DE102015003418A1 - Gerät und Verfahren zur Positionsausrichtung von Energiestrahlen - Google Patents

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Abstract

Eine Lichtquellenvorrichtung bestrahlt ein Material mit einem ersten Strahl und leitet einen zweiten Strahl zu einer ersten Position auf dem Material, das mit dem ersten Strahl bestrahlt wird. Ein Ausrichtungsmechanismus umfasst eine optische Einheit, um dem ersten Strahl den Durchgang durch diese zu ermöglichen und um den zweiten Strahl zu reflektieren und den zweiten Strahl in eine gleiche Richtung wie den ersten Strahl zu lenken. Der Ausrichtungsmechanismus umfasst außerdem einen Spiegel, um den zweiten Strahl zu reflektieren, eine Strahlerfassungseinheit und eine Abzweigeinheit, um den ersten Strahl, der durch die optische Einheit hindurch gegangen ist, und den zweiten Strahl, der von der optischen Einheit reflektiert wird, zu empfangen. Der Spiegel passt eine Einfallposition des zweiten Laserstrahls auf der optischen Einheit an. Die Abzweigeinheit passt die erste Position des ersten Strahls auf dem Material und eine zweite Position des zweiten Strahls auf dem Material an.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Gerät und ein Verfahren zur Positionsausrichtung von Energiestrahlen, die beispielsweise mit einer Lichtquellenvorrichtung benützt werden, die dazu konfiguriert ist, extrem ultraviolettes Licht abzugeben. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausrichtung von Bestrahlungspositionen von zwei Energiestrahlen zueinander.
  • Beschreibung des einschlägigen Standes der Technik
  • Wenn integrierte Halbleiterschaltungen in einer Feinstruktur und/oder hoch integriert ausgebildet werden, geht eine Lichtquelle zur Belichtung in Richtung auf noch kürzere Wellenlängen. Als Lichtquelle der nächsten Generation für die Belichtung von Halbleitern wird eine extrem ultraviolette Lichtquelle (EUV-Lichtquelle) untersucht. Eine derartige Lichtquelle kann extrem ultraviolettes Licht mit einer bestimmten Wellenlänge (13,5 nm) abgeben.
  • Es gibt einige bekannte Verfahren, mit denen EUV-Lichtquellenvorrichtungen das extrem ultraviolette Licht erzeugen (abgeben) können. Bei einem der bekannten Verfahren wird eine EUV-Spezies (Seed) zur Anregung erhitzt. Dadurch entsteht ein Hochtemperatur-Plasma. Dann wird das extrem ultraviolette Licht aus dem Hochtemperatur-Plasma extrahiert.
  • Die EUV-Lichtquellenvorrichtung, die ein derartiges Verfahren anwendet, wird allgemein in zwei Typen kategorisiert, abhängig von der Art der Erzeugung des Hochtemperatur-Plasmas. Ein Typ ist eine EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ eines Laser-produzierten Plasmas (LPP). Ein anderer Typ ist eine EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ eines Entladungs-produzierten Plasmas (DPP).
  • EUV-Lichtquellenvorrichtung vom DPP-Typ
  • Ein Mechanismus der extrem ultravioletten Strahlung der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom DPP-Typ wird kurz beschrieben.
  • In der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom DPP-Typ werden Elektroden beispielsweise in einem Entladungsgefäß platziert, und das Entladungsgefäß wird mit einem Materialgas (gasförmige Hochtemperatur-Plasmamaterialatmosphäre) gefüllt. Dann wird zwischen den Elektroden in der Plasmamaterialatmosphäre eine Entladung ausgelöst, um Initialplasma zu produzieren.
  • Aus dem Gleichstrom, der nach der Entladung zwischen den Elektroden fließt, ergibt sich ein eigenmagnetisches Feld und verursacht die Schrumpfung des Initialplasmas. Daraus folgt, dass die Dichte des Initialplasmas zunimmt und die Plasmatemperatur steil ansteigt. Dieses Phänomen wird im Weiteren als ”Pinch-Effekt” bezeichnet. Die vom Pinch-Effekt verursachte Erhitzung erhöht die Plasmatemperatur, und das EUV-Licht wird vom Hochtemperatur-Plasma abgegeben.
  • In den letzten Jahren benutzen EUV-Lichtquellenvorrichtungen vom DPP-Typ festes oder flüssiges Sn oder Li. Das feste oder flüssige Sn oder Li wird den Oberflächen der Elektroden zugeführt, an denen die Entladung stattfindet, und mit einem Energiestrahl, etwa einem Laserstrahl zur Verdampfung, bestrahlt. Anschließend wird das Hochtemperatur-Plasma durch Entladung erzeugt. Das mit dieser Methode zubereitete Plasma wird vielfach als ”Laser-gestütztes Gasentladungs-Plasma (LAGDPP)” bezeichnet. Die nachstehende Beschreibung beschäftigt sich mit einer EUV-Lichtquellenvorrichtung, wenn der Energiestrahl der Laserstrahl ist.
  • In 9 der begleitenden Zeichnungen ist schematisch eine EUV-Lichtquellenvorrichtung dargestellt, die ein DPP-Verfahren (LAGDPP-Verfahren) anwendet, das in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-505460 (Patentliteratur 1) oder WO 2005/025280 offenbart ist.
  • Die EUV-Lichtquellenvorrichtung weist eine Kammer 1 auf, bei der es sich um das Entladungsgefäß handelt. In der Kammer 1 sind ein Entladungsteil 1a und ein EUV-Licht-Kondensationsteil 1b vorgesehen. Es kann festgehalten werden, dass die Kammer 1 durch den Entladungsteil 1a und den EUV-Licht-Kondensationsteil 1b begrenzt ist. Der Entladungsteil 1a umfasst ein Paar scheibenartiger Entladungselektroden 2a und 2b. Der EUV-Licht-Kondensationsteil 1b umfasst eine Folienfalle 5 und einen EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9, bei dem es sich um eine Lichtkondensationseinheit handelt.
  • Eine Gasentladungseinheit 1c ist an der EUV-Lichtquellenvorrichtung befestigt. Die Gasentladungseinheit 1c dient dazu, das Innere der EUV-Lichtquellenvorrichtung (den Entladungsteil 1a und den EUV-Licht-Kondensationsteil 1b) zu evakuieren.
  • Die scheibenartigen Elektroden 2a und 2b sind voneinander um eine festgelegte Distanz beabstandet und besitzen Rotationsmotoren 16a bzw. 16b. Wenn sich die Motoren 16a und 16b drehen, rotieren die Elektroden 2a und 2b um die Wellen 16c und 16d.
  • Ein Hochtemperatur-Plasmamaterial 14 ist ein Material zum Emittieren von EUV-Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 nm. Das Plasmamaterial 14 ist beispielsweise flüssiges Zinn (Sn) und ist in den Behältern 15a und 15b aufgenommen. Das Plasmamaterial 14 wird in den Behältern 15a und 15b erhitzt und wird zu geschmolzenem Metall. Die Temperatur des geschmolzenen Metalls wird mit einer (nicht dargestellten) Temperatureinstellungseinheit eingestellt, die beispielsweise in jedem der Behälter angeordnet ist.
  • Die Elektroden 2a und 2b sind in den entsprechenden Behältern 15a bzw. 15b teilweise in das Plasmamaterial 14 eingetaucht. Das flüssige Plasmamaterial 14, welches auf der Oberfläche jeder der Elektroden 2a, 2b aufliegt, wird bei Rotation der Elektrode 2a, 2b in den Entladungsraum bewegt.
  • Das Hochtemperatur-Plasmamaterial 14, das in den Entladungsraum bewegt wird, wird mit dem Laserstrahl (Energiestrahl) 17 bestrahlt, der von einer Laserquelle (Energiestrahl-Bestrahlungseinheit) 12 abgegeben wird. Bei der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 17 verdampft das Hochtemperatur-Plasmamaterial 14.
  • Während das Plasmamaterial 14 nach Bestrahlung mit dem Laserstrahl 17 verdampft, wird an die Elektroden 2a und 2b von einer Stromquelleneinheit 3 eine elektrische Impulsenergie angelegt. Damit wird zwischen den Elektroden 2a und 2b eine Impulsentladung ausgelöst, und aus dem Plasmamaterial 14 wird ein Plasma P produziert. Es ist zu beachten, dass die elektrische Energie an die Elektroden 2a und 2b angelegt wird, bevor beispielsweise das Plasmamaterial 14 mit dem Laserstrahl 17 bestrahlt wird.
  • Durch die Entladung wird ein hoher Stromfluss ausgelöst. Der hohe Stromfluss erhitzt und regt das Plasma an, so dass die Plasmatemperatur steigt. Daraufhin wird EUV-Licht vom Hochtemperatur-Plasma P emittiert.
  • Zu beachten ist, dass die elektrische Impulsenergie zwischen den Entladungselektroden 2a und 2b angelegt wird. Die resultierende Entladung ist folglich eine Impulsentladung, und das abgegebene EUV-Licht ist Licht, das impulsartig emittiert wird, also Pulslicht (pulsierendes Licht).
  • Das vom Hochtemperatur-Plasma P abgegebene EUV-Licht wird vom EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9 auf einen Kondensationspunkt f des Lichtkondensationsspiegels 9 kondensiert (in dieser Beschreibung auch als ”Zwischenkondensationspunkt f” bezeichnet). Dann tritt das EUV-Licht aus einem EUV-Licht-Auslass 8 aus und fällt in eine Belichtungseinrichtung 40 ein, die an der EUV-Lichtquellenvorrichtung angebracht ist. Die Belichtungseinrichtung 40 ist in 9 durch die gestrichelte Linie angezeigt.
  • Grundsätzlich umfasst der EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9 eine Mehrzahl dünner konkaver Spiegel, die hochpräzise in einer verschachtelten Form angeordnet sind. Die Reflexionsebene jedes der Konkavspiegel weist beispielsweise eine Sphäroidform (die Form eines Rotationsellipsoids), eine Form eines Rotationsparaboloids, oder eine Wolter-Form auf. Jeder der Konkavspiegel weist eine Rotationskörperform auf. Die Wolter-Form ist eine konkave Form, deren Lichteinfallfläche – in dieser Reihenfolge von der Lichteinfallseite aus – ein Rotationshyperboloid und ein Rotationsellipsoid oder ein Rotationshyperboloid und ein Rotationsparaboloid aufweist.
  • Gemäß dem DPP-Verfahren (LAGDPP-Verfahren) ist es einfach, Sn, das bei Raumtemperatur fest ist, in der Nähe des Entladungsbereichs, wo die Entladung stattfindet, zu verdampfen. Der Entladungsbereich ist der Raum für die Entladung zwischen den Entladungselektroden. Es besteht insbesondere die Möglichkeit, verdampftes Sn in den Entladungsbereich zuzuführen, wodurch es möglich wird, die EUV-Strahlung mit der Wellenlänge von 13,5 nm nach der Entladung effizient zu extrahieren.
  • Die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-505460 ( WO 2005/025280 ) offenbarte EUV-Lichtquellenvorrichtung weist die folgenden Vorteile auf, weil die Entladungselektroden zur Rotation gebracht werden.
    • (i) Es besteht die Möglichkeit, immer ein festes oder flüssiges Hochtemperatur-Plasmamaterial in den Entladungsbereich zuzuführen. Das Plasmamaterial ist ein Material für eine neue EUV-produzierende Spezies.
    • (ii) Da die Position auf jeder Entladungselektrodenoberfläche, die mit den Laserstrahlen bestrahlt wird, und die Position der Hochtemperatur-Plasmaerzeugung (Position des Entladungsteils) ständig wechseln, verringert sich die thermische Belastung auf jede Entladungselektrode, weshalb die Möglichkeit besteht, die Abnutzung der Entladungselektroden zu reduzieren oder zu verhindern.
  • In der EUV-Lichtquellenvorrichtung werden die Materialien auf den Oberflächen der Elektroden nach Abstrahlung der Laserstrahlen verdampft, und die Entladung wird zwischen den Elektroden ausgelöst, um das Plasma zu erzeugen. Wenn jedoch die effiziente Erzeugung der EUV-Strahlung gewünscht ist, muss das verdampfte Plasmamaterial (zum Beispiel Zinn), das dem Entladungsbereich zugeführt wird, eine bestimmte Gasdichte (hohe Dichte) aufweisen. Dies deshalb, weil die Ionendichte des Hochtemperatur-Plasmas, das mit dem EUV-Licht bestrahlt wird, 1017 bis 1020 cm–3 beträgt, und die Ionendichte des Initialplasmas, also des Hochtemperatur-Plasmas vor dem Pinching, annähernd 1016 cm–3 sein muss. Mit anderen Worten, wenn die Gasdichte des der Entladungsregion zugeführten Plasmamaterials kleiner ist als beispielsweise 1016 cm–3, gibt das nach der Entladung erzeugte Plasma kein EUV-Licht mit der Wellenlänge 13,5 nm ab, auch wenn die Entladung ausgelöst wird.
  • In der EUV-Lichtquellenvorrichtung gemäß Offenbarung in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-505460 ( WO 2005/025280 ) wird das Gas des Plasmamaterials zwischen den Elektroden (im Entladungsraum) eingeführt, wenn die flüssigen oder festen Materialien, die auf die Oberflächen der Elektroden aufgebracht sind, mit den Laserstrahlen bestrahlt werden. Die Materialien, die bei der Bestrahlung der Laserstrahlen verdampft werden, breiten sich jedoch in dem Raum zwischen den zwei Elektroden dreidimensional aus. Es ist deshalb schwierig, die Dichte des Gases des in den Entladungsbereich zugeführten Plasmamaterials zu regulieren (steuern). Wenn das sich ausbreitende Materialgas die zwei gegenüber angeordneten Elektroden erreicht und die Entladung beginnt, ist die Materialgasdichte zu Beginn der Entladung nicht immer die für die EUV-Strahlung gewünschte Dichte.
