ersten Endabschnitt 61 und einem zweiten Endabschnitt 62, das einen Entladungsraum 8 gasdicht einschließt. In dem Entladungsraum 8 ist beim Betrieb der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe ein Füllgas und Quecksilberdampf enthalten.
Die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 umfasst ferner eine am ersten Endabschnitt 61 angeordnete erste Elektrode 11 und eine an dem zweiten Endabschnitt 62 angeordnete zweite Elektrode 12 zur Aufrechterhaltung einer Entladung entlang einem Entladungsweg 13. Außerhalb des Entladungsweges 13 zwischen der ersten Elektrode 11 und der zweiten Elektrode 12 ist ein Amalgamdepot 18 zur Regulierung des Quecksilberdampfdrucks in dem Entladungsraum 8 mittels eines Haftvermittler 17 angeordnet. Die Position des Amalgamdepots 18 ist durch, Position, Form und Größe des Haftvermittlers 17 festgelegt.
1 zeigt einen schematischen Schnitt durch das Lampensystem 100 mit darin vorgesehener Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 durch eine Ebenen, die sich in axialer Richtung A und erster Lateralrichtung (Längsrichtung) bzw. radialer Richtung X der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 erstreckt. Die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 kann eine im wesentlichen axiale Erstreckung aufweisen, wobei das Entladungsgefäß 6 insbesondere in dem Bereich, welcher den Entladungsweg 13 in radialer Richtung X, Y umgibt, einen kreisförmigen Querschnitt haben und/oder zylinderrohrförmig ausgebildet sein kann. Es sei klar, das der erste Endabschnitt 61 und der zweite Endabschnitt 62 des Entladungsgefäßes 6 das im Bereich des Entladungsweges 13 zylinderrohrförmige Entladungsgefäß 6 in Axialrichtung A abdichtend verschließen. Die Endabschnitte 61, 62 weisen insofern insbesondere an Ihren axialen Enden notwendigerweise eine von der Zylinderrohrform abweichende Form auf.
Es kann bevorzugt sein, dass der zweite Endabschnitt 62 erzeugt ist durch einen Stempel- bzw. quetscht Vorgang, wobei zu diesem Zweck ein beispielsweise aus Quarzglas gebildetes und das Entladungsgefäß 6 bildendes Zylinderrohr erwärmt und in einem erweichen Zustand in einer insbesondere zweiten radialen Richtung (Querrichtung) Y abdichtend zum Verschluss des Entladungsgefäßes 6 umgeformt wird. Bezugnehmend insbesondere auf die unten hinsichtlich der 5 und 6 beschriebenen Lampen 1b und 1c kann auch deren erster Endabschnitt 61b bzw. 61c auf eine derartige Weise geformt sein.
Die Endabschnitt 61, 62 des Entladungsgefäßes 6 können an diametral einander gegenüberliegenden axialen Fuß des Strahlers ein angeordnet sein, insbesondere derart, dass sich der Entladungsweg 13 zwischen der ersten Elektrode 11 und der zweiten Elektrode 12 im Wesentlichen in der axialer Richtung A erstreckt. Andere Lampenformen, zum Beispiel Omegaförmig, kreisförmig, spiralförmig oder dergleichen sind denkbar.
An dem ersten Endabschnitt 61 der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 ein ist in dem Entladungsraum 8 ein Amalgamdepot 18 angeordnet, das sich außerhalb des Entladungsweges 13 befindet, der sich zwischen den Elektroden 11, 12 erstreckt. Dank der Anordnung des Amalgamdepots 18 außerhalb des Entladungsweges 13 kann die Temperatur 18 unabhängig von Temperatur des Lichtbogens entlang des Entladungsweges 13 zwischen den Elektroden 11, 12 während des Betriebes der Lampe 1 eingestellt werden. Zur Einstellung der Temperatur des Amalgamdepots 18 kann eine Steuerung und/oder Regelung vorgesehen sein. Bei der in 1 dargestellten bevorzugten Ausführung ist eine Regelungselektronik 103 zur Regelung der Temperatur des Amalgams 18 vorgesehen, auf die unten im Detail eingegangen wird.
