DE102015119278A1 - Aktiver Quasi-Zirkulator - Google Patents

Aktiver Quasi-Zirkulator Download PDF

Info

Publication number
DE102015119278A1
DE102015119278A1 DE102015119278.0A DE102015119278A DE102015119278A1 DE 102015119278 A1 DE102015119278 A1 DE 102015119278A1 DE 102015119278 A DE102015119278 A DE 102015119278A DE 102015119278 A1 DE102015119278 A1 DE 102015119278A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
port
quasi
coupled
circulator circuit
adjustable impedance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015119278.0A
Other languages
English (en)
Inventor
Christoph Wagner
Matthias Porranzl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of DE102015119278A1 publication Critical patent/DE102015119278A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/34Networks for connecting several sources or loads working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/18Phase-shifters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38Circulators
    • H01P1/383Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/36Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency band, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45034One or more added reactive elements, capacitive or inductive elements, to the amplifying transistors in the differential amplifier

Abstract

Hier wird eine HF-Quasi-Zirkulatorschaltung beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst die Schaltung einen Empfangsport, einen Sendeport und einen Antennenport sowie eine Differenzverstärkerstufe mit einem ersten Eingang, einem zweiten Eingang und einem Ausgang, der mit dem Empfangsport gekoppelt ist. Die Schaltung umfasst des Weiteren ein erstes Phasenschieberelement und ein zweites Phasenschieberelement. Das erste Phasenschieberelement ist zwischen den Sendeport und den ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt, und das zweite Phasenschieberelement ist zwischen den Sendeport und den zweiten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt. Eine einstellbare Impedanz ist an den Differenzverstärker gekoppelt, und der Antennenport ist mit dem ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt. Die einstellbare Impedanz ist gesteuert, um die Dämpfung in einem Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport einzustellen.

Description

  • Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Hochfrequenz-(HF-)Schaltungen, insbesondere das Gebiet der aktiven Zirkulator- und Richtkopplerschaltungen.
  • Hochfrequenz-(HF-)Empfänger und Transceiver kann man in einer Vielzahl von Anwendungen finden, insbesondere im Gebiet der drahtlosen Kommunikation und der Radarsensoren. Beispielsweise besteht in der Automobilbranche eine größer werdende Nachfrage nach Radarsensoren, welche in sogenannten Abstandsregeltempomat-Systemen (adaptive cruise control (ACC) oder radar cruise control) verwendet werden. Derartige Systeme können dazu verwendet werden, um die Geschwindigkeit eines Automobils so anzupassen, dass ein sicherer Abstand zu anderen, vorausfahrenden Automobilen eingehalten wird.
  • Moderne Radarsysteme verwenden hochintegrierte HF-Schaltungen (MMICs, monolithic microwave integrated circuits, monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen), welche alle Kernfunktionen eines HF-Sende- und Empfangsmoduls (auch als „HF-Frontend” bezeichnet) eines Radar-Transceivers in einem einzigen Gehäuse (package) vereinigen (single chip transceiver, Einzelchip-Transceiver). Derartige HF-Frontends können unter anderem einen spannungsgesteuerten Oszillator (voltage controlled oscillator, VCO), Leistungsverstärker (power amplifiers, PA), Mischer und Analog-Digital-Wandler (analog-to-digital converters, ADC) sowie auch einen Zirkulator oder einen Richtkoppler enthalten.
  • Eine charakteristische Funktion eines Sende- und Empfangsmoduls (HF-Frontends) mit einer oder mehreren gemeinsamen Sende- und Empfangsantennen ist die Trennung des starken Sendesignals (TX) von dem schwachen Empfangssignal (RX). Traditionell wird diese Funktion mittels passiver Bauelemente (Zirkulatoren, Richtkoppler) implementiert, welche große physische Abmessungen haben. Des Weiteren weisen derartige passive Bauelemente üblicherweise unerwünschte Übertragungsverluste (transmission losses) auf.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die erwähnten passiven Bauelemente durch aktive Bauelemente zu ersetzen, welche von geringerer Größe und effizienter im Hinblick auf Übertragungsverluste sind. Diese Aufgabe wird durch die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 1 oder 12 gelöst. Verschiedene Ausführungsbeispiele und Weiterentwicklungen sind durch die abhängigen Ansprüche abgedeckt.
  • Hier wird eine HF-Quasi-Zirkulatorschaltung beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst die Schaltung einen Empfangsport, einen Sendeport und einen Antennenport sowie eine Differenzverstärkerstufe mit einem ersten Eingang, einem zweiten Eingang und einem Ausgang, der mit dem Empfangsport gekoppelt ist. Die Schaltung umfasst des Weiteren ein erstes Phasenschieberelement und ein zweites Phasenschieberelement. Das erste Phasenschieberelement ist zwischen den Sendeport und den ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt, und das zweite Phasenschieberelement ist zwischen den Sendeport und den zweiten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt. Eine einstellbare Impedanz ist an den Differenzverstärker gekoppelt, und der Antennenport ist mit dem ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt. Die einstellbare Impedanz ist gesteuert, um die Dämpfung in einem Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport einzustellen.
  • Gemäß einem anderen Beispiel der Erfindung umfasst die Schaltung einen Empfangsport, einen Sendeport und einen Antennenport. Sie umfasst des Weiteren eine erste Verstärkerstufe, welche den Sendeport und dem Antennenport koppelt und dazu ausgebildet ist, am Sendeport empfangene Signale an den Antennenport zu leiten. Eine zweite Verstärkerstufe koppelt den Antennenport und den Empfangsport. Die zweite Verstärkerstufe ist dazu ausgebildet, an dem Antennenport empfangene Signale an den Empfangsport zu leiten. Eine einstellbare Impedanz ist mit der zweiten Verstärkerstufe gekoppelt und ist gesteuert, um die Dämpfung in einem Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport einzustellen.