  • Zur Überwindung eines derartigen Problems ist im japanischen Patent Nr. 4623192 (Patentliteratur 2) eine EUV-Lichtquellenvorrichtung offenbart. Diese EUV-Lichtquellenvorrichtung umfasst eine erste Energiestrahl-Bestrahlungseinheit und eine zweite Energiestrahl-Bestrahlungseinheit. Das den zwei Entladungselektroden zugeführte Material wird mit einem ersten Energiestrahl von der ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit so bestrahlt, dass das Material verdampft und die Entladung zwischen den zwei Elektroden ausgelöst wird. Nachdem der erste Energiestrahl von der ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit auf das Material abgegeben wurde, wird von der zweiten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit ein zweiter Energiestrahl abgegeben, bis (bevor) die Entladung zwischen den zwei Entladungselektroden beginnt. Der zweite Energiestrahl wird auf das Material auf der Entladungselektrode in einem Bereich gerichtet, der mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird. Der zweite Energiestrahl dient zur weiteren Verdampfung des Materials. Wie in 10 der angefügten Zeichnung dargestellt, umfasst beispielsweise die EUV-Lichtquellenvorrichtung eine erste Laserquelle (Energiestrahl-Bestrahlungseinheit) 12a zum Emittieren eines ersten Laserstrahls (Energiestrahl) 17a, und eine zweite Laserquelle (Energiestrahl-Bestrahlungseinheit) 12b zum Abgeben eines zweiten Laserstrahls (Energiestrahl) 17b. Die erste Laserquelle 12a weist ein Lichtkondensationssystem (optisches System) 13a auf, und die zweite Laserquelle 12a weist ein Lichtkondensationssystem (optisches System) 13b auf. Jeder der Laserstrahlen 17a und 17b wird mittels des zugehörigen Lichtkondensationssystems 13a, 13b auf das einer rotierenden Elektrode 2a zugeführte Material (Zinn) 14 gerichtet.
  • Das Plasmamaterial (Zinn) 14 auf der Elektrode 2a wird mit dem ersten Laserstrahl 17a bestrahlt, und das Materialgas, das bei der Ausstrahlung des ersten Laserstrahls 17a erzeugt wird, breitet sich aus und erreicht die gegenüberliegende Elektrode 2b. Das Materialgas überbrückt somit elektrisch die zwei Elektroden 2a und 2b, und ein elektrischer Strom beginnt zu fließen, um die Entladung zu initiieren. Bevor das Materialgas, das bei der Bestrahlung des ersten Laserstrahls 17a erzeugt wird, die zwei Elektroden 2a und 2b überbrückt und die Entladung auslöst, wird das Plasmamaterial (Zinn) 14 auf der Elektrode 2a mit dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt. Der zweite Laserstrahl 17b ist auf denselben Bereich wie der erste Laserstrahl 17a gerichtet. Auf diese Weise wird das Materialgas zwischen den Elektroden 2a und 2b erneut erzeugt.
  • Die Entladung wird von dem Materialgas eingeleitet, das nach Abstrahlung des ersten Laserstrahls 17a erzeugt wird. Wenn die Entladung startet, hat das Materialgas, das nach Abstrahlung des zweiten Laserstrahls 17b erzeugt wird, eine hohe Gasdichte und tritt zwischen den Elektroden 2a und 2b aus, weil nach der Bestrahlung des zweiten Laserstrahls 17b nur eine kurze Zeit verstreicht. Mit anderen Worten, das Materialgas, das nach Bestrahlung des zweiten Laserstrahls 17b erzeugt wird, dehnt sich aus (verbreitet sich) dreidimensional nicht sehr stark, wenn die Entladung beginnt.
  • Deshalb wird das Materialgas durch einen magnetischen Druck komprimiert und erhitzt, wenn der Entladungsstrom zunimmt. Dann nimmt der Pinch-Effekt zu. Dementsprechend sind die erreichte Ionendichte und Elektronentemperatur ausreichend hoch, um eine EUV-Strahlung mit einem hohen Konversionskoeffizienten bereitzustellen.
  • Durch eine richtige Zeittaktung der Bestrahlung des zweiten Laserstrahls 17b ergibt sich die Möglichkeit, die Dichte des Gases des dem Entladungsbereich zugeführten Plasmamaterials so zu steuern, dass die Dichte des Gases für die EUV-Strahlung geeignet ist.
  • EUV-Lichtquellenvorrichtung des Typs LPP
  • Bezug nehmend auf 11 der begleitenden Zeichnungen, wird die EUV-Lichtquellenvorrichtung des Typs LPP kurz beschrieben.
  • Die EUV-Lichtquellenvorrichtung des Typs LPP weist eine Lichtquellenkammer 1 auf. Eine Materialzufuhreinheit 10 zur Zuführung des Materials (Plasmamaterial), bei dem es sich um eine EUV-Strahlungsspezies (Seed) handelt, wird nahe der Lichtquellenkammer 1 bereitgestellt, und eine Materialzufuhrdüse 20 erstreckt sich in die Lichtquellenkammer 1. Das Material (zum Beispiel flüssige Zinntröpfchen) (Sn) wird von der Materialzufuhrdüse 20 in die Lichtquellenkammer 1 eingeführt.
  • Das Innere der Lichtquellenkammer 1 wird von einer Gasentladungseinheit 1c evakuiert, beispielsweise einer Vakuumpumpe, und im Vakuumzustand gehalten.
  • Eine Anregungslaser-Erzeugungsvorrichtung 21 ist eine Laserstrahl-Bestrahlungseinheit. Ein Laserstrahl 22 von der Anregungslaser-Erzeugungsvorrichtung 21 wird von einer Laserstrahl-Kondensationseinheit 24 kondensiert und über ein Laserlicht-Einlassfenster 23 in die Kammer 1 eingeführt. Dann wandert der Laserstrahl 22 durch ein Laserstrahlloch 25, das in einem ungefähren Mittelpunkt eines EUV-Kondensationsspiegels 9 ausgebildet ist. Der Laserstrahl 22 wird auf das Material (zum Beispiel flüssige Zinntröpfchen) gerichtet, das von der Materialzufuhrdüse 20 abgegeben wird. Die Anregungslaser-Erzeugungsvorrichtung 21 ist beispielsweise eine Pulslaservorrichtung. Eine Wiederholungsrate der Laserstrahl-Erzeugungsvorrichtung 21 beträgt einige kHz. Die Laserstrahl-Erzeugungsvorrichtung 21 ist beispielsweise ein Kohlendioxid-(CO2)-Laser.
  • Das von der Materialzufuhrdüse 20 bereitgestellte Material wird durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22 erhitzt und angeregt und wird zu einem Hochtemperatur-Plasma. Das EUV-Licht wird von dem Hochtemperatur-Plasma abgegeben. Das abgegebene EUV-Licht wird durch den Kondensationsspiegel 9 zu einem EUV-Licht-Auslass 8 reflektiert und an einem Kondensationspunkt (Zwischenkondensationspunkt) des EUV-Kondensationsspiegels 9 kondensiert. Dann tritt das EUV-Licht aus dem EUV-Licht-Auslass 8 aus und fällt auf eine Belichtungsanlage 40, die mit der EUV-Lichtquellenvorrichtung verbunden ist. Die Belichtungsanlage 40 ist in 11 anhand der gestrichelten Linie dargestellt.
  • Der EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9 ist ein Reflexionsspiegel mit einer kugelförmigen Oberfläche. Der EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9 ist mit einem mehrlagigen Film beschichtet, der beispielsweise Molybdän und Silizium umfasst. Es ist zu beachten, dass der EUV-Licht-Kondensationsspiegel 9 möglicherweise nicht über das Laserstrahlloch 25 verfügt, wenn die Anregungslaserstrahl-Erzeugungsvorrichtung 21 und das Laserstrahl-Einlassfenster 23 eine besondere Anordnung einnehmen.
  • Der Laserstrahl 22, der zur Erzeugung von Hochtemperatur-Plasma verwendet werden soll, kann Streulicht werden und am EUV-Lichtauslass 8 ankommen. Deshalb kann ein (nicht dargestellter) Spektralreinheitsfilter vor dem EUV-Lichtauslass 8 (auf der Seite des Hochtemperatur-Plasmas) angeordnet sein. Der Spektralreinheitsfilter ermöglicht den Durchgang des EUV-Lichts, jedoch nicht den Durchgang des Laserstrahls 22.
  • In den letzten Jahren wurde für die EUV-Lichtquellenvorrichtung des Typs LPP ein Vorimpulsverfahren angewendet. Das Vorimpulsverfahren ist beispielsweise offenbart in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-17274 (Patentliteratur 3) und in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2010-514214 oder WO 2008/088488 (Patentliteratur 4). Beim Vorimpulsverfahren wird ein Material in der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP mit einer Vielzahl von Laserstrahlen bestrahlt. Eine beispielhafte Anordnung zur Durchführung des Vorimpulsverfahrens ist in 12 dargestellt. Diese Anordnung umfasst eine erste Laserquelle (Energiestrahl-Bestrahlungseinheit) 12a zur Abgabe eines ersten Laserstrahls (Energiestrahl) 17a, und eine zweite Laserquelle (Energiestrahl-Bestrahlungseinheit) 12b zur Abgabe eines zweiten Laserstrahls (Energiestrahls) 17b. Die Laserstrahlen 17a und 17b wandern durch die Laserstrahl-Kondensationseinheiten (Sammlereinheiten) 13a bzw. 13b. Der Laserstrahl 17b wird dann durch einen Spiegel 13c reflektiert. Die Laserstrahlen 17a und 17b werden auf das Material (Zinn) gelenkt, welches ein von der Zufuhreinheit 10 bereitgestelltes Flüssigkeitströpfchen ist. Die erste Laserquelle 12a, die zweite Laserquelle 12b und die Zufuhreinheit 10 werden von einer Steuerung 30 gesteuert.
  • Bei dieser Anordnung wird das Material zunächst mit dem ersten Laserstrahl 17a (Vorimpuls) bestrahlt, um ein schwaches Plasma zu erzeugen. Dies reduziert die Dichte des Materials. Der erste Laserstrahl 17a kommt beispielsweise von einer YAG-Lasereinheit. Dann wird das schwache Plasma mit dem zweiten Laserstrahl 17b (Hauptlaserimpuls) bestrahlt. Der zweite Laserstrahl 17b kommt von der CO2-Lasereinheit.
  • Der Vorimpuls reduziert die Dichte des Materials. Auf diese Weise wird die Absorption des CO2-Laserstrahls, der den Hauptlaserimpuls darstellt, durch das Material verbessert. Dies erhöht die EUV-Strahlungsintensität.
  • Auch die Dichte des Plasmas wird relativ niedrig. Auf diese Weise verringert sich die Resorption der EUV-Strahlung. Dementsprechend steigt die Effizienz der EUV-Erzeugung, und die Bildung von Verschmutzungen nimmt ab.
  • Literaturliste
    • Patentliteratur 1: offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2007-505460 oder WO 2005/025280 .
    • Patentliteratur 2: japanisches Patent Nr. 4623192 .
    • Patentliteratur 3: offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2005-17274
    • Patentliteratur 4: offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2010-514214 oder WO 2008/088488 .
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wie oben beschrieben, emittiert (lenkt) die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP (LAGDPP) den zweiten Energiestrahl auf das Material auf der Elektrode in denselben Bereich wie der erste Energiestrahl. Wenn die Bestrahlungsposition (Strahlposition auf der Elektrode) des zweiten Energiestrahls von einer gewünschten Position abweicht, wird es unmöglich, eine gewünschte Dichte des Plasmamaterials (Gas) zu erzielen, das dem Entladungsbereich zugeführt wird. Die gewünschte Dichte des Plasmamaterials ist die für die EUV-Strahlung geeignete Dichte. Es ist deshalb wichtig, dass die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls entspricht. Es ist selbstverständlich ebenfalls wichtig, zu gewährleisten, dass der erste Energiestrahl auf das Material auf der Elektrode gelenkt wird.
  • Herkömmlicherweise werden die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls wie folgt aneinander angeglichen. In der nachstehenden Beschreibung ist der Energiestrahl der Laserstrahl, und es wird Bezug auf 10 genommen.
  • Zuerst wird der von der ersten Laserquelle 12a abgegebene erste Laserstrahl 17a so eingestellt, dass der erste Laserstrahl 17a in eine festgelegte Richtung gelenkt wird, und der zweite Laserstrahl 17b, der von der zweiten Laserquelle 12b abgegeben wird, wird so eingestellt, dass der zweite Laserstrahl 17b in eine festgelegte Richtung gelenkt wird. Die festgelegten Richtungen sind jene Richtungen, die je nach Ausführung bestimmt werden. Der erste Laserstrahl 17a und der zweite Laserstrahl 17b sind so ausgeführt, dass sie eine bestimmte Position auf der Elektrode 2a erreichen. Die oben beschriebenen Anpassungen erzielen die Positionsabgleichung zwischen der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a und der Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b auf der Elektrode 2a. Somit wird die festgelegte Position auf der Elektrode 2a mit dem ersten Laserstrahl 17a und dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt.
  • Dann wird die EUV-Strahlung erzeugt (EUV wird abgegeben). Insbesondere werden die Elektroden 2a und 2b in Rotation versetzt, das Hochtemperatur-Plasmamaterial 14 wird zum Entladungsraum befördert, und der elektrische Strom zwischen den zwei Elektroden 2a und 2b wird zugeführt. Der erste Laserstrahl 17a wird zu der Elektrode 2a gelenkt, und anschließend wird der zweite Laserstrahl 17b zu der Elektrode 2a gelenkt. Anschließend wird das Plasma erzeugt. Ein hoher Strom, der nach der Entladung fließt, erhitzt und regt das Plasma an. Auf diese Weise wird das EUV-Licht abgegeben.