Zur Festlegung der Anordnung des Amalgams 18 innerhalb des Entladungsraums 8 ist ein Haftvermittler 17 am ersten Endabschnitt 61 außerhalb des Entladungsweges 13 vorgesehen. Als Haftvermittler 17 kann ein Metall, insbesondere ein Amalgambildner, beispielsweise Gold, in einer vorzugsweise dünnen Schicht kleiner 10 µm auf einer inneren Oberfläche im Inneren des Entladungsgefäßes 6 angebracht werden. Der Haftvermittler 17 dient dazu, eine Position zu definieren, an der das Amalgam 18 sich innerhalb des Entladungsgefäßes 6 bei niedrigen Temperaturen unterhalb des Schmelzpunktes des Amalgams 18 sammelt.
Der Haftvermittler 17 so ausgewählt, dass eine stabile Verbindung einerseits mit einem Material des Entladungsgefäßes 6, wie einem Quarzglas, als auch andererseits eine Verbindung mit dem Amalgamdepot innerhalb des Entladungsgefäßes eingeht. Der Haftvermittler 17 kann ein Material umfassen oder daraus bestehen, welches einen in dem Entladungsraum 8 lokal im Bereich des Haftvermittlers 17 minimalen Quecksilberdampfdruck verursacht, sodass Quecksilberdampf in dem Entladungsraum 8 der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe vollständig oder zumindest überwiegend an dem Haftvermittler 17 kondensiert und/oder resublimiert.
Das Lampensystem 100 kann eine Vorrichtung zum Temperieren des Amalgamdepots 18 aufweisen, welche bei dem in 1 dargestellten Beispiel exemplarisch durch eine Heizvorrichtung in Form eines elektromagnetischen Senders 107 realisiert ist, der einem elektromagnetischen Empfänger 7 zum Beheizen des Amalgams 18 einen Heizstrom zum Temperieren des Amalgamdepots 18 in induziert.
Zur Regelung der Temperatur kann das Lampensystem 1 wenigstens einen Temperatursensor 105, 106 umfassen. Die Regelungselektronik 103 kann dazu eingerichtet sein, die Temperiervorrichtung, beispielsweise die induktiven Heizung 109, anzusteuern, um die Amalgamtemperatur möglichst konstant zu halten, insbesondere nahe der vorbestimmten Idealtemperatur des Amalgams 18. Die Regelungselektronik 103 kann dazu eingerichtet sein, die Temperatur des Amalgams 18 bezüglich dessen spezifischer, vorbestimmter Idealtemperatur in einem Bereich ±10 °C, insbesondere in einem Bereich ±5°C, vorzugsweise in einem Bereich ±2°C oder ±1°C zu halten.
Eine Temperatursensor kann beispielsweise als Lampentemperatursensor 106 zum Erfassen einer Temperatur an oder in der Lampe, insbesondere zum Erfassen der Temperatur des Amalgams 18, vorgesehen sein. Der Quecksilberdampfdruck des Amalgams ist, wie oben beschrieben, stark von der Amalgamtemperatur abhängig. Die Verwendung eines Lampentemperatursensors 106 zum Erfassen der Temperatur des Amalgams 18 während des Betriebs der Lampensystem 100 erlaubt eine Regelung der Temperatur des Amalgams 18 unter Verwendung der mit dem Lampentemperatursensor 106 erfassten Temperatur des Amalgamdepots 18 als Stellgröße.
Alternativ oder zusätzlich kann ein Umgebungstemperatur 105 zum Erfassen einer Umgebungstemperatur der Lampe 1, beispielsweise einer Temperatur eines Mediums m, wie Brauchwasser, erfasst werden. Die Regelungselektronik 103 kann zur Regelung der Temperatur des Amalgams 18 alternativ oder zusätzlich zu der Amalgamtemperatur eine mit dem Umgebungstemperatursensor 105 erfasste Umgebungstemperatur berücksichtigen.
Die Regelungselektronik 103 kann insbesondere dazu ausgelegt sein, signifikante Änderungen der Umgebungstemperatur zu berücksichtigen, falls die mit dem Umgebungstemperatursensor 105 erfasst Temperatur innerhalb einem vorgegebenen gemäß Zeitraum oder, bei einer zeitlich diskreten Messung, innerhalb einer vorbestimmten Anzahl unmittelbar nach einander erfasster von Messung, einen vorbestimmten Maximalschwellwert überschreitet oder einen vorgegebenen Minimalschwellwert unterschreitet. Bei signifikanten Änderungen der Umgebungstemperatur kann die Regelungselektronik 103 eine korrespondierende Ansteuerung der Temperiervorrichtung, beispielsweise der induktiven Heizung 109, veranlassen, um die Amalgamtemperatur möglichst konstant zu halten, insbesondere nahe der vorbestimmten Idealtemperatur des Amalgams 18.
