DE102019120687A1 - Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung - Google Patents

Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102019120687A1
DE102019120687A1 DE102019120687.1A DE102019120687A DE102019120687A1 DE 102019120687 A1 DE102019120687 A1 DE 102019120687A1 DE 102019120687 A DE102019120687 A DE 102019120687A DE 102019120687 A1 DE102019120687 A1 DE 102019120687A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
contact
subpixel
layer
trench
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102019120687.1A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102019120687B4 (de
Inventor
Ho-Jin Kim
SeungMin BAIK
Jiyeon Park
Sul Lee
Sukhyeun JANG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190084048A external-priority patent/KR20200014199A/ko
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of DE102019120687A1 publication Critical patent/DE102019120687A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102019120687B4 publication Critical patent/DE102019120687B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Es wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung geschaffen, die Folgendes umfasst: ein Substrat, das seinerseits ein erstes Subpixel und ein zweites Subpixel enthält; eine jeweilige erste Elektrode in jedem des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels auf dem Substrat; einen Graben in einer Grenze zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel auf dem Substrat; eine Emissionsschicht auf der ersten Elektrode und im ersten Subpixel, im zweiten Subpixel und in der Grenze zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel, wobei zumindest ein Teil der Emissionsschicht im Graben nicht zusammenhängend ist; eine Pore unterhalb der Emissionsschicht innerhalb des Grabens, wobei ein oberes Ende der Pore relativ höher ist als zumindest ein Teil der Emissionsschicht; und eine zweite Elektrode auf der Emissionsschicht.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Prioritäten der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0089407 , eingereicht am 31. Juli 2018, und der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-0084048 , eingereicht am 11. Juli 2019.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die dazu konfiguriert ist, weißes Licht zu emittieren.
  • Erörterung des Standes der Technik
  • In einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ist eine Emissionsschicht zwischen einer Anodenelektrode und einer Kathodenelektrode vorgesehen. Die Emissionsschicht emittiert Licht durch ein elektrisches Feld, das zwischen den zwei obigen Elektroden erzeugt wird, um dadurch ein Bild anzuzeigen.
  • Die Emissionsschicht kann ein organisches Material umfassen, das Licht emittiert, wenn ein Exziton durch eine Bindung eines Elektrons und eines Lochs erzeugt wird und das Exziton von einem angeregten Zustand auf einen Grundzustand fällt. Alternativ kann die Emissionsschicht ein anorganisches Material wie beispielsweise einen Quantenpunkt umfassen.
  • Die Emissionsschicht kann Licht mit unterschiedlicher Farbe für jedes Subpixel, beispielsweise rotes Licht, grünes Licht, blaues Licht oder weißes Licht für jedes Subpixel, emittieren oder kann Licht mit derselben Farbe für jedes Subpixel, beispielsweise weißes Licht für jedes Subpixel, emittieren. Wenn die Emissionsschicht Licht mit unterschiedlicher Farbe für jedes Subpixel emittiert, muss eine Emissionsschicht mit unterschiedlicher Farbe für jedes Subpixel durch die Verwendung einer vorbestimmten Maske abgeschieden werden. Dies weist Begrenzungen aufgrund der Erhöhung der Anzahl von Maskenprozessen auf. Wenn eine Maske nicht präzise ausgerichtet wird, ist es auch schwierig, die Emissionsschicht für jedes Subpixel genau abzuscheiden. Wenn dagegen die Emissionsschicht Licht mit derselben Farbe für jedes Subpixel, beispielsweise weißes Licht für jedes Subpixel, emittiert, besteht kein Bedarf an einer Maske, um die Emissionsschicht zu strukturieren, und irgendein durch einen Maskenprozess verursachtes Problem wird nicht erzeugt.
  • Beim Ausbilden der Emissionsschicht, die dazu konfiguriert ist, das Licht mit derselben Farbe für jedes Subpixel zu emittieren, ohne den Maskenprozess kann jedoch ein Kriechstrom aufgrund einer Ladungsübertragung durch die Emissionsschicht zwischen den benachbarten Subpixeln erzeugt werden. Dies kann die Bildqualität verschlechtern.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Daher ist die vorliegende Offenbarung auf eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik vermeidet.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung zu schaffen, die verhindert, dass die Bildqualität durch einen Kriechstrom verschlechtert wird.
  • Weitere Merkmale und Aspekte werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und sind teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch die Ausführung der hier geschaffenen Erfindungskonzepte gelernt werden. Andere Merkmale und Aspekte der Erfindungskonzepte können durch die Struktur verwirklicht und erreicht werden, auf die in der schriftlichen Beschreibung speziell hingewiesen wird, oder davon und von den Ansprüchen hiervon sowie den beigefügten Zeichnungen ableitbar sein.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Um diese und andere Aspekte der Erfindungskonzepte zu erreichen, wie verkörpert und umfassend beschrieben, wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung geschaffen, die umfasst: ein Substrat, das umfasst: ein erstes Subpixel; und ein zweites Subpixel; eine jeweilige erste Elektrode in jedem des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels auf dem Substrat; einen Graben in einer Grenze zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel auf dem Substrat; eine Emissionsschicht auf der ersten Elektrode und im ersten Subpixel, im zweiten Subpixel und in der Grenze zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel, wobei zumindest ein Teil der Emissionsschicht im Graben nicht zusammenhängend ist; eine Pore unterhalb der Emissionsschicht innerhalb des Grabens, wobei ein oberes Ende der Pore relativ höher ist als zumindest ein Teil der Emissionsschicht; und eine zweite Elektrode auf der Emissionsschicht.
  • Vorzugsweise kann die Emissionsschicht einen ersten Stapel, der dazu konfiguriert ist, Licht mit einer ersten Farbe zu emittieren; einen zweiten Stapel, der dazu konfiguriert ist, Licht mit einer zweiten Farbe zu emittieren; und eine Ladungserzeugungsschicht zwischen dem ersten Stapel und dem zweiten Stapel umfassen.
  • Vorzugsweise können der erste Stapel und die Ladungserzeugungsschicht jeweils innerhalb des Grabens nicht zusammenhängend sein.
  • Vorzugsweise kann das obere Ende der Pore relativ höher sein als die Ladungserzeugungsschicht.
  • Vorzugsweise kann der zweite Stapel zwischen dem ersten Subpixel und dem zweiten Subpixel verbunden sein.
  • Vorzugsweise kann eine Dicke des zweiten Stapels in einem Bereich des Grabens, in dem die Ladungserzeugungsschicht nicht zusammenhängend ist, relativ kleiner sein als eine Dicke des zweiten Stapels in einem Bereich, der nicht mit dem Graben überlappt.
  • Vorzugsweise kann der erste Stapel einen ersten Abschnitt auf einer seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens; einen zweiten Abschnitt auf einer anderen seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens; und einen dritten Abschnitt auf einer inneren unteren Oberfläche innerhalb des Grabens umfassen.
  • Vorzugsweise können der erste Abschnitt des ersten Stapels, der zweite Abschnitt des ersten Stapels und der dritte Abschnitt des ersten Stapels nicht miteinander zusammenhängend sein.
  • Vorzugsweise kann die Ladungserzeugungsschicht einen ersten Abschnitt auf dem ersten Abschnitt des ersten Stapels; einen zweiten Abschnitt auf dem zweiten Abschnitt des zweiten Stapels und einen dritten Abschnitt auf dem dritten Abschnitt des ersten Stapels umfassen.
  • Vorzugsweise können der erste Abschnitt der Ladungserzeugungsschicht, der zweite Abschnitt der Ladungserzeugungsschicht und der dritte Abschnitt der Ladungserzeugungsschicht nicht miteinander zusammenhängend sein.
  • Vorzugsweise kann einer des ersten Stapels und des zweiten Stapels eine blaue B-Emissionsschicht umfassen; und der Andere des ersten Stapels und des zweiten Stapels kann eine rote Emissionsschicht; und eine gelb-grüne oder grüne Emissionsschicht umfassen.
  • Vorzugsweise kann eine Tiefe des Grabens innerhalb eines Bereichs von 0,2 µm bis 0,4 µm liegen.
  • Vorzugsweise kann eine Breite des Grabens innerhalb eines Bereichs von 0,1 µm bis 0,2 µm liegen.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine Bank, die den Umfang der ersten Elektrode umgibt, und eine Isolationsschicht unterhalb der Bank umfassen.
  • Vorzugsweise steht die Bank mit dem Graben in Kontakt, wobei der Graben sich in der Bank und der Isolationsschicht befindet.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine Bank, die den Umfang der ersten Elektrode umgibt; und eine Isolationsschicht unterhalb der Bank umfassen.
  • Vorzugsweise steht die Bank mit dem Graben nicht in direktem Kontakt, wobei der Graben sich in der Isolationsschicht befindet.
  • Vorzugsweise kann der Graben eine Form aufweisen, die einer Form des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels entspricht.
  • Vorzugsweise kann der Graben einen gesamten Umfang des ersten Subpixels und des zweiten Subpixels umgeben.
  • Vorzugsweise können das erste und das zweite Subpixel entlang einer horizontalen Richtung angeordnet sein.
  • Vorzugsweise kann eine Anordnungsstruktur mit dem ersten und dem zweiten Subpixel, die in der horizontalen Richtung angeordnet sind, wiederholt vorgesehen sein, um mehrere Reihen entlang einer vertikalen Richtung vorzusehen, die die horizontale Richtung kreuzt.
  • Vorzugsweise kann der Graben eine zusammenhängende geradlinige Struktur entlang der vertikalen Richtung aufweisen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung geschaffen, die umfasst: ein Substrat, das umfasst: ein erstes Subpixel; ein zweites Subpixel; und ein drittes Subpixel; eine Schaltungsvorrichtungsschicht mit einem Dünnschichtansteuertransistor jeweils in jedem des ersten, des zweiten und des dritten Subpixels; eine jeweilige erste Elektrode in jedem des ersten, des zweiten und des dritten Subpixels auf der Schaltungsvorrichtungsschicht; einen Graben in jeweiligen Grenzen zwischen jedem der ersten bis dritten Subpixel auf dem Substrat; eine Emissionsschicht auf der ersten Elektrode und in den ersten bis dritten Subpixeln und den jeweiligen Grenzen zwischen jedem der ersten bis dritten Subpixel, wobei zumindest ein Teil der Emissionsschicht innerhalb des Grabens nicht zusammenhängend ist; eine Pore unterhalb der Emissionsschicht innerhalb des Grabens, wobei ein oberes Ende der Pore relativ höher ist als zumindest ein Teil der Emissionsschicht; und eine zweite Elektrode auf der Emissionsschicht, wobei die erste Elektrode im ersten Subpixel umfasst: eine erste untere Elektrode; und eine erste obere Elektrode, wobei die erste Elektrode im zweiten Subpixel umfasst: eine zweite untere Elektrode; und eine zweite obere Elektrode, und wobei die erste Elektrode im dritten Subpixel umfasst: eine dritte untere Elektrode; und eine dritte obere Elektrode, wobei ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode, ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode; und ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode voneinander verschieden sind.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine erste Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode umfassen, wobei die erste Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die erste untere Elektrode mit der ersten oberen Elektrode elektrisch zu verbinden, wobei die erste Kontaktelektrode umfasst: eine erste untere Kontaktelektrode; und eine erste obere Kontaktelektrode, wobei die erste untere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Kontaktelektrode liegt, wobei der erste untere Kontakt dazu konfiguriert ist, die erste untere Elektrode mit der ersten oberen Kontaktelektrode elektrisch zu verbinden, wobei die erste obere Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Kontaktelektrode und der ersten oberen Elektrode liegt, wobei die erste obere Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die erste untere Kontaktelektrode mit der ersten oberen Elektrode elektrisch zu verbinden, und wobei die erste untere Elektrode mit dem Dünnschichtansteuertransistor des ersten Subpixels durch ein Kontaktloch in der Schaltungsvorrichtungsschicht elektrisch verbunden ist.
  • Vorzugsweise ist die zweite untere Elektrode mit der zweiten oberen Elektrode und dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels durch eine zweite Kontaktelektrode elektrisch verbunden; die zweite Kontaktelektrode umfasst: eine zweite untere Kontaktelektrode; und eine zweite obere Kontaktelektrode; die zweite untere Kontaktelektrode liegt zwischen der zweiten unteren Elektrode und dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels, wobei die zweite untere Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die zweite untere Elektrode mit dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels elektrisch zu verbinden; und die zweite obere Kontaktelektrode liegt zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode, wobei die zweite obere Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die zweite untere Elektrode mit der zweiten oberen Elektrode elektrisch zu verbinden.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine erste Kontaktelektrode zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode umfassen, wobei die erste untere Elektrode mit der ersten oberen Elektrode durch die erste Kontaktelektrode elektrisch verbunden ist, wobei die erste Kontaktelektrode eine einzelne Kontaktschicht umfasst, wobei die erste untere Elektrode mit dem Dünnschichtansteuertransistor des ersten Subpixels durch ein Kontaktloch in der Schaltungsvorrichtungsschicht elektrisch verbunden ist, und wobei eine erste und eine zweite Isolationsschicht zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten Kontaktelektrode liegen.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner umfassen: eine zweite Kontaktelektrode zwischen der zweiten oberen Elektrode und dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels, wobei die zweite obere Elektrode mit dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels durch die zweite Kontaktelektrode elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Kontaktelektrode umfasst: eine zweite untere Kontaktelektrode; und eine zweite obere Kontaktelektrode, wobei die zweite untere Kontaktelektrode zwischen der zweiten oberen Kontaktelektrode und dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels liegt, wobei die zweite untere Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die zweite obere Kontaktelektrode mit dem Dünnschichtansteuertransistor des zweiten Subpixels elektrisch zu verbinden, wobei die zweite obere Kontaktelektrode zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode und der zweiten oberen Elektrode liegt, wobei die zweite obere Kontaktelektrode dazu konfiguriert ist, die zweite untere Kontaktelektrode mit der zweiten oberen Elektrode elektrisch zu verbinden, und wobei eine erste und eine zweite Isolationsschicht zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode und der zweiten oberen Kontaktelektrode liegen.
  • Vorzugsweise kann die zweite untere Elektrode nicht mit der zweiten oberen Elektrode und der zweiten Kontaktelektrode elektrisch verbunden sein.
  • Vorzugsweise kann die zweite untere Elektrode mit einer seitlichen Oberfläche der zweiten oberen Kontaktelektrode direkt verbunden sein.
  • Vorzugsweise kann eine Anzahl von Isolationsschichten zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode kleiner sein als eine Anzahl von Isolationsschichten zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode.
  • Vorzugsweise kann die Anzahl von Isolationsschichten zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode größer sein als eine Anzahl von Isolationsschichten zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode.
  • Vorzugsweise können die erste untere Elektrode und die erste obere Elektrode durch mehrere Kontaktlöcher elektrisch miteinander verbunden sein.
  • Vorzugsweise kann mindestens eines der mehreren Kontaktlöcher so vorgesehen sein, dass es mit den anderen Kontaktlöchern nicht überlappt.
  • Vorzugsweise kann das erste Subpixel einen ersten Emissionsbereich und einen ersten Kontaktbereich umfassen.
  • Vorzugsweise sind zwei Seiten des ersten Kontaktbereichs dem ersten Emissionsbereich zugewandt und der erste Emissionsbereich kann einen ersten Abschnitt mit einer ersten Breite, die relativ breit ist, und einen zweiten Abschnitt mit einer zweiten Breite, die relativ schmal ist, umfassen.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner eine Linsenanordnung umfassen, die vom Substrat beabstandet ist.
  • Vorzugsweise kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung ferner ein Aufnahmegehäuse umfassen, das dazu konfiguriert ist, das Substrat und die Linsenanordnung darin unterzubringen.
  • Andere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile sind oder werden für einen Fachmann auf dem Gebiet bei der Untersuchung der folgenden Figuren und der ausführlichen Beschreibung ersichtlich. Es ist beabsichtigt, dass alle solchen zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile innerhalb dieser Beschreibung enthalten sind, innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Offenbarung liegen und durch die folgenden Ansprüche geschützt sind. Nichts in diesem Abschnitt sollte als Begrenzung dieser Ansprüche aufgefasst werden. Weitere Aspekte und Vorteile werden nachstehend in Verbindung mit Ausführungsformen der Offenbarung erörtert. Selbstverständlich sind sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Offenbarung Beispiele und erläuternd und sollen für eine weitere Erläuterung der Offenbarung, wie beansprucht, sorgen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sein können, um dem weiteren Verständnis der Offenbarung zu dienen, und in diese Patentbeschreibung eingegliedert sind und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von verschiedenen Prinzipien der Offenbarung.
    • 1 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 2 ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie I-I von 1 entspricht.
    • 3 bis 6 sind Querschnittsansichten, die Beispiele einer ersten Elektrode, einer Emissionsschicht und einer zweiten Elektrode gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 9 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 10 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 11 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 12A ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
    • 12B ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie C-D von 11 entspricht.
    • 12C ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie E-F von 11 entspricht.
    • 13 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
    • 16 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
    • 17a ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 17b ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-D von 17a.
    • 18 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 19 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 20A bis 20C stellen Beispiele einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar.
