DE102017113676A1 - Verfahren zum Beschichten eines Substrats sowie Beschichtungsanlage - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem Beschichtungsmaterial ist beschrieben, insbesondere mit einem Lack bzw. Fotolack, bei dem das Substrat (12) bereitgestellt wird. Das Beschichtungsmaterial wird auf die Oberseite (22) des Substrats (12) aufgebracht. Ein Gasstrom wird erzeugt, der ausgehend von der Unterseite (18) des Substrats (12) zur Oberseite (22) des Substrats (12) gerichtet ist, wobei der Gasstrom verhindert, dass sich ein Wulst des Beschichtungsmaterials am Rand (26) der Oberseite (22) des Substrats (12) bildet bzw. ein bereits entstandener Wulst durch den Gasstrom entfernt wird. Ferner ist eine Beschichtungsanlage (10) beschrieben.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einem Beschichtungsmaterial, insbesondere einem Lack bzw. Fotolack, sowie eine Beschichtungsanlage zum Aufbringen eines Lacks auf ein Substrat.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren und eine Anlage, das bzw. die zur Herstellung von mikrostrukturierten Bauteilen mittels Fotolithographie dienen. Mikrostrukturierte Bauteile sind unter anderem integrierte Schaltungen, Halbleiterchips oder mikro-elektromechanische Systeme (MEMS). Für das Fotolithografie-Verfahren wird ein Substrat (auch „Wafer“ genannt) verwendet, das mit einem Fotolack (auch „Resist“ genannt) beschichtet worden ist. Das beschichtete Substrat wird anschließend durch eine Maske belichtet, wobei sich die physikalischen und/oder chemischen Eigenschaften des Fotolacks aufgrund der Belichtung zumindest partiell ändern.
  • Der Fotolack wird auf das Substrat üblicherweise in einer Schicht aufgetragen. Hierbei ist es äußerst wichtig, dass die aufgetragene Lackschicht frei von Unebenheiten oder Partikeln ist. Aus dem Stand der Technik ist es daher bekannt, dass der Lack mittels eines Rotationsverfahrens auf das Substrat aufgebracht wird („spin coating“), sodass dieser möglichst gleichmäßig auf der Oberfläche des Substrats verteilt ist.
  • Es hat sich jedoch herausgestellt, dass aufgrund des Rotationsverfahrens ein Lackwulst am Rand der Oberseite des Substrats entstehen kann, da der Lack aufgrund der Zentrifugalkraft während der Rotation des Substrats nach radial außen gedrängt wird.
  • Im Stand der Technik wird dieser Lackwulst entweder manuell oder durch ein Lösungsmittel entfernt, was jedoch zu einem erhöhten Aufwand bei der Herstellung des beschichteten Substrats führt bzw. zu Verunreinigungen führen kann.
  • Zudem ist aus der KR 2010/0078033 A ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats bekannt, bei dem das Beschichtungsmaterial an der Oberseite des Substrats von einer der Oberseite zugeordneten Ausströmeinrichtung mit einem Gasstrom beaufschlagt wird. Der Gasstrom erzeugt dabei einen Druck auf das Beschichtungsmaterial, um einen Wulst bei dessen Entstehung zu verhindern bzw. das Beschichtungsmaterial eines bereits entstanden Wulsts wegzudrücken. Der so erzeugte Gasstrom trifft demnach auf die Oberseite direkt auf.
  • Der Fotolack stellt bei dem oben geschilderten konkreten Anwendungsgebiet das Beschichtungsmaterial dar. Bei anderen Anwendungsgebieten kann jedoch ein anderes Beschichtungsmaterial verwendet werden, beispielsweise ein fluidisches Material wie ein Aerogel. Auch ein Klebstoff, ein Asphalt oder Lehm können als Beschichtungsmaterialen in ihren jeweiligen Anwendungsgebieten verwendet werden, die mittels eines Rotationsverfahrens auf das Substrat aufgebracht werden. Auch trockene Materialien können in einem Rotationsverfahren aufgebracht werden, sodass auch diese als Beschichtungsmaterialen anzusehen sind.