  • Das abgegebene EUV-Licht (EUV-Output) wird beobachtet, und die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b wird geringfügig angepasst, um den EUV-Output zu maximieren. Diese geringfügige Anpassung ist die Positionierung (Positionsabgleichung) des zweiten Energiestrahls am ersten Energiestrahl.
  • Die Positionierung des zweiten Energiestrahls 17b wird durchgeführt, während der EUV-Output kontrolliert wird. Die erste Richtung der Positionsanpassung ist möglicherweise nicht immer die korrekte Richtung. Die erste Richtung der Positionsanpassung kann den EUV-Output verringern. Wenn die erste Richtung der Positionsanpassung den EUV-Output verringert, kehrt die Position des zweiten Laserstrahls 17b in die Ausgangsposition (Erstposition) zurück, und dann wird der zweite Laserstrahl 17b in eine andere Richtung versetzt. Somit handelt es sich bei der Positionierung des zweiten Laserstrahls 17b während der Überwachung des EUV-Outputs um ein Versuch-Irrtum-Verfahren. Ein solches ist mühsam.
  • Ferner muss die EUV-Strahlung für die Positionierung des zweiten Laserstrahls erzeugt werden (Strahlpositionsausrichtung zwischen erstem und zweitem Laserstrahl). Deshalb muss die EUV-Lichtquelle für die Strahlpositionsausrichtung zwischen erstem und zweitem Laserstrahl mit elektrischem Strom versorgt werden. Dies bringt Zusatzkosten mit sich.
  • Wenn außerdem die EUV-Strahlung auch dann nicht stattfindet, wenn die Strahlungsrichtungen des ersten Laserstrahls 17a und des zweiten Laserstrahls 17b an die von der Ausführung vorgegebenen Richtungen angepasst sind (festgelegte Richtungen), bedeutet dies, dass die Elektrode 2a nicht mit dem ersten Laserstrahl 17a und dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt wird (der erste und zweite Laserstrahl werden nicht auf die Elektrode 2a gerichtet). Um dies zu ändern, muss zunächst die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a angepasst werden, während der EUV-Output überwacht wird.
  • Anschließend muss die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b angepasst werden. Diese Anpassungen beruhen ebenfalls auf einem Versuch-Irrtum-Ansatz. Dies erhöht die Kosten der für die EUV-Strahlung aufgewendeten elektrischen Energie.
  • Im Fall der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP ist die Positionierung (Positionsausrichtung) des ersten Laserstrahls und des zweiten Laserstrahls ebenfalls wichtig. In der nachstehenden Beschreibung wird die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP unter Bezugnahme auf 12 beschrieben. Der Energiestrahl ist der Laserstrahl, ähnlich der obenstehenden Beschreibung der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP.
  • Wenn in 12 die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a von der beabsichtigen Position abweicht, wird das Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 nicht mit dem Laserstrahl bestrahlt, und es wird kein schwaches Plasma erzeugt. Wenn das Material 14 sodann mit dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt wird, nimmt folglich die Verschmutzung zu, und die Effizienz verringert sich. Wenn die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b von der beabsichtigten Position abweicht, findet die EUV-Strahlung nicht statt.
  • Wie bei der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP ist deshalb die Abgleichung der zweiten Laserstrahl-Bestrahlungsposition mit der ersten Laserstrahl-Bestrahlungsposition für die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP wichtig, und das Abgleichen der ersten Laserstrahl-Bestrahlungsposition mit dem Flüssigkeitströpfchenmaterial ist ebenfalls wichtig.
  • Wenn in der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP die Positionsabgleichung von erstem und zweitem Laserstrahl 17a und 17b durchgeführt wird, ist die eigentliche EUV-Strahlung erforderlich. Der EUV-Output wird überwacht, und die Position des ersten Laserstrahls 17a sowie die Position des zweiten Laserstrahls 17b werden für eine Maximierung des EUV-Outputs angepasst. So wie bei der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP wird deshalb die Positionsabgleichung auf Versuch-Irrtum-Basis durchgeführt, während der EUV-Output überwacht wird. Dies ist mühsam und erhöht die Kosten der für die EUV-Lichtquellenvorrichtung zur Abgabe des EUV-Lichts während der Positionsabgleichung aufgewendeten elektrischen Energie.
  • Wenn außerdem die EUV-Strahlung auch nach Anpassung der Strahlungsrichtungen des ersten Laserstrahls 17a und des zweiten Laserstrahls 17b an die von der Ausführung vorgegebenen Richtungen (festgelegte Richtungen) nicht stattfindet, kann nicht festgestellt werden, ob dies an der Abweichung des ersten Laserstrahls 17a oder an der Abweichung des zweiten Laserstrahls 17b liegt.
  • Um dies zu ändern, muss zunächst die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a angepasst werden, während der EUV-Output überwacht wird. Anschließend muss die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b angepasst werden. Diese Anpassungen erfolgen ebenfalls auf einer Versuch-Irrtum-Grundlage. Dies erhöht die Kosten der für die EUV-Strahlung aufgewendeten elektrischen Energie.
  • Wenn die EUV-Strahlung nicht vom schwachen Plasma produziert wird, das nach Abstrahlung des ersten Laserstrahls erzeugt wird, ist ein separater Plasmamonitor erforderlich. Dies verkompliziert die Gerätekonfiguration.
  • Die vorliegende Erfindung wird mit Blick auf die oben beschriebenen Probleme vorgeschlagen. Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Geräts und eines Verfahrens zur Positionsausrichtung (Positionsabgleichung) zwischen zwei Energiestrahlen, das die Positionsausrichtung zwischen den zwei Energiestrahlen visualisieren und die Positionsausrichtung in kurzer Zeit erreichen kann. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Geräts und eines Verfahrens zur Positionsausrichtung (Positionsabgleichung) zwischen zwei Energiestrahlen, bei dem die Kosten der für eine Lichtquellenvorrichtung während der Positionsausrichtung aufgewendeten elektrischen Energie reduziert werden können.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Vorrichtung zur Energiestrahl-Positionsausrichtung einen beweglichen Spiegel, der dazu konfiguriert ist, den zweiten Energiestrahl zu reflektieren, und eine optische Einheit, die dazu konfiguriert ist, dem ersten Energiestrahl zu erlauben, sie zu durchdringen und den vom beweglichen Spiegel reflektierten zweiten Energiestrahl zu reflektieren und den zweiten Energiestrahl in dieselbe Richtung wie eine Fortbewegungsrichtung des ersten Energiestrahls zu lenken. Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung umfasst auch eine Strahl-Erfassungseinheit, die dazu konfiguriert ist, eine Einfallposition eines einfallenden Energiestrahls zu erfassen. Die Strahlerfassungseinheit kann mit einer Bilderfassungseinheit ausgerüstet sein. Das Gerät für die Energiestrahl-Positionsausrichtung umfasst auch eine bewegliche Abzweigeinheit, die dazu konfiguriert ist, den ersten Energiestrahl zu empfangen, der durch die optische Einheit gegangen ist, und den zweiten Energiestrahl, der von der optischen Einheit reflektiert wird. Die Abzweigeinheit ist dazu konfiguriert, einen ersten Teil des empfangenen Energiestrahls abzuzweigen und den ersten Teil des empfangenen Energiestrahls zu einer gewünschten Position (ersten Position) auf einem Material auf der Elektrode zu führen, während ein zweiter Teil des empfangenen Energiestrahls durchgelassen wird und der zweite Teil des empfangenen Energiestrahls zu der Strahlerfassungseinheit geführt wird.
  • Der erste und der zweite Energiestrahl fallen in die Strahlerfassungseinheit über die Abzweigeinheit ein. Die Strahleinfallposition jedes Energiestrahls, die von der Strahlerfassungseinheit überwacht (erfasst) wird, entspricht einer Bestrahlungsposition auf dem Material (oder auf der Elektrode), das mit jedem Energiestrahl (erster oder zweiter Energiestrahl) bestrahlt wird, der über die Abzweigeinheit auf das Material gelenkt wird. Auf diese Weise wird der Winkel des beweglichen Spiegels so angepasst (gesteuert), dass die Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf der Lichterfassungseinheit angepasst wird, während die Einfallposition des ersten Energiestrahls und die Einfallposition des zweiten Energiestrahls von der Strahlerfassungseinheit überwacht (erfasst) werden. Diese Winkelanpassung des beweglichen Spiegels (also die Anpassung der Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf der Lichterfassungseinheit) erreicht die relative Positionsausrichtung zwischen dem ersten Energiestrahl und dem zweiten Energiestrahl. Durch die Anpassung (Steuerung) des Winkels der Abzweigeinheit werden die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls auf der Elektrode und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls auf der Elektrode angepasst. Mit anderen Worten wird die Positionsausrichtung zwischen dem ersten und zweiten Energiestrahl so ausgeführt, dass das Material auf der Elektrode mit dem ersten und dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann einen polarisierenden Strahlteiler umfassen, der als optische Einheit dient. Der erste Energiestrahl, ein polarisierter Strahl, kann auf den polarisierenden Strahlteiler einfallen, und der zweite Energiestrahl, ein polarisierter Strahl, kann ebenfalls auf den polarisierenden Strahlteiler einfallen. Der zweite Energiestrahl kann in eine Richtung senkrecht zu einer Polarisationsrichtung des ersten Energiestrahls polarisiert sein. Der polarisierende Strahlteiler kann den ersten Energiestrahl durchlassen und den zweiten Energiestrahl reflektieren. Diese Konfiguration kann einen Abschwächungsgrad jedes Energiestrahls an der optischen Einheit reduzieren.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner eine bewegliche Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit umfassen. Die bewegliche Linse kann so konfiguriert sein, dass sie in Richtung einer optischen Achse beweglich ist, um einen ersten Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls und einen zweiten Spot-Durchmesser des zweiten Energiestrahls anzupassen. Diese Konfiguration ermöglicht die Anpassung der Spot-Durchmesser von erstem und zweitem Energiestrahl auf der optischen Einheit.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit umfassen. Der Mehrlagenkörper kann eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfassen. Der Mehrlagenkörper kann auf einer Lichteinfallseite der Bilderfassungseinheit der Strahlerfassungseinheit angeordnet sein. Der Mehrlagenkörper kann eine mittlere Öffnung aufweisen, durch die der einfallende Energiestrahl hindurch gehen kann. Die Diffusorplatte kann näher an der Bilderfassungseinheit als das Wellenlängen-Konvertierungselement angeordnet sein. Die mittlere Öffnung kann einen Durchmesser aufweisen, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen. Die Lichterfassungseinheit kann in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert sein, die Anwesenheit/Abwesenheit eines diffusen Lichts zu erfassen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird. Die Lichterfassungseinheit kann feststellen, ob die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis aufweisen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein verbessertes Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung bereitgestellt. Das Gerät ist dazu konfiguriert, mit einer Lichtquellenvorrichtung verwendet zu werden, die eine erste Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines ersten Energiestrahls und eine zweite Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines zweiten Energiestrahls umfasst. Die Lichtquellenvorrichtung ist dazu geeignet, ein Material mit extrem ultravioletter Strahlung mit dem ersten Energiestrahl zu bestrahlen und den zweiten Energiestrahl auf oder in die Nähe einer ersten Position auf dem Material zu lenken, das mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, und dabei das Material anzuregen, Plasma zu produzieren und extrem ultraviolettes Licht aus dem Plasma zu extrahieren. Das Gerät ist dazu konfiguriert, eine zweite Position auf dem Material, das mit dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird, an der ersten Position auszurichten. Die Vorrichtung umfasst eine optische Einheit, die dazu konfiguriert ist, dem ersten von der ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit abgegebenen Energiestrahl den Durchgang zu ermöglichen und den zweiten von der zweiten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit abgegebenen Energiestrahl zu reflektieren und den zweiten Energiestrahl in dieselbe Richtung zu lenken wie eine Fortbewegungsrichtung des ersten Energiestrahls. Das Gerät umfasst auch einen beweglichen Spiegel, der dazu konfiguriert ist, den zweiten Energiestrahl zu reflektieren und den zweiten Energiestrahl zur optischen Einheit hin zu führen. Die Vorrichtung umfasst auch eine Strahlerfassungseinheit, die dazu konfiguriert ist, eine Einfallposition eines einfallenden Energiestrahls (des ersten Energiestrahls und des zweiten Energiestrahls) auf die Strahlerfassungseinheit zu erfassen. Die Vorrichtung umfasst auch eine Abzweigeinheit, die dazu konfiguriert ist, beweglich zu sein und den ersten Energiestrahl, der durch die optische Einheit hindurch gegangen ist, und den zweiten Energiestrahl, der von der optischen Einheit reflektiert wird, aufzunehmen. Die Abzweigeinheit ist dazu konfiguriert, einen ersten Teil des empfangenen ersten Energiestrahls abzuzweigen und den ersten Teil des empfangenen ersten Energiestrahls zur ersten Position zu führen, während ein zweiter Teil des empfangenen ersten Energiestrahls durchgelassen und der zweite Teil des empfangenen ersten Energiestrahls zur Strahlerfassungseinheit geführt wird. Die Abzweigeinheit ist dazu konfiguriert, einen dritten Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls abzuzweigen und den dritten Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls zur zweiten Position zu führen, während ein vierter Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls durchgelassen und der vierte Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls zur Strahlerfassungseinheit geführt wird.