  • Die Erfindung lässt sich mit Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen und Erläuterungen besser verstehen. Die in den Abbildungen dargestellten Komponenten sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu; vielmehr wird Wert darauf gelegt, die der Erfindung zugrunde liegenden Prinzipien darzustellen. Des Weiteren bezeichnen in den Abbildungen gleiche Bezugszeichen korrespondierende Teile. Zu den Zeichnungen:
  • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Zirkulators;
  • 2 ist ein vereinfachtes Schaltbild, das ein Beispiel eines aktiven Qusi-Zirkulators darstellt, der (unter anderem) aus zwei Bipolartransistoren aufgebaut ist;
  • 3 ist ein Schaltbild, das ein Kleinsignalmodell eines in dem Zirkulator in 2 verwendeten Bipolartransistors darstellt;
  • 4 ist ein vereinfachtes Schaltbild einer aktiven Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem ersten Beispiel der vorliegenden Offenbarung;
  • 5 ist ein vereinfachtes Schaltbild einer aktiven Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung;
  • 6 ist ein vereinfachtes Schaltbild einer aktiven Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem weiteren Beispiel der vorliegenden Offenbarung;
  • 7 ist ein Schaltbild, das die aktive Quasi-Zirkulatorschaltung aus 6 detaillierter darstellt;
  • 8 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer einstellbaren Impedanzschaltung darstellt, die in dem Ausführungsbeispiel aus 7 verwendet werden kann; und
  • 9 ist ein vereinfachtes Schaltbild einer aktiven Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem weiteren Beispiel der vorliegenden Offenbarung;
  • Wie oben erwähnt ist die Trennung des starken Sendesignals von dem schwachen Empfangssignal eine typische Funktion von Sende- und Empfangsmodulen (HF-Frontends) mit einer oder mehreren gemeinsamen Empfangsantennen. Zu diesem Zweck werden häufig passive Bauelemente (z. B. Zirkulatoren und Richtkoppler) verwendet. Solche passive Bauelemente benötigen jedoch oft viel Platz und weisen unerwünschte Übertragungsverluste auf. Ein Ansatz zur Verbesserung der Situation besteht in der Ersetzung der erwähnten passiven Bauelemente durch aktive Bauelemente, welche so ausgelegt werden können, dass sie im Hinblick auf Verluste effizienter sowie von geringerer Größe sind. Im Allgemeinen ist die Isolation zwischen einem RX-Port und einem TX-Port des Bauelements ein relevanter Parameter, da er den Pegel des Blocker-Signals (d. h. jenes Teils des Sendesignals, der von dem TX-Port zum RX-Port übertragen wird, im Idealfall ist das Blocker-signal null) der ersten Bauelemente in dem Empfangsteil bestimmt.
  • 1 illustriert ein Beispiel eines Zirkulators in einem schematischen Diagramm. Im Allgemeinen hat eine Zirkulator für ein HF-Frontend in einer Radar- oder Kommunikationsvorrichtung drei Anschlüsse, welche üblicherweise als Ports bezeichnet werden. In dem Beispiel aus 1 hat der Zirkulator drei Ports PTX, PANT und PRX, wobei PTX der Sendeport ist (an den das Sendesignal TX angelegt wird), PANT der Antennenport ist (der mit der Antenne gekoppelt ist) und PRX der Empfangsport ist (an dem das Empfangssignal RX bereitgestellt wird). Beim Design eines aktiven Quasi-Zirkulators (quasi circulator, QC) besteht in allgemeines Designziel in der Erreichung eines hohen Isolation zwischen dem Sendeport PTX und dem Empfangsport PRX sowie einer hohen Verstärkung (keine oder wenige Verluste) in dem Übertragungspfad von dem Sendeport PTX zu dem Antennenport PANT und von dem Antennenport PANT zu dem Empfangsport PRX. Diese Designziele führen zu einer (idealen) Matrix von Streuparameter (S-Parameter):
    Figure DE102015119278A1_0002
    wobei S21 (= G21) die Verstärkung vom Sendeport PTX zum Antennenport PANT bezeichnet und S32 (= G32) die Verstärkung vom Antennenport PANT zum Empfangsport PRX. Die Parameter S13 und S31 sind idealerweise null, was anzeigt, dass Empfangsport PRX und Sendeport PTX wechselseitig voneinander isoliert sind. Das allgemeine Konzept der S-Parameter zur Beschreibung der Eigenschaften von Multi-Port-Bauelementen ist als solches bekannt und wird hier nicht weiter diskutiert.
  • Ein Ausführungsbeispiel einer Quasi-Zirkulator-(QC-)Schaltung mit drei Ports ist ein 2 dargestellt. Demnach ist die QC-Schaltung unter anderem aus zwei Bipolartransistoren T1, T2, zwei λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4 und einem Widerstand R0 aufgebaut. Der Sendeport PTX, an den das Sendesignal TX angelegt wird, wird von dem Basisanschluss des Bipolartransistors T1 und einem Masseanschluss GND gebildet, der mit einem Referenzpotential gekoppelt ist (z. B. Massepotential). Der Emitteranschluss des Bipolartransistors T1 ist auch mit einem Masseanschluss GND gekoppelt; der Kollektoranschluss ist mit einem Schaltungsknoten verbunden, der in 2 mit P1 bezeichnet ist. Der Schaltungsknoten P1 ist mit dem Basisanschluss des zweiten Bipolartransistors T2 über eine erste λ/4-Übertragungsleitung TLλ/4 verbunden. Der Schaltungsknoten P1 ist des Weiteren mit dem Emitteranschluss des zweiten Bipolartransistors T2 über eine zweite λ/4-Übertragungsleitung TLλ/4 verbunden. Der Antennenport PANT, mit dem die Antenne verbunden ist, wird durch den Emitteranschluss des Bipolartransistors T2 und einem Masseanschluss GND. Der Basisanschluss des Bipolartransistors T2 ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss VDD gekoppelt. Der Kollektoranschluss des Bipolartransistors T2 ist mit dem Versorgungsspannungsanschluss VDD über eine Spule L1 verbunden. Der Empfangsport PRX wird durch einen Ausgangsanschluss, der mit dem Kollektor des Bipolartransistors T2 über einen Kondensator C5 verbunden ist, und einen Masseanschluss GND gebildet. Das Empfangssignal RX wird an dem Empfangsport bereitgestellt.
