DE102018109950B4 - Transistorbauelement - Google Patents

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Abstract

Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist;eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, undeine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.

Description

  • Die vorliegende Beschreibung betrifft ein Transistorbauelement, insbesondere ein Transistorbauelement mit einer Feldelektrode.
  • Transistorbauelemente mit einer Feldelektrode, die häufig auch als Feldplattentransistoren bezeichnet werden, sind als elektronische Schalter in verschiedenen Anwendungen, wie beispielsweise Automobil-, Industrie-, Unterhaltungselektronik oder Haushaltselektronikanwendungen weit verbreitet. Die Feldelektrode ist bei dieser Art von Transistorbauelement benachbart zu einem Driftgebiet angeordnet und dient dazu, bei sperrendem Transistorbauelement einen Teil der in dem Driftgebiet vorhandenen Dotierstoffatome zu „kompensieren“. Aufgrund dieses Kompensationseffekts besteht die Möglichkeit, das Driftgebiet gegenüber herkömmlichen Transistorbauelementen ohne Feldelektrode höher zu dotieren, ohne dass die Spannungsfestigkeit des Bauelements verringert wird. Hierdurch wird bei gleicher Spannungsfestigkeit ein verringerter Einschaltwiderstand beziehungsweise bei gleichem Einschaltwiderstand eine höhere Spannungsfestigkeit erreicht.
  • Die 10 2014 113 746 A1 zeigt in 5 ein Halbleiterbauelement mit einer Feldplatte, bei dem eine Dicke eines Feldelektrodendielektrikums in Richtung eines Draingebiets zunimmt. Außerdem kann zwischen einem Driftgebiet und einem Draingebiet ein Puffergebiet vorhanden sein, in dem die Dotierungskonzentration in Richtung des Draingebiets ansteigt.
  • Die DE 10 2015 112 427 B4 beschreibt einen lateralen MOSFET mit Feldelektroden, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber einem Driftgebiet isoliert sind, wobei eine Dicke eines Feldelektrodendielektrikums in Richtung eines Draingebiets zunimmt. Eine Dotierungskonzentration in der Driftzone kann bei diesem Bauelement derart variieren dass die Dotierungskonzentration in Richtung des Draingebiets abnimmt.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, ein derartiges Transistorbauelement mit einem weiter verringerten Einschaltwiderstand zur Verfügung zu stellen. Diese Aufgabe wird durch ein Transistorbauelement nach Anspruch 1 gelöst.
  • Ein Beispiel betrifft ein Transistorbauelement. Das Transistorbauelement umfasst wenigstens eine Transistorzelle, die aufweist: ein Driftgebiet, ein Sourcegebiet, ein Bodygebiet und ein Draingebiet in einem Halbleiterkörper, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist und das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die benachbart zu dem Bodygebiet angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; und eine Feldelektrode, die benachbart zu dem Driftgebiet angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets wenigstens abschnittsweise zunimmt, und das Driftgebiet weist in einem Mesagebiet benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets wenigstens abschnittsweise zunimmt.
  • Beispiele sind nachfolgend anhand von Zeichnungen erläutert. Die Zeichnungen dienen zum Veranschaulichen bestimmter Prinzipien, so dass nur Merkmale, die zum Verständnis dieser Prinzipien notwendig sind, dargestellt sind. Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgerecht. In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Merkmale.
    • 1 zeigt ausschnittsweise einen Querschnitt eines Transistorbauelements mit mehreren Transistorzellen, die jeweils eine benachbart zu einem Driftgebiet angeordnete Feldelektrode aufweist;
    • 2 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des in 1 gezeigten Transistorbauelements;
    • 3 und 4 zeigen jeweils weitere Beispiele einer Feldelektrode;
    • 5 veranschaulicht ein Beispiel eines Dotierungsverlaufs des Driftgebiets in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements;
    • 6 zeigt ein Beispiel zur Realisierung mehrerer Transistorzellen;
    • 7 zeigt ein weiteres Beispiel zur Realisierung mehrerer Transistorzellen;
    • 8 zeigt ein Beispiel, wie eine Gateelektrode an einen Gaterunner angeschlossen werden kann;
    • 9 zeigt ein Beispiel, wie eine Feldelektrode an eine Sourceelektrode angeschlossen werden kann;
    • 10 zeigt eine Schnittdarstellung eines Transistorbauelements gemäß einem weiteren Beispiel; und
    • 11 zeigt ein Beispiel, wie mehrere Transistorzellen bei einem Transistorbauelement des in 10 gezeigten Transistorbauelements realisiert werden können.
  • In der nachfolgenden Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Beschreibung bilden. Selbstverständlich können die Merkmale der einzelnen Zeichnungen miteinander kombiniert werden, sofern nichts anderes angegeben ist.
