DE102014107918A1 - Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung wird bereitgestellt. Ein Ausrichtungs-Masterelement wird auf eine Bewegungseinheit aufgeladen (510). Eine Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht wird zum Ausrichtungs-Masterelement vorausgerichtet (520). Nach dem Vorausrichten der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht wird ein Substrat auf die Bewegungseinheit aufgeladen (530). Die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht wird nach dem Aufladen des Substrats zum wie vorliegend positionierten Substrat ausgerichtet (540). Eine organische Schicht wird auf dem Substrat ausgebildet (550), während sich die Bewegungseinheit entlang der Bewegungsrichtung bewegt. Während sich die Bewegungseinheit entlang der Bewegungsrichtung bewegt, wird die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht eingestellt, so dass ein Abstand zwischen der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht und einem Teil des Substrats im Wesentlichen konstant gehalten wird. Der Teil des Substrats nimmt ein Abscheidungsmaterial, das von der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht emittiert wird, auf, um die organische Schicht auszubilden.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht und ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung mittels der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht.
  • ERÖRTERUNG DES STANDES DER TECHNIK
  • Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen weisen einen größeren Blickwinkel, bessere Kontrasteigenschaften und eine schnellere Ansprechgeschwindigkeit als andere Anzeigevorrichtungen auf und rückten daher als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation in den Blickpunkt.
  • Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen weisen emittierende Zwischenschichten auf, die zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode angeordnet sind. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen werden mittels einer Abscheidungsmaske auf einem Substrat ausgebildet.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren nach Anspruch 1 zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Ein Ausrichtungs-Masterelement wird auf eine Bewegungseinheit aufgeladen. Eine Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht wird nach dem Aufladen des Ausrichtungs-Masterelements mittels einer ersten Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement zum wie vorliegend positionierten Ausrichtungs-Masterelement vorausgerichtet. Die Bewegungseinheit bewegt sich in einer Bewegungsrichtung über die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht, und das Ausrichtungs-Masterelement wird nach dem Vorausrichten der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungsmaster abgeladen. Nach dem Vorausrichten der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht wird ein Substrat auf die Bewegungseinheit aufgeladen. Bevor sich die Bewegungseinheit, auf der das Substrat gehalten wird, entlang der Bewegungsrichtung über die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, wird die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht nach dem Aufladen des Substrats mittels einer zweiten Positionsinformation über das Substrat zum wie vorliegend positionierten Substrat ausgerichtet. Während sich die Bewegungseinheit entlang der Bewegungsrichtung bewegt, wird eine organische Schicht auf dem Substrat ausgebildet. Während sich die Bewegungseinheit entlang der Bewegungsrichtung bewegt, wird die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht eingestellt, so dass ein Abstand zwischen der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht und einem Teil des Substrats im Wesentlichen konstant gehalten wird. Der Teil des Substrats nimmt ein von der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht emittiertes Abscheidungsmaterial auf, um die organische Schicht auszubilden.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den von Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen dargelegt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Diese und weitere Merkmale des erfindungsgemäßen Konzepts werden durch die ausführliche Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen davon unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren besser verständlich, wobei:
  • 1 eine Draufsicht auf eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 2 eine Seitenansicht einer Abscheidungseinheit der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 1 zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 3 eine perspektivische Darstellung der Abscheidungseinheit aus 1 zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 4 eine Schnittdarstellung der in 3 dargestellten Abscheidungseinheit zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 5 bis 7 ein Verfahren zur Ausrichtung eines Substrats zu einer Strukturierungsschlitzplatte mittels eines Ausrichtungs-Masterelements und einer Referenzmesseinheit darstellen, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann;
  • 8 und 9 ein Verfahren zur Durchführung einer Neigungsausrichtung zwischen einem Substrat und einer Strukturierungsschlitzplatte darstellen, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann;
  • 10 und 11 ein Verfahren zur Durchführung einer Verschiebungsausrichtung zwischen einem Substrat und einer Strukturierungsschlitzplatte darstellen, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann;
  • 12 bis 14 eine dynamische Ausrichtung und eine Echtzeit-Ausrichtung zwischen einem Substrat und einer Strukturierungsschlitzplatte darstellen, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann;
  • 15 eine perspektivische Darstellung einer Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht darstellt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
  • 16 eine Querschnittdarstellung einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zeigt, die mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt wird; und
  • 17 ein Flussdiagramm zeigt, das ein Herstellungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sollen nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren ausführlich beschrieben werden. Die vorliegende Erfindung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und soll nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. In den Figuren kann die Dicke von Schichten und Bereichen um der Klarheit willen übertrieben dargestellt sein. Wird eine Schicht als „auf” einer anderen Schicht oder einem anderen Substrat befindlich bezeichnet, so kann sie unmittelbar auf der anderen Schicht oder dem anderen Substrat sein oder es können zusätzlich dazwischen befindliche Schichten vorhanden sein. Gleiche Bezugszeichen können sich in der gesamten Patentschrift und den Figuren auf die gleichen Elemente beziehen.
  • 1 zeigt eine Draufsicht auf eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, während 2 eine Seitenansicht einer Abscheidungseinheit der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 1 zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
  • Gemäß 1 und 2 weist eine Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine Referenzmesseinheit 191, die Abscheidungseinheit 100, eine Beladeeinheit 200, eine Entladeeinheit 300 und eine Fördereinheit 400 auf.
  • Die Beladeeinheit 200 weist ein erstes Gestell 212, eine Transportkammer 214, eine erste Umdrehkammer 218 und eine Pufferkammer 219 auf.
  • Das erste Gestell 212 hält eine Vielzahl von Substraten 2, die in der Abscheideeinheit 100 verarbeitet werden sollen. Die Transportkammer 214 weist einen Transportroboter auf, der eines der Substrate 2 vom ersten Gestell 212 aufnimmt. Der Transportroboter platziert das Substrat auf einer Bewegungseinheit 430. Die Bewegungseinheit 430 wird von einer ersten Fördereinheit 410 in die erste Umdrehkammer 218 übermittelt.
  • Die erste Umdrehkammer 218 ist benachbart zur Transportkammer 214 angeordnet. Die erste Umdrehkammer 218 weist einen (nicht gezeigten) ersten Umdrehroboter auf, der die Bewegungseinheit 430 umdreht und dann die erste Fördereinheit 410 der Abscheidungseinheit 100 damit belädt.
  • Gemäß 1 platziert der Transportroboter der Transportkammer 214 eines der Substrate 2 auf einer Oberseite der Bewegungseinheit 430, und die Bewegungseinheit 430 wird in die erste Umdrehkammer 218 übermittelt. Der erste Umdrehroboter der ersten Umdrehkammer 218 dreht die erste Umdrehkammer 218 um, so dass das Substrat 2 in der Abscheidungseinheit 100 umgedreht wird.
  • Die Entladeeinheit 300 ist konfiguriert, um in einer zur oben beschriebenen Beladeeinheit 200 entgegengesetzten Weise zu arbeiten. Zum Beispiel dreht ein zweiter Umdrehroboter einer zweiten Umdrehkammer 328 die Bewegungseinheit 430, die die Abscheidungseinheit 100 durchlaufen hat, um. Das Substrat 2 wird auf der Bewegungseinheit 430 angeordnet. Die Bewegungseinheit 430 wird in eine Auswurfkammer 324 übermittelt. Dann wirft ein Auswurfroboter der Auswurfkammer 324 das Substrat 2 und die Bewegungseinheit 430 aus der Auswurfkammer 324 aus, trennt das Substrat 2 von der Bewegungseinheit 430 und lädt dann das Substrat 2 in ein zweites Gestell 322. Die vom Substrat 2 getrennte Bewegungseinheit 430 wird über die zweite Fördereinheit 420 zur Beladeeinheit 200 zurückgebracht.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorangehende Beschreibung beschränkt. Wenn das Substrat 2 auf der Bewegungseinheit 430 angeordnet wird, kann das Substrat 2 zum Beispiel auf einer Unterseite der Bewegungseinheit 430 befestigt werden und dann in die Abscheidungseinheit 100 bewegt werden. In diesem Fall sind zum Beispiel der erste Umdrehroboter der ersten Umdrehkammer 218 sowie der zweite Umdrehroboter der zweiten Umdrehkammer 328 nicht erforderlich.
