DE102020107904B4

DE102020107904B4 - Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägersubstrat

Info

Publication number: DE102020107904B4
Application number: DE102020107904.4A
Authority: DE
Inventors: Jan van Aalst; Matthias Hildebrandt
Original assignee: LPKF Laser and Electronics AG
Current assignee: LPKF Laser and Electronics AG
Priority date: 2020-03-23
Filing date: 2020-03-23
Publication date: 2022-04-28
Anticipated expiration: 2040-03-24
Also published as: DE102020107904A1; WO2021190690A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung von in verschiedenen Ebenen angeordneten Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägersubstrat (1), das jeweils zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitfähige Basisschicht (2) an zumindest einer Außenseite aufweist, wobei eine ätzresistente Resistbeschichtung (5) aufgebracht wird, dann entsprechend der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen an zumindest einer Außenseite, insbesondere an beiden Außenseiten, die ätzresistente Resistbeschichtung (5) partiell entfernt wird und an den von der ätzresistenten Resistbeschichtung (5) befreiten Bereichen auf die Basisschicht (2) eine elektrische Verstärkungsschicht (6) der Leiterbahnstruktur aufgebracht wird,dadurch gekennzeichnet, dass mittels elektromagnetischer Strahlung zumindest eine linienförmige Ausnehmung (9) in die ätzresistente Resistbeschichtung (5) einschließlich der darunter liegenden Basissicht (2) eingebracht wird, wobei das Trägersubstrat (1) nicht oder nur zu einer sehr geringen Tiefe abgetragen wird und durch die linienförmige Ausnehmung (9) mehrere abzutragende Bereiche (10) eingeschlossen und gegenüber den benachbarten Leiterbahnstrukturen thermisch isoliert werden, wobei die Ausnehmung (9) entlang eines jeweiligen Umfangs der Bereiche (10) eingebracht wird, und anschließend die abzutragenden Bereiche (10) erwärmt werden, bis die Adhäsion der Basisschicht (2) auf dem Trägersubstrat (1) wesentlich verringert ist, um in dem abzutragenden Bereich (10) die Basisschicht (2) zusammen mit der ätzresistenten Resistbeschichtung (5) von dem Trägersubstrat (1) flächig abzutragen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von in verschiedenen Ebenen angeordneten Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägersubstrat, das jeweils zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitfähige Basisschicht an gegenüberliegenden Außenseiten aufweist, wobei auf die Außenseiten eine ätzresistente Resistbeschichtung, insbesondere ein Galvanoresist, aufgebracht wird, dann entsprechend der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen an zumindest einer Außenseite, insbesondere an beiden Außenseiten, die ätzresistente Resistbeschichtung partiell entfernt wird und an den von der ätzresistenten Beschichtung befreiten Bereichen auf die Basisschicht eine elektrische Verstärkungsschicht entsprechend der Leiterbahnstruktur aufgebracht wird.
Die elektrische Kontaktierung von integrierten Schaltungen (ICs, Chips) erfolgt meist über eine mit einem Metall beschichtete Kunststoffplatine. Zur Herstellung von komplexen elektronischen Schaltungssystemen müssen in der Regel Durchkontaktierungen in dem verwendeten Trägersubstrat realisiert werden. Als Trägersubstrate kommen beispielsweise Leiterplatten oder gestanzt-laminierte Substrate zur Anwendung.
Die Durchkontaktierung von der Oberseite zur Unterseite einer solchen Platine wird häufig durch Durchbrechungen in dem Trägersubstrat erzielt. Diese Durchbrechungen können auch leitende Kontaktstücke von auf der Platine aufgebrachten elektronischen Bauteilen aufnehmen, die durch die Durchbrechungen hindurchreichen und dadurch eine leitende Verbindung der beiden Außenseiten bereitstellen. Alternativ hierzu können die Durchbrechungen auf anderen Oberflächen auch eine durchgehende metallische Schicht als Durchkontaktierung umfassen.
