DE102013212210A1 - Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

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Hyun-Sung kang
Sang-yeol Kim
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Abstract

Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die eine Vielzahl von Subpixeln aufweist, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei jeder der Subpixel Folgendes aufweist: eine erste Elektrode, die auf dem Substrat ausgebildet ist; eine Zwischenschicht, die auf der ersten Elektrode ausbildet ist und eine organische Emissionsschicht aufweist; und eine zweite Elektrode, die auf der Zwischenschicht ausgebildet ist, wobei zumindest ein Subpixel zur Emission von Licht einer Farbe unter den Subpixeln eine Schattenemissionsschicht zur Emission von Licht einer anderen Farbe zwischen der organischen Emissionsschicht und der ersten Elektrode aufweist, und wobei die organische Emissionsschicht des einen Subpixels ein Lochtransportmaterial aufweist.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE PATENTANMELDUNG
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität und den Nutzen der am 8. November 2012 beim Amt für geistiges Eigentum der Republik Korea eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2012-0126159 .
  • HINTERGRUND
  • 1. Gebiet
  • Die nachfolgende Beschreibung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung, insbesondere eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die zur Verbesserung der Lichtemissionseigenschaften fähig ist, und ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • In jüngerer Zeit wurden Anzeigevorrichtungen durch dünne Flachtafelanzeigevorrichtungen ersetzt, die tragbar sind. Unter den Flachtafelanzeigevorrichtungen weisen organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen größere Blickwinkel, bessere Kontrasteigenschaften und eine schnellere Ansprechgeschwindigkeit als andere Anzeigevorrichtungen auf und rückten daher als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation in den Blickpunkt.
  • Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist Zwischenschichten, eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und weitere Dünnfilme auf. Die Zwischenschicht weist eine organische Emissionsschicht auf. Liegt eine Spannung an der ersten und zweiten Elektrode an, erzeugt die organische Emissionsschicht sichtbare Strahlen.
  • Die Zwischenschichten und die weiteren Dünnfilme, die in der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung enthalten sind, können durch ein Abscheidungsverfahren ausgebildet werden. Zur Ausbildung eines Satzes oder eines vorbestimmten Musters auf der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung im Abscheidungsverfahren wird im Allgemeinen eine Abscheidungsmaske verwendet.
  • Die Steuerung der Abscheidungsprozesse ist allerdings schwierig, so dass die Ausbildung von Abscheidungsfilmen der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung und insbesondere der Zwischenschichten, die die die Lichtemission betreffende organische Emissionsschicht aufweisen, nicht leicht ist. Infolgedessen sind der Verbesserung der Lichtemissionseigenschaften der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung Grenzen gesetzt.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ein Aspekt einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die zur Verbesserung der Lichtemissionseigenschaften fähig ist, und ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die eine Vielzahl von Subpixeln aufweist, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei jeder der Subpixel aufweist: eine erste Elektrode, die auf dem Substrat ausgebildet ist; eine Zwischenschicht, die auf der ersten Elektrode ausgebildet ist und eine organische Emissionsschicht aufweist; und eine zweite Elektrode, die auf der Zwischenschicht ausgebildet ist, wobei zumindest ein Subpixel unter den Subpixeln, der Licht einer Farbe emittiert, eine Schattenemissionsschicht, die Licht einer anderen Farbe emittiert, zwischen der organischen Emissionsschicht und der ersten Elektrode aufweist, und wobei die organische Emissionsschicht des einen Subpixels ein Lochtransportmaterial aufweist.
  • Die Subpixel können einen roten Subpixel, einen grünen Subpixel und einen blauen Subpixel aufweisen.
  • Der eine Subpixel, der das Licht der Farbe emittiert, kann der rote Subpixel sein, und die Schattenemissionsschicht kann ein Material enthalten, das in der organischen Emissionsschicht des grünen Subpixels und/oder der organischen Emissionsschicht des blauen Subpixels enthalten ist.
  • Die Schattenemissionsschicht kann eine Vielzahl von Schichten aufweisen, die Licht in voneinander verschiedenen Farben emittieren.
  • Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann weiterhin eine Lochtransportschicht aufweisen, die zwischen der ersten Elektrode und der Schattenemissionsschicht angeordnet ist.
  • Die Lochtransportschicht kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen.
  • Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann weiterhin einen Dünnfilmtransistor (TFT) aufweisen, der mit der ersten Elektrode verbunden ist und eine aktive Schicht, eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden, und ein Abscheidungsraum der Zwischenschicht kann derart ausgebildet werden, dass eine Schrägseite der Zwischenschicht, die von einer Mitte des Abscheidungsraums weit entfernt ist, länger ist als eine Schrägseite der Zwischenschicht, die der Mitte des Abscheidungsraums nahe ist.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden, wobei im Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine von der Mitte des Abscheidungsraums entfernte Schrägseite der Zwischenschicht umso größer ist, je weiter sie von der Mitte des Abscheidungsraums entfernt ist.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden, wobei im Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine Region der Zwischenschicht, die in einer Mitte des Abscheidungsraums angeordnet ist, einander gegenüberliegende schräge Seiten mit einer im Wesentlichen gleichen Länge aufweisen kann.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden, wobei eine in einer Mitte der Zwischenschicht angeordnete Region basierend auf der Mitte des Abscheidungsraums symmetrisch angeordnet sein kann.
  • Das Substrat kann eine Größe von 40 Zoll oder mehr aufweisen.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden, wobei der Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine nicht gleichmäßige Dicke aufweisen kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren die Ausbildung einer Vielzahl von Subpixeln auf einem Substrat aufweist, wobei die Ausbildung der Subpixel aufweist: Ausbildung einer ersten Elektrode auf dem Substrat; Ausbildung einer Zwischenschicht, die eine organische Emissionsschicht aufweist, auf der ersten Elektrode; und Ausbildung einer zweiten Elektrode auf der Zwischenschicht, wobei zumindest ein Subpixel unter den Subpixeln, der Licht einer Farbe emittiert, eine Schattenemissionsschicht, die Licht einer anderen Farbe emittiert, zwischen der organischen Emissionsschicht und der ersten Elektrode aufweist, und wobei die organische Emissionsschicht des einen Subpixels ein Lochtransportmaterial aufweist.
  • Die Schattenemissionsschicht kann während der Ausbildung von organischen Emissionsschichten des einen Subpixels, der das Licht der Farbe emittiert, und eines anderen Subpixels, der das Licht der anderen Farbe emittiert, ausgebildet werden, bevor eine organische Emissionsschicht des einen Subpixels unter den Subpixeln, der Licht der Farbe emittiert, ausgebildet wird.
  • Die Zwischenschicht kann mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht, die eine Vielzahl von Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweist, ausgebildet werden, wobei jede der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht Folgendes aufweisen kann: eine Abscheidungsquelle, die ein Abscheidungsmaterial abgibt, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, und eine Strukturierungsschlitzplatte, die derart angeordnet ist, dass sie der Abscheidungsquellen-Düseneinheit zugewandt ist und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, wobei das Abscheidungsmaterial, das von der Abscheidungsquelle abgegeben wird, durch die Strukturierungsschlitzplatte strömen kann und auf dem Substrat abgeschieden werden kann, so dass ein Abscheidungsverfahren durchgeführt wird.
  • Die Subpixel können einen roten Subpixel, einen grünen Subpixel und einen blauen Subpixel aufweisen, und eine organische Emissionsschicht des roten Subpixels, eine organische Emissionsschicht des grünen Subpixels und eine organische Emissionsschicht des blauen Subpixels können jeweils mittels verschiedener Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht aus der Vielzahl der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet werden.
  • Die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Ausbildung der organischen Emissionsschicht des einen Subpixels und die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht, die die Schattenemissionsschicht ausbildet, können zueinander benachbart angeordnet sein.