  • Die Referenzmesseinheit 191 ist zwischen der Beladeeinheit 200 und der Abscheidungseinheit 100 angeordnet. Die Referenzmesseinheit 191 ist zum Beispiel an einem Eingang der Abscheidungseinheit 100 positioniert. Die Referenzmesseinheit 191 dient zum Messen einer Positionsinformation über das Substrat 2, wenn das Substrat in die Abscheidungseinheit 100 gelangt. Die Referenzmesseinheit 191 dient weiterhin zum Messen einer Positionsinformation über eine Ausrichtungs-Masterelement 180 aus 5, wenn das Ausrichtungs-Masterelement 180 in die Abscheidungseinheit 100 gelangt. Die Referenzmesseinheit 191 misst zum Beispiel einen Abstand zum Substrat 2. Die Referenzmesseinheit 191 misst weiterhin eine Winkelverschiebung des Substrats 2 bezüglich der Richtung, in die die Bewegungseinheit 430 übermittelt wird. Mittels der Positionsinformation über das Substrat 2 wird das Substrat 2 zu den Anordnungen 100-1, 100-2 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgerichtet. Dies soll weiter unten beschrieben werden.
  • Die Abscheidungseinheit 100 weist zumindest eine Abscheidungskammer 101 auf. Zum Beispiel weist die Abscheidungskammer 100 eine Kammer 101 auf, die eine Vielzahl von Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht aufnimmt. Die Anzahl der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht ist nicht auf elf (11) beschränkt und kann einem Abscheidungsmaterial und den Abscheidungsbedingungen entsprechend variieren. In der Kammer 101 wird während eines Abscheidungsverfahrens ein Vakuumzustand aufrechterhalten.
  • Die Bewegungseinheit 430, auf der das Substrat 2 platziert wird, durchläuft die Beladeeinheit 200, die Abscheidungseinheit 100 und die Entladeeinheit 300 mittels der ersten Fördereinheit 410. Die Bewegungseinheit 430 kehrt mittels der zweiten Fördereinheit 420 von der Entladeeinheit 300 zur Beladeeinheit 200 zurück. In der Entladeeinheit 300 wird das Substrat 2 von der Bewegungseinheit 430 getrennt und wird in das zweite Gestell 322 eingeladen.
  • Die erste Fördereinheit 410 ist konfiguriert, um die Kammer 101 zu durchlaufen, wenn sie die Abscheidungseinheit 100 durchläuft, und die zweite Fördereinheit 420 ist konfiguriert, um die Bewegungseinheit 430 von der Entladeeinheit 300 zur Beladeeinheit 200 zu befördern.
  • Bei der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht ist die erste Fördereinheit 410 über der zweiten Fördereinheit 420 angeordnet. Die erste Fördereinheit 410 und die zweite Fördereinheit 420 bewegen sich in entgegengesetzter Richtung zueinander. Zum Beispiel bewegt sich die erste Fördereinheit 410 in eine erste Richtung von der Beladeeinheit zur Entladeeinheit, wodurch die Bewegungseinheit 430 mit einem Substrat entlang der ersten Richtung in der Abscheidungseinheit 100 bewegt wird. Die zweite Fördereinheit 420 bewegt sich in eine zweite Richtung von der Entladeeinheit zur Beladeeinheit, wodurch die Bewegungseinheit 430 ohne das Substrat entlang der zweiten Richtung in der Abscheidungseinheit 100 bewegt wird. Dementsprechend bewegt sich die Bewegungseinheit 430 um die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht, ohne den Platzbedarf für die Bewegungseinheit 430, die von der Entladeeinheit 300 zur Beladeeinheit 200 zurückkehrt, zu erhöhen, wodurch sich der Raumnutzungsgrad erhöht.
  • Die Abscheidungseinheit 100 aus 1 weist weiterhin eine Abscheidungsquellen-Ersatzeinheit 190 auf, die auf einer Seite jeder Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht angeordnet ist. Die Abscheidungsquellen-Ersatzeinheit 190 kann eine Kassettenstruktur aufweisen. Die Abscheidungsquellen-Ersatzeinheit 190 ist an der Außenseite jeder Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht befestigt. Dadurch wird eine Abscheidungsquelle 110 aus 3 jeder Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht an der Außenseite der Abscheidungseinheit 100 ersetzt.
  • Wie in 1 gezeigt, sind zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht parallel angeordnet. Zum Beispiel sind die zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht nebeneinander angeordnet, so dass eine Strukturierungsschlitzplatten-Ersatzeinheit 500 zwischen den zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht angeordnet ist. Die zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht teilen sich die Strukturierungsschlitzplatten-Ersatzeinheit 500, wodurch sich der Raumnutzungsgrad erhöht.
  • 3 zeigt eine perspektivische Darstellung der Abscheidungseinheit 100 aus 1, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, während 4 eine Schnittdarstellung der Abscheidungseinheit aus 3 zeigt, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
  • Gemäß 3 und 4 weist die Abscheidungseinheit 100 der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht zumindest eine Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die Fördereinheit 400 auf. Die Kammereinheit 101 der Abscheidungseinheit 100 nimmt die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die Fördereinheit 400 auf.
  • Die Abscheidungseinheit 100 soll nachfolgend ausführlich beschrieben werden.
  • Die Kammer 101 weist eine Hohlkastenstruktur auf und nimmt die zumindest eine Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die Fördereinheit 400 auf. Die Kammer 101 ist mittels eines Fußes 102 auf dem Boden befestigt. Der Fuß ist zum Beispiel an einem unteren Gehäuse 103 befestigt. Das untere Gehäuse 103 ist mit einem oberen Gehäuse 104 verkoppelt. Das obere Gehäuse 104 ist zum Beispiel auf dem unteren Gehäuse 103 gestapelt. Die Kammer 101 nimmt sowohl das untere Gehäuse 103 als auch das obere Gehäuse 104 auf. Dabei wird ein Verbindungsteil des unteren Gehäuses 103 und der Kammer 101 abgedichtet, so dass das Innere der Kammer 101 gegenüber außen vollständig isoliert ist. Aufgrund der Struktur, bei der das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 auf dem auf dem Boden befestigten Fuß 102 angeordnet sind, werden das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 in einer festen Position gehalten, obwohl sich die Kammer 101 mehrmals zusammenzieht und ausdehnt. Dadurch dienen das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 als Referenzrahmen in der Abscheidungseinheit 100.
  • Das obere Gehäuse 104 weist die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die erste Fördereinheit 410 der Fördereinheit 400 auf, und das untere Gehäuse 103 weist die zweite Fördereinheit 420 der Fördereinheit 400 auf. Während die Bewegungseinheit 430 mittels der ersten Fördereinheit 410 und der zweiten Fördereinheit 420 die Abscheidungseinheit 100 durchlauft, wird kontinuierlich ein Abscheidungsverfahren durchgeführt.
  • Nachfolgend soll die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht ausführlich beschrieben werden.
  • Jede Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht weist eine Abscheidungsquelle 110, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120, eine Strukturierungsschlitzplatte 130, ein Abschirmelement 140, eine erste Stufe 150, eine zweite Stufe 160 und Ähnliches auf. Die Abscheidungseinheit 100 wird in der Kammer 101 aufgenommen, in der ein geeigneter Vakuumgrad aufrechterhalten wird. In der Kammer 101 wird ein geeignetes Vakuum aufrechterhalten, damit sich ein Abscheidungsmaterial in einer im Wesentlichen geraden Linie durch die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegen kann.
  • In der Kammer 101 wird zum Beispiel ein Hochvakuumzustand aufrechterhalten, so dass ein Abscheidungsmaterial 115, das von der Abscheidungsquelle 110 emittiert wird, durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 mittels der Strukturierungsschlitzplatte 130 auf einem Substrat 2 in einem gewünschten Muster abgegeben wird. Die Temperatur der Strukturierungsschlitzplatte 130 wird niedriger als die Temperatur der Abscheidungsquelle 110 gehalten, um die Wärmeausdehnung der Strukturierungsschlitzplatte 130 äußerst gering zu halten.
  • Das Substrat 2, auf dem das Abscheidungsmaterial 115 abgeschieden werden soll, ist in der Kammer 101 angeordnet. Das Substrat 2 weist ein Substrat für Flachtafelanzeigen auf. Das Substrat 2 weist eine Größe von 40 Zoll oder mehr auf. Das Substrat kann ein Mutterglas zur Herstellung einer Vielzahl von Flachtafelanzeigen sein. Es können auch andere Substrate verwendet werden.