Eine Durchkontaktierung zweier Metallschichten wird zur Überbrückung einer trennenden Schicht des Trägersubstrats als elektrischer Isolator hergestellt. Solche Durchkontaktierungen können zum Beispiel innerhalb eines Trägersubstrats aus mehreren Schichten (Paket) eingesetzt werden, welches eine elektrische Schaltung darstellt und definierte Anschlussflächen an der Unterseite zur Kontaktierung und Aufnahme elektrischer Bauteile umfasst, wie zum Beispiel integrierte Schaltungen.
Zur Herstellung der funktionsfähigen Leiterbahnstruktur ist es bei dem gattungsgemäßen Verfahren erforderlich, nach dem Aufbringen der Verstärkungsschicht, die Resistbeschichtung und die darunter liegende Basisschicht abzutragen, da diese anderenfalls zu einem Kurzschluss der Leiterbahnstruktur führen würde. Hierzu wird zunächst ein weiteres Ätzresist, beispielsweise Zinn, zum Schutz der Leiterbahn galvanisch aufgebracht, um diese bei dem nachfolgenden Ätzschritt vor dem unerwünschten Ätzabtrag zu schützen. Somit wird in dem nachfolgenden alkalischen Bad die Resistbeschichtung abgetragen, dem sogenannten Resiststrippen, und die Basisschicht freigelegt. Das anschließende Ätzen dieser Basisschicht führt jedoch auch zu einem partiellen Unterspülen der Leiterbahnstruktur, weil das zuvor auf die Verstärkungsschicht aufgetragene weitere Ätzresist nicht die Kontaktfläche mit der benachbarten Beschichtung schützt. Die Leiterbahnstruktur wird schließlich freigelegt durch Entfernen des Weiteren Ätzresists durch Strippen der galvanisch aufgebrachten Zinnschicht mittels Natronlauge, Ammoniumchlorid und Salpetersäure.
Die DE 689 10 864 T2 offenbart bereits ein Verfahren zum selektiven Plattieren eines Metallsubstrats, beispielsweise eines elektrischen Kontakts, durch selektives Entfernen eines polymeren Plattierungsüberzugs auf dem Metallsubstrat mittels eines Lasers. Hierbei wird eine Laserwellenlänge gewählt, die durch das Metallsubstrat stark absorbiert wird. Das Metallsubstrat wird erwärmt, um dadurch ein ablatives Entfernen des Überzugs über den selektiven Bereichen des Substrats zu bewirken und die freigelegten Bereiche des Substrats zu plattieren.
Aus der US 7 140 103 B2 ist ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit hoher Dichte bekannt, bei dem eine kupferfolienkaschierte Platte an der Oberfläche durch stromloses Verkupfern plattiert wird. Nachdem die gesamte Oberfläche durch elektrolytisches Verkupfern beschichtet wurde, wird das Ätzen durchgeführt, bis dünne Kupferfolienabschnitte entfernt sind und das Basismaterial in diesen Abschnitten freigelegt ist, wodurch ein Muster gebildet wird. Vorzugsweise werden Teile der Plattierungsresistschicht durch Bestrahlung mit einem UV-Laserstrahl aufgelöst und entfernt.
Die DE 198 11 578 A1 offenbart eine mehrlagige Leiterplatte, bei der wenigstens zwei elektrisch isolierende Tragschichten übereinander angeordnet sind. Aus der US 4 501 638 A ist ein Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung bekannt, bei dem ein Loch in einer isolierenden Schicht zwischen zwei Metallschichten durch Ätzen erzeugt wird und anschließend die obere auf die untere Schicht gedrückt wird.
Aus der DE 198 52 832 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Metall-Kunststoff-Laminats bekannt, bei dem eine Metallfolie durch Prägen oder Tiefziehen zu einer Mulde geformt wird und dann eine Kunststofffolie auf die geformte Metallfolie laminiert wird. Die Durchkontaktierung wird dabei durch Ausbeulung der Metallfolie im Bereich einer Aussparung der Kunststofffolie ermöglicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit zu schaffen, die Herstellung von Leiterbahnstrukturen mit Durchkontaktierungen zu vereinfachen. Insbesondere soll das unerwünschte Unterspülen beim Abtrag der Basisschicht vermieden werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Verfahren gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die weitere Ausgestaltung der Erfindung ist den Unteransprüchen zu entnehmen.