  • In der folgenden Beschreibung wird die Funktion der Quasi-Zirkulator(QC-)Schaltung detaillierter erläutert. Um die Erläuterung einfach zu halten, werden der Empfangspfad (Port PANT zum Port PRX) und der Sendepfad (Port PTX zum Port PANT) nacheinander betrachtet. Der Bipolartransistor T1 arbeitet als Transkonduktanzverstärkerstufe, die dazu ausgebildet ist, das Sendesignal TX zu verstärken. Am Schaltungsknoten P1 wird das verstärkte Signal auf zwei Zweige verteilt und in zwei Signale TXA und TXB aufgespalten. Diese beiden Signale TXA und TXB sind beide einer Phasendrehung von 90° unterworfen, welche von den zwei Übertragungsleitungen TLλ/4 bewirkt werden. Als Ergebnis ist der Spannungsabfall zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T2 null (der Transistor T2 bleibt folglich aus). Daher wird kein Anteil des Sendesignals TX hin zu dem Empfangsport PRX übertragen, und die Isolation ist (in einem idealen Fall) perfekt. Die Isolationsbedingung (Basis-Emitter-Spannung des Transistors T2 ist null) ist erfüllt, wenn das Sendesignal TX gleichmäßig in zwei Teile TXA und TXB aufgeteilt wird (wobei TXA = TXB). In anderen Worten, die Hälfte der Signalleistung des Sendesignals TX wird über die erste Übertragungsleitung TLλ/4 geleitet (zum Abschlusswiderstand R0) und die Hälfte der Signalleistung wird über die zweite Übertragungsleitung TLλ/4 geleitet (zum Antennenport). Dies wird dann der Fall sein, wenn der Widerstandswert des Widerstands R0 an die Systemimpedanz Z0 (d. h. R0 = Z0) und die Antennenimpedanz (vorhanden am Antennenport PANT) angepasst ist.
  • Ein von der Antenne empfangenes Antennensignal ANT wird an den Emitteranschluss des Bipolartransistors T2 angelegt und (mit 180° Phasendrehung) auch an den Basisanschluss des Transistors T2 geleitet. Der Signalpfad von dem Antennenport PANT zu dem Basisanschluss des Transistors T2 bewirkt eine Phasendrehung von 180° aufgrund der beiden λ/4-Übertragungsleitung TLλ/4. Folglich haben die Signale an dem Emitter und an der Basis des Transistors T2 relativ zueinander eine Phasenverschiebung von 180°, und der Transistor T2 arbeitet effektiv als Differenzverstärker (für die von der Antenne kommenden Signale), der allgemein als Differenzverstärker AMP bezeichnet wird. Das verstärkte Antennensignal kann an dem Empfangsport PRX abgegriffen werden. Die Spule L1 und der Kondensator C5 werden verwendet, um den Empfangsport PRX von der Versorgungsgleichspannung (DC-Versorgungsspannung) zu entkoppeln sowie den DC-Versorgungsanschluss von jeglichen AC-Signalen zu entkoppeln. Im Allgemeinen hat ein Differenzverstärker zwei Eingänge und ist dazu ausgebildet, die Differenz der an den Eingängen anliegenden Signale zu verstärken; die verstärkte Differenz wird am Verstärkerausgang bereitgestellt. Ein Fachmann kennt viele verschiedene Möglichkeiten der Implementierung eines Differenzverstärkers, der folglich hier nicht detaillierter diskutiert wird. In dem Beispiel aus 1 (sowie in den Beispielen aus 2 und 49) wird ein Einzeltransistor T2 als Differenzverstärker betrieben.