  • Die Ausbildung der Zwischenschicht mittels der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht kann Folgendes aufweisen: Befestigung des Substrats auf einer Übermittlungseinheit in einer Beladeeinheit; Beförderung der Übermittlungseinheit, auf der das Substrat angeordnet ist, in eine Kammer über eine erste Fördereinheit, die derart konfiguriert ist, dass sie die Kammer durchläuft; Ausbildung der Zwischenschicht durch die Bewegung des Substrats bezüglich der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht, so dass ein Abscheidungsmaterial, das von der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht abgegeben wird, auf dem Substrat abgeschieden wird, in einem Zustand, in dem die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht in der Kammer angeordnet ist und die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht in der Kammer und das Substrat in einem festgesetzten oder vorbestimmten Abstand voneinander beabstandet sind; Trennung des Substrats, auf dem die Abscheidung abgeschlossen ist, von der Übermittlungseinheit in einer Entladeeinheit; und Beförderung der vom Substrat getrennten Übermittlungseinheit zur Fördereinheit mittels einer zweiten Fördereinheit, die derart konfiguriert ist, dass sie die Kammer durchläuft.
  • Die Abscheidung kann nacheinander auf dem Substrat durchgeführt werden, während das Substrat nacheinander die Vielzahl der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht durchläuft.
  • Die Übermittlungseinheit kann sich zwischen der ersten Fördereinheit und der zweiten Fördereinheit herum bewegen.
  • Die erste Fördereinheit und die zweite Fördereinheit können oben und unten angeordnet sein.
  • Die Übermittlungseinheit kann in der Kammer befördert werden, ohne mit der ersten Fördereinheit in Kontakt zu stehen.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht kann in einer ersten Richtung und/oder einer zweiten Richtung, die senkrecht zur ersten Richtung verläuft, kleiner ausgebildet sein als das Substrat.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Die oben aufgeführten und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die ausführliche Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren besser ersichtlich, wobei:
  • 1 eine Querschnittdarstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 eine vergrößerte Darstellung eines in 1 dargestellten Abschnitts A gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 eine vergrößerte Darstellung eines in 1 dargestellten Abschnitts A gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 eine Querschnittdarstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 eine Draufsicht ist, in der eine Systemkonfiguration einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 schematisch dargestellt ist;
  • 6 eine Seitenansicht zeigt, in der eine Abscheidungseinheit der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 5 schematisch dargestellt ist;
  • 7 eine schematische perspektivische Darstellung der in 5 gezeigten Abscheidungseinheit zeigt;
  • 8 eine schematische Querschnittdarstellung der Abscheidungseinheit aus 7 zeigt;
  • 9 eine schematische perspektivische Darstellung zeigt, in der eine Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 dargestellt ist;
  • 10 eine schematische seitliche Querschnittdarstellung der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 9 zeigt;
  • 11 eine schematische ebene Querschnittdarstellung der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 9 zeigt;
  • 12 eine schematische perspektivische Darstellung zeigt, in der ein weiteres Beispiel der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 dargestellt ist;
  • 13 eine schematische perspektivische Darstellung zeigt, in der ein weiteres Beispiel der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 dargestellt ist;
  • 14 ein Diagramm zeigt, in dem Strukturierungsschlitze dargestellt sind, die in einer Strukturierungsschlitzplatte der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 5 in gleichen Abständen ausgebildet sind;
  • 15 ein Diagramm zeigt, in dem eine organische Schicht dargestellt ist, die mittels der Strukturierungsschlitzplatte aus 14 auf einem Substrat ausgebildet ist; und
  • 16 bis 18 Diagramme zeigen, in denen nacheinander ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 dargestellt ist.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Nachfolgend sollen Strukturen und Operationen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren beschrieben werden.
  • 1 zeigt eine Querschnittdarstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, während 2 eine vergrößerte Darstellung eines in 1 dargestellten Abschnitts A zeigt.
  • Gemäß 1 und 2 sind bei der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1000 drei Subpixel auf einem Substrat 2 ausgebildet.
  • Zudem weist jeder der Subpixel eine erste Elektrode 30, Zwischenschichten 32R, 32G und 32B und eine zweite Elektrode 33 auf.
  • Das heißt, dass ein roter Subpixel, der rotes sichtbares Licht emittiert, die erste Elektrode 30, die Zwischenschicht 32R und die zweite Elektrode 33 aufweist. Ein grüner Subpixel, der grünes sichtbares Licht emittiert, weist die erste Elektrode 30, die Zwischenschicht 32G und die zweite Elektrode 33 auf. Zudem weist ein blauer Subpixel, der blaues sichtbares Licht emittiert, die erste Elektrode 30, die Zwischenschicht 32B und die zweite Elektrode 33 auf. Die zweite Elektrode 33 kann im Allgemeinen in allen der Subpixel ausgebildet sein.
  • Jede Komponente soll weiter unten ausführlicher beschrieben werden.
  • Das Substrat 2 kann aus einem transparenten Glasmaterial ausgebildet sein, das hauptsächlich SiO2 aufweist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, das heißt, das Substrat 2 kann auch aus einem transparenten Kunststoffmaterial ausgebildet sein. Dabei kann das Kunststoffmaterial, das das Substrat 2 ausbildet, eines oder mehrere sein, das/die aus verschiedenen geeigneten organischen Materialien ausgewählt ist/sind.
  • Obgleich dies in 1 und 2 nicht gezeigt ist, kann weiterhin eine (nicht gezeigte) Pufferschicht zwischen dem Substrat 2 und der ersten Elektrode 30 ausgebildet sein. Die (nicht gezeigte) Pufferschicht verhindert, dass Fremdatome in das Substrat 2 eindringen, und stellt eine ebene Oberfläche auf dem Substrat 2 bereit und kann aus einem Material ausgebildet sein, das zur Durchführung der oben genannten Operationen geeignet ist. Zum Beispiel kann die (nicht gezeigte) Pufferschicht ein anorganisches Material wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Titanoxid oder Titannitrid, ein organisches Material wie Polyimid, Polyester oder Acryl, oder eine geschichtete Substanz aufweisen, die eine Vielzahl der oben aufgeführten Materialien aufweist.
  • Die erste Elektrode 30 ist auf dem Substrat 2 ausgebildet. Die erste Elektrode 30 kann als Anode fungieren, während die zweite Elektrode 33 als Kathode fungieren kann, und umgekehrt. Fungiert die erste Elektrode 30 als Anode, kann die erste Elektrode 30 ein Material aufweisen, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist, wie ITO, IZO, ZnO oder In2O3. Zudem kann die erste Elektrode 30 weiterhin eine reflektierende Schicht aufweisen, die je nach Zweck und Gestaltungsbedingungen aus Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb oder Ca ausgebildet ist.
  • Weiterhin kann die erste Elektrode 30 in jedem der Subpixel gemustert sein.
  • Eine Pixeldefinitionsschicht 31 ist aus einem Isoliermaterial auf der ersten Elektrode 30 ausgebildet. Dabei ist die Pixeldefinitionsschicht 31 derart ausgebildet, dass zumindest ein Teil einer Oberseite der ersten Elektrode 30 freiliegt.
  • Die Zwischenschichten 32R, 32G und 32B sind auf der ersten Elektrode 30 ausgebildet. Die Zwischenschichten 32R, 32G und 32B weisen zumindest eine organische Emissionsschicht auf, die sichtbare Strahlen emittiert.
  • Nachfolgend soll die Zwischenschicht 32R des roten Subpixels unter Bezugnahme auf 2 ausführlicher beschrieben werden.
  • Die Zwischenschicht 32R weist eine organische Emissionsschicht EML(R), die rotes sichtbares Licht emittiert, eine Schattenemissionsschicht SEML, eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Einfügungsschicht (IL) und eine Elektronentransportschicht (ETL) auf.