Das Lampensystem kann eine erste Fassung 101 umfassen, die mit Anschlusskontakten oder Kontaktaufnahmen 121 zum Bereitstellen des Entladungsstromes an die Kontaktdrähte 21 der ersten Elektrode 11 vorgesehen sind. Das Lampensystem 100 kann eine zweite Fassung 102 mit Kontakten oder Kontaktaufnahmen 122 für die Kontaktdrähte 22 der zweiten Elektrode 12 aufweisen, um der zweiten Elektrode 12 dem Entladungsstrom bereitzustellen.
Gemäß einer Ausführung kann die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 einen elektromagnetischen Empfänger 7 zum Umwandeln elektromagnetischer Eingangssignale in Wärme zum Beheizen des Amalgamdepots 17 aufweisen. Bei der in 1 dargestellten Ausführungen ist der Empfänger 7 gebildet aus dem Haftvermittler 17 und dem auf dem Haftvermittler 17 vorgesehenen Amalgamdepot 18. Der Empfänger 7 kann beispielsweise ringförmig sein. Der elektromagnetische Sender 107 zum induktiven und/oder kapazitiv übermittelt des Heizstroms an den elektromagnetischen Empfänger 7 ist außerhalb des Entladungsgefäßes 6 angeordnet.
Der elektromagnetische Sender 107 kann dazu konfiguriert sein, ein elektromagnetisches Feld oder Signal für den Empfänger 7 insbesondere entsprechend einer Resonanzfrequenz des Empfängers 7 bereitzustellen. Der Sender 107 kann konstruktiv auf den Empfänger 7 abgestimmt sein. Es ist denkbar, dass der Sender 107 mittels eines durch eine Regelungsvorrichtung 103 durchgeführten Kalibrierungsprozess auf den Empfänger 7 einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1, insbesondere dessen Resonanzfrequenz, abgestimmt wird.
In dem Gehäuse der Fassung 101 können die zusätzlich zu den Kontaktaufnahmen 121 außerdem (soweit vorhanden) die Regelungselektronik 103, der Umgebungstemperatursensor 105, der Lampentemperatursensor 106 und/oder die Temperiervorrichtung, insbesondere der elektromagnetische Sender 109, untergebracht sein.
Im Entladungsraum 8 der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 ist zwischen dem Amalgamdepot 18 und der ersten Elektrode 11 ein optionales Hitzeschild 4 vorgesehen, welches das Amalgamdepot 18 von Hitzestrahlung der ersten Elektrode 11 abschirmt. Bei der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 kann der Abstand s in Axialrichtung A zwischen der dem Glühkörper der ersten Elektrode 11 und dem Amalgamdepot 8 derart bemessen sein, dass beim Betrieb der Quecksilber-Entladungslampe 1 mit nomineller Leistung die Temperatur des Amalgamdepots 18 unabhängig von der Temperatur des Glühkörpers der ersten Elektrode 11 ist.
2 zeigt eine andere Ausführung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1a, welche sich von der in 1 dargestellten Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe als im Wesentlichen nur durch das Hitzeschild 4 unterscheidet. Die Verwendung des Hitzeschildes 4 erlaubt eine besonders kompakte Bauform. Im Vergleich dazu ist bei im Übrigen gleich bleibenden Parametern der Abstand s_a zwischen der ersten Elektrode 11 und dem Amalgamdepot 18 im Vergleich zur zuvor Beschriebenen Lampe 1 bei der in 2 dargestellten Lampe 1a größer, damit die Temperatur des Amalgamdepots 18 bei nomineller Betriebsleistung der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1a unabhängig von der Temperatur und der damit einhergehenden Hitzestrahlung des Glühkörpers der ersten Elektrode 11 ist.
3a zeigt einen Detailausschnitt einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 gemäß der Schnittlinie III-III in 2. 3b zeigt einer Draufsicht auf den ersten Endabschnitt 61 des Strahlers 1a gemäß 3a und 2. 3c zeigt eine perspektivische Darstellung des ersten Endabschnitts 61a des Strahlers gemäß der 3a und 3b.