  • 1 zeigt eine Schnittdarstellung eines Transistorbauelements gemäß einem Beispiel. Dieses Transistorbauelement umfasst wenigstens eine Transistorzelle 10, wobei in dem Beispiel mehrere Transistorzellen 10 dargestellt sind. Diese Transistorzellen umfassen jeweils ein Driftgebiet 11, ein Sourcegebiet 12, ein Bodygebiet 13 und ein Draingebiet 14 in einem Halbleiterkörper 100 aufweisen. Das Bodygebiet 13 ist hierbei zwischen dem Sourcegebiet 12 und dem Driftgebiet 11 angeordnet und das Driftgebiet 11 ist zwischen dem Bodygebiet 13 und dem Draingebiet 14 angeordnet. Jede Transistorzelle 10 weist außerdem eine Gateelektrode 21 auf, die benachbart zu dem Bodygebiet 13 angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum 22 dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet 13 isoliert ist. Außerdem weist jede Transistorzelle 10 eine Feldelektrode 31 auf, die benachbart zu dem Driftgebiet 11 angeordnet ist und die durch ein Feldelektrodendielektrikum 32 dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum 32 weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets 14 wenigstens abschnittsweise zunimmt. D. h., es gibt einen oder mehrere Abschnitte des Feldelektrodendielektrikums 32, in denen die Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32, die einen Abstand zwischen der Feldelektrode 31 und dem Driftgebiet 11 definiert, in Richtung des Draingebiets 14 zunimmt. Außerdem weist das Driftgebiet 11 in einem Mesagebiet 111 benachbart zu der Feldelektrode 31 eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets 14 wenigstens abschnittsweise zunimmt. Diese Zunahme der Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 ist weiter unten noch im Detail erläutert.
  • Der Begriff „Transistorzelle“ bezeichnet eine von mehreren gleichartigen Strukturen in dem Transistorbauelement, die jeweils ein Driftgebiet 11, ein Sourcegebiet 12, ein Bodygebiet 13, ein Gateelektrode 21, ein Gatedielektrikum 22, ein Feldelektrode 31 und ein Feldelektrodendielektrikum 32 aufweisen. Dabei kann beispielsweise das Draingebiet 14 aller Transistorzellen 10 durch ein zusammenhängendes dotiertes Gebiet gebildet sein, das nachfolgend auch als gemeinsames Draingebiet bezeichnet wird und das an einen Drainanschluss D (der in 1 nur schematisch dargestellt ist) des Transistorbauelements angeschlossen ist. Die Driftgebiete 11 der einzelnen Transistorzellen 10 können durch ein zusammenhängendes dotiertes Gebiet gebildet sein, das nachfolgend auch als gemeinsames Driftgebiet bezeichnet wird. Darüber hinaus können die Sourcegebiete 12 von zwei oder mehr benachbarten Transistorzellen durch ein gemeinsames dotiertes Gebiet gebildet sein, können die Bodygebiete 12 von zwei oder mehr benachbarten Transistorzellen durch ein gemeinsames dotiertes Gebiet gebildet sein, können die Gateelektroden 21 von zwei oder mehr benachbarten Transistorzellen 21 durch eine gemeinsame Elektrode gebildet sein und können die Feldelektroden 31 von zwei oder mehr Transistorzellen 10 durch eine gemeinsame Elektrode gebildet sein.
  • Bezugnehmend auf 1 kann das Transistorbauelement als vertikales Transistorbauelement realisiert sein. In diesem Fall sind die Sourcegebiete 12 und die Draingebiete 14 der einzelnen Transistorzellen 10 in einer vertikalen Richtung z des Halbleiterkörpers 100 beabstandet zueinander angeordnet. Die „vertikale Richtung“ des Halbleiterkörpers 100 ist eine Richtung senkrecht zu einer ersten Seite 101 und zu einer der ersten Seite 101 gegenüberliegenden zweiten Seite 102 des Halbleiterkörpers. Bei dem in 1 gezeigten Beispiel grenzen die Sourcegebiete 12 an die erste Seite 101 des Halbleiterkörpers 100 an und das Draingebiet grenzt an die zweite Seite 102 des Halbleiterkörpers an. Eine Stromflussrichtung verläuft bei einem vertikalen Transistorbauelement in der vertikalen Richtung z des Halbleiterkörpers 100.
  • Wenngleich 1 ein vertikales Transistorbauelement zeigt, sei darauf hingewiesen, dass das Transistorbauelement nicht darauf beschränkt ist, als vertikales Transistorbauelement realisiert zu sein. Die nachfolgend erläuterten Ausgestaltungen der Feldelektrode 31, des Feldelektrodendielektrikums und des Dotierungsverlaufs des Driftgebiets 11 gelten für ein laterales Transistorbauelement, bei dem Sourcegebiete und Draingebiete einzelner Transistorzellen in einer lateralen (horizontalen) Richtung eines Halbleiterkörpers beabstandet zueinander angeordnet sind in entsprechender Weise.
  • Der Halbleiterkörper 100 ist beispielsweise ein monokristalliner Halbleiterkörper aus Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) oder dergleichen. Die Gateelektroden 21 der einzelnen Transistorzellen 10 bestehen beispielsweise aus einem dotierten polykristallinem Halbleitermaterial, wie beispielsweise Polysilizium, oder aus einem Metall. Die Feldelektroden 31 bestehen beispielsweise aus einem dotierten polykristallinem Halbleitermaterial, wie beispielsweise Polysilizium oder aus einem Metall.
  • Die Gateelektroden 21 der einzelnen Transistorzellen 10 sind an einen gemeinsamen Gateanschluss G angeschlossen. Dieser Gateanschluss G ist in 1 nur schematisch dargestellt. Auch elektrisch leitende Verbindungen zwischen den einzelnen Gateelektroden 21 und dem Gateanschluss G sind in 1 nur schematisch dargestellt. Die Sourcegebiete 12 und Bodygebiet 13 der einzelnen Transistorzellen 10 sind an einen gemeinsamen Sourceanschluss S angeschlossen. Bezugnehmend auf 1 kann hierzu eine Sourceelektrode 41 vorgesehen sein, die an die Sourcegebiete 12 und Bodygebiete 13 der einzelnen Transistorzellen 10 angeschlossen ist und die an den Sourceanschluss S angeschlossen ist oder diesen Sourceanschluss S bildet. Diese Sourceelektrode 41 ist durch Isolationsgebiete 51 gegenüber den Gateelektroden 21 isoliert. Bei dem in 1 gezeigten Beispiel weist die Sourceelektrode 41 Kontaktstöpsel 42 auf, die sich ausgehend von der ersten Seite 101 durch die Sourcegebiete 12 bis in die Bodygebiete 13 erstrecken und elektrisch leitend an die Sourcegebiete 12 und die Bodygebiete 13 angeschlossen sind. Gemäß einem Beispiel ist zwischen den Kontaktstöpseln 42 und den Sourcegebieten 12 und den Bodygebieten 13 jeweils ein ohmscher Kontakt vorhanden. Es sei erwähnt, dass das Vorsehen von Kontaktstöpseln 42, wie sie in 1 gezeigt sind, nur eine von mehreren Möglichkeiten ist, Sourcegebiete 12 und Bodygebiete 13 mehrerer Transistorzellen an eine Sourceelektrode anzuschließen.