  • In der folgenden Beschreibung wird die Schaltung aus 2 unter Bezugnahme auf die in 3 dargestellte VCCS-Ersatzschaltung (VCCS = voltage controlled current source, spannungsgesteuerte Stromquelle), die den Transistor T2 repräsentiert, analytisch analysiert. In 3 repräsentiert die Impedanz Zπ den differentiellen Basis-Emitter-Widerstand im Arbeitspunkt des Transistors T2. Die Stromquelle Qπ stellt einen Strom i3 bereit, der proportional zum Spannungsabfall Vπ über der Impedanz Zπ ist, d. h. i3 = Vπ·gm und gm ist die differentielle Transkonduktanz des Transistors T2 im Arbeitspunkt. Vi bezeichnet die am Basisanschluss des Transistors T2 vorhandene Spannung, V2 die am Emitter des Transistors T2 vorhandene Spannung und V3 die Spannung am Kollektor des Transistors T2. Die Ersatzschaltung aus 3 wird repräsentiert durch die folgende Matrix YVCCS von Admittanzparametern (Y-Parameter):
    Figure DE102015119278A1_0003
  • Die λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4 werden repräsentiert durch die Matrix YTL von Y-Parametern (Y-Matrix)
    Figure DE102015119278A1_0004
    wobei Z1 die Impedanz der Übertragungsleitung bezeichnet und j die imaginäre Einheit ist. Unter Verwendung der Gleichungen 1 und 2 kann die Y-Matrix YQC des gesamten Quasi-Zirkulators aus 2 wie folgt berechnet werden:
    Figure DE102015119278A1_0005
  • Die Y-Matrix YQC kann in eine korrespondierende Matrix von S-Parametern (S-Matrix) transformiert werden, wobei S12 = S31 = 0 (Isolationsbedingung) und Y0 = Z0 –1 = (50 Ω)–1:
    Figure DE102015119278A1_0006
  • Als Folge der Anpassungs-Bedingung (matching condition) S11 = 0 (keine Reflexion am Port PTX) erhält man für die Impedanz Z1 der Übertragungsleitungen TLλ/4 Z1 = Z02 = 50 Ω√2 und die S-Matrix SQC vereinfacht sich zu:
    Figure DE102015119278A1_0007
  • Unter der Annahme, dass der Transistor T1 unilateral ist, kann der S-Parameter S12 vernachlässigt werden, z. B. S12 = 0. Die einzigen Parameter, welche von der Größe und dem Biasing (d. h. dem Arbeitspunkt) des Transistors T2 (d. h. von der Impedanz Zπ und der Transkonduktanz gm des Transistors T2) abhängen, sind S32 (d. h. die Verstärkung von dem Antennenport PANT zu dem Empfangsport PRX) und S22 (der Anpassung des Antennenports). In Gleichung 6 kann man sehen, dass eine Hälfte der Leistung des Sendesignals in dem Abschlusswiderstand R0 terminiert wird, und die andere Hälfte zu der Antenne geleitet wird (S21 = –j/√2).
  • Man hat herausgefunden, dass die Millerkapazität Cμ (siehe 3), die zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors T2 wirkt, sogar noch eine größere Auswirkung auf die S-Parameter-Matrix SQC hat als die Kapazität Cπ. Das Vorhandensein dieser parasitären Kapazität Cπ hat zur Folge, dass die erwähnte Isolationsbedingung (S13 = S31 = 0) mit Y0 = 1/50 Ω nicht erfüllt ist, da die Schaltung in Bezug auf den Schaltungsknoten P1 (siehe 2) nicht länger symmetrisch (balanced) ist. Weitere parasitäre Kondensatoren (e. g. Substrat-Kapazitäten) können die Schaltung ebenso aus der Symmetrie (out-of-balance) bringen. Diese parasitäre Kapazitäten können nicht genau bestimmt und im Schaltungsdesign berücksichtigt werden. Um die Situation zu verbessern, kann der Abschlusswiderstand R0 durch eine Tuner-Schaltung (tuner circuit) ersetzt werden, wie es in den unten beschriebenen Beispielen dargestellt ist.
  • 4 zeigt ein Implementierungsbeispiel eines Quasi-Zirkulators gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Funktion der Schaltung aus 4 ist grundsätzlich dieselbe wie in dem vorherigen Beispiel aus 2. Das vorliegende Beispiel beinhaltet jedoch nur einen Differenzverstärker AMP (welcher der in 2 vom Transistor T2 gebildeten Verstärkerstufe entspricht) zur Verstärkung des am Antennenport PANT einfallenden Signals ANT. Der Verstärkerausgang ist mit dem Empfangsport PRX gekoppelt, an dem das empfangene Signal abgegriffen werden kann.
  • Der Differenzverstärker AMP hat zwei Eingänge (einen invertierenden Eingang und einen nicht-invertierenden Eingang). Jeder der beiden Eingänge ist mit dem Sendeport PTX über 90°-Phasenschieberelemente verbunden, welche beispielsweise λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4 sein können. im vorliegenden Beispiel ist der nicht-invertierende Eingang des Differenzverstärkers AMP mit dem Antennenport PANT gekoppelt, und der invertierende Eingang des Differenzverstärkers ist mit der Versorgungsspannung VDD über eine einstellbare (abstimmbare) Abschlussimpedanz ZTUNE gekoppelt. Die einstellbare Abschlussimpedanz ZTUNE wird grundsätzlich für denselben Zweck verwendet wie der in 2 gezeigte Abschlusswiderstand R0. Jedoch kann die Impedanz ZTUNE abgestimmt werden, um sicherzustellen, dass die Gesamtschaltung (näherungsweise) symmetrisch (balanced) ist. Ein am Sendeport PTX einfallendes Signal TX wird mit einer Phasenverschiebung von 90° (über eines der 90°-Phasenschieberelemente) an den Antennenport PANT geleitet. Jedoch wird das am Sendeport PTX einfallendes Signal TX nicht an den Empfangsport PRX geleitet, da das am Differenzverstärker anliegende Differenzsignal null ist (beide Eingangssignal des Differenzverstärkers AMP sind derselben Phasenverschiebung unterworfen). Ein am Antennenport PANT einfallendes Signal ANT wird – aufgrund der beiden Phasenschieberelemente, die eine Gesamtphasenverschiebung von 180° zwischen den beiden Eingängen des Differenzverstärkers AMP bewirken – verstärkt und an dem Empfangsport PRX ausgegeben. Die einstellbare Impedanz wird unter Bezugnahme auf 6, 7 und 8 noch detaillierter diskutiert.