Wie in 3a zu erkennen, ist der Kontaktdraht 21 der ersten Elektrode 11 in Axialrichtung A am ersten Endabschnitt 61a der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1a abschnittsweise kontinuierlich und vollumfänglich von einer dielektrischen Ummantelung 3 umgeben. Die dielektrische Ummantelung 3 kann beispielsweise aus einem Keramikmaterial oder einem Glasmaterial, vorzugsweise Quarzglas, gebildet sein. Insbesondere kann die Ummantelung 3 aus demselben Material gebildet sein wie das Entladungsgefäß 6a. Auf einer lateralen Oberfläche der Ummantelung 3 ist der Haftvermittler 17 mit darauf platziertem Amalgamdepot 18 aufgebracht.
Die Fixierung des Haftvermittlers 17 an der inneren Oberfläche der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe kann beispielsweise erreicht werden, indem das Material des Haftvermittlers 17 durch kurzzeitiges Erwärmen aufgeschmolzen und/oder der inneren Oberfläche der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe eingebrannt wird. Eine Fixierung des Amalgamdepots 18 auf dem Haftvermittler 17 kann erreicht werden, in dem das Amalgamdepot durch kurzzeitiges Erwärmen aufgeschmolzen wird. Der Haftvermittler 17 hat vorzugsweise einen wesentlich höheren Schmelzpunkt als das Amalgamdepot 18. Beispielsweise kann der Schmelzpunkt des Amalgamdepots 18 unter 200° C, insbesondere unter 100° C liegen. Der Schmelzpunkt des Haftvermittlers 17 kann beispielsweise bei wenigstens 400° C, insbesondere wenigstens 600° C oder mehr liegen.
Die Ummantelung 3 kann, wie in 3c zu sehen, sich kontinuierlich bandförmig in Axialrichtung A entlang der Kontaktdrahts 21 erstrecken. Die erste Lateralrichtung X (Längsrichtung) und die zweite Lateralrichtung Y (Querrichtung) können quer, insbesondere senkrecht zu einander stehen und bestehen quer, insbesondere senkrecht, auf der Axialrichtung A. In Axialrichtung A kann die Ummantelung 3 einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Die Ummantelung 3 hat in der ersten Lateralrichtung X eine Breite b, die kleiner ist als der Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes 6 in Bereich des Entladungsweges 13. Die Dicke d in der zweiten Lateralrichtung Y der Ummantelung 3 ist kleiner als der Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes 6a im Bereich des Entladungsweges 13. Die Dicke d der Ummantelung 3 ist kleiner als die Breite b der Ummantelung 3.
Die Ummantelung 3 kann gebildet werden, indem dielektrisches Material, insbesondere ein Glasmaterial, vorzugsweise Quarzglas, auf den oder die Kontaktdrähte 21 der ersten Elektrode 11 gequetscht bzw. gestempelt oder gepresst wird. Das quetschen bzw. stempeln der Ummantelung 3 auf die Kontaktdrähte 21 der ersten Elektrode 11 kann entsprechend dem oben beschriebenen Quetschvorgang durchgeführt werden. Die Ummantelung 3 ragt in Axialrichtung A ausgehend von dem Verbindungsabschnitt 64 in den Entladungsraum 8 der Lampe 1 hinein. Das Ende 60 der Lampe 1 bildet deren in Axialrichtung A äußerste Stelle, an der beispielsweise das zylindrische Hüllrohr 66 des Strahlers mit dem Verbindungsabschnitt 64 insbesondere quetschungsfrei vereint ist. Die Ummantelung 3 der Kontaktdrähte 21 ist im Inneren der Lampe 1, in einem Abstand von deren Ende 60 in Axialrichtung A, angeordnet, um unerwünschte konduktive Wärmeübertragung von dem Amalgamdepot 18 zur Lampenfassung (nicht abgebildet) zu vermeiden. Unerwünschte konduktive Wärmeübertragung vom temperierten Amalgamdepot 18 durch das Ende 60 der Lampe 1 zur Lampenfassung wird auch dadurch vermieden, dass das Amalgamdepot 60 nicht in einer Aussparung am Ende 60 der Lampe vorgesehen ist, sondern durch den Haftvermittler 17 im Entladungsraum 8 gehalten ist.
Der Kontaktdraht 21 der Elektrode 11 kann abschnittsweise als rund und abschnittsweise flächenförmiger Flachabschnitt, gebildet sein, wobei bevorzugt sein kann, im Bereich der Ummantelung 3 den Kontaktdraht 21 zunächst abschnittsweise als abgeflachtes Abdichtplättchen 43 zu bilden, um eine starke Dichtwirkung zwischen dem dielektrischen Material der Ummantelung 3 und dem elektrisch leitfähigen Material des Kontaktdrahtes 21 zu bewirken. Der Kontaktdraht 21 kann insbesondere aus Molybdän gebildet sein.