  • Die Feldelektroden 31 der einzelnen Transistorzellen sind gemäß einem Beispiel an den Sourceanschluss S des Transistorbauelements angeschlossen. Gemäß einem weiteren Beispiel sind die Feldelektroden 31 an den Gateanschluss G des Transistorbauelements angeschlossen. Beispiele hierzu sind weiter unten erläutert.
  • In den einzelnen Transistorzellen 10 sind das Sourcegebiet 12 und das Driftgebiet 11 vom gleichen Leitungstyp oder Dotierungstyp (n-Typ oder p-Typ), der nachfolgend als erster Dotierungstyp bezeichnet wird, und das Bodygebiet 13 ist von einem zu dem ersten Dotierungstyp komplementären Dotierungstyp, der nachfolgend als zweiter Dotierungstyp bezeichnet wird. Aufgrund der komplementären Dotierungstypen des Bodygebiets 13 und des Driftgebiets 11 ist ein pn-Übergang 16 zwischen dem Bodygebiet 13 und dem Driftgebiet 11 gebildet. Das Transistorbauelement kann als n-leitendes Transistorbauelement oder als p-leitendes Transistorbauelement realisiert sein. Bei einem n-leitenden Transistorbauelement sind das Sourcegebiet 12 und das Driftgebiet 11 n-dotiert und das Bodygebiet 13 p-dotiert; bei einem p-leitenden Transistorbauelement sind das Sourcegebiet 12 und das Driftgebiet 11 p-dotiert und das Bodygebiet 13 n-dotiert. Das Transistorbauelement kann außerdem als selbstsperrendes Bauelement (Anreicherungsbauelement) oder als selbstleitendes Bauelement (Verarmungsbauelement) realisiert sein. Bei einem selbstsperrenden Bauelement grenzt das Bodygebiet 13 unmittelbar an das Gatedielektrikum 22 an, während bei einem selbstleitenden Bauelement ein Kanalgebiet 17 (das in 1 lediglich für eine Transistorzelle gepunktet dargestellt ist) desselben Dotierungstyps wie das Sourcegebiet 12 und das Driftgebiet 11 vorhanden ist. Dieses Kanalgebiet 17 erstreckt sich entlang des Gatedielektrikums 22 von dem Sourcegebiet 12 bis zu dem Driftgebiet 11 und ist zwischen dem Bodygebiet 13 und dem Gatedielektrikum 22 angeordnet ist. Das Transistorbauelement kann darüber hinaus als MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) oder als IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) realisiert sein. Bei einem MOSFET hat das Draingebiet 14 denselben Dotierungstyp wie das Sourcegebiet 12, während bei einem IGBT das Draingebiet 14 (das auch als Kollektorgebiet bezeichnet werden kann) einen zu dem Sourcegebiet 12 komplementären Dotierungstyp hat.
  • Die Funktionsweise eines Transistorbauelements des in 1 gezeigten Typs wird nachfolgend kurz erläutert. Zu Zwecken der Erläuterung sei angenommen, dass das Transistorbauelement ein n-leitender MOSFET ist, dass also das Sourcegebiet 12, das Driftgebiet 11 und das Draingebiet 14 n-dotiert sind und das Bodygebiet 13 p-dotiert ist. Das Transistorbauelement leitet oder sperrt abhängig von einer zwischen dem Gateanschluss G und dem Sourceanschluss S anliegenden Steuerspannung VGS, die auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet werden kann. Das Transistorbauelement leitet, wenn diese Steuerspannung VGS höher ist als eine Schwellenspannung des Transistorbauelements, so dass sich bei einem selbstsperrenden Bauelement ein leitender Kanal in dem Bodygebiet 13 entlang des Gatedielektrikums 22 zwischen dem Sourcegebiet 12 und dem Driftgebiet 13 ausbildet oder dass bei einem selbstleitenden Bauelement das Kanalgebiet 17 nicht unterbrochen ist. Wenn eine Laststreckenspannung VDS, die auch als Drain-Source-Spannung bezeichnet werden kann, ungleich null zwischen dem Drainanschluss D und dem Sourceanschluss S anliegt, fließt bei leitendem Transistorbauelement ein Strom zwischen dem Drainanschluss D und dem Sourceanschluss S.