  • Der Differenzverstärker kann unter Verwendung eines Bipolartransistors T2 wie in dem Beispiel in 5 dargestellt implementiert werden. Die Basis und der Emitter des Transistors T2 können als Eingänge des Differenzverstärkers AMP angesehen werden, wohingegen der Kollektor, der über eine komplexwertige Impedanz L1 mit der Versorgungsspannung VDD gekoppelt ist, als Ausgang des Differenzverstärkers AMP angesehen werden kann. Der Empfangsport PRX ist mir dem Kollektor des Transistors T2 über den Kondensator C1 gekoppelt, welcher DC-Signalkomponenten von dem Port PRX entkoppelt. Wie in dem vorherigen Beispiel wird ein am Sendeport PTX einfallendes Signal TX mit einer Phasenverschiebung von 90° (über ein 90°-Phasenschieberelement) zum Antennenport PANT geleitet, jedoch nicht zum Empfangsport PRX, da das zwischen Basis und Emitter des Transistors T2 anliegende Differenzsignal null ist (beide Eingangssignale des Differenzverstärkers AMP unterliegen der gleichen Phasenverschiebung). Ein am Antennenport PANT einfallendes Signal ANT wird – aufgrund der beiden Phasenschieberelemente, die eine Gesamtphasenverschiebung von 180° zwischen Basis und Emitter des Transistors T2 bewirken – verstärkt und am Empfangsport PRX ausgegeben.
  • Die Schaltung aus 6 ist ähnlich wie die grundlegende Schaltung aus 2. Des Weiteren ist die Schaltung aus 6 auch sehr ähnlich zu dem vorherigen Beispiel aus 5. Anders als in dem Beispiel aus 5 hat das vorliegende Beispiel ein zusätzliche Eingangsverstärkerstufe PRA (wie in dem Beispiel aus 1), welche als Transkonduktanzverstärkerstufe implementiert ist. Verglichen mit dem Beispiel aus 1 wurde der Widerstand R0 (der eine reellwertige Impedanz hat) wie bereits in den Beispielen aus 4 und 5 ersetzt durch eine Schaltung, die eine einstellbare Impedanz ZTUNE repräsentiert. Bei geeigneter Abstimmung kann die einstellbare Impedanz ZTUNE (zumindest teilweise) die negativen Effekte der oben erwähnten parasitären Kapazitäten (siehe 3) kompensieren und folglich die Zirkulatorschaltung so ausbalancieren, dass die Hälfte der Leistung des Signals TX zum Antennenport geleitet und die Hälfte der Leistung in der Terminierung, die von der einstellbaren Impedanz bereitgestellt wird, dissipiert wird. Eine solche Ausbalancierung der Quasi-Zirkulatorschaltung zieht eine Verbesserung der Isolation zwischen dem Sendeport PTX und dem Empfangsport PRX nach sich (d. h. der Streuparameter S31 wird minimiert und ist idealerweise null).
  • Die einstellbare Impedanz ZTUNE kann auch eine Fehlanpassung (mismatch) zwischen der Antennenimpedanz und der Systemimpedanz Z0 kompensieren. Eine derartige Fehlanpassung der Antennenimpedanz würde ebenso die Schaltung aus der Symmetrie bringen und verschlechtert die Isolation zwischen dem Sendeport PTX und dem Empfangsport PRX. Abgesehen von der einstellbaren Impedanz ZTUNE arbeitet die Schaltung aus 6 auf die gleiche Weise wie die Schaltung aus 1 und es wird auf die zugehörige Beschreibung oben Bezug genommen. Testmessungen haben gezeigt, dass die Transmissionsdämpfung (transmission attenuation) zwischen dem Sendeport PTX und dem Empfangsport PRX von 14 dB (ohne einstellbare Impedanz) auf 30 dB oder sogar 40–50 dB mit geeigneter Feinabstimmung verbessert wird.
  • 7 ist ein Beispiel einer praktischen Implementierung der grundlegenden schaltung gemäß 6. Im Prinzip entspricht die Schaltung aus 7 dem vorherigen Beispiel aus 6 mit zusätzlichen Schaltkreisen zum Einstellen des Arbeitspunktes (biasing) der Transistoren und zum Entkoppeln von DC-Signalkomponenten von den Ports PTX, PRX und PANT. Ähnlich zu dem Beispiel aus 6 ist die QC-Schaltung unter anderem aufgebaut aus zwei Bipolartransistoren T1, T2, zwei λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4 zum Koppeln der beiden Transistoren T1, T2, der einstellbaren Impedanz ZTUNE und die erwähnten Schaltkreise zum Biasing der Transistoren T1, T2 und Entkoppeln von DC-Signalkomponenten von den Ports.
  • Das Biasing des Transistors T1 wird bewirkt von einer Bias-Spannungsquelle, die eine erste Bias-Spannung VBIAS1 bereitstellt, welche über den Widerstand R1 mit der Basis des Transistors T1 verbunden ist, und von einer Stromquelle CS1, die zwischen den Emitter des Transistors T1 und Massepotential (am Masseanschluss GND) geschaltet ist. Ein Kondensator C6 ist parallel zu der Stromquelle CS1 geschaltet, um HF-Signale vorbeizuleiten (die Kapazität C6 kann als Kurzschluss für HF-Signale angesehen werden). Der Arbeitspunkt des Transistors T1 wird von der Stromquelle CS1, dem Widerstand R1 und der ersten Bias-Spannung VBIAS1 bestimmt. Der Sendeport PTX, an dem das Sendesignal TX anliegt, ist über den Kondensator C1 mit dem Basisanschluss des Bipolartransistors T1 gekoppelt. Die Verzögerungsleitung TLS1 kann zur Impedanzanpassung am Sendeport PTX verwendet werden. Wie in dem vorherigen Beispiel aus 6 ist der Kollektoranschluss mit einem als P1 bezeichneten Schaltungsknoten verbunden.
