DE102015009513A1 - Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Substraten die Ruthenium und Kupfer enthalten - Google Patents

Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Substraten die Ruthenium und Kupfer enthalten Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats, das Ruthenium und Kupfer umfasst.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats, das Ruthenium und Kupfer umfasst. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleitersubstrats, das Ruthenium und Kupfer umfasst.
  • Da die Linienbreiten und Schichtdicken in Halbleitersubstraten weiter abnehmen, ersetzt Ruthenium zunehmend die Verwendung von Kupferkeimschichten in verschiedenen Integrationsschemata. Darüber hinaus treibt ein erhöhter Bedarf für integrierte Schaltungen mit hoher Dichte Vorrichtungsgestaltungen voran, die eine Mehrzahl von überlagerten Schichten von Metallzwischenverbindungsstrukturen umfassen. Zur Erleichterung solcher Mehrschichtvorrichtungsgestaltungen ist es entscheidend, jede Vorrichtungsschicht zu planarisieren. Halbleiterhersteller nutzen ein chemisch-mechanisches Polieren als kostengünstige Art und Weise zur Bereitstellung flacher Substratoberflächen.
  • Da Integrationsschemata, die von verschiedenen Halbleiterherstellern verwendet werden, variieren, variiert auch die Geschwindigkeitsselektivität, die für verschiedene Vorrichtungsschichten erforderlich ist, die in chemisch-mechanischen Polierschritten poliert werden. Darüber hinaus können die Nebenprodukte des chemisch-mechanischen Polierens variieren, die während eines gegebenen Poliervorgangs für eine gegebene Vorrichtungskonfiguration vorliegen. Beispielsweise enthalten herkömmliche Polierzusammensetzungen, die zum Rutheniumpolieren gestaltet sind, typischerweise ein starkes Oxidationsmittel, weisen einen niedrigen pH-Wert auf oder weisen sowohl einen niedrigen pH-Wert als auch ein starkes Oxidationsmittel auf. Solche Formulierungen können geeignete Ruthenium-Entfernungsgeschwindigkeiten bereitstellen; sie haben jedoch auch das Potenzial zur Bildung von Rutheniumtetraoxid. Rutheniumtetraoxid ist ein sehr giftiges Gas, das während chemisch-mechanischer Poliervorgänge spezielle Vorsichtsmaßnahmen erforderte.
  • Darüber hinaus oxidiert Kupfer sehr schnell, wenn es Polierzusammensetzungen ausgesetzt wird, die starke Oxidationsmittel enthalten. Bei dem vorliegenden Unterschied des Reduktionspotenzials von Ruthenium und Kupfer kann Kupfer einem galvanischen Angriff durch Ruthenium unterliegen, wenn bestimmte Vorrichtungskonfigurationen unter Verwendung von herkömmlichen Ruthenium-Polierzusammensetzungen poliert werden. Dies kann zu unterschiedlichen Entfernungsgeschwindigkeiten von Kupfer und Ruthenium beim Polieren führen, was zu unerwünschten Ungleichmäßigkeiten führt.
  • Eine angegebene Lösung zum Polieren von Ruthenium- und Kupfer-enthaltenden Substratschichten ist von Li et al. in der US-Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2009/0124173 offenbart. Li et al. offenbaren eine chemisch-mechanische Polierzusammensetzung, die umfasst: (a) ein Schleifmittel, (b) einen wässrigen Träger, (c) ein Oxidationsmittel mit einem Standardreduktionspotenzial von mehr als 0,7 V und weniger als 1,3 V bezogen auf eine Standardwasserstoffelektrode und (d) gegebenenfalls eine Quelle von Boratanionen, mit der Maßgabe, dass dann, wenn das Oxidationsmittel ein Peroxid umfasst, das von Perborat, Percarbonat oder Perphosphat verschieden ist, die chemisch-mechanische Polierzusammensetzung ferner eine Quelle von Boratanionen umfasst, wobei der pH-Wert der chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung zwischen etwa 7 und etwa 12 liegt.