  • Die HIL kann aus einer Phthalocyaninverbindung wie Kupferphthalocyanin oder TCTA, m-MTDATA oder m-MTDAPB ausgebildet sein, das ein Starburst-Amin ist.
  • Die HTL kann aus N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamin (TPD), N,N'-di(naphthalin-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidin (α-NPD) und Ähnlichem ausgebildet sein.
  • Weiterhin kann die HTL aus mehreren Schichten und nicht aus einer einzigen Schicht ausgebildet sein. Das heißt, dass – wie in 3 gezeigt – eine erste HTL (HTL1) und eine zweite HTL (HTL2) auf der HIL ausgebildet sein können.
  • Die IL kann zwischen der HTL und der HIL ausgebildet sein, und die IL kann eine leichte Erzeugung und einen leichten Transport der Elektronen ermöglichen. Die IL kann aus verschiedenen Materialien ausgebildet sein; zum Beispiel kann sie 1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylenhexanitril oder Tetracyanchinodimethan (TCNQ) aufweisen.
  • Die ETL kann aus Alq3 ausgebildet sein. Obgleich dies in den Figuren nicht gezeigt ist, kann zudem eine (nicht gezeigte) Elektroneninjektionsschicht zwischen der ETL und der zweiten Elektrode 33 ausgebildet sein.
  • Die SEML ist auf der HTL ausgebildet, während die EML(R) auf der SEML ausgebildet ist.
  • Die SEML weist eine erste Emissionsschicht EML(B) und eine zweite Emissionsschicht EML(G) auf. Die erste Emissionsschicht EML(B) emittiert blaues sichtbares Licht, während die zweite Emissionsschicht EML(G) grünes sichtbares Licht emittiert. Verglichen mit der EML(R) ist die SEML sehr dünn. Weiterhin kann die SEML nur eine Schicht aufweisen, das heißt, die erste Emissionsschicht EML(B) oder die zweite Emissionsschicht EML(G).
  • Die EML(R) kann aus verschiedenen Materialien ausgebildet sein, die rotes sichtbares Licht emittieren. Außerdem kann die EML(R) ein Wirtsmaterial und ein Dotandenmaterial aufweisen. Weiterhin kann die EML(R) ein Lochtransportmaterial aufweisen. Dabei kann das Transportmaterial mit etwa 5 Gew.-% bis 95 Gew.-% der EML(R) enthalten sein.
  • Die SEML ist eine Schicht, die wünschenswerterweise kein Licht emittieren sollte, wenn die organische Emissionsschicht EML(R) Licht emittiert. Das heißt, dass die SEML unerwünscht aus Material der organischen Emissionsschicht der Zwischenschicht 32B, das blaues Licht emittiert, und aus Material der organischen Emissionsschicht der Zwischenschicht 32G, die grünes Licht emittiert, ausgebildet wird, wenn die organische Emissionsschicht EML(R) des roten Subpixels oder bevor die organische Emissionsschicht EML(R) ausgebildet wird.
  • Das heißt, dass die Schattenemissionsschicht SEML ausgebildet werden kann, wenn eine Abscheidungsvorrichtung in einem Abscheidungsverfahren verwendet wird, während sie sich in eine Richtung bewegt oder wenn ein Abscheidungsziel bewegt wird, während die Abscheidungsvorrichtung fest steht. Die Abscheidungsvorrichtung und das Abscheidungsverfahren mittels der oben genannten Abscheidungsvorrichtung sollen weiter unten beschrieben werden.
  • Die SEML verschlechtert die Lichtemissionseigenschaften der organischen Emissionsschicht EML(R). Das heißt, dass sich eine Hauptemissionsregion der organischen Emissionsschicht EML(R) auf einer Grenzfläche zwischen der organischen Emissionsschicht EML(R) und der HTL befindet, wobei es in der vorliegenden Ausführungsform zu einer abnormen Lichtemission von der SEML kommt, da die SEML zwischen der HTL und der EML(R) angeordnet ist und die SEML mit der HTL in Kontakt steht.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die organische Emissionsschicht EML(R) jedoch derart ausgebildet, dass sie das Lochtransportmaterial enthält. Zum Beispiel enthält das Wirtsmaterial der organischen Emissionsschicht EML(R) das Lochtransportmaterial, so dass die Emissionsregion der roten Zwischenschicht 32R von der SEML zur organischen Emissionsschicht EML(R) bewegt werden kann. Auf diese Weise können Eigenschaften des roten sichtbaren Lichts, das von der Zwischenschicht 32R des roten Subpixels emittiert wird, verbessert werden. Das heißt, dass sich die Lichtemissionseffizienz der Zwischenschicht 32R des roten Subpixels verbessert, wodurch sich eine Ansteuerspannung verringert.
  • Dabei können die Zwischenschicht 32G des grünen Subpixels und die Zwischenschicht 32B des blauen Subpixels auch ähnlich der Zwischenschicht 32R des roten Pixels ausgebildet sein.
  • Das heißt, dass die Zwischenschicht 32G des grünen Subpixels eine organische Emissionsschicht aufweist, die das rote sichtbare Licht emittiert und das Lochtransportmaterial enthält, und sie kann eine SEML aufweisen, die das rote oder blaue sichtbare Licht emittiert. Die Zwischenschicht 32B des blauen Subpixels kann auch eine organische Emissionsschicht aufweisen, die das blaue sichtbare Licht emittiert und das Lochtransportmaterial enthält, und sie kann eine SEML aufweisen, die das rote oder grüne sichtbare Licht emittiert.
  • Die zweite Elektrode 33 ist auf den Zwischenschichten 32R, 32G und 32B ausgebildet. Fungiert die zweite Elektrode 33 als Kathode, so kann die zweite Elektrode 33 aus Metall wie Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li oder Ca ausgebildet sein. Außerdem kann die zweite Elektrode 33 ITO, IZO, ZnO oder In2O3 zur Lichttransmission aufweisen.
  • Außerdem kann ein (nicht gezeigtes) Verkapselungselement auf der zweiten Elektrode 33 ausgebildet sein. Das (nicht gezeigte) Verkapselungselement kann aus verschiedenen geeigneten Materialien ausgebildet sein, zum Beispiel aus einem Substrat aus Glasmaterial oder einer organischen Schicht und einer anorganischen Schicht, und es kann ausgebildet werden, indem die organische Schicht und die anorganische Schicht abwechselnd aufeinander geschichtet werden.
  • Bei der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1000 wird die Zwischenschicht, die eine organische Emissionsschicht aufweist, mittels einer Abscheidungsvorrichtung ausgebildet. Dabei wird bei der Ausbildung der Zwischenschicht außer der organischen Emissionsschicht, die das sichtbare Licht emittiert, eine unerwünschte Schattenemissionsschicht ausgebildet. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die organische Emissionsschicht derart ausgebildet, dass sie das Lochtransportmaterial aufweist, so dass die Emissionsschicht der Zwischenschicht von der Schattenemissionsschicht zur organischen Lichtemissionsschicht bewegt werden kann, um die Lichtemissionseffizienz der Zwischenschicht zu erhöhen. Dadurch lässt sich die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die eine höhere Lichtemissionseffizienz aufweist, leicht ausbilden.
  • 4 zeigt eine Querschnittdarstellung, in der eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
  • Gemäß 4 sollen nachfolgend Unterschiede der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1100 gegenüber den Anzeigevorrichtungen der vorhergehenden Ausführungsform beschrieben werden.
