DE102017130476A1

DE102017130476A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Info

Publication number: DE102017130476A1
Application number: DE102017130476.2A
Authority: DE
Inventors: Daniel Richter; Daniel Leisen
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2017-12-19
Filing date: 2017-12-19
Publication date: 2019-06-19
Also published as: US20190207070A1

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine Kavität mit einem Boden aufweist. An dem Boden in der Kavität ist ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. In der Kavität ist ein Vergusskörper angeordnet. Ein erster Bereich des Vergusskörpers weist einen höheren Gehalt an Füllstoff auf als ein zweiter Bereich des Vergusskörpers. Der erste Bereich des Vergusskörpers grenzt an den Boden der Kavität an.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Optoelektronische Bauelemente, bei denen ein optoelektronischer Halbleiterchip in einer Kavität eines Gehäuses angeordnet ist, sind aus dem Stand der Technik bekannt. Es ist bekannt, die Kavitäten bei solchen optoelektronischen Bauelementen mit einem Verguss zu befüllen, in den der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet wird.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement und durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine Kavität mit einem Boden aufweist. In der Kavität ist ein optoelektronischer Halbleiterchip an dem Boden angeordnet. Außerdem ist in der Kavität ein Vergusskörper angeordnet. Ein erster Bereich des Vergusskörpers weist einen höheren Gehalt an Füllstoff auf als ein zweiter Bereich des Vergusskörpers. Der erste Bereich des Vergusskörpers grenzt an den Boden der Kavität an.
Dadurch, dass der erste Bereich des Vergusskörpers dieses optoelektronischen Bauelements einen höheren Gehalt an Füllstoff aufweist als der zweite Bereich des Vergusskörpers, kann der erste Bereich des Vergusskörpers einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der näher an einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses liegt als ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des zweiten Bereichs des Vergusskörpers. Wenn sich die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des ersten Bereichs des Vergusskörpers und des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements weniger stark voneinander unterscheiden, treten bei diesem optoelektronischen Bauelement bei Temperaturänderungen weniger starke thermische Verspannungen zwischen dem Boden des Gehäuses und dem ersten Bereich des Vergusskörpers auf. In diesem Fall besteht bei dem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise eine reduzierte Gefahr einer unerwünschten Delamination des Vergusskörpers von dem Boden der Kavität. Dies geht vorteilhafterweise mit einer reduzierten Ausfallwahrscheinlichkeit des optoelektronischen Bauelements einher.
Da der zweite Bereich des Vergusskörpers dieses optoelektronischen Bauelements einen niedrigeren Gehalt an Füllstoff aufweist als der erste Bereich des Vergusskörpers, kann erreicht werden, dass es im zweiten Bereich des Vergusskörpers nur in geringem Maße zu einer Streuung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittiertem Licht an dem Füllstoff kommt. Eine geringere Streuung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht kann vorteilhafterweise mit einer geringeren Lichtabsorption einhergehen. Beispielsweise kann durch eine reduzierte Lichtstreuung erreicht werden, dass weniger von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht zu einer Wandung der Kavität des Gehäuses gestreut und dort absorbiert wird. Dadurch wird es ermöglicht, dass es bei diesem optoelektronischen Bauelement nur zu geringen Helligkeitsverlusten durch Streuung und Absorption kommt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Vergusskörper ein Epoxid auf. Vorteilhafterweise kann der Vergusskörper dadurch einfach und kostengünstig hergestellt werden und weist eine hohe Beständigkeit auf.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse ein Polyphthalamid auf. Vorteilhafterweise kann das Gehäuse dadurch einfach und kostengünstig hergestellt werden und weist eine hohe Beständigkeit auf.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse einen eingebetteten Leiterrahmen auf. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip auf einem an dem Boden der Kavität freiliegenden Abschnitt des Leiterrahmens angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht der in das Gehäuse eingebettete Leiterrahmen eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise als oberflächenmontierbares Bauelement (SMD-Bauelement) ausgebildet sein.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Füllstoff SiO₂ auf. Der Füllstoff kann beispielsweise in Form von Partikeln in dem Vergusskörper angeordnet sein. Vorteilhafterweise weist SiO₂ einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Dadurch eignet sich ein SiO₂ aufweisender Füllstoff dazu, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten eines mit diesem Füllstoff gefüllten Vergusskörpers abzusenken. Ein weiterer Vorteil eines SiO₂ aufweisenden Füllstoffs kann darin bestehen, dass ein SiO₂ aufweisender Füllstoff einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen kann wie ein Matrixmaterial des den Füllstoff enthaltenden Vergusskörpers. Außerdem kann ein SiO₂ aufweisender Füllstoff für von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung weitgehend transparent sein.