  • In allen Zeichnungen und in der ausführlichen Beschreibung, wenn nicht anders beschrieben, sollte verstanden werden, dass sich dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen auf dieselben Elemente, Merkmale und Strukturen beziehen. Die relative Größe und Darstellung dieser Elemente kann im Hinblick auf Deutlichkeit, Darstellung und Zweckmäßigkeit übertrieben sein.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Nun wird im Einzelnen auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung Bezug genommen, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sein können. Wenn in der folgenden Beschreibung bestimmt wird, dass eine ausführliche Beschreibung von gut bekannten Funktionen oder Konfigurationen in Bezug auf dieses Dokument einen Kern des Erfindungskonzepts unnötig vernebelt, wird auf die ausführliche Beschreibung davon verzichtet. Der Fortschritt der beschriebenen Verarbeitungsschritte und/oder Operationen ist ein Beispiel; die Sequenz von Schritten und/oder Operationen ist jedoch nicht auf die hier dargelegte begrenzt und kann geändert werden, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist, mit der Ausnahme von Schritten und/oder Operationen, die notwendigerweise in einer speziellen Reihenfolge stattfinden. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen durchweg gleiche Elemente. Namen der jeweiligen Elemente, die in den folgenden Erläuterungen verwendet werden, sind nur wegen der Zweckmäßigkeit des Schreibens der Patentbeschreibung ausgewählt und können folglich von den in tatsächlichen Produkten verwendeten verschieden sein.
  • Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ usw. hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, sollten diese Elemente selbstverständlich nicht durch diese Begriffe begrenzt sein. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Ein erstes Element könnte beispielsweise als zweites Element bezeichnet werden und ebenso könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
  • Der Begriff „mindestens eines“ sollte als beliebige und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen aufgelisteten Gegenstände umfassend verstanden werden. Die Bedeutung von „mindestens einer von einem ersten Gegenstand, einem zweiten Gegenstand und einem dritten Gegenstand“ bezeichnet beispielsweise die Kombination von allen vorgeschlagenen Gegenständen aus zwei oder mehr des ersten Gegenstandes, des zweiten Gegenstandes und des dritten Gegenstandes sowie den ersten Gegenstand, den zweiten Gegenstand oder den dritten Gegenstand.
  • Wenn in der Beschreibung von Ausführungsformen eine Struktur als „auf oder über“ oder „unter oder unterhalb“ einer anderen Struktur beschrieben wird, sollte diese Beschreibung als einen Fall, in dem die Strukturen miteinander in Kontakt stehen, sowie einen Fall, in dem eine dritte Struktur dazwischen angeordnet ist, umfassend aufgefasst werden. Die Größe und Dicke jedes in den Zeichnungen gezeigten Elements sind lediglich für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung gegeben und Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind nicht darauf begrenzt.
  • Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder kombiniert sein und können verschiedenartig miteinander betrieben werden und technisch angesteuert werden, wie der Fachmann auf dem Gebiet ausreichend verstehen kann. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können in einer gegenseitig abhängigen Beziehung zusammen ausgeführt werden.
  • Nachstehend wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in dem Beispiel von 1 gezeigt, kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 100, eine erste Elektrode 310, 320 und 330, eine Bank 600 und einen Graben T umfassen. Mehrere Subpixel P1, P2, P3 können auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. Die mehreren Subpixel P1, P2, P3 können ein erstes Subpixel P1, ein zweites Subpixel P2 und ein drittes Subpixel P3 umfassen.
  • Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann für jedes individuelle Subpixel P1, P2, P3 strukturiert sein. Eine erste Elektrode 310 kann sich beispielsweise im ersten Subpixel P1 befinden, eine andere erste Elektrode 320 kann sich im zweiten Subpixel P2 befinden und eine andere erste Elektrode 330 kann sich im dritten Subpixel P3 befinden. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann als Anode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung funktionieren.
  • Die Bank 600 kann als Matrixkonfiguration in den jeweiligen Grenzen zwischen jedem der mehreren Subpixel P1, P2, P3 ausgebildet sein und kann den Umfang der ersten Elektrode 310, 320 und 330 bedecken. Ein freiliegender Abschnitt der ersten Elektrode 310, 320 und 330, der freiliegen kann, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, kann beispielsweise zu einem Emissionsbereich werden.
  • Der Graben T kann zwischen jedem der mehreren Subpixel P1, P2, P3, insbesondere zwischen der Grenze von zwei benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 angeordnet sein. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Graben T derart vorgesehen sein, dass ein Teil einer Emissionsschicht, die innerhalb des Grabens T vorgesehen ist, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein kann, um zu verringern oder zu verhindern, dass ein Kriechstrom zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 erzeugt wird. Dies wird mit Bezug auf die folgende Querschnittsstruktur im Einzelnen beschrieben.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie I-I von 1 entspricht.
  • Wie in dem Beispiel von 2 gezeigt, kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Substrat 100, eine Schaltungsvorrichtungsschicht 200, eine Isolationsschicht 500, die erste Elektrode 310, 320 und 330, die Bank 600, eine Emissionsschicht 700, eine zweite Elektrode 800, eine Einkapselungsschicht 850 und eine Farbfilterschicht 910, 920 und 930 umfassen. Das Substrat 100 kann Glas oder Kunststoff umfassen, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Materialien begrenzt. Das Substrat 100 kann ein Halbleitermaterial wie z. B. einen Siliziumwafer umfassen. Das Substrat 100 kann ein transparentes Material oder ein opakes Material umfassen. Das erste Subpixel P1, das zweite Subpixel P2 und das dritte Subpixel P3 können sich auf dem Substrat 100 befinden. Das erste Subpixel P1 kann rotes R-Licht emittieren, das zweite Subpixel P2 kann grünes G-Licht emittieren und das dritte Subpixel P3 kann blaues B-Licht emittieren, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Oberseitenemissionstyp sein, in dem emittiertes Licht sich nach oben fortpflanzt, aber Ausführungsformen sind nicht auf diesen Typ begrenzt. Wenn die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung im Oberseitenemissionstyp ausgebildet ist, kann das erste Substrat 100 ein opakes Material sowie ein transparentes Material umfassen.
  • Die Schaltungsvorrichtungsschicht 200 kann auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. In der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 kann eine Schaltungsvorrichtung mit verschiedenen Signalleitungen, Dünnschichttransistoren und mindestens einem Kondensator für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. Die Signalleitungen können eine Gate-Leitung, eine Datenleitung, eine Leistungsleitung und/oder eine Referenzleitung umfassen. Die Dünnschichttransistoren können einen Dünnschichtschalttransistor, einen Dünnschichtansteuertransistor und/oder einen Dünnschichterfassungstransistor umfassen.
  • Der Dünnschichtschalttransistor kann durch ein Gate-Signal, das an die Gate-Leitung angelegt wird, geschaltet werden. Der Dünnschichtschalttransistor kann eine Datenspannung, die von der Datenleitung zugeführt werden kann, an den Dünnschichtansteuertransistor anlegen.
  • Der Dünnschichtansteuertransistor kann durch eine Datenspannung, die vom Dünnschichtschalttransistor zugeführt wird, geschaltet werden. Der Dünnschichtansteuertransistor kann einen Datenstrom von einer Leistungsquelle erzeugen, die von der Leistungsleitung zugeführt wird, und kann den Datenstrom zur ersten Elektrode 310, 320 und 330 zuführen.
  • Der Dünnschichterfassungstransistor kann eine Abweichung einer Schwellenspannung im Dünnschichtansteuertransistor erfassen, die eine Verschlechterung der Bildqualität verursachen kann. Der Dünnschichterfassungstransistor kann einen Strom des Dünnschichtansteuertransistors zur Referenzleitung in Reaktion auf ein Erfassungssteuersignal, das von der Gate-Leitung oder einer zusätzlichen Erfassungsleitung zugeführt wird, zuführen.
  • Der Kondensator kann die zum Dünnschichtansteuertransistor zugeführte Datenspannung für eine Rahmenperiode aufrechterhalten. Der Kondensator kann mit jedem von Gate- und Source-Anschlüssen des Dünnschichtansteuertransistors verbunden sein.
  • Die Isolationsschicht 500 kann auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 vorgesehen sein. Die Isolationsschicht 500 kann die Schaltungsvorrichtungsschicht 200 schützen und kann auch eine obere Oberfläche des Substrats 100 planarisieren. Die Isolationsschicht 500 kann ein organisches Isolationsmaterial umfassen, aber Ausführungsformen sind nicht auf dieses Material begrenzt. Die Isolationsschicht 500 kann beispielsweise ein anorganisches Isolationsmaterial umfassen.
  • Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann für jedes Subpixel P1, P2, P3 auf der Isolationsschicht 500 strukturiert sein. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann mit einem jeweiligen Dünnschichtansteuertransistor in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 verbunden sein. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann beispielsweise mit einem Source-Anschluss oder einem Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors verbunden sein. Ein Kontaktloch zum Freilegen des Source-Anschlusses oder Drain-Anschlusses des Dünnschichtansteuertransistors kann sich beispielsweise in der Isolationsschicht 500 und der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 befinden. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors über ein jeweiliges Kontaktloch verbunden sein.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Oberseitenemissionstyp sein. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann beispielsweise Licht, das von der Emissionsschicht 700 emittiert wird, nach oben reflektieren. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann beispielsweise in einer doppelschichtigen Struktur mit einer Reflexionsschicht, die dazu konfiguriert ist, Licht zu reflektieren, und einer transparenten leitfähigen Schicht, die dazu konfiguriert ist, ein Loch zur Emissionsschicht 700 zuzuführen, ausgebildet sein.
  • Die Bank 600 kann beide Enden oder Kanten der ersten Elektrode 310, 320 und 330 auf der Isolationsschicht 500 bedecken. Die Bank 600 kann beispielsweise einige Bereiche der oberen Oberfläche und seitlichen Oberfläche an beiden Enden der ersten Elektrode 310, 320 und 330 bedecken. Folglich kann es möglich sein zu verhindern, dass ein Strom an den Enden der ersten Elektrode 310, 320 und 330 konzentriert wird, um eine Absenkung der Emissionseffizienz zu verringern oder zu verhindern. Einige Bereiche der oberen Oberfläche der ersten Elektrode 310, 320 und 330, die freiliegen können, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, können beispielsweise zum Emissionsbereich werden. Die Bank 600 kann einen anorganischen Isolationsfilm umfassen, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt. Die Bank 600 kann beispielsweise einen organischen Isolationsfilm umfassen.
  • Der Graben T der Nutstruktur kann in der Bank 600 und der Isolationsschicht 500 vorgesehen sein. Der Graben T kann sich zu einem vorbestimmten Bereich der Isolationsschicht 500 durch die Bank 600 im Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 erstrecken. Folglich kann der Graben T durch Entfernen von vorbestimmten Bereichen der Bank 600 und der Isolationsschicht 500 unterhalb der Bank erhalten werden. Obwohl nicht gezeigt, kann sich der Graben T auch zur Innenseite der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 unterhalb der Isolationsschicht 500 erstrecken. Wenn die Bank 600 eine Schicht aus organischem Material mit einer großen Dicke umfasst, kann der Graben T auch durch Entfernen eines vorbestimmten Bereichs der Bank 600 ohne Verlaufen durch die Bank 600 ausgebildet werden.
  • Der Graben T kann vorgesehen sein, um zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 zu trennen. Zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 kann beispielsweise innerhalb des Grabens T nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein und es kann möglich sein, eine Ladungsübertragung zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 durch die Emissionsschicht 700 hindurch zu verringern oder zu verhindern und einen Kriechstrom zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 zu verringern oder zu verhindern. Um zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 innerhalb des Grabens T nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) zu machen, kann beispielsweise eine Tiefe B des Grabens T größer sein als eine Breite (a) des Grabens T. Die Breite (a) des Grabens T kann beispielsweise innerhalb eines Bereichs von 0,1 µm bis 0,2 µm liegen und die Tiefe B des Grabens T kann beispielsweise innerhalb eines Bereichs von 0,2 µm bis 0,4 µm liegen. Wenn die Breite (a) des Grabens T geringer wäre als 0,1 µm, kann die Breite (a) des Grabens T zu klein sein, dass die Emissionsschicht 700 anschließend auf dem Graben T abgeschieden wird. Zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 kann beispielsweise innerhalb des Grabens T zusammenhängend sein (z. B. kann verbunden oder verbunden vorgesehen sein oder kann nicht getrennt vorgesehen sein). Wenn die Breite (a) des Grabens T mehr als 0,2 µm wäre, kann eine Pore H nicht innerhalb des Grabens T ausgebildet werden und die Emissionsschicht 700 kann anschließend im Graben T abgeschieden werden. Der Begriff „Pore (H)“, wenn hier verwendet, kann als einen Luftspalt beschreibend verstanden werden. Zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 kann beispielsweise innerhalb des Grabens T zusammenhängend sein. Wenn die Tiefe B des Grabens T geringer wäre als 0,2 µm, kann die Pore H nicht innerhalb des Grabens T ausgebildet werden und die Emissionsschicht 700 kann anschließend im Graben T abgeschieden werden und zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700 kann innerhalb des Grabens T zusammenhängend sein. Wenn die Tiefe B des Grabens T mehr als 0,4 µm wäre, kann ein Prozess zum Ausbilden des Grabens T nicht einfach sein.
  • In Anbetracht der Breite (a) des Grabens T innerhalb eines Bereichs von 0,1 µm bis 0,2 µm, der in der Grenze zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet ist, kann ein Intervall zwischen den ersten Elektroden 310, 320 und 330, die voneinander beabstandet sind, wobei der Graben T dazwischen eingefügt ist, beispielsweise 0,4 µm oder mehr als 0,4 µm sein.
  • Die Emissionsschicht 700 kann in dem Bereich in jedem der mehreren Subpixel P1, P2, P3 ausgebildet sein und auch in der Grenze zwischen den mehreren Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein. Die Emissionsschicht 700 kann beispielsweise auf der ersten Elektrode 310, 320 und 330 und der Bank 600 ausgebildet sein und kann auch auf der Isolationsschicht 500 innerhalb des Grabens T ausgebildet sein.
  • Die Emissionsschicht 700 kann dazu konfiguriert sein, weißes W-Licht zu emittieren. Die Emissionsschicht 700 kann beispielsweise mehrere Stapel umfassen, die dazu konfiguriert sind, Licht mit unterschiedlicher Farbe zu emittieren. Die Emissionsschicht 700 kann beispielsweise einen ersten Stapel 710, einen zweiten Stapel 730 und eine Ladungserzeugungsschicht 720 zwischen dem ersten Stapel 710 und dem zweiten Stapel 730 umfassen.
  • Die Emissionsschicht 700 kann sich innerhalb des Grabens T befinden und kann sich auch über dem Graben T befinden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, wenn die Emissionsschicht 700 innerhalb des Grabens T ausgebildet ist, mindestens ein Teil der Emissionsschicht 700 nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein, so dass es möglich sein kann, einen Kriechstrom zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 zu verringern oder zu verhindern.
  • Der erste Stapel 710 kann auf seitlichen Oberflächen innerhalb des Grabens T ausgebildet sein und kann auch auf einer unteren Oberfläche innerhalb des Grabens T ausgebildet sein. In Bezug auf einen zentralen Abschnitt des Grabens T kann beispielsweise ein erster Abschnitt 710a des ersten Stapels 710 an einer seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens T, z. B. einer linken seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens T, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) mit einem zweiten Abschnitt 710b des ersten Stapels 710 an der anderen seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens T, z. B. einer rechten seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens T, sein. Es sollte erkannt werden, dass die Begriffe „links“ und „rechts“ hier für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung verwendet werden und austauschbar sind und durch einen Fachmann auf dem Gebiet verstanden werden sollten. Ein dritter Abschnitt 710c des ersten Stapels 710 auf der unteren Oberfläche innerhalb des Grabens T kann auch nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein, während er vom ersten Abschnitt 710a und vom zweiten Abschnitt 710b des ersten Stapels 710 auf den seitlichen Oberflächen innerhalb des Grabens T getrennt ist. Folglich kann eine Ladung nicht durch den ersten Stapel 710 zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 übertragen werden, die zueinander benachbart sein können, wobei der Graben T dazwischen eingefügt ist.
  • Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann sich auch auf dem ersten Stapel 710 befinden. Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann beispielsweise über dem Graben T ausgebildet sein, ohne sich innerhalb des Grabens T zu erstrecken. Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann beispielsweise über einer oberen Oberfläche 600a von einem Ende der Bank 600, die durch den Graben T perforiert ist, beispielsweise über der oberen Oberfläche 600 von einem Ende der Bank 600 in Kontakt mit dem Graben T, ausgebildet sein, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt. Die Ladungserzeugungsschicht 720 kann sich beispielsweise innerhalb des Grabens T erstrecken.
  • In Bezug auf den zentralen Abschnitt des Grabens T kann beispielsweise ein erster Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 auf einer Seite des Grabens T, z. B. einer linken Seite des Grabens T, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) mit einem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 auf der anderen Seite des Grabens T, z. B. einer rechten Seite des Grabens T, sein. Der erste Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 kann auf dem ersten Abschnitt 710a des ersten Stapels 710 ausgebildet sein und der zweite Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 kann auf dem zweiten Abschnitt 710b des ersten Stapels 710 ausgebildet sein. Folglich können Ladungen nicht zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, die benachbart angeordnet sind, wobei der Graben T dazwischen eingefügt ist, durch die Ladungserzeugungsschicht 720 übertragen werden.