  • Bei der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1100 ist eine Vielzahl von Subpixeln auf dem Substrat 2 ausgebildet, wobei jeder der Subpixel die erste Elektrode 30, die Zwischenschicht 32R, die zweite Elektrode 33 und einen Dünnfilmtransistor (TFT) aufweist. In 4 ist der leichteren Beschreibung wegen ein roter Subpixel dargestellt, der die rote Zwischenschicht 32R aufweist. Ansonsten kann die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 1100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform grüne und blaue Subpixel aufwiesen, wie dies in 1 gezeigt ist.
  • Eine Pufferschicht 22 ist auf dem Substrat 2 ausgebildet, und eine aktive Schicht 23 eines vorbestimmten Musters ist auf der Pufferschicht 22 ausgebildet. Die aktive Schicht 23 kann aus einem anorganischen Halbleiter wie Silizium, einem organischen Halbleiter oder einem Oxidhalbleiter ausgebildet sein und weist eine Source-Region, eine Drain-Region und eine Kanalregion auf.
  • Eine Gate-Isolierschicht 24 ist auf der aktiven Schicht 23 ausgebildet, und eine Gate-Elektrode 25 ist in einer vorbestimmten Region der Gate-Isolierschicht 24 ausgebildet. Die Gate-Isolierschicht 24 ist derart ausgebildet, dass die aktive Schicht 23 und die Gate-Elektrode 25 voneinander isoliert sind, und kann aus einem organischen Material oder einem anorganischen Material wie SiNx und SiO2 ausgebildet sein.
  • Die Gate-Elektrode 25 kann Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo oder eine Legierung wie Al:Nd und Mo:w aufweisen, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das heißt, dass die Gate-Elektrode 25 aus verschiedenen Materialien unter Berücksichtigung der Haftfähigkeit an benachbarten Schichten, der Flachheit, des elektrischen Widerstands und der Verarbeitbarkeit ausgebildet sein kann.
  • Eine dielektrische Zwischenschicht 26 ist auf der Gate-Elektrode 25 ausgebildet. Die dielektrische Zwischenschicht 26 und die Gate-Isolierschicht 24 sind derart ausgebildet, dass sie die Source- und Drain-Region der aktiven Schicht 23 freilegen, und eine Source-Elektrode 27 und eine Drain-Elektrode 28 sind derart ausgebildet, dass sie mit der freiliegenden Source- und Drain- Region der aktiven Schicht 23 in Kontakt stehen.
  • Die Source-Elektrode 27 und die Drain-Elektrode 28 können aus verschiedenen leitfähigen Materialien ausgebildet sein und können eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweisen.
  • Eine Passivierungsschicht 29 ist auf dem TFT ausgebildet. Genauer, ist die Passivierungsschicht 29 auf der Source- und Drain-Elektrode 27 und 28 ausgebildet.
  • Die Passivierungsschicht 29 ist derart ausgebildet, dass sie nicht die gesamte Drain-Elektrode 28 bedeckt, sondern eine vorbestimmte Region freilegt, und die erste Elektrode 30 ist derart ausgebildet, dass sie mit der freiliegenden Region der Drain-Elektrode 28 verbunden ist.
  • Die Pixeldefinitionsschicht 31 ist aus einem Isoliermaterial auf der ersten Elektrode 30 ausgebildet. Die Pixeldefinitionsschicht 31 ist derart ausgebildet, dass sie eine festgesetzte oder vorbestimmte Region der ersten Elektrode 30 freilegt.
  • Die Zwischenschicht 32R ist derart ausgebildet, dass sie mit dem freiliegenden Abschnitt der ersten Elektrode 30 in Kontakt steht. Die Zwischenschicht 23R weist eine organische Emissionsschicht, insbesondere eine organische Emissionsschicht, die rotes sichtbares Licht emittiert, auf. Da die Zwischenschicht 32R die gleiche Struktur wie in der vorhergehenden Ausführungsform aufweist, soll sie hier nicht ausführlich beschrieben werden.
  • Außerdem ist die zweite Elektrode 33 mit der Zwischenschicht 32R verbunden. Ein (nicht gezeigtes) Verkapselungselement kann auf der zweiten Elektrode 33 angeordnet sein.
  • Die in 1 gezeigte organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 1000, das modifizierte Beispiel aus 1 in 3 und die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 1100 aus 4 können mittels verschiedener Arten einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht hergestellt werden. Nachfolgend sollen eine solche Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht und ein Verfahren zur Abscheidung einer organischen Schicht, für das die Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht verwendet wird, beschrieben werden. Der leichteren Beschreibung wegen soll die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 1000 aus 1 als Beispiel beschrieben werden.
  • 5 zeigt eine Draufsicht einer Systemkonfiguration, die eine Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 darstellt, während 6 eine Seitenansicht zeigt, in der eine Abscheidungseinheit der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 5 schematisch dargestellt ist, 7 eine schematische perspektivische Darstellung der Abscheidungseinheit aus 5 zeigt und 8 eine schematische Querschnittdarstellung der Abscheidungseinheit aus 7 zeigt.
  • Gemäß 5 und 6 weist die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Abscheidungseinheit 100, eine Beladeeinheit 200, eine Entladeeinheit 300 und eine Fördereinheit 400 auf.
  • Die Beladeeinheit 200 kann ein erstes Gestell 212, eine Transportkammer 214, eine erste Umdrehkammer 218 und eine Pufferkammer 219 aufweisen.
  • Eine Vielzahl von Substraten 2, auf die kein Abscheidungsmaterial aufgebracht wird, werden auf dem ersten Gestell 212 aufgestapelt. Ein Transportroboter in der Transportkammer 214 nimmt eines der Substrate 2 vom ersten Gestell 212 auf, ordnet es auf einer Übermittlungseinheit 430 an, die von einer zweiten Fördereinheit 420 übermittelt wird, und bewegt die Übermittlungseinheit 420, auf der das Substrat 2 angeordnet ist, in die erste Umdrehkammer 218.
  • Die erste Umdrehkammer 218 ist benachbart zur Transportkammer 214 angeordnet. Die erste Umdrehkammer 218 weist einen ersten Umdrehroboter auf, der die Übermittlungseinheit 430 umdreht und dann die erste Fördereinheit 410 der Abscheidungseinheit 100 damit belädt.
  • Gemäß 5 ordnet der Transportroboter der Transportkammer 214 das Substrat 2 auf einer Oberseite der Übermittlungseinheit 430 an, und die Übermittlungseinheit 430 wird in diesem Zustand zur ersten Umdrehkammer 218 befördert. Dann dreht der erste Umdrehroboter der ersten Umdrehkammer 218 die erste Umdrehkammer 218 um, so dass das Substrat 2 in der Abscheidungseinheit 100 umgedreht wird.
  • Die Entladeeinheit 300 ist derart beschaffen, dass sie auf eine der oben beschriebenen Beladeeinheit 200 entgegengesetzte Weise arbeitet. Genauer, dreht ein zweiter Umdrehroboter in einer zweiten Umdrehkammer 328 die Übermittlungseinheit 430 um, die die Abscheidungseinheit 100 durchlaufen hat, während das Substrat 2 auf der Übermittlungseinheit 430 angeordnet ist, und bewegt dann die Übermittlungseinheit 430, auf der das Substrat 2 angeordnet ist, in eine Auswurfkammer 324. Dann entfernt ein Auswurfroboter die Übermittlungseinheit 430, auf der das Substrat 2 angeordnet ist, aus der Auswurfkammer 324, trennt das Substrat 2 von der Übermittlungseinheit 430 und belädt dann das zweite Gestell 322 mit dem Substrat 2. Die vom Substrat 2 getrennte Übermittlungseinheit 430 wird über die zweite Fördereinheit 420 in die Beladeeinheit 200 zurückgebracht.