  • Der bewegliche Spiegel ist dazu konfiguriert, dass damit nach Anpassung eines ersten Winkels des beweglichen Spiegels eine Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf die optische Einheit angepasst werden kann. Die Abzweigeinheit ist dazu konfiguriert, dass damit nach Anpassung eines zweiten Winkels der Abzweigeinheit die erste Position des ersten Energiestrahls auf dem Material und die zweite Position des zweiten Energiestrahls auf dem Material angepasst werden kann.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung umfasst den beweglichen Spiegel zur Reflexion des zweiten Energiestrahls und die optische Einheit zur Übertragung des ersten Energiestrahls und Reflexion und Führung des zweiten Energiestrahls in dieselbe Richtung wie die Fortbewegungsrichtung des ersten Energiestrahls. Das Gerät umfasst auch die Strahlerfassungseinheit zur Erfassung der Einfallposition des einfallenden Energiestrahls. Das Gerät umfasst auch die bewegliche Abzweigeinheit zur Aufnahme des ersten Energiestrahls, der durch die optische Einheit hindurch gegangen ist, und des zweiten Energiestrahls, der von der optischen Einheit reflektiert worden ist. Die Abzweigeinheit zweigt den ersten Teil des empfangenen ersten Energiestrahls ab und leitet ihn zu einer ersten Position auf dem Material. Die Abzweigeinheit überträgt auch den zweiten Teil des ersten Energiestrahls und führt ihn zu der Strahlerfassungseinheit. Die Abzweigeinheit zweigt den dritten Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls ab und führt ihn zu einer zweiten Position auf dem Material. Die Abzweigeinheit überträgt auch den vierten Teil des ersten Energiestrahls und führt ihn zu der Strahlerfassungseinheit. Das Gerät regelt (passt an) den Winkel des beweglichen Spiegels, während es die Einfallpositionen des ersten und zweiten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit überwacht, um die Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf die optische Einheit anzupassen. Das Gerät regelt auch den Winkel der Abzweigeinheit, um die zweite Position (Bestrahlungsposition) des zweiten Energiestrahls an der ersten Position (Bestrahlungsposition) des ersten Energiestrahls auf dem Material auszurichten. Es ist dementsprechend möglich, die Abgleichung zwischen der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls und der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls ohne Weiteres zu erreichen, ohne eine UV-Strahlung zu erzeugen. Da insbesondere die EUV-Strahlung für die Positionsausrichtung (Positionsabgleichung) zwischen dem ersten und zweiten Energiestrahl nicht nötig ist, besteht die Möglichkeit, die Kosten der elektrischen Energie für die EUV-Lichtquellenvorrichtung im Vergleich zur herkömmlichen Anordnung zu senken.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner eine der optischen Einheit vorgelagerte Polarisierungseinheit umfassen. Die optische Einheit kann einen polarisierenden Strahlteiler umfassen. Der erste auf den polarisierenden Strahlteiler einfallende Energiestrahl kann ein erster polarisierter Strahl sein, und der zweite auf den polarisierenden Strahlteiler einfallende Energiestrahl kann ein zweiter polarisierter Strahl sein. Die Polarisierungseinheit kann dazu konfiguriert sein, den zweiten Energiestrahl in eine Richtung senkrecht zu einer Polarisierungsrichtung des ersten Energiestrahls zu polarisieren. Der polarisierende Strahlteiler kann den ersten Energiestrahl, der auf den polarisierenden Strahlteiler einfällt, durchlassen und den zweiten Energiestrahl reflektieren.
  • Die optische Einheit umfasst den polarisierenden Strahlteiler. Der erste und zweite Energiestrahl, die auf den polarisierenden Strahlteiler einfallen, sind die polarisierten Strahlen. Ferner ist die Polarisierungseinheit dem polarisierenden Strahlteiler vorgelagert, um den zweiten Energiestrahl in eine Richtung senkrecht zur Polarisierungsrichtung des ersten Energiestrahls zu polarisieren. Somit ist es möglich, einen Abschwächungsgrad im Energiestrahl an der optischen Einheit zu reduzieren. Dies verbessert die Effizienz der optischen Einheit.
  • Das Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner eine bewegliche Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit umfassen. Die bewegliche Linse kann dazu konfiguriert sein, in Richtung einer optischen Achse zur Anpassung eines ersten Spot-Durchmessers des ersten Energiestrahls und eines zweiten Spot-Durchmessers des zweiten Energiestrahls beweglich zu sein.
  • Die bewegliche Linse ist zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit zur Anpassung der Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Energiestrahls vorgesehen. Die bewegliche Linse kann sich in die optische Achsrichtung bewegen. Somit ist es möglich, die Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Energiestrahls auf der optischen Einheit ohne Weiteres anzupassen.
  • Die Strahlerfassungseinheit kann eine Bilderfassungseinheit umfassen, die dazu konfiguriert ist, ein Bild des einfallenden Energiestrahls aufzunehmen, um die Einfallposition des einfallenden Energiestrahls zu erfassen.
  • Die Bilderfassungseinheit ist als Strahlerfassungseinheit vorgesehen. Die Strahlerfassungseinheit (Bilderfassungseinheit) erfasst die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls auf der optischen Einheit und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls auf der optischen Einheit. Sodann besteht die Möglichkeit, die Positionsinformationen des ersten und zweiten Energiestrahls auf dem Monitor anzuzeigen. Dementsprechend ist es möglich, die exakte Richtung der Positionsanpassung ohne Erzeugung der EUV-Strahlung zu kennen. Die Ausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls am ersten Energiestrahl kann deshalb in kürzerer Zeit als bei der herkömmlichen Anordnung erfolgen.
  • Die Vorrichtung für die Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit umfassen. Der Mehrlagenkörper kann eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfassen. Der Mehrlagenkörper kann auf einer Lichteinfallseite der Bilderfassungseinheit angeordnet sein. Der Mehrlagenkörper kann eine Öffnung in der Mitte des Mehrlagenkörpers aufweisen, und die Öffnung kann dazu konfiguriert sein, den einfallenden Energiestrahl durchgehen zu lassen. Die Diffusorplatte kann näher an der Bilderfassungseinheit als das Wellenlängen-Konvertierungselement angeordnet sein. Die Öffnung kann einen Durchmesser aufweisen, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen. Die Lichterfassungseinheit kann in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert sein, die Anwesenheit/Abwesenheit eines diffusen Lichts zu erfassen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, und bestimmen, ob die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis auf der Bilderfassungseinheit (Strahlerfassungseinheit) aufweisen.
  • Der Mehrlagenkörper mit der Diffusorplatte und dem Wellenlängen-Konvertierungselement ist auf der Lichteinfallseite der Bilderfassungseinheit angeordnet. Der Mehrlagenkörper weist eine mittlere Öffnung auf, welche den ersten und zweiten Energiestrahl überträgt. Die Diffusorplatte ist näher an der Bilderfassungseinheit als an dem Wellenlängen-Konvertierungselement angeordnet. Die Öffnung weist einen Durchmesser auf, der sowohl den ersten wie den zweiten Energiestrahl überträgt, wenn der erste und zweite Energiestrahl ein bestimmtes Positionsverhältnis aufweisen. Da die Lichterfassungseinheit angrenzend an den Mehrlagenkörper angeordnet ist, um die Anwesenheit/Abwesenheit eines diffusen Lichtes zu erfassen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, besteht die Möglichkeit, zu erfassen, dass die Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und/oder die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls von der festgelegten Position abweicht (versetzt ist).
  • Insbesondere wenn die Einfallposition des ersten Energiestrahls und/oder die Einfallposition des zweiten Energiestrahls von der Öffnung des Mehrlagenkörpers abgelenkt wird und der erste Energiestrahl und/oder der zweite Energiestrahl am Mehrlagenkörper der Diffusorplatte und dem Wellenlängen-Konvertierungselement eintrifft, wird das diffuse Licht vom Mehrlagenkörper abgegeben und von der Lichterfassungseinheit erfasst. Es ist somit möglich, festzustellen, dass die Einfallposition (Bestrahlungsposition) des ersten Energiestrahls und/oder des zweiten Energiestrahls von der gewünschten Position abweicht.
  • Da der Durchmesser der Öffnung des Mehrlagenkörpers annähernd gleich dem festgelegten Durchmesser der Lichtkondensation (Lichtkondensationsdurchmesser) von erstem und zweitem Energiestrahl ist, besteht die Möglichkeit, zu erfassen (festzustellen), ob der Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls und/oder des zweiten Energiestrahls innerhalb des festgelegten Lichtkondensationsdurchmessers liegt. Wenn der Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls und/oder des zweiten Energiestrahls gleich oder größer dem festgelegten Lichtkondensationsdurchmesser ist, wird das diffuse Licht vom Mehrlagenkörper abgegeben und von der Lichterfassungseinheit erfasst. Dementsprechend besteht die Möglichkeit, die Tatsache festzustellen, ob der Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls und/oder des zweiten Energiestrahls gleich oder größer dem festgelegten Lichtkondensationsdurchmesser wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Energiestrahl-Positionsausrichtung zur Verwendung mit einer Lichtquellenvorrichtung mit einer ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines ersten Energiestrahls und einer zweiten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines zweiten Energiestrahls geschaffen. Die Lichtquellenvorrichtung ist dazu geeignet, ein Material mit extrem ultravioletter Strahlung mit dem ersten Energiestrahl zu bestrahlen und den zweiten Energiestrahl zu einer oder in die Nähe einer ersten Position auf dem Material zu lenken, das mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, dadurch das Material anzuregen, Plasma zu produzieren und extrem ultraviolettes Licht von dem Plasma zu extrahieren. Das Verfahren umfasst die Herstellung einer optischen Einheit, die dazu konfiguriert ist, den ersten Energiestrahl durch sich hindurch zu lassen und den zweiten Energiestrahl zu reflektieren. Das Verfahren umfasst auch, den ersten Energiestrahl in die optische Einheit einfallen zu lassen. Das Verfahren umfasst auch, den ersten Energiestrahl, der durch die optische Einheit hindurch geht, auf eine bewegliche Abzweigeinheit einfallen zu lassen und von der beweglichen Abzweigeinheit reflektieren zu lassen. Das Verfahren umfasst auch das Führen des reflektierten ersten Energiestrahls zu einer Strahl-Bestrahlungsposition auf dem Material und die Abzweigeinheit zu veranlassen, einen Teil des ersten Energiestrahls abzuzweigen. Das Verfahren umfasst auch die Erfassung dieses Teils des ersten Energiestrahls durch eine Strahlerfassungseinheit, das Reflektieren des zweiten Energiestrahls durch einen beweglichen Spiegel und den reflektierten zweiten Energiestrahl zu veranlassen, in die optische Einheit einzufallen. Das Verfahren umfasst auch den zweiten Energiestrahl, der von der optischen Einheit reflektiert wird, zu veranlassen, sich in einer im Wesentlichen gleichen Richtung wie der erste Energiestrahl fortzubewegen. Das Verfahren umfasst auch, den zweiten Energiestrahl zu veranlassen, in die Abzweigeinheit einzufallen und von der Abzweigeinheit reflektiert zu werden sowie den zweiten Energiestrahls in die Strahl-Bestrahlungsposition auf dem Material zu führen. Das Verfahren umfasst auch das Reflektieren des zweiten Energiestrahls durch die optische Einheit und das Abzweigen eines Teils des reflektierten zweiten Energiestrahls durch die Abzweigeinheit. Das Verfahren umfasst auch das Erfassen des abgezweigten Teils des zweiten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit. Das Verfahren umfasst auch die Betätigung des beweglichen Spiegels und der Abzweigeinheit auf Basis eines Erfassungsergebnisses, das von der Strahlerfassungseinheit erhalten worden ist, so dass eine zweite Position auf dem Material, das mit dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird, ein festgelegtes Positionsverhältnis zur ersten Position des ersten Energiestrahls aufweist.
  • Das Verfahren regelt (passt an) den Winkel des beweglichen Spiegels, während die Einfallpositionen des ersten und zweiten Energiestrahls von der Strahlerfassungseinheit überwacht werden, um die Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf die optische Einheit anzupassen. Das Verfahren regelt auch den Winkel der Abzweigeinheit zur Ausrichtung der zweiten Position (Bestrahlungsposition) des zweiten Energiestrahls an der ersten Position (Bestrahlungsposition) des ersten Energiestrahls auf dem Material. Dementsprechend besteht die Möglichkeit, ohne Weiteres einen Abgleich zwischen der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls und der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls erreichen, ohne eine UV-Strahlung zu erzeugen. Weil insbesondere die EUV-Strahlung für die Positionsausrichtung (Positionsabgleichung) zwischen dem ersten und zweiten Energiestrahl nicht nötig ist, besteht die Möglichkeit, die Kosten der für die EUV-Lichtquellenvorrichtung aufgewendeten elektrischen Energie im Vergleich zu der herkömmlichen Anordnung zu senken.
  • Das Verfahren zur Energiestrahl-Positionsausrichtung kann ferner die Anordnung einer beweglichen Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit umfassen, so dass die bewegliche Linse geeignet ist, sich in Richtung einer optischen Achse zu bewegen. Das Verfahren kann auch die Erfassung eines ersten Spot-Durchmessers des ersten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit und das Erfassen eines zweiten Strahl-Spot-Durchmessers des zweiten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit umfassen. Das Verfahren kann auch die Betätigung der beweglichen Linse erfassen, um den ersten Strahl-Spot-Durchmesser und den zweiten Strahl-Spot-Durchmesser dazu zu bringen, einen festgelegten Wert anzunehmen.
  • Diese und andere Ziele, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung ersichtlich, wenn diese in Verbindung mit den angehängten Patentansprüchen und Zeichnungen gelesen und verstanden wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt eine beispielhafte Konfiguration eines Geräts zur Positionsausrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zusammen mit einer EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP.
  • 2A zeigt ein Beispiel der Korrelation zwischen einer Position eines Laserstrahls auf einer Elektrode und einer Position des Laserstrahls auf einer Lichteinfallfläche eines CCD in dem Gerät zur Positionsausrichtung aus 1.
  • 2B zeigt ein weiteres Beispiel der Korrelation zwischen der Position des Laserstrahls auf der Elektrode und der Position des Laserstrahls auf der Lichteinfallfläche des CCD in dem Gerät zur Positionsausrichtung aus 1.
  • 3A ist eine Fotografie, die ein Beispiel der Anzeige von Positionsinformationen des ersten und zweiten Laserstrahls auf einem Monitor zeigt.