  • Das Biasing des Transistors T2 wird bewirkt von einer Bias-Spannungsquelle, die eine zweite Bias-Spannung VBIAS2 bereitstellt, welche über den Widerstand R2 mit der Basis des Transistors T2 verbunden ist. Kondensator C2 ist zwischen die Basis des Transistors T2 und dem gemeinsamen Schaltungsknoten P2 der einstellbaren Impedanz ZTUNE und einer der Übertragungsleitungen TLλ/4 geschaltet; Kondensator C2 wird folglich verwendet, um DC-Signalkomponenten (Basisgleichspannung des Transistors T2) vom Schaltungsknoten P2 zu entkoppeln. Jedoch ist die Basis des Transistors T2 (mittels des Kondensators C2) mit dem Versorgungspotential VDD über die einstellbare Impedanz ZTUNE wechselstromgekoppelt (AC coupled). Der Kondensator C3 wird verwendet, um DC-Signalkomponenten (Emittergleichspannung des Transistors T2) von dem Schaltungsknoten P3 zu entkoppeln, der mit dem Antennenport gekoppelt ist. Kondensator C4 bewirkt eine DC-Entkopplung von der Antenne, und die Verzögerungsleitung TLS2 (zusammen mit dem Kondensator C4 und dem Antennen-Pad P, das sich wie ein zwischen Antennenport PANT und Masse geschalteter Kondensator verhält) kann zur Impedanzanpassung verwendet werden.
  • Der Schaltungsknoten P1 (d. h. der Ausgang der vom Transistor T1 gebildeten ersten Transistorstufe) ist mit den Schaltungsknoten P2 und P3 über zwei λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4 verbunden. Ähnlich zu dem grundlegenden Beispiel aus 6 ist der Schaltungsknoten P1 folglich (über die beiden λ/4-Übertragungsleitungen TLλ/4) mit der Basis und dem Emitter des Transistors T2 verbunden. Diese Verbindung ist jedoch nur für HF-Signale verfügbar, wohingegen DC-Signale durch die Kondensatoren C2 bzw. C3 geblockt werden. Eine weitere λ/4-Übertragungsleitung TLλ/4 ist zwischen den Emitter des Transistors T2 und Masse (Masseanschluss GND) geschaltet, um eine DC-Kopplung des Emitters mit Masse herzustellen (wobei HF-Signale wie oben erwähnt mit dem Schaltungsknoten P3 über den Kondensator C3 verbunden sind).
  • Im Vergleich zu der grundlegenden Schaltung aus 6 wurde die Spule L1 durch die Übertragungsleitungen TLL1 und TLS3 ersetzt, die zwischen den Kollektor des Transistors T2 und einem Versorgungsspannungsterminal, der eine zweite Versorgungsspannung VDD2 liefert, gekoppelt sind. Demnach ist der gemeinsame Schaltungsknoten zwischen den beiden Übertragungsleitungen TLL1 und TLS3 mit dem Empfangsport über den Kondensator C5 verbunden. Der Zweck des Kondensators C5 ist der gleiche wie in dem Beispiel aus 6, nämlich DC-Signale vor dem Empfangsport PRX zu blocken. Ganz allgemein kann das vorliegende Beispiel als praktische Implementierung der grundlegenden Schaltung aus 6 angesehen werden.
  • In dem vorliegenden Beispiel kann die Größe sowie die Bias-Spannung VBIAS1 des Transistors T1 (Transkonduktanzstufe) ausgelegt werden für einen Eingang von 1 dBm, der als 1 dB-Kompressionspunkt (1 dB compression point) bezeichnet wird. Die Basis des Transistors T1 ist mit einem Schaltungsknoten verbunden, an dem die Bias-Spannung VBIAS1 angelegt wird. Um einen linearen Betrieb zu erreichen, ist der Emitter des Transistors T1 mit einer Bias-Schaltung gekoppelt, die die oben erwähnte Stromquelle CS1 beinhaltet.
  • In dem Schaltungsdesign kann jedes beliebige parasitäre Element zwischen Transistor T1 und Kondensator C6 berücksichtigt werden, da sie eine Auswirkung auf die Verstärkung und die Impendanzanpassung der vom Transistor T1 gebildeten Transkonduktanzstufe haben können. Die Größe des Transistors T2 sollte klein genug gewählt werden, so dass seine Miller-Kapazität Cμ (siehe 3) keine signifikante Auswirkung auf die Symmetrie (balance) der gesamten QC-Schaltung hat. Nichtsdestotrotz kann das Biasing des Transistors T2 für die Bereitstellung eines guten Signal-Rausch-Verhältnis ausgelegt werden. Die mit dem Emitter des Transistors T2 verbundene Impedanz ist niedrig, was einen negativen Effekt auf den Reflexionskoeffizienten am Antennenport PANT haben kann. Daher sollte der Kondensator C3 klein sein.
  • 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel der einstellbaren Impedanz ZTUNE, welche in der Schaltung aus 7 verwendet werden kann. Die grundlegende Idee ist die Parallelschaltung zweier Varaktordioden DV1, DV1' und DV2, DV2'. Die in 8 gezeigten Verzögerungsleitungen TLS1 und TLS2 werden verwendet, um statische Kapazitäten zu kompensieren, um den Dynamikbereich der einstellbaren Impedanz zu verbessern. Die Verzögerungsleitungen TL1 und TL2 dienen zur Impedanztransformation der Kapazitäten der Varaktordioden.