Erfindungsgemäß ist also ein Verfahren vorgesehen, bei dem mittels elektromagnetischer Strahlung insbesondere eines Lasers, eine linienförmige Ausnehmung in die insbesondere ätzresistente Resistbeschichtung einschließlich der darunter liegenden Basissicht eingebracht wird, wobei das Trägersubstrat nicht oder nur bis zu einer sehr geringen Tiefe abgetragen wird und durch die ringförmig geschlossene linienförmige Ausnehmung mehrere abzutragende Bereiche eingeschlossen und gegenüber den benachbarten Leiterbahnstrukturen thermisch und elektrisch isoliert werden, wobei die Ausnehmung entlang eines jeweiligen Umfangs der Bereiche eingebracht wird, und anschließend die abzutragenden Bereiche erwärmt werden, bis die Adhäsion der Basisschicht auf dem Trägersubstrat wesentlich verringert ist und die Basisschicht zusammen mit der ätzresistenten und/oder bei Galvanobeschichtungen resistenten Resistbeschichtung von dem Trägersubstrat unter dem Einfluss der Schwerkraft oder einer äußeren Krafteinwirkung flächig abgetragen wird.
Hierdurch entfällt erfindungsgemäß der Verfahrensschritt des Ätzprozesses zum Abtrag der ätzresistenten Beschichtung und des beim Stand der Technik hierzu zunächst auf die Verstärkungsschicht aufzubringenden weiteren Ätzresistes. Vielmehr wird in verblüffend einfacher Weise in einem zweistufigen Prozess zunächst eine linien- bzw. nutenförmige und zugleich um den eingeschlossenen Bereich ringförmig geschlossene Ausnehmung zur thermischen Trennung der Basissicht von der durch die Verstärkungsschicht aufgebauten Leiterbahnstruktur geschaffen. Anschließend wird in den von der Ausnehmung eingeschlossenen Bereich der Basissicht mit der darauf befindlichen ätzresistenten Beschichtung thermische Energie eingebracht, die aufgrund der thermisch isolierenden Wirkung der Ausnehmung sowie auch des Trägersubstrats zu einer schnellen Erwärmung der Basissicht in dem eingeschlossenen Bereich führt. Der Energieeintrag wird fortgesetzt, bis die eingeschlossene Basisschicht eine Temperatur erreicht hat, bei welcher die Adhäsionskräfte zu dem Trägersubstrat derart reduziert sind, dass sich der gesamte Bereich mühelos allein durch die Einwirkung der Schwerkraft oder durch zusätzliche äußere Krafteinwirkung von dem Trägersubstrat trennt, beispielsweise abziehen lässt. Dabei hat sich gezeigt, dass für den thermischen Energieeintrag eine Strahlungswärme vorteilhaft ist. Die gewünschte Erwärmung muss dabei nicht auf den abzutretenden Bereich beschränkt werden, denn aufgrund der geringen Materialstärke der Basisschicht kommt es dort zu einem weitaus schnelleren Temperaturanstieg als in den durch die Verstärkungsschicht erzeugten Leiterbahnstrukturen. Besonders bevorzugt wird hingegen die thermische Energie durch eine auf die abzutragenden Bereiche gerichtete, insbesondere also hierauf beschränkte elektromagnetische Strahlung eingebracht.
Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Rubout-Verfahren besteht bisher die Einschränkung, dass der Pitch bei dicken Leiterbahnen sehr groß gewählt werden muss, da große Materialstärken einen hohen Wärmeeintrag zum Ablösen benötigen, verbunden mit dem Nachteil, dass hohe Temperaturen zur Ablösung benachbarter Leiterbahnen führen können. Demgegenüber können erfindungsgemäß durch die dünne Kupferschicht der Basisschicht, durch die lediglich ein reduzierter Wärmeeintrag erforderlich ist, dicke Leiterbahnen mit geringem Pitch erstellt werden. Indem also der Laserprozess (Isolieren und Rubout) erfindungsgemäß auf der geschützten Startkupferschicht durchgeführt wird, wird der Prozess durch die aufgekupferte Schicht nicht beeinflusst. Nebenher werden kurze Prozesszeiten, wie sie bisher nur auf sehr dünnen Kupferschichten (5 µm bzw. 9 µm) bekannt waren, auch auf galvanisch verstärkten Leiterplatten möglich sein.
Erfindungsgemäß ist es nicht erforderlich, dass die linienförmigen Ausnehmungen exakt parallel zu dem Verlauf der Leiterbahnstruktur eingebracht werden. Vielmehr können die abzutragenden Bereiche hinsichtlich eines vereinfachten Abtragsprozesses durch beispielsweise stetig oder konvex verlaufende Ausnehmungen eingeschlossen werden, sodass der Abstand zu der Leiterbahnstruktur im Verlauf der Ausnehmungen variieren kann.
Indem gemäß einer besonders bevorzugten Ausgestaltungsform der Erfindung zunächst in das Trägersubstrat, das jeweils zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitfähige Basisschicht an gegenüberliegenden Außenseiten aufweist, mehrere die Außenseiten verbindende Durchbrechungen eingebracht werden und danach auf die Außenseiten eine die jeweilige Durchbrechung überspannende bzw. überdeckende Resistbeschichtung aufgebracht wird, die dann entsprechend der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen einschließlich der die Durchbrechungen einschließenden Abschnitte an zumindest einer Außenseite, insbesondere an beiden Außenseiten, partiell entfernt wird, werden die gegenüberliegenden Außenseiten durch die Durchbrechungen mittels der elektrischen Verstärkungsschicht als Durchkontaktierung elektrisch leitfähig verbunden.
Besonders vorteilhaft ist es hingegen, wenn durch Einbringen der Ausnehmung die elektrische Verstärkungsschicht von der angrenzenden ätzresistenten Beschichtung getrennt wird, somit also die Ausnehmung entlang der Kontaktfläche zwischen der Verstärkungsschicht und der Beschichtung eingebracht wird. Dadurch kann die Beschichtung zumindest annähernd rückstandslos wieder entfernt werden, was sich insbesondere bei der späteren Kontaktierung der elektrischen Leiterbahnstruktur mit elektronischen Bauteilen als vorteilhaft erweist.
Der von der Ausnehmung eingeschlossene Bereich könnte als Ganzes abgetragen werden, um so einen schnellen Abtragsprozess zu ermöglichen. Besonders vorteilhaft ist es hingegen, wenn der abzutragende Bereich zunächst durch Einbringen weiterer linienförmiger Ausnehmungen in mehrere gegeneinander thermisch isolierte Teilbereiche unterteilt wird. Es hat sich gezeigt, dass hierdurch der Abtragsprozess der Basisschicht beschleunigt werden kann, indem zunächst Teilbereiche geschaffen und diese, beispielsweise mittels Laserstrahlung, schnell und präzise beschränkt auf den jeweils abzutragenden Teilbereich erwärmt werden. Dadurch lassen sich vor allem streifenförmige Teilbereiche wesentlich besser abtragen, wobei nach einer besonders bevorzugten Variante der abzutragende Bereich in Teilbereiche mit weitgehend gleicher Größe unterteilt wird.