  • Bei dem Abscheidungsverfahren bewegt sich das Substrat 2 über die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht. Das Abscheidungsverfahren wird kontinuierlich durchgeführt, während das der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht zugewandte Substrat 2 in Richtung einer Y-Achse bewegt wird. Dementsprechend wird das Abscheidungsverfahren abtastend in Richtung eines Bogens A aus 3 durchgerührt. Alternativ kann das Abscheidungsverfahren derart durchgeführt werden, dass die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht in Richtung der Y-Achse bewegt wird, während das Substrat 2 in einer festen Position gehalten wird.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 150 ist kleiner als das Substrat 2. Wenn das Substrat in Richtung der Y-Achse abgetastet wird, weist zum Beispiel die Strukturierungsschlitzplatte 150 eine Länge entlang der Richtung der Y-Achse auf, die kleiner als die Länge des Substrats 2 ist. Eine konventionelle feine Metallmaske (FMM) ist konfiguriert, um im Wesentlichen dieselbe Größe aufzuweisen wie ein Substrat, was die Vergrößerung hin zu einem großen Substrat erschwert. Wie oben beschrieben, wird beim abtastenden Abscheidungsverfahren die Strukturierungsschlitzplatte 130 verwendet, die kleiner als das Substrat 2 ist, so dass die Strukturierungsschlitzplatte 130 im Vergleich zur konventionellen feinen Metallmaske zur Herstellung einer großen Anzeige leicht ist. Die Verwendung der Strukturierungsschlitzplatte 130, die kleiner als die in einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske ist, ist für alle Verfahren, darunter Ätzen und weitere anschließende Verfahren, wie Verfahren der präzisen Verlängerung, des Schweißens, Bewegens und Reinigens, vorteilhafter als das konventionelle Abscheidungsverfahren unter Verwendung der konventionellen feinen Metallmaske.
  • Die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und das Substrat 2 sind in einem vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet. Dies soll weiter unten ausführlich beschrieben werden.
  • Die Abscheidungsquelle 110 dient der Zuführung des Abscheidungsmaterials 115 zum Substrat 2. Die Abscheidungsquelle 110 enthält zum Beispiel das Abscheidungsmaterial 115, wobei das Abscheidungsmaterial 115 durch Erhitzen der Abscheidungsquelle 110 verdampft. Das verdampfte Abscheidungsmaterial wird auf dem Substrat 2 abgeschieden. Die Abscheidungsquelle 110 wird auf dem dem Substrat 2 zugewandten unteren Gehäuse 103 angeordnet.
  • Die Abscheidungsquelle 110 weist einen Schmelztiegel 111, der das Abscheidungsmaterial 115 enthält, und eine Heizvorrichtung 112 auf, die den Schmelztiegel 111 erhitzt, so dass das Abscheidungsmaterial 115 verdampft. Das verdampfte Abscheidungsmaterial 115 wird durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120, die den Schmelztiegel 111 bedeckt, emittiert.
  • Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 bedeckt ein offenes Ende des Schmelztiegels 111, das dem Substrat 2 zugewandt ist. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 kann anders angeordnet sein, um eine gemeinsame Schicht und eine Musterschicht auszubilden.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist zwischen der Abscheidungsquelle 110 und dem Substrat 2 angeordnet. Die Strukturierungsschlitzplatte 130 weist einen Rahmen 135 und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 131 auf. Der Rahmen 135 weist eine Gitterform ähnlich einem Fensterrahmen auf. Jeder Strukturierungsschlitz 131 ist in Richtung der X-Achse angeordnet.
  • Das verdampfte Abscheidungsmaterial 115, das von der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 emittiert wird, bewegt sich durch die Strukturierungsschlitzplatte 130 zum Substrat 2.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 kann durch ein Ätzverfahren hergestellt werden. Dabei kann die Gesamtzahl der Strukturierungsschlitze 131 größer als die Gesamtzahl der Abscheidungsquellendüsen 121 sein.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist über der Abscheidungsquelle 110 in einem Abstand von der Abscheidungsquelle 110 angeordnet. Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist in einem vorbestimmten Abstand vom Substrat 2 beabstandet. Die Strukturierungsschlitzplatte 130 muss nicht in engem Kontakt mit dem Substrat 2 stehen. Beim abtastenden Abscheidungsverfahren unter Verwendung der Strukturierungsschlitzplatte 130 wird das verdampfte Abscheidungsmaterial 115 durch die Strukturierungsschlitzplatte 130, die im Vergleich zum Substrat einen engen Bereich aufweist, abgeschieden. Das verdampfte Abscheidungsmaterial 115, das beim Substrat 2 ankommt, weist eine im Wesentlichen ähnliche Ausrichtung auf. Die Ausrichtung des verdampften Abscheidungsmaterials vergrößert sich, wenn sich der Abstand zwischen dem Substrat 2 und der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 vergrößert. Aufgrund dieser Ausrichtung kann die Strukturierungsschlitzplatte 130 in einem vorbestimmten Abstand vom Substrat beabstandet sein.
  • Wie oben beschrieben, ist eine Strukturierungsschlitzplatte 130, die als Maske für ein abtastendes Abscheidungsverfahren dient, kleiner als ein Substrat. Dadurch ist die Strukturierungsschlitzplatte 130 leicht. Die vom Substrat 2 beabstandete Strukturierungsschlitzplatte 130 vermeidet einen engen Kontakt mit dem Substrat, wodurch Schäden, die aufgrund eines solchen engen Kontakts auf dem Substrat entstehen können, verhindert werden. Weiterhin verringert sich die Herstellungsdauer dadurch, dass ein Verfahrensschritt zum Herstellen des Kontakts mit der Strukturierungsschlitzplatte 130 auf dem Substrat 2 ausfällt.
  • Nachfolgend soll nun die Anordnung jeder Komponente des oberen Gehäuses 104 beschrieben werden.
  • Das obere Gehäuse 104 ist auf dem unteren Gehäuse 103 angeordnet, wobei eine Öffnung zum Freilegen eines Teils des unteren Gehäuses 103 bereitgestellt wird. Die Abscheidungsquelle 110 und die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 sind auf dem freiliegenden Teil des unteren Gehäuses 103 angeordnet. Das obere Gehäuse 104 weist Aufnahmeabschnitte 104-1 auf, die die Öffnung definieren. Die erste Stufe 150, die zweite Stufe 160 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 sind nacheinander auf den Aufnahmeabschnitten 104-1 ausgebildet, um einen Raum zwischen dem Substrat 2 und der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 auszubilden.
  • Die erste Stufe 150 ist konfiguriert, um sich in Richtung der X-Achse und der Y-Achse bewegen zu können, so dass die erste Stufe 150 die Strukturierungsschlitzplatte 130 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse ausrichtet. Die erste Stufe 150 weist eine Vielzahl von Aktoren auf, so dass die erste Stufe 150 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse im oberen Gehäuse 104 bewegt wird.
  • Die zweite Stufe 160 ist konfiguriert, um sich in Richtung der Z-Achse bewegen zu können, so dass die zweite Stufe 160 einen Abstand zwischen der Strukturierungsschlitzplatte 130 und dem Substrat 2 in Richtung der Z-Achse einstellt. Die zweite Stufe 160 weist eine Vielzahl von Aktoren auf, so dass die zweite Stufe 160 in Richtung der Z-Achse im oberen Gehäuse 104 bewegt wird.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist auf der zweiten Stufe 160 angeordnet. Dabei ist die Strukturierungsschlitzplatte 130 auf der ersten Stufe 150 und der zweiten Stufe 160 angeordnet, um sich in Richtung der X-Achse, der Y-Achse und der Z-Achse zu bewegen, so dass die Strukturierungsschlitzplatte 130 mittels der ersten Stufe 150 und der zweiten Stufe 160 zum Substrat 2 ausgerichtet wird.
  • Außerdem lenken das obere Gehäuse 104, die erste Stufe 150 und die zweite Stufe 160 einen Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115, so dass das durch die Abscheidungsquellendüsen 121 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht außerhalb des Strömungswegs verteilt wird. Der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 wird durch das obere Gehäuse 104, die erste Stufe 150 und die zweite Stufe 160 definiert, wodurch die Bewegungen des Abscheidungsmaterials 115 simultan in Richtung der X-Achse und der Y-Achse gelenkt werden.
