DE102017207862A1

DE102017207862A1 - Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einer Heizlichtquelle und Verfahren zum Heizen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102017207862A1
Application number: DE102017207862.6A
Authority: DE
Inventors: Toralf Gruner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-05-10
Filing date: 2017-05-10
Publication date: 2017-07-06

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie, mit einer Nutzlichtquelle (2) und einer Mehrzahl optischer Elemente (6, 6', 8, 8') zur Abbildung eines Reticles (7) auf einen Wafer (10), wobei durch die Nutzlichtquelle (2) und die optischen Elemente (6, 6', 8, 8') ein Nutzlichtweg (3) geschaffen ist, in welchem die von der Nutzlichtquelle (2) emittierte elektromagnetische Strahlung zur Abbildung des Reticles (7) verläuft und wobei mindestens eine Heizvorrichtung mit einer Heizlichtquelle (1a, 1b, 1c) zur Beheizung mindestens eines der optischen Elemente (8, 8') vorhanden ist. Dabei weist die Heizvorrichtung Stellmittel (20, 21) auf, mittels welcher der Anteil der von ihr emittierten Heizstrahlung, welcher in mindestens einem der optischen Elemente (8, 8') absorbiert wird, unabhängig von der durch sie emittierten Strahlungsintensität variiert werden kann.