  • Der zweite Stapel 730 kann auch auf der Ladungserzeugungsschicht 720 zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, die zueinander benachbart sein können, zusammenhängend (z. B. verbunden vorgesehen) sein, wobei der Graben T dazwischen eingefügt ist. In Bezug auf den zentralen Abschnitt des Grabens T kann beispielsweise ein erster Abschnitt 730a des zweiten Stapels 730 auf einer Seite des Grabens T, z. B. einer linken Seite des Grabens T, mit einem zweiten Abschnitt 730b des zweiten Stapels 730 auf der anderen Seite des Grabens T, z. B. einer rechten Seite des Grabens T, verbunden sein. Folglich können Ladungen zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, die benachbart angeordnet sind, wobei der Graben T dazwischen eingefügt ist, durch den zweiten Stapel 730 übertragen werden.
  • Eine erste Dicke d1 des zweiten Stapels 730, die einem gewissen Bereich des Grabens T entsprechen kann, in dem die Ladungserzeugungsschicht 720 nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein kann, kann beispielsweise relativ kleiner sein als eine zweite Dicke d2 des zweiten Stapels 730, die den restlichen Bereichen entsprechen kann, die nicht mit dem Graben T überlappen können. Die erste Dicke d1 des zweiten Stapels 730, der nicht mit dem Bereich zwischen dem ersten Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 und dem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 überlappen kann, kann beispielsweise relativ kleiner sein als die zweite Dicke d2 des ersten Abschnitts 730a oder des zweiten Abschnitts 730b des zweiten Stapels 730, der mit der Bank 600 überlappen kann.
  • Wenn der zweite Stapel 730 zuerst abgeschieden wird, während er auf dem ersten Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 und dem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) ist, kann der zweite Stapel 730 auf dem ersten Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 mit dem zweiten Stapel 730 auf dem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 in Kontakt kommen, wenn der zweite Stapel 730 weiter abgeschieden werden kann. Dies kann ein Grund sein, warum die erste Dicke (d) des zweiten Stapels 730 relativ klein sein kann. Untere einige Bereiche des zweiten Stapels 730 mit der ersten Dicke (d1), die der relativ kleinen Dicke entspricht, können über dem Graben T nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein. Untere einige Bereiche des ersten Abschnitts 730a des zweiten Stapels 730, z. B. eine Lochtransportschicht „HTL-Schicht“, können beispielsweise nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) mit unteren einigen Bereichen des zweiten Abschnitts 730b des zweiten Stapels 730, beispielsweise der HTL-Schicht, sein.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann die Pore H innerhalb des Grabens T durch die obige Struktur des ersten Stapels 710, der Ladungserzeugungsschicht 720 und des zweiten Stapels 730 ausgebildet werden. Die Pore H kann durch die Isolationsschicht 500 und die Emissionsschicht 700 definiert sein. Die Pore H kann sich unterhalb der Emissionsschicht 700 befinden. Die Pore H unterhalb der Emissionsschicht 700 kann beispielsweise durch die Isolationsschicht 500, den ersten Stapel 710, die Ladungserzeugungsschicht 720 und den zweiten Stapel 720 definiert sein. Die Pore H kann sich vom Inneren des Grabens T zum oberen Abschnitt des Grabens T erstrecken und ein Ende (HT) der Pore H kann höher sein als zumindest ein Teil der Emissionsschicht 700, die innerhalb des Grabens T nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein kann. Das Ende HT der Pore H kann beispielsweise höher sein als die Ladungserzeugungsschicht 720 und der erste Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 und der zweite Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 können aufgrund der Pore H nicht miteinander zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein.
  • Die Leitfähigkeit der Ladungserzeugungsschicht 720 kann höher sein als jene von jedem des ersten Stapels 710 und des zweiten Stapels 730. Eine Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ der Ladungserzeugungsschicht 720 kann beispielsweise ein Metallmaterial umfassen. Die Leitfähigkeit der Ladungserzeugungsschicht 720 kann höher sein als jene von jedem des ersten Stapels 710 und des zweiten Stapels 730. Folglich kann die Ladungsübertragung zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, die zueinander benachbart sein können, durch die Ladungserzeugungsschicht 720 durchgeführt werden, und irgendeine Ladungsübertragung durch den zweiten Stapel 730 kann unbedeutend sein. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann innerhalb des Grabens T folglich die Ladungserzeugungsschicht 720 nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein, so dass es möglich sein kann, die Ladungsübertragung zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, die zueinander benachbart sein können, zu verringern, um einen Kriechstrom zu verringern oder zu verhindern.
  • Die zweite Elektrode 800 kann sich auf der Emissionsschicht 700 befinden. Die zweite Elektrode 800 kann als Kathode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung funktionieren. In einer ähnlichen Weise wie die Emissionsschicht 700 kann die zweite Elektrode 800 in jedem der Subpixel P1, P2, P3 ausgebildet sein und kann auch im Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann im Oberseitenemissionstyp ausgebildet sein und die zweite Elektrode 800 kann ein transparentes leitfähiges Material umfassen, das zur Aufwärtsübertragung von Licht, das von der Emissionsschicht 700 emittiert wird, in der Lage ist. Die zweite Elektrode 800 kann auch eine halbtransparente Elektrode umfassen, so dass es möglich sein kann, einen Mikrohohlraumeffekt für jedes Subpixel P1, P2, P3 zu erhalten. Wenn die zweite Elektrode 800 die halbtransparente Elektrode umfasst, kann der Mikrohohlraumeffekt durch wiederholte Reflexion und Neureflexion des Lichts zwischen der zweiten Elektrode 800 und der ersten Elektrode 310, 320 und 330 erhalten werden, um die Lichteffizienz zu verbessern.
  • Die Einkapselungsschicht 850 kann auf der zweiten Elektrode 800 ausgebildet sein, um zu verringern oder zu verhindern, dass externe Feuchtigkeit in die Emissionsschicht 700 eindringt. Die Einkapselungsschicht 850 kann als einzelschichtige Struktur eines anorganischen Isolationsmaterials oder als Abscheidungsstruktur, die durch abwechselndes Abscheiden eines anorganischen Isolationsmaterials und eines organischen Isolationsmaterials erhalten wird, ausgebildet sein, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Strukturen begrenzt.
  • Die Farbfilterschicht 910, 920 und 930 kann sich auf der Einkapselungsschicht 850 befinden. Die Farbfilterschicht 910, 920 und 930 kann ein rotes R-Farbfilter 910 im ersten Subpixel P1, ein grünes G-Farbfilter 920 im zweiten Subpixel P2 und ein blaues B-Farbfilter im dritten Subpixel P3 umfassen, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt. Obwohl nicht gezeigt, kann eine schwarze Matrix zusätzlich zwischen jeder der Farbfilterschichten 910, 920 und 930 vorgesehen sein, um zu verringern oder zu verhindern, dass Licht in den Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 austritt.
  • 3 bis 6 sind Querschnittsansichten, die Beispiele einer ersten Elektrode, einer Emissionsschicht und einer zweiten Elektrode gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen.
  • Wie in dem Beispiel von 3 gezeigt, kann sich eine erste Elektrode 310 in einem ersten Subpixel P1 befinden, eine andere erste Elektrode 320 kann sich in einem zweiten Subpixel P2 befinden und eine andere erste Elektrode 330 kann sich in einem dritten Subpixel P3 befinden. Eine Emissionsschicht 700 kann auf der ersten Elektrode 310, 320 und 330 ausgebildet sein. Die Emissionsschicht 700 kann einen ersten Stapel 720, einen zweiten Stapel 730 und eine Ladungserzeugungsschicht CGL 720 umfassen.
  • Der erste Stapel 710 kann als Abscheidungsstruktur ausgebildet sein, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochinjektionsschicht HIL, einer Lochtransportschicht HTL, einer blauen B-Emissionsschicht EMLB und einer Elektronentransportschicht ETL erhalten wird. Der erste Stapel 710 kann im Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, beispielsweise in einem Bereich eines Grabens T, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein.
  • Die Ladungserzeugungsschicht CGL 720 kann Ladungen zum ersten Stapel 710 und zum zweiten Stapel 730 zuführen. Die Ladungserzeugungsschicht CGL 720 kann eine Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ, die dazu konfiguriert ist, ein Elektron zum ersten Stapel 710 zuzuführen, und eine Ladungserzeugungsschicht vom P-Typ, die dazu konfiguriert ist, ein Loch zum zweiten Stapel 730 zuzuführen, umfassen. Die Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ kann ein Dotierungsmaterial eines Metallmaterials umfassen, obwohl Ausführungsformen nicht darauf begrenzt sind.
  • Die Ladungserzeugungsschicht CGL 720 kann im Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, beispielsweise im Bereich des Grabens T, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein. Der zweite Stapel 730 kann auf der Ladungserzeugungsschicht (CGL) 720 vorgesehen sein. Der zweite Stapel 730 kann als Abscheidungsstruktur ausgebildet sein, die durch sequentielles Abscheiden einer Lochtransportschicht HTL, einer roten R-Emissionsschicht (EMLR), einer gelb-grünen (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)), einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) erhalten wird. Eine Abscheidungsreihenfolge der roten R-Emissionsschicht (EMLR) und der gelb-grünen (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) kann vertauschbar sein.
  • Der zweite Stapel 730 kann über die Subpixel P1, P2, P3 zusammenhängend (z. B. verbunden vorgesehen) sein. Wie vorstehend beschrieben, können jedoch einige untere Bereiche des zweiten Stapels 730 in der Grenze zwischen den Subpixeln P1, P2, P3, beispielsweise im Bereich des Grabens T, nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein. Die Lochtransportschicht (HTL) im zweiten Stapel 730 kann beispielsweise nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein; die Lochtransportschicht (HTL) und die rote R-Emissionsschicht (EMLR) im zweiten Stapel 730 können nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein; die Lochtransportschicht (HTL), die rote R-Emissionsschicht (EMLR) und die gelb-grüne (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)), die im zweiten Stapel 730 enthalten sind, können nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein; oder die Lochtransportschicht (HTL), die rote R-Emissionsschicht (EMLR), die gelb-grüne (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) und die Elektronentransportschicht (ETL) können nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) sein.
  • Die zweite Elektrode 800 kann sich auf der Emissionsschicht 700 befinden. Die zweite Elektrode 800 kann in der Grenze zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 zusammenhängend (z. B. verbunden vorgesehen) sein. In der Struktur des Beispiels von 3 kann weißes Licht durch Kombination der blauen B-Emissionsschicht (EMLB) im ersten Stapel 710 und der roten R-Emissionsschicht (EMLR) und der gelb-grünen (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) im zweiten Stapel 730 erhalten werden. Der zweite Stapel 730 kann nur die gelb-grüne (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) ohne die rote R-Emissionsschicht (EMLR) umfassen, so dass es möglich sein kann, weißes Licht durch Kombination der blauen B-Emissionsschicht (EMLB) im ersten Stapel 710 und der gelb-grünen (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) im zweiten Stapel 730 zu erhalten. Eine rote Emissionseffizienz kann jedoch im dritten Subpixel P3 verschlechtert werden. Folglich kann der zweite Stapel 730 sowohl die rote R-Emissionsschicht (EMLR) als auch die gelb-grüne (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) umfassen.
  • Die Struktur des Beispiels von 4 ist im Wesentlichen ähnlich zur Struktur des Beispiels von 3, außer dass der zweite Stapel 730 die grüne G-Emissionsschicht (EMLG) anstelle der gelb-grünen (YG)-Emissionsschicht (EML(YG)) umfasst. In dem Beispiel von 4 kann weißes Licht durch Kombination der blauen B-Emissionsschicht (EMLB) im ersten Stapel 710 und der roten Emissionsschicht (EMLR) und der grünen Emissionsschicht (EMLG) im zweiten Stapel 730 erhalten werden. Sowohl die rote Emissionsschicht (EMLR) als auch die grüne Emissionsschicht (EMLG) können im zweiten Stapel 730 enthalten sein. Eine grüne Emissionseffizienz kann im zweiten Subpixel P2 verbessert sein und eine rote Emissionseffizienz kann im dritten Subpixel P3 verbessert sein.
  • Die Struktur von 5 ist im Wesentlichen ähnlich zur Struktur des Beispiels von 3, außer dass der erste Stapel 710 die rote R-Emissionsschicht EML(R) und die gelb-grüne YG-Emissionsschicht EML(YG) anstelle der blauen B-Emissionsschicht (EMLB) umfasst und der zweite Stapel 730 die blaue B-Emissionsschicht (EML(B) anstelle der roten R-Emissionsschicht EML(R) und der gelb-grünen YG-Emissionsschicht EML(YG) umfasst. In 5 kann eine Abscheidungsreihenfolge der roten R-Emissionsschicht EML(R) und der gelb-grünen YG-Emissionsschicht EML(YG) vertauschbar sein.
  • Ähnlich zum Beispiel von 3 kann die Struktur von 5 den ersten Stapel 710 mit der roten R-Emissionsschicht EML(R) und der gelb-grünen YG-Emissionsschicht EML(YG) umfassen und eine rote Emissionseffizienz kann im dritten Subpixel P3 verbessert sein.
  • Die Struktur von 6 ist im Wesentlichen ähnlich zur Struktur des Beispiels von 3, außer dass der erste Stapel 710 die grüne G-Emissionsschicht EML(G) anstelle der gelb-grünen YG-Emissionsschicht EML(YG) umfasst.
  • Ähnlich zum Beispiel von 4 kann die Struktur von 6 den ersten Stapel 710 mit der roten R-Emissionsschicht EML(R) und der grünen G-Emissionsschicht EML(G) umfassen. Eine grüne Emissionseffizienz kann im zweiten Subpixel P2 verbessert sein und eine rote Emissionseffizienz kann im dritten Subpixel P3 verbessert sein.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Die Struktur des Beispiels von 7 ist im Wesentlichen ähnlich zum Beispiel von 2, außer dass ein dritter Abschnitt 720c einer Ladungserzeugungsschicht 720 und ein dritter Abschnitt 730c eines zweiten Stapels 7330 zusätzlich in der Struktur von 7 vorgesehen sind. Folglich werden dieselben Bezugszeichen in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur die unterschiedlichen Strukturen werden beschrieben.
  • Wie in dem Beispiel von 7 gezeigt, kann, wenn ein erster Abschnitt 720a und ein zweiter Abschnitt 720b einer Ladungserzeugungsschicht 720 abgeschieden werden, während sie voneinander beabstandet sind, ein Teil der Ladungserzeugungsschicht 720 frei zu dem Bereich zwischen dem ersten Abschnitt 720a und dem zweiten Abschnitt 720b fallen und ein dritter Abschnitt 720c der Ladungserzeugungsschicht 720 kann zusätzlich auf einem dritten Abschnitt 710c des ersten Stapels 710 auf einer inneren unteren Oberfläche eines Grabens T vorgesehen sein. Der dritte Abschnitt 720c der Ladungserzeugungsschicht 720 kann nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) mit dem ersten Abschnitt 720a der Ladungserzeugungsschicht 720 und dem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 sein.
  • Wenn ein zweiter Stapel 730 abgeschieden und ausgebildet wird, kann auch ein Teil des zweiten Stapels 730 frei zu dem Bereich zwischen dem ersten Abschnitt 720a und dem zweiten Abschnitt 720b der Ladungserzeugungsschicht 720 fallen und ein dritter Abschnitt 730c des zweiten Stapels 730 kann zusätzlich auf dem dritten Abschnitt 720c der Ladungserzeugungsschicht 720 vorgesehen sein. Der dritte Abschnitt 730c des zweiten Stapels 730 kann nicht zusammenhängend (z. B. getrennt oder getrennt vorgesehen) mit einem ersten Abschnitt 730a des zweiten Stapels 730 und einem zweiten Abschnitt 730b des zweiten Stapels 730 sein. Der dritte Abschnitt 730c des zweiten Stapels 730 kann jedoch nicht vorgesehen sein.
  • Die vorstehend beschriebene Struktur von 7 kann ebenso auf alle der folgenden Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angewendet werden.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Abgesehen von einer Bank 600 ist die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 8 im Wesentlichen ähnlich in der Struktur zur Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 2. Dieselben Bezugszeichen werden in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur die unterschiedlichen Strukturen werden beschrieben.
  • Mit Bezug auf das Beispiel von 2 kann die Bank 600, die das Ende der ersten Elektrode 310, 320 und 330 bedecken kann, nicht für jedes Subpixel P1, P2, P3 strukturiert sein, sondern kann als ein zusammenhängender Körper unter den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein. Die Bank 600 kann beispielsweise in der gesamten Grenze zwischen den benachbarten Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein. Folglich kann die Bank 600 mit dem Graben T zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 in Kontakt stehen und der Graben T kann in der Bank 600 und der Isolationsschicht 500 darunter ausgebildet sein. In dem Beispiel von 2 kann die Bank 600 im gesamten Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet werden und dann können vorbestimmte Bereiche der Bank 600 und der Isolationsschicht 500 darunter vom Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 entfernt werden, um den Graben T auszubilden.
  • Mit Bezug auf das Beispiel von 8 kann eine jeweilige Bank 600, die ein Ende einer ersten Elektrode 310, 320 und 330 bedecken kann, für jedes Subpixel P1, P2, P3 strukturiert sein. Jede Bank 600 kann beispielsweise den Umfang von jeder der ersten Elektrode 310, 320 und 330 umgeben und die Bänke 600 können voneinander beabstandet sein. Folglich kann die Bank 600 nicht mit einem Graben T zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 in Kontakt stehen und der Graben T kann nur in der Isolationsschicht 500 ausgebildet sein. In dem Beispiel von 8 kann die Bank 600 für jedes Subpixel P1, P2, P3 strukturiert werden und dann können vorbestimmte Bereiche der Isolationsschicht 500 entfernt werden, um einen Graben T auszubilden.