  • Generell kann es bei mittels eines Rotationsverfahrens aufgebrachten Beschichtungsmaterialen vorkommen, dass das Beschichtungsmaterial einen Wulst am Rand des jeweiligen Substrats ausbildet, was unerwünscht ist.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist es, mit geringem Aufwand das Entstehen eines Wulsts des Beschichtungsmaterials zu verhindern bzw. einen Wulst wirkungsvoll mit einfachen Mitteln während des Beschichtungsverfahrens zu entfernen.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird unter anderem durch ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einem Beschichtungsmaterial gelöst, insbesondere mit einem Lack bzw. einem Fotolack, wobei zunächst ein Substrat bereitgestellt wird. Auf die Oberseite des Substrats wird das Beschichtungsmaterial aufgebracht. Zudem wird ein Gasstrom erzeugt, der ausgehend von der Unterseite des Substrats zur Oberseite des Substrats gerichtet ist, wobei der Gasstrom verhindert, dass sich ein Wulst des Beschichtungsmaterials am Rand der Oberseite des Substrats bildet bzw. ein bereits entstandener Wulst durch den Gasstrom entfernt wird.
  • Der Grundgedanke der Erfindung besteht darin zu verhindern, dass ein Wulst des Beschichtungsmaterials am Rand der Oberseite des Substrats überhaupt entsteht. Es ist daher nicht zwingend notwendig, einen Wulst nachträglich zu entfernen. Dies wird in einfacher Weise dadurch erreicht, dass ein geeigneter Gasstrom auf den unteren Rand des Substrates gerichtet wird. Es ist auch nicht notwendig, das beschichtete Substat in einer anderen Station nachträglich diesbezüglich zu bearbeiten. Da der Gasstrom dabei nicht direkt auf die Oberseite des Substrats gerichtet ist, wird die mit dem Beschichtungsmaterial beschichtete Oberfläche des Substrats nicht beeinträchtigt. Sofern während des Beschichtungsverfahrens ein Wulst entstehen sollte, kann dieser über den Gasstrom in einfacher Weise entfernt werden. Dementsprechend wird verhindert, dass sich ein Wulst dauerhaft bildet, der auch nach Abschluss des Beschichtungsverfahrens noch an der Oberseite des Substrats vorhanden wäre.
  • Ein Aspekt der Erfindung sieht vor, dass das Substrat beim Aufbringen des Beschichtungsmaterials gedreht wird, sodass sich das aufgebrachte Beschichtungsmaterial im Wesentlichen gleichmäßig auf der Oberseite des Substrats verteilt. Hierdurch wird eine möglichst homogene lackierte Oberfläche des Substrats geschaffen, die frei von Unebenheiten ist.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung sieht vor, dass der Gasstrom erzeugt wird, bevor das Beschichtungsmaterial getrocknet ist. Im Falle eines aufgebrachten Lacks ist hierdurch sichergestellt, dass der noch feuchte, gerade aufgebrachte Lack durch den Gasstrom zumindest teilweise entfernt bzw. bewegt werden kann, um die Ausbildung des Wulsts am Rand der Oberseite des Substrats zu verhindern bzw. den bereits entstandenen Wulst abzutragen.
  • Gemäß einem Aspekt ist vorgesehen, dass der Gasstrom zumindest teilweise auf die Unterseite des Substrats trifft, insbesondere auf den Randbereich des Substrats. Der Gasstrom ist demnach derart auf das Substrat gerichtet, dass er teilweise auf die Unterseite des Substrats trifft, obwohl der Wulst am Rand der Oberseite entfernt werden soll. Der andere Teil des Gasstroms strömt an der Seite des Substrats vorbei.