  • Dennoch besteht ein andauernder Bedarf für neue chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzungen und -verfahren zur Verwendung beim Polieren von Substraten mit Ruthenium- und Kupferoberflächenmerkmalen.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereit, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die als ursprüngliche Komponenten Wasser, 0,1 bis 25 Gew.-% eines Schleifmittels, 0,05 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit oder Kaliumhypochlorit, 0,001 bis 1 Gew.-% eines Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, 0,005 bis 1 Gew.-% eines Korrosionshemmstoffs für Kupfer (vorzugsweise BTA), 0 bis 0,01 Gew.-% eines Polymethylvinylethers (PMVE), 0 bis 0,1 Gew.-% eines nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels umfasst, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 8 bis 12 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereit, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die als ursprüngliche Komponenten Wasser, 5 bis 15 Gew.-% des Schleifmittels, wobei das Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1 bis 100 nm ist, 0,05 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,001 bis 1 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:5 bis 5:1 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 10000 bis 50000 g/mol aufweist, 0,005 bis 1 Gew.-% des Korrosionshemmstoffs für Kupfer, wobei der Korrosionshemmstoff für Kupfer Benzotriazol ist, 0,0005 bis 0,005 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 10000 bis 50000 g/mol aufweist, 0,005 bis 0,05 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels umfasst, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 9 bis 11 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereit, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die als ursprüngliche Komponenten Wasser, 5 bis 15 Gew.-% des Schleifmittels, wobei das Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 25 bis 85 nm ist, 0,05 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,001 bis 1 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:5 bis 5:1 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist, 0,005 bis 1 Gew.-% des Korrosionshemmstoffs für Kupfer, wobei der Korrosionshemmstoff für Kupfer Benzotriazol ist, 0,0005 bis 0,005 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist, 0,005 bis 0,05 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels umfasst, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 9 bis 11 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereit, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die als ursprüngliche Komponenten Wasser, 7 bis 12 Gew.-% des kolloidalen Siliziumoxid-Schleifmittels, wobei das kolloidale Siliziumoxid-Schleifmittel eine durchschnittliche Teilchengröße von 25 bis 85 nm aufweist, 0,07 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,01 bis 0,1 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:5 bis 5:1 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 15000 bis 30000 g/mol aufweist, 0,03 bis 0,05 Gew.-% des Benzotriazols, 0,001 bis 0,0025 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist, 0,0075 bis 0,015 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels umfasst, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 10 bis 11 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereit, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die als ursprüngliche Komponenten Wasser, 7 bis 12 Gew.-% des kolloidalen Siliziumoxid-Schleifmittels, wobei das kolloidale Siliziumoxid-Schleifmittel eine durchschnittliche Teilchengröße von 25 bis 85 nm aufweist, 0,075 bis 0,5 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,05 bis 0,075 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 2:3 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist, 0,03 bis 0,05 Gew.-% des Benzotriazols, 0,001 bis 0,0025 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist, 0,0075 bis 0,015 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels umfasst, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 10 bis 11 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Viele potenzielle chemisch-mechanische Polierzusammensetzungen, die eine gewünschte Ruthenium-Entfernungsgeschwindigkeit und Ruthenium zu Kupfer-Selektivität aufweisen, wie sie sich durch Polierexperimente mit unstrukturierter Schicht zeigen, weisen kein stabiles Polierleistungsvermögen für unterschiedliche Vorrichtungskonfigurationen von verschiedenartig strukturierten Substraten (d. h., Substraten, die sowohl Ruthenium- als auch Kupferoberflächenmerkmale aufweisen) auf. Es wird davon ausgegangen, dass Nebenprodukte, die während des chemisch-mechanischen Polierens von Substraten, die Ruthenium und Kupfer umfassen, gebildet werden, Kupferionen umfassen. Es wird ferner davon ausgegangen, dass diese Kupferionen zur Zersetzung des Natriumhypochlorit-Oxidationsmittels führen. Es wurde überraschenderweise gefunden, dass chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzungen, die ein Natriumhypochlorit-Oxidationsmittel enthalten und die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden, stabile Poliereigenschaften für eine Anzahl von unterschiedlichen Vorrichtungskonfigurationen zeigen, die sowohl Ruthenium- als auch Kupferoberflächenmerkmale aufweisen.