  • Das Abschirmelement 140 ist zwischen der Strukturierungsschlitzplatte 130 und der Abscheidungsquelle 110 angeordnet. Genauer, wird ein Anoden- oder Kathodenmuster für eine lichtemittierende Diode auf einem Rand des Substrats ausgebildet, so dass der Rand, der das darauf ausgebildete Anoden- oder Kathodenmuster aufweist, als Anschluss für eine spätere Produktüberprüfung oder als Anschluss während der Herstellung eines Produkts verwendet wird. Ein auf dem Rand des Substrats 2 ausgebildetes organisches Material verhindert, dass ein Anoden- oder Kathodenmuster seine Funktion erfüllt. Dadurch dient das Abschirmelement 140 dazu, zu verhindern, dass ein organisches Material auf dem Rand des Substrats 2 abgeschieden wird.
  • Das Abschirmelement 140 ist zum Beispiel auf dem Rand des Substrats 2 angeordnet. Das Abschirmelement 140 kann zwei benachbarte Platten aufweisen, die sich perpendikulär zu der Richtung erstrecken können, in die sich das Substrat 2 bewegt.
  • Wenn sich das Substrat 2 nicht über die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, schirmt das Abschirmelement 140 die Abscheidungsquelle 110 ab, so dass das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht zur Strukturierungsschlitzplatte 130 gelangt. Wenn das Substrat 2 in die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht gelangt, bewegt sich ein vorderer Teil des Abschirmelements 140, das die Abscheidungsquelle 110 abschirmt, gemeinsam mit der Bewegung des Substrats 2, wodurch der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 geöffnet wird und das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 über die Strukturierungsschlitzplatte 130 auf dem Substrat 2 abgeschieden wird. Wenn das Substrat 2 die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht durchlaufen hat, schirmt zudem ein hinterer Teil des Abschirmelements 140, der sich gemeinsam mit der Bewegung des Substrats 2 bewegt, die Abscheidungsquelle 110 ab, so dass der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 geschlossen wird. Dementsprechend gelangt das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht zur Strukturierungsschlitzplatte 130.
  • Wie oben beschrieben, wird der Bereich des Substrats 2, der keinen Film ausbildet, vom Abschirmelement 140 abgeschirmt, wodurch sich ohne Verwendung einer separaten Struktur wirksam verhindern lässt, dass das Abscheidungsmaterial 115 auf dem Bereich des Substrats 2, der keinen Film ausbildet, abgeschieden wird.
  • Nachfolgend soll die Fördereinheit 400 ausführlicher beschrieben werden. Gemäß 3 und 4 weist die Fördereinheit 400 die erste Fördereinheit 410, die zweite Fördereinheit 420 und die Bewegungseinheit 430 auf.
  • Die erste Fördereinheit 410 befördert die Bewegungseinheit 430 linear. Die Bewegungseinheit 430 weist einen Träger 431 und eine daran befestigte elektrostatische Haltevorrichtung 432 auf. Das Substrat 2 wird auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 432 gehalten. Eine organische Schicht wird von der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht auf dem Substrat 2 ausgebildet.
  • Die zweite Fördereinheit 420 bringt nach Abschluss des abtastenden Abscheidungsverfahrens die Bewegungseinheit 430 von der Entladeeinheit 300 zur Beladeeinheit 200 zurück. Die zweite Fördereinheit 420 weist eine Spule 421, Rollenführungen 422 und eine Beschickungsspur 423 auf.
  • Die erste Fördereinheit 410 und die zweite Fördereinheit 420 bewegen den Träger 431 der Bewegungseinheit 430, und die elektrostatische Haltevorrichtung 432 ist auf einer Oberfläche des Trägers 431 verbunden. Die elektrostatische Haltevorrichtung 432 hält das Substrat 2.
  • Der Träger 431 weist einen Hauptkörperteil 431a, einen Linearmotorsystem(LMS)-Magnet 431b, Module 431c zur kontaktlosen Energieversorgung (CPS), eine Energieversorgungseinheit 431d und Führungsnuten 431e auf.
  • Der Hauptkörperteil 431a bildet einen Basisteil des Trägers 431. Der Hauptkörperteil 431a kann ein magnetisches Material wie Eisen aufweisen. Aufgrund einer Abstoßungskraft zwischen dem Hauptkörperteil 431a des Trägers 431 und (nicht gezeigten) magnetisch aufgehängten Lager, die in der ersten Fördereinheit 410 enthalten sind, wird der Träger 431 derart gehalten, dass er in einem vorbestimmten Abstand von den Führungsgliedern 412 der ersten Fördereinheit 410 beabstandet ist.
  • Die Führungsnuten 431e sind auf beiden Seiten des Hauptkörperteils 431a ausbildet. Jede Führungsnut 431e nimmt einen (nicht gezeigten) Führungsvorsprung des Führungsglieds 412 auf.
  • Die magnetische Schiene 431b erstreckt sich entlang einer Mittellinie des Hauptkörperteils 431a. Die magnetische Schiene 431b ist mit einer Spule 411 kombiniert, um einen linearen Motor auszubilden. Der lineare Motor befördert den Träger 431 in Richtung eines Bogens A.
  • Die magnetische Schiene 431b ist zwischen den CPS-Modulen 431c und der Energieversorgungseinheit 431d im Hauptkörperteil 431a angeordnet. Die Energieversorgungseinheit 431d weist eine wiederaufladbare Batterie auf, die die elektrostatische Haltevorrichtung 432, die das Substrat 2 mittels elektrostatischer Kraft hält, mit Energie versorgt. Die CPS-Module 431c sind Module zum kontaktlosen Aufladen, die die Energieversorgungseinheit 431d aufladen. Die Beschickungsspur 423 der zweiten Fördereinheit 420, die weiter unten beschrieben wird, ist zum Beispiel mit einem (nicht gezeigten) Inverter verbunden, der den Träger 431 in die zweite Fördereinheit 420 übermittelt. Ein magnetisches Feld ist zwischen der Beschickungsspur 423 und den CPS-Modulen 431c zum Versorgen der CPS-Module 431c mit Energie ausgebildet. Die den CPS-Modulen 431c zugeführte Energie wird zum Laden der Energieversorgungseinheit 431 verwendet.
  • Die elektrostatische Haltevorrichtung 432 weist eine Elektrode auf, die in ihren aus Keramik ausgebildeten Hauptkörper eingebettet ist. Die Elektrode wird mit Energie versorgt. Eine solche elektrostatische Haltevorrichtung befestigt das Substrat 2 auf einer Oberfläche des Hauptkörpers mittels einer elektrostatischen Kraft, die von einer an der Elektrode anliegenden hohen Spannung erzeugt wird.
  • Nachfolgend soll ein Arbeitsvorgang der Bewegungseinheit 430 ausführlich beschrieben werden.
  • Die magnetische Schiene 431b und die Spule 411 bilden einen linearen Motor aus. Der lineare Motor weist einen kleinen Reibungskoeffizienten, eine geringe Positionsabweichung und einen relativ hohen Grad der Positionsbestimmung auf. Wie oben beschrieben, weist der lineare Motor die Spule 411 und die magnetische Schiene 431b auf. Die magnetische Schiene 431b ist linienförmig und ist im Träger 431 angeordnet. Die Spule 411 ist in einem vorbestimmten Abstand über der magnetischen Schiene 431b angeordnet. Die Struktur der magnetischen Schiene 431b und der Spule 411 ermöglicht es dem Träger 431, sich linear zu bewegen. Die Spule 411 ist einer Luftatmosphäre ausgesetzt, und der Träger 431, in dem die magnetische Schiene 431b angeordnet ist, ist in der Kammer 101, in der ein Vakuum aufrechterhalten wird, angeordnet.
  • Die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht weist weiterhin eine Kamera 170 für ein Ausrichtungsverfahren auf. Die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht richtet zum Beispiel mittels der Kamera 170 eine auf der Strukturierungsschlitzplatte 130 ausgebildete erste Ausrichtungsmarkierung und eine auf dem Substrat 2 ausgebildete zweite Ausrichtungsmarkierung aus. Die Kamera 170 ist derart angebracht, dass ihr optischer Weg zum Rahmen 135 oder zum Substrat 2 während des abtastenden Abscheidungsverfahrens nicht blockiert wird. Die Kamera 170 kann in einer Kameraaufnahmeeinheit 171 in einem Atmosphärenzustand angebracht sein.
  • Nachfolgend soll die Ausrichtung zwischen einem Substrat und einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, ausführlich beschrieben werden.