Description

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit mehreren Heizlichtquellen zur Beheizung mindestens eines optischen Elementes der Projektionsbelichtungsanlage. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Heizen einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie zeigen im Hinblick auf ihre Abbildungsqualität ein stark temperaturabhängiges Verhalten. Sowohl nicht unmittelbar an der optischen Abbildung beteiligte Elemente, wie beispielsweise Fassungen und Halter oder Gehäuseteile als auch optische Elemente selbst, wie beispielsweise Linsen oder, im Fall der EUV-Lithographie, Spiegel, verändern bei Erwärmung oder Abkühlung ihre Ausdehnung bzw. ihre Oberflächenform, was sich unmittelbar in der Qualität der mit dem System vorgenommenen Abbildung einer Lithographiemaske, z. B. einer Phasenmaske, eines sogenannten Reticles, auf ein Halbleitersubstrat, einen sogenannten Wafer, niederschlägt. Die Erwärmung der einzelnen Komponenten der Anlage im Betrieb rührt dabei von der Absorption eines Teiles derjenigen Strahlung her, welche zur Abbildung des Reticles auf den Wafer verwendet wird. Diese Strahlung wird von einer im Folgenden als Nutzlichtquelle bezeichneten Lichtquelle erzeugt. Im Fall der EUV-Lithographie handelt es sich bei der Nutzlichtquelle um eine vergleichsweise aufwendig ausgeführte Plasmaquelle, bei welcher mittels Laserbestrahlung von Zinnpartikeln ein in den gewünschten kurzwelligen Frequenzbereichen elektromagnetische Strahlung emittierendes Plasma erzeugt wird.
Üblicherweise sind Projektionsbelichtungsanlagen auf einen stationären Zustand während des Betriebes ausgelegt, das heißt auf einen Zustand, in welchem keine wesentlichen Änderungen der Temperatur von Anlagenkomponenten über der Zeit zu erwarten sind. Insbesondere nach langen Ruhezeiten der Anlage und einer damit typischerweise verbundenen Abkühlung der Komponenten ist es deswegen erforderlich, die Anlage bzw. ihre Komponenten vorzuheizen, das heißt, einen Zustand herzustellen, in welchem die Projektionsbelichtungsanlage und ihre einzelnen Komponenten jeweils auf Temperaturen eingestellt sind, welche den im Betrieb erreichten Werten nahe kommen.
Aus dem Stand der Technik sind hierzu insbesondere bei EUV-Systemen Vorheizlösungen bekannt, um Aberrationen durch Oberflächendeformationen aufgrund absorptionsinduzierter Temperaturvariationen sowohl zeitabhängig als auch ortsvariabel auszugleichen. Die Idee besteht darin, das Material extern dann zu heizen, wenn keine oder wenig Nutzstrahlung absorbiert wird, und in dem Maße nachzulassen, wie im Betrieb Erwärmung durch die Absorption der Nutzstrahlung erfolgt.
Im Stand der Technik bekannte Lösungen erfordern für jeden vorzuheizenden Spiegel separate Heizvorrichtungen, wozu oftmals Infrarotstrahlung eingesetzt wird. In diesem Fall ist jedoch die Tatsache nachteilig, dass nur ein Teil der Strahlung von den aufzuheizenden Komponenten absorbiert wird und ein signifikanter Anteil der verwendeten Strahlung in die Umgebung reflektiert wird. Die reflektierte Strahlung heizt Bereiche des Systems auf, für welche das unerwünscht ist, insbesondere Rahmenkonstruktionen, Einhausungen und dergleichen.
Im Folgenden werden diejenigen Leistungsanteile der Heizstrahlung, welche nicht auf die zu heizenden optischen Elemente selbst einwirken, als Umgebungsbeiträge begrifflich zusammengefasst. In diesem Fall ist es wünschenswert, die Umgebungsbeiträge zeitlich weitgehend konstant zu gestalten. Dadurch kann ihre Aberrationswirkung messtechnisch erfasst und mit im System vorgesehenen Kompensationsmitteln, z. B. Manipulatoren, zu einem oft hohen Prozentsatz ausgeglichen werden. Die erwähnte Aberrationswirkung kann beispielsweise dadurch entstehen, dass sich Rahmenteile erwärmen, dadurch ausdehnen und sich dabei an ihnen befestigte optische Elemente bewegen. Weiterhin können Prüfmittel erwärmt werden, Gase im Nutzlichtweg oder/und Prüfstrahlengang erwärmt werden oder/und Prüfskalen bewegt werden, was wiederum aberrationswirksam ist. Weitere Einflusswege auf die optische Abbildung sind vorstellbar, z. B. die Erwärmung von Manipulatorkomponenten.
Messungen der optischen Abbildungsqualität im System während des Betriebes kosten oft Zeit, die nicht zur gewünschten optischen Funktion bereitsteht. Bei dieser optischen Funktion kann es sich z. B. um die Belichtung von Halbleitersubstraten handeln. Auf diesem Wege reduzieren solche Messungen den Produktionsdurchsatz. Angestrebt ist es also, die Frequenz und insgesamt den Zeitanteil dieser Messungen zu minimieren. Beim Erreichen dieses Ziels hilft eine zeitliche Konstanz der thermalen Umgebungsbeiträge.
Die Wirkungsweise der Vorheizer optischer Elemente beruht jedoch insbesondere auch darauf, ihre Leistung in Abhängigkeit von der Nutzleistung zu variieren, um beispielsweise eine zeitlich und/oder örtlich konstante oder anderweitig vorgegebene Gesamtleistung zu erhalten. Insbesondere beim Wechsel einer Maske einer Projektionsbelichtungsanlage, des Beleuchtungsmodus oder aus anderen Gründen wird die Nutzleistung während des Betriebes variieren, so dass sich die in den vorzuheizenden optischen Elementen absorbierte Leistung zeitlich angepasst ebenfalls ändern muss.
Davon ausgehend stellt sich die vorliegende Erfindung die Aufgabe, eine Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zum Vorheizen einer Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, bei welchen einerseits eine zeitlich variable Leistung in zu beheizenden optischen Elementen absorbiert werden kann und gleichzeitig eine zeitlich möglichst konstante Thermalleistung an die Umgebung abgegeben wird.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung und ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, zeigt eine Nutzlichtquelle und einer Mehrzahl optischer Elemente zur Abbildung eines Reticles auf einen Wafer. Durch die Nutzlichtquelle und die optischen Elemente ist dabei ein Nutzlichtweg geschaffen, in welchem die von der Nutzlichtquelle emittierte elektromagnetische Strahlung zur Beleuchtung und Abbildung des Reticles verläuft. Ferner ist mindestens eine Heizvorrichtung mit einer Heizlichtquelle zur Beheizung mindestens eines der optischen Elemente vorhanden. Erfindungsgemäß weist die Heizvorrichtung Stellmittel auf, mittels welcher der Anteil der von ihr emittierten Heizstrahlung, welcher in mindestens einem der optischen Elemente absorbiert wird, unabhängig von der durch sie emittierten Strahlungsintensität variiert werden kann.
Auf diese Weise wird eine Möglichkeit geschaffen, einerseits die in dem zu beheizenden optischen Element absorbierte Leistung wie gewünscht zu variieren, aber zugleich die reflektierte Leistung, welche als Umgebungsbeiträge thermal wirksam wird, konstant zu halten.
Bei dem optischen Element kann es sich insbesondere um einen Spiegel unter weitgehend senkrechtem Einfall handeln, bei dem der Maximalwinkel zwischen Nutzstrahlung und Flächennormaler am Strahlauftreffort 40° nicht überschreitet.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind die Stellmittel dazu eingerichtet, die Polarisation der auf ein optisches Element emittierten Heizstrahlung während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage einzustellen.
Speziell für flachen Einfall der Heizstrahlung hängt der absorbierte Strahlungsanteil deutlich von der Polarisation ab. Mit der Vorheizleistung und ihrer Polarisation stehen somit zwei unabhängige Einflussgrößen zur Verfügung, mittels welcher einerseits die absorbierte Leistung wie gewünscht variiert werden kann, aber zugleich die reflektierte Leistung, welche als Umgebungsbeitrag thermal wirksam wird, konstant zu halten.
Es gilt: P_abs = P_ges(α_sp_s + α_pp_p) P_Umg = P_ges((1 – α_s)p_s + (1 – α_p)p_p) mit p_p = 1 – p_s, und