  • Das Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats der vorliegenden Erfindung ist zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Substrats geeignet, das Ruthenium und Kupfer umfasst. Das Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Substrats der vorliegenden Erfindung ist insbesondere zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Halbleiterwafers geeignet, der Ruthenium- und Kupferoberflächenmerkmale aufweist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer der Oberflächenmerkmale in Kontakt kommt und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  • Vorzugsweise ist das Wasser, das als eine ursprüngliche Komponente in der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung verwendet wird, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, mindestens eines von entionisiert und destilliert, so dass zufällige Verunreinigungen begrenzt werden.
  • Schleifmittel, die zur Verwendung in der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, geeignet sind, umfassen z. B. anorganische Oxide, anorganische Hydroxide, anorganische Hydroxidoxide, Metallboride, Metallcarbide, Metallnitride, Polymerteilchen und Gemische, die mindestens eines der Vorstehenden umfassen. Geeignete anorganische Oxide umfassen z. B. Siliziumoxid (SiO2), Aluminiumoxid (Al2O3), Zirkoniumoxid (ZrO2), Ceroxid (CeO2), Manganoxid (MnO2), Titanoxid (TiO2) oder Kombinationen, die mindestens eines der vorstehend genannten Oxide umfassen. Modifizierte Formen dieser anorganischen Oxide, wie z. B. mit einem organischen Polymer beschichtete anorganische Oxidteilchen und anorganische beschichtete Teilchen, können gegebenenfalls ebenfalls verwendet werden. Geeignete Metallcarbide, -boride und -nitride umfassen z. B. Siliziumcarbid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbonitrid (SiCN), Borcarbid, Wolframcarbid, Zirkoniumcarbid, Aluminiumborid, Tantalcarbid, Titancarbid oder Kombinationen, die mindestens eines der vorstehend genannten Metallcarbide, -boride und -nitride umfassen. Vorzugsweise ist das verwendete Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel. Mehr bevorzugt ist das verwendete Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1 bis 100 nm (mehr bevorzugt 10 bis 100 nm, insbesondere 25 bis 85 nm), die mittels bekannter Laserlichtstreutechniken bestimmt wird.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst vorzugsweise als eine ursprüngliche Komponente 0,1 bis 25 Gew.-% (vorzugsweise 1 bis 20 Gew.-%, mehr bevorzugt 5 bis 15 Gew.-%, insbesondere 7 bis 12 Gew.-%) eines Schleifmittels. Vorzugsweise ist das Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel. Mehr bevorzugt ist das Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1 bis 100 nm (mehr bevorzugt 10 bis 100 nm, insbesondere 25 bis 85 nm). Insbesondere umfasst die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung der vorliegenden Erfindung als eine ursprüngliche Komponente 5 bis 15 Gew.-% (mehr bevorzugt 7 bis 12 Gew.-%) eines kolloidalen Siliziumoxid-Schleifmittels mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 10 bis 100 nm (mehr bevorzugt 25 bis 85 nm).