  • 9 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Abgesehen von einer Struktur eines Grabens T ist die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 9 im Wesentlichen ähnlich in der Struktur zur Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 1. Dieselben Bezugszeichen werden in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur unterschiedliche Strukturen werden beschrieben.
  • Mit Bezug auf 9 kann ein Graben T eine Form aufweisen, die einer Form eines individuellen Subpixels P1, P2, P3 entspricht, und kann den gesamten Umfang der Subpixel P1, P2, P3 umgeben. Folglich kann in dem Beispiel von 9 der Graben T in der Grenze zwischen dem entsprechenden individuellen Subpixel P1, P2, P3 und jeder der auf vier Seiten benachbarten Subpixel P1, P2, P3 des entsprechenden Subpixels ausgebildet sein, um einen Kriechstrom zu verringern oder zu verhindern.
  • 10 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in dem Beispiel von 10 gezeigt, können ein erstes Subpixel P1, ein zweites Subpixel P2, und ein drittes Subpixel P3 nacheinander entlang einer horizontalen Richtung angeordnet sein. Eine Anordnungsstruktur mit dem ersten Subpixel P1, dem zweiten Subpixel P2 und dem dritten Subpixel P3, die in der horizontalen Richtung angeordnet sind, kann wiederholt vorgesehen sein, um mehrere Reihen auszubilden. Für die Zweckmäßigkeit der Erläuterung zeigt 10 nur zwei Reihen, aber Ausführungsformen sind nicht darauf begrenzt.
  • Entlang einer vertikalen Richtung, die die horizontale Richtung kreuzt, kann beispielsweise ein anderes erstes Subpixel P1 zum Emittieren von Licht mit derselben Farbe unter dem ersten Subpixel P1 liegen, ein anderes zweites Subpixel P2 zum Emittieren von Licht mit derselben Farbe kann unter dem zweiten Subpixel P2 liegen und ein anderes drittes Subpixel P3 zum Emittieren von Licht mit derselben Farbe kann unter dem dritten Subpixel P3 liegen.
  • Folglich können entlang der vertikalen Richtung die Subpixel P1, P2, P3 zum Emittieren von Licht mit derselben Farbe in einer geraden Linie angeordnet sein. Selbst wenn ein Kriechstrom zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 zum Emittieren von Licht mit derselben Farbe erzeugt werden würde, kann folglich ein Problem in Bezug auf eine Mischung von farbigem Licht wie z. B. eine Verschlechterung der Bildqualität nicht auftreten. Folglich kann ein Graben T nicht in der Grenze zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein, die dazu konfiguriert sind, das Licht mit derselben Farbe zu emittieren, und benachbart entlang der vertikalen Richtung angeordnet sind.
  • In einer ähnlichen Weise wie das Beispiel von 1 kann der Graben T in der Grenze zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein, die entlang der horizontalen Richtung benachbart angeordnet sind. Der Graben T kann beispielsweise in einer zusammenhängenden geradlinigen Struktur entlang der vertikalen Richtung ausgebildet sein. Der Graben T kann beispielsweise in der nach unten zusammenhängenden geradlinigen Struktur von der Grenze zwischen dem ersten Subpixel P1 und dem zweiten Subpixel P2 in der ersten Reihe zur Grenze zwischen dem ersten Subpixel P1 und dem zweiten Subpixel P2 in der zweiten Reihe ausgebildet sein.
  • In dem Beispiel von 10 kann die Anordnungsstruktur der Subpixel P1, P2, P3 ähnlich auf die mehreren Reihen angewendet werden, die in einer Aufwärts- und Abwärts- (z. B. vertikalen) Richtung zueinander benachbart sein können. Obwohl nicht gezeigt, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Anordnungsstruktur der Subpixel P1, P2, P3 unterschiedlich auf die mehreren Reihen angewendet werden, die in der Aufwärts- und Abwärtsrichtung zueinander benachbart sein können. Der Graben T kann beispielsweise im Grenzbereich zwischen den Subpixeln P1, P2, P3 ausgebildet sein, die in der Aufwärts- und Abwärtsrichtung zueinander benachbart sein können.
  • 11 ist eine Draufsicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in dem Beispiel von 11 gezeigt, kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 100, eine erste Elektrode 310, 320 und 330, eine Kontaktelektrode 410, 420 und 430 und eine Bank 600 umfassen. Mehrere Subpixel P1, P2, P3 können sich auf dem Substrat 100 befinden.
  • Mehrere Emissionsbereiche EA1, EA2, EA3 und mehrere Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 können in den mehreren Subpixeln P1, P2, P3 vorgesehen sein. Der erste Emissionsbereich E1 und der erste Kontaktbereich CA1 können sich beispielsweise im ersten Subpixel P1 befinden, der zweite Emissionsbereich E2 und der zweite Kontaktbereich CA2 können sich im zweiten Subpixel P2 befinden und der dritte Emissionsbereich E2 und der dritte Kontaktbereich CA3 können sich im dritten Subpixel P3 befinden.
  • Die mehreren Emissionsbereiche EA1, EA2, EA3 können durch die Bank 600 definiert sein. Freiliegende Bereiche, die freiliegen können, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, können beispielsweise zu den mehreren Emissionsbereichen EA1, EA2, EA3 werden. Der erste Emissionsbereich EA1 kann ein roter Emissionsbereich sein, der zweite Emissionsbereich EA2 kann ein grüner Emissionsbereich sein und der dritte Emissionsbereich EA3 kann ein blauer Emissionsbereich sein, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt.
  • Die mehreren Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 können in dem Bereich vorgesehen sein, der durch die Bank 600 bedeckt ist. Folglich können die mehreren Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 sich in einem Umfangsbereich der mehreren Emissionsbereiche EA1, EA2, EA3 befinden. Der erste Kontaktbereich CA1 kann sich beispielsweise in einem oberen Umfangsbereich des ersten Emissionsbereichs EA1 befinden, der zweite Kontaktbereich CA2 kann sich in einem oberen Umfangsbereich des zweiten Emissionsbereichs EA2 befinden, und der dritte Kontaktbereich CA3 kann sich in einem oberen Umfangsbereich des dritten Emissionsbereichs EA3 befinden, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt.
  • Mehrere Kontaktlöcher CH11 bis CH14, CH21 bis CH24, CH31 bis CH34 können in den mehreren Kontaktbereichen CA1, CA2, CA3 vorgesehen sein, die Stufendifferenzen verursachen können. Wenn zumindest einige Bereiche in den mehreren Kontaktbereichen CA1, CA2, CA3 freiliegen würden, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, und die einigen Bereiche in den mehreren Kontaktbereichen CA1, CA2, CA3 mit den mehreren Emissionsbereichen EA1, EA2, EA3 überlappen würden, kann folglich ein Problem in Bezug auf die Ungleichmäßigkeit der Emission in den Emissionsbereichen EA1, EA2, EA3 aufgrund der Stufendifferenzen erzeugt werden. In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können somit die mehreren Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 durch die Bank 600 bedeckt sein und es kann möglich sein, zu verringern oder zu verhindern, dass die mehreren Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 mit den mehreren Emissionsbereichen EA1, EA2, EA3 überlappen, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt. Zumindest einige Bereiche in den mehreren Kontaktbereichen CA1, CA2, CA3 können nicht durch die Bank 600 bedeckt sein, so dass zumindest einige Bereiche in den mehreren Kontaktbereichen CA1, CA2, CA3 mit den mehreren Emissionsbereichen EA1, EA2, EA3 überlappen können.
  • Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann für jedes individuelle Subpixel P1, P2, P3 strukturiert sein. Eine erste Elektrode 310 kann sich beispielsweise im ersten Subpixel P1 befinden, eine andere erste Elektrode 320 kann sich im zweiten Subpixel P2 befinden und eine andere erste Elektrode 330 kann sich im dritten Subpixel P3 befinden. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann als Anode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung funktionieren.
  • Die erste Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 kann sich vom ersten Emissionsbereich EA1 zum ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken und der freiliegende Abschnitt der ersten Elektrode 310, der freiliegen kann, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, kann zum ersten Emissionsbereich EA1 werden. Die erste Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 kann mit der ersten Kontaktelektrode 410 im ersten Kontaktbereich CA1 verbunden sein.
  • Die erste Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 kann sich vom zweiten Emissionsbereich EA2 zum zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken und der freiliegende Abschnitt der ersten Elektrode 320, der freiliegen kann, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, kann zum zweiten Emissionsbereich EA2 werden. Die erste Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 kann mit der zweiten Kontaktelektrode 420 im zweiten Kontaktbereich CA2 verbunden sein.
  • Die erste Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 kann sich vom dritten Emissionsbereich EA3 zum dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken und der freiliegende Abschnitt der ersten Elektrode 330, der freiliegen kann, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, kann zum dritten Emissionsbereich EA3 werden. Die erste Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 kann mit der dritten Kontaktelektrode 430 im dritten Kontaktbereich CA3 verbunden sein.
  • Die Kontaktelektrode 410, 420 und 430 kann im Kontaktbereich CA1, CA2, CA3 vorgesehen sein. Beispielsweise kann sich die erste Kontaktelektrode 410 im ersten Kontaktbereich CA1 befinden, die zweite Kontaktelektrode 420 kann sich im zweiten Kontaktbereich CA2 befinden und die dritte Kontaktelektrode 430 kann sich im dritten Kontaktbereich CA3 befinden.
  • Die erste Kontaktelektrode 410 kann mit der ersten Elektrode 310 verbunden sein und kann mit der ersten Elektrode 310 des ersten Subpixels P1 im ersten Kontaktbereich CA1 überlappen. Obwohl eine Breite der ersten Kontaktelektrode 410 als größer als eine Breite der ersten Elektrode 310 dargestellt ist, sind Ausführungsformen nicht auf diese Struktur begrenzt. Eine Breite der ersten Kontaktelektrode 410 kann beispielsweise dieselbe wie oder kleiner als eine Breite der ersten Elektrode 310 sein.
  • Die zweite Kontaktelektrode 420 kann mit der ersten Elektrode 320 verbunden sein und kann mit der ersten Elektrode 320 des zweiten Subpixels P2 im zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen. Obwohl eine Breite der zweiten Kontaktelektrode 420 als größer als eine Breite der ersten Elektrode 320 dargestellt ist, sind Ausführungsformen nicht auf diese Struktur begrenzt. Eine Breite der zweiten Kontaktelektrode 420 kann beispielsweise dieselbe wie oder kleiner als eine Breite der ersten Elektrode 320 sein.
  • Die dritte Kontaktelektrode 430 kann mit der ersten Elektrode 330 verbunden sein und kann mit der ersten Elektrode 330 des dritten Subpixels P3 im dritten Kontaktbereich CA3 überlappen. Obwohl eine Breite der dritten Kontaktelektrode 430 als größer als eine Breite der ersten Elektrode 330 dargestellt ist, sind Ausführungsformen nicht auf diese Struktur begrenzt. Eine Breite der dritten Kontaktelektrode 430 kann beispielsweise dieselbe wie oder kleiner als eine Breite der ersten Elektrode 330 sein.
  • 12A ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
  • Wie in dem Beispiel von 12A gezeigt, kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Substrat 100, eine Schaltungsvorrichtungsschicht 200, die erste Elektrode 310, 320, 330, die Kontaktelektrode 410, 420 und 430, eine Isolationsschicht 510, 520 und 530, die Bank 600, einen Graben T, eine Emissionsschicht 700, eine zweite Elektrode 800, eine Einkapselungsschicht 850 und eine Farbfilterschicht 910, 920 und 930 umfassen. Das Substrat 100 in 12 ist zu den vorstehend beschriebenen Beispielen im Wesentlichen ähnlich und auf eine ausführliche Beschreibung für das Substrat 100 wird verzichtet.
  • In einer ähnlichen Weise wie vorstehend, kann die Schaltungsvorrichtungsschicht 200 eine Schaltungsvorrichtung mit verschiedenen Signalleitungen, Dünnschichttransistoren und einem Kondensator umfassen und die Schaltungsvorrichtung kann für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. In 12A entspricht das Bezugszeichen 250 einem Dünnschichtansteuertransistor in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200.
  • In der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 kann das erste Kontaktloch CH11, CH21, CH31 für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. Ein Source-Anschluss oder ein Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors 250 kann über das erste Kontaktloch CH11, CH21, CH31 freiliegen.
  • Die erste Elektrode 310, 320 und 330 und die Kontaktelektrode 410, 420 und 430 können für jedes Subpixel P1, P2, P3 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 strukturiert sein. Eine erste Elektrode 310 und die erste Kontaktelektrode 410 können sich im ersten Subpixel P1 befinden, eine andere erste Elektrode 320 und die zweite Kontaktelektrode 420 können sich im zweiten Subpixel P2 befinden und eine andere erste Elektrode 330 und die dritte Kontaktelektrode 430 können sich im dritten Subpixel P3 befinden.
  • Die erste Elektrode 310, 320, 330 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 verbunden sein. Die erste Elektrode 310, 320, 330 kann beispielsweise mit dem Source-Anschluss oder dem Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors 250 verbunden sein.
  • Die erste Elektrode 310 im ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 umfassen. Die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 können sich vom ersten Emissionsbereich EA1 zum ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken.
  • Die erste untere Elektrode 311 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 über das erste Kontaktloch CH11 der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im ersten Subpixel P1 verbunden sein. In Abhängigkeit von dem Fall kann die erste untere Elektrode 311 mit dem Ansteuer-TFT 250 durch ein leitfähiges Material verbunden sein, das in das erste Kontaktloch CH11 gefüllt ist, und dies kann identisch auf alle der folgenden Ausführungsformen angewendet werden. Die erste obere Elektrode 312 kann mit der ersten oberen Kontaktelektrode 412 in der ersten Kontaktelektrode 410 über das vierte Kontaktloch CH14 der dritten Isolationsschicht 530 im ersten Subpixel P1 verbunden sein.
  • Die erste Kontaktelektrode 410 im ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Kontaktelektrode 411 und die erste obere Kontaktelektrode 412 umfassen. Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann mit der ersten unteren Elektrode 311 über das zweite Kontaktloch CH12 der ersten Isolationsschicht 510 im ersten Subpixel P1 verbunden sein. Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 über das dritte Kontaktloch CH13 der zweiten Isolationsschicht 520 im ersten Subpixel P1 verbunden sein.
  • Im ersten Subpixel P1 kann die erste untere Elektrode 311 direkt mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 verbunden sein und die erste obere Elektrode 312 kann mit der ersten unteren Elektrode 311 durch die erste untere Kontaktelektrode 411 und die erste obere Kontaktelektrode 412 verbunden sein. Folglich können die erste Isolationsschicht 510, die zweite Isolationsschicht 520 und die dritte Isolationsschicht 530 sich zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 befinden.
  • Die erste Elektrode 320 im ersten Subpixel P2 kann eine untere zweite Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 umfassen. Die zweite untere Elektrode 321 und die zweite obere Elektrode 322 können sich vom zweiten Emissionsbereich EA2 zum zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken.
  • Die zweite untere Elektrode 321 kann mit einer zweiten unteren Kontaktelektrode 421 der zweiten Kontaktelektrode 420 über das zweite Kontaktloch CH22 der ersten Isolationsschicht 510 im zweiten Subpixel P2 verbunden sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann mit einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 in der zweiten Kontaktelektrode 420 über das vierte Kontaktloch (CH24) der dritten Isolationsschicht 530 im zweiten Subpixel P2 verbunden sein.
  • Die zweite Kontaktelektrode 420 im zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 umfassen. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 über das erste Kontaktloch CH21 der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im zweiten Subpixel P2 verbunden sein. Die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 über das dritte Kontaktloch CH23 der zweiten Isolationsschicht 520 im zweiten Subpixel P2 verbunden sein. In Abhängigkeit von dem Fall kann die zweite untere Kontaktelektrode 421 mit dem Ansteuer-TFT 250 durch ein leitfähiges Material verbunden sein, das in das erste Kontaktloch CH21 gefüllt ist, und dies kann identisch auf alle der folgenden Ausführungsformen angewendet werden.
  • Im zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Elektrode 321 direkt mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 durch die zweite untere Kontaktelektrode 421 verbunden sein und die zweite obere Elektrode 322 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 durch die zweite obere Kontaktelektrode 422 verbunden sein. Folglich können sich die zweite Isolationsschicht 520 und die dritte Isolationsschicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 befinden.
  • Die erste Elektrode 330 im dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 umfassen. Die dritte untere Elektrode 331 und die dritte obere Elektrode 332 können sich vom dritten Emissionsbereich EA3 zum dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken.
  • Die dritte untere Elektrode 331 kann mit einer dritten oberen Kontaktelektrode 432 in der dritten Kontaktelektrode 430 über das dritte Kontaktloch CH33 der zweiten Isolationsschicht 520 im dritten Subpixel P3 verbunden sein. Die dritte obere Elektrode 332 kann mit der dritten unteren Elektrode 331 über das vierte Kontaktloch CH34 der dritten Isolationsschicht 530 im dritten Subpixel P3 verbunden sein.