  • 9 zeigt eine weitere Implementierung eines Quasi-Zirkulators, der eine Alternative zu dem vorherigen Beispiel aus 6 darstellt. Der vorliegende Quasi-Zirkulator ist beinahe identisch mit dem vorherigen Beispiel, abgesehen davon, dass ein fester Abschlusswiderstand R0 zwischen dem Schaltungsknoten P2 und dem Versorgungsanschluss für die Versorgungsspannung VDD verwendet wird. In diesem Fall ist die einstellbare Impedanz ZTUNE an den Antennenport PANT gekoppelt. Genauer gesagt ist eine Serienschaltung aus einstellbarer Impedanz ZTUNE und einem Kondensator C1' am Antennenport PANT parallel zu der Antenne geschaltet. In diesem Beispiel sollte die einsellbare Impedanz ZTUNE einen größeren Abstimmbereich (tuning range) aufweisen als in dem vorherigen Beispiel aus 6. Des Weiteren kann die einstellbare Impedanz nicht eine beliebige Impedanzfehlanpassung der Antenne kompensieren, da sie parallel zu der Antenne geschaltet ist.
  • Obwohl diese Offenbarung mit Bezug auf eine oder mehrere Implementierungen beschrieben und dargestellt wurde, können an den dargestellten Beispielen Änderungen und Modifizierungen vorgenommen werden, ohne den Geist und den Umfang der beigefügten Ansprüche zu verlassen. Insbesondere bezüglich der verschiedenen Funktionen, die von den oben beschriebenen Komponenten oder Strukturen (Baugruppen, Vorrichtungen, Schaltungen, Systemen, usw.) ausgeführt werden, sollen die Bezeichnungen (einschließlich des Bezugs auf ein „Mittel”), die verwendet werden, um solche Komponenten zu beschreiben, auch jeder anderen Komponente oder Struktur entsprechen, die die spezifizierte Funktion der beschriebenen Komponente ausführt (d. h. die funktional gleichwertig ist), auch wenn sie der offenbarten Struktur, die in den hier dargestellten beispielhaften Ausführungsformen der Offenbarung die Funktion ausführt, nicht strukturell gleichwertig ist. Des Weiteren, obwohl vielleicht eine bestimmte Eigenschaft der Offenbarung nur in Bezug auf eine von mehreren Aufführungsformen offenbart wurde, können solche Eigenschaften mit einer oder mehreren Eigenschaften der anderen Ausführungsformen kombiniert werden, falls wünschenswert oder vorteilhaft für eine beliebige oder bestimmte Anwendung. Des Weiteren, insoweit Bezeichnungen wie „einschließlich”, einschließen”, „aufweisend”, „hat”, „mit” oder Variationen derselben entweder in der detaillierten Beschreibung oder in den Ansprüchen verwendet werden, sollen solche Bezeichnungen einschließend verstanden werden, ähnlich der Bezeichnung „umfassen”.

Claims (22)

  1. Eine HF-Quasi Zirkulatorschaltung, die aufweist: einen Empfangsport, einen Sendeport und einen Antennenport; eine Differenzverstärkerstufe mit einem ersten Eingang, einem zweiten Eingang und einem Ausgang der mit dem Empfangsport gekoppelt ist; ein erstes Phasenschieberelement und ein zweites Phasenschieberelement, wobei das erste Phasenschieberelement zwischen den Sendeport und den ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt ist und wobei das zweite Phasenschieberelement zwischen den Sendeport und den zweiten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt ist; und eine einstellbare Impedanz, die mit dem Differenzverstärker gekoppelt ist, wobei der Antennenport mit dem ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt ist und wobei die einstellbare Impedanz gesteuert wird, um eine Dämpfung in einem Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport einzustellen.
  2. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 1, wobei die einstellbare Impedanz gesteuert wird, um die Dämpfung in dem Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport zu maximieren.
  3. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Phasenschieberelement und das zweite Phasenschieberelement jeweils eine Phasenverschiebung von 90° bereitstellen.
  4. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zumindest eines des ersten und zweiten Phasenschieberelements eine Verzögerungsleitung ist.
  5. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, der weiter aufweist: eine zusätzliche Verstärkerstufe umfassend einen Eingang, der mit dem Empfangsport gekoppelt ist, und einen Ausgang, der mit dem ersten und dem zweiten Phasenschieberelement gekoppelt ist, wobei der Antennenport mit dem Ausgang der zusätzlichen Verstärkerstufe über das erste Phasenschieberelement gekoppelt ist.
  6. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 5, wobei die zusätzliche Verstärkerstufe zumindest eine Transistorstufe mit einem oder mehreren Transistoren umfasst.
  7. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 6, wobei die zusätzliche Verstärkerstufe zumindest eine Transkonduktanzstufe umfasst mit einem Ausgangsknoten, der mit dem Antennenport über das erste Phasenschieberelement gekoppelt ist und der mit der einstellbaren Impedanz über das zweite Phasenschieberelement gekoppelt ist.
  8. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Antennenport mit dem ersten Eingang des Differenzverstärkers gekoppelt ist, wobei das erste und das zweite Phasenschieberelement zwischen dem ersten und dem zweiten Eingang des Differenzverstärkers für Signale, die am Antennenport einfallen, eine gesamte Phasenverschiebung von 180° bewirken.
  9. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die einstellbare Impedanz mit dem zweiten Eingang des Differenzverstärkers oder mit dem Antennenport gekoppelt ist.
  10. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 9, wobei die einstellbare Impedanz parallel zu dem Antennenport oder in Serie mit einer Antenne geschaltet ist.
  11. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die einstellbare Impedanz zumindest eine abstimmbare Kapazität aufweist.