  • Die vorliegende Erfindung ist allerdings nicht auf die vorangehende Beschreibung beschränkt. Wenn das Substrat 2 auf der Übermittlungseinheit 430 angeordnet wird, kann das Substrat 2 zum Beispiel auf einer Unterseite der Übermittlungseinheit 430 befestigt werden und dann in die Abscheidungseinheit 100 bewegt werden. In diesem Fall sind zum Beispiel die erste Umdrehkammer 218 und der erste Umdrehroboter sowie die zweite Umdrehkammer 328 und der zweite Umdrehroboter nicht erforderlich.
  • Die Abscheidungseinheit 100 kann zumindest eine Abscheidungskammer 101 aufweisen. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Abscheidungseinheit 100 eine Kammer 101 aufweisen, in der eine Vielzahl von Anordnungen 100-1, 100-2,..., 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht angeordnet sein können.
  • Obwohl in der Kammer 101 insgesamt elf Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht, d. h., die erste bis elfte Anordnung 100-1, 100-2,..., 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht angebracht sind, kann die Gesamtzahl der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht, die in der ersten Kammer 101 angebracht sein können, einem Abscheidungsmaterial und Abscheidungsbedingungen entsprechend variieren. In der ersten Kammer 101 wird während eines Abscheidungsverfahrens ein Vakuum aufrechterhalten.
  • Dabei können einige der elf Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Ausbildung einer gemeinsamen Schicht verwendet werden, während die anderen zur Strukturierung von Schichten verwendet werden können. In diesem Fall ist es möglich, dass die Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht, die zur Ausbildung der gemeinsamen Schicht verwendet werden, keine zusätzliche Strukturierungsschlitzplatte aufweisen (vgl. 130 in 7). Als Beispiel der Anordnung der elf Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht kann die erste Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine HIL ausbilden, die eine gemeinsame Schicht ist, während die zweite Anordnung 100-2 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine IL ausbilden kann, die eine gemeinsame Schicht ist, die dritte bis fünfte Anordnung 100-3 bis 100-5 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine HTL ausbilden kann, die eine gemeinsame Schicht ist, die sechste Anordnung 100-6 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine organische Emissionsschicht ausbilden kann, die eine Musterschicht einer blauen Zwischenschicht 32B ist, die siebte Anordnung 100-7 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine organische Emissionsschicht ausbilden kann, die eine Musterschicht einer grünen Zwischenschicht 32G ist, die achte Anordnung 100-8 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine organische Emissionsschicht EML(R) ausbilden kann, die eine Musterschicht einer roten Zwischenschicht 32R ist, die neunte Anordnung 100-9 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine ETL ausbilden kann, die eine gemeinsame Schicht IL ist, und die zehnte Anordnung 100-10 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine EIL ausbilden kann, die eine gemeinsame Schicht ist. Die vorangehende Anordnung der Anordnungen 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht kann auf unterschiedliche Weise modifiziert werden.
  • Gemäß der in 5 dargestellten Ausführungsform kann die Übermittlungseinheit 430, auf der das Substrat 2 angeordnet ist, zumindest zur Abscheidungseinheit 100 bewegt werden oder sie kann von der ersten Fördereinheit 410 nacheinander zur Beladeeinheit 200, zur Abscheidungseinheit 100 und zur Entladeeinheit 300 bewegt werden. Die Übermittlungseinheit 430, die in der Entladeeinheit 300 vom Substrat 2 getrennt wird, wird von der zweiten Fördereinheit 420 zur Beladeeinheit 200 zurück bewegt.
  • Die erste Fördereinheit 410 ist konfiguriert, die Kammer 101 zu durchlaufen, wenn sie die Abscheidungseinheit 100 durchläuft, und die zweite Fördereinheit 420 ist konfiguriert, die Übermittlungseinheit 430 zu befördern, die vom Substrat 2 getrennt ist.
  • Dabei ist die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht derart konfiguriert, dass die erste Fördereinheit 410 und die zweite Fördereinheit 420 jeweils oben und unten angeordnet sind, so dass nach der Trennung der Übermittlungseinheit 430, auf der die Abscheidung während des Durchlaufens der ersten Fördereinheit 410 vollendet wurde, vom Substrat 2 in der Entladeeinheit 300 die Übermittlungseinheit 430 über die zweite Fördereinheit 420, die zwischen der ersten Fördereinheit 410 ausgebildet ist, zur Beladeeinheit 200 zurückgebracht wird, wodurch die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht einen höheren Raumnutzungsgrad aufweisen kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Abscheidungseinheit 100 aus 5 weiterhin eine Abscheidungsquellen-Ersatzeinheit 190 aufweisen, die auf einer Seite jeder Anordnung 100-1 bis 100-11 zur Abscheidung einer organischen Schicht angeordnet ist. Obwohl dies in den Figuren nicht einzeln dargestellt ist, kann die Abscheidungsquellen-Ersatzeinheit 190 als Kassettentyp ausgebildet sein, der von jeder Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht nach draußen gezogen werden kann. Auf diese Weise lässt sich eine Abscheidungsquelle 110 (vgl. 7) der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht leicht ersetzen.
  • In 5 ist die Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht dargestellt, bei der zwei Sätze von Strukturen, die jeweils die Beladeeinheit 200, die Abscheidungseinheit 100, die Entladeeinheit 300 und die Fördereinheit 400 aufweisen, parallel angeordnet sind. Das heißt, dass zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht oben und unten angeordnet sind. Gemäß einer solchen Ausführungsform kann eine Strukturierungsschlitzplatten-Ersatzeinheit 500 zwischen den zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht angeordnet sein. Aufgrund dieser Konfiguration von Strukturen teilen sich die zwei Vorrichtungen 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht somit dieselbe Strukturierungsschlitzplatten-Ersatzeinheit 500, wodurch sich, verglichen mit einem Fall, in dem jede Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht die Strukturierungsschlitzplatten-Ersatzeinheit 500 aufweist, ein höherer Raumnutzungsgrad ergibt.
  • Gemäß 7 und 8 weist die Abscheidungseinheit 100 der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht zumindest eine Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und eine Fördereinheit 400 auf.
  • Nachfolgend soll eine Gesamtstruktur der Abscheidungseinheit 100 beschrieben werden.
  • Die Kammer 101 kann als Hohlkastentyp ausgebildet sein und die zumindest eine Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die Übermittlungseinheit 430 aufnehmen. Gemäß einer anderen beschreibenden Weise ist ein Fuß 102 derart ausgebildet, dass er die Abscheidungseinheit 100 auf dem Boden befestigt, wobei ein unteres Gehäuse 103 auf dem Fuß 102 angeordnet ist und ein oberes Gehäuse 104 auf dem unteren Gehäuse 103 angeordnet ist. Die Kammer 101 nimmt sowohl das untere Gehäuse 103 als auch das obere Gehäuse 104 auf. Dabei wird ein Verbindungsteil des unteren Gehäuses 103 und der Kammer 101 abgedichtet, so dass das Innere der Kammer 101 gegenüber außen vollständig isoliert ist. Aufgrund der Struktur, bei der das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 auf dem auf dem Boden befestigten Fuß 102 angeordnet sind, können das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 in einer festen Position gehalten werden, obwohl sich die Kammer 101 mehrmals verkleinert und vergrößert. Dadurch können das untere Gehäuse 103 und das obere Gehäuse 104 als Referenzrahmen in der Abscheidungseinheit 100 dienen.
  • Das obere Gehäuse 104 weist die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und die erste Fördereinheit 410 der Fördereinheit 400 auf, während das untere Gehäuse 103 die zweite Fördereinheit 420 der Fördereinheit 400 aufweist. Während sich die Übermittlungseinheit 430 zyklisch zwischen der ersten Fördereinheit 410 und der zweiten Fördereinheit 420 bewegt, wird kontinuierlich ein Abscheidungsverfahren durchgeführt.
  • Nachfolgend sollen Komponenten der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht ausführlicher beschrieben werden.