  • 3B ist eine Fotografie, die ein weiteres Beispiel der Anzeige von Positionsinformationen des ersten und zweiten Laserstrahls auf dem Monitor zeigt.
  • 4 ist ein Flussdiagramm eines Prozesses zur Positionsausrichtung zwischen dem ersten Laserstrahl und dem zweiten Laserstrahl in dem Gerät zur Positionsausrichtung aus 1.
  • 5 zeigt eine beispielhafte Konfiguration eines Geräts zur Positionsausrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wenn dieses mit einer EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP verwendet wird.
  • 6 ist ein Flussdiagramm eines Prozesses zur Positionsausrichtung zwischen dem ersten Laserstrahl und dem zweiten Laserstrahl in dem Gerät zur Positionsausrichtung aus 5.
  • 7 zeigt eine beispielhafte Konfiguration eines Geräts zur Positionsausrichtung gemäß einer modifizierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8A ist eine Ansicht, anhand derer ein Verfahren zur Positionsausrichtung beschrieben werden kann, das von dem Gerät zur Positionsausrichtung aus 7 ausgeführt wird.
  • 8B ist eine weitere Ansicht, anhand derer das Verfahren zur Positionsausrichtung beschrieben werden kann, das von dem in 7 dargestellten Gerät zur Positionsausrichtung ausgeführt wird.
  • 9 zeigt schematisch eine EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP (LAGDPP).
  • 10 zeigt eine beispielhafte Konfiguration der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP (LAGDPP), die einen ersten Laserstrahl und einen zweiten Laserstrahl auf ein Material (Zinn) lenkt.
  • 11 zeigt schematisch eine EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP.
  • 12 zeigt eine beispielhafte Konfiguration der EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP, die einen ersten Laserstrahl und einen zweiten Laserstrahl auf ein Material (Zinn) lenkt.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Unter Bezugnahme auf 1 wird eine beispielhafte Konfiguration eines Geräts zur Energiestrahl-Positionsausrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Dabei ist zu beachten, dass dieses Positionsausrichtungsgerät in der nachstehenden Beschreibung als ”Ausrichtungsmechanismus” bezeichnet werden kann.
  • In dieser Ausführungsform wird die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP beschrieben, und der von der Lichtquellenvorrichtung verwendete Energiestrahl ist ein Laserstrahl.
  • Eine Lichtquellenvorrichtung umfasst eine erste Laserquelle 12a, bei der es sich um eine erste Energiestrahl-Bestrahlungseinheit handelt. Die erste Laserquelle 12a gibt einen ersten Laserstrahl 17a ab, der ein erster Energiestrahl ist. Beispielsweise umfasst die erste Laserquelle 12a eine Nd:YVO4-Laservorrichtung. Die Lichtquellenvorrichtung umfasst auch eine zweite Laserquelle 12b, bei der es sich um eine zweite Energiestrahl-Bestrahlungseinheit handelt. Die zweite Laserquelle 12b gibt einen zweiten Laserstrahl 17b ab, bei dem es sich um einen zweiten Energiestrahl handelt. Beispielsweise umfasst die zweite Laserquelle 12b eine Nd:YVO4-Laservorrichtung.
  • In einer Ausrichtungskammer 11 sind eine 1/2-Wellenlängen-Platte 11a, ein beweglicher Spiegel M1 und ein Strahlteiler M2 untergebracht. Der Strahlteiler M2 ist eine optische Einheit (Element). Die 1/2-Wellenlängen-Platte 11a, der bewegliche Spiegel M1 und der Strahlteiler M2 werden dazu verwendet, die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a und die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b anzupassen (wird noch beschrieben).
  • Die Ausrichtungskammer 11 enthält auch eine bewegliche Linse 11b, einen weiteren beweglichen Spiegel M3, einen ND-Filter 11d und ein CCD 31. Das CCD 31 wird als Einheit zur Strahlerfassung verwendet. Das CCD 31 ist eine Bilderfassungseinheit.
  • Die bewegliche Linse 11b, der bewegliche Spiegel M3, der ND-Filter 11b und das CCD 31 werden zur Überwachung der Positionsanpassung zwischen dem ersten Laserstrahl 17a und dem zweiten Laserstrahl 17b verwendet, um die Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls, die auf eine Elektrode 2a gerichtet sind, anzupassen, und um die Bestrahlungspositionen des ersten und zweiten Laserstrahls auf der Elektrode 2a anzupassen (wird noch beschrieben). Dabei ist zu beachten, dass auf der Lichteinfallseite des ND-Filters 11d, wie in 1 dargestellt, eine Lichtschutzblende 11c angeordnet sein kann. Der Lichtschutzfilter 11c blockiert den auf den ND-Filter 11d gerichteten Laserstrahl.
  • Der Innenraum der Ausrichtungskammer 11 wird beispielsweise mit trockenem Stickstoff oder Reinigungstrockenluft (CDA) gereinigt. Eine solche Reinigung wird durchgeführt, um die Schleierbildung (das Beschlagen) auf einer Oberfläche jedes optischen Elements, das in der Ausrichtungskammer 11 untergebracht ist, aufgrund von Feuchtigkeit oder dergleichen zu verhindern.
  • Die erste Laserquelle 12a gibt beispielsweise einen s-polarisierten Nd:YVO4-Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 1064 nm ab. In der nachstehenden Beschreibung wird der von der ersten Laserquelle 12a abgegebene Nd:YVO4-Laserstrahl als erster Laserstrahl 17a bezeichnet.
  • Der erste Laserstrahl 17a geht durch ein Fenster 18a der Ausrichtungskammer 11 und trifft auf den Strahlteiler M2. Der Strahlteiler M2 ist ein polarisierender Strahlteiler und ist beispielsweise dazu konfiguriert, eine s-polarisierte Lichtkomponente durchzulassen und eine p-polarisierte Lichtkomponente zu reflektieren. Der erste Laserstrahl 17 ist s-polarisiertes Licht. Somit geht der erste Laserstrahl 17a durch den Strahlteiler M2 und wird zu der beweglichen Linse 11b geführt.
  • Der polarisierende Strahlteiler umfasst beispielsweise ein synthetisches Quarzsubstrat und einen dielektrischen, mehrlagigen, polarisierenden Film, der auf der Oberfläche des synthetischen Quarzsubstrats aufgebracht ist.
  • Der zweite Laserstrahl 17b geht durch ein Fenster 18b der Ausrichtungskammer 11 und trifft auf die 1/2-Wellenlängenplatte 11a. Der zweite Laserstrahl 17b wird zu dem p-polarisierten Strahl, nachdem der zweite Laserstrahl 17b durch die 1/2-Wellenlängenplatte 11a gegangen ist. Die 1/2-Wellenlängenplatte 11a ist beispielsweise eine Quarz-Wellenlängenplatte.
  • Der zweite Laserstrahl 17b, der durch die 1/2-Wellenlängenplatte 11a geht und zu dem p-polarisierten Strahl wird, wird durch den beweglichen Spiegel M1 reflektiert und trifft auf den Strahlteiler M2. Wie oben beschrieben, ist der zweite Laserstrahl 17b der p-polarisierte Strahl, weshalb der zweite Laserstrahl 17b vom Strahlteiler M2 reflektiert und zu der beweglichen Linse 11b geführt wird. Der bewegliche Spiegel M1 ist in die vom Doppelpfeil R1 in 1 angezeigten Richtungen rotierbar (drehbar). Der bewegliche Spiegel M1 wird dazu verwendet, die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem Strahlteiler M2 anzupassen (wird noch beschrieben).
  • Der erste Laserstrahl 17a und der zweite Laserstrahl 17b, welche beide in die bewegliche Linse 11b eingeführt werden, gehen durch die bewegliche Linse 11b hindurch und treffen auf den beweglichen Spiegel M3. Der bewegliche Spiegel M3 ist eine Abzweigeinheit. Die bewegliche Linse 11b ist wie vom Doppelpfeil R2 in 1 angezeigt linear beweglich. Die bewegliche Linse 11b wird dazu verwendet, den Spot-Durchmesser des ersten Laserstrahls 17a und den Spot-Durchmesser des zweiten Laserstrahls 17b anzupassen (wird noch beschrieben). Der bewegliche Spiegel M3 reflektiert einen Teil des einfallenden ersten Laserstrahls 17a und einen Teil des einfallenden zweiten Laserstrahls 17b und leitet den restlichen Teil des ersten Laserstrahls 17a und den restlichen Teil des zweiten Laserstrahls 17b weiter. Der erste und der zweite Laserstrahl 17a und 17b, die vom beweglichen Spiegel M3 reflektiert worden sind, gehen durch ein Fenster 19a der Ausrichtungskammer 11 hindurch und fallen auf ein Fenster 19b der Kammer 1 ein. Dann werden der erste und zweite Laserstrahl 17a und 17b zu einer der zwei Elektroden 2a und 2b (zum Beispiel zu der Elektrode 2a) geführt. Die Elektrode 2a ist eine Kathode. Somit wird die Kathode 2a mit dem ersten und zweiten Laserstrahl 17a und 17b bestrahlt.
  • Anderseits treffen der erste und zweite Laserstrahl 17a und 17b, die durch den beweglichen Spiegel M3 hindurch gehen, auf den ND-Filter 11d. Der ND-Filter 11d schwächt die Intensität des ersten und des zweiten Laserstrahls 17a und 17b ab. Der erste und zweite Laserstrahl 17a und 17b fallen dann auf das CCD 31 ein. Der ND-Filter 11d ist dazu konfiguriert, die Intensitäten des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b abzuschwächen, die auf das CCD 31 einfallen, so dass die abgeschwächten Intensitäten an der Einfallfläche des CCD 31 akzeptabel sind.
  • Das CCD 31 liefert Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a und Positionsinformationen des zweiten Laserstrahls 17b an einen (nicht dargestellten) Monitor, wenn der erste und zweite Laserstrahl 17a und 17b auf das CCD 31 einfallen. Die Positionsinformationen sind Informationen, die eine Position des Laserstrahls auf der Einfallfläche des CCD 31 anzeigen.
  • In dieser Ausführungsform ist eine optische Weglänge L1 von der Laserstrahl-Einfallposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zu der Laserstrahl-Bestrahlungsposition auf der Elektrode 2a (2b) gleich einer optischen Weglänge L2 von der Laserstrahl-Einfallposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zu der Laserstrahl-Einfallfläche des CCD 31.
  • Die Lichtschutzblende 11c ist auf der Lichteinfallseite des ND-Filters 11d angeordnet. Die Lichtschutzblende 11c schirmt den ND-Filter 11d von den Laserstrahlen ab, nachdem die Ausrichtung abgeschlossen ist. Wenn die EUV-Strahlung stattfindet, erreichen die Laserstrahlen deshalb den ND-Filter 11d und das CCD 31 nicht, so dass die Möglichkeit besteht, die Verschlechterung des ND Filters 11d und des CCD 31 zu unterdrücken.
  • 2A und 2B zeigen das Verhältnis zwischen der Laserstrahlposition auf der Elektrode 2a (2b) und der Laserstrahlposition auf der Einfallfläche des CCD 31.
  • In dieser Ausführungsform beträgt die Wellenlänge des Laserstrahls 1064 nm. Der bewegliche Spiegel M3 ist aus synthetischem Quarz, und eine Dicke t des beweglichen Spiegels M3 ist 5 mm. Der Brechungsindex n des beweglichen Spiegels M3 beträgt 1,449. Die optische Durchlässigkeit (Lichtdurchlässigkeit) gegenüber der Wellenlänge von 1064 nm beträgt 94%, wenn die Dicke t gleich 5 mm ist.
  • Die optische Weglänge L1 von der Laserstrahl-Einfallposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zu der Laserstrahl-Bestrahlungsposition auf der Elektrode 2a (2b) beträgt 100 mm, und die optische Weglänge L2 von der Laserstrahl-Einfallposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zu der Laserstrahl-Einfallfläche des CCD 31 beträgt ebenfalls 100 mm.
  • In 2A trifft die optische Achse des von dem beweglichen Spiegel M3 reflektierten Laserstrahls unter allen Laserstrahlen, die auf den beweglichen Spiegel M3 im Einfallwinkel von 45 Grad einfallen, die Bestrahlungsfläche (bestrahlte Fläche) der Elektrode 2a (2b), und dieser Kreuzungspunkt wird als Ausgangspunkt ”0” genommen. Auf gleiche Weise trifft die optische Achse des auf den beweglichen Spiegel M3 einfallenden Laserstrahls die Lichteinfallfläche des CCD 31 (Bestrahlungsfläche (bestrahlte Fläche) des CCD 31), und dieser Kreuzungspunkt wird als der Ausgangspunkt ”0” genommen.
  • Wie in 2A dargestellt, wird der Laserstrahl, der auf den beweglichen Spiegel M3 im Einfallwinkel von 45 Grad einfällt und durch den beweglichen Spiegel M3 hindurch geht, zweimal gebrochen, bevor er die Bestrahlungsfläche des CCD 31 erreicht. Auf der Bestrahlungsfläche des CCD 31 tritt eine Abweichung von 3 mm zwischen dem Auftreffpunkt des Laserstrahls und dem Ausgangspunkt ”0” auf.
  • Wie in 2B anderseits dargestellt, tritt eine Abweichung von 3,6 mm auf der Bestrahlungsfläche des CCD 31 zwischen der Auftreffposition des Laserstrahls und dem Ausgangspunkt ”0” auf, wenn der Laserstrahl auf den beweglichen Spiegel M3 im Einfallwinkel von 50 Grad einfällt und durch den beweglichen Spiegel M3 hindurch geht. Auf der Bestrahlungsfläche der Elektrode 2a (2b) tritt eine Abweichung von 117,6 mm zwischen der Auftreffposition des Laserstrahls, der vom beweglichen Spiegel M3 reflektiert wird, und dem Ausgangspunkt ”0” der Elektrode 2a (2b) auf.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, die Bestrahlungsposition des Laserstrahls auf der Elektrode 2a (2b) mit der Laserstrahlposition auf dem Monitor des CCD 31 eindeutig zu korrelieren.