  • Liegt bei sperrendem Transistorbauelement eine Laststreckenspannung VDS an die größer als null ist und die so gepolt ist, dass sie den pn-Übergang 16 zwischen dem Driftgebiet 11 und dem Bodygebiet 13 in Sperrrichtung polt, breitet sich eine Raumladungszone (Verarmungszone) in dem Driftgebiet 11 ausgehend von dem pn-Übergang 16 in Richtung des Draingebiets 14 aus. (Eine entsprechende Raumladungszone breitet sich auch in dem Bodygebiet 13 aus. Das Bodygebiet 13 ist üblicherweise jedoch höher dotiert als das Driftgebiet 11, so dass sich die Raumladungszone in dem Bodygebiet 13 ausgehend von dem pn-Übergang 16 weniger weit in das Bodygebiet 13 hineinerstreckt als die Raumladungszone in dem Driftgebiet 11). Die sich in dem Driftgebiet 11 ausbreitende Raumladungszone ist verbunden mit ionisierten Dotierstoffatomen, die bei einem n-dotierten Driftgebiet 11 positiv geladenen Donatorrümpfe sind. Diese positiv geladenen Donatorrümpfe haben entsprechende Gegenladungen in dem Bodygebiet 13, die bei einem p-dotierten Bodygebiet 13 negativ geladene Akzeptoren sind, oder der Feldelektrode 31. Ein Spannungsdurchbruch an dem pn-Übergang tritt auf, wenn auf beiden Seiten des pn-Übergangs so viele Dotierstoffatome ionisiert sind, dass ein elektrisches Feld an dem pn-Übergang 16 einen kritischen Wert erreicht, der maßgeblich abhängig ist von der Art des verwendeten Halbleitermaterials des Halbleiterkörpers 100. Die Spannungsfestigkeit des Transistorbauelements ist definiert durch den Spannungspegel der Laststreckenspannung VDS, bei der die elektrische Feldstärke an dem pn-Übergang den kritischen Wert erreicht.
  • Da bei einem Transistorbauelement des in 1 gezeigten Typs, bei dem die einzelnen Transistorzellen 10 Feldelektroden 31 aufweisen, ein Teil der ionisierten Dotierstoffatome in dem Driftgebiet 11 eine entsprechende Gegenladung in der Feldelektrode 31 findet, kann das Driftgebiet 11 höher dotiert werden als bei einem Transistorbauelement ohne Feldelektrode, ohne die Spannungsfestigkeit des Transistorbauelements zu verringern. Eine höhere Dotierung des Driftgebiets 11 verringert jedoch den Einschaltwiderstands des Transistorbauelements, was grundsätzlich erwünscht ist. Der „Einschaltwiderstand“ ist der elektrische Widerstand zwischen dem Drainanschluss D und dem Sourceanschluss S bei leitend angesteuertem Transistorbauelement.
  • Die oben erläuterte Kompensationswirkung der Feldelektrode 31 ist umso besser, je besser die Feldelektrode 31 kapazitiv an das Driftgebiet 11 gekoppelt ist, je dünner also das Feldelektrodendielektrikum 32 ist. Andererseits muss das Feldelektrodendielektrikum 32 in der Lage sein dem Potentialunterschied (der Spannung) zwischen dem elektrischen Potential des Driftgebiets 11 und dem elektrischen Potential der Feldelektrode 31 bei sperrendem Transistorbauelement standzuhalten. Es kann angenommen werden, dass die Feldelektrode 31 einheitlich auf demselben Potential liegt, welches Sourcepotential oder Gatepotential, also das elektrische Potential des Sourceanschlusses S oder das elektrische Potential des Gateanschlusses G ist. Bei sperrendem Bauelement nimmt das elektrische Potential in dem Driftgebiet 11 ausgehend von dem pn-Übergang 16 in Richtung des Draingebiets 14 zu. Damit steigt die Spannungsbelastung des Feldelektrodendielektrikums 32 in Stromflussrichtung des Bauelements an. Durch die in Stromflussrichtung zunehmende Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 ist das Feldelektrodendielektrikum 32 in der Lage dieser Spannungsbelastung Stand zu halten, kann aber im Bereich nahe des pn-Übergangs 16, wo die Spannungsbelastung gering ist, vergleichsweise dünn sein, so dass dort eine bessere Kompensationswirkung erreicht werden kann als weiter in Richtung des Draingebiets 14, wo das Feldelektrodendielektrikum 32 entsprechend dicker ist. Dort, wo aufgrund des dünnen Feldelektrodendielektrikums 32 eine verbesserte Kompensationswirkung erreicht wird, kann das Driftgebiet 11 höher dotiert werden als bei einem Bauelement, bei dem das Feldelektrodendielektrikum 32 eine einheitliche Dicke aufweist, wodurch eine Verringerung des Einschaltwiderstandes erreicht werden kann.