Die Breite b der Ummantelung 3 ist geringfügig kleiner als der Innendurchmesser D. Insbesondere kann die Breite b der Ummantelung 3 zwischen 75 % und 90 % des Innendurchmessers D betragen. Die Dicke d der Ummantelung 3 kann vorzugsweise kleiner als die Hälfte des Innendurchmessers D sein, vorzugsweise zwischen 20 % und 30 % des Durchmessers D betragen.
Die bandförmige Ummantelung 3 erstreckt sich in der Axialrichtung A kontinuierlich entlang einer Höhe h vollumfänglich um den wenigstens einen Kontaktdraht 21 der ersten Elektrode 11. Die Höhe h kann größer sein als die Dicke d und/oder kleiner als die Breite b der Ummantelung 3. Die Höhe h kann dem Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes entsprechen oder kleiner als der Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes 6a sein. Die Höhe kann wenigstens 50 % und/oder höchstens 150 % des Innendurchmessers D des Entladungsgefäßes 6a entsprechen. Vorzugsweise kann die Höhe wenigstens 66 % und/oder höchstens 100 % des Innendurchmessers entsprechen. Gemäß einer Ausführung kann die Höhe h ca. 75 % des Innendurchmessers D entsprechen.
Der Haftvermittler 17 und das Amalgamdepot 18 sind an wenigstens einer lateralen Oberfläche (Längsseite) 31 oder (Querseite) 32 der Ummantelung 3 angeordnet. Das Amalgamdepot 18 ist auf einer in der ersten Lateralrichtung X oder zweiten Lateralrichtung Y aus dem Entladungsgefäß 6 hinaus weisenden lateralen Seitenfläche 31 oder 32 angeordnet. Die auf die Elektrode 11 zu weisende Stirnseite 33 der Ummantelung 3 ist frei von Haftvermittler 17 und frei von Amalgam 18.
Bei der in den 3a, 3b und 3c dargestellten Ausführungen ist der Haftvermittler 17 mit dem Amalgamdepot 18 auf einer breiten, sich in der ersten Lateralrichtung X erstreckenden lateralen Oberfläche 31 der Ummantelung 3 vorgesehen. Es ist denkbar, dass ein Haftvermittler 17 mit Amalgamdepot 18 ausschließlich auf einer einzigen der lateralen Oberflächen 31 und 32 der Ummantelung 3 angeordnet ist. Alternativ kann sich der Haftvermittler sowie gegebenenfalls das Amalgam 18 auf zwei oder drei, insbesondere auf allen lateralen Oberflächen 31, 32 der Ummantelung 3 angeordnet sein.
Der Abstand s_a zwischen dem Amalgamdepot 18 und dem Glühkörper der Elektrode 11 ist so bemessen, dass die Temperatur des Amalgamdepots 18 bei nomineller Betriebsleistung der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1a unabhängig von dem Entladungsstrom der ersten Elektrode 11 ist.
Die Ummantelung 3 kann an ihrem in Axialrichtung A von der ersten Elektrode 11 fort weisenden Fuß über einen tellerförmigen Verbindungsabschnitt 64 mit dem zylinderrohrförmige Mantel 66 des Entladungsgefäßes 6a im ersten Endabschnitt 61a der Lampe 18 verbunden sein. Der Verbindungsabschnitt 64 kann dazu ausgelegt sein, einen den Dichtenden Verschluss des Entladungsraums 8 an dem in Axialrichtung A ersten Endabschnitt 61a der Lampe 1a zu bilden. Beispielsweise kann der Verbindungsabschnitt 64 einstückig mit dem Hüllrohr 6a gebildet sein. Die Verbindungsstelle von Verbindungsabschnitt 64 und Mantel 66 bildet das erste Ende 60 des Strahlers 1a.
4 zeigt einen ersten Endabschnitt 61d einer alternativen Ausgestaltung einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1d, die im Wesentlichen der zuvor beschriebenen Ausführung gemäß der 2 bis 3c entspricht. Im Unterschied zu der Ausführung gemäß der 3a bis c ist das Entladungsgefäß 6d im Bereich des Entladungsweges 13 zwischen der ersten Elektrode 11 und der zweiten Elektrode mit einem größeren Innendurchmesser D Gebildet als an dem axialen Fußabschnitt 67, der die Ummantelung 3 in lateraler Richtung X; Y umgibt.