Die Erwärmung der jeweiligen Fläche des abzutragenden Bereichs oder Teilbereichs kann mittels geeigneter Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, durch die Resistbeschichtung hindurch direkt in der Basisschicht erfolgen. Bei einer anderen, ebenfalls besonders vorteilhaften Variante wird die Resistbeschichtung nach dem Einbringen der Ausnehmung zumindest partiell entfernt und anschließend die Basisschicht durch Erwärmen und Reduzieren der Adhäsionskräfte flächig abgetragen. Indem die Resistbeschichtung mechanisch oder durch thermischen Energieeintrag abgetragen, beispielsweise verdampft wird, lässt sich die Resistbeschichtung nahezu rückstandslos entfernen. Die Basisschicht wird anschließend flächig abgetragen. Durch diese kombinierten Verfahrensschritte wird die Abtragsdauer weiter reduziert.
Die Auswahl einer geeigneten elektromagnetischen Strahlung zum Einbringen der Ausnehmung kann bevorzugt in Abhängigkeit der jeweiligen Materialeigenschaften vorgenommen werden. Gemäß einer besonders praxisnahen Ausgestaltung des Verfahrens wird hierzu als elektromagnetische Strahlung eine Laserstrahlung eingesetzt, wobei gegebenenfalls bei einem zweistufigen Abtrag der Beschichtung und der Basisschicht die Strahlung oder deren Parameter variiert werden können.
Dieselbe Strahlungsquelle kann in vorteilhafter Weise auch eingesetzt werden, um die abzutragenden Bereiche mittels Laserstrahlung zu erwärmen und die Adhäsion der Basisschicht auf dem Trägersubstrat entsprechend herabzusetzen.
Dadurch kann die Basisschicht innerhalb des durch die Ausnehmungen zur thermischen Isolierung eingeschlossenen Bereichs in sehr kurzer Zeit auf die erforderliche Temperatur erwärmt und mit geringem Aufwand flächig abgetragen werden.
Hierzu können unterstützend mechanische Krafteinwirkungen oder auch die Schwerkraft eingesetzt werden. Eine besonders praxisnahe Ausgestaltungsform wird auch dadurch erreicht, dass die erwärmte Fläche mittels einer gezielten Druckluftzufuhr von dem Substrat getrennt wird. Durch einen gezielten Druckluftstrahl wird die erwärmte Basisschicht in dem Bereich als Ganzes von dem Trägersubstrat abgelöst.
Dieser Effekt kann noch dadurch unterstützt werden, dass die erwärmte Fläche durch Absaugen von dem Substrat getrennt wird, sodass die abgelösten Teile zuverlässig entfernt und entsorgt werden, sodass insbesondere deren unerwünschte Wiederanhaftung ausgeschlossen werden kann.
Hierdurch kann die Basissicht und/oder die Beschichtung des abzutragenden Bereichs oder der Teilbereiche als Ganzes insbesondere auch großflächig von dem Trägersubstrat gelöst werden. In der Praxis hat es sich auch bereits als besonders zweckmäßig erwiesen, wenn die Resistbeschichtung als ein Trockenresist, insbesondere durch Laminieren einer Folie, beispielsweise ein Polymerfilm, aufgebracht wird, sodass die zuvor eingebrachten Durchbrechungen von der Beschichtung überspannt werden und das Beschichtungsmaterial nicht in die Durchbrechungen eindringt. Dadurch werden das Freilegen und das Auftragen der Verstärkungsschicht in diesen Bereichen wesentlich vereinfacht.
Besonders bevorzugt wird vor dem Aufbringen der ätzresistenten Beschichtung ein Aktivator auf die Innenwandfläche der Durchbrechung aufgebracht, um so den Materialaufbau der Verstärkungsschicht zu verbessern.
Insbesondere kann dabei die Basisschicht eine Materialstärke zwischen 5 µm und 9 µm und die Verstärkungsschicht eine Materialstärke zwischen 15 µm und 50 µm aufweisen.
Die Erfindung lässt verschiedene Ausführungsformen zu. Zur weiteren Verdeutlichung ihres Grundprinzips ist eine davon in der Zeichnung dargestellt und wird nachfolgend beschrieben. Diese zeigt in einem Ablaufdiagramm anhand der 1 bis 3 die einzelnen Schritte a bis j bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, welches nachstehend anhand der Darstellungen näher erläutert wird.