  • Zur Erläuterung der variierenden Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 zeigt 2 einen vergrößerten Ausschnitt des in 1 gezeigten Transistorbauelements. Unter der „Dicke“ des Feldelektrodendielektrikums 31 ist im Zusammenhang mit dem erläuterten Transistorbauelement insbesondere eine Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 zwischen der Feldelektrode 31 und einem in einer Richtung x quer zu der Stromflussrichtung an das Feldelektrodendielektrikum 32 angrenzenden Bereich 111 des Driftgebiets 11 zu verstehen. Dieser Bereich 111 wird nachfolgend als Mesagebiet bezeichnet. Bei dem in 1 gezeigten vertikalen Transistorbauelement ist die Richtung x quer zu der Stromflussrichtung eine horizontale oder laterale Richtung des Halbleiterkörpers 100, und damit eine Richtung parallel zu der ersten und zweiten Seite 101, 102 des Halbleiterkörpers 100. Das Feldelektrodendielektrikum 32 weist eine minimale Dicke d321 und eine maximale Dicke d322 auf. Bei dem in 2 dargestellten Beispiel hat das Feldelektrodendielektrikum 32 seine minimale Dicke d321 im Bereich eines ersten Endes der Feldelektrode 31 und seine maximale Dicke d322 im Bereich eines dem ersten Ende abgewandten zweiten Endes der Feldelektrode 31. Das „erste Ende“ der Feldelektrode 31 ist das Ende, das am nächsten zu dem pn-Übergang 16 angeordnet ist; das „zweite Ende“ ist das Ende, das am nächsten zu dem Draingebiet 14 angeordnet ist. Gemäß einem Beispiel beträgt die maximale Dicke d322 wenigstens das 1,2-fache, wenigstens das 1,4-fache, wenigstens das 1,7-fache, wenigstens das 2- bis 5-fache oder wenigstens das 10-fache der minimalen Dicke d321. Der Absolutwert der minimalen Dicke und der maximalen Dicke ist jeweils abhängig von der Art des Materials des Feldelektrodendielektrikums 32 und der zu erwarteten Spannungsbelastung. Das Feldelektrodendielektrikum 32 umfasst beispielsweise wenigstens eines der folgenden Materialien: ein Oxid, wie beispielweise Siliziumoxid (SiO2); ein Nitrid, wie beispielweise Siliziumnitrid (Si3N4); ein Oxinitrid. Gemäß einem Beispiel umfasst das Feldelektrodendielektrikum 32 nur eines dieser Materialien. Gemäß einem weiteren Beispiel umfasst das Feldelektrodendielektrikum 32 zwei oder mehr dieser Materialien. So kann das Feldelektrodendielektrikum 32 beispielsweise mehrere übereinander angeordnete Schichten umfassen, wobei jeweils zwei aneinandergrenzende Schichten unterschiedliche Materialien aufweisen.
  • Die Feldelektrode 31 besitzt eine Länge 131 in der Stromflussrichtung. Bei dem in 2 gezeigten Beispiel, bei dem das Feldelektrodendielektrikum 32 seine minimale Dicke d321 am ersten Ende und seine maximale Dicke d322 am zweiten Ende der Feldelektrode 31 hat, ist der Abstand zwischen der Position, an der das Feldelektrodendielektrikums 32 die minimale Dicke d321 hat, und der Position, an der das Feldelektrodendielektrikums 32 die maximale Dicke d322, im Wesentlichen gegeben durch diese Länge 131. Dies ist jedoch nur ein Beispiel. Gemäß einem weiteren Beispiel ist vorgesehen, dass ein Abstand zwischen der Position mit der minimalen Dicke und der Position mit der maximalen Dicke in der Stromflussrichtung des Transistorbauelements wenigstens 30% der Länge 131, wenigstens 50% der Länge 131, wenigstens 70% der Länge 131 oder wenigstens 90% der Länge 131 der Feldelektrode 31 beträgt.
  • Bei dem in 2 gezeigten Beispiel nimmt die Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 in der Stromflussrichtung ausgehend von einer Position, an der sich das erste Ende der Feldelektrode 31 befindet, bis hin zu einer Position, an der sich das zweite Ende der Feldelektrode 31 befindet, kontinuierlich zu. Dies ist ebenfalls nur ein Beispiel. Gemäß einem weiteren Beispiel, das in 3 gezeigt ist, ist vorgesehen, dass die Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 in der Stromflussrichtung stufenweise zunimmt. Auch hierbei gilt beispielsweise, dass ein Abstand zwischen der Position mit der minimalen Dicke und der Position mit der maximalen Dicke in der Stromflussrichtung des Transistorbauelements wenigstens 50% der Länge 131, wenigstens 70% der Länge 131 oder wenigstens 90% der Länge 131 der Feldelektrode 31 beträgt.
  • Wie oben erläutert, ist die in Stromflussrichtung zunehmende Dicke des Feldelektrodendielektrikums die Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 in einem Bereich des Feldelektrodendielektrikums 32 zwischen der Feldelektrode 31 und dem Mesagebiet 111. Eine Dicke d323 des Feldelektrodendielektrikums 32 zwischen der Feldelektrode 31 und einem Abschnitt 112 des Driftgebiets 11, der in Stromflussrichtung zwischen dem Feldelektrodendielektrikums 32 und dem Draingebiet 14 angeordnet ist, ist gemäß einem Beispiel gleich der maximalen Dicke d322 oder größer als diese maximale Dicke, das heißt, d323≥d322.
  • Bei den in den 2 und 3 gezeigten Beispielen sind die Gateelektrode 21 und die Feldelektrode 31 jeweils in einem gemeinsamen Graben realisiert, der sich ausgehend von der ersten Seite 101 in den Halbleiterkörper 100 erstreckt. Innerhalb des gemeinsamen Grabens sind die Gateelektrode 21 und die Feldelektrode 31 durch eine Dielektrikumsschicht 33 dielektrisch voneinander isoliert. Diese Dielektrikumsschicht 33 kann aus demselben Material wie das Feldelektrodendielektrikum 32 bestehen. Aufgrund dieser getrennten Anordnung der Gateelektrode 21 und der Feldelektrode 31 können die Gateelektrode 21 und die Feldelektrode 31 auf unterschiedlichen elektrischen Potentialen liegen. So kann die Gatelektrode 21 beispielsweise an den Gateanschluss G und die Feldelektrode 31 beispielsweise an den Sourceanschluss S angeschlossen sein. Gemäß einem Beispiel ist vorgesehen, dass ein gegenseitiger Abstand zwischen zwei benachbarten Gräben wesentlich geringer ist als die Länge 131 der Feldelektroden 31 in Stromflussrichtung. Gemäß einem Beispiel beträgt dieser Abstand weniger als 25% oder weniger als 10% einer Länge 131 der Feldelektroden.