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst vorzugsweise als eine ursprüngliche Komponente 0,05 bis 1 Gew.-% (mehr bevorzugt 0,07 bis 1 Gew.-%, insbesondere 0,075 bis 0,5 Gew.-%) von mindestens einem von Natriumhypochlorit und Kaliumhypochlorit. Mehr bevorzugt umfasst die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, als eine ursprüngliche Komponente 0,05 bis 1 Gew.-% (mehr bevorzugt 0,07 bis 1 Gew.-%, insbesondere 0,075 bis 0,5) Natriumhypochlorit.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst vorzugsweise als eine ursprüngliche Komponente 0,001 bis 1 Gew.-% (vorzugsweise 0,0075 bis 0,5 Gew.-%, mehr bevorzugt 0,01 bis 0,1 Gew.-%, insbesondere 0,05 bis 0,075 Gew.-%) mindestens eines Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure. Vorzugsweise ist das mindestens eine Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure aus der Gruppe von Acrylsäure- und Methacrylsäure-Copolymeren mit einem Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:10 bis 10:1 (mehr bevorzugt 1:5 bis 5:1, insbesondere 2:3) ausgewählt. Vorzugsweise ist das mindestens eine Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure aus der Gruppe von Acrylsäure- und Methacrylsäure-Copolymeren mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5000 bis 100000 g/mol (mehr bevorzugt 10000 bis 50000 g/mol, noch mehr bevorzugt 15000 bis 30000 g/mol, insbesondere 20000 bis 25000 g/mol) ausgewählt. Insbesondere ist das mindestens eine Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure aus der Gruppe von Acrylsäure- und Methacrylsäure-Copolymeren mit einem Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:10 bis 10:1 (mehr bevorzugt 1:5 bis 5:1, insbesondere 2:3) und einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5000 bis 100000 g/mol (mehr bevorzugt 10000 bis 50000 g/mol, noch mehr bevorzugt 15000 bis 30000 g/mol, insbesondere 20000 bis 25000 g/mol) ausgewählt.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst vorzugsweise als eine ursprüngliche Komponente 0,005 bis 1 Gew.-% (vorzugsweise 0,0075 bis 0,5 Gew.-%, mehr bevorzugt 0,01 bis 0,1 Gew.-%, insbesondere 0,03 bis 0,05 Gew.-%) eines Korrosionshemmstoffs für Kupfer. Vorzugsweise ist der Korrosionshemmstoff für Kupfer ein Azolhemmstoff. Mehr bevorzugt ist der Korrosionshemmstoff für Kupfer ein Azolhemmstoff, der aus der Gruppe, bestehend aus Benzotriazol (BTA), Mercaptobenzotriazol (MBT), Tolyltriazol (TTA) und Imidazol, ausgewählt ist. Insbesondere ist der Korrosionshemmstoff für Kupfer Benzotriazol.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst gegebenenfalls als eine ursprüngliche Komponente 0 bis 0,01 Gew.-% (vorzugsweise 0,0005 bis 0,005 Gew.-%, insbesondere 0,0010 bis 0,0025 Gew.-%) eines Poly(methylvinylethers) (PMVE). Vorzugsweise weist der Poly(methylvinylether) in der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5000 bis 100000 g/mol (mehr bevorzugt 10000 bis 50000 g/mol, insbesondere 25000 bis 40000 g/mol) auf.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst gegebenenfalls als eine ursprüngliche Komponente 0 bis 0,1 Gew.-% (vorzugsweise 0,005 bis 0,05 Gew.-%, insbesondere 0,0075 bis 0,015 Gew.-%) eines nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels. Vorzugsweise ist das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat (wie z. B. Tween® 20, das von Sigma-Aldrich erhältlich ist).