  • Die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht weist die Abscheidungsquelle 110, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120, die Strukturierungsschlitzplatte 130, ein Abschirmelement 140, eine erste Stufe 150, eine zweite Stufe 160, eine Kamera 170 und einen Sensor 180 auf. Dabei können alle in 7 und 8 dargestellten Elemente in der Kammer 101 angeordnet sein, in der ein geeigneter Vakuumzustand aufrechterhalten wird. Diese Struktur ist notwendig, um die Linearität eines Abscheidungsmaterials zu erzielen.
  • Zur Abscheidung eines Abscheidungsmaterials 115, das von der Abscheidungsquelle 110 abgegeben wurde und durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 strömte, auf dem Substrat 2 in einem gewünschten Muster sollte in der (nicht gezeigten) Kammer der gleiche Vakuumzustand erhalten werden wie in einem Abscheidungsverfahren einer feinen Metallmaske (FMM). Zudem muss die Temperatur der Strukturierungsschlitzplatte 130 hinreichend niedriger als die Temperatur der Abscheidungsquelle 110 sein (etwa 100°C oder weniger), da die Wärmeausdehnung der Strukturierungsschlitzplatte 130 durch Temperaturen äußerst gering gehalten werden kann, wenn die Temperatur der Strukturierungsschlitzplatte 130 niedrig genug ist.
  • Das Substrat 2, auf dem das Abscheidungsmaterial 115 abgeschieden werden soll, ist in der Kammer 101 angeordnet. Das Substrat 2 kann ein Substrat für eine Flachanzeigetafelvorrichtung sein. Zum Beispiel kann ein großes Substrat, wie ein Mutterglas, zur Herstellung einer Vielzahl flacher Anzeigetafeln als Substrat 2 verwendet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Abscheidungsverfahren durchgeführt werden, wenn das Substrat 2 bezüglich der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt wird.
  • In einem konventionellen Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer feinen Metallmaske muss die Größe der feinen Metallmaske der Größe eines Substrats entsprechen. Mit steigender Größe des Substrats muss daher auch die feine Metallmaske groß sein. Aufgrund dieser Probleme sind die Herstellung der feinen Metallmaske und die Ausrichtung der feinen Metallmaske in einem präzisen Muster durch die Verlängerung der feinen Metallmaske schwierig.
  • Zur Überwindung dieser Probleme kann bei der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Abscheidung durchgeführt werden, während die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und das Substrat 2 bezüglich einander bewegt werden. Anders ausgedrückt, kann die Abscheidung kontinuierlich durchgeführt werden, während das Substrat 2, das der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht zugewandt ist, in Richtung einer Y-Achse bewegt wird. Das heißt, das die Abscheidung abtastend erfolgt, während das Substrat 2 in eine Richtung des in 7 dargestellten Bogens A bewegt wird. Obwohl das Substrat 2 in 7 derart dargestellt ist, dass es in der Kammer 101 in Richtung der Y-Achse bewegt wird, wenn die Abscheidung erfolgt, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Abscheidung durchgeführt werden, während die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht in Richtung der Y-Achse bewegt wird und das Substrat 2 in einer festen Position gehalten wird.
  • Dadurch kann bei der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht die Strukturierungsschlitzplatte 130 deutlich kleiner als eine bei einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske sein. Anders ausgedrückt, wird bei der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht die Abscheidung kontinuierlich, d. h. abtastend, durchgeführt, während das Substrat 2 in Richtung der Y-Achse bewegt wird. Dadurch kann zumindest eine der Längen der Strukturierungsschlitzplatte 130 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse deutlich kleiner sein als eine Länge des Substrats 2. Da die Strukturierungsschlitzplatte 130 deutlich kleiner als die in einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske ausgebildet sein kann, ist die Herstellung der Strukturierungsschlitzplatte 130 einfach. Das heißt, dass die kleine Strukturierungsschlitzplatte 130 bei allen Herstellungsverfahren, darunter Ätzen und die anschließenden Verfahren der präzisen Verlängerung, des Schweißens, des Übermittelns und des Reinigens, vorteilhafter als die in einem konventionellen Abscheidungsverfahren verwendete feine Metallmaske ist. Dies ist zudem vorteilhafter für die Herstellung einer relativ großen Anzeigevorrichtung.
  • Zur Durchführung der Abscheidung, während die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und das Substrat 2 bezüglich einander bewegt werden, wie dies weiter oben beschrieben ist, können die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht und das Substrat 2 in einem bestimmten Abstand voneinander beabstandet sein. Dies soll weiter unten ausführlicher beschrieben werden.
  • Die Abscheidungsquelle 110, die das Abscheidungsmaterial 115 enthält und erhitzt, ist auf einer Seite angeordnet, die einer Seite, auf der das Substrat 2 in der Kammer angeordnet ist, gegenüberliegt (zugewandt ist). Wenn das in der Abscheidungsquelle 110 enthaltene Abscheidungsmaterial 115 verdampft, wird die Abscheidung auf dem Substrat 2 durchgeführt.
  • Genauer, weist die Abscheidungsquelle 110 einen Schmelztiegel 111, der mit dem Abscheidungsmaterial 115 gefüllt ist, und eine Heizvorrichtung 112 auf, die den Schmelztiegel 111 erhitzt, so dass das Abscheidungsmaterial 115 zu einer Seite des mit dem Abscheidungsmaterial 115 gefüllten Schmelztiegels 111, insbesondere zur Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120, hin verdampft.
  • Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 110 angeordnet, insbesondere auf der Seite der Abscheidungsquelle 110, die dem Substrat 2 zugewandt ist.
  • Gemäß der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform können dabei Abscheidungsdüsen zur Ausbildung der gemeinsamen Schichten und der Musterschichten voneinander verschieden ausgebildet sein. Das heißt, dass eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 121 in Richtung einer Y-Achse, das heißt, in einer Abtastrichtung des Substrats 2, in der Abscheidungsquellen-Düseneinheit zur Ausbildung der Musterschichten ausgebildet sein kann. Dementsprechend ist nur eine Abscheidungsquellendüse 121 in Richtung einer X-Achse ausgebildet, so dass eine Schattenzone weitgehend reduziert wird. Obwohl dies in den Figuren nicht gezeigt ist, kann eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 121 in Richtung der X-Achse in der Abscheidungsquellen-Düseneinheit zur Ausbildung der gemeinsamen Schichten ausgebildet sein. Infolgedessen kann sich die Gleichmäßigkeit einer Dicke der gemeinsamen Schicht verbessern.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Strukturierungsschlitzplatte 130 zwischen der Abscheidungsquelle 110 und dem Substrat 2 angeordnet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 130 kann weiterhin einen (nicht gezeigten) Rahmen aufweisen, der eine einem Fensterrahmen ähnliche Form aufweist.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 131 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Das Abscheidungsmaterial 115, das in der Abscheidungsquelle 110 verdampfte, strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 und wird dann auf dem Substrat 2 abgeschieden. Dabei kann die Strukturierungsschlitzplatte 130 mittels des gleichen Verfahrens ausgebildet werden, das zur Ausbildung einer feinen Metallmaske, insbesondere einer Streifenmaske, verwendet wird, zum Beispiel durch Ätzen. Dabei kann eine Gesamtzahl der Strukturierungsschlitze 131 größer sein als eine Gesamtzahl der Abscheidungsquellendüsen 121.
  • Nachfolgend soll die besondere Anordnung jedes Elements des oberen Gehäuses 104 beschrieben werden.
  • Die Abscheidungsquelle 110 und die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 sind auf einem unteren Abschnitt des oberen Gehäuses 104 angeordnet. Aufnahmeabschnitte 104-1 sind jeweils derart auf beiden Seiten der Abscheidungsquelle 100 und der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 120 ausgebildet, dass sie eine vorstehende Form aufweisen. Die erste Stufe 150, die zweite Stufe 160 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 sind nacheinander in dieser Reihenfolge auf den Aufnahmeabschnitten 104-1 ausgebildet.