Das Entladungsgefäß 6d hat im ersten Endabschnitt 61d einen verjüngten Fußabschnitt 67 mit einem verkleinerten Innendurchmesser D_d , welcher kleiner ist als der Innendurchmesser D des Entladungsgefäßes 6d in dem Bereich des Zylinderrohrabschnitts 66, welcher die erste Elektrode 11 und den Entladungsweg 13 umgibt.
Die Anordnung des Amalgamdepots 18 in einem verjüngten Fußabschnitt 67 kann eine stabilisierende Wirkung auf den Quecksilberdampfdruck im Entladungsraum 8 im Bereich des Amalgamdepots 18 haben. Zwischen dem Fußabschnitt 67 und dem Zylinderrohrabschnitt 66 kann ein Übergangsabschnitt 68 vorgesehen sein, wobei entlang des Übergangsabschnitts 68 der Innendurchmesser des Entladungsgefäßes 6 sich vorzugsweise kontinuierlich ändert. Der axiale Abstand s_d zwischen dem Glühkörper der Elektrode 11 und dem Amalgamdepot 18 kann bei der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1d geringer ausgeführt sein als bei einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe der zuvor beschriebenen Ausführung 1a.
Die Wandstärke w des Entladungsgefäßes 6d kann in dem Zylinderrohrabschnitt 66, dem Fußabschnitt 67 und/oder dem Übergangsabschnitt 68 gleich groß sein. Es kann bevorzugt sein, dass bei einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe die Wandstärke w des Entladungsgefäßes konstant gleich groß ist. Beispielsweise kann die Wandstärke w des Entladungsgefäßes 6d (wie auch 6 oder 6a) in einem Verbindungsabschnitt 64 zwischen Ummantelung 3 und Elektrode 11 der Wandstärke w des Zylinderrohrabschnitts 66 entsprechen.
Die in den 5 und 6 dargestellten Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampen 1b bzw. 1c unterscheiden sich von der zuvor beschriebenen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 im Wesentlichen nur durch die Form des ersten Axialen Endes des Entladungsgefäßes und der Anordnung des Haftvermittlers 17b, 17c mit Amalgamdepot 18. Es sei klar, dass eine erfindungsgemäße Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe mehrere Amalgamdepots 18 auf entsprechenden Haftvermittler-Stellen an mehreren Positionen außerhalb des Entladungsweges 13 haben kann. Beispielsweise könnte die Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1 zusätzlich zu dem in 1 dargestellten Amalgamdepot 18 wenigstens ein weiteres Amalgamdepot entsprechend der Anordnung gemäß 5 und/oder 6 aufweisen. In dem ersten Ende 60 braucht keine die Stabilität der Lampe beeinträchtigende Aussparung oder dergleichen für das Amalgam vorgesehen zu sein, da das Amalgam vorteilhafterweise in dem Entladungsraum 18 durch den Haftvermittler 17b, 17c fixiert ist. Auf diese Weise wird auch eine unerwünschte konduktive Wärmeübertragung vom temperierten Amalgamdepot 18 in Richtung des axialen Endes 60 der Lampe 1b, 1c und einer (nicht näher dargestellten) das Ende 60 umgebenden Lampenfassung vermieden.
5 zeigt eine alternative Ausführung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1b, bei welcher das Amalgamdepot 18 mit einem Haftvermittler 17b an der Innenseite 63 des Entladungsgefäßes 6b angeordnet ist. Optional kann ein Hitzeschild 4b zwischen der ersten Elektrode 11 und dem Amalgamdepot 18 angeordnet sein. Der axiale Abstand s_b zwischen dem Amalgamdepot 18 und dem Glühkörper der ersten Elektrode 11 ist so bemessen, dass die Temperatur des Amalgamdepots 18 unabhängig von dem Entladungsstrom der ersten Elektrode 11 ist. Das Amalgamdepot 18 ist mit dem Haftvermittler 17b auf der vom Entladungsbereich 13 fort weisenden radialen Innenseite 63 des Entladungsgefäßes 6b angeordnet.