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip vollständig in den ersten Bereich des Vergusskörpers eingebettet. Vorteilhafterweise lässt sich das optoelektronische Bauelement in diesem Fall besonders einfach und kostengünstig herstellen. Die vollständige Einbettung des optoelektronischen Halbleiterchips in den ersten Bereich des Vergusskörpers kann es außerdem ermöglichen, sicherzustellen, dass der Boden der Kavität ausschließlich an den ersten Bereich des Vergusskörpers angrenzt, nicht an den zweiten Bereich des Vergusskörpers.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip derart in den ersten Bereich des Vergusskörpers eingebettet, dass eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht im ersten Bereich des Vergusskörpers angeordnet ist. Die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips kann dabei eine strahlungsemittierende Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips sein. Vorteilhafterweise gelangt von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung dann nicht in den einen höheren Gehalt an Füllstoff aufweisenden ersten Bereich des Vergusskörpers. Stattdessen kann von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung direkt in den zweiten Bereich des Vergusskörpers gelangen, der einen niedrigeren Gehalt an Füllstoff aufweist als der erste Bereich des Vergusskörpers. Dadurch kann erreicht werden, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung nur in geringem Maße an in dem Vergusskörper enthaltenem Füllstoff gestreut wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Bereich des Vergusskörpers eingebettete Rußpartikel auf. Zusätzlich oder alternativ kann der erste Bereich des Vergusskörpers eingebettete Partikel aufweisen, die TiO₂ aufweisen. Durch in den ersten Bereich des Vergusskörpers eingebettete Rußpartikel kann es erreicht werden, dass der erste Bereich des Vergusskörpers eine dunkle Farbe aufweist, wodurch sich ein starker Helligkeitskontrast zu dem lichtemittierenden optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements ergeben kann. Durch in den ersten Bereich des Vergusskörpers eingebettete Partikel, die TiO₂ aufweisen, kann es erreicht werden, dass der erste Bereich des Vergusskörpers eine helle Farbe aufweist, wodurch der erste Bereich des Vergusskörpers eine hohe Reflektivität und eine geringe Absorptionsfähigkeit aufweisen kann.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Bereich des Vergusskörpers einen Gehalt an Füllstoff von 20 Gewichtsprozent bis 60 Gewichtsprozent auf. Vorteilhafterweise kann durch einen derart hohen Gehalt an Füllstoff eine deutliche Beeinflussung eines thermischen Ausdehnungskoeffizienten des ersten Bereichs des Vergusskörpers durch den Füllstoff erreicht werden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der zweite Bereich des Vergusskörpers einen Gehalt an Füllstoff von 0 Gewichtsprozent bis 20 Gewichtsprozent auf. Vorteilhafterweise kann durch einen derart niedrigen Gehalt an Füllstoff erreicht werden, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht im zweiten Bereich des Vergusskörpers nur in geringem Maße gestreut wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements unterscheidet sich ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs des Vergusskörpers von einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des zweiten Bereichs des Vergusskörpers. Vorteilhafterweise kann der erste Bereich des Vergusskörpers dadurch einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der an einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angenähert oder angeglichen ist. Dadurch kann es erreicht werden, dass es zwischen dem Boden der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements und dem ersten Bereich des Vergusskörpers nur zu geringen thermischen Verspannungen kommt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements liegt der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs des Vergusskörpers näher an einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses als der thermische Ausdehnungskoeffizient des zweiten Bereichs des Vergusskörpers. Vorteilhafterweise kann dadurch erreicht werden, dass sich zwischen dem Boden der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements und dem ersten Bereich des Vergusskörpers unter dem Einfluss von Temperaturänderungen nur geringe thermische Verspannungen ergeben.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritten zum Bereitstellen eines Gehäuses, das eine Kavität mit einem Boden aufweist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips an dem Boden in der Kavität, und zum Ausbilden eines Vergusskörpers, der in einem ersten Bereich einen höheren Gehalt an Füllstoff aufweist als in einem zweiten Bereich, in der Kavität, wobei der erste Bereich des Vergusskörpers an den Boden der Kavität angrenzt.
Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem der an den Boden der Kavität angrenzende erste Bereich des Vergusskörpers einen anderen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen kann als der zweite Bereich des Vergusskörpers. Dadurch kann der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs des Vergusskörpers bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements näher an einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeglichen sein als der thermische Ausdehnungskoeffizient des zweiten Bereichs des Vergusskörpers. Dadurch kann es erreicht werden, dass bei einem nach diesem Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelement unter dem Einfluss von Temperaturänderungen nur geringe thermische Verspannungen zwischen dem Boden der Kavität des Gehäuses und dem ersten Bereich des Vergusskörpers entstehen. Hierdurch kann für ein durch dieses Verfahren erhältliches optoelektronisches Bauelement nur eine reduzierte Gefahr einer Beschädigung oder Zerstörung durch thermische Einflüsse bestehen.
Da der zweite Bereich des Vergusskörpers eines nach diesem Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelements nur einen niedrigeren Gehalt an Füllstoff aufweist, ist es möglich, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht nur in geringem Maße im zweiten Bereich des Vergusskörpers gestreut wird. Dadurch können Streu- und Absorptionsverluste bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement gering sein.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Ausbilden des Vergusskörpers Schritte zum Anordnen eines ersten Vergussmaterials in der Kavität, um den ersten Bereich des Vergusskörpers zu bilden, und zum Anordnen eines zweiten Vergussmaterials in der Kavität, um den zweiten Bereich des Vergusskörpers zu bilden. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache Ausbildung des Vergusskörpers. Durch die Nutzung getrennter Arbeitsschritte zum Anordnen des ersten Vergussmaterials und zum Anordnen des zweiten Vergussmaterials können die Mengen des ersten Vergussmaterials und des zweiten Vergussmaterials auf einfache Weise präzise festgelegt werden. Dies ermöglicht es, auch die Größen des ersten Bereichs des Vergusskörpers und des zweiten Bereichs des Vergusskörpers auf einfache Weise festzulegen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des ersten Vergussmaterials durch einen ersten Nadeldosierprozess. Vorteilhafterweise eignen sich Nadeldosierprozesse für eine schnelle und reproduzierbare Massenfertigung.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des ersten Vergussmaterials durch Jetting. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine präzise Festlegung des Orts innerhalb der Kavität des Gehäuses, an dem das erste Vergussmaterial angeordnet und dadurch der erste Bereich des Vergusskörpers ausgebildet wird.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des zweiten Vergussmaterials durch einen zweiten Nadeldosierprozess. Vorteilhafterweise kann auch das Anordnen des zweiten Vergussmaterials dadurch auf reproduzierbare Weise im Rahmen einer Massenfertigung erfolgen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der erste Bereich des Vergusskörpers vor dem Anordnen des zweiten Vergussmaterials ausgehärtet. Vorteilhafterweise wird dadurch eine unerwünschte Durchmischung des ersten Vergussmaterials und des zweiten Vergussmaterials in der Kavität des Gehäuses verhindert.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Ausbilden des Vergusskörpers Schritte zum Anordnen eines Vergussmaterials in der Kavität und zum Absinkenlassen von in dem Vergussmaterial enthaltenem Füllstoff zum Boden der Kavität. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine Ausbildung des Vergusskörpers mit nur einem Prozessschritt zum Anordnen von Vergussmaterial in der Kavität. Dadurch ist dieses Verfahren besonders einfach, schnell und kostengünstig durchführbar.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

1 eine geschnittene Seitenansicht eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements in einem unfertigen Bearbeitungsstand;
2 das Gehäuse nach dem Anordnen eines ersten Vergussmaterials in einer Kavität des Gehäuses;
3 das Gehäuse nach dem Anordnen eines zweiten Vergussmaterials in der Kavität;
4 das Gehäuse nach dem Anordnen eines ersten Vergussmaterials in der Kavität durch ein alternatives Verfahren;
5 das Gehäuse nach dem Anordnen eines zweiten Vergussmaterials in der Kavität;
6 das Gehäuse nach dem Anordnen eines Vergussmaterials in der Kavität durch ein weiteres alternatives Verfahren; und
7 das Gehäuse nach einem Absinken von in dem Vergussmaterial enthaltenem Füllstoff.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehenen Gehäuses 100. Dargestellt ist ein unfertiger Bearbeitungsstand während der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10.
Das Gehäuse 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Das Gehäuse 100 weist eine zu der Oberseite 101 geöffnete Kavität 110 auf. Die Kavität 110 erstreckt sich von einem am Grund der Kavität 110 ausgebildeten Boden 120 der Kavität 110 bis zu einer an der Oberseite 101 des Gehäuses 100 ausgebildeten Öffnung 130 der Kavität. Dabei weitet sich die Kavität 110 des Gehäuses 100 im dargestellten Beispiel vom Boden 120 zur Öffnung 130 hin konisch auf. Diese Ausgestaltung ist jedoch nicht zwingend. Alternativ könnte die Kavität 110 beispielsweise zylindrisch geformt sein.