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, weist vorzugsweise einen pH-Wert von 8 bis 12 (vorzugsweise 9 bis 11, mehr bevorzugt 9,5 bis 11, insbesondere 10 bis 11) auf. Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, umfasst gegebenenfalls ein pH-Einstellmittel. Vorzugsweise ist das optionale pH-Einstellmittel aus einer anorganischen Säure oder einer anorganischen Base ausgewählt. Insbesondere ist das optionale pH-Einstellmittel aus Salpetersäure, Schwefelsäure, Chlorwasserstoffsäure, Phosphorsäure, Kaliumsulfat und Kaliumhydroxid ausgewählt.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von einem Peroxy-Oxidationsmittel. Der Begriff „Peroxy-Oxidationsmittel”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, steht für Oxidationsmittel, die aus Wasserstoffperoxid, Harnstoffwasserstoffperoxid, Percarbonatsalzen, Benzoylperoxid, Peressigsäure, Natriumperoxid, Di-tert-butylperoxid, Monopersulfatsalzen, Dipersulfatsalzen, Eisen(III)-verbindungen ausgewählt sind. Der Ausdruck „frei von einem Peroxy-Oxidationsmittel”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Peroxy-Oxidationsmittel enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Peroxy-Oxidationsmittel.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Periodsäure. Der Ausdruck „frei von Periodsäure”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Periodsäure und Salze davon enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Periodsäure und Salze davon.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Boratanionen. Der Ausdruck „frei von Boratanionen”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Boratanionen enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Boratanionen.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Perborat. Der Ausdruck „frei von Perborat”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Perborat enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Perborat.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Percarbonat. Der Ausdruck „frei von Percarbonat”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Percarbonat enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Percarbonat.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Perphosphat. Der Ausdruck „frei von Perphosphat”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Perphosphat enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Perphosphat.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Calciumionen. Der Ausdruck „frei von Calciumionen”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 0,1 ppm Calciumionen enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Calciumionen.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Magnesiumionen. Der Ausdruck „frei von Magnesiumionen”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 0,1 ppm Magnesiumionen enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Magnesiumionen.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Oxiranring-enthaltenden Materialien. Der Ausdruck „frei von einem Oxiranring”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Oxiranring-enthaltende Materialien (z. B. wasserlösliche Polymere, die Oxiranringe enthalten, und grenzflächenaktive Mittel, die Oxiranringe enthalten) enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Oxiranring-enthaltende Materialien.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Amidgruppen. Der Ausdruck „frei von Amidgruppen”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Amidgruppe-enthaltende Materialien enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Amidgruppe-enthaltende Materialien.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Phosphonsäure. Der Ausdruck „frei von Phosphonsäure”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Phosphonsäure enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Phosphonsäure.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von Cyanatsalz. Der Ausdruck „frei von Cyanatsalz”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm Cyanatsalz enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für Periodsäure.
  • Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, ist vorzugsweise frei von wasserlöslicher Zellulose, die mit einer Carbonsäurefunktionalität modifiziert ist. Der Ausdruck „frei von wasserlöslicher Zellulose, die mit einer Carbonsäurefunktionalität modifiziert ist”, der hier und in den beigefügten Patentansprüchen verwendet wird, bedeutet, dass die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung < 1 ppm wasserlösliche Zellulose, die mit einer Carbonsäurefunktionalität modifiziert ist, enthält. Vorzugsweise enthält die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, < die Nachweisgrenze für wasserlösliche Zellulose, die mit einer Carbonsäurefunktionalität modifiziert ist.
  • Das chemisch-mechanische Polierkissen, das in dem chemisch-mechanischen Polierverfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird, kann jedwedes in dem Fachgebiet bekannte geeignete Polierkissen sein. Das chemisch-mechanische Polierkissen kann vorzugsweise aus Gewebe- und Vliespolierkissen ausgewählt sein. Das chemisch-mechanische Polierkissen kann aus jedwedem geeigneten Polymer mit variierender Dichte, Härte, Dicke, Komprimierbarkeit und variierendem Modul hergestellt sein. Das chemisch-mechanische Polierkissen kann gegebenenfalls gerillt und perforiert sein.
  • Vorzugsweise wird in dem chemisch-mechanischen Polierverfahren der vorliegenden Erfindung die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat auf die Polieroberfläche des chemisch-mechanischen Polierkissens abgegeben.
  • Einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachstehend in den folgenden Beispielen detailliert beschrieben.