  • Alternativ kann der gesamte Gasstrom seitlich am Substrat vorbei geführt werden, ohne teilweise auf das Substrat zu treffen. Hierzu ist allerdings eine Feinabstimmung zwischen dem angeordneten Substrat und dem Gasstrom notwendig, um zu gewährleisten, dass der gesamte Gasstrom derart am Substrat vorbei strömt, dass er an der Oberseite den dauerhaften Wulst verhindert.
  • Gemäß einer Ausführungsvariante erzeugt der Gasstrom einen Unterdruck an der Oberseite des Substrats, insbesondere im Randbereich des Substrats. Der Wulst wird demnach aufgrund des erzeugten Unterdrucks entfernt. Hierbei wird das Prinzip einer Strahlpumpe angewandt, wonach durch den Gasstrom ein mitreißender Strom an der Oberseite des Substrats erzeugt wird, über den wirkungsvoll verhindert wird, dass sich der Wulst am Rand der Oberseite des Substrats bildet. Das Beschichtungsmaterial an der Oberseite stellt demnach das Saugmedium dar, das von dem als Treibmedium anzusehenden Gas des Gasstroms angesaugt wird. Sofern sich bereits ein Wulst gebildet haben sollte, wird das den Wulst bildende Beschichtungsmaterial vom mitreißenden Strom mitgenommen, sodass der beim Beschichten entstehende Wulst noch während des Beschichtungsverfahrens abgetragen wird.
  • Ferner kann der Gasstrom zumindest teilweise derart erzeugt werden, dass ein eventueller Wulst aufgrund des entstehenden Drucks vom Randbereich nach außen in den Gasstrom gezogen wird. Das Beschichtungsmaterial, welches einen Wulst am Rand der Oberseite des Substrats ausbilden würde, wird demnach vom Gasstrom mitgerissen und vom Rand der Oberseite des Substrats abgetragen. Hierdurch wird wirkungsvoll verhindert, dass sich der Wulst im entsprechenden Bereich an der Oberseite dauerhaft ausbildet.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsvariante wird der Gasstrom zumindest teilweise derart erzeugt, dass ein eventueller Wulst aufgrund des entstehenden Drucks vom Randbereich der Oberseite auf die Unterseite des Substrats gezogen wird. Hierdurch wird wiederum wirkungsvoll verhindert, dass sich am Rand der Oberseite des Substrats der Wulst dauerhaft bildet. Hierbei wird in Kauf genommen, dass eventuell Beschichtungsmaterial an der Unterseite des Substrats haften bleibt, das optional nachträglich entfernt wird.
  • Generell kann der Gasstrom derart auf das Substrat treffen, dass Beschichtungsmaterial aufgrund des entstehenden Drucks vom Randbereich nach außen in den Gasstrom gezogen wird und teilweise auf die Unterseite des Substrats gezogen wird.
  • Die entsprechenden, unterschiedlichen Szenarien können über den Winkel und die Geschwindigkeit des Gasstroms eingestellt werden, über den der Gasstrom auf das Substrat trifft bzw. an der Seite des Substrats vorbeiströmt.
  • Ein weiterer Aspekt sieht vor, dass das Substrat gedreht wird, wenn der Gasstrom erzeugt wird. Hierdurch ist sichergestellt, dass der Wulst in homogener Weise am Rand der Oberseite des Substrats entfernt wird, da aufgrund der Rotation des Substrats der gesamte Rand der Wirkung des Gasstroms ausgesetzt ist. Insbesondere können so das Beschichtungsmaterial gleichmäßig auf der Oberseite des Substrats verteilt aufgetragen und der Wulst am Rand der Oberseite wirkungsvoll verhindert werden. Die Rotationsgeschwindigkeit des Substrats während des Aufbringens des Fotolacks kann sich jedoch von der Rotationsgeschwindigkeit unterscheiden, mit der das Substrat gedreht wird, wenn der Gasstrom auf das Substrat trifft. Vorzugsweise dreht sich das Substrat, wenn der Gasstrom erzeugt wird, langsamer als während des Aufbringens des Lacks. Insbesondere kann auch keine Drehung des Substrats erfolgen, wenn der Gasstrom erzeugt wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt ist vorgesehen, dass der Gasstrom lösungsmittelfrei ist und/oder Stickstoff aufweist, insbesondere aus Stickstoff besteht. Hierdurch ist in einfacher Weise sichergestellt, dass der Wulst am Rand der Oberseite des Substrats wirkungsvoll verhindert wird bzw. ein bereits entstandener Wulst noch während des Beschichtens abgetragen wird. Zudem werden keine weiteren Stoffe eingebracht, da die Kammer generell mit Stickstoff geflutet wird.