Das Gehäuse 100 kann durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein, beispielsweise durch Spritzgießen (Injection Molding) oder durch Spritzpressen (Transfer Molding). Das Gehäuse 100 weist ein Kunststoffmaterial auf. Beispielsweise kann das Gehäuse ein Polyphthalamid (PPA) aufweisen.
Im dargestellten Beispiel weist das Gehäuse 100 einen eingebetteten Leiterrahmen 150 mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt 160 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 170 auf. Die Leiterrahmenabschnitte 160, 170 des Leiterrahmens 150 können bereits während der Herstellung des Gehäuses 100 in das Material des Gehäuses 100 eingebettet worden sein. Der Leiterrahmen 150 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 160 des Leiterrahmens 150 weist einen am Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 freiliegenden Chipaufnahmeabschnitt 161 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 160 erstreckt sich von dem Chipaufnahmeabschnitt 161 durch das Gehäuse 100 bis zu einem an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 freiliegenden ersten Kontaktabschnitt 161 des ersten Leiterrahmenabschnitts 160. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 170 des Leiterrahmens 150 weist einen am Boden 120 der Kavität 110 freiliegenden Bondabschnitt 171 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 170 erstreckt sich von dem Bondabschnitt 171 durch das Gehäuse 100 bis zu einem an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 freiliegenden zweiten Kontaktabschnitt 172.
Der Chipaufnahmeabschnitt 161 und der Bondabschnitt 171 der Leiterrahmenabschnitte 160, 170 sind zur Aufnahme und elektrischen Anbindung eines optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird.
Der erste Kontaktabschnitt 162 und der zweite Kontaktabschnitt 172 der Leiterrahmenabschnitte 160, 170 sind zur Montage und elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen. Das optoelektronische Bauelement 10 kann im dargestellten Beispiel ein oberflächenmontierbares SMD-Bauelement sein, das sich beispielsweise für eine elektrische Kontaktierung durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) eignen kann.
Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann auch anders ausgebildet sein, als dies in 1 beispielhaft dargestellt ist. Beispielsweise kann der in das Gehäuse 100 eingebettete Leiterrahmen 150 anstelle der Kontaktabschnitte 162, 172 an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 angeordnete Kontaktstifte aufweisen, die eine Montage und elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 durch Durchsteckmontage ermöglichen. Ebenfalls möglich ist, dass das Gehäuse 100 anstelle des eingebetteten Leiterrahmens 150 eingebettete Durchkontakte aufweist, die elektrisch leitende Verbindungen zwischen dem Boden 120 der Kavität 110 und der Unterseite 102 des Gehäuses 100 herstellen.
In der Kavität 110 des Gehäuses 100 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise ein lichtemittierender optoelektronischer Halbleiterchip sein, insbesondere beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip). Der optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 kann eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 200 bilden, an der im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 200 elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, emittiert wird.
Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist derart auf dem am Boden 120 der Kavität 110 freiliegenden Chipaufnahmeabschnitt 161 des ersten Leiterrahmenabschnitts 160 angeordnet, dass die Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 dem Chipaufnahmeabschnitt 161 zugewandt ist. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip 200 derart elektrisch leitend an dem Chipaufnahmeabschnitt 161 befestigt, dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einer an der Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 160 besteht. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 mittels eines Lots oder eines elektrisch leitenden Klebers an dem Chipaufnahmeabschnitt 161 des ersten Leiterrahmenabschnitts 160 befestigt sein. Eine an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnete elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist mittels eines Bonddrahts 210 elektrisch leitend mit dem Bondabschnitt 171 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 170 des Gehäuses 100 verbunden.
Der optoelektronische Halbleiterchip 200 könnte auch auf andere Weise am Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 befestigt und elektrisch kontaktiert sein. Beispielsweise können beide elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnet sein. In diesem Fall können beide elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 jeweils über einen Bonddraht 210 mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 160 beziehungsweise dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 170 verbunden sein. In diesem Fall kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 auf dem Chipaufnahmeabschnitt 161 des ersten Leiterrahmenabschnitts 160 oder auf einem anderen Abschnitt des Bodens 120 der Kavität 110 angeordnet sein. Möglich ist auch, dass beide elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 an der Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnet sind. In diesem Fall kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 derart auf den am Boden 120 der Kavität 110 freiliegenden Abschnitten 161, 171 der Leiterrahmenabschnitte 160, 170 angeordnet sein, dass elektrische leitende Verbindungen zwischen den elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 160 beziehungsweise dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 170 gebildet sind.