  • Dabei ist die erste Stufe 150 derart ausgebildet, dass sie sich in Richtung der X-Achse und der Y-Achse bewegen kann, so dass die erste Stufe 150 die Strukturierungsschlitzplatte 130 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse ausrichtet. Das heißt, dass die erste Stufe 150 eine Vielzahl von Aktoren aufweist, so dass die erste Stufe 150 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse bezüglich des oberen Gehäuses 104 bewegt wird.
  • Die zweite Stufe 160 ist derart ausgebildet, dass sie sich in Richtung einer Z-Achse bewegt, so dass sie die Strukturierungsschlitzplatte 130 in Richtung der Z-Achse ausrichtet. Das heißt, dass die zweite Stufe 160 eine Vielzahl von Aktoren aufweist und derart ausgebildet ist, dass sie sich bezüglich der ersten Stufe 150 in Richtung der Z-Achse bewegt.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist auf der zweiten Stufe 160 angeordnet. Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist auf der ersten Stufe 150 und der zweiten Stufe 160 angeordnet, so dass sie sich in die Richtung der X-Achse, der Y-Achse und der Z-Achse bewegt, wodurch eine Ausrichtung, insbesondere eine Ausrichtung in Echtzeit zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 erfolgen kann.
  • Außerdem können das obere Gehäuse 104, die erste Stufe 150 und die zweite Stufe 160 einen Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 derart lenken, dass sich das Abscheidungsmaterial 115, das durch die Abscheidungsquellendüsen 121 abgegeben wird, nicht außerhalb des Strömungswegs verteilt. Das heißt, dass der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 durch das obere Gehäuse 104, die erste Stufe 150 und die zweite Stufe 160 abgedichtet wird und dadurch die Bewegung des Abscheidungsmaterials 115 in Richtung der X-Achse und der Y-Achse gleichzeitig oder simultan gelenkt wird.
  • Das Abschirmelement 140 kann zwischen der Strukturierungsschlitzplatte 130 und der Abscheidungsquelle 110 angeordnet sein. Insbesondere ist ein Anoden- oder Kathodenmuster auf einem Randabschnitt des Substrats 2 ausgebildet und wird als Anschluss zur Überprüfung eines Produkts oder bei der Herstellung eines Produkts verwendet. Wird ein organisches Material in einer Region des Substrats 2 aufgebracht, so können die Anode oder die Kathode ihre Funktion nicht ausreichend ausüben. Daher ist der Randabschnitt des Substrats 2 derart ausgebildet, dass er eine Region, die keinen Film ausbildet, ist, in der kein organisches Material oder Ähnliches aufgebracht wird. Wie oben beschrieben, erfolgt bei der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht die Abscheidung allerdings abtastend, während das Substrat 2 bezüglich der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt wird, so dass es nicht leicht ist, zu verhindern, dass das organische Material in der Region des Substrats 2 abgeschieden wird, die keinen Film ausbildet.
  • Um zu verhindern, dass das organische Material, in der Region des Substrats 2 abgeschieden wird, die keinen Film ausbildet, kann daher bei der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht das Abschirmelement 140 auf dem Randabschnitt des Substrats 2 positioniert sein. Obwohl dies in 3 und 4 nicht im Einzelnen dargestellt ist, kann das Abschirmelement 140 zwei benachbarte Platten aufweisen.
  • Wenn das Substrat 2 nicht die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht durchläuft, schirmt das Abschirmelement 140 die Abscheidungsquelle 110 ab, so dass das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht zur Strukturierungsschlitzplatte 130 gelangt. Wenn das Substrat 2 in die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht gelangt, wobei das Abschirmelement 140 die Abscheidungsquelle 110 abschirmt, bewegt sich ein vorderer Teil des Abschirmelements 140, das die Abscheidungsquelle 110 abschirmt, gemeinsam mit der Bewegung des Substrats 2, wodurch der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 geöffnet wird und das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 durch die Strukturierungsschlitzplatte 130 strömt und auf dem Substrat 2 abgeschieden wird. Während das Substrat 2 die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht durchläuft, bewegt sich andererseits ein hinterer Teil des Abschirmelements 140 zusammen mit der Bewegung des Substrats 2 zum Abschirmen der Abscheidungsquelle 110, so dass der Strömungsweg des Abscheidungsmaterials 115 geschlossen wird. Infolgedessen gelangt das von der Abscheidungsquelle 110 abgegebene Abscheidungsmaterial 115 nicht zur Strukturierungsschlitzplatte 130.
  • Wie oben beschrieben, wird die Region des Substrats 2, die keinen Film ausbildet, vom Abschirmelement 140 abgeschirmt, wodurch sich ohne Verwendung einer separaten Struktur leicht verhindern lässt, dass das organische Material auf der Region des Substrats 2, die keinen Film ausbildet, abgeschieden wird.
  • Nachfolgend soll die Fördereinheit 400, die das Substrat 2, auf dem das Abscheidungsmaterial 115 abgeschieden werden soll, befördert, ausführlicher beschrieben werden.
  • Die Fördereinheit 400 weist die erste Fördereinheit 410, die zweite Fördereinheit 420 und die Übermittlungseinheit 430 auf.
  • Die erste Fördereinheit 410 befördert die Übermittlungseinheit 430 einschließlich des Trägers 431 und einer daran befestigten elektrostatischen Haltevorrichtung 432 sowie das an der Übermittlungseinheit 430 befestigte Substrat 430 linear, so dass mittels der Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine organische Schicht auf dem Substrat 2 ausgebildet werden kann. Die erste Fördereinheit 410 weist eine Spule 411, Führungsglieder 412, magnetisch aufgehängte obere Lager 413, magnetisch aufgehängte seitliche Lager 414 und Abstände erfassende Sensoren 415 und 416 auf.
  • Die zweite Fördereinheit 420 bringt nach Abschluss eines Abscheidungszyklus die Übermittlungseinheit 430, von der das Substrat 2 in der Entladeeinheit 300 getrennt wurde, zur Beladeeinheit 200 zurück, während die Übermittlungseinheit 430 die Abscheidungseinheit 100 durchläuft. Die zweite Fördereinheit 420 weist eine Spule 421, Rollenführungen 422 und eine Beschickungsspur 423 auf.
  • Die Übermittlungseinheit 430 weist den Träger 431, der entlang der ersten Fördereinheit 410 und der zweiten Fördereinheit 420 befördert wird, und die elektrostatische Haltevorrichtung 432 auf, die auf einer Oberfläche des Trägers 431 mit dieser Oberfläche verbunden ist und an der das Substrat 2 befestigt ist.
  • Nachfolgend soll jedes Element der Fördereinheit 400 ausführlicher beschrieben werden.
  • Der Träger 431 der Übermittlungseinheit 430 soll nun ausführlicher beschrieben werden.
  • Der Träger 431 weist einen Hauptkörperteil 431a, eine magnetische Schiene 431b, Module 431c zur kontaktlosen Energieversorgung (CPS), eine Energieversorgungseinheit 431d und Führungsnuten 431e auf. Der Träger 431 kann weiterhin Nockenfolger 431f aufweisen.
  • Der Hauptkörperteil 431a bildet einen Basisteil des Trägers 431 und kann aus einem magnetischen Material wie Eisen ausgebildet sein. Aufgrund einer Abstoßungskraft zwischen dem Hauptkörperteil 431a und den jeweiligen magnetisch aufgehängten oberen und magnetisch aufgehängten seitlichen Lagern 413 und 414, die weiter unten beschrieben werden sollen, kann der Träger 431 derart gehalten werden, dass er in einem bestimmten Abstand von den Führungsgliedern 412 beabstandet ist.