  • Vergleichsbeispiel A und Beispiele 1 bis 4
  • Chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzungen
  • Die getesteten chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzungen sind in der Tabelle 1 beschrieben. Die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung A ist eine Vergleichsformulierung, nicht innerhalb des Umfangs der beanspruchten Erfindung liegt. Die chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzungen wurden unter Verwendung von Kaliumhydroxid (KOH) auf den in der Tabelle 1 angegebenen pH-Wert eingestellt. Tabelle 1
    Bsp . Schleifmittel AϮ (Gew.-%) Schleifmittel Bχ (Gew.-%) PMVEϕ (Gew.-%) Grenzflächenaktives Mittelλ (Gew.-%) Copolymerγ (Gew.-%) BTA (Gew.-%) NaOCl (Gew.-%) pH
    A 5 - - - - 0,02 0,5 10,5
    1 - 9 0,0015 0,01 0,06 0,04 0,075 10,5
    2 - 9 0,0015 0,01 0,06 0,04 0,15 10,5
    3 - 9 0,0015 0,01 0,06 0,04 0,3 10,5
    4 - 9 0,0015 0,01 0,06 0,04 0,5 10,5
    Ϯ Klebosol® K1630 kolloidales Siliziumoxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 120 nm, hergestellt von AZ Electronic Materials und von Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc. erhältlich
    χ Klebosol® II 1501-50 kolloidales Siliziumoxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 50 nm, hergestellt von AZ Electronic Materials und von Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc. erhältlich
    ϕ Poly(methylvinylether) mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 32000 g/mol
    λ Tween® 20 nicht-ionisches Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat als grenzflächenaktives Mittel, das von Sigma-Aldrich erhältlich ist
    γ Copolymer aus Acrylsäure- und Methacrylsäuremonomeren mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 22000 g/mol und einem Molverhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 2:3.
  • Poliertests
  • Polierexperimente wurden mit unstrukturierten Kupfer(Cu)-, Tetraethylorthosilikat(TEOS)-, Black Diamond® SiCOH-Film(BD)- und physikalisch gasphasenabgeschiedenes Ruthenium(RuPVD)-Wafern unter Verwendung der in der Tabelle 1 beschriebenen chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzungen (CMPCs) durchgeführt. Die Polierexperimente wurden unter Verwendung eines Applied Materials, Inc. Reflexion LK® 300 mm-Poliergeräts, das mit einem ISRM-Detektorsystem ausgestattet war, unter Verwendung eines VisionPadTM VP3100-Polyurethanpolierkissens mit einem SP2310-Unterkissen und einem 1010-Rillenmuster (von Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc. erhältlich) bei einer Andruckkraft von 6,89 kPa (1 psi), einer Flussrate der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung von 300 ml/min, einer Plattendrehzahl von 93 U/min und einer Trägerdrehzahl von 87 U/min durchgeführt. Eine Kinik® 32P-3FN-Diamantkissenkonditioniereinrichtung (von Kinik Company erhältlich) wurde zur Konditionierung des Polierkissens verwendet. Das Polierkissen wurde mit der Konditioniereinrichtung unter Verwendung einer Andruckkraft von 3,18 kg (7,0 Pfund) für 20 Minuten einlaufen gelassen. Das Polierkissen wurde ferner in situwährend des Polierens mit 10 Durchläufen/Minute von 2,0 bis 13,7 Zoll von der Mitte des Polierkissens mit einer Andruckkraft von 2,72 kg (6 Pfund) konditioniert. Die in der Tabelle 2 angegebenen Cu- und RuPVD-Entfernungsgeschwindigkeiten wurden unter Verwendung eines Jordan Valley JVX-5200T-Messgeräts bestimmt. Die in der Tabelle 2 angegebenen TEOS- und BD-Entfernungsgeschwindigkeiten wurden durch Messen der Filmdicke vor und nach dem Polieren unter Verwendung eines KLA-Tencor FX200-Messgeräts bestimmt. Die Ergebnisse der Poliertests sind in der Tabelle 2 angegeben. Tabelle 2
    CMPC Bsp. Cu-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min) TEOS-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/mm) BD-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/mm) RuPVD-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min)
    A 111 496 702 717
    1 60 276 299 72
    2 73 369 339 248
    3 91 316 403 481
    4 94 279 386 739

Claims (10)