2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
In der Kavität 110 des Gehäuses 100 ist ein erstes Vergussmaterial 315 angeordnet worden, um einen ersten Bereich 310 eines Vergusskörpers 300 zu bilden. Das Anordnen des ersten Vergussmaterials 315 in der Kavität 310 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren (Dispensverfahren) erfolgt sein, beispielsweise durch einen Nadeldosierprozess.
Das erste Vergussmaterial 315 ist so in die Kavität 110 eingebracht worden, dass der durch das erste Vergussmaterial 315 gebildete erste Bereich 310 des Vergusskörpers 300 an den Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 angrenzt. Zweckmäßig ist, das erste Vergussmaterial 315 so in die Kavität 110 des Gehäuses 100 einzubringen, dass der Boden 120 der Kavität 110 vollständig durch den durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 bedeckt ist.
Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist durch das in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordnete erste Vergussmaterial 315 vollständig bedeckt worden, sodass der optoelektronische Halbleiterchip 200 vollständig in den durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 eingebettet ist. Das bedeutet, dass die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und sich zwischen Oberseite 201 und Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 erstreckende Seitenflanken des optoelektronischen Halbleiterchips 200 durch das erste Vergussmaterial 315 beziehungsweise den durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 bedeckt sind.
Im in 2 gezeigten Beispiel ist auch der Bonddraht 210 vollständig in den durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 eingebettet. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich.
Es ist zweckmäßig, dass die Bedeckung der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 durch den ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 möglichst dünn ist. Es ist auch möglich, dass die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 überhaupt nicht durch das erste Vergussmaterial 315 bedeckt wird, wenn das zum Anordnen des ersten Vergussmaterials 315 in der Kavität 110 genutzte Verfahren dies erlaubt.
Das erste Vergussmaterial 315 weist ein Matrixmaterial 330 und einen in das Matrixmaterial 330 eingebetteten Füllstoff 340 auf. Der Füllstoff 340 kann beispielsweise zwischen 20 Gewichtsprozent und 60 Gewichtsprozent des ersten Vergussmaterials 315 ausmachen. Das Matrixmaterial 330 kann beispielsweise ein Epoxid aufweisen. Der Füllstoff 340 kann beispielsweise SiO₂ aufweisen.
Der Füllstoff 340 weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der sich von einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Matrixmaterials 330 unterscheidet. Dabei kann der thermische Ausdehnungskoeffizient des Füllstoffs 340 beispielsweise niedriger sein als der thermische Ausdehnungskoeffizient des Matrixmaterials 330. Beispielsweise kann der Füllstoff 340 einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 5 × 10^-6/K aufweisen. Das Matrixmaterial 330 kann beispielsweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 60 × 10^-6/K aufweisen. Der Füllstoff 340 ist dazu vorgesehen, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des das Matrixmaterial 330 und den Füllstoff 340 umfassenden ersten Vergussmaterials 315 gegenüber dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Matrixmaterials 330 ohne den Füllstoff 340 zu reduzieren. Beispielsweise kann das erste Vergussmaterial 315 einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 35 × 10^-6/K aufweisen.
Es ist zweckmäßig, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Vergussmaterials 315 einen ähnlichen Wert aufweist wie der thermische Ausdehnungskoeffizient des Materials des Bodens 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100. Hierzu kann der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Vergussmaterials 315 beispielsweise an einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Materials des Gehäuses 100, an einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Materials des Leiterrahmens 150 oder an einen effektiven thermischen Ausdehnungskoeffizienten des das Material des Gehäuses 100 und die freiliegenden Abschnitte 161, 171 des Leiterrahmens 150 aufweisenden Bodens 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 angepasst sein.
3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in 2 gezeigten Bearbeitungsstand ist ein zweites Vergussmaterial 325 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordnet worden, um einen zweiten Bereich 320 des Vergusskörpers 300 zu bilden. Das zweite Vergussmaterial 325 ist dabei über dem ersten Vergussmaterial 315 angeordnet worden und füllt die Kavität 110 im Wesentlichen vollständig auf. Der durch das erste Vergussmaterial 315 gebildete erste Bereich 310 und der durch das zweite Material 325 gebildete zweite Bereich 320 bilden gemeinsam den in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordneten Vergusskörper 300.
Das Anordnen des zweiten Vergussmaterials 325 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren (Dispensverfahren) erfolgt sein, beispielsweise durch einen Nadeldosierprozess. Auch ein Anordnen des zweiten Vergussmaterials 325 durch Jetting ist möglich.