  • 5 bis 7 stellen ein Verfahren zur Ausrichtung des Substrats 2 zur Strukturierungsschlitzplatte 130 mittels des Ausrichtungs-Masterelements 180 und der Referenzmesseinheit 191 dar, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann. Gemäß 5 bis 7 weist die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht weiterhin das Ausrichtungs-Masterelement 180 zur Vorausrichtung zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 und die Referenzmesseinheit 191 (vgl. 2) zum Messen von Positionen des Ausrichtungs-Masterelements 180 und des Substrats 2 auf.
  • Das Ausrichtungs-Masterelement 180 dient als Mastersubstrat zur Durchführung einer Vorausrichtungsoperation zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130. Das Ausrichtungs-Masterelement 180 kann sich in der Abscheidungseinheit 100 der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht unabhängig bewegen oder kann von der Bewegungseinheit 430 aus 4 in der Abscheidungseinheit 100 bewegt werden. Das Ausrichtungs-Masterelement 180 bewegt sich in die Richtung, in die sich das Substrat 2 in der Abscheidungseinheit 100 bewegt.
  • Eine Ausrichtungs-Mastermesseinheit 181 ist auf dem Ausrichtungs-Masterelement 180 angeordnet. Die Ausrichtungs-Mastermesseinheit 181 misst eine relative Position jeder Strukturierungsschlitzplatte 130-1, 130-2, 130-3, usw. vom Ausrichtungs-Masterelement 180. Die Ausrichtungs-Mastermesseinheit 181 weist einen Abstandssensor auf. Der Abstandssensor ist auf einer Unterseite des Ausrichtungs-Masterelements 180 angeordnet, um einen Abstand zwischen jeder Strukturierungsschlitzplatte 130-1, 130-2, 130-3, usw. und dem Ausrichtungs-Masterelement 180 zu messen. Die Ausrichtungs-Mastermesseinheit 181 kann zumindest drei Abstandssensoren aufweisen, da eine Ebene zur Messung durch mindestens drei Punkte definiert ist.
  • Die Referenzmesseinheit 191 ist zwischen der Beladeeinheit 200 und der Abscheidungseinheit 100 oder an einem Eingang der Abscheidungseinheit 100 angeordnet. Die Referenzmesseinheit 191 dient dem Erhalt einer Positionsinformation über das Substrat 2 oder über das Ausrichtungs-Masterelement 180, bevor das Substrat 2 oder das Ausrichtungs-Masterelement 180 in die Abscheidungseinheit 100 gelangt. Die Positionsinformation über das Substrat 2 oder das Ausrichtungs-Masterelement 180 enthält einen Abstand zwischen der Referenzmesseinheit 191 und entweder dem Substrat 2 oder dem Ausrichtungs-Masterelement 180 und eine Winkelverschiebung des Substrats 2 oder des Ausrichtungs-Masterelements 180 bezüglich der Richtung, in die sich die Bewegungseinheit 430 bewegt. Die Referenz-Messeinheit 191 weist einen Abstandssensor auf. Der Abstandssensor ist unter dem Substrat 2 oder dem Ausrichtungs-Masterelement 180 angeordnet, um einen Abstand vom Abstandssensor zum Substrat 2 oder zum Ausrichtungs-Masterelement 180 zu messen. Die Referenzmesseinheit 191 kann zumindest drei Abstandssensoren aufweisen.
  • Jede erste Stufe 150-1, 150-2, 150-3, usw. und jede zweite Stufe 160-1, 160-2, 160-3, usw. bewegen ihre entsprechende Strukturierungsschlitzplatte 130-1, 130-2, 130-3, usw., Stufen-Messeinheit 165-1, 165-2, 165-3, usw. Die Stufen-Messeinheiten 165-1, 165-2, 165-3 dienen dem Erhalt einer Positionsinformation über das Substrat 2, das sich bewegt. Die Positionsinformation über das Substrat 2 enthält einen Abstand zwischen jeder Stufen-Messeinheit 165-1, 165-2, 165-3, usw. und dem Substrat 2, und eine Winkelverschiebung des Substrats bezüglich der Richtung, entlang derer sich die Bewegungseinheit 430 bewegt. Die Stufen-Messeinheiten 165-1, 165-2, 165-3, usw. weisen Abstandssensoren auf. Jeder Abstandssensor ist auf jeder zweiten Stufe 160-1, 160-2, 160-3, usw. angeordnet, um einen Abstand vom Abstandssensor zum Substrat 2 zu messen. Jede der Stufen-Messeinheiten 165-1, 165-2, 165-3, usw. kann zumindest drei Abstandssensoren aufweisen.
  • Die von der Referenzmesseinheit 191 erhaltene Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 und die von der Ausrichtungs-Mastermesseinheit 181 erhaltene Positionsinformation über die Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. werden verwendet, um die Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. vorauszurichten. Dies soll nachfolgend ausführlich beschrieben werden.
  • Gemäß 5 wird das Ausrichtungs-Masterelement 180 in die Abscheidungseinheit 100 eingeladen, bevor das Substrat 2 in sie eingeladen wird, und die Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 wird von der Referenzmesseinheit 191 erhalten. Die Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 enthält einen Abstand zwischen der Referenzmesseinheit 191 und dem Ausrichtungs-Masterelement 180 und eine Winkelverschiebung des Ausrichtungs-Masterelements 180. Die Positionsinformation wird als Referenz für alle Messungen des Substrats 2 verwendet.
  • Gemäß 6 werden die Positionen der Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. mittels der von der Referenzmesseinheit 181 erhaltenen Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 eingestellt. Das Ausrichtungs-Masterelement 180 bewegt sich zum Beispiel in Richtung des Bogens A aus 6 (d. h., eine Richtung, in der das Substrat 2 abgetastet wird), um Abstände zu den Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. der Anordnungen 100-1, 100-2, 100-3, usw. zur Abscheidung einer organischen Schicht zu messen. Dann werden die ersten Stufen 150-1, 150-2, 150-3, usw. oder die zweiten Stufen 160-1, 160-2, 160-3, usw. bewegt, so dass die Positionen der Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. eingestellt werden. Dabei werden Positionen jeder der Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. in Richtung der X-Achse, Y-Achse und Z-Achse derart eingestellt, dass die Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. parallel zum Ausrichtungs-Masterelement 180 angeordnet werden. Durch dieses Verfahren werden die Strukturierungsschlitzplatte 130-1, 130-2, 130-3, usw. vorausgerichtet, bevor das Substrat 2 in die Abscheidungseinheit 100 eingeführt und einer Abscheidung unterworfen wird.
  • Nachfolgend soll eine Ausrichtung der Strukturierungsschlitzplatte 130-1, 130-2, 130-2, usw., wenn die Abscheidung auf dem in die Abscheidungseinheit 100 eingeführten Substrat 2 tatsächlich durchgeführt wird, beschrieben werden.
  • Wie in 7 beschrieben, erhält die Referenzmesseinheit 191 eine Positionsinformation über das Substrat 2, bevor das Substrat 2 in die Abscheidungseinheit 100 eingeführt wird. Die Positionsinformation über das Substrat 2 enthält einen Abstand zwischen der Referenzmesseinheit 191 und dem Substrat 2 und eine Winkelverschiebung des Substrats 2. Mittels der Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 und der Positionsinformation über das Substrat 2 werden die Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. der Anordnungen 100-1, 100-2, 100-3, usw. zur Abscheidung einer organischen Schicht eingestellt, um zum Substrat 2 ausgerichtet zu werden, so dass präzise Ausrichtungen zwischen dem Substrat 2 und jeder der Strukturierungsschlitzplatten 130-1, 130-2, 130-3, usw. durchgeführt werden. Die Ausrichtungen weisen eine Neigungsausrichtungsoperation, eine Verschiebungsausrichtungsoperation, eine dynamische Ausrichtungsoperation und eine Echtzeit-Ausrichtungsoperation auf. Die Neigungsausrichtungsoperation, die Verschiebungsausrichtungsoperation, die dynamische Ausrichtungsoperation und die Echtzeit-Ausrichtungsoperation sollen nun ausführlich beschrieben werden.
  • 8 und 9 stellen ein Verfahren zur Durchführung einer Neigungsausrichtungsoperation zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 dar, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann.