  • Die dritte Kontaktelektrode 430 im dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Kontaktelektrode 431 und die dritte obere Kontaktelektrode 432 umfassen. Die dritte untere Kontaktelektrode 431 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 über das erste Kontaktloch CH31 der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im dritten Subpixel P3 verbunden sein. Die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 über das zweite Kontaktloch CH32 der ersten Isolationsschicht 510 im dritten Subpixel P3 verbunden sein.
  • Im dritten Subpixel P3 kann die dritte untere Elektrode 331 mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 durch die dritte untere Kontaktelektrode 431 und die dritte obere Kontaktelektrode 432 verbunden sein und die dritte obere Elektrode 332 kann direkt mit der zweiten unteren Elektrode 321 verbunden sein. Folglich kann sich die dritte Isolationsschicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 befinden. In Abhängigkeit von dem Fall kann die dritte untere Kontaktelektrode 431 mit dem Ansteuer-TFT 250 durch ein leitfähiges Material verbunden sein, das in das erste Kontaktloch CH31 gefüllt ist, und dies kann identisch auf alle der folgenden Ausführungsformen angewendet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können folglich ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Subpixel P1, ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Subpixel P2 und ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Subpixel P3 voneinander verschieden sein, so dass es möglich sein kann, einen Mikrohohlraumeffekt zu erhalten. Dies wird später im Einzelnen beschrieben.
  • Die erste Isolationsschicht 510 kann auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 vorgesehen sein. Die erste Isolationsschicht 510 kann sich beispielsweise unter der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 befinden. In der ersten Isolationsschicht 510 kann das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 jeweils für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. Die erste Isolationsschicht 510 kann über dem gesamten Bereich der mehreren Subpixel P1 bis P3 mit Ausnahme der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 vorgesehen sein, und folglich können die erste Isolationsschicht 510, die im ersten Subpixel P1 vorgesehen ist, die erste Isolationsschicht 510, die im zweiten Subpixel P2 vorgesehen ist, und die erste Isolationsschicht 510, die im dritten Subpixel P3 vorgesehen ist, miteinander verbunden sein.
  • Die zweite Isolationsschicht 520 kann auf der ersten Isolationsschicht 510 vorgesehen sein. Die zweite Isolationsschicht 520 kann sich beispielsweise unter der ersten oberen Kontaktelektrode 412, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der dritten unteren Elektrode 331 befinden. In der zweiten Isolationsschicht 520 kann das dritte Kontaktloch CH13, CH23, CH33 jeweils für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. Die zweite Isolationsschicht 520 kann über dem gesamten Bereich der mehreren Subpixel P1 bis P3 mit Ausnahme der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 vorgesehen sein und folglich können die zweite Isolationsschicht 520, die im ersten Subpixel P1 vorgesehen ist, die zweite Isolationsschicht 520, die im zweiten Subpixel P2 vorgesehen ist, und die zweite Isolationsschicht 520, die im dritten Subpixel P3 vorgesehen ist, miteinander verbunden sein.
  • Die dritte Isolationsschicht 530 kann auf der zweiten Isolationsschicht 520 vorgesehen sein. Die dritte Isolationsschicht 530 kann sich beispielsweise unter der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 befinden. In der dritten Isolationsschicht 530 kann das vierte Kontaktloch CH14, CH24, CH34 jeweils für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein. Die dritte Isolationsschicht 530 kann über dem gesamten Bereich der mehreren Subpixel P1 bis P3 mit Ausnahme der vierten Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34 vorgesehen sein, und folglich können die dritte Isolationsschicht 530, die im ersten Subpixel P1 vorgesehen ist, die dritte Isolationsschicht 530, die im zweiten Subpixel P2 vorgesehen ist, und die dritte Isolationsschicht 530, die im dritten Subpixel P3 vorgesehen ist, miteinander verbunden sein.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann in einem Oberseitenemissionstyp ausgebildet sein. Die erste Elektrode 310, 320 und 330 kann beispielsweise dazu konfiguriert sein, Licht, das von der Emissionsschicht 700 emittiert wird, nach oben zu reflektieren. Jede der ersten Elektrode 310, 320 und 330 kann beispielsweise in einer doppelschichtigen Struktur mit den weiter unten positionierten ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331, die einer Reflexionselektrode entsprechen, und den weiter oben positionierten ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332, die einer transparenten oder halbtransparenten Elektrode entsprechen, ausgebildet sein. Die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 können beispielsweise als jeweilige Anoden der ersten bis dritten Subpixel P1, P2, P3 funktionieren.
  • In Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Reflexionselektrode die Elektrode sein, die dazu konfiguriert ist, das einfallende Licht zu reflektieren, die transparente Elektrode kann die Elektrode sein, die dazu konfiguriert ist, das einfallende Licht durchzulassen, und die halbtransparente Elektrode kann die Elektrode sein, die dazu konfiguriert ist, einen Teil des einfallenden Lichts zu reflektieren und das restliche Licht durchzulassen. In dem Aspekt der Transparenz können die transparente Elektrode, die halbtransparente Elektrode und die Reflexionselektrode sequentiell in der Reihenfolge der Exzellenz der Transparenz eingestuft werden. Im Aspekt des Reflexionsvermögens können die Reflexionselektrode, die halbtransparente Elektrode und die transparente Elektrode sequentiell in der Reihenfolge der Exzellenz des Reflexionsvermögens eingestuft werden.
  • Die zweite untere Kontaktelektrode 421 des zweiten Subpixels P2 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 des dritten Subpixels P3, die sich in derselben Schicht wie die erste untere Elektrode 311 des ersten Subpixels P1 befinden können, können beispielsweise dasselbe Material wie jenes der ersten unteren Elektrode 311 umfassen und können auch durch denselben Prozess wie jenen der ersten unteren Elektrode 311 strukturiert werden. Die erste untere Kontaktelektrode 411 des ersten Subpixels P1 und die dritte obere Kontaktelektrode 432 des dritten Subpixels P3, die sich in derselben Schicht wie jener der zweiten unteren Elektrode 321 des zweiten Subpixels P2 befinden können, können auch dasselbe Material wie jenes der zweiten unteren Elektrode 321 umfassen und können auch durch denselben Prozess wie jenen der zweiten unteren Elektrode 321 strukturiert werden.
  • Die erste obere Kontaktelektrode 412 des ersten Subpixels P1 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 des zweiten Subpixels P2, die sich in derselben Schicht wie die dritte untere Elektrode 331 des dritten Subpixels P3 befinden können, können auch dasselbe Material wie jenes der dritten unteren Elektrode 331 umfassen und können auch durch denselben Prozess wie jenen der dritten unteren Elektrode 331 strukturiert werden. Die erste obere Elektrode 312 des ersten Subpixels P1, die zweite obere Elektrode 322 des zweiten Subpixels P2 und die dritte obere Elektrode 332 des dritten Subpixels P3, die sich in derselben Schicht befinden können, können auch dasselbe Material umfassen und können durch denselben Prozess strukturiert werden.
  • Wenn die ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 die Reflexionselektroden umfassen und die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 die transparenten Elektroden umfassen, kann einen Teil des Lichts, das von der Emissionsschicht 700 emittiert wird, an den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 reflektiert werden und kann dann durch die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 durchgelassen werden und kann dann nach oben fortgepflanzt werden.
  • Wenn die ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 die Reflexionselektroden umfassen und die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 die halbtransparenten Elektroden umfassen, kann ein Teil des von der Emissionsschicht 700 emittierten Lichts an den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 reflektiert werden und kann dann nach oben fortgepflanzt werden; und ein anderer Teil des von der Emissionsschicht 700 emittierten Lichts kann durch die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 durchgelassen werden und kann dann nach unten fortgepflanzt werden und kann dann an den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 reflektiert werden. Ein Teil des an den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 reflektierten Lichts kann beispielsweise durch die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 durchgelassen werden und kann dann nach oben fortgepflanzt werden; und ein anderer Teil des an den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 reflektierten Lichts kann an den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 reflektiert werden und kann dann nach unten fortgepflanzt werden und kann dann an den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 erneut reflektiert werden. Die obigen Prozesse können wiederholt werden. Wie vorstehend beschrieben, kann das Licht durch die wiederholte Reflexion und erneute Reflexion zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 verstärkt werden, um die Lichteffizienz zu verbessern.
  • Wenn beispielsweise der Abstand zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 ein ganzzahliges Vielfaches der halben Wellenlänge λ/2 des Lichts wird, das von jedem Subpixel P1, P2, P3 emittiert wird, kann eine konstruktive Interferenz auftreten und das Licht kann mehr verstärkt werden. Der obige Prozess der Reflexion und erneuten Reflexion kann wiederholt werden, so dass die Lichtverstärkung kontinuierlich erhöht werden kann, wodurch eine externe Extraktionseffizienz des Lichts verbessert wird. Diese Eigenschaft kann als „Mikrohohlraum“-Eigenschaft bezeichnet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können folglich der erste Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Subpixel P1, der zweite Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Subpixel P2 und der dritte Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Subpixel P3 durch die erste Kontaktelektrode 410, die zweite Kontaktelektrode 420 und die dritte Kontaktelektrode 430 unterschiedlich konfiguriert sein, so dass es möglich sein kann, einen Mikrohohlraumeffekt in jedem Subpixel P1, P2, P3 zu erhalten. Der erste Abstand des ersten Subpixels P1, das dazu konfiguriert ist, rotes R-Licht zu emittieren, das einem Bereich mit langer Wellenlänge entspricht, kann beispielsweise am größten sein und der dritte Abstand des dritten Subpixels P3, das dazu konfiguriert ist, blaues B-Licht zu emittieren, das einem Bereich mit kurzer Wellenlänge entspricht, kann am kleinsten sein, aber Ausführungsformen sind nicht darauf begrenzt.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann auch ein Abstand zwischen der zweiten Elektrode 800 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 identisch auf alle mehreren Subpixel P1, P2, P3 angewendet werden und die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 können auf derselben Höhe auf der dritten Isolationsschicht 530 ausgebildet sein. Folglich kann eine untere Oberfläche der Emissionsschicht 700 an den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 eine gleichmäßige Höhe aufweisen, so dass es möglich sein kann, ein Profil der Emissionsschicht 700 im Vergleich dazu zu verbessern, wenn die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 unterschiedliche Höhen aufweisen. Nachstehend können in verschiedenen Ausführungsformen die Abstände zwischen den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 und der zweiten Elektrode 800 in den jeweiligen Subpixeln P1 bis P3 gleich sein und die ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 können auf derselben Höhe auf der dritten Isolationsschicht 530 vorgesehen sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Die Bank 600 kann Enden der ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332, die in der ersten Elektrode 310, 320 und 330 enthalten sind, auf der dritten Isolationsschicht 530 bedecken, und es kann möglich sein, zu verringern oder zu verhindern, dass ein Strom an den Enden der ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 konzentriert wird, um die Absenkung der Emissionseffizienz zu verringern oder zu verhindern. Die Bank 600 kann als Matrixkonfiguration in der Grenze zwischen jedem der mehreren Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein und kann dazu konfiguriert sein, einen Emissionsbereich EA1, EA2, EA3 in jedem individuellen Subpixel P1, P2, P3 zu definieren. Ein freiliegender Bereich der ersten bis dritten oberen Elektrode 312, 322 und 332, der freiliegen kann, ohne durch die Bank 600 bedeckt zu sein, in jedem Subpixel P1, P2, P3 kann beispielsweise zum Emissionsbereich EA1, EA2, EA3 werden.
  • Die Bank 600 kann beispielsweise mit dem Kontaktbereich CA1, CA2, CA3 überlappen, in dem die Kontaktelektrode 410, 420 und 430 vorgesehen sein kann. Der abgestufte Kontaktbereich CA1, CA2, CA3 kann nicht mit dem Emissionsbereich EA1, EA2, EA3 überlappen.
  • Obwohl nicht gezeigt, kann die Bank 600 für jedes Subpixel P1, P2, P3 strukturiert sein, wie in dem Beispiel von 8 beschrieben. Die Struktur der Bank 600, die für jedes Subpixel P1, P2, P3 strukturiert ist, kann auf die später zu beschreibenden folgenden Ausführungsformen ebenso angewendet werden.
  • Der Graben T, die Emissionsschicht 700, die zweite Elektrode 800, die Einkapselungsschicht 850 und die Farbfilterschicht 910, 920 und 930 sind zu jenen der obigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Wesentlichen ähnlich und auf eine ausführliche Beschreibung für dieselben Teile wird verzichtet. Der Graben T kann sich zu einem vorbestimmten Bereich der dritten Isolationsschicht 530 durch die Bank 600 erstrecken, wie dargestellt, aber der Graben T kann nur in der Bank 600 vorgesehen sein. Alternativ kann sich der Graben T zur Bank 600 und zur dritten Isolationsschicht 530 erstrecken und kann sich überdies zu einem inneren Abschnitt einer zweiten Isolationsschicht 520 darunter, einem inneren Abschnitt einer ersten Isolationsschicht 510 darunter oder einem inneren Abschnitt einer Schaltungsvorrichtungsschicht 200 darunter erstrecken.
  • 12B ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie C-D von 11 entspricht.
  • 12B ist beispielsweise eine Querschnittsansicht, die die mehreren Kontaktbereiche CA1, CA2, CA3 darstellt. Wie in 12B gezeigt, kann die Schaltungsvorrichtungsschicht 200, einschließlich des Dünnschichtansteuertransistors 250, auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. In der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 kann beispielsweise das erste Kontaktloch CH11, CH21, CH31 für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein und der Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors 250 kann über das erste Kontaktloch CH11, CH21, CH31 freiliegen.
  • Die erste untere Elektrode 311 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 befinden, die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 befinden und die dritte untere Kontaktelektrode 431 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 befinden. Die erste untere Elektrode 311, die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die dritte untere Kontaktelektrode 431 können mit dem Source-Anschluss oder Drain-Anschluss des Dünnschichtansteuertransistors 250 über das erste Kontaktloch CH11, CH21, CH31 verbunden sein.
  • Die erste Isolationsschicht 510 kann sich auf der ersten unteren Elektrode 311, der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 und der dritten unteren Kontaktelektrode 431 befinden. Das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 kann in der ersten Isolationsschicht 510 vorgesehen sein.
  • Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der ersten Isolationsschicht 510 befinden, die zweite untere Elektrode 321 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der ersten Isolationsschicht 510 befinden und die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der ersten Isolationsschicht 510 befinden.
  • Die erste untere Kontaktelektrode 411 kann mit der ersten unteren Elektrode 311 über das zweite Kontaktloch CH12 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite untere Elektrode 321 kann mit der zweiten unteren Kontaktelektrode 421 über das zweite Kontaktloch CH22 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die dritte obere Kontaktelektrode 432 kann mit der dritten unteren Kontaktelektrode 431 über das zweite Kontaktloch CH32 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die zweite Isolationsschicht 520 kann sich auf der ersten unteren Kontaktelektrode 411, der zweiten unteren Elektrode 321 und der dritten oberen Kontaktelektrode 432 befinden. Das dritte Kontaktloch CH13, CH23, CH33 kann in der zweiten Isolationsschicht 520 vorgesehen sein.
  • Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der zweiten Isolationsschicht 520 befinden. Die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der zweiten Isolationsschicht 520 befinden. Die dritte untere Elektrode 331 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der zweiten Isolationsschicht 520 befinden.
  • Die erste obere Kontaktelektrode 412 kann mit der ersten unteren Kontaktelektrode 411 über das dritte Kontaktloch CH13 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 über das dritte Kontaktloch CH23 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die dritte untere Elektrode 331 kann mit der dritten oberen Kontaktelektrode 432 über das dritte Kontaktloch CH33 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die dritte Isolationsschicht 530 kann sich auf der ersten oberen Kontaktelektrode 412, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 befinden. Die dritte untere Elektrode 331 und das vierte Kontaktloch CH14, CH24, CH34 können in der dritten Isolationsschicht 530 vorgesehen sein.
  • Die erste obere Elektrode 312 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden. Die zweite obere Elektrode 322 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden. Die dritte obere Elektrode 332 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden.
  • Die erste obere Elektrode 312 kann mit der ersten oberen Kontaktelektrode 412 über das vierte Kontaktloch CH14 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann mit der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 über das vierte Kontaktloch CH24 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die dritte obere Elektrode 332 kann mit der dritten unteren Elektrode 331 über das vierte Kontaktloch CH34 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die Bank 600 kann sich auf der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 befinden und kann beide Enden von jeder der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 bedecken. Die Emissionsschicht 700 kann sich auf der Bank 600 befinden. Die zweite Elektrode 800 kann sich auf der Emissionsschicht 700 befinden. Die Einkapselungsschicht 850 kann sich auf der zweiten Elektrode 800 befinden. Die Farbfilterschicht 910, 920 und 930 kann auf der Einkapselungsschicht 850 ausgebildet sein.
  • 12C ist eine Querschnittsansicht, die die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie E-F von 11 entspricht.
  • 12C ist beispielsweise eine Querschnittsansicht, die die mehreren Emissionsbereiche (EA1, EA2, EA3) darstellt. Wie in 12C gezeigt, kann sich die Schaltungsvorrichtungsschicht 200 auf dem Substrat 100 befinden und die erste untere Elektrode 311 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 befinden.
  • Die erste Isolationsschicht 510 kann sich auf der ersten unteren Elektrode 311 befinden. Die zweite untere Elektrode 321 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der ersten Isolationsschicht 510 befinden.