  • Ferner wird die Aufgabe der Erfindung durch eine Beschichtungsanlage zum Aufbringen eines Beschichtungsmaterials auf eine Oberseite eines Substrats gelöst, mit einem, insbesondere drehbaren, Substrathalter und einer Ausströmeinrichtung für einen Gasstrom, wobei der Substrathalter eine Auflagefläche für ein Substrat aufweist, das über seine Unterseite auf der Auflagefläche des Substrathalters angeordnet wird, wobei die Ausströmeinrichtung derart in Bezug auf die Auflagefläche angeordnet ist, dass die Ausströmeinrichtung einen Gasstrom erzeugt, der ausgehend von der Unterseite des Substrats zur Oberseite des Substrats gerichtet ist, wobei die Ausströmeinrichtung den Gasstrom derart erzeugt, dass der Gasstrom die Entstehung eines Wulsts des Beschichtungsmaterials am Rand der Oberseite des Substrats verhindert und/oder einen bereits entstandenen Wulst entfernt.
  • Mit einer derartigen Beschichtungsanlage kann das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten eines Substrats durchgeführt werden, da die vorhandene Ausströmeinrichtung einen entsprechenden Gasstrom erzeugt, der verhindert, dass sich ein Wulst am Rand der Oberseite des Substrats beim Beschichten des Substrats bildet bzw. ein bereits entstandener Wulst dort bleibt.
  • Generell ist die Ausströmeinrichtung so angeordnet, dass sie einen Gasstrom erzeugt, der von der Auflagefläche ausgehend orientiert ist.
  • Zudem ist die Ausströmeinrichtung unterhalb der Ebene der Auflagefläche angeordnet.
  • Weitere Vorteile und Eigenschaften der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und der einzigen Figur, auf die Bezug genommen wird.
  • In der Figur ist eine Beschichtungsanlage 10 zum Aufbringen eines Lacks auf ein Substrat 12 gezeigt, sodass ein beschichtetes Substrat geschaffen wird, mit dem ein Fotolithografie-Verfahren durchgeführt werden kann, um mikrostrukturierten Bauteile wie integrierte Schaltungen, Halbleiterchips oder mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) herzustellen.
  • Die Erfindung wird demnach nachfolgend anhand eines konkreten Anwendungsbeispiels der Erfindung erläutert, einer Beschichtungsanlage für mikrostrukturierte Bauteile. Die wesentlichen Aussagen lassen sich jedoch in analoger Weise auf die anderen Anwendungsgebiete übertragen.
  • Die Beschichtungsanlage 10 umfasst einen drehbaren Substrathalter 14, der eine Auflagefläche 16 aufweist, auf der das Substrat 12 über seine Unterseite 18 angeordnet wird.
  • Zudem umfasst die Beschichtungsanlage 10 eine Aufbringvorrichtung 20, über die Lackmaterial des aufzutragenden Lacks auf die Oberseite 22 des Substrats 12 aufgebracht wird. Das aufzubringende Lackmaterial liegt üblicherweise in flüssiger Form vor.