Das zweite Vergussmaterial 325 weist dasselbe Matrixmaterial 330 auf wie das erste Vergussmaterial 315. Das zweite Vergussmaterial 325 kann zusätzlich einen Gehalt des Füllstoffs 340 aufweisen. Der Gehalt des Füllstoffs 340 ist dabei bei dem ersten Vergussmaterial 315 höher als bei dem zweiten Vergussmaterial 325. Das zweite Vergussmaterial 325 kann beispielsweise einen Gehalt des Füllstoffs 340 aufweisen, der zwischen 0 Gewichtsprozent und 20 Gewichtsprozent liegt. Das bedeutet, dass der Füllstoff 340 bei dem zweiten Vergussmaterial 325 auch vollständig entfallen kann.
Da das erste Vergussmaterial 315 einen anderen Gehalt an Füllstoff 340 aufweist als das zweite Vergussmaterial 325, unterscheiden sich der thermische Ausdehnungskoeffizient des durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereichs 310 des Vergusskörpers 300 und ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des durch das zweite Vergussmaterial 325 gebildeten zweiten Bereichs 320 des Vergusskörpers 300 voneinander. Dabei liegt der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs 310 des Vergusskörpers 300 näher an dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Bodens 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 als der thermische Ausdehnungskoeffizient des zweiten Bereichs 320 des Vergusskörpers 300.
Nach dem Anordnen des zweiten Vergussmaterials 325 in der Kavität 110 kann ein Prozessschritt zum Aushärten des Vergusskörpers 300 erfolgen. Optional kann zusätzlich oder alternativ auch bereits nach dem Anordnen des ersten Vergussmaterials 315 in der Kavität 110 und vor dem Anordnen des zweiten Vergussmaterials 325 in der Kavität 110 ein Prozessschritt zum Aushärten des ersten Bereichs 310 des Vergusskörpers 300 erfolgen.
Im in 3 dargestellten Bearbeitungsstand kann die Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 abgeschlossen sein. Es können aber auch noch weitere, dem in 3 gezeigten Bearbeitungsstand nachfolgende Bearbeitungsschritte erfolgen. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise in einer für den Außenbereich vorgesehenen Videowand Verwendung finden.
Anhand der 4 und 5 wird nachfolgend ein alternatives Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 20 erläutert. Das nachfolgend beschriebene Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 20 weist große Übereinstimmungen mit dem vorstehend anhand der 1 bis 3 beschriebenen Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10 auf. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen den Herstellungsverfahren und die Unterschiede zwischen den durch die Herstellungsverfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelementen 10, 20 beschrieben. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung auch für das nachfolgend erläuterte Verfahren und für das optoelektronische Bauelement 20.
Das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 20 geht von dem in 1 gezeigten Gehäuse 100 in dem in 1 gezeigten Bearbeitungsstand aus. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in 1 gezeigten Bearbeitungsstand ist das erste Vergussmaterial 315 in der Kavität 310 des Gehäuses 100 angeordnet worden, um den ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 zu bilden. Dabei ist das erste Vergussmaterial 315 allerdings so angeordnet worden, dass die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 nicht durch das erste Vergussmaterial 315 bedeckt worden ist und somit nicht in dem durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 angeordnet ist.
Das Anordnen des ersten Vergussmaterials 315 kann beispielsweise durch Jetting erfolgt sein. Mit Jetting wird ein Verfahren bezeichnet, bei dem sehr kleine Tröpfchenmengen mittels einer Düse an einen Zielort, in diesem Fall den Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100, geschossen werden. Das Verfahren kann es ermöglichen, das erste Vergussmaterial 315 derart gezielt am Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 anzuordnen, dass die Oberseite 201 des am Boden 120 der Kavität 110 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 nicht durch das erste Vergussmaterial 315 bedeckt wird. Zweckmäßig ist, wenn die nicht durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 bedeckten Abschnitte des Bodens 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 dabei vollständig durch das erste Vergussmaterial 315 bedeckt werden.
Das auf diese Weise in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordnete erste Vergussmaterial 315 kann neben dem Füllstoff 340 weiteres in das Matrixmaterial 330 eingebettetes Material aufweisen. Beispielsweise kann das erste Vergussmaterial 315 eingebettete Rußpartikel oder andere Farbpartikel aufweisen, um dem ersten Vergussmaterial 315 und dem durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 eine dunkle, lichtabsorbierende Farbe zu geben. Alternativ kann das erste Vergussmaterial 315 eingebettete Partikel aufweisen, die TiO₂ aufweisen, um dem ersten Vergussmaterial 315 und dem durch das erste Vergussmaterial 315 gebildeten ersten Bereich 310 des Vergusskörpers 300 eine lichtreflektierende, helle Farbe zu geben. Es ist jedoch nicht zwingend erforderlich, dass das erste Vergussmaterial 315 neben dem Füllstoff 340 weiteres in das Matrixmaterial 330 eingebettetes Material aufweist.