  • Die zweite Isolationsschicht 520 kann sich auf der zweiten unteren Elektrode 321 befinden. Die dritte untere Elektrode 331 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der zweiten Isolationsschicht 520 befinden.
  • Die dritte Isolationsschicht 530 kann sich auf der dritten unteren Elektrode 331 befinden. Die erste obere Elektrode 312 kann sich im ersten Subpixel P1 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden. Die zweite obere Elektrode 332 kann sich im zweiten Subpixel P2 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden. Die dritte obere Elektrode 332 kann sich im dritten Subpixel P3 auf der dritten Isolationsschicht 530 befinden.
  • Die Bank 600 kann sich auf der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 befinden und kann beide Enden der jeweiligen ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 bedecken. Die Emissionsschicht 700 kann sich auf der Bank 600 befinden. Die zweite Elektrode 800 kann sich auf der Emissionsschicht 700 befinden. Die Einkapselungsschicht 850 kann sich auf der zweiten Elektrode 800 befinden. Die Farbfilterschicht 910, 920 und 930 kann sich auf der Einkapselungsschicht 850 befinden.
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
  • Eine dritte Isolationsschicht 530 ist nicht in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 13 vorgesehen, die von der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 12A verschieden ist. Dieselben Bezugszeichen werden in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur die unterschiedlichen Strukturen werden beschrieben.
  • Wie in 13 gezeigt, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste obere Elektrode 312 einer ersten Elektrode 310 direkt auf einer oberen Oberfläche einer ersten oberen Kontaktelektrode 412 einer ersten Kontaktelektrode 410 in einem ersten Subpixel P1 ohne Verwendung einer zusätzlichen Isolationsschicht vorgesehen sein. Eine zweite obere Elektrode 322 einer ersten Elektrode 320 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420 in einem zweiten Subpixel P2 ohne Verwendung einer zusätzlichen Isolationsschicht vorgesehen sein. Eine dritte obere Elektrode 332 einer ersten Elektrode 330 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer dritten unteren Elektrode 331 der ersten Elektrode 330 in einem dritten Subpixel P3 ohne Verwendung einer Isolationsschicht vorgesehen sein.
  • Folglich können eine erste Isolationsschicht 510 und eine zweite Isolationsschicht 520 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in einem ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 vorgesehen sein. Die zweite Isolationsschicht 520 kann zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 332 in einem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 vorgesehen sein. Eine zusätzliche Isolationsschicht kann nicht zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in einem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 vorgesehen sein.
  • Ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in der Struktur von 13 kann kürzer sein als der Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in der Struktur von 12A. Ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in der Struktur von 13 kann auch kürzer sein als der Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in der Struktur von 12A. Ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in der Struktur von 13 kann auch kürzer sein als der Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in der Struktur von 12A.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann, um einen Mikrohohlraumeffekt im individuellen Subpixel P1, P2, P3 zu erhalten, der Abstand zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311,321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 beispielsweise zu einem ganzzahligen Vielfachen der halben Wellenlänge λ/2 des Lichts, das von jedem Subpixel P1, P2, P3 emittiert wird, werden. Um das ganzzahlige Vielfache der halben Wellenlänge λ/2 des Lichts zu verwirklichen, kann folglich der Abstand zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 durch die Struktur von 12A oder 13 geändert werden.
  • 14 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
  • Eine Struktur einer ersten Elektrode 310, 320 und 330 und einer Kontaktelektrode 410, 420 und 430 in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 14 ist von jener der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 12A verschieden. Nachstehend werden nur die unterschiedlichen Strukturen wie folgt beschrieben.
  • Wie in 14 gezeigt, können die erste Elektrode 310, 320 und 330 und die Kontaktelektrode 410, 420 und 430 für jedes Subpixel P1, P2, P3 auf der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 strukturiert sein. Die erste Elektrode 310 im ersten Subpixel P1 kann eine erste untere Elektrode 311 und eine erste obere Elektrode 312 umfassen. Die erste untere Elektrode 311 und die erste obere Elektrode 312 können sich von einem ersten Emissionsbereich EA1 zu einem ersten Kontaktbereich CA1 erstrecken.
  • Die erste untere Elektrode 311 kann mit einem Dünnschichtansteuertransistor 250 über ein erstes Kontaktloch CH11 der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im ersten Subpixel P1 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die erste obere Elektrode 312 kann mit einer ersten Kontaktelektrode 410 über ein drittes Kontaktloch CH13 einer dritten Isolationsschicht 530 im ersten Subpixel verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die erste Kontaktelektrode 410 im ersten Subpixel P1 kann eine Kontaktschicht umfassen. Die erste Kontaktelektrode 410 kann mit der ersten unteren Elektrode 311 über ein zweites Kontaktloch CH12 in einer ersten Isolationsschicht 510 und einer zweiten Isolationsschicht 520 im ersten Subpixel P1 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Im ersten Subpixel P1 kann die erste untere Elektrode 311 direkt mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 verbunden sein und die erste obere Elektrode 312 kann mit der ersten unteren Elektrode 311 über die erste Kontaktelektrode 410 verbunden sein. Folglich können die erste Isolationsschicht 510, die zweite Isolationsschicht 520 und die dritte Isolationsschicht 530 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich (EA1) des ersten Subpixels P1 verbunden sein.
  • Die erste Elektrode 320 im zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Elektrode 321 und eine zweite obere Elektrode 322 umfassen. Die zweite untere Elektrode 321 kann sich in einem zweiten Emissionsbereich EA2 befinden und kann sich nicht zu einem zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken. Die zweite obere Elektrode 322 kann sich vom zweiten Emissionsbereich EA2 zum zweiten Kontaktbereich CA2 erstrecken.
  • Die zweite untere Elektrode 321 kann als Inselstruktur auf der ersten Isolationsschicht 510 ausgebildet sein. Die zweite untere Elektrode 321 kann nicht mit der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Dünnschichtansteuertransistor 250 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann mit einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 in der zweiten Kontaktelektrode 420 über ein drittes Kontaktloch CH23 der dritten Isolationsschicht 530 im zweiten Subpixel P2 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die zweite Kontaktelektrode 420 im zweiten Subpixel P2 kann eine zweite untere Kontaktelektrode 421 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 umfassen. Die zweite untere Kontaktelektrode 421 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 über ein erstes Kontaktloch CH21 der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im zweiten Subpixel P2 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite obere Kontaktelektrode 422 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 über ein zweites Kontaktloch CH22 der ersten Isolationsschicht 510 und der zweiten Isolationsschicht 520 im zweiten Subpixel P2 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Im zweiten Subpixel P2 kann die zweite untere Elektrode 321 als Inselstruktur ausgebildet sein und kann nicht mit einem anderen leitfähigen Material verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die zweite obere Elektrode 322 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 durch die zweite untere Kontaktelektrode 421 und die zweite obere Kontaktelektrode 422 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Folglich können die zweite Isolationsschicht 520 und die dritte Isolationsschicht 530 zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich (EA2) des zweiten Subpixels P2 vorgesehen sein.
  • Die erste Elektrode 330 im dritten Subpixel P3 kann eine dritte untere Elektrode 331 und eine dritte obere Elektrode 332 umfassen. Die dritte untere Elektrode 331 und die dritte obere Elektrode 332 können sich von einem dritten Emissionsbereich EA3 zu einem dritten Kontaktbereich CA3 erstrecken.
  • Die dritte untere Elektrode 331 kann mit der dritten Kontaktelektrode 430 über ein zweites Kontaktloch CH32 der ersten Isolationsschicht 510 und der zweiten Isolationsschicht 520 im dritten Subpixel P3 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein. Die dritte obere Elektrode 332 kann mit der dritten unteren Elektrode 331 über ein drittes Kontaktloch CH33 der dritten Isolationsschicht 530 im dritten Subpixel P3 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Die dritte Kontaktelektrode 430 im dritten Subpixel P3 kann eine einzelne Kontaktschicht umfassen. Die dritte Kontaktelektrode 430 kann mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 über das erste Kontaktloch (CH31) in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 im dritten Subpixel P3 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • Im dritten Subpixel P3 kann die dritte untere Elektrode 331 mit dem Dünnschichtansteuertransistor 250 in der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 durch die dritte Kontaktelektrode 430 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein und die dritte obere Elektrode 332 kann mit der zweiten unteren Elektrode 321 direkt verbunden sein. Folglich kann sich die dritte Isolationsschicht 530 zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 befinden.
  • Die erste Isolationsschicht 510 kann zwischen der Schaltungsvorrichtungsschicht 200 und der zweiten Isolationsschicht 520 vorgesehen sein. Die erste Isolationsschicht 510 kann beispielsweise unter der zweiten unteren Elektrode 321 liegen. In der ersten Isolationsschicht 510 kann das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein.
  • Die zweite Isolationsschicht 520 kann auf der ersten Isolationsschicht 510 vorgesehen sein. Die zweite Isolationsschicht 520 kann sich beispielsweise unter der ersten Kontaktelektrode 410, der zweiten oberen Kontaktelektrode 422 und der dritten unteren Elektrode 331 befinden. In der zweiten Isolationsschicht 520 kann das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein.
  • Die dritte Isolationsschicht 530 kann auf der zweiten Isolationsschicht 520 vorgesehen sein. Die dritte Isolationsschicht 530 kann sich beispielsweise unter der ersten oberen Elektrode 312, der zweiten oberen Elektrode 322 und der dritten oberen Elektrode 332 befinden. In der dritten Isolationsschicht 530 kann das dritte Kontaktloch CH13, CH23, CH33 für jedes Subpixel P1, P2, P3 vorgesehen sein.
  • In der Struktur des Beispiels von 12A kann das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 zusätzlich in der ersten Isolationsschicht 510 vorgesehen sein und das dritte Kontaktloch CH13, CH23, CH33 kann zusätzlich in der zweiten Isolationsschicht 520 vorgesehen sein. In der Struktur des Beispiels von 14 kann das zweite Kontaktloch CH12, CH22, CH32 so vorgesehen sein, dass es die erste Isolationsschicht 510 und die zweite Isolationsschicht 520 gerade durchdringt (z. B. in einer geraden Linie durchdringt). In dem Beispiel von 14 kann, um das zweite Kontaktloch CH22, das die erste Isolationsschicht 510 und die zweite Isolationsschicht 520 im zweiten Subpixel P2 gerade durchdringt, vorzusehen, folglich die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 nicht mit dem zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen. Die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 im zweiten Subpixel P2 kann beispielsweise nicht mit der zweiten Kontaktelektrode 420 des zweiten Kontaktbereichs CA2 überlappen. Im Vergleich zur Struktur des Beispiels von 12A kann folglich die Struktur des Beispiels von 14 insofern vorteilhaft sein, als die Anzahl von Prozessen zum Ausbilden des Kontaktlochs verringert sein kann.
  • 15 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
  • Eine dritte Isolationsschicht 530 ist nicht in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 15 vorgesehen, die von der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 14 verschieden ist. Folglich werden dieselben Bezugszeichen in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur die unterschiedlichen Strukturen werden beschrieben.
  • Wie in 15 gezeigt, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste obere Elektrode 312 einer ersten Elektrode 310 direkt auf einer oberen Oberfläche einer ersten Kontaktelektrode 410 in einem ersten Subpixel P1 ohne Verwendung einer zusätzlichen Isolationsschicht vorgesehen sein, eine zweite obere Elektrode 322 einer ersten Elektrode 320 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 einer zweiten Kontaktelektrode 420 in einem zweiten Subpixel P2 ohne Verwendung einer zusätzlichen Isolationsschicht vorgesehen sein; und eine dritte obere Elektrode 332 einer ersten Elektrode 330 kann direkt auf einer oberen Oberfläche einer dritten unteren Elektrode 331 der ersten Elektrode 330 in einem dritten Subpixel P3 ohne Verwendung einer Isolationsschicht vorgesehen sein. Folglich können sich eine erste Isolationsschicht 510 und eine zweite Isolationsschicht 520 zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 in einem ersten Emissionsbereich (EA1) des ersten Subpixels P1 befinden, die zweite Isolationsschicht 520 kann sich zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 332 in einem zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 befinden und eine zusätzliche Isolationsschicht kann sich nicht zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 in einem dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 befinden.
  • Ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in der Beispielstruktur von 15 kann kürzer sein als der Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode 311 und der ersten oberen Elektrode 312 im ersten Emissionsbereich EA1 des ersten Subpixels P1 in der Beispielstruktur von 14. Ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in der Struktur von 15 kann auch kürzer sein als der Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode 321 und der zweiten oberen Elektrode 322 im zweiten Emissionsbereich EA2 des zweiten Subpixels P2 in der Struktur von 14. Ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in der Struktur von 15 kann auch kürzer sein als der Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode 331 und der dritten oberen Elektrode 332 im dritten Emissionsbereich EA3 des dritten Subpixels P3 in der Struktur von 14.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann, um einen Mikrohohlraumeffekt im individuellen Subpixel P1, P2, P3 zu erhalten, der Abstand zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 beispielsweise zu einem ganzzahligen Vielfachen der halben Wellenlänge λ/2 des Lichts, das von jedem Subpixel P1, P2, P3 emittiert wird, werden. Um das ganzzahlige Vielfache der halben Wellenlänge λ/2 des Lichts zu verwirklichen, kann folglich der Abstand zwischen den ersten bis dritten unteren Elektroden 311, 321 und 331 und den ersten bis dritten oberen Elektroden 312, 322 und 332 geändert werden, z. B. durch die Struktur der Beispiele von 5 oder 6.
  • 16 ist eine Querschnittsansicht, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, die einer Querschnittsansicht entlang der Linie A-B von 11 entspricht.
  • Eine Struktur einer zweiten unteren Elektrode 321 einer ersten Elektrode 320 in einem zweiten Subpixel P2 in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 16 ist von jener der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Beispiels von 14 verschieden. Folglich werden dieselben Bezugszeichen in allen Zeichnungen zur Bezugnahme auf dieselben oder ähnliche Teile verwendet und nur die unterschiedlichen Strukturen werden beschrieben.
  • In dem Beispiel der Struktur von 14 kann die zweite untere Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 im zweiten Subpixel P2 als Inselstruktur auf der ersten Isolationsschicht 510 ausgebildet sein. Die zweite untere Elektrode 321 kann beispielsweise nicht mit dem zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen und die zweite untere Elektrode 321 kann nicht mit der zweiten Kontaktelektrode 420, der zweiten oberen Elektrode 322 und dem Dünnschichtansteuertransistor 250 verbunden (z. B. elektrisch verbunden) sein.
  • In der Beispielstruktur von 16 kann eine zweite untere Elektrode 321 einer ersten Elektrode 320 in einem zweiten Subpixel P2 mit einem zweiten Kontaktbereich CA2 überlappen und die zweite untere Elektrode 321 kann mit einer zweiten Kontaktelektrode 420 und beispielsweise mit einer seitlichen Oberfläche einer zweiten oberen Kontaktelektrode 422 der zweiten Kontaktelektrode 420 (z. B. elektrisch verbunden) sein. In dem Beispiel von 16 kann ein zweites Kontaktloch CH22, das eine erste Isolationsschicht 510 und eine zweite Isolationsschicht 520 durchdringt, im zweiten Subpixel P2 vorgesehen sein.
  • Im Vergleich zur Struktur des Beispiels von 14 kann die Struktur des Beispiels von 16 eine Erhöhung einer Größe der zweiten unteren Elektrode 321 der ersten Elektrode 320 im zweiten Subpixel P2 ermöglichen, z. B. um die Lichteffizienz zu verbessern. Obwohl nicht gezeigt, kann die Struktur des Beispiels von 16 auf die Struktur des Beispiels von 15 angewendet werden.
  • 17A ist eine schematische Draufsicht einer Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und 17B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-D von 17A. Die Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von jeder von 17A und 17B unterscheidet sich von der Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von jeder von 11 und 13 insofern, als eine Konfiguration von jedem von mehreren Kontaktlöchern CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 modifiziert ist.
  • Mit Bezug auf 11 und 13, die vorstehend beschrieben sind, können das erste Kontaktloch CH11, das zweite Kontaktloch CH12 und das dritte Kontaktloch CH13 des ersten Subpixels P1 so ausgebildet sein, dass sie miteinander überlappen, das erste Kontaktloch CH21, das zweite Kontaktloch CH22 und das dritte Kontaktloch CH23 des zweiten Subpixels P2 können so ausgebildet sein, dass sie miteinander überlappen, und das erste Kontaktloch CH31, das zweite Kontaktloch CH32 und das dritte Kontaktloch CH33 des dritten Subpixels P3 können so ausgebildet sein, dass sie miteinander überlappen.
  • Mit Bezug auf 17A und 17B kann andererseits ein erstes Kontaktloch CH11 mit einem zweiten Kontaktloch CH12 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH13 in einem ersten Subpixel P1 überlappen, ein erstes Kontaktloch CH21 kann mit einem zweiten Kontaktloch CH22 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH23 in einem zweiten Subpixel P2 überlappen und ein erstes Kontaktloch CH31 kann mit einem zweiten Kontaktloch CH32 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH33 in einem dritten Subpixel P3 überlappen.
  • Obwohl nicht gezeigt, kann das erste Kontaktloch CH11 mit dem dritten Kontaktloch CH13 überlappen, kann jedoch nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH12 im ersten Subpixel P1 überlappen, das erste Kontaktloch CH21 kann mit dem dritten Kontaktloch CH23 überlappen, kann jedoch nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH22 im zweiten Subpixel P2 überlappen und das erste Kontaktloch CH31 kann mit dem dritten Kontaktloch CH33 überlappen, kann jedoch nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH32 im dritten Subpixel P3 überlappen.