P_abs: Absorbierte Leistung
P_Umg: Umgebungsleistung
P_ges: Gesamtleistung
α_s: Absorptionskoeffizient s-Polarisation
α_p: Absorptionskoeffizient p-Polarisation
p_s: Anteil s-Polarisation
p_p: Anteil p-Polarisation

Daraus ergeben sich die gesuchten Größen: P_ges = P_abs + P_Umg p_s = [(1 – α_p)·P_abs – α_p·P_Umg ]·[(α_s – α_p)·(P_abs + P_Umg)]^–1
Nachfolgend wird eine exemplarische Rechnung vorgestellt. Die Leistungen sind dabei normiert, beispielsweise kann es sich um Angaben in W handeln. Als Einfallswinkel wurde ca. 80° gewählt.
Ausgegangen wird von einem beschichteten Spiegel, in welchem senkrecht polarisierte Heizstrahlung zu 90% absorbiert und zu 10% reflektiert wird, wohingegen parallel polarisierte Strahlung zu 10% absorbiert und zu 90% reflektiert wird.
Betrachtet werden sollten 3 Zeitpunkte t₁, t₂ und t₃. Ziel ist die folgende Verteilung der Leistung zu den drei Zeitpunkten:

Zeitpunkt Absorbierte Leistung Reflektierte Leistung

t₁ 1 1

t₂ 2 1

t₃ 3 1
Im gezeigten Beispiel variiert die absorbierte Leistung, wie es auch im realen Betrieb durch variable EUV-Absorption zu erwarten ist; die in die Umgebung reflektierte Leistung soll jedoch, wie oben bereits ausgeführt, konstant gehalten werden.
Unter den getroffenen Annahmen ergeben sich für die erforderliche Gesamtleistung der Heizstrahlung und die einzustellende Verteilung der Polarisationsanteile der Heizstrahlung folgende Werte:

Zeitpunkt Gesamte Vorheizleistung Anteil s-Polarisation

t₁ 2 0,5

t₂ 3 0,708333333

t₃ 4 0,8125
Wie zu erwarten war, muss also bei steigender gesamter Vorheizleistung der Anteil der weniger stark in die Umgebung reflektierten senkrecht polarisierten Heizstrahlung erhöht werden, um eine konstante Reflexion in die Umgebung wie gewünscht zu erreichen.
Zur Einstellung der Polarisation können die Stellmittel insbesondere einen Polarisator umfassen. So kann beispielsweise eine näherungsweise unpolarisiert arbeitende Heizlichtquelle mit einem drehbaren Polarisator betrieben werden; ebenso kann die Heizlichtquelle polarisiert ausgelegt und drehbar gestaltet werden. Weiterhin kann die Polarisation, beispielsweise unter Verwendung von Prismen, wie aus der Literatur bekannt, eingestellt werden.
Möglichkeiten zur Leistungsvariation der Heizlichtquelle sind vielfältig. Selbst wenn die Heizlichtquelle selbst keine oder keine ausreichende Flexibilität aufweist, kann ein abschwächender Graufilter eingesetzt werden, der beispielsweise mittels einer Revolveranordnung tauschbar ist. Ein solcher Abschwächer kann auch als Kombination Polarisator/Analysator realisiert werden. Diese Lösung kostet zwar Intensität, schließt aber über die Wahl der Analysatorposition bzw. -rotation vorteilhaft die Möglichkeit einer simultanen Polarisationseinstellung ein.
Alternativ oder ergänzend ist auch eine Variation des Einfallswinkels der Heizstrahlung auf das optische Element denkbar. Der Einfallswinkel ist nicht unabhängig vom Polarisationsgrad und kann vorteilhaft als Stellgröße eingesetzt werden, wenn es aufwendig ist, die Polarisation der Lichtquelle (beispielsweise im infraroten Wellenlängenbereich) zu variieren. Der Zusammenhang zwischen Polarisation und Einfallswinkel ist nichtlinear. Entsprechend hat eine analytische Lösung typisch nur Näherungscharakter und es kann in diesem Fall sinnvoll sein, eine Lösung mittels einer Look-up-Table oder iterativ mit im Stand der Technik bekannten Methoden, beispielsweise mit dem Newtonverfahren, zu ermitteln. Zur Realisierung kann eine Mechanik oder Vorschaltoptik vorgesehen sein, welche den Strahleinfallswinkel einstellt. Die Position bzw. Orientierung des optischen Elements wird normalerweise während des Betriebes nicht in einer Größenordnung verändert, die zu einer nennenswerten Änderung der Einfallspolarisation bei festem Einstrahlwinkel führen würde. Aus diesem Grund erfolgt die Variation dieses Winkels vorteilhafterweise außerhalb des optischen Elements.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist eine Regelungseinheit zur Ansteuerung der Stellmittel vorhanden, wobei weiterhin mindestens ein mit der Regelungseinheit verbundener Sensor vorhanden ist. Insbesondere kann die Regelung sicherstellen, dass die zeitliche Variation der Umgebungsbeiträge unterhalb einer vorgegebenen Grenze bleibt.
Bei dem Sensor kann es sich beispielsweise um einen Temperatur- oder einen Strahlungssensor handeln.
Dadurch, dass der Anteil der Heizstrahlung, welcher in mindestens zweien der optischen Elemente absorbiert wird, unterschiedlich hoch ist, kann eine erhöhte Flexibilität der Anlage erreicht werden. Mit anderen Worten können in diesem Fall die Stellmittel unabhängig voneinander angesteuert werden.
Die Heizlichtquelle kann insbesondere geeignet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge größer als 130 nm, insbesondere im Bereich zwischen 400 nm und 800 nm oder größer als 800 nm zu emittieren.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
1 eine erste Ausführungsform der Erfindung; und
2 eine Variante der Erfindung.