5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in 4 gezeigten Bearbeitungsstand ist das zweite Vergussmaterial 325 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordnet worden, um den zweiten Bereich 320 des Vergusskörpers 300 zu bilden. Das Anordnen des zweiten Vergussmaterials 325 kann genauso erfolgt sein, wie bei dem vorstehend anhand der 3 erläuterten Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10.
Wie bei dem optoelektronischen Bauelement 10 weist der erste Bereich 310 des Vergusskörpers 300 auch bei dem optoelektronischen Bauelement 20 einen höheren Gehalt an Füllstoff 340 auf als der zweite Bereich 320 des Vergusskörpers 300.
Nachfolgend wird anhand der 6 und 7 ein weiteres alternatives Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 30 beschrieben. Das nachfolgend beschriebene Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 30 und das durch das nachfolgend beschriebene Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement 30 weisen große Übereinstimmungen mit dem anhand der 1 bis 3 beschriebenen Herstellungsverfahren und dem anhand der 1 bis 3 beschriebenen optoelektronischen Bauelement 10 auf. Nachfolgend wird lediglich beschrieben, in welchen Aspekten sich die Herstellungsverfahren und die durch die Herstellungsverfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelemente 10, 30 voneinander unterscheiden. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung auch für das nachfolgend beschriebene Verfahren und für das optoelektronische Bauelement 30.
Das Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 30 geht von dem in 1 gezeigten Gehäuse 100 in dem in 1 gezeigten Bearbeitungsstand aus. 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in 1 gezeigten Bearbeitungsstand ist in der Kavität 110 des Gehäuses 100 ein Vergussmaterial 350 angeordnet worden. Das Vergussmaterial 350 ist dabei so in der Kavität 110 angeordnet worden, dass die Kavität 110 durch das Vergussmaterial 350 im Wesentlichen vollständig ausgefüllt wird. Dabei grenzt das Vergussmaterial 350 an den Boden 120 der Kavität 110 des Gehäuses an und bedeckt den optoelektronischen Halbleiterchip 200 und den Bonddraht 210 derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip 200 und der Bonddraht 210 in das Vergussmaterial 350 eingebettet sind. Das Anordnen des Vergussmaterials 350 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren erfolgt sein, beispielsweise durch einen Nadeldosierprozess.
Das Vergussmaterial 350 weist ein Matrixmaterial 330 und einen in das Matrixmaterial 330 eingebetteten Füllstoff 340 auf. Das Matrixmaterial 330 und der Füllstoff 340 können so ausgebildet sein wie bei dem vorstehend anhand der 2 bis 5 beschriebenen ersten Vergussmaterial 315 oder dem zweiten Vergussmaterial 325. Insbesondere kann der Gehalt des Füllstoffs 340 bei dem Vergussmaterial 350 zwischen den für das erste Vergussmaterial 315 und für das zweite Vergussmaterial 325 angegebenen Werten des Gehalts des Füllstoffs 340 liegen. Der Füllstoff 340 ist in dem Vergussmaterial 350 nach dem Anordnen des Vergussmaterials 350 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 zunächst im Wesentlichen homogen verteilt.
7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Gehäuses 100 in einem der Darstellung der 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Ausgehend von dem in 6 gezeigten Bearbeitungsstand ist der Füllstoff 340 in dem in der Kavität 110 des Gehäuses 100 angeordneten Vergussmaterial 350 in Richtung des Bodens 120 der Kavität 110 abgesunken. Dadurch haben sich in dem durch das Vergussmaterial 350 gebildeten Vergusskörper 300 ein an den Boden 120 der Kavität 110 angrenzender erster Bereich 310 und ein über dem ersten Bereich 310 angeordneter zweiter Bereich 320 herausgebildet. Der erste Bereich 310 des Vergusskörpers 300 weist einen höheren Gehalt an Füllstoff 340 auf als der zweite Bereich 320 des Vergusskörpers 300.
Das Absinken des Füllstoffs 340 in dem Vergussmaterial 350 kann allein durch die Einwirkung der Schwerkraft erfolgt sein. Das Absinken des Füllstoffs 340 kann aber auch forciert worden sein, beispielsweise durch einen Schleuderprozess oder durch anderes Bewegen des Gehäuses 100.