  • Die magnetische Schiene 413b kann entlang einer Mittellinie des Hauptkörperteils 431a in einer Richtung ausgebildet sein, in die der Hauptkörperteil 431a vorrückt. Die magnetische Schiene 431b und die Spule 411 können miteinander kombiniert sein, so dass sie einen Linearmotor bilden, und der Träger 431 kann vom linearen Motor in Richtung eines Bogens A befördert werden.
  • Die CPS-Module 431c und die Energieversorgungseinheit 431d können jeweils auf beiden Seiten der magnetischen Schiene 431b im Hauptkörperteil 431a ausgebildet sein. Die Energieversorgungseinheit 431d weist eine Batterie (z. B. eine wiederaufladbare Batterie) auf, die Energie liefert, so dass die elektrostatische Haltevorrichtung 432 das Substrat 2 einspannen kann, und die Operation aufrechterhält. Die CPS-Module 431c sind ein Modul zum kontaktlosen Aufladen, das die Energieversorgungseinheit 431d lädt. Insbesondere ist die in der zweiten Fördereinheit 420 ausgebildete Beschickungsspur 423, die weiter unten beschrieben werden soll, mit einem (nicht gezeigten) Inverter verbunden, so dass, wenn der Träger 431 in die zweite Fördereinheit 420 übermittelt wird, ein magnetisches Feld zwischen der Beschickungsspur 423 und den CPS-Modulen 431c ausgebildet wird, so dass das CPS-Modul 431c mit Energie versorgt wird. Die den CPS-Modulen 431c zugeführte Energie wird zum Laden der Energieversorgungseinheit 431d verwendet.
  • Die elektrostatische Haltevorrichtung 432 kann eine Elektrode aufweisen, die in einen aus Keramik ausgebildeten Hauptkörper eingebettet ist, wobei die Elektrode mit Energie versorgt wird. Das Substrat 2 wird auf einer Oberfläche des Hauptkörpers der elektrostatischen Haltevorrichtung 432 befestigt, wenn eine hohe Spannung an die Elektrode angelegt wird.
  • Nachfolgend sollen die erste Fördereinheit 410 und die Übermittlungseinheit 430 ausführlicher beschrieben werden.
  • Die erste Fördereinheit 410 befördert die elektrostatische Haltevorrichtung 432, die das Substrat 2 befestigt, und befördert den Träger 431, der die elektrostatische Haltevorrichtung 432 befördert. Dabei weist die erste Fördereinheit 410 die Spule 411, die Führungsglieder 412, (nicht gezeigte) magnetisch aufgehängte obere Lager, (nicht gezeigte) magnetisch aufgehängte seitliche Lager und (nicht gezeigte) Abstände erfassende Sensoren auf.
  • Die Spule 411 und die Führungsglieder 412 sind im oberen Gehäuse 104 ausgebildet. Die Spule 411 ist auf einem oberen Abschnitt des oberen Gehäuses 104 ausgebildet, und die Führungsglieder 421 sind jeweils auf beiden Innenseiten des oberen Gehäuses 104 ausgebildet.
  • Die Führungsglieder 412 führen den Träger 431 derart, dass er sich in eine Richtung bewegt. Dabei sind die Führungsglieder 412 derart ausgebildet, dass sie die Abscheidungseinheit 100 durchlaufen.
  • Insbesondere nehmen die Führungsglieder 412 beide Seiten des Trägers 431 auf, so dass der Träger 431 derart geführt wird, dass er sich entlang der Richtung des in 7 dargestellten Bogens A bewegt.
  • Die (nicht gezeigten) magnetisch aufgehängten seitlichen Lager sind jeweils in Seitenflächen des Führungsglieds 412 angeordnet, so dass sie jeweils mit beiden Seiten des Trägers 431 korrespondieren. Die magnetisch aufgehängten seitlichen Lager bewirken einen Abstand zwischen dem Träger 431 und dem Führungsglied 412, so dass der Träger 431 entlang der Führungsglieder 412 bewegt wird, ohne mit den Führungsgliedern 412 in Kontakt zu stehen.
  • Die (nicht gezeigten) magnetisch aufgehängten oberen Lager können in Seitenflächen der Führungsglieder 412 angeordnet sein, so dass sie sich über dem Träger 431 befinden. Die magnetisch aufgehängten oberen Lager ermöglichen es, dass der Träger 431 entlang der Führungsglieder 412 bewegt wird, ohne mit den Führungsgliedern 412 in Kontakt zu stehen.
  • Die Führungsglieder 412 können weiterhin die (nicht gezeigten) Abstände erfassenden Sensoren aufweisen, so dass ein Abstand zwischen dem Träger 431 und dem Führungsglied 412 gemessen wird.
  • Nachfolgend soll eine Arbeit der Übermittlungseinheit 430 ausführlicher beschrieben werden.
  • Die magnetische Schiene 431b der Hauptkörperteils 431a und die Spule 411 können miteinander kombiniert sein, so dass sie eine Arbeitseinheit bilden. Dabei kann die Arbeitseinheit ein Linearmotor sein. Verglichen mit einem konventionellen Gleitführungssystem weist der Linearmotor einen kleinen Reibungskoeffizienten, eine geringe Positionsabweichung und einen äußerst hohen Grad der Positionsbestimmung auf. Wie oben beschrieben, kann der Linearmotor die Spule 411 und die magnetische Schiene 431b aufweisen. Die magnetische Schiene 431b ist linear auf dem Träger 431 angeordnet, und eine Vielzahl der Spulen 411 kann in einem bestimmten Abstand auf einer Innenseite der Kammer 101 angeordnet sein, so dass sie der magnetischen Schiene 431b zugewandt sind. Da die magnetische Schiene 431b anstelle der Spule 411 auf dem Träger 431 angeordnet ist, kann der Träger 431 betrieben werden, ohne mit Energie versorgt zu werden.
  • Dabei kann die Spule 411 in einer Atmosphären (ATM)-Kammer ausgebildet sein. Obwohl der Linearmotor, verglichen mit einem konventionellen Gleitführungssystem, im Allgemeinen einen äußerst hohen Grad der Positionsbestimmung aufweist, ist es aufgrund des Ausgasens der Spule schwierig, den Linearmotor in einer Vakuumumgebung zu verwenden. In einem Fördersystem, das bei der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet wird, können die magnetische Schiene 431b und die Spule 411 betrieben werden, indem sie in einem Abstand von etwa 5 mm voneinander beabstandet sind, wodurch die Spule 411 in der ATM-Kammer in einer Luftatmosphäre enthalten ist und der Träger 431, an dem die magnetische Schiene 431 befestigt ist, in der Kammer 101, in der ein Vakuum aufrechterhalten wird, bewegt werden kann. Dies soll nun ausführlicher beschrieben werden.
  • Nachfolgend sollen die zweite Fördereinheit 420 und die Übermittlungseinheit 430 ausführlich beschrieben werden.
  • Die zweite Fördereinheit 420 bringt die elektrostatische Haltevorrichtung 432, von der das Substrat 2 in der Entladeeinheit 300 getrennt wurde, und den Träge 431, der die elektrostatische Haltevorrichtung 432 trägt, in die Beladeeinheit 200 zurück. Dabei weist die zweite Fördereinheit 420 die Spule 421, die Rollenführungen 422 und die Beschickungsspur 423 auf.
  • Insbesondere können die Spule 421, die Rollenführungen 422 und die Beschickungsspur 423 im unteren Gehäuse 103 positioniert sein. Die Spule 421 und die Beschickungsspur 423 können auf einer oberen Innenfläche des unteren Gehäuses 103 angeordnet sein, während die Rollenführungen 422