  • Des Weiteren weist die Beschichtungsanlage 10 eine Ausströmeinrichtung 24 auf, die in der gezeigten Ausführungsform separat vom Substrathalter 14 und der Aufbringvorrichtung 20 ausgebildet ist. Über die Ausströmeinrichtung 24 kann ein Gasstrom erzeugt werden, wie nachfolgend noch erläutert wird.
  • Mit der Beschichtungsanlage 10 wird das Substrat 12 mit dem Lack beschichtet, wobei gleichzeitig verhindert wird, dass sich am Rand 26 der Oberseite 22 des Substrats 12 ein Lackwulst dauerhaft bildet.
  • Das Lackmaterial wird über die Aufbringvorrichtung 20 auf die Oberseite 22 des Substrats 12 aufgebracht. Hierbei dreht sich der Substrathalter 14 mit einer vorbestimmten Winkelgeschwindigkeit, wodurch sich das darauf angeordnete Substrat 12 ebenfalls dreht. Das aufgebrachte Lackmaterial wird hierdurch in homogener Weise auf der Oberseite 22 verteilt.
  • Aufgrund der bei der Drehung des Substrats 12 auftretenden Zentrifugalkräfte, die auf das auf die Oberseite 22 aufgebrachte Lackmaterial wirken, wandert das Lackmaterial zum Rand 26 der Oberseite 22 des Substrats 12 und würde dort einen Lackwulst ausbilden.
  • Um dies zu verhindern, wird ein Gasstrom, insbesondere ein Stickstoff-Gasstrom, über die Ausströmeinrichtung 24 erzeugt, der von der Unterseite 18 zur Oberseite 22 des Substrats 12 gerichtet ist.
  • Der Gasstrom trifft dabei zumindest teilweise auf die Unterseite 18 des Substrats 12 und strömt teilweise an der Seite des Substrats 12 vorbei, die die Unterseite 18 mit der Oberseite 22 verbindet. Hierbei erzeugt der Gasstrom an der Oberseite 22, insbesondere in dessen Randbereich 26, einen Unterdruck, aufgrund dessen das noch weiche bzw. feuchte Lackmaterial vom Gasstrom zumindest bewegt wird. Hierdurch wird wirkungsvoll verhindert, dass sich ein Lackwulst am Rand 26 ausbildet.
  • Sofern sich bereits ein Lackwulst ausgebildet haben sollte, wird dieser vom Gasstrom entsprechend abgetragen.
  • Unabhängig davon, ob beim Beschichten ein Lackwulst (kurzfristig) entsteht, ist mit dem Beschichtungsverfahren aufgrund des Gasstroms sichergestellt, dass kein Lackwulst am Ende des Beschichtungsverfahrens vorhanden ist.
  • In Abhängigkeit vom Winkel des Gasstroms zur Oberseite 22 des Substrats 12 kann eingestellt werden, ob das Lackmaterial vom Gasstrom zumindest teilweise mitgerissen wird und/oder ob das Lackmaterial aufgrund des erzeugten Drucks zumindest teilweise von der Oberseite 22 des Substrats 12 auf dessen Unterseite 18 verschoben wird. Hierdurch wird ebenfalls wirkungsvoll verhindert, dass sich ein Lackwulst am Rand 26 der Oberseite 22 dauerhaft bildet
  • Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass ein Teil des Lackmaterials mitgerissen und ein anderer Teil des Lackmaterials auf die Unterseite verschoben wird.
  • Der Winkel, mit dem der von der Ausströmeinrichtung 24 erzeugte Gasstrom in Bezug auf das Substrat 12 erzeugt wird, kann vorzugsweise eingestellt werden, um unterschiedliche Effekte aufgrund des entstehenden Drucks zu erzeugen.