  • 3A und 3B zeigen Beispiele der Monitorbildschirme des CCD 31, auf denen die Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a und die Positionsinformationen des zweiten Laserstrahls 17b auf dem Monitorbildschirm dargestellt sind. Die Positionsinformationen werden von dem CCD 31 produziert. 3A zeigt den ersten und zweiten Laserstrahl 17a und 17b vor der Positionsausrichtung, und 3B zeigt den ersten und den zweiten Laserstrahl nach der Positionsausrichtung.
  • Die Korrelation zwischen der Position des ersten Laserstrahls 17a auf dem Monitorbildschirm, wie in jeder der 3A und 3B dargestellt, und der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a (Kathode) ist vorher entschieden und bekannt.
  • Wenn sich der bewegliche Spiegel M1 in der Ausrichtungskammer 11 bewegt, bewegen sich die Einfallposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem Strahlteiler M2, die Einfallposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem beweglichen Spiegel M3 und die Einfallposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem ND-Filter 11d. Die Einfallposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem CCD 31 bewegt sich ebenfalls. Auch die Einfallposition des zweiten Laserstrahls 17b auf der Elektrode 2b (Kathode) bewegt sich, wenn der zweite Laserstrahl 17b vom beweglichen Spiegel M3 reflektiert wird und auf die Elektrode 2a (Kathode) einfällt.
  • Wenn also der erste und der zweite Laserstrahl 17a und 17b die Positionen wie in 3A dargestellt einnehmen, wird der bewegliche Spiegel M1 so angepasst, dass er die Position des zweiten Laserstrahls 17b zur Position des ersten Laserstrahls 17a auf dem Monitorbildschirm versetzt. Dies hat, wie in 3B dargestellt, zur Folge, dass der zweite Laserstrahl 17b den ersten Laserstrahl 17a überlappt. Auf diese Weise wird die Positionsanpassung so ausgeführt, dass die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a (2b) mit der Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b koinzidiert. Deshalb wird das Material 14 auf der Entladungselektrode 2a mit dem ersten Energiestrahl 17a bestrahlt und auch mit dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt. Mit anderen Worten ist das Material 14 in einem Bereich angeordnet, der mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, und die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls auf der Entladungselektrode 2a (2b) wird so angepasst, dass derselbe Bereich mit dem zweiten Energiestrahl 17b bestrahlt wird.
  • Es ist zu beachten, dass die Positionsabgleichung (Anpassung, Ausrichtung) der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls von einer Bedienperson vorgenommen werden kann, die den Monitor beobachtet. Die Bedienperson beobachtet den Monitor und betätigt den beweglichen Spiegel M3 für die Positionsabgleichung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls. Alternativ dazu kann die Steuerung 30 die Differenz zwischen der erfassten Position, die von dem CCD 31 erhalten wird, und der Zielposition berechnen und den beweglichen Spiegel M3 auf der Grundlage der berechneten Differenz betätigen.
  • Nach Anpassung der Position des zweiten Laserstrahls 17b wird die Position der beweglichen Linse 11b angepasst, um den Spot-Durchmesser des ersten Laserstrahls 17a und den Spot-Durchmesser des zweiten Laserstrahls 17b anzupassen. Wie oben beschrieben, ist die optische Weglänge L1 von der Laserstrahl-Einfallposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zur Laserstrahl-Bestrahlungsposition auf der Elektrode 2a (2b) gleich der optischen Weglänge L2 von der Laserstrahl-Bestrahlungsposition auf dem beweglichen Spiegel M3 zu der Laserstrahl-Einfallposition auf dem CCD 31. Somit ist der Spot-Durchmesser des ersten Laserstrahls 17a auf der Einfallfläche des CCD 31 gleich dem Spot-Durchmesser des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a (2b), und der Spot-Durchmesser des zweiten Laserstrahls 17b auf der Einfallfläche des CCD 31 ist gleich dem Spot-Durchmesser des zweiten Laserstrahls 17b auf der Elektrode 2a (2b).
  • Es ist zu beachten, dass die Anpassung des Spot-Durchmessers des ersten Laserstrahls 17a und des zweiten Laserstrahls 17b von einer Bedienperson vorgenommen werden kann, die den Monitor beobachtet. Die Bedienperson beobachtet den Monitor und betätigt die bewegliche Linse 11b für die Anpassung des Spot-Durchmessers des Laserstrahls. Alternativ dazu kann die Steuerung 30 die Differenz zwischen dem erfassten Spot-Durchmesser jedes Laserstrahls, welche von dem CCD 31 erhalten wird, und dem Ziel-Spot-Durchmesser, der vorher in der Steuerung 30 gespeichert wird, berechnen und die bewegliche Linse 11b auf Grundlage der berechneten Differenz betätigen.
  • Bezug nehmend auf 4, wird ein beispielhaftes Verfahren für die Positionsausrichtung des zweiten Energiestrahls am ersten Energiestrahl mittels des Ausrichtungsmechanismus der Ausführungsform beschrieben. Im nachstehenden Beispiel wird die Steuerung 30 dazu verwendet, die Positionsausrichtung durchzuführen. Zu beachten ist, dass die Steuerung 30 Daten des Ziel-Spot-Durchmessers des ersten Laserstrahls 17a und Daten des Ziel-Spot-Durchmessers des zweiten Laserstrahls 17b vorher gespeichert hat.
  • Zunächst versetzt die Steuerung 30 die Lichtschutzblende 11c in einen offenen Zustand (Schritt S1). Dann betätigt die Steuerung 30 die erste Laserquelle 12a und veranlasst die erste Laserquelle 12a dazu, den ersten Laserstrahl (ersten Energiestrahl) 17a abzugeben (Schritt S2). Die Steuerung 30 passt sodann die Position des beweglichen Spiegels M3 so an, dass die Bestrahlungsrichtung des ersten Laserstrahls 17a mit der voreingestellten Richtung, die durch die Ausführung festgelegt wird, zusammenfällt (Schritt S3). Dabei ist zu beachten, dass wenn die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a präziser angepasst werden sollte, die EUV-Strahlung erzeugt werden kann und der EUV-Output kontrolliert wird. Dann kann die Position des beweglichen Spiegels M3 zur Maximierung des EUV-Outputs angepasst werden.
  • Anschließend speichert die Steuerung 30 die Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a, die von dem CCD 31 erhalten werden (Schritt S4). Die gespeicherten Positionsinformationen stehen für die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a.
  • Solange das Positionsverhältnis zwischen der Elektrode 2a und dem Ausrichtungsmechanismus unverändert bleibt, bleiben die Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a unverändert. Wenn die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a neu angepasst wird, wird die Position des beweglichen Spiegels M3 so angepasst, dass die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a mit der gespeicherten Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a zusammenfällt, ohne dass eine EUV-Strahlung erzeugt wird. Dies ermöglicht die präzise Anpassung der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a.
  • Dann betätigt die Steuerung 30 die zweite Laserquelle 12b und veranlasst die zweite Laserquelle 12b dazu, den zweiten Laserstrahl 17b abzugeben, also den zweiten Energiestrahl (Schritt S5). Die Steuerung 30 erhält die Positionsinformationen des zweiten Laserstrahls 17b, die von dem CCD 31 ausgegeben werden. Die Steuerung 30 berechnet die Differenz zwischen der Position des ersten Laserstrahls 17a und der Position des zweiten Laserstrahls 17b (Schritt S6). Auf Grundlage der in Schritt S6 berechneten Differenz passt die Steuerung 30 die Position des beweglichen Spiegels M1 so an, dass die Position des zweiten Laserstrahls 17b mit der Position des ersten Laserstrahls 17a zusammenfällt (Schritt S7). Folglich wird die Positionsanpassung so durchgeführt, dass die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b mit der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a übereinstimmt. Mit anderen Worten wird die Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls so angepasst, dass das Material 14 auf der Position (in diesem Bereich) auf der Entladungselektrode 2a, die mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, auch mit dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird.
  • Anschließend erhält die Steuerung 30 die Spot-Durchmesser-Informationen des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b von dem CCD 31. Die Steuerung 30 berechnet die Differenz zwischen dem Ziel-Spot-Durchmesser, der vorher eingespeichert wird, und dem erhaltenen Spot-Durchmesser (Schritt S8). Auf der Grundlage der in Schritt S8 berechnen Differenz passt die Steuerung 30 die Position der beweglichen Linse 11b so an, dass der von dem CCD 31 erhaltene Wert des Spot-Durchmessers gleich dem Wert des Ziel-Spot-Durchmessers wird (Schritt S9). Daraus folgt, dass die Spot-Durchmesser-Anpassung so durchgeführt wird, dass der Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b auf der Elektrode 2a gleich der festgelegten Größe werden. Die festgelegte Größe ist eine Größe des Spot-Durchmessers, welche den Output des EUV-Lichts maximiert, wenn das Material 14 auf der Elektrode 2a mit dem Laserstrahl bestrahlt und verdampft wird.
  • Im Anschluss daran versetzt die Steuerung 30 die Lichtschutzblende 11c in einen geschlossenen Zustand (Schritt S10).
  • Wie oben beschrieben, ermöglicht die Verwendung des Ausrichtungsmechanismus der Ausführungsform die Ausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls an der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls auf der Elektrode 2a ohne Erzeugung der EUV-Strahlung.
  • Die Informationen der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls werden auf dem Monitor angezeigt. Somit ist es möglich, die genaue (korrekte) Positionsanpassungsrichtung von Anfang an zu kennen. Verglichen mit der herkömmlichen Anordnung besteht die Möglichkeit, die Positionsausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls in kürzerer Zeit durchzuführen. Da eine EUV-Strahlung zur Durchführung der Positionsausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls nicht erforderlich ist, besteht die Möglichkeit, die Kosten für den elektrischen Strom, der für die EUV-Lichtquelle aufzuwenden ist, im Vergleich mit der herkömmlichen Anordnung zu senken.
  • Mit dem Ausrichtungsmechanismus der Ausführungsform besteht auch die Möglichkeit, den Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Energiestrahls einfach anzupassen.
  • Zu beachten ist, dass obwohl oben die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP beschrieben worden ist, die Anwendung der vorliegenden Erfindung nicht auf die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ DPP beschränkt ist. Beispielsweise könnte der Ausrichtungsmechanismus der vorliegenden Erfindung auch für die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP verwendet werden.
  • 5 zeigt einen weiteren Ausrichtungsmechanismus, der für die EUV-Lichtquellenvorrichtung vom Typ LPP verwendet wird. Grundsätzlich verfügt dieser Ausrichtungsmechanismus über eine ähnliche Struktur wie der in 1 dargestellte, weshalb redundante Beschreibungen hier weggelassen werden. Der Ausrichtungsmechanismus in 5 ist dazu konfiguriert, den ersten Laserstrahl 17a und den zweiten Laserstrahl 17b am Material 14, das die Form eines Flüssigkeitströpfchens aufweist, auszurichten. Das Material 14 wird von einer Materialzufuhreinheit 10 bereitgestellt.
  • Bezug nehmend auf 6, wird das Verfahren zur Positionsausrichtung des ersten und zweiten Energiestrahls mittels des in 5 dargestellten Ausrichtungsmechanismus beschrieben. In der nachstehenden Beschreibung wird die Positionsausrichtung von der Steuerung 30 durchgeführt. Die Steuerung 30 speichert die Daten des Ziel-Spot-Durchmessers des ersten Laserstrahls (erster Energiestrahl) 17a und des Ziel-Spot-Durchmessers des zweiten Laserstrahls (zweiter Energiestrahl) 17b im Voraus.
  • Zunächst versetzt die Steuerung 30 die Lichtschutzblende 11c in einen offenen Zustand (Schritt S101). Dann betätigt die Steuerung 30 die Materialzufuhreinheit 10, um die Zuführung des Flüssigkeitströpfchens des Materials 14 zu starten (Schritt S102).
  • Die Steuerung 30 betätigt die erste Laserquelle 12a und veranlasst die erste Laserquelle 12a dazu, den ersten Laserstrahl (ersten Energiestrahl) 17a abzugeben (Schritt S103). Die Steuerung 30 passt dann die Position des beweglichen Spiegels M3 so an, dass die Bestrahlungsrichtung des ersten Laserstrahls 17a mit der voreingestellten Richtung zusammenfällt, die von der Ausführung festgelegt wird (Schritt S104). Dabei ist zu beachten, dass wenn die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials präziser angepasst werden sollte, durch einen separaten Plasma-Monitor die Anwesenheit/Abwesenheit eines schwachen Plasmas kontrolliert werden kann. Dann kann die Position des beweglichen Spiegels M3 zur Erzeugung des schwachen Plasmas angepasst werden.
  • Anschließend speichert die Steuerung 30 die Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a, die vom CCD 31 erhalten werden (Schritt S105). Die gespeicherten Positionsinformationen stehen für die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14.
  • Solange das Positionsverhältnis zwischen dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 und dem Ausrichtungsmechanismus unverändert bleibt, bleiben die Positionsinformationen des ersten Laserstrahls 17a unverändert. Wenn die Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a neu angepasst wird, wird die Position des beweglichen Spiegels M3 so angepasst, dass die Position des ersten Laserstrahls 17a mit der gespeicherten Position des ersten Laserstrahls 17a zusammenfällt, ohne dass der Plasma-Monitor verwendet wird. Dies ermöglicht die präzise Anpassung der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14.