1 zeigt in einer ersten Ausführungsform der Erfindung eine lediglich schematisch angedeutete Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Halbleiterlithographie mit einer Nutzlichtquelle 2, einem Beleuchtungssystem 4 mit den exemplarisch dargestellten und im gezeigten Beispiel als Spiegel ausgebildeten optischen Elementen 6 und 6' sowie im weiteren Nutzlichtverlauf einem Reticle 7 und dem Reticle 7 nachgeordnet einem Projektionsobjektiv 5 mit zwei optischen Elementen 8 und 8', welche ebenfalls als Spiegel ausgebildet sind. Ebenfalls schematisch angedeutet in der Figur ist der Nutzlichtweg 3 durch das gesamte System. In der nicht gesondert bezeichneten Bildebene ist ein Wafer 10 angeordnet, welcher mittels der Projektionsbelichtungsanlage 100 belichtet wird. In dem in 1 gezeigten Beispiel ist dem Spiegel 8 eine Heizlichtquelle 1a zugeordnet, welche beispielsweise als Infrarotstrahler ausgebildet sein kann, der unpolarisierte Infrarotstrahlung als Heizstrahlung 9 zur Beheizung des Spiegels 8 aussendet. Die ausgesendete Infrarotstrahlung trifft zunächst auf den Polarisator 20 und nachfolgend auf den Analysator 21, die jeweils dazu eingerichtet sind, einfallende unpolarisierte elektromagnetische Strahlung linear zu polarisieren. In Abhängigkeit der relativen Stellung von Polarisator 20 und Analysator 21 zu einander erfolgt neben der Polarisation der von der Heizlichtquelle 1a ausgesandten Strahlung in an sich bekannter Weise auch eine Abschwächung der den Spiegel 8 erreichenden Heizstrahlung 9. Mit anderen Worten ist es zur Einstellung der Gesamtintensität der Heizstrahlung 9, die auf den Spiegel 8 einfällt, nicht erforderlich, die Intensität der von der Heizlichtquelle 1a emittierten Strahlung einzustellen – diese kann konstant bleiben. Darüber hinaus kann aufgrund der polarisationsabhängigen Absorptionseigenschaften des Spiegels 8 mittels der Orientierung des Analysators 21 eingestellt werden, welcher Anteil der den Spiegel 8 erreichenden linear polarisierten Strahlung von diesem absorbiert und welcher Anteil der Strahlung den Umgebungsbeiträgen zuzuordnen ist, durch welche weitere Komponenten der Anlage aufgeheizt werden. Dabei können die Orientierungen des Polarisators 20 und des Analysators 21 während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage 100 eingestellt werden, so dass eine ausgesprochen flexible Regelung der thermischen Verhältnisse in der Projektionsbelichtungsanlage 100 möglich ist.
Ebenfalls gezeigt in 1 ist eine weitere Heizlichtquelle 1b, die zur Beheizung des Spiegels 8' dient. Auch sie kann als Infrarotstrahler ausgebildet sein, wobei die Polarisationsrichtung der von der Heizlichtquelle 1b emittierten Strahlung einstellbar ist. Dadurch, dass die dem Spiegel 8' zugeordnete Heizlichtquelle 1b unabhängig von der dem Spiegel 8 zugeordneten Heizlichtquelle 1a angesteuert werden kann, kann die Variabilität des Systems weiter erhöht werden.
Weiterhin gezeigt in der 1 ist ein Sensor 12, mittels welchem beispielsweise die Temperatur von Umgebungskomponenten wie beispielsweise von Gehäuseteilen ermittelt werden kann. Alternativ kann es sich bei dem Sensor 12 auch um einen Strahlungssensor handeln, der dazu geeignet ist, den auf ein bestimmtes Raumwinkelelement einwirkenden Anteil der Umgebungsbeiträge zu ermitteln. Die so gewonnenen Sensorparameter werden nachfolgend der Regelungseinheit 11 zugeführt, welche auf Basis der Sensorparameter die Heizlichtquelle 1b entsprechend ansteuert. So kann beispielsweise mittels des Sensors 12 festgestellt werden, dass die Umgebungsbeiträge im zeitlichen Verlauf zurückgehen, beispielsweise deswegen, weil nach einer Betriebsaufnahme der Projektionsbelichtungsanlage 100 der Spiegel 8' durch die Nutzstrahlung beheizt wird und die gesamte Strahlungsleistung der Heizlichtquelle 1b verringert wird. Da jedoch üblicherweise, wie bereits erwähnt, angestrebt ist, die Umgebungsbeiträge über einen bestimmten Zeitraum konstant zu halten, kann nunmehr die Polarisation der von der Heizlichtquelle 1b emittierten Strahlung derart gewählt werden, dass der Anteil der von dem Spiegel 8' nicht absorbierten Heizleistung steigt, so dass im Ergebnis die Umgebungsbeiträge auch bei sinkender Gesamtleitung der Heizlichtquelle 1b näherungsweise konstant bleiben.
2 zeigt eine Variante der Erfindung, bei welcher als Stellmittel eine Heizlichtquelle 1c verwendet wird, welche so ausgeführt ist, dass der Einfallswinkel der auf das optische Element 8 emittierten Heizstrahlung 9 während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage eingestellt werden kann. Im gezeigten Beispiel kann die Heizlichtquelle 1c mittels einer in der Figur nicht dargestellten Kinematik verschwenkt werden, wie durch den nicht bezeichneten Doppelpfeil angedeutet wird.
Bezugszeichenliste