  • Nachfolgend bezeichnet w3 eine maximale Breite eines Grabens, in dem eine Feldelektrode und ein zugehöriges Feldelektrodendielektrikum angeordnet sind. Gemäß einem weiteren Beispiel ist bezüglich des gegenseitigen Abstands zwischen zwei benachbarten dieser Gräben vorgesehen, dass der gegenseitige Abstand kleiner ist als das 1,5-fache der Grabenbreite w3 oder sogar kleiner ist als die Grabenbreite w3 (also kleiner als das 1,0-fache der Grabenbreite w3).
  • 4 zeigt ein weiteres Beispiel einer Feldelektrode 31. Bei diesem Beispiel sind die Feldelektrode 31 und die Gateelektrode 21 durch eine gemeinsame Elektrode realisiert, so dass die Feldelektrode 31 bei diesem Beispiel auf dem Gatepotential liegt. Die Feldelektrode 31 besitzt bei dem in 4 gezeigten Beispiel eine Geometrie wie sie anhand von 2 erläutert wurde. Dies ist jedoch nur ein Beispiel. Selbstverständlich kann die in 4 gezeigte Feldelektrode 31 auch mit einer stufenförmigen Geometrie realisiert sein, wie sie in 3 gezeigt ist.
  • Wie oben erwähnt, nimmt die Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 in dem Mesagebiet 111 in Richtung des Draingebiets 14 zu. Insbesondere nimmt die Dotierungskonzentration in einem Abschnitt des Mesagebiets 111, der in der horizontalen Richtung x benachbart zu der Feldelektrode 32 ist. Ein beispielhafter Dotierungsverlauf der Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 in dem Mesagebiet 111 ist in 5 veranschaulicht. In 5 zeigt die mit 201 bezeichnete Kurve den Dotierungsverlauf des Mesagebiets 111 zwischen dem pn-Übergang, der sich Bezug nehmend auf 1 in Stromflussrichtung an einer Position z0 befindet, und dem in Richtung des Draingebiets 14 zugewandten Ende des Feldelektrodendielektrikums 32, das sich Bezug nehmend auf 1 an einer Position z2 in Stromflussrichtung befindet. Dargestellt ist in 5 die effektive Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11. Direkt an dem pn-Übergang 16 ist die effektive Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 sehr gering und steigt in Richtung des Draingebiets 14 zunächst rasch an. Dies ist bedingt durch die Natur des pn-Übergangs 16.
  • Zusätzlich zu dem durch den pn-Übergang bedingten Anstieg der Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 in Richtung des Draingebiets 14 steigt die Dotierungskonzentration innerhalb des Mesagebiets 111 aber noch weiter an, was in 5 ab der vertikalen Position z1 dargestellt ist. Diese Position z1 entspricht beispielsweise der vertikalen Position, an der die Feldelektrode 32 beginnt, was in 1 dargestellt ist, oder liegt ausgehend von der Vorderseite 101 noch unterhalb dieser Position. Es gibt also einen Abschnitt des Mesagebiets 111, der in horizontaler Richtung x benachbart zu der Feldelektrode liegt und in dem die effektive Dotierungskonzentration in Richtung des Draingebiets 14 ansteigt. Gemäß einem Beispiel ist vorgesehen, dass die Dotierungskonzentration des Driftgebiets 11 im Mesagebiet 111 wenigstens über eine Strecke in Stromflussrichtung ansteigt, die 50% der Länge, 80% der Länge oder 95% der Länge des Mesagebiets 111 in der Stromflussrichtung entspricht. Die „Länge“ des Mesagebiets 111 ist gegeben durch den Abstand zwischen dem pn-Übergang 16 und dem dem Draingebiet 14 zugewandten Ende des Feldelektrodendielektrikums 32. Gemäß einem Beispiel beträgt eine maximale Dotierungskonzentration N2 des Mesagebiets 111 zwischen dem 2-fachen und dem 10-fachen einer minimalen Dotierungskonzentration N1. Gemäß einem Beispiel beträgt die minimale Dotierungskonzentration N1 zwischen 5E15 cm-3 und 1E17 cm-3.
  • Gemäß einem Beispiel ist vorgesehen, dass die Dotierung des Driftgebiets 11 in dem Bereich 112 zwischen dem Mesagebiet und dem Draingebiet 14 in Stromflussrichtung weiter ansteigt. Gemäß einem Beispiel beträgt eine maximale Dotierungskonzentration des Mesagebiets in dem Bereich 112 zwischen dem 2-fachen und dem 10-fachen einer minimalen Dotierungskonzentration in diesem Bereich 112.
  • In einer Ebene A-A, die senkrecht zu der in 1 gezeigten Schnittebene verläuft, können die einzelnen Transistorzellen 10 auf verschiedene Weise realisiert sein. 6 zeigt ein Beispiel, bei dem die einzelnen Transistorzellen 10 als Streifenzellen realisiert sind. Bei diesem Beispiel sind die Sourcegebiete 12 (und auch die darunterliegenden Bodygebiete 13, die in 6 außerhalb der Darstellung sind) als langgestreckte (streifenförmige) Gebiete realisiert. Entsprechend sind die Gateelektroden 21 als langgestreckte (streifenförmige) Elektroden realisiert. Gleiches gilt für die Feldelektroden 31, die in 6 außerhalb der Darstellung sind.
  • 7 zeigt ein weiteres Beispiel zur Realisierung der Transtorzellen 10. Bei diesem Beispiel sind die Gateelektroden 21 der einzelnen Transistorzellen durch eine gemeinsame gitterförmige Elektrode realisiert. Die Sourcegebiete 12 (und die darunter liegenden Bodygebiete 13, die in 7 außerhalb der Darstellung sind) sind inselförmige Gebiete, die in Aussparungen der gitterförmigen Gateelektrode 21 liegen.