Als Ausgangsmaterial für die Durchführung des Verfahrens dient eine doppelseitige Leiterplatte aus einem Trägersubstrat 1, beispielsweise aus FR4, und beidseitig einer 5 µm bis 9 µm starken kupferkaschierten Basisschicht 2.
In einem ersten Verfahrensschritt wird in das Trägersubstrat 1 und die beiden außenliegenden Basisschichten 2 eine Durchgangsbohrung als Durchbrechung 3 als Basis für die spätere Durchkontaktierung eingebracht (1b).
Hierzu wird auf die Innenwandflächen der Durchbrechungen 3 zunächst ein Aktivator 4 für einen verbesserten galvanischen Schichtaufbau aufgetragen (1c) und anschließend an den gegenüberliegenden Außenseiten auf die jeweilige Basisschicht 2 eine die Durchbrechungen 3 überspannende, ätzresistente polymere Resistbeschichtung 5 als Galvanoresist aufgebracht (1d).
Das Layout der herzustellenden Leiterbahnstruktur wird danach auf die zuvor laminierte Resistbeschichtung 5 übertragen, beispielsweise durch Belichten und Nassauswaschen, oder durch einen Direktabtrag mittels Laserstrahlung. Auf diese Weise wird das Leiterbild der herzustellenden Leiterbahnstruktur freigestellt (1e), um dieses in dem nachfolgenden Prozessschritt galvanisch aufkupfern zu können.
Hierzu wird an den von der ätzresistenten Resistbeschichtung 5 befreiten Abschnitt auf die Basisschicht 2 eine elektrische Verstärkungsschicht 6 entsprechend der Leiterbahnstruktur aufgebracht, die zugleich im Bereich der Durchbrechungen 3 die gegenüberliegenden Basisschichten als Durchkontaktierung 7 elektrisch leitfähig verbindet (2f).
Durch den galvanischen Aufbau der Leiterbahnstruktur wird bis zu 25 µm Kupfer aufgebaut, um die Durchkontaktierung 7 zuverlässig zu erzeugen. Die Endstärke der Leiterbahn ergibt sich aus der Summe der Basisschicht 2 und dem galvanisch aufgebauten Kupfer der Verstärkungsschicht 6.
Danach wird unmittelbar angrenzend zu der Verstärkungsschicht 6 der Leiterbahnstruktur mittels einer Laserstrahlung 8 eine linienförmige Ausnehmung 9 in die Resistbeschichtung 5 und die darunter liegende Basissicht 2 eingebracht, wobei das Trägersubstrat 1 nicht abgetragen wird (2g).
Indem durch die ringförmig geschlossene linienförmige Ausnehmung 9 die abzutragenden Bereiche 10 eingeschlossen und gegenüber der benachbarten Verstärkungsschicht 6 der Leiterbahnstrukturen thermisch isoliert werden, können diese anschließend gezielt durch eine Wärmequelle 12 erwärmt werden, bis die Adhäsion der Basisschicht 2 auf dem Trägersubstrat 1 wesentlich verringert ist (2h), um schließlich die Basisschicht 2 zusammen mit der ätzresistenten Beschichtung 5 von dem Trägersubstrat 1 durch den Druckunterschied p einer Absaugung 11 flächig abzutragen (3i) und so die gewünschten Leiterbahnstrukturen auf dem nichtleitenden Trägersubstrat 1 (3j) herzustellen.