  1. Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats, umfassend: Bereitstellen eines Poliergeräts, Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Ruthenium und Kupfer umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung, umfassend als ursprüngliche Komponenten: Wasser, 0,1 bis 25 Gew.-% eines Schleifmittels, 0,05 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit oder Kaliumhypochlorit, 0,001 bis 1 Gew.-% eines Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, 0,005 bis 1 Gew.-% eines Korrosionshemmstoffs für Kupfer (vorzugsweise BTA), 0 bis 0,01 Gew.-% eines Polymethylvinylethers (PMVE), 0 bis 0,1 Gew.-% eines nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 8 bis 12 aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Installieren des chemisch-mechanischen Polierkissens und des Substrats in dem chemisch-mechanischen Poliergerät, Erzeugen eines dynamischen Kontakts zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa, Abgeben der chemisch-mechanischen Polieraufschlämmungszusammensetzung in der Nähe einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung mit Ruthenium und Kupfer des Substrats in Kontakt kommt, wobei das Substrat poliert wird und wobei ein Teil des Rutheniums von dem Substrat entfernt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung als ursprüngliche Komponenten umfasst: Wasser, 5 bis 15 Gew.-% des Schleifmittels, wobei das Schleifmittel ein kolloidales Siliziumoxid-Schleifmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1 bis 100 nm ist, 0,05 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,001 bis 1 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:5 bis 5:1 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 10000 bis 50000 g/mol aufweist, 0,005 bis 1 Gew.-% des Korrosionshemmstoffs für Kupfer, wobei der Korrosionshemmstoff für Kupfer Benzotriazol ist, 0,0005 bis 0,005 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 10000 bis 50000 g/mol aufweist, 0,005 bis 0,05 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 9 bis 11 aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das kolloidale Siliziumoxid-Schleifmittel eine durchschnittliche Teilchengröße von 25 bis 85 nm aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Polymethylvinylether ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist.
  6. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das kolloidale Siliziumoxid-Schleifmittel eine durchschnittliche Teilchengröße von 25 bis 85 nm aufweist, bei dem das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist und bei dem der Polymethylvinylether ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung als ursprüngliche Komponenten umfasst: Wasser, 7 bis 12 Gew.-% des kolloidalen Siliziumoxid-Schleifmittels, wobei das kolloidale Siliziumoxid-Schleifmittel eine durchschnittliche Teilchengröße von 25 bis 85 nm aufweist, 0,07 bis 1 Gew.-% Natriumhypochlorit, 0,01 bis 0,1 Gew.-% des Copolymers von Acrylsäure und Methacrylsäure, wobei das Copolymer von Acrylsäure und Methacrylsäure ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 1:5 bis 5:1 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 15000 bis 30000 g/mol aufweist, 0,03 bis 0,05 Gew.-% des Benzotriazols, 0,001 bis 0,0025 Gew.-% des Poly(methylvinylethers), wobei der Poly(methylvinylether) ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 25000 bis 40000 g/mol aufweist, 0,0075 bis 0,015 Gew.-% des nicht-ionischen grenzflächenaktiven Mittels, wobei das nicht-ionische grenzflächenaktive Mittel ein Polyethylenglykolsorbitanmonolaurat ist, wobei die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung einen pH-Wert von 10 bis 11 aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung als eine ursprüngliche Komponente 0,075 bis 0,5 Gew.-% Natriumhypochlorit umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung als eine ursprüngliche Komponente 0,05 bis 0,075 Gew.-% des Copolymers von Polyacrylsäure und Methacrylsäure umfasst, wobei das Copolymer ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 2:3 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist.
  10. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die chemisch-mechanische Polieraufschlämmungszusammensetzung als eine ursprüngliche Komponente 0,075 bis 0,5 Gew.-% Natriumhypochlorit und 0,05 bis 0,075 Gew.-% des Copolymers von Polyacrylsäure und Methacrylsäure umfasst, wobei das Copolymer ein Verhältnis von Acrylsäure zu Methacrylsäure von 2:3 und ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 20000 bis 25000 g/mol aufweist.
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