  • Dann betätigt die Steuerung 30 die zweite Laserquelle 12b und veranlasst die zweite Laserquelle 12b dazu, den zweiten Laserstrahl 17b abzugeben, also den zweiten Energiestrahl (Schritt S106). Die Steuerung 30 erhält die Positionsinformationen des zweiten Laserstrahls 17b, die von dem CCD 31 ausgegeben werden. Die Steuerung 30 berechnet die Differenz zwischen der Position des ersten Laserstrahls 17a und der Position des zweiten Laserstrahls 17b (Schritt S107). Auf Grundlage der in Schritt S107 berechneten Differenz passt die Steuerung 30 die Position des beweglichen Spiegels M1 so an, dass die Position des zweiten Laserstrahls 17b zu der Position des ersten Laserstrahls 17a ein vorgeschriebenes Verhältnis einnimmt (Schritt S108). Folglich wird die Positionsanpassung so durchgeführt, dass die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 das vorgeschriebene Verhältnis zu der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls 17a auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 einnimmt.
  • Wenn beispielsweise die Steuerung 30 die Position des beweglichen Spiegels M1 anpasst, um damit zu veranlassen, dass die Position des zweiten Energiestrahls 17b auf dem CCD 31 mit der Position des ersten Energiestrahls 17a auf dem CCD 31 zusammenfällt, fällt die Bestrahlungsposition des zweiten Laserstrahls 17b auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 mit der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls 17a auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 zusammen.
  • Wenn die Bestrahlungsposition auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 sich von der Position des schwachen Plasmas in einem gewissen Ausmaß unterscheidet, reflektiert das oben beschriebene Positionsverhältnis zwischen den zwei Laserstrahlen diese Differenz.
  • Wenn die Steuerung 30 die Position des beweglichen Spiegels M1 anpasst, um zu veranlassen, dass die Position des zweiten Energiestrahls 17b auf dem CCD 31 mit der Position des ersten Energiestrahls 17a auf dem CCD 31 zusammenfällt oder der Position des ersten Energiestrahls 17a auf dem CCD 31 auf Grundlage der oben genannten Differenz entspricht, wird die Position des schwachen Plasmas, das erzeugt wird, wenn das Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 mit dem ersten Laserstrahls 17a bestrahlt wird, mit dem zweiten Laserstrahl 17b bestrahlt.
  • Die Steuerung 30 erhält die Informationen über die Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b, die von dem CCD 31 ausgegeben werden. Die Steuerung 30 berechnet die Differenz zwischen dem Ziel-Spot-Durchmesser, der vorher in der Steuerung 30 gespeichert wird, und dem erhaltenen Spot-Durchmesser (Schritt S109). Auf der Grundlage der in Schritt S109 berechneten Differenz passt die Steuerung 30 die Position der beweglichen Linse 11b so an, dass der Wert des von dem CCD 31 erhaltenen Spot-Durchmessers gleich dem Wert des Ziel-Spot-Durchmessers wird (Schritt S110). Folglich wird die Spot-Durchmesser-Anpassung so vorgenommen, dass der Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b auf der Elektrode 2a gleich der festgelegten Größe wird. Wie oben beschrieben, ist die festgelegte Größe eine Größe des Spot-Durchmessers, welche den Output des EUV-Lichts maximiert.
  • Im Anschluss daran betätigt die Steuerung 30 die Materialzufuhreinheit 10, um die Zuführung der Flüssigkeitströpfchen des Materials 14 anzuhalten (Schritt S111). Die Steuerung 30 versetzt auch die Lichtschutzblende 11c in einen geschlossenen Zustand (Schritt S112).
  • Wie oben beschrieben, ermöglicht die Verwendung des Ausrichtungsmechanismus der Ausführungsform die Ausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls auf dem schwachen Plasma an der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls auf dem Flüssigkeitströpfchen des Materials 14.
  • Die Informationen der Bestrahlungsposition des ersten Energiestrahls und der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls werden auf dem Monitor angezeigt. Somit ist es möglich, die genaue (korrekte) Positionsanpassungsrichtung von Anfang an zu kennen. Verglichen mit der herkömmlichen Anordnung besteht die Möglichkeit, die Positionsausrichtung der Bestrahlungsposition des zweiten Energiestrahls in kürzerer Zeit durchzuführen. Es besteht deshalb die Möglichkeit, die Kosten der für die EUV-Lichtquelle verwendeten elektrischen Energie im Vergleich zur herkömmlichen Anordnung zu senken.
  • Mit dem Ausrichtungsmechanismus der Ausführungsform besteht auch die Möglichkeit, den Spot-Durchmesser des ersten und des zweiten Energiestrahls einfach anzupassen.
  • Modifizierung der oben beschriebenen Ausführungsform
  • Bezug nehmend auf 7, wird eine Modifikation der oben beschriebenen Ausführungsform beschrieben.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform dient das CCD 31 als Strahlerfassungseinheit und wird dazu verwendet, die Positionsinformationen des ersten Energiestrahls 17a und die Positionsinformationen des zweiten Energiestrahls 17b einzuholen. Dann wird die Positionsausrichtung so durchgeführt, dass die Position des zweiten Energiestrahls 17b der Position des ersten Energiestrahls 17a entspricht.
  • In der in 7 dargestellten Modifikation ist vor dem CCD (dem CCD vorgelagert) 31 eine Diffusorplatte 32a vorgesehen. Die Diffusorplatte 32a weist eine Öffnung (ein Durchgangsloch) H auf, deren Durchmesser einem kondensierten Lichtdurchmesser des ersten Laserstrahls 17a (oder einem kondensierten Lichtdurchmesser des zweiten Laserstrahls 17b) entspricht. Zudem ist vor der Diffusorplatte 32a ein Wellenlängen-Konvertierungselement 32b zur Umwandlung der Wellenlänge des Laserstrahls in eine gewünschte Wellenlänge vorgesehen. Das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b weist eine Öffnung (ein Durchgangsloch) H auf, deren Durchmesser einem kondensierten Lichtdurchmesser des Laserstrahls entspricht. Das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b ist beispielsweise ein nichtlinearer optischer Kristall. Auf diese Weise wird ein Mehrlagenkörper 32, der eine Diffusorplatte 32a mit der Öffnung (Durchgangsloch) H und das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b mit der Öffnung (Durchgangsloch) H umfasst, zwischen dem CCD 31 und dem beweglichen Spiegel M3 angeordnet, also auf der Lichteinfallseite des CCD 31. Das CCD 31 wird als Bilderfassungseinheit verwendet. In 7 ist der Mehrlagenkörper 32 (oder die Diffusorplatte 32a) in Kontakt mit dem CCD 31.
  • Zudem ist eine Lichterfassungseinheit 33 in der Nähe des Mehrlagenkörpers 32 angeordnet. Die Lichterfassungseinheit 33 umfasst einen Grundwellen-Cut-off-Filter 33a und ein zweites CCD 33b. Der Grundwellen-Cut-off-Filter 33a ermöglicht dem Licht, das vom Wellenlängen-Konvertierungselement 32b Wellenlängen-konvertiert ist, den Durchgang. Das zweite CCD 33b, welches hinter dem Grundwellen-Cut-off-Filter 33a angeordnet ist, erfasst das Licht, das durch den Grundwellen-Cut-off-Filter 33a hindurchgegangen ist.
  • Die Mitte der Öffnung H der Diffusorplatte 32a fällt im Wesentlichen mit der Mitte der Öffnung H des Wellenlängen-Konvertierungselements (des nichtlinearen optischen Kristalls) 32b zusammen, so dass von den zwei Öffnungen H und H ein einziges Durchgangsloch gebildet wird. Die Position der Öffnung H des Durchgangslochs auf dem CCD 31 wird so angelegt, dass sie der Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode (Kathode) 2a entspricht. Die Diffusorplatte 32a ist integral mit dem Wellenlängen-Konvertierungselement 33b (mit diesem vereint). Zu beachten ist, dass die Diffusorplatte 32a des Mehrlagenkörpers 32 auch nicht mit dem Wellenlängen-Konvertierungselement 32b des Mehrlagenkörpers 32 vereint sein kann. Beispielsweise können die Diffusorplatte 32a und das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b getrennte Elemente sein und jeweils eine Plattenform aufweisen. Diese Plattenelemente 32a und 32b können hintereinander laminiert oder voneinander in einem bestimmten Abstand beabstandet sein.
  • Bezug nehmend auf 8A und 8B, wird die Positionsausrichtung in dieser Modifikation beschrieben. In 8A ist dargestellt, dass der erste Laserstrahl 17a und der zweite Laserstrahl 17b in einer festgelegten Position ausgerichtet sind. In 8B ist dargestellt, dass der erste Laserstrahl 17a und der zweite Laserstrahl 17b nicht an der festgelegten Position sind.
  • Wie in 8A gezeigt, gehen der erste und zweite Laserstrahl 17a und 17b durch die Öffnungen H der Diffusorplatte 32a und des Wellenlängen-Konvertierungselements 32b und kommen am CCD 31 an, wenn die Position des ersten Laserstrahls 17a an der festgelegten Position (der gewünschten Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a) ausgerichtet ist und die Position des zweiten Laserstrahls 17b an der Position des ersten Laserstrahls 17a ausgerichtet ist.
  • Wenn anderseits, so wie in 8B gezeigt, die Position des ersten Laserstrahls 17a nicht an der festgelegten Position (der gewünschten Bestrahlungsposition des ersten Laserstrahls 17a auf der Elektrode 2a) ausgerichtet ist und/oder die Position des zweiten Laserstrahls 17b nicht an der gewünschten Position ausgerichtet ist, dann gehen ein Teil der oder die gesamten ersten und zweiten Laserstrahlen 17a und 17b nicht durch die Öffnungen H der Diffusorplatte 32a und des Wellenlängen-Konvertierungselements 32b und fallen auf den Mehrlagenkörper 32 ein, der aus der Diffusorplatte 32a und dem Wellenlängen-Konvertierungselement 32b gemacht ist.
  • Dieser Laserstrahl geht für die Wellenlängen-Konvertierung durch das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b und kommt an der Diffusorplatte 32a an. Der Laserstrahl, der an der Diffusorplatte 32a ankommt, geht erneut durch das Wellenlängen-Konvertierungselement 32b und wird zu diffusem Licht. Das diffuse Licht fällt auf die Lichterfassungseinheit 33 ein. Die Lichterfassungseinheit 33 ist an einer Position angeordnet, um das diffuse Licht zu empfangen.
  • Die Lichterfassungseinheit 33 umfasst den Grundwellen-Cut-off-Filter 33a, um dem Wellenlängen-konvertierten Licht, das durch den Cut-off der Wellenlängen des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b gewonnen wird, den Durchgang zu ermöglichen. Die Lichterfassungseinheit 33 umfasst auch das zweite CCD 33b. Das diffuse Licht fällt über den Grundwellen-Cut-off-Filter 33a in das zweite CCD 33b ein, und das zweite CCD 33b erfasst das diffuse Licht (Wellenlängen-konvertiertes Licht).
  • Es besteht somit die Möglichkeit, festzustellen, ob die Position des ersten Laserstrahls 17a und/oder die Position des zweiten Laserstrahls 17b von der gewünschten Position abweicht, indem kontrolliert wird, ob das Wellenlängen-konvertierte Licht von der Lichterfassungseinheit 33 erfasst wird oder nicht.
  • Wenn die Wellenlänge des ersten Laserstrahls 17a und des zweiten Laserstrahls 17b jeweils 1064 nm beträgt, wird der Grundwellen-Cut-off-Filter 33a ein IR-Cut-off-Filter, der das Licht an der Wellenlänge von 1064 nm abschneidet.
  • Bei der oben beschriebenen Konfiguration erfolgen die Positionierung (Anpassung) des ersten Laserstrahls 17a und die Positionierung des zweiten Laserstrahls 17b so, dass vom zweiten CCD 33b kein Wellenlängen-konvertiertes Licht erfasst wird. Bei einer solchen Positionierung nehmen der erste und zweite Laserstrahl die gewünschte(n) Position(en) ein. Dabei ist zu beachten, dass der Ausgang der Lichterfassungseinheit 33 überwacht werden kann, während das Gerät (Lichtquellenvorrichtung) in Betrieb ist. Wenn die Lichterfassungseinheit 33 während dieser Überwachung die Abweichung der ersten (oder zweiten) Laserstrahlposition von der gewünschten Position feststellt, kann die Lichterfassungseinheit 33 (oder die Lichtquellenvorrichtung) eine Warnung abgeben.
  • Da die Öffnung H der Diffusorplatte 32a und des Wellenlängen-Konvertierungselements 32b in der Größe dem Lichtkondensationsdurchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls 17a und 17b entspricht, ist es möglich, dass das zweite CCD 33b das Wellenlängen-konvertierte Licht erfasst, wenn der Spot-Durchmesser des ersten und zweiten Laserstrahls auf dem CCD 31 größer ist als die festgelegte Größe wie oben beschrieben. Deshalb kann die Größe des Spot-Durchmessers auf Basis der Positionsinformationen vom zweiten CCD 33b angepasst werden. Zu beachten ist, dass ein optisches Erfassungselement, wie etwa eine Photodiode, anstelle des CCD 33b verwendet werden kann.
  • Zwar sind hier bestimmte Ausführungsformen beschrieben worden, doch diese Ausführungsformen wurden nur beispielhaft dargestellt und sollen nicht den Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung einschränken. Die neuartigen Geräte (Vorrichtungen) und Verfahren derselben, wie sie hier beschrieben sind, können in einer Vielzahl anderer Formen ausgeführt sein; außerdem können unterschiedliche Weglassungen, Ersetzungen und Änderungen an der Form der Geräte (Vorrichtungen) und an den Verfahren wie hier beschrieben vorgenommen werden, ohne vom Wesen der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die begleitenden Patentansprüche und deren Äquivalente sind dazu vorgesehen, solche Formen oder Modifikationen, wie sie in den Geltungsbereich und das Wesen der vorliegenden Erfindung fallen, abzudecken.