  • Alternativ kann der Gasstrom auch so aus der Ausströmeinrichtung 24 auströmen, dass er nicht auf die Unterseite 18 des Substrats 12 trifft, sondern lediglich seitlich an der Seite des Substrats 12 vorbeiströmt. Hierbei ist jedoch eine Feinabstimmung notwendig, um am Rand 26 der Oberseite 22 einen Unterdruck zu erzeugen, der verhindert, dass sich ein Lackwulst am Rand 26 ausbildet bzw. einen bereits entstandenen Lackwulst abträgt.
  • Generell ist die Ausströmeinrichtung 24 unterhalb der Ebene angeordnet, die durch die Auflagefläche 16 definiert ist. Der von der Ausströmeinrichtung 24 ausgehende Gasstrom ist dabei so orientiert, als würde er von der Auflagefläche 16 weggehen, eventuell unter einem Winkel.
  • Beim Erzeugen des Gasstroms über die Ausströmeinrichtung 24 kann das Substrat 12 über den Substrathalter 14 ebenfalls gedreht werden, um zu gewährleisten, dass der gesamte Rand 26 möglichst homogen den Wirkungen des Gasstrom ausgesetzt ist, also dem dadurch erzeugten Unterdruck an der Oberseite 22. Die Rotationsgeschwindigkeit ist beim Erzeugen des Gasstroms jedoch deutlich geringer als diejenige während des Aufbringens des Fotolacks über die Aufbringvorrichtung 20. Beispielsweise beträgt die Rotations-geschwindigkeit weniger als zehn Umdrehungen pro Minute während der Gasstrom erzeugt wird.
  • Die Rotationsgeschwindigkeit beim Erzeugen des Gasstroms kann sogar null sein. Vorzugsweise wird dann der Gasstrom von einer ringförmigen Ausströmeinrichtung 24 erzeugt, sodass ein im Wesentlichen ringförmiger Gasstrom jeweils am umlaufenden Rand des Substrats 12 entlang strömt.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage 10 ist es möglich, dass am Rand 26 der Oberseite 22 des Substrats 12 kein Lackwulst gebildet wird.
  • Generell können auch andere Gasgemische als reiner Stickstoff verwendet werden, um den Gasstrom zu erzeugen. Beispielsweise ein Sauerstoff-Stickstoff-Gemisch, sogenannte Clean-Dry-Air (CDA) oder Luft.
  • Das Gasgemisch ist vorzugsweise lösungsmittelfrei, sodass verhindert wird, dass sich Rückstände des Lösungsmittels auf der beschichten Oberseite 22 des Substrats 12 ablagern können.
  • Vorzugsweise strömt das Gas mit einem Druck von mehreren Bar aus der Ausströmeinrichtung 24 aus. Hierdurch kann unter anderem die Geschwindigkeit des Gasstroms beeinflusst werden, die entscheidend ist, um einen Unterdruck an der Oberseite 22 des Substrats 12 zu erzeugen.
  • Darüber hinaus ist es möglich, dass durch eine geringe Rotationsgeschwindigkeit oder eine lange Gesamtanwendungszeit des Gasstroms der Lack im Rand 26 sogar abgetragen wird. Demnach wird sozusagen eine Ausdünnung des aufgetragenen Lacks im Rand 26 erreicht.
  • Die Ausströmeinrichtung 24 kann eine Ausströmdüse, mehrere Düsen, einen Ausströmschlitz, ein sogenanntes Airblade oder ähnliches umfassen, worüber unter anderem ein anderes Profil des Gasstroms erreicht wird. Dies ist insbesondere für nicht-runde Substrate von Bedeutung, beispielsweise rechteckige Substrate.
  • Über die konkrete Ausgestaltung der Ausströmeinrichtung 24 kann zudem die Geschwindigkeit des Gasstroms beeinflusst werden.
  • Sofern das Lackmaterial vom Gasstrom mitgerissen wird, kann die Beschichtungsanlage 10 eine Auffangvorrichtung für das abgetragene Lackmaterial aufweisen, sodass dieses einerseits nicht die Kammer kontaminiert und andererseits wiederverwendet werden kann.