  • 8 zeigt ein Beispiel, wie eine langgestreckte Gateelektrode des in 6 gezeigten Typs oder eine gitterförmige Gateelektrode des in 7 gezeigten Typs an den Gateanschluss G angeschlossen werden kann. 8 zeigt eine Schnittansicht der Gateelektrode 21 im Bereich eines horizontalen Endes, wobei dieses horizontale Ende das Ende einer langgestreckten Gateelektrode 21 oder das Ende einer gitterförmigen Gateelektrode 21 sein kann. Bezug nehmend auf 8 weist das Transistorbauelement einen Gaterunner 43 benachbart zu der Sourceelektrode 41 und oberhalb der Isolationsschicht 51 auf. Die Gateelektrode 21 ist mittels eines elektrisch leitenden Vias 44, dass sich durch die Isolationsschicht 51 erstreckt, an den Gaterunner 43 angeschlossen. Der Gaterunner 43 bildet den Gateanschluss G oder ist an den Gateanschluss G des Transistorbauelements angeschlossen.
  • 9 zeigt ein Beispiel, wie eine unterhalb der Gateelektrode 21 in demselben Graben wie die Gateelektrode 21 angeordnete Feldelektrode 31 an die Sourceelektrode 41 angeschlossen werden kann. Bei diesem Beispiel weist die Feldelektrode 31 einen Abschnitt auf, der sich benachbart zu der Gateelektrode 21 bis an die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers erstreckt und dort mittels eines elektrisch leitendes Vias 45 an die Sourceelektrode 41 angeschlossen ist. Bei einer streifenförmigen Gateelektrode 21 und einer streifenförmigen Feldelektrode 31 kann der Bereich, in dem die Feldelektrode 31 an die Sourceelektrode 41 angeschlossen ist, sich an einem Ende des Grabens befinden, der dem Ende des Grabens gegenüberliegt, an dem die Gateelektrode 21 an dem Gaterunner 43 angeschlossen ist. Bei einer gitterförmigen Gateelektrode 21 und einer gitterförmigen Feldelektrode 31 kann die Feldelektrode 31 an einem beliebigen Ende des „Gitters“ an die Sourceelektrode 41 angeschlossen sein, das sich von dem Ende bzw. den Enden unterscheidet an dem/an denen die Gatelektrode 21 an den Gaterunner 43 angeschlossen ist/sind.
  • Bei den zuvor erläuterten Beispielen sind die Feldelektrode 31 und die Gateelektrode 21 in einem gemeinsamen Graben des Halbleiterkörpers angeordnet. Dies ist jedoch nur ein Beispiel. 10 zeigt ein weiteres Beispiel eines Transistorbauelements mit mehreren Transistorzellen 10, die jeweils eine Feldelektrode aufweisen. Bei diesem Beispiel sind die Feldelektroden 31 in Gräben angeordnet, die beabstandet zu Gräben mit den Gateelektroden 21 sind. Bei diesem Beispiel sind die Feldelektroden 31 über elektrisch leitende Vias 46 an die Sourceelektrode 41 angeschlossen, wobei das elektrisch leitende Via 46 gleichzeitig dazu dient, die Sourcegebiete 12 und die Bodygebiete 13 an die Sourceelektrode 41 anzuschließen. Bezüglich der Geometrie der Feldelektrode 31 der Variation der Dicke des Feldelektrodendielektrikums 32 gelten die zuvor für die Feldelektrode 31 und das Feldelektrodendielektrikums 32 gemachten Aussagen in entsprechender Weise.
  • Bei dem in 10 gezeigten Beispiel können die Gateelektroden 21 und die Feldelektroden 31 jeweils streifenförmig realisiert sein. 11 zeigt ein weiteres Beispiel. Bei diesem Beispiel sind die Gateelektroden 21 der einzelnen Transistorzellen durch eine gemeinsame gitterförmige Elektrode 21 realisiert. Die Feldelektroden 31 sind bei diesem Beispiel säulenförmige Elektroden. Lediglich zur Veranschaulichung haben diese Säulen bei dem in 11 gezeigten Beispiel einen kreisförmigen Querschnitt. Beliebige andere polygonale Querschnitte können jedoch ebenfalls realisiert werden.
  • Ohne darauf beschränkt zu sein, veranschaulichen die nachfolgenden nummerierten Beispiele einen oder mehrere Aspekte der vorliegenden Beschreibung.
  • Beispiel 1. Transistorbauelement mit einer Transistorzelle, die aufweist: ein Driftgebiet, ein Sourcegebiet, ein Bodygebiet und ein Draingebiet in einem Halbleiterkörper, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist und das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die benachbart zu dem Bodygebiet angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; und eine Feldelektrode, die benachbart zu dem Driftgebiet angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet in einem Mesagebiet benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets wenigstens abschnittsweise zunimmt.
  • Beispiel 2. Transistorbauelement nach Beispiel 1, bei dem ein Verhältnis zwischen einer maximalen Dicke und einer minimalen Dicke des Feldelektrodendielektrikums wenigstens 1,2, wenigstens 1,4, wenigstens 1,7 oder wenigstens zwischen 2 und 5 oder wenigstens 10 beträgt.
  • Beispiel 3. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 17, bei dem die Dicke des Feldelektrodendielektrikums stetig zunimmt.
  • Beispiel 4. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 3, bei dem die Dicke des Feldelektrodendielektrikums stufenweise zunimmt.
  • Beispiel 5. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 4, bei dem ein Verhältnis zwischen einer maximalen Dotierungskonzentration und einer minimalen Dotierungskonzentration in dem Mesagebiet benachbart zu der Feldelektrode wenigstens 2 beträgt.