  • Die vorliegende Patentanmeldung basiert auf und beansprucht die Priorität der japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-083452 , eingereicht am 15. April 2014, auf welche hiermit vollumfänglich Bezug genommen wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (17)

  1. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung, wobei das Gerät dazu konfiguriert ist, mit einer Lichtquellenvorrichtung verwendet zu werden, die eine erste Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines ersten Energiestrahls und eine zweite Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines zweiten Energiestrahls aufweist, wobei die Lichtquellenvorrichtung dazu geeignet ist, ein Material extrem ultravioletter Strahlung mit dem ersten Energiestrahl zu bestrahlen und den zweiten Energiestrahl zu einer oder in die Nähe einer ersten Position auf dem Material zu lenken, das mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, dadurch das Material anzuregen, Plasma zu produzieren und von dem Plasma extrem ultraviolettes Licht zu extrahieren, wobei das Gerät dazu konfiguriert ist, eine zweite Position auf dem Material, das mit dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird, an der ersten Position auszurichten, wobei das Gerät umfasst: eine optische Einheit, die dazu konfiguriert ist, den ersten Energiestrahl, der von der ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit abgegeben wird, durch sie hindurch gehen zu lassen, und den zweiten Energiestrahl, der von der zweiten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit abgegeben wird, zu reflektieren, und den zweiten Energiestrahl in eine gleiche Richtung wie eine Fortbewegungsrichtung des ersten Energiestrahls zu lenken; einen beweglichen Spiegel, der dazu konfiguriert ist, den zweiten Energiestrahl zu reflektieren und den zweiten Energiestrahl zu der optischen Einheit zu führen; eine Strahlerfassungseinheit, die dazu konfiguriert ist, eine Einfallposition eines darauf einfallenden Energiestrahls zu erfassen; und eine Abzweigeinheit, die dazu konfiguriert ist, beweglich zu sein und den ersten Energiestrahl, der durch die optische Einheit hindurch gegangen ist, und den zweiten Energiestrahl, der von der optischen Einheit reflektiert worden ist, zu empfangen, wobei die Abzweigeinheit dazu konfiguriert ist, einen ersten Teil des empfangenen ersten Energiestrahls abzuzweigen und diesen ersten Teil des empfangenen ersten Energiestrahls zu der ersten Position zu führen, während ein zweiter Teil des empfangenen ersten Energiestrahls hindurch geht und der zweite Teil des empfangenen ersten Energiestrahls zu der Strahlerfassungseinheit geführt wird, wobei die Abzweigeinheit dazu konfiguriert ist, einen dritten Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls abzuzweigen und den dritten Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls zu der zweiten Position zu führen, während ein vierter Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls hindurch geht und der vierte Teil des empfangenen zweiten Energiestrahls zu der Strahlerfassungseinheit geführt wird, wobei der bewegliche Spiegel so konfiguriert ist, dass er geeignet ist, eine Einfallposition des zweiten Energiestrahls auf die optische Einheit nach Einstellung eines ersten Winkels des beweglichen Spiegels anzupassen, wobei die Abzweigeinheit so konfiguriert ist, dass sie geeignet ist, die erste Position des ersten Energiestrahls auf dem Material und die zweite Position des zweiten Energiestrahls auf dem Material nach Einstellung eines zweiten Winkels der Abzweigeinheit anzupassen.
  2. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend eine der optischen Einheit vorgelagerte Polarisierungseinheit, wobei die optische Einheit einen polarisierenden Strahlteiler umfasst, der erste auf den polarisierenden Strahlteiler einfallende Energiestrahl ein erster polarisierter Strahl ist, der zweite auf den polarisierenden Strahlteiler einfallende Energiestrahl ein zweiter polarisierter Strahl ist, wobei die Polarisierungseinheit dazu konfiguriert ist, den zweiten Energiestrahl in eine Richtung senkrecht zu einer Polarisationsrichtung des ersten Energiestrahls zu polarisieren und der polarisierende Strahlteiler den ersten Energiestrahl, der auf den polarisierenden Strahlteiler einfällt, hindurch lässt, und den zweiten Energiestrahl reflektiert.
  3. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, das ferner eine bewegliche Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit umfasst und dazu konfiguriert ist, in Richtung einer optischen Achse beweglich zu sein, um einen ersten Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls auf der optischen Einheit und einen zweiten Spot-Durchmesser des zweiten Energiestrahls auf der optischen Einheit anzupassen.
  4. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 2, das ferner eine bewegliche Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit umfasst und dazu konfiguriert ist, in Richtung einer optischen Achse beweglich zu sein, um einen ersten Spot-Durchmesser des ersten Energiestrahls auf der optischen Einheit und einen zweiten Spot-Durchmesser des zweiten Energiestrahls auf der optischen Einheit anzupassen.
  5. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, wobei die Strahlerfassungseinheit eine Bilderfassungseinheit umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Bild des einfallenden Energiestrahls zu erfassen, um die Einfallposition des einfallenden Energiestrahls zu erfassen.
  6. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 2, wobei die Strahlerfassungseinheit eine Bilderfassungseinheit umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Bild des einfallenden Energiestrahls zu erfassen, um die Einfallposition des einfallenden Energiestrahls zu erfassen.
  7. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 3, wobei die Strahlerfassungseinheit eine Bilderfassungseinheit umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Bild des einfallenden Energiestrahls zu erfassen, um die Einfallposition des einfallenden Energiestrahls zu erfassen.
  8. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit, wobei der Mehrlagenkörper eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfasst, der Mehrlagenkörper auf einer Lichteinfallseite der Bilderfassungseinheit angeordnet ist und der Mehrlagenkörper eine Öffnung in einer Mitte des Mehrlagenkörpers aufweist, wobei die Öffnung dazu konfiguriert ist, dem einfallenden Energiestrahl den Durchgang zu erlauben, die Diffusorplatte näher an der Bilderfassungseinheit angeordnet ist als das Wellenlängen-Konvertierungselement, die Öffnung einen Durchmesser hat, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang durch diese hindurch ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen, und die Lichterfassungseinheit in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert ist, die Anwesenheit und Abwesenheit eines diffusen Lichts festzustellen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, und zu bestimmen, ob die Einfallposition des ersten Energiestrahls und die Einfallposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis aufweisen.
  9. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 2, ferner umfassend einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit, wobei der Mehrlagenkörper eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfasst, der Mehrlagenkörper auf einer Lichteinfallseite der Lichterfassungseinheit angeordnet ist und der Mehrlagenkörper eine Öffnung in einer Mitte des Mehrlagenkörpers aufweist, wobei die Öffnung dazu konfiguriert ist, dem einfallenden Energiestrahl den Durchgang zu erlauben, die Diffusorplatte näher an der Bilderfassungseinheit angeordnet ist als das Wellenlängen-Konvertierungselement, die Öffnung einen Durchmesser hat, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang durch diese hindurch ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen, und die Lichterfassungseinheit in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert ist, die Anwesenheit und Abwesenheit eines diffusen Lichts festzustellen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, und zu bestimmen, ob die Einfallposition des ersten Energiestrahls und die Einfallposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis aufweisen.
  10. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 3, ferner umfassend einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit, wobei der Mehrlagenkörper eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfasst, der Mehrlagenkörper auf einer Lichteinfallseite der Lichterfassungseinheit angeordnet ist und der Mehrlagenkörper eine Öffnung in einer Mitte des Mehrlagenkörpers aufweist, wobei die Öffnung dazu konfiguriert ist, dem einfallenden Energiestrahl den Durchgang zu erlauben, die Diffusorplatte näher an der Bilderfassungseinheit angeordnet ist als das Wellenlängen-Konvertierungselement, die Öffnung einen Durchmesser hat, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang durch diese hindurch ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen, und die Lichterfassungseinheit in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert ist, die Anwesenheit und Abwesenheit eines diffusen Lichts festzustellen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, und zu bestimmen, ob die Einfallposition des ersten Energiestrahls und die Einfallposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis aufweisen.
  11. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 4, ferner umfassend einen Mehrlagenkörper und eine Lichterfassungseinheit, wobei der Mehrlagenkörper eine Diffusorplatte und ein Wellenlängen-Konvertierungselement umfasst, der Mehrlagenkörper auf einer Lichteinfallseite der Lichterfassungseinheit angeordnet ist und der Mehrlagenkörper eine Öffnung in einer Mitte des Mehrlagenkörpers aufweist, wobei die Öffnung dazu konfiguriert ist, dem einfallenden Energiestrahl den Durchgang zu erlauben, die Diffusorplatte näher an der Bilderfassungseinheit angeordnet ist als das Wellenlängen-Konvertierungselement, die Öffnung einen Durchmesser hat, der dem ersten und dem zweiten Energiestrahl den Durchgang durch diese hindurch ermöglicht, wenn der erste und der zweite Energiestrahl ein festgelegtes Positionsverhältnis aufweisen, und die Lichterfassungseinheit in der Nähe des Mehrlagenkörpers angeordnet und dazu konfiguriert ist, die Anwesenheit und Abwesenheit eines diffusen Lichts festzustellen, das vom Mehrlagenkörper abgegeben wird, und zu bestimmen, ob die Einfallposition des ersten Energiestrahls und die Einfallposition des zweiten Energiestrahls nicht mehr das gewünschte Positionsverhältnis aufweisen.
  12. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, wobei die Lichtquellenvorrichtung eine Extrem-UV-Lichtquellenvorrichtung mit entladungsproduziertem Plasma oder eine Extrem-UV-Lichtquellenvorrichtung mit laserproduziertem Plasma ist.
  13. Gerät zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Ausrichtungskammer, die dazu konfiguriert ist, eine optische Einheit, den beweglichen Spiegel, die Strahlerfassungseinheit und die Abzweigeinheit aufzunehmen, wobei die Ausrichtungskammer mit einem Trockengas gereinigt wird.
  14. Verfahren zur Energiestrahl-Positionsausrichtung zur Verwendung mit einer Lichtquellenvorrichtung mit einer ersten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines ersten Energiestrahls und einer zweiten Energiestrahl-Bestrahlungseinheit zur Abgabe eines zweiten Energiestrahls, wobei die Lichtquellenvorrichtung dazu geeignet ist, ein Material extrem ultravioletter Strahlung mit dem ersten Energiestrahl zu bestrahlen und den zweiten Energiestrahl zu einer oder in die Nähe einer ersten Position auf dem Material zu lenken, das mit dem ersten Energiestrahl bestrahlt wird, dadurch das Material anzuregen, Plasma zu produzieren und von dem Plasma extrem ultraviolettes Licht zu extrahieren, wobei das Verfahren umfasst: Herstellen einer optischen Einheit, die dazu konfiguriert ist, den ersten Energiestrahl durch sie hindurch gehen zu lassen und den zweiten Energiestrahl zu reflektieren; Veranlassen des ersten Energiestrahls, auf die optische Einheit einzufallen; Veranlassen des ersten Energiestrahls, der durch die optische Einheit hindurch geht, auf eine bewegliche Abzweigeinheit einzufallen und von der beweglichen Abzweigeinheit reflektiert zu werden; Führen des reflektierten ersten Energiestrahls zu einer Strahl-Bestrahlungsposition auf dem Material; Veranlassen der Abzweigeinheit, einen Teil des ersten Energiestrahls abzuzweigen; Erfassen des Teils des ersten Energiestrahls durch eine Strahlerfassungseinheit; Reflektieren des zweiten Energiestrahls durch einen beweglichen Spiegel und Veranlassen des reflektierten zweiten Energiestrahls, auf die optische Einheit einzufallen; Veranlassen des zweiten Energiestrahls, der von der optischen Einheit reflektiert wird, sich in eine im Wesentlichen gleiche Richtung wie der erste Energiestrahl fortzubewegen; Veranlassen des zweiten Energiestrahls, auf die Abzweigeinheit einzufallen und von der Abzweigeinheit reflektiert zu werden; Führen des zweiten Energiestrahls zu der Strahl-Bestrahlungsposition auf dem Material; Reflektieren des zweiten Energiestrahls durch die optische Einheit; Abzweigen eines Teils des reflektierten zweiten Energiestrahls durch die Abzweigeinheit; Erfassen des abgezweigten Teils des zweiten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit; und Betätigen des beweglichen Spiegels und der Abzweigeinheit auf Basis eines von der Strahlerfassungseinheit erhaltenen Erfassungsergebnisses, so dass eine zweite Position auf dem Material, das mit dem zweiten Energiestrahl bestrahlt wird, ein festgelegtes Positionsverhältnis zu der ersten Position des ersten Energiestrahls aufweist.
  15. Verfahren zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 14, ferner umfassend: Anordnen einer beweglichen Linse zwischen der optischen Einheit und der Abzweigeinheit, so dass die bewegliche Linse geeignet ist, sich in Richtung einer optischen Achse zu bewegen; Erfassen eines ersten Strahl-Spot-Durchmessers des ersten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit; Erfassen eines zweiten Strahl-Spot-Durchmessers des zweiten Energiestrahls durch die Strahlerfassungseinheit; und Betätigung der beweglichen Linse, um zu veranlassen, dass der erste Strahl-Spot-Durchmesser und der zweite Strahl-Spot-Durchmesser einen festgelegten Wert annehmen.
  16. Verfahren zur Energiestrahl-Positionsausrichtung nach Anspruch 14, wobei die Lichtquellenvorrichtung eine Extrem-UV-Lichtquellenvorrichtung mit entladungsproduziertem Plasma oder eine Extrem-UV-Lichtquellenvorrichtung mit laserproduziertem Plasma ist.
  17. Verfahren zur Energiestrahl Positionsausrichtung nach Anspruch 14, ferner umfassend die Herstellung einer Ausrichtungskammer, welche dazu konfiguriert ist, die optische Einheit, den beweglichen Spiegel, die Strahlerfassungseinheit und die Abzweigeinheit aufzunehmen, und Reinigen der Ausrichtungskammer mit einem Trockengas.
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