Der erste Endabschnitt 61b der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1b kann entsprechend dem zweiten Endabschnitt 62 durch Anpressen Zylinderrohrs des Entladungsgefäßes 6b an die jeweiligen Kontaktdrähte 21, 22 der einander gegenüberliegenden Elektroden 11 und 12 gebildet sein. Das erste Ende 60 der Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1b (oder 1c) kann also als gepresstes Ende 60 an dem ersten Endabschnitt 61b (bzw. 61c) des Entladungsgefäßes 6b (bzw. 6c) gebildet sein, der sich vollständig außerhalb des Entladungsraums 60 erstreckt.
6 zeigt eine weitere alternative Ausführung einer erfindungsgemäßen Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe 1c. Der Abstand s_c zwischen dem Amalgamdepot 18 und dem Glühkörper der Elektrode 11 ist sehr gering. Dennoch ist die Temperatur des Amalgamdepots 18 unabhängig von dem Entladungsstrom der ersten Elektrode 11. Zwischen der Elektrode 11 und dem Amalgamdepot 18 ist ein Hitzeschild 4c angeordnet. Das Amalgamdepot 18 ist auf der von der Elektrode 11 und somit dem Entladungsgefäß 6c bzw. dessen Entladungsbereich 13 fort weisenden Rückseite des Hitzeschilds 4c angeordnet.
Das Hitzeschild 4c (oder 4 oder 4b) ist vorzugsweise aus einem infrarote Strahlung zu wenigstens 90 %, wenigstens 95 %, wenigstens 99 %, vorzugsweise wenigstens 99,9 % reflektieren Material gebildet. Beispielsweise das Hitzeschild 4c aus einem Keramikmaterial oder einem Quarzglas, insbesondere einem amorphen Quarzglas, wie einem halbleiterdotierten amorphen Quarzglas, gebildet sein. Es ist denkbar, dass das Hitzeschild 4c eine auf die Elektrode 11 weisende Oberfläche hat, welche mit einem (bezogen auf das Infrarotspektrum) hochreflektiven Material beschichtet ist.
Der Haftvermittler 17c und das Amalgam 18 sind auf der von der Elektrode 11 abgewandten Rückseite des Hitzeschildes 4c befestigt. An den Kontaktdrähte 21 sind Axialanschläge 21 befestigt, um das Hitzeschild 4c zumindest in Axialrichtung A zu fixieren. Das Hitzeschild 4c hat zwei Umfangskontaktabschnitte 41, die in einem Berührkontakt mit der Innenseite 63 des Entladungsgefäßes 6c stehen. Die Umfangskontaktabschnitte 41 bilden eine nahezu kreisförmige Reflektorfläche. In Umfangsrichtung zwischen den Umfangskontaktabschnitten 41 hat der Hitzeschild 4c zwei radiale Rücksprünge 43, in denen die Kontaktdrähte 21 geführt sind und die je eine gasdurchlässige Öffnung zischen dem Entladungsweg 13 und dem Endabschnitt 61c bereitstellen, sodass Quecksilberdampf zwischen dem Entladungsweg 13 und dem Amalgamdepot 18 ausgetauscht werden kann.
Das Entladungsgefäß 6c kann ähnlich dem zuvor bezüglich 5 beschriebenen Entladungsgefäß 6b mit einander gleichenden Endabschnitten 61c bzw. 61b und 62 gebildet sein.
Bezugszeichenliste

1, 1a, 1b, 1c, 1d: Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe
3, 3d: Ummantelung
4, 4b, 4c: Hitzeschild
6, 6a, 6d: Entladungsgefäß
7: Empfänger
8: Entladungsraum
11: erste Elektrode
12: zweite Elektrode
13: Entladungsweg
17, 17b: Haftvermittler
18: Amalgamdepot
21, 22: Kontaktdraht
23: Axialanschlag
25: Abdichtplättchen
27: Übergangsbereich
41: Umfangskontaktabschnitt
43: Rücksprung
60: erstes Ende
61, 61a, 61d: erster Endabschnitt
62: zweiter Endabschnitt
63: Innenseite
64: Verbindungsabschnitt
66: Zylinderrohrabschnitt
67: Fußabschnitt
68: Übergangsabschnitt
100: Lampensystem
101, 102: Fassung
103: Regelungselektronik
105: Umgebungstemperatursensor
106: Lampentemperatursensor
107: Sender
121, 122: Kontaktaufnahme
b: Breite
d: Dicke
h: Höhe
m: Umgebungsmedium
s, sa, sb, sc, sd: Abstand
w: Wandstärke
A: Axialrichtung
D, Dd: Innendurchmesser
X: erste Radialrichtung
Y: zweite Radialrichtung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008032608 A1 [0004]
EP 3267466 B1 [0005]
EP 3298620 B1 [0006]

Claims

Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d), umfassend - ein Entladungsgefäß (6, 6a, 6b, 6c, 6d), das einen mit einer Füllung aus Quecksilber und einem Füllgas, insbesondere einem Edelgas, versehenen Entladungsraum (8) gasdicht einschließt, wobei das Entladungsgefäß (6, 6a, 6b, 6c, 6d) einen ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) und einen zweiten Endabschnitt (62) aufweist, - eine an dem ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) angeordnete erste Elektrode (11) und eine an dem zweiten Endabschnitt (62) angeordnete zweite Elektrode (12) zur Aufrechterhaltung einer Entladung entlang einem Entladungsweg (13) zwischen der ersten Elektrode (11) und der zweiten Elektrode (12), dadurch gekennzeichnet, dass - ein Amalgamdepot (18) zur Regulierung des Quecksilberdampfdrucks in dem Entladungsraum (8) an dem ersten Endabschnitt (61, 61a, 61b, 61c, 61d) außerhalb des Entladungswegs (13) angeordnet ist, wobei die Position des Amalgamdepots (18) mittels eines Haftvermittlers (17, 17b, 17c) festgelegt ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (11) wenigstens einen Kontaktdraht (21) umfasst, der von der ersten Elektrode (11) im Entladungsraum (8) bis Außerhalb des Entladungsgefäßes (6, 6a, 6b, 6c, 6d) erstreckt, wobei der Kontaktdraht (21) wenigstens abschnittsweise innerhalb des Entladungsraums eine dielektrische Ummantelung (3) aufweist, wobei der Haftvermittler (17) an der Ummantelung (3) angeordnet ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ummantelung (3, 3a) aus Quarzglas gebildet ist, vorzugsweise besteht, insbesondere demselben Material wie das Entladungsgefäß (6, 6a, 6b, 6c, 6d) und/oder wobei die Ummantelung (3, 3a) den Kontaktdraht (21) abdichtend einschließt.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ummantelung (3, 3a) sich bandförmig in den Entladungsraum (8) hinein erstreckt, wobei insbesondere die bandförmige Ummantelung (3, 3a) einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Haftvermittler (17) auf einer lateralen Oberfläche (31, 32) der Ummantelung (3) angeordnet ist und/oder eine zur ersten Elektrode (11) weisende Stirnfläche (33) der Ummantelung (3) frei von einem Haftvermittler ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ummantelung (3) im ersten Endabschnitt (61) des Entladungsgefäßes (6) befestigt, insbesondere angeschweißt, ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens einen zwischen der ersten Elektrode (11) und dem ersten Endabschnitt (61) angeordneten Hitzeschild (4, 4b, 4c), wobei der Haftvermittler (17, 17b, 17c) relativ zu dem Hitzeschild (4, 4b, 4c) gegenüber der ersten Elektrode (11) angeordnet ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei der Hitzeschild durch die Ummantelung (3) gebildet ist und/oder wobei der Hitzeschild (4, 4b, 4c) aus einem dielektrischen Material gebildet ist, insbesondere aus transparentem Quarzglas und/oder amorphem Quarzglas, vorzugsweise einem halbleiterdotierten amorphen Quarzglas.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Haftvermittler (17b) an einer Innenseite (63) des Entladungsgefäßes (6) angeordnet ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach einem der vorstehenden Ansprüche, Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe, wobei das Amalgamdepot (17, 17b, 17c) mit einem elektromagnetischen Empfänger (7) zum Umwandeln elektromagnetischer Eingangssignale in Wärme ausgestattet ist.
Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a, 1b, 1c, 1d) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Empfänger (7) den Haftvermittler (17, 17b, 17c) und/oder das Amalgamdepot (18) umfasst oder dass der Empfänger separat von dem Amalgamdepot (18) gebildet ist.
Lampensystem (100) mit einer Niederdruck-Quecksilberdampfentladungslampe (1, 1a) nach einem der Ansprüche 13 oder 14 und einem elektromagnetischen Sender (107) zum Anregen des elektromagnetischen Empfängers (7), wobei insbesondere der elektromagnetische Sender (107) und der elektromagnetische Empfänger (7) derart aufeinander abgestimmt sind, dass der Sender dem Empfänger (7) einen Heizstrom zum Temperieren des Amalgamdepots (18) insbesondere induktiv und/oder kapazitiv übermittelt.