  • Überdies können alle des ersten Kontaktlochs CH11, des zweiten Kontaktlochs CH12 und des dritten Kontaktlochs CH13 nicht im ersten Subpixel P1 überlappen, alle des ersten Kontaktlochs CH21, des zweiten Kontaktlochs CH22 und des dritten Kontaktlochs CH23 können nicht im zweiten Subpixel P2 überlappen und alle des ersten Kontaktlochs CH31, des zweiten Kontaktlochs CH32 und des dritten Kontaktlochs CH33 können nicht im dritten Subpixel P3 überlappen.
  • Im Vergleich zu einem Fall, in dem alle der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 überlappen, wenn mindestens ein Kontaktloch nicht mit den anderen Kontaktlöchern überlappt, kann ein Prozess zum Ausbilden der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 leicht durchgeführt werden und eine Größe von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 kann verringert werden.
  • Eine Struktur von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33, die in 17A und 17B dargestellt sind, kann auf die Struktur von jeder von 12a bis 12c, 14 und 16, die vorstehend beschrieben sind, angewendet werden. In diesem Fall können in 12a bis 12c, 14 und 16 vierte Kontaktlöcher CH14, CH24 und CH34 mit mindestens einem der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 in denselben Subpixeln P1 bis P3 überlappen oder nicht überlappen.
  • 18 ist eine schematische Draufsicht einer Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von 18 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von 11 insofern, als eine Struktur von jedem von mehreren Emissionsbereichen EA1 bis EA3 und mehreren Kontaktbereichen CA1 bis CA3 modifiziert ist.
  • Mit Bezug auf 11 kann nur eine Seite des ersten Kontaktbereichs CA1 dem ersten Emissionsbereich EA1 zugewandt sein, nur eine Seite des zweiten Kontaktbereichs CA2 kann dem zweiten Emissionsbereich EA2 zugewandt sein und nur eine Seite des dritten Kontaktbereichs CA3 kann dem dritten Emissionsbereich EA3 zugewandt sein.
  • Mit Bezug auf 18 können andererseits zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines ersten Kontaktbereichs CA1 einem ersten Emissionsbereich EA1 zugewandt sein, zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines zweiten Kontaktbereichs CA2 können einem zweiten Emissionsbereich EA2 zugewandt sein, und zwei Seiten (beispielsweise eine untere Seite und eine rechte Seite) eines dritten Kontaktbereichs CA3 können einem dritten Emissionsbereich EA3 zugewandt sein.
  • Daher können in 18 die ersten bis dritten Emissionsbereiche EA1 bis EA3 jeweils einen ersten Abschnitt, der unter den ersten bis dritten Kontaktbereichen CA1 bis CA3 angeordnet ist und eine erste Breite W1 aufweist, die relativ breit ist, und einen zweiten Abschnitt, der rechts von den ersten bis dritten Kontaktbereichen CA1 bis CA3 angeordnet ist und eine zweite Breite W1 aufweist, die relativ schmal ist, umfassen.
  • Da in 11 die Kontaktbereiche CA1 bis CA3 lang in einer Breitenrichtung auf dem Emissionsbereichen EA1 bis EA3 vorgesehen sind, besteht eine Begrenzung beim Verringern einer Breitenrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 und selbst in einem Fall, in dem die Breitenrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 so festgelegt ist, dass sie geringer ist als eine Breitenrichtungsbreite von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3, da ein leerer Raum neben jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 klein ist, ist es schwierig, die Emissionsbereiche EA1 bis EA3 neben den Kontaktbereichen CA1 bis CA3 auszubilden. Aufgrund dessen ist es, selbst wenn die Breitenrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 maximal verringert wird, schwierig, eine Größe von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3 zu erhöhen.
  • Andererseits können in 18, da die Kontaktbereiche CA1 bis CA3 lang vorgesehen sind, Emissionsbereiche EA1 bis EA3 rechts von den Kontaktbereichen CA1 bis CA3 ausgebildet werden, und insbesondere wenn eine Längenrichtungsbreite von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 verringert wird, kann eine Größe von jedem der Emissionsbereiche EA1 bis EA3 um ein Dekrement zunehmen und ein Öffnungsverhältnis kann verbessert werden.
  • In einem ersten Subpixel P1 können eine obere Seite und eine linke Seite einer ersten Kontaktelektrode 410 an eine obere Seite und eine linke Seite einer ersten Elektrode 310 fehlangepasst sein oder diesen entsprechen. Ebenso können in einem zweiten Subpixel P2 eine obere Seite und eine linke Seite einer zweiten Kontaktelektrode 420 an eine obere Seite und eine linke Seite einer ersten Elektrode 320 fehlangepasst sein oder diesen entsprechen, und in einem dritten Subpixel P3 können eine obere Seite und eine linke Seite einer dritten Kontaktelektrode 430 an eine obere Seite und eine linke Seite einer ersten Elektrode 330 fehlangepasst sein oder diesen entsprechen.
  • Die Kontaktbereiche (beispielsweise die ersten bis dritten Kontaktbereiche) CA1 bis CA3 können jeweils in rechten oberen Enden der Emissionsbereiche (beispielsweise der ersten bis dritten Emissionsbereiche) EA1 bis EA3 angeordnet sein und folglich können eine untere Seite und eine linke Seite des ersten Kontaktbereichs CA1 dem ersten Emissionsbereich EA1 zugewandt sein, eine untere Seite und eine linke Seite des zweiten Kontaktbereichs CA2 können dem zweiten Emissionsbereich EA2 zugewandt sein und eine untere Seite und eine linke Seite des dritten Kontaktbereichs CA3 können dem dritten Emissionsbereich EA3 zugewandt sein.
  • Eine Struktur von jedem der Kontaktbereiche CA1 bis CA3 und der Emissionsbereiche EA1 bis EA3, die in 18 dargestellt sind, können auf die Struktur von verschiedenen vorstehend beschriebenen Ausführungsformen angewendet werden.
  • 19 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von 19 unterscheidet sich von der Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung von 18 insofern, als eine Konfiguration von jedem von mehreren Kontaktlöchern CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 modifiziert ist.
  • Mit Bezug auf 19 kann ein erstes Kontaktloch CH11 mit einem zweiten Kontaktloch CH12 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH13 in einem ersten Subpixel P1 überlappen, ein erstes Kontaktloch CH21 kann mit einem zweiten Kontaktloch CH22 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH23 in einem zweiten Subpixel P2 überlappen und ein erstes Kontaktloch CH31 kann mit einem zweiten Kontaktloch CH32 überlappen, kann jedoch nicht mit einem dritten Kontaktloch CH33 in einem dritten Subpixel P3 überlappen.
  • Obwohl nicht gezeigt, kann das erste Kontaktloch CH11 mit dem dritten Kontaktloch CH13 überlappen, aber kann nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH12 im ersten Subpixel P1 überlappen, das erste Kontaktloch CH21 kann mit dem dritten Kontaktloch CH23 überlappen, aber kann nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH22 im zweiten Subpixel P2 überlappen, und das erste Kontaktloch CH31 kann mit dem dritten Kontaktloch CH33 überlappen, aber kann nicht mit dem zweiten Kontaktloch CH32 im dritten Subpixel P3 überlappen.
  • Überdies können alle des ersten Kontaktlochs CH11, des zweiten Kontaktlochs CH12 und des dritten Kontaktlochs CH13 im ersten Subpixel P1 nicht überlappen, alle des ersten Kontaktlochs CH21, des zweiten Kontaktlochs CH22 und des dritten Kontaktlochs CH23 können im zweiten Subpixel P2 nicht überlappen und alle des ersten Kontaktlochs CH31, des zweiten Kontaktlochs CH32 und des dritten Kontaktlochs CH33 können im dritten Subpixel P3 nicht überlappen.
  • Im Vergleich zu einem Fall, in dem alle der ersten Kontaktlöcher CH11, CH21 und CH31, der zweiten Kontaktlöcher CH12, CH22 und CH32 und der dritten Kontaktlöcher CH13, CH23 und CH33 überlappen, wenn mindestens ein Kontaktloch nicht mit den anderen Kontaktlöchern überlappt, kann ein Prozess zum Ausbilden der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 leicht durchgeführt werden und eine Größe von jedem der Kontaktlöcher CH11 bis CH13, CH21 bis CH23 und CH31 bis CH33 kann verringert werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Graben in der Grenze zwischen den benachbarten Subpixeln vorgesehen sein und zumindest ein Teil der Emissionsschicht kann im Grabenbereich nicht zusammenhängend (z. B. getrennt vorgesehen) sein. Folglich kann es möglich sein, einen Kriechstrom zwischen den benachbarten Subpixeln zu verringern oder zu verhindern, um ein Problem in Bezug auf die Verschlechterung der Bildqualität zu verringern oder zu verhindern.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können auch ein erster Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode und der ersten oberen Elektrode im ersten Subpixel, ein zweiter Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode und der zweiten oberen Elektrode im zweiten Subpixel und ein dritter Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode und der dritten oberen Elektrode im dritten Subpixel unterschiedlich sein, so dass es möglich sein kann, einen Mikrohohlraumeffekt in jedem Subpixel zu erhalten, um die Lichteffizienz zu verbessern. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann sich beispielsweise eine erste Kontaktelektrode im ersten Subpixel befinden, eine zweite Kontaktelektrode kann sich im zweiten Subpixel befinden und eine dritte Kontaktelektrode kann sich im dritten Subpixel befinden, so dass es möglich sein kann, einfach die ersten bis dritten Abstände durch die ersten bis dritten Kontaktelektroden leicht einzustellen.
  • 20A bis 20C stellen Beispiele einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar, die sich auf eine Vorrichtung einer am Kopf angebrachten Anzeige HMD beziehen.
  • 20A ist eine schematische perspektivische Ansicht, 20B ist eine Draufsicht einer Struktur für virtuelle Realität VR und 20C ist eine Querschnittsansicht einer Struktur für erweiterte Realität AR. Wie in 20A gezeigt, kann die Vorrichtung der am Kopf angebrachten Anzeige HMD gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Aufnahmegehäuse 10 und ein am Kopf angebrachtes Band 30 umfassen.
  • Eine Anzeigevorrichtung, eine Linsenanordnung und ein Augenokular können im Inneren des Aufnahmegehäuses 10 aufgenommen (können z. B. untergebracht) werden. Das am Kopf angebrachte Band 30 kann am Aufnahmegehäuse 10 befestigt sein. In den Zeichnungen ist das am Kopf angebrachte Band 30 als so konfiguriert, dass es eine obere Oberfläche und beide seitlichen Oberflächen in einem Kopf eines Benutzers umgibt, dargestellt, aber Ausführungsformen sind nicht auf diese Struktur begrenzt. Das am Kopf angebrachte Band kann beispielsweise vorgesehen sein, um die Vorrichtung der am Kopf angebrachten Anzeige (HMD) an einem Kopf eines Benutzers zu befestigen, die z. B. durch eine Brillenrahmenform oder eine helmförmige Struktur ersetzt werden kann.
  • Wie in 20B gezeigt, kann die Vorrichtung der am Kopf angebrachten Anzeige HMD der Struktur für virtuelle Realität VR gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, eine Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge, eine Linsenanordnung 13, ein Augenokular 20a für das linke Auge und ein Augenokular 20b für das rechte Auge umfassen. Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, die Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge, die Linsenanordnung 13 und das Augenokular 20a für das linke Auge und das Augenokular 20b für das rechte Auge können im Aufnahmegehäuse 10 aufgenommen sein.
  • Dasselbe Bild kann auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt werden. Ein Benutzer kann beispielsweise ein zweidimensionales 2D-Bild betrachten. Wenn ein Bild für ein linkes Auge auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt werden würde und ein Bild für ein rechtes Auge auf der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt werden würde, kann ein Benutzer ein dreidimensionales (3D) Bild betrachten. Jede der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge kann die Anzeigevorrichtung umfassen, die in irgendeinem der Beispiele von 1 bis 19 gezeigt ist. Ein oberer Abschnitt, der einer Oberfläche zum Anzeigen eines Bildes in irgendeinem der Beispiele von 1 bis 19 entspricht, z. B. die Farbfilterschicht 910, 920 und 930, kann beispielsweise der Linsenanordnung 13 gegenüberliegen oder zugewandt sein.
  • Die Linsenanordnung 13 kann sich zwischen dem Augenokular 20a für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge befinden, während sie von jedem des Augenokulars 20a für das linke Auge und der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge beabstandet sind. Die Linsenanordnung 13 kann beispielsweise an der Vorderseite des Augenokulars 20a für das linke Auge und an der Rückseite der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge positioniert sein. Die Linsenanordnung 13 kann sich auch zwischen dem Augenokular 20b für das rechte Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge befinden, während sie von jedem des Augenokulars 20b für das rechte Auge und der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge beabstandet ist. Die Linsenanordnung 13 kann beispielsweise an der Vorderseite des Augenokulars 20b für das rechte Auge und an der Rückseite der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge positioniert sein.
  • Die Linsenanordnung 13 kann eine Mikrolinsenanordnung sein. Die Linsenanordnung 13 kann durch eine Nadellochanordnung ersetzt werden. Aufgrund der Linsenanordnung 13 kann ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge oder der Anzeigevorrichtung 11 für das rechte Auge angezeigt wird, erweitert und durch einen Benutzer wahrgenommen werden. Das linke Auge LE eines Benutzers kann am Augenokular 20a für das linke Auge 20a positioniert sein und das rechte Auge RE eines Benutzers kann am Augenokular 20b für das rechte Auge positioniert sein.
  • Wie in 20C gezeigt, kann die Vorrichtung der am Kopf angebrachten Anzeige HMD der Struktur für erweiterte Realität AR gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, eine Linsenanordnung 13, ein Augenokular 20a für das linke Auge, einen lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitt 14 und ein Durchlassfenster 15 umfassen. Für die Zweckmäßigkeit der Erläuterung stellt 20C nur die Struktur für das linke Auge dar. Die Struktur für das rechte Auge kann in der Struktur zur Struktur für das linke Auge im Wesentlichen ähnlich sein, wie für einen Fachmann auf dem Gebiet verständlich sein sollte.
  • Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge, die Linsenanordnung 13, das Augenokular 20a für das linke Auge, der lichtdurchlässige Reflexionsabschnitt 14 und das Durchlassfenster 15 können im Aufnahmegehäuse 10 aufgenommen (z. B. darin untergebracht) werden. Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge kann auf einer Seite des lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitts 14, beispielsweise einer oberen Seite des lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitts 14, ohne Bedecken des Durchlassfensters 15 angeordnet sein. Folglich kann ein Bild zum lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitt 14 unter der Bedingung geliefert werden, dass ein Umgebungshintergrund, der durch das Durchlassfenster 15 gesehen wird, nicht durch die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge bedeckt sein kann.
  • Die Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge kann die Anzeigevorrichtung umfassen, die in irgendeinem der Beispiele von 1 bis 19 gezeigt ist. Beispielsweise kann ein oberer Abschnitt, der einer Oberfläche zum Anzeigen eines Bildes in irgendeinem der Beispiele 1 bis 19 entspricht, z. B. die Farbfilterschicht 910, 920 und 920, dem lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitt 14 gegenüberliegen.
  • Die Linsenanordnung 13 kann zwischen dem Augenokular 20a für das linke Auge und dem lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitt 14 vorgesehen sein. Ein linkes Auge eines Benutzers kann am Augenokular 20a für das linke Auge positioniert sein.
  • Der lichtdurchlässige Reflexionsabschnitt 14 kann sich zwischen der Linsenanordnung 13 und dem Durchlassfenster 15 befinden. Der lichtdurchlässige Reflexionsabschnitt 14 kann eine Reflexionsoberfläche 14a umfassen, die teilweise einen Teil des Lichts durchlassen kann und auch das restliche Licht reflektieren kann. Die Reflexionsoberfläche 14a kann dazu konfiguriert sein, ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt werden kann, in Richtung der Linsenanordnung 13 zu führen. Folglich kann ein Benutzer ein Bild, das auf der Anzeigevorrichtung 12 für das linke Auge angezeigt wird, zusammen mit dem Umgebungshintergrund durch das Durchlassfenster 15 betrachten. Ein Benutzer kann beispielsweise ein Bild betrachten, das durch ein virtuelles Bild, das auf den realen Umgebungshintergrund überlagert wird, erhalten wird, z. B. um eine erweiterte Realität (AR) zu verwirklichen. Das Durchlassfenster 15 kann vor dem lichtdurchlässigen Reflexionsabschnitt 14 angeordnet sein.
  • Für Fachleute auf dem Gebiet ist zu erkennen, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne von der technischen Idee oder vom Schutzbereich der Offenbarung abzuweichen. Folglich kann beabsichtigt sein, dass Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Modifikationen und Variationen der Offenbarung abdecken, vorausgesetzt, dass sie in den Schutzbereich der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020180089407 [0001]
    • KR 1020190084048 [0001]

Claims (20)

  1. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (100), das umfasst: ein erstes Subpixel (P1); und ein zweites Subpixel (P2); eine jeweilige erste Elektrode (310, 320) in jedem des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) auf dem Substrat (100); einen Graben (T) in einer Grenze zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2) auf dem Substrat (100); eine Emissionsschicht (700) auf der ersten Elektrode (310, 320) und im ersten Subpixel (P1), im zweiten Subpixel (P2) und in der Grenze zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2), wobei zumindest ein Teil der Emissionsschicht (700) im Graben (T) nicht zusammenhängend ist; eine Pore (H) unterhalb der Emissionsschicht (700) innerhalb des Grabens (T), wobei ein oberes Ende der Pore (H) relativ höher ist als zumindest ein Teil der Emissionsschicht (700); und eine zweite Elektrode (800) auf der Emissionsschicht (700).