Bezugszeichenliste

1: Trägersubstrat
2: Basisschicht
3: Durchbrechung
4: Aktivator
5: Resistbeschichtung
6: Verstärkungsschicht
7: Durchkontaktierung
8: Laserstrahlung
9: Ausnehmung
10: Bereich
11: Absaugung
12: Wärmequelle
ΔP: Druckunterschied

Claims

Verfahren zur Herstellung von in verschiedenen Ebenen angeordneten Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägersubstrat (1), das jeweils zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitfähige Basisschicht (2) an zumindest einer Außenseite aufweist, wobei eine ätzresistente Resistbeschichtung (5) aufgebracht wird, dann entsprechend der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen an zumindest einer Außenseite, insbesondere an beiden Außenseiten, die ätzresistente Resistbeschichtung (5) partiell entfernt wird und an den von der ätzresistenten Resistbeschichtung (5) befreiten Bereichen auf die Basisschicht (2) eine elektrische Verstärkungsschicht (6) der Leiterbahnstruktur aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass mittels elektromagnetischer Strahlung zumindest eine linienförmige Ausnehmung (9) in die ätzresistente Resistbeschichtung (5) einschließlich der darunter liegenden Basissicht (2) eingebracht wird, wobei das Trägersubstrat (1) nicht oder nur zu einer sehr geringen Tiefe abgetragen wird und durch die linienförmige Ausnehmung (9) mehrere abzutragende Bereiche (10) eingeschlossen und gegenüber den benachbarten Leiterbahnstrukturen thermisch isoliert werden, wobei die Ausnehmung (9) entlang eines jeweiligen Umfangs der Bereiche (10) eingebracht wird, und anschließend die abzutragenden Bereiche (10) erwärmt werden, bis die Adhäsion der Basisschicht (2) auf dem Trägersubstrat (1) wesentlich verringert ist, um in dem abzutragenden Bereich (10) die Basisschicht (2) zusammen mit der ätzresistenten Resistbeschichtung (5) von dem Trägersubstrat (1) flächig abzutragen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (1) jeweils zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitfähige Basisschicht (2) an gegenüberliegenden Außenseiten aufweist, wobei zunächst in das Trägersubstrat (1) mehrere die Außenseiten verbindende Durchbrechungen (3) eingebracht werden und danach auf die Außenseiten eine die jeweilige Durchbrechung (3) überspannende ätzresistente Resistbeschichtung (5) aufgebracht wird, die dann entsprechend der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen einschließlich der die Durchbrechungen (3) einschließenden Abschnitte an zumindest einer Außenseite, insbesondere an beiden Außenseiten, partiell entfernt wird, sodass die elektrische Verstärkungsschicht (6) der Leiterbahnstruktur im Bereich der Durchbrechungen (3) die gegenüberliegenden Außenseiten als Durchkontaktierung (7) elektrisch leitfähig verbindet.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass durch Einbringen der Ausnehmung (9) die Verstärkungsschicht (6) von der angrenzenden ätzresistenten Resistbeschichtung (5) getrennt wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der abzutragende Bereich (10) zunächst durch Einbringen weiterer linienförmiger Ausnehmungen (9) in mehrere gegeneinander thermisch isolierte Teilbereiche unterteilt wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ätzresistente Resistbeschichtung (5) nach dem Einbringen der Ausnehmung (9) zumindest partiell entfernt wird und anschließend die Basisschicht (2) flächig abgetragen wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als elektromagnetischer Strahlung eine Laserstrahlung (8) eingesetzt wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die abzutragenden Bereiche mittels einer Laserstrahlung (8) erwärmt werden.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unabhängig von der Dicke der elektrischen Verstärkungsschicht (6) beim Einbringen der Ausnehmung (9) Prozessparameter, insbesondere Prozessparameter der Laserstrahlung (8) für das Material der Basissicht (2) eingestellt werden.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erwärmte Basisschicht (2) in dem Bereich (10) mittels einer gezielten Druckluftzufuhr von dem Trägersubstrat (1) getrennt wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erwärmte Basisschicht (2) in dem Bereich (10) durch Absaugen (11) von dem Trägersubstrat (1) getrennt wird.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Basissicht (2) und/oder die ätzresistente Resistbeschichtung (5) des abzutragenden Bereichs (10) oder der Teilbereiche als Ganzes von dem Trägersubstrat (1) gelöst werden.
Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ätzresistente Resistbeschichtung (5) als ein Trockenresist, insbesondere durch Laminieren einer Folie (Polymerfilm), auf die Basisschicht (2) aufgebracht wird.