  • Beispiel 6. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 5, bei dem die Dotierungskonzentration des Driftgebiets in dem Mesagebiet über wenigstens 30%, wenigstens 50%, wenigstens 70% oder wenigstens 90% einer Länge des Driftgebiets in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements zunimmt.
  • Beispiel 7. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 6, bei dem die Feldelektrode und das Feldelektrodendielektrikum in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements zu dem Draingebiet beabstandet sind, wobei die Dotierungskonzentration des Driftgebiets in einem Abschnitt zwischen dem Feldelektrodendielektrikum und dem Draingebiet in Richtung des Draingebiets zunimmt.
  • Beispiel 8. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 7, bei dem das Sourcegebiet und die Feldelektrode an einen Sourceanschluss angeschlossen sind.
  • Beispiel 9. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 8, bei dem die Gateelektrode und die Feldelektrode an einen Gateanschluss angeschlossen sind.
  • Beispiel 10. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 9, bei dem die Gateelektrode und die Feldelektrode in einem gemeinsamen Graben in dem Halbleiterkörper angeordnet sind.
  • Beispiel 11. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 10, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen aufweist, wobei die Gateelektroden der mehreren Transistorzellen durch erste streifenförmige Elektroden gebildet sind und wobei die Feldelektroden der mehreren Transistorzellen durch zweite streifenförmige Elektroden gebildet sind.
  • Beispiel 12. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 11, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen aufweist, wobei die Gateelektroden der mehreren Transistorzellen eine gemeinsame gitterförmige Elektrode bilden und wobei die Feldelektroden der mehrerer Transistorzellen eine gemeinsame gitterförmige Elektrode bilden.
  • Beispiel 13. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 12, bei dem die Gateelektrode und die Feldelektrode in separaten Gräben in dem Halbleiterkörper angeordnet sind.
  • Beispiel 14. Transistorbauelement nach einer beliebigen Kombination der Beispiele 1 bis 13, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen aufweist, wobei die Gateelektroden der mehreren Transistorzellen durch eine gemeinsame gitterförmige Elektrode gebildet ist und wobei die Feldelektroden der mehreren Transistorzellen jeweils durch säulenförmige Elektroden gebildet sind.
  • Die zuvor erläuterten Beispiele dienen lediglich zur Veranschaulichung, wie die Erfindung umgesetzt werden kann. Verschiedene Modifikationen und Kombinationen dieser Beispiele, wie auch andere Beispiele sind selbstverständlich möglich.

Claims (14)

  1. Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, und eine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.
  2. Transistorbauelement nach Anspruch 1, bei dem ein Verhältnis zwischen einer maximalen Dicke (d322) und einer minimalen Dicke (d321) des Feldelektrodendielektrikums wenigstens 1,2, wenigstens 1,4, wenigstens 1,7 oder wenigstens zwischen 2 und 5 oder wenigstens 10 beträgt.
  3. Transistorbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Dicke des Feldelektrodendielektrikums stetig zunimmt.
  4. Transistorbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Dicke des Feldelektrodendielektrikums stufenweise zunimmt.
  5. Transistorbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Verhältnis zwischen einer maximalen Dotierungskonzentration und einer minimalen Dotierungskonzentration in dem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode (31) wenigstens 2 beträgt.
  6. Transistorbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Dotierungskonzentration des Driftgebiets (11) in dem Mesagebiet (111) über wenigstens 30%, wenigstens 50%, wenigstens 70% oder wenigstens 90% einer Länge des Driftgebiets (11) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements zunimmt.
  7. Transistorbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Feldelektrode (31) und das Feldelektrodendielektrikum (32) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements zu dem Draingebiet (14) beabstandet sind, wobei die Dotierungskonzentration des Driftgebiets (11) in einem Abschnitt zwischen dem Feldelektrodendielektrikum (32) und dem Draingebiet (14) in Richtung des Draingebiets (14) zunimmt.
  8. Transistorbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Sourcegebiet (12) und die Feldelektrode (31) an einen Sourceanschluss (S) angeschlossen sind.
  9. Transistorbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Gateelektrode (11) und die Feldelektrode (31) an einen Gateanschluss (G) angeschlossen sind.
  10. Transistorbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Gateelektrode (21) und die Feldelektrode (31) in einem gemeinsamen Graben (11) in dem Halbleiterkörper angeordnet sind.
  11. Transistorbauelement nach Anspruch 10, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen (10) aufweist, wobei die Gateelektroden (21) der mehreren Transistorzellen (10) durch erste streifenförmige Elektroden gebildet sind und wobei die Feldelektroden (31) der mehreren Transistorzellen (10) durch zweite streifenförmige Elektroden gebildet sind.
  12. Transistorbauelement nach Anspruch 10, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen (10) aufweist, wobei die Gateelektroden (21) der mehreren Transistorzellen (10) eine gemeinsame gitterförmige Elektrode bilden und wobei Feldelektroden (31) der mehrerer Transistorzellen eine gemeinsame gitterförmige Elektrode bilden.
  13. Transistorbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Gateelektrode (21) und die Feldelektrode (31) in separaten Gräben (11) in dem Halbleiterkörper angeordnet sind.
  14. Transistorbauelement nach Anspruch 10, wobei das Transistorbauelement mehrere Transistorzellen (10) aufweist, wobei die Gateelektroden der mehreren Transistorzellen (10) durch eine gemeinsame gitterförmige Elektrode gebildet ist und wobei die Feldelektroden der mehreren Transistorzellen (10) jeweils durch säulenförmige Elektroden gebildet sind.
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