Nach dem Absinken des Füllstoffs 340 in dem Vergussmaterial 350 in der Kavität 110 des Gehäuses 100 kann ein weiterer Bearbeitungsschritt zum Aushärten des Vergussmaterials 350 beziehungsweise des durch das Vergussmaterial 350 gebildeten Vergusskörpers 300 erfolgen.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
Bezugszeichenliste

10: optoelektronisches Bauelement
20: optoelektronisches Bauelement
30: optoelektronisches Bauelement
100: Gehäuse
101: Oberseite
102: Unterseite
110: Kavität
120: Boden
130: Öffnung
150: Leiterrahmen
160: erster Leiterrahmenabschnitt
161: Chipaufnahmeabschnitt
162: erster Kontaktabschnitt
170: zweiter Leiterrahmenabschnitt
171: Bondabschnitt
172: zweiter Kontaktabschnitt
200: optoelektronischer Halbleiterchip
201: Oberseite
202: Unterseite
210: Bonddraht
300: Vergusskörper
310: erster Bereich
315: erstes Vergussmaterial
320: zweiter Bereich
325: zweites Vergussmaterial
330: Matrixmaterial
340: Füllstoff
350: Vergussmaterial

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) mit einem Gehäuse (100), das eine Kavität (110) mit einem Boden (120) aufweist, wobei an dem Boden (120) in der Kavität (110) ein optoelektronischer Halbleiterchip (200) angeordnet ist, wobei in der Kavität (110) ein Vergusskörper (300) angeordnet ist, wobei ein erster Bereich (310) des Vergusskörpers (300) einen höheren Gehalt an Füllstoff (340) aufweist als ein zweiter Bereich (320) des Vergusskörpers (300), wobei der erste Bereich (310) des Vergusskörpers (300) an den Boden (120) der Kavität (110) angrenzt.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 1, wobei der Vergusskörper (300) ein Epoxid aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (100) ein Polyphthalamid aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (100) einen eingebetteten Leiterrahmen (150) aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) auf einem an dem Boden (120) der Kavität (110) freiliegenden Abschnitt (161) des Leiterrahmens (150) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Füllstoff (340) SiO₂ aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) vollständig in den ersten Bereich (310) des Vergusskörpers (300) eingebettet ist.
Optoelektronisches Bauelement (20) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) derart in den ersten Bereich (310) des Vergusskörpers (300) eingebettet ist, dass eine Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) nicht im ersten Bereich (310) des Vergusskörpers (300) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Bereich (310) des Vergusskörpers (300) eingebettete Rußpartikel aufweist oder eingebettete Partikel aufweist, die TiO₂ aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Bereich (310) des Vergusskörpers (300) einen Gehalt an Füllstoff (340) von 20 Gewichtsprozent bis 60 Gewichtsprozent aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Bereich (320) des Vergusskörpers (300) einen Gehalt an Füllstoff (340) von 0 Gewichtsprozent bis 20 Gewichtsprozent aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs (310) des Vergusskörpers (300) von einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des zweiten Bereichs (320) des Vergusskörpers (300) unterscheidet.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 11, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient des ersten Bereichs (310) des Vergusskörpers (300) näher an einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Gehäuses (100) liegt als der thermische Ausdehnungskoeffizient des zweiten Bereichs (320) des Vergusskörpers (300).
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Gehäuses (100), das eine Kavität (110) mit einem Boden (120) aufweist; - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) an dem Boden (120) in der Kavität (110); - Ausbilden eines Vergusskörpers (300), der in einem erstem Bereich (310) einen höheren Gehalt (100) an Füllstoff (340) aufweist als in einem zweiten Bereich (320), in der Kavität (110), wobei der erste Bereich (310) des Vergusskörpers (300) an den Boden (120) der Kavität (110) angrenzt.
Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Ausbilden des Vergusskörpers (300) die folgenden Schritte umfasst: - Anordnen eines ersten Vergussmaterials (315) in der Kavität (110), um den ersten Bereich (310) des Vergusskörpers (300) zu bilden; - Anordnen eines zweiten Vergussmaterials (325) in der Kavität (110), um den zweiten Bereich (320) des Vergusskörpers (300) zu bilden.
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Anordnen des ersten Vergussmaterials (315) durch einen ersten Nadeldosierprozess erfolgt.
Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Anordnen des ersten Vergussmaterials (315) durch Jetting erfolgt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Anordnen des zweiten Vergussmaterials (325) durch einen zweiten Nadeldosierprozess erfolgt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei der erste Bereich (310) des Vergusskörpers (300) vor dem Anordnen des zweiten Vergussmaterials (325) ausgehärtet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Ausbilden des Vergusskörpers (300) die folgenden Schritte umfasst: - Anordnen eines Vergussmaterials (350) in der Kavität (110) ; - Absinkenlassen von in dem Vergussmaterial (350) enthaltenem Füllstoff (340) zum Boden (120) der Kavität (110).