  • Generell trifft der von der Ausströmeinrichtung 24 erzeugte Gasstrom demnach nicht direkt auf die Oberseite 22 des Substrats 12, sondern im Wesentlichen senkrecht auf die Unterseite 18 bzw. strömt der Gasstrom im Wesentlichen parallel zur Drehachse des Substrathalters 14 am Substrat 12 vorbei, um einen Unterdruck bzw. ein Vakuum an der Oberseite 22 des Substrats 12 zu erzeugen, insbesondere am Rand 26 der Oberseite 22.
  • Der Unterdruck stellt sicher, dass das sich am Rand 26 ansammelnde Lackmaterial keinen dauerhaften Lackwulst am Rand 26 bildet, der auch noch nach dem Beschichtungsverfahren vorhanden ist. Ein kurzzeitig auftretender Lackwulst während der Beschichtung wird vom Gasstrom entsprechend abgetragen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 2010/0078033 A [0006]

Claims (10)

  1. Verfahren zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem Beschichtungsmaterial, insbesondere mit einem Lack bzw. einem Fotolack, mit den folgenden Schritten: a) Bereitstellen des Substrats (12), b) Aufbringen des Beschichtungsmaterials auf die Oberseite (22) des Substrats (12), und c) Erzeugen eines Gasstroms, der ausgehend von der Unterseite (18) des Substrats (12) zur Oberseite (22) des Substrats (12) gerichtet ist, wobei der Gasstrom verhindert, dass sich ein Wulst des Beschichtungsmaterials am Rand (26) der Oberseite (22) des Substrats (12) bildet bzw. ein bereits entstandener Wulst durch den Gasstrom entfernt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) beim Aufbringen des Beschichtungsmaterials gedreht wird, sodass sich das aufgebrachte Beschichtungsmaterial im Wesentlichen gleichmäßig auf der Oberseite (22) des Substrats (12) verteilt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom erzeugt wird, bevor das Beschichtungsmaterial getrocknet ist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom zumindest teilweise auf die Unterseite (18) des Substrats (12) trifft, insbesondere auf den Randbereich des Substrats (12).
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom einen Unterdruck an der Oberseite (22) des Substrats (12) erzeugt, insbesondere im Randbereich des Substrats (12).
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom zumindest teilweise derart erzeugt wird, dass ein eventueller Wulst aufgrund des entstehenden Drucks vom Randbereich nach außen in den Gasstrom gezogen wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom zumindest teilweise derart erzeugt wird, dass ein eventueller Wulst aufgrund des entstehenden Drucks vom Randbereich der Oberseite (22) auf die Unterseite (18) des Substrats (12) gezogen wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) gedreht wird, wenn der Gasstrom erzeugt wird.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom lösungsmittelfrei ist und/oder Stickstoff aufweist, insbesondere aus Stickstoff besteht.
  10. Beschichtungsanlage (10) zum Aufbringen eines Beschichtungsmaterials auf eine Oberseite (22) eines Substrats (12), mit einem, insbesondere drehbaren, Substrathalter (14) und einer Ausströmeinrichtung (24) für einen Gasstrom, wobei der Substrathalter (14) eine Auflagefläche (16) für ein Substrat (12) aufweist, das über seine Unterseite (18) auf der Auflagefläche (16) des Substrathalters (14) angeordnet wird, wobei die Ausströmeinrichtung (24) derart in Bezug auf die Auflagefläche (16) angeordnet ist, dass die Ausströmeinrichtung (24) einen Gasstrom erzeugt, der ausgehend von der Unterseite (18) des Substrats (12) zur Oberseite (22) des Substrats (12) gerichtet ist, wobei die Ausströmeinrichtung (24) den Gasstrom derart erzeugt, dass der Gasstrom die Entstehung eines Wulsts des Beschichtungsmaterials am Rand (26) der Oberseite (22) des Substrats (12) verhindert und/oder einen bereits entstandenen Wulst entfernt.
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