  12. Eine HF-Quasi-Zirkulatorschaltung, die aufweist: einen Empfangsport, einen Sendeport und einen Antennenport; eine erste Verstärkerstufe, die den Sendeport mit dem Antennenport koppelt und die dazu ausgebildet ist, am Sendeport empfangene Signale an den Antennenport zu leiten; eine zweite Verstärkerstufe, welche den Antennenport an den Empfangsport koppelt, und die dazu ausgebildet ist, am Antennenport empfangene Signale an den Empfangsport zu leiten; und eine einstellbare Impedanz, die mit der zweiten Verstärkerstufe gekoppelt ist, wobei die einstellbare Impedanz gesteuert wird, um eine Dämpfung im Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport zu steuern.
  13. Die HF-Quasi Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 12, wobei die einstellbare Impedanz gesteuert wird, um die Dämpfung im Signalpfad vom Sendeport zum Empfangsport zu maximieren.
  14. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei die erste Verstärkerstufe eine Transkonduktanzstufe ist mit einem Ausgangsknoten, der mit dem Antennenport über eine erste Übertragungsleitung gekoppelt ist und der mit der einstellbaren Impedanz über ein Phasenschieberelement gekoppelt ist.
  15. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die zweite Verstärkerstufe eine Differenzverstärkerstufe ist.
  16. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 15, wobei die Differenzverstärkerstufe zumindest einen zweiten Transistor aufweist mit einer Basis und einem Emitter, wobei der Antennenport mit dem Emitter des zweiten Transistors gekoppelt und mit der Basis des Transistors über einen Signalpfad gekoppelt ist, der einen Phasenversatz von 180° bewirkt.
  17. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, wobei die einstellbare Impedanz parallel zum Antennenport oder in Serie zu einer Antenne gekoppelt ist.
  18. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 17, wobei die einstellbare Impedanz zumindest eine Kapazität umfasst.
  19. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 17 oder 18, wobei die einstellbare Impedanz zumindest Varaktordiode aufweist.
  20. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 14, wobei das Phasenschieberelement zumindest eine Verzögerungsleitung aufweist.
  21. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 16, wobei der Signalpfad, der einen 180° Phasenversatz bewirkt zumindest eine Verzögerungsleitung beinhaltet.
  22. Die HF-Quasi-Zirkulatorschaltung gemäß Anspruch 16, wobei die Basis des zweiten Transistors mit einem Versorgungspotential über die einstellbare Impedanz wechselstromgekoppelt ist.
DE102015119278.0A 2014-11-27 2015-11-09 Aktiver Quasi-Zirkulator Pending DE102015119278A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/555,623 2014-11-27
US14/555,623 US9966931B2 (en) 2014-11-27 2014-11-27 Active quasi circulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015119278A1 true DE102015119278A1 (de) 2016-06-02

Family

ID=55968207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015119278.0A Pending DE102015119278A1 (de) 2014-11-27 2015-11-09 Aktiver Quasi-Zirkulator

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9966931B2 (de)
DE (1) DE102015119278A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111130463B (zh) * 2019-12-10 2021-05-28 西安交通大学 基于双抵消的低噪声系数、宽带、高隔离有源准环形器
CN111510108B (zh) * 2020-05-13 2023-08-01 电子科技大学 一种宽带低噪声高功率容限的准环形器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7738654B2 (en) * 2004-12-02 2010-06-15 Solarflare Communications, Inc. Isolation of transmit and receive signals

Also Published As

Publication number Publication date
US20160156085A1 (en) 2016-06-02
US9966931B2 (en) 2018-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015115566B4 (de) System und Verfahren für einen Richtkoppler
DE102015106509B4 (de) System und Verfahren für eine integrierte Hochfrequenzschaltung
DE102010040290B4 (de) Richtkoppler
DE102015115332B4 (de) System und Verfahren für ein Richtkopplermodul
DE102005058875B4 (de) Anpassnetzwerk
DE102014114200A1 (de) System und Verfahren für einen Hochfrequenzkoppler
DE102009045546B4 (de) Hochfrequenzschaltung mit verbesserter Antennenanpassung
DE102015108819A1 (de) System und Verfahren für einen Hochfrequenz-Schalter
DE102012203215B4 (de) Hochfrequenzschaltmodul
DE4203932A1 (de) Sende-/empfangsmodul
DE102015122185A1 (de) Multiplexervorrichtung mit einer ersten und einer zweiten Filtereinrichtung, die mit einem gemeinsamen Anschluss verbunden sind
DE112019000639T5 (de) Split-LNA mit Drain-Sharing
DE102015104621B4 (de) System für einen rauscharmen Verstärker
DE102011111737A1 (de) Modul für mobiles Kommunikationsendgerät und mobiles Kommunikationsendgerät
DE112017004354T5 (de) Binär gewichtetes dämpfungsglied mit kompensationsschaltung
DE102011054242B3 (de) Schaltungsanordnung für ein Frontend eines FMCW Radar-Transceivers, FMCW Radar-Transceiver und Verfahren zum Betreiben
US5168242A (en) Active-type broadband power divider
DE112015000860T5 (de) Hochfrequenz-Front-End-Schaltung
DE102015119278A1 (de) Aktiver Quasi-Zirkulator
DE60318357T2 (de) Asymmetrischer, spannungsoptimierter, breitbandiger common-gate bidirektionaler MMIC Verstärker
DE102020119638B4 (de) Verzögerungskompensation unter verwendung eines breitbandverstärkungsentzerrers
US8963559B2 (en) Variable impedance device
DE102016118071A1 (de) Hochfrequenz-Vorrichtung mit integrierter Antennensteuerung und verbundene Verfahren
DE102012202299A1 (de) Empfänger zum Empfangen von HF-Signalen in einer Mehrzahl von unterschiedlichen Kommunikationsbändern und Sende-/ Empfangsgerät
DE102017129438A1 (de) Hochfrequenz-Vorrichtung mit integrierter Antennensteuerung und zugehörige Verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R084 Declaration of willingness to licence