1a, 1b, 1c: Heizlichtquelle
2: Nutzlichtquelle
3: Nutzlichtweg
4: Beleuchtungssystem
5: Projektionsobjektiv
6, 6': Optisches Element
7: Reticle
8, 8': Optisches Element
9: Heizstrahlung
10: Wafer
11: Regelungseinheit
12: Temperatursensor
20: Polarisator
21: Analysator
100: Projektionsbelichtungsanlage

Claims

Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie, mit einer Nutzlichtquelle (2) und einer Mehrzahl optischer Elemente (6, 6', 8, 8') zur Abbildung eines Reticles (7) auf einen Wafer (10), wobei durch die Nutzlichtquelle (2) und die optischen Elemente (6, 6', 8, 8') ein Nutzlichtweg (3) geschaffen ist, in welchem die von der Nutzlichtquelle (2) emittierte elektromagnetische Strahlung zur Abbildung des Reticles (7) verläuft und wobei mindestens eine Heizvorrichtung mit einer Heizlichtquelle (1a, 1b, 1c) zur Beheizung mindestens eines der optischen Elemente (8, 8') vorhanden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizvorrichtung Stellmittel (20, 21) aufweist, mittels welcher der Anteil der von ihr emittierten Heizstrahlung, welcher in mindestens einem der optischen Elemente (8, 8') absorbiert wird, unabhängig von der durch sie emittierten Strahlungsintensität variiert werden kann.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellmittel (20, 21) dazu eingerichtet sind, die Polarisation der auf ein optisches Element (8, 8') emittierten Heizstrahlung (9) während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage (100) einzustellen.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellmittel einen Polarisator (20) umfassen.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellmittel einen Analysator (21) umfassen.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stellmittel dazu eingerichtet sind, den Einfallswinkel der auf ein optisches Element (8, 8') emittierten Heizstrahlung (9) während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage (100) einzustellen.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Regelungseinheit (11) zur Ansteuerung der Stellmittel vorhanden ist, wobei weiterhin mindestens ein mit der Regelungseinheit (11) verbundener Sensor (12) vorhanden ist.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Sensor (12) um einen Temperatur- oder einen Strahlungssensor handelt.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der Heizstrahlung (9), welcher in mindestens zweien der optischen Elemente (8, 8') absorbiert wird, unterschiedlich hoch ist.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizlichtquelle (1a, 1b, 1c) geeignet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge größer als 130 nm, insbesondere im Bereich zwischen 400 nm und 800 nm oder größer als 800 nm zu emittieren.
Projektionsbelichtungsanlage (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Nutzlichtquelle (2) geeignet ist, optische Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 100 nm, vorzugsweise von 13,5 nm, 7 nm oder weniger zu emittieren.
Verfahren zum Heizen einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie, wobei – zur Abbildung eines Reticles (7) auf einen Wafer (10) durch eine Nutzlichtquelle (2) und optische Elemente (6, 6', 8, 8') ein Nutzlichtweg (3) geschaffen ist, in welchem die von der Nutzlichtquelle (2) emittierte elektromagnetische Strahlung zur Abbildung des Reticles (7) verläuft, – und wobei mindestens eines der optischen Elemente (8, 8') mittels elektromagnetischer Heizstrahlung (9) beheizt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der von der Heizvorrichtung emittierten Heizstrahlung (9), welcher in mindestens einem der optischen Elemente (8, 8') absorbiert wird, unabhängig von der durch sie emittierten Strahlungsintensität variiert werden kann.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als Heizstrahlung (9) elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge größer als 130 nm, insbesondere im Bereich zwischen 400 nm und 800 nm oder größer als 800 nm verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Variation des in dem optischen Element (8, 8') absorbierten Anteiles durch eine Einstellung der Polarisation der Heizstrahlung (9) erreicht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Variation des in dem optischen Element (8, 8') absorbierten Anteiles durch eine Einstellung des Einfallswinkels der Heizstrahlung (9) auf das optische Element (8, 8') erreicht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Einfallswinkel und/oder die Polarisation der Heizstrahlung (9) während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage (100) eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Einfallswinkel und/oder die Polarisation der Heizstrahlung (9) auf Basis mindestens eines gemessenen Sensorparameters eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Sensorparameter um eine Temperatur oder eine Strahlungsintensität handelt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Nutzlichtquelle (2) optische Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 100 nm, vorzugsweise von 13,5 nm, 7 nm oder weniger emittiert.