  2. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Emissionsschicht (700) Folgendes umfasst: einen ersten Stapel (710), der dazu konfiguriert ist, Licht mit einer ersten Farbe zu emittieren; einen zweiten Stapel (730), der dazu konfiguriert ist, Licht mit einer zweiten Farbe zu emittieren; und eine Ladungserzeugungsschicht (720) zwischen dem ersten Stapel (710) und dem zweiten Stapel (730); wobei der erste Stapel (710) und die Ladungserzeugungsschicht (720) innerhalb des Grabens (T) nicht zusammenhängend sind; und das obere Ende der Pore (H) relativ höher ist als die Ladungserzeugungsschicht (720).
  3. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei der zweite Stapel (730) zwischen dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2) verbunden ist; und eine Dicke (d1) des zweiten Stapels (730) in einem Bereich des Grabens (T), in dem die Ladungserzeugungsschicht (720) nicht zusammenhängend ist, relativ kleiner ist als eine Dicke (d2) des zweiten Stapels (730) in einem Bereich, der nicht mit dem Graben (T) überlappt.
  4. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei der erste Stapel (710) Folgendes umfasst: einen ersten Abschnitt (710a) auf einer seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens (T); einen zweiten Abschnitt (710b) auf einer anderen seitlichen Oberfläche innerhalb des Grabens (T); und einen dritten Abschnitt (710c) auf einer inneren unteren Oberfläche innerhalb des Grabens (T); und wobei der erste Abschnitt (710a) des ersten Stapels (710), der zweite Abschnitt (710b) des ersten Stapels (710) und der dritte Abschnitt (710c) des ersten Stapels (710) nicht miteinander zusammenhängend sind.
  5. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Ladungserzeugungsschicht (720) umfasst: einen ersten Abschnitt (720a) auf dem ersten Abschnitt (710a) des ersten Stapels (710); einen zweiten Abschnitt (720b) auf dem zweiten Abschnitt (710b) des ersten Stapels (710); und einen dritten Abschnitt (720c) auf dem dritten Abschnitt (710c) des ersten Stapels (710); und wobei der erste Abschnitt (720a) der Ladungserzeugungsschicht (720), der zweite Abschnitt (720b) der Ladungserzeugungsschicht (720) und der dritte Abschnitt (720c) der Ladungserzeugungsschicht (720) nicht miteinander zusammenhängend sind.
  6. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2-5, wobei einer des ersten Stapels (710) und des zweiten Stapels (730) eine blaue B-Emissionsschicht umfasst; und der Andere des ersten Stapels (710) und des zweiten Stapels (730) umfasst: eine rote Emissionsschicht; und eine gelb-grüne oder grüne Emissionsschicht.
  7. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (100), das umfasst: ein erstes Subpixel (P1); ein zweites Subpixel (P2); und ein drittes Subpixel (P3); eine Schaltungsvorrichtungsschicht (200) mit einem Dünnschichtansteuertransistor (250) jeweils in jedem des ersten, des zweiten und des dritten Subpixels (P1, P2, P3); eine jeweilige erste Elektrode (310, 320, 330) in jedem des ersten, des zweiten und des dritten Subpixels (P1, P2, P3) auf der Schaltungsvorrichtungsschicht (200); einen Graben (T) zwischen jedem der ersten bis dritten Subpixel (P1, P2, P3) auf dem Substrat (100); eine Emissionsschicht (700) auf der ersten Elektrode (310, 320, 330) und in den ersten bis dritten Subpixeln (P1, P2, P3) und jeweiligen Grenzen zwischen jedem der ersten bis dritten Subpixel (P1, P2, P3), wobei zumindest ein Teil der Emissionsschicht (700) innerhalb des Grabens (T) nicht zusammenhängend ist; eine Pore (H) unterhalb der Emissionsschicht (700) innerhalb des Grabens (T), wobei ein oberes Ende der Pore (H) relativ höher ist als zumindest ein Teil der Emissionsschicht (700); und eine zweite Elektrode (800) auf der Emissionsschicht (700), wobei die erste Elektrode (310) im ersten Subpixel (P1) eine erste untere Elektrode (311) und eine erste obere Elektrode (312) umfasst, wobei die erste Elektrode (320) im zweiten Subpixel (P2) eine zweite untere Elektrode (321) und eine zweite obere Elektrode (322) umfasst, und wobei die erste Elektrode (330) im dritten Subpixel (P3) eine dritte untere Elektrode (331) und eine dritte obere Elektrode (332) umfasst, wobei ein Abstand zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten oberen Elektrode (312), ein Abstand zwischen der zweiten unteren Elektrode (321) und der zweiten oberen Elektrode (322) und ein Abstand zwischen der dritten unteren Elektrode (331) und der dritten oberen Elektrode (332) voneinander verschieden sind.
  8. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, die ferner Folgendes umfasst: eine erste Kontaktelektrode (410) zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten oberen Elektrode (312), wobei die erste Kontaktelektrode (410) dazu konfiguriert ist, die erste untere Elektrode (311) mit der ersten oberen Elektrode (312) elektrisch zu verbinden, wobei die erste Kontaktelektrode (410) Folgendes umfasst: eine erste untere Kontaktelektrode (411) und eine erste obere Kontaktelektrode (412), wobei die erste untere Kontaktelektrode (411) zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten oberen Kontaktelektrode (412) liegt, wobei die erste untere Kontaktelektrode (411) dazu konfiguriert ist, die erste untere Elektrode (311) mit der ersten oberen Kontaktelektrode (412) elektrisch zu verbinden, wobei die erste obere Kontaktelektrode (412) zwischen der ersten unteren Kontaktelektrode (411) und der ersten oberen Elektrode (312) liegt, wobei die erste obere Kontaktelektrode (412) dazu konfiguriert ist, die erste untere Kontaktelektrode (411) mit der ersten oberen Elektrode (312) elektrisch zu verbinden, und wobei die erste untere Elektrode (311) mit dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des ersten Subpixels (P1) durch ein Kontaktloch in der Schaltungsvorrichtungsschicht (200) elektrisch verbunden ist.
  9. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei die zweite untere Elektrode (321) mit der zweiten oberen Elektrode (322) und dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) durch eine zweite Kontaktelektrode (420) elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Kontaktelektrode (420) eine zweite untere Kontaktelektrode (421) und eine zweite obere Kontaktelektrode (422) umfasst, wobei die zweite untere Kontaktelektrode (421) zwischen der zweiten unteren Elektrode (321) und dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) liegt, wobei die zweite untere Kontaktelektrode (421) dazu konfiguriert ist, die zweite untere Elektrode (321) mit dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) elektrisch zu verbinden; und die zweite obere Kontaktelektrode (422) zwischen der zweiten unteren Elektrode (321) und der zweiten oberen Elektrode (322) liegt und dazu konfiguriert ist, die zweite untere Elektrode (321) mit der zweiten oberen Elektrode (322) elektrisch zu verbinden.
  10. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, 8 oder 9, die ferner eine erste Kontaktelektrode (410) zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten oberen Elektrode (312) umfasst, wobei die erste untere Elektrode (311) mit der ersten oberen Elektrode (321) durch die erste Kontaktelektrode (410) elektrisch verbunden ist, wobei die erste Kontaktelektrode (410) eine einzelne Kontaktschicht umfasst, wobei die erste untere Elektrode (311) mit dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des ersten Subpixels (P1) durch ein Kontaktloch in der Schaltungsvorrichtungsschicht (200) elektrisch verbunden ist, und wobei die erste und die zweite Isolationsschicht (510, 520) zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten Kontaktelektrode (410) angeordnet sind.
  11. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, 8, 9 oder 10, die ferner eine zweite Kontaktelektrode (420) zwischen der zweiten oberen Elektrode (322) und dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) umfasst, wobei die zweite obere Elektrode (322) mit dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) durch die zweite Kontaktelektrode (420) elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Kontaktelektrode (420) eine zweite untere Kontaktelektrode (421) und eine zweite obere Kontaktelektrode (422) umfasst, wobei die zweite untere Kontaktelektrode (421) zwischen der zweiten oberen Kontaktelektrode (422) und dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) liegt, wobei die zweite untere Kontaktelektrode (421) dazu konfiguriert ist, die zweite obere Kontaktelektrode (422) mit dem Dünnschichtansteuertransistor (250) des zweiten Subpixels (P2) elektrisch zu verbinden, wobei die zweite obere Kontaktelektrode (422) zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode (421) und der zweiten oberen Elektrode (322) liegt, wobei die zweite obere Kontaktelektrode (422) dazu konfiguriert ist, die zweite untere Kontaktelektrode (421) mit der zweiten oberen Elektrode (322) elektrisch zu verbinden, und wobei die erste und die zweite Isolationsschicht (510, 520) zwischen der zweiten unteren Kontaktelektrode (421) und der zweiten oberen Kontaktelektrode (422) angeordnet sind.
  12. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die zweite untere Elektrode (321) nicht mit der zweiten oberen Elektrode (322) elektrisch verbunden ist und die zweite Kontaktelektrode (420) oder die zweite untere Elektrode (321) mit einer seitlichen Oberfläche der zweiten oberen Kontaktelektrode (422) direkt verbunden ist.
  13. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei: eine Anzahl von Isolationsschichten (510, 520, 530) zwischen der zweiten unteren Elektrode (321) und der zweiten oberen Elektrode (322) kleiner ist als eine Anzahl von Isolationsschichten (510, 520, 530) zwischen der ersten unteren Elektrode (311) und der ersten oberen Elektrode (312); und/oder die Anzahl von Isolationsschichten (510, 520, 530) zwischen der zweiten unteren Elektrode (321) und der zweiten oberen Elektrode (322) größer ist als eine Anzahl von Isolationsschichten (510, 520, 530) zwischen der dritten unteren Elektrode (331) und der dritten oberen Elektrode (332).
  14. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei die erste untere Elektrode (311) und die erste obere Elektrode (312) durch mehrere Kontaktlöcher (CH11, CH12, CH13, CH14) elektrisch miteinander verbunden sind und mindestens eines der mehreren Kontaktlöcher (CH11, CH12, CH13, CH14) so vorgesehen ist, dass es nicht mit den anderen Kontaktlöchern überlappt.
  15. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das erste Subpixel (P1) einen ersten Emissionsbereich (EA1) und einen ersten Kontaktbereich (CA1) umfasst, wobei zwei Seiten des ersten Kontaktbereichs (CA1) dem ersten Emissionsbereich (EA1) zugewandt sind, und der erste Emissionsbereich (EA1) einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt umfasst, wobei der erste Abschnitt eine erste Breite (W1) aufweist, die breiter ist als eine zweite Breite (W2) des zweiten Abschnitts.
  16. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine Tiefe (b) des Grabens (T) größer ist als eine Breite (a) des Grabens (T), vorzugsweise die Tiefe (b) des Grabens (T) innerhalb eines Bereichs von 0,2 µm bis 0,4 µm liegt und die Breite (a) des Grabens (T) innerhalb eines Bereichs von 0,1 µm bis 0,2 µm liegt.
  17. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: eine Bank (600), die den Umfang der ersten Elektrode (310, 320, 330) umgibt; und eine Isolationsschicht (500) unterhalb der Bank (600), wobei die Bank (600) mit dem Graben (T) in Kontakt steht und wobei sich der Graben (T) in der Bank (600) und der Isolationsschicht (500) befindet; oder wobei die Bank (600) nicht mit dem Graben (T) in direktem Kontakt steht und wobei sich der Graben (T) in der Isolationsschicht (500) befindet.
  18. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Graben (T) eine Form aufweist, die einer Form des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) entspricht, und/oder der Graben (T) einen gesamten Umfang des ersten Subpixels (P1) und des zweiten Subpixels (P2) umgibt.
  19. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das erste Subpixel (P1) und das zweite Subpixel (P2) entlang einer horizontalen Richtung angeordnet sind; eine Anordnungsstruktur mit dem ersten Subpixel (P1) und dem zweiten Subpixel (P2), die in der horizontalen Richtung angeordnet sind, wiederholt so vorgesehen ist, dass mehrere Reihen entlang einer vertikalen Richtung bereitgestellt sind, die die horizontale Richtung kreuzt; und der Graben (T) eine zusammenhängende geradlinige Struktur entlang der vertikalen Richtung aufweist.
  20. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner eine Linsenanordnung (13), die vom Substrat (100) beabstandet ist; und ein Aufnahmegehäuse (10), das dazu konfiguriert ist, das Substrat (100) und die Linsenanordnung (13) darin unterzubringen, umfasst.
DE102019120687.1A 2018-07-31 2019-07-31 Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung Active DE102019120687B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180089407 2018-07-31
KR10-2018-0089407 2018-07-31
KR1020190084048A KR20200014199A (ko) 2018-07-31 2019-07-11 전계 발광 표시 장치
KR10-2019-0084048 2019-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102019120687A1 true DE102019120687A1 (de) 2020-02-06
DE102019120687B4 DE102019120687B4 (de) 2024-05-29

Family

ID=67990547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019120687.1A Active DE102019120687B4 (de) 2018-07-31 2019-07-31 Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11088339B2 (de)
CN (2) CN110783375B (de)
DE (1) DE102019120687B4 (de)
GB (1) GB2577377B (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102043413B1 (ko) 2018-07-31 2019-12-02 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
GB2577379B (en) * 2018-07-31 2021-01-27 Lg Display Co Ltd Electroluminescent display apparatus
KR20210086336A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 헤드 장착형 표시 장치
KR20230039437A (ko) 2021-09-14 2023-03-21 삼성전자주식회사 컬러 변환 필터 및 이를 포함한 디스플레이 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623844B1 (ko) * 2004-04-30 2006-09-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP5708152B2 (ja) 2011-03-31 2015-04-30 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR101900501B1 (ko) 2012-03-05 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
JP6136578B2 (ja) * 2013-05-29 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器
JP6136890B2 (ja) * 2013-11-26 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR102492730B1 (ko) * 2015-10-02 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102289220B1 (ko) * 2016-03-18 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101698718B1 (ko) * 2016-04-29 2017-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
ITUA20164519A1 (it) 2016-06-20 2017-12-20 Fondazione St Italiano Tecnologia Visualizzatore includente una pluralita' di sorgenti luminose e una pluralita' di guide d'onda
KR102603595B1 (ko) * 2016-08-31 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN107068665B (zh) 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
KR102578544B1 (ko) 2017-12-11 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
US11054112B2 (en) 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
KR102471117B1 (ko) * 2018-03-09 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11088339B2 (en) 2021-08-10
GB201910907D0 (en) 2019-09-11
CN110783375B (zh) 2023-12-29
DE102019120687B4 (de) 2024-05-29
US20200044177A1 (en) 2020-02-06
GB2577377B (en) 2021-03-10
CN110783375A (zh) 2020-02-11
CN117651439A (zh) 2024-03-05
GB2577377A (en) 2020-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019120687B4 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung
DE102016123108B4 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
DE102019134084B4 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch im Anzeigebereich
DE102019135788A1 (de) Transparente Anzeigevorrichtung
DE102014108432B4 (de) OLED-Anzeigepanel, Verfahren zu dessen Herstellung und Anzeigevorrichtung
DE10307504B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Organischen Elektrolumineszenz-Bauteils sowie so hergestelltes Bauteil
DE102016117963B4 (de) Anzeigevorrichtung mit organischer Leuchtdiode und organische Leuchtdiode davon
DE102017129926A1 (de) Leuchtdiodenchip und Leuchtdiodenanzeigevorrichtung mit demselben
DE102013113082B4 (de) Organische Leuchtdiodenanzeigen mit hoher Lumineszenz
DE102018121224B4 (de) Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
DE102018129857A1 (de) Organische Leuchtdiodenanzeige
DE102013113462A1 (de) Organische leuchtdiodenvorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
DE102018130712A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102015113348A1 (de) Anzeigevorrichtung mit organischen leuchtdioden und verfahren für deren herstellung
DE102010028304A1 (de) Organische Lichtemittiertende Anzeigevorrichtung
DE102010044022A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102012112727A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren hiervon
DE102018130137A1 (de) Grossaperturverhältnis-Mikroanzeigeeinheit mit einer Mikrokavitätstruktur
DE102019128731A1 (de) Elektrolumineszierende Anzeigevorrichtung
DE112019006327T5 (de) Anzeigevorrichtung unter Verwendung von lichtemittierender Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102020116530A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018131674A1 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und Verfahren ihrer Herstellung
DE102015103124A1 (de) Beidseitig emittierende organische Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer beidseitig emittierenden organischen Anzeigevorrichtung
DE102018129427A1 (de) Organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung
DE102020121091A1 (de) Elektrolumineszenz-anzeigevorrichtung und kopfmontierte anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027320000

Ipc: H10K0059000000

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H10K0059000000

Ipc: H10K0059122000