  • Wie in 8 dargestellt, wird das Substrat 2 um θ' bezüglich einer Mittellinie A verdreht, wenn das Substrat 2 auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 432 platziert wird. Die elektrostatische Haltevorrichtung 432 wird entlang einer Richtung parallel zur Mittellinie A befördert. Der verdrehte Winkel θ' kann verschiedene Werte aufweisen. Mittels der Referenzmesseinheit 191 wird der verdrehte Winkel θ' gemessen, bevor das Substrat 2 in die Abscheidungseinheit 100 eingeführt wird. Der verdrehte Winkel θ' wird gemessen, bevor sich das Substrat 2 über die Strukturierungsschlitzplatte 130 in der Abscheidungseinheit 100 bewegt. Die Differenz zwischen der Positionsinformation über die Strukturierungsschlitzplatte 130 und der Positionsinformation über das Substrat 2 ist θ'.
  • Wie in 9 dargestellt, wird die Strukturierungsschlitzplatte 130 entgegen dem Uhrzeigersinn um den von der Referenzmesseinheit 191 gemessenen verdrehten Winkel θ' (um den das Substrat 2 verdreht ist) gedreht. Die Drehoperation der Strukturierungsschlitzplatte 130 wird von der ersten Stufe 150 aus 4 durchgeführt.
  • Eine solche Neigungsausrichtung kann nur durchgeführt werden, bevor das Substrat 2 die Strukturierungsschlitzplatte 130 erreicht.
  • 10 und 11 stellen ein Verfahren zur Durchführung einer Verschiebungsausrichtungsoperation zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 dar, wie es in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann.
  • Wie in 10 dargestellt, wird das Substrat 2 um einen Abstand d' bezüglich der Mittellinie A parallel verschoben, wenn das Substrat auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 432 platziert wird. Die elektrostatische Haltevorrichtung 432 wird entlang einer Richtung parallel zur Mittellinie A befördert. Die Referenzmesseinheit 191 misst den Abstand d', bevor das Substrat 2 in die Abscheidungseinheit 100 eingeführt wird. Der verschobene Abstand d' wird gemessen, bevor sich das Substrat 2 über die Strukturierungsschlitzplatte 130 in der Abscheidungseinheit 100 bewegt. Die Differenz zwischen der Positionsinformation über die Strukturierungsschlitzplatte 130 und der Positionsinformation über das Substrat 2 ist d'.
  • Wie in 11 dargestellt, wird die Strukturierungsschlitzplatte 130 um den von der Referenzmesseinheit 191 gemessenen Abstand d' (um den das Substrat 2 parallel bewegt wird) parallel zur Richtung des Bogens verschoben. Die Verschiebungsoperation wird von der ersten Stufe 150 aus 4 durchgeführt.
  • Eine solche Verschiebungsausrichtung kann nur durchgeführt werden, bevor das Substrat 2 die Strukturierungsschlitzplatte 130 erreicht.
  • 12 bis 14 stellen eine dynamische Ausrichtungsoperation und eine Echtzeit-Ausrichtungsoperation zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 dar, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
  • Die Stufenmesseinheit 165 dient dem kontinuierlichen Erhalt einer Positionsinformation über das Substrat 2 bezüglich der Strukturierungsschlitzplatte 130, während sich das Substrat über die Strukturierungsschlitzplatte 130 im abtastenden Abscheidungsverfahren bewegt. Mittels der Positionsinformation über das Substrat 2 bezüglich der Strukturierungsschlitzplatte 130 wird die Strukturierungsschlitzplatte 130 in Richtung der Z-Achse in Echtzeit eingestellt, so dass ein Raum zwischen der Strukturierungsschlitzplatte 130 und dem Substrat 2 konstant gehalten wird.
  • Wie in 12 und 14 dargestellt, erfasst die Stufenmesseinheit 165 das Substrat 2 mittels zumindest eines der vier Abstandssensoren, um eine dynamische Ausrichtungsoperation durchzuführen. Wenn das Substrat 2 beginnt, sich über die Strukturierungsschlitzplatte 130 zu bewegen, messen zum Beispiel nur zwei vordere Abstandssensoren einen ersten vertikalen Abstand zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130, und die Strukturierungsschlitzplatte 130 wird mittels des ersten vertikalen Abstands in Richtung der Z-Achse eingestellt, um den Raum im abtastenden Abscheidungsverfahren konstant zu halten. Beginnt das Substrat 2, die Strukturierungsschlitzplatte 130 zu verlassen, messen nur zwei hintere Abstandssensoren einen zweiten vertikalen Abstand zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130, und die Strukturierungsschlitzplatte 130 wird mittels des zweiten vertikalen Abstands in Richtung der Z-Achse eingestellt, um den Raum im abtastenden Abscheidungsverfahren konstant zu halten.
  • Wie in 13 dargestellt, bewegt sich, wenn das Substrat 2 von den vier Abstandssensoren der Stufenmesseinheit 165 erfasst wird, die zweite Stufe 160 aus 4 vertikal in Richtung der Z-Achse oder wird um einen bestimmten Winkel bezüglich der Z-Achse verschoben, so dass der Raum zwischen der Strukturierungsschlitzplatte 130 und dem Substrat 2 konstant gehalten wird. Um zum Beispiel die Strukturierungsschlitzplatte 130 in Z-Richtung zu bewegen, werden zumindest zwei Aktoren der zweiten Stufe 160 aus 4 in dieselbe Richtung bezüglich der Richtung der Z-Achse getrieben. Um die Strukturierungsschlitzplatte 130 bezüglich der Richtung der Z-Achse zu verschieben, werden zumindest zwei Aktoren der zweiten Stufe 160 aus 4 in entgegengesetzte Richtungen bezüglich der Richtung der Z-Achse getrieben.
  • 15 zeigt eine perspektivische Darstellung einer Anordnung 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
  • Gemäß 15 weist die Anordnung 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine Abscheidungsquelle 910, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 und eine Strukturierungsschlitzplatte 950 auf.
  • Die Abscheidungsquelle 910 weist einen Schmelztiegel 911, der ein Abscheidungsmaterial 915 enthält, und eine Heizvorrichtung 912 auf, die den Schmelztiegel 911 erhitzt, um das Abscheidungsmaterial 915 zu verdampfen. Das verdampfte Abscheidungsmaterial wird durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 emittiert. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920, die eine ebene Form aufweist, ist derart angeordnet, dass die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 eine Öffnung des Schmelztiegels 911 bedeckt. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 weist eine Abscheidungsquellendüse 921 auf. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 902 kann mehrmals entlang der Richtung der Y-Achse angeordnet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 950 und ein Rahmen 955 sind weiterhin zwischen der Abscheidungsquelle 910 und dem Substrat 2 angeordnet. Die Strukturierungsschlitzplatte 950 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 951 auf, die entlang der Richtung der X-Achse angeordnet sind. Außerdem sind die Abscheidungsquelle 910 und die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 mittels eines Verbindungselements 935 mit der Strukturierungsschlitzplatte 950 verbunden.
  • Die Anordnung der Abscheidungsquellendüse 921 soll ausführlich beschrieben werden.
  • Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 ist auf der Öffnung des Schmelztiegels 911 zum Schließen des Schmelztiegels 911 angeordnet. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 weist die Abscheidungsquellendüse 921 auf, die zum Substrat 2 gerichtet ist. Das verdampfte Abscheidungsmaterial 915 strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 und wird zum Substrat 2 emittiert. Die Abscheidungsquellendüse 921 ist mehrmals entlang der Richtung der Y-Achse angeordnet. Das Substrat 2 bewegt sich entlang der Richtung der Y-Achse im abtastenden Abscheidungsverfahren. Wenn sich das Substrat entlang der Richtung der Y-Achse bewegt, ist dementsprechend die Abscheidungsquellendüse 921 mehrmals entlang der Richtung der Y-Achse angeordnet, wodurch Abstände zwischen den Abscheidungsquellendüsen 921 und einem Strukturierungsschlitz 951 entlang der Richtung der Y-Achse im Wesentlichen konstant gehalten werden. Dementsprechend verhindert eine solche Anordnung der Abscheidungsquellendüse 921, dass auf dem Substrat 2 entlang der Y-Richtung ein Schattenbereich ausgebildet wird. Um das Entstehen eines Schattenbereichs entlang der Richtung der X-Achse auf dem Substrat 2 zu verhindern, ist zudem nur eine Abscheidungsquellendüse 921 in Richtung der X-Achse angeordnet.
  • 16 zeigt eine Querschnittdarstellung einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, die nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
  • Gemäß 16 wird die organische lichtemittierende Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung auf einem Substrat 2 ausgebildet. Das Substrat 2 kann aus einem transparenten Material, zum Beispiel aus Glas, Kunststoff oder Metall, ausgebildet werden. Eine Isolierschicht 51, wie eine Pufferschicht, ist auf einer gesamten Oberfläche des Substrats 2 ausgebildet.
  • Ein Dünnfilmtransistor TFT und eine organische lichtemittierende Diode OLED werden auf der Isolierschicht 51 angeordnet.
  • Eine aktive Halbleiterschicht 52 wird auf einer Oberseite der Isolierschicht 51 in einem vorbestimmten Muster ausgebildet. Eine Gate-Isolierschicht 53 wird ausgebildet, um die aktive Halbleiterschicht 52 zu bedecken. Die aktive Halbleiterschicht 52 kann ein Halbleitermaterial vom p-Typ oder n-Typ aufweisen.
  • Eine Gate-Elektrode 54 des Dünnfilmtransistors TFT wird in einem mit der aktiven Halbleiterschicht 52 korrespondierenden Bereich der Gate-Isolierschicht 53 ausgebildet. Eine Zwischenschicht-Isolierschicht 55 wird ausgebildet, um die Gate-Elektrode 54 zu bedecken. Danach werden die Zwischenschicht-Isolierschicht 55 und die Gate-Isolierschicht 53 durch Ätzen, zum Beispiel durch Trockenätzen, geätzt, um ein Kontaktloch auszubilden, das Teile der aktiven Halbleiterschicht 52 freilegt.
  • Eine Source-Elektrode 56 und eine Drain-Elektrode 57 werden auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 55 ausgebildet, um mit der aktiven Halbleiterschicht 52 durch das Kontaktloch in Kontakt zu stehen. Eine Passivierungsschicht 58 wird ausgebildet, um die Source- und Drain-Elektrode 56 und 57 zu bedecken, und wird geätzt, um einen Teil der Drain-Elektrode 57 freizulegen. Eine Isolierschicht 59 wird auf der Passivierungsschicht 58 zur Planarisierung der Passivierungsschicht 58 ausgebildet.
  • Außerdem zeigt die organische lichtemittierende Diode OLED Bildinformationen an, indem sie rotes, grünes oder blaues Licht emittiert, wenn Strom fließt. Die organische lichtemittierende Diode OLED weist eine erste Elektrode 61 auf, die auf der Passivierungsschicht 58 angeordnet ist. Die erste Elektrode 61 ist elektrisch mit der Drain-Elektrode 57 des Dünnfilmtransistors TFT verbunden.
  • Eine Pixeldefinitionsschicht 60 wird ausgebildet, um die erste Elektrode 61 zu bedecken. Eine Öffnung wird in der Pixeldefinitionsschicht 60 ausgebildet, und dann wird eine eine Emissionsschicht aufweisende organische Schicht 62 in einem von der Öffnung definierten Bereich ausgebildet. Eine zweite Elektrode 63 wird auf der organischen Schicht 62 ausgebildet.
  • Die Pixeldefinitionsschicht 60, die einzelne Pixel definiert, wird auf einem organischen Material ausgebildet. Die Pixeldefinitionsschicht 60 planarisiert zudem die Oberfläche eines Bereichs des Substrats 30, in dem die erste Elektrode 60 ausgebildet wird, insbesondere die Oberfläche der Passivierungsschicht 59.
  • Die erste Elektrode 61 und die zweite Elektrode 63 sind voneinander isoliert und legen Spannungen entgegengesetzter Polaritäten an die organische Schicht 62 an, um eine Lichtemission zu induzieren.
  • Die organische Schicht 62, die die Emissionsschicht aufweist, kann ein niedermolekulares organisches Material oder ein hochmolekulares organisches Material aufweisen. Wird ein niedermolekulares organisches Material verwendet, kann die organische Schicht 62 eine Einzelschichtstruktur unter Einschluss der Emissionsschicht aufweisen oder kann eine vielschichtige Struktur aufweisen, die eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Elektronentransportschicht (ETL) oder eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) zusätzlich zur Emissionsschicht aufweist. Beispielhafte organische Materialien können Kupferphthalocyanin (CuPc), N,N'-di(naphthalin-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidin (NPB) oder Tris-8-hiydroxychinolinaluminium (Alq3) aufweisen, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die die Emissionsschicht aufweisende organische Schicht 62 wird mittels der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 1 ausgebildet. Zum Beispiel verdampft die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 1 das Abscheidungsmaterial und scheidet die organische Schicht 62 auf dem Substrat 2 aus 1, das sich entlang einer vorbestimmten Richtung bewegt, ab.
  • Nach der Ausbildung der organischen Schicht 62 kann die zweite Elektrode 63 durch das im Wesentlichen gleiche Abscheidungsverfahren ausgebildet werden, das zur Ausbildung der organischen Schicht 62 verwendet wird.
  • Die erste Elektrode 61 kann als Anode fungieren, während die zweite Elektrode 63 als Kathode fungieren kann. Alternativ kann die erste Elektrode 61 als Kathode fungieren, während die zweite Elektrode 63 als Anode fungieren kann. Die erste Elektrode 61 kann so strukturiert werden, dass sie mit einzelnen Pixelbereichen korrespondiert, und die zweite Elektrode 63 kann so ausgebildet werden, dass sie alle Pixel bedeckt.
  • Die erste Elektrode 61 kann aus einer transparenten Elektrode oder einer reflektierenden Elektrode ausgebildet werden. Eine solche transparente Elektrode kann aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Zinkoxid (ZnO) oder Indiumoxid (In2O3) ausgebildet werden. Eine solche reflektierende Elektrode kann durch die Ausbildung einer reflektierenden Schicht aus Silber (Ag), Magnesium (Mg), Aluminium (Al), Platin (Pt), Palladium (Pd), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Iridium (Ir), Chrom (Cr) oder einer Verbindung derselben ausgebildet werden. Wenn die erste Elektrode 61 sowohl die transparente Elektrode als auch die reflektierende Elektrode aufweist, wird eine transparente Elektrodenschicht aus ITO, IZO, ZnO oder In2O3 auf der reflektierenden Schicht ausgebildet. Die erste Elektrode 61 kann mittels eines Sputterverfahrens und eines Strukturierungsverfahrens, wie eines Photolitographieverfahrens, ausgebildet werden.
  • Die zweite Elektrode 63 kann zudem aus einer transparenten Elektrode oder einer reflektierenden Elektrode ausgebildet werden. Wenn die zweite Elektrode 63 aus einer transparenten Elektrode ausgebildet wird, fungiert die zweite Elektrode 63 als Kathode. Zu diesem Zweck kann eine solche transparente Elektrode durch Abscheidung eines Metalls mit einer niedrigen Austrittsarbeit, wie Lithium (Li), Kalzium (Ca), Lithiumfluorid/Kalzium (LiF/Ca), Lithiumfluorid/Aluminium (LiF/Al), Aluminium (Al), Silber (Ag), Magnesium (Mg) oder einer Verbindung derselben, auf der organischen Schicht 62 ausgebildet werden. Eine Hilfselektrodenschicht oder eine Buselektrodenleitung wird auf dem Metall, das eine niedrige Austrittsarbeit aufweist, abgeschieden. Die Hilfselektrode kann aus ITO, IZO, ZnO, In2O3 oder Ähnlichem ausgebildet werden. Wird die zweite Elektrode 63 aus einer reflektierenden Elektrode ausgebildet, so kann die reflektierende Elektrode durch Abscheidung von Li, Ca, LiF/Ca, Al, Ag, Mg oder einer Verbindung derselben auf der organischen Schicht 62 ausgebildet werden. Die zweite Elektrode 63 kann mittels des gleichen Abscheidungsverfahrens ausgebildet werden, das zur Ausbildung der oben beschriebenen organischen Schicht 63 verwendet wird.
  • Die Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht kann zur Ausbildung einer organischen Schicht oder einer anorganischen Schicht eines organischen TFT und zur Ausbildung von Schichten aus verschiedenen Materialien verwendet werden.
  • Nachfolgend soll ein Herstellungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben werden.
  • 17 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Herstellungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Gemäß 1, 5–7 und 17 wird in Schritt 510 das Ausrichtungs-Masterelement 180 auf die Bewegungseinheit 430 aufgeladen. Das Ausrichtungs-Masterelement 180 dient als Mastersubstrat zur Durchführung einer Vorausrichtungsoperation auf den Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht.
  • In Schritt 520 werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungs-Masterelement 180 ausgerichtet. Das Ausrichtungs-Masterelement 180 wird nach dem Aufladen des Ausrichtungs-Masterelements 180 wie vorliegend positioniert. Dementsprechend werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht mittels einer Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement 180 auf der Bewegungseinheit 430 eingestellt. In Schritt 520 bewegt sich die Bewegungseinheit 430 in eine Bewegungsrichtung über die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht, und das Ausrichtungs-Masterelement 180 wird von der Bewegungseinheit 430 abgeladen, nachdem die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungs-Masterelement 180 vorausgerichtet wurden.
  • In Schritt 530 wird das Substrat 2 auf die Bewegungseinheit aufgeladen/auf ihr gehalten.
  • In Schritt 540 werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Substrat 2 ausgerichtet, bevor das Substrat entlang der Bewegungsrichtung über die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht übermittelt wird. Die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht werden zum Beispiel nach dem Aufladen des Substrats 2 zum wie vorliegend positionierten Substrat 2 ausgerichtet. Dementsprechend werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht mittels einer Positionsinformation über das Substrat 2 auf der Bewegungseinheit 430 eingestellt. Die Positionen der Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht werden ohne Drehen oder Verschieben des Substrats 2 eingestellt, so dass die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Substrat 2 ausgerichtet werden. Durch die Schritte 520 und 540 werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht mittels des Ausrichtungs-Masterelements 180 zum Substrat ausgerichtet.
  • In Schritt 550 wird eine organische Schicht auf dem Substrat 2 ausgebildet, während sich die Bewegungseinheit 430 entlang der Bewegungsrichtung bewegt. Während sich die Bewegungseinheit 430 entlang der Bewegungsrichtung bewegt, werden die Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht weiterhin eingestellt, so dass ein Abstand zwischen jeder der Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht und einem Teil des Substrats 2 im Wesentlichen konstant gehalten wird. Der Teil des Substrats nimmt ein Abscheidungsmaterial auf, das von der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht emittiert wird, um die organische Schicht auszubilden.
  • Wie oben beschrieben, kann gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung mittels einer Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht hergestellt werden. Die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht kann nach dem Aufladen zu einem wie vorliegend positionierten Substrat präzise ausgerichtet werden, was die Herstellung großformatiger Anzeigevorrichtungen erleichtert.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele davon gezeigt und beschrieben wurde, können in dem Durchschnittsfachmann geläufiger Weise verschiedene Änderungen in Form und Detail daran vorgenommen werden, ohne den in den nachfolgenden Ansprüchen definierten Schutzbereich des erfinderischen Konzepts zu verlassen.

Claims (15)

  1. Verfahren (500) zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, wobei das Verfahren aufweist: Aufladen (510) eines Ausrichtungs-Masterelements (180) auf eine Bewegungseinheit (430); Vorausrichten (520) einer Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum wie vorliegend positionierten Ausrichtungs-Masterelement (180) nach dem Aufladen des Ausrichtungs-Masterelements (180), wobei sich die Bewegungseinheit (430) in eine Bewegungsrichtung (A) über die Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt und das Ausrichtungs-Masterelement (180) nach dem Vorausrichten der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungs-Masterelement (180) abgeladen wird; Aufladen (530) eines Substrats (2) auf die Bewegungseinheit (430) nach dem Vorausrichten der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht; bevor sich die Bewegungseinheit (430), auf der das Substrat (2) gehalten wird, entlang der Bewegungsrichtung (A) über die Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, Ausrichten (540) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum wie vorliegend positionierten Substrat (2) nach dem Aufladen des Substrats (2); und Ausbilden (550) einer organischen Schicht auf dem Substrat (2), während sich die Bewegungseinheit (430) entlang der Bewegungsrichtung bewegt, wobei die Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht, während sich die Bewegungseinheit (430) entlang der Bewegungsrichtung (A) bewegt, eingestellt wird, so dass ein Abstand zwischen der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht und einem Teil des Substrats (2) im Wesentlichen konstant gehalten wird, wobei der Teil des Substrats (2) ein Abscheidungsmaterial, das von der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht emittiert wird, aufnimmt, um die organische Schicht auszubilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Vorausrichten (520) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungs-Masterelement (180) mittels einer ersten Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement (180) durchgeführt wird, und wobei das Ausrichten der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Substrat (2) mittels einer zweiten Positionsinformation über das Substrat (2) durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erste Positionsinformation zumindest eine Winkelverschiebung des Ausrichtungs-Masterelements (180) bezüglich der Bewegungsrichtung (A) und einen Abstand zwischen einer Referenzmesseinheit (191) und dem Ausrichtungs-Masterelement (180) aufweist, wobei die zweite Positionsinformation zumindest eine Winkelverschiebung des Substrats (2) bezüglich der Bewegungsrichtung (A) und einen Abstand zwischen der Referenzmesseinheit (191) und dem Substrat (2) aufweist, wobei die Referenzmesseinheit (191) zum Messen der ersten und zweiten Positionsinformation konfiguriert ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Vorausrichten (540) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Ausrichtungs-Masterelement (180) aufweist: Erhalt der ersten Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement (180) mittels der Referenzmesseinheit (191); und Einstellen einer Position einer Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der ersten Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement (180), wobei die Strukturierungsschlitzplatte (130, 1301, 130-2, 130-3) konfiguriert ist, um das Abscheidungsmaterial zum sich entlang der Bewegungsrichtung (A) bewegenden Substrat (2) zu lenken.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Referenzmesseinheit (191) zumindest drei Abstandssensoren aufweist, die konfiguriert sind, um eine Ebene der Referenzmesseinheit (191) oder des Substrats (2) zu definieren.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei das Ausrichten der Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) den Erhalt einer dritten Positionsinformation über die Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) bezüglich des Ausrichtungs-Masterelements (180) aufweist, wobei das Ausrichten der Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) mittels der dritten Positionsinformation durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei eine Ausrichtungs-Mastermesseinheit (181) auf dem Ausrichtungs-Masterelement (180) angeordnet ist und wobei die Ausrichtungs-Mastermesseinheit (181) zumindest drei Abstandssensoren aufweist, die konfiguriert sind, um eine Ebene der Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) zu definieren.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 und 5, wobei das Ausrichten (540) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht zum Substrat (2) aufweist: Erhalt der zweiten Positionsinformation über das Substrat (2) mittels der Referenzmesseinheit (191); und Einstellen der Position der Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht durch Berechnen einer Differenz zwischen der ersten Positionsinformation und der zweiten Positionsinformation.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Berechnen der Differenz zwischen der ersten Positionsinformation und der zweiten Positionsinformation das Berechnen einer Verdrehungsabweichung zwischen der Winkelverschiebung des Ausrichtungs-Masterelements (180) und der Winkelverschiebung des Substrats (2) aufweist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) entsprechend der Verdrehungsabweichung gedreht wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die erste Positionsinformation über das Ausrichtungs-Masterelement (180) weiterhin eine Mittelposition des Ausrichtungs-Masterelements (180) aufweist, wobei die zweite Positionsinformation des Substrats (2) weiterhin eine Mittelposition des Substrats (2) aufweist, wobei das Berechnen der Differenz zwischen der ersten Positionsinformation und der zweiten Positionsinformation das Berechnen eines Verschiebungsabstands zwischen der Mittelposition der ersten Positionsinformation und der Mittelposition der zweiten Positionsinformation aufweist, wobei der Verschiebungsabstand entlang einer Verschiebungsrichtung, die im Wesentlichen perpendikulär zur Bewegungsrichtung (A) ist, berechnet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) entlang der Verschiebungsrichtung gemäß dem Verschiebungsabstand zum Substrat (2) verschoben wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht weiterhin aufweist: eine erste Stufe (150) und eine zweite Stufe (160), die zum dreidimensionalen Bewegen der Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) konfiguriert sind; und eine Stufenmesseinheit (165), die konfiguriert ist, um eine vierte Positionsinformation über das Substrat (2) bezüglich der ersten Stufe (150) oder der zweiten Stufe (160) zu erhalten.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Stufenmesseinheit (165) zumindest vier Abstandssensoren aufweist, die konfiguriert sind, um eine Ebene des sich entlang der Bewegungsrichtung (A) bewegenden Substrats (2) zu definieren.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Strukturierungsschlitzplatte (130, 130-1, 130-2, 130-3) der Anordnung (100-1, 100-2, ..., 100-11) zur Abscheidung einer organischen Schicht in zumindest die Bewegungsrichtung (A) kleiner als das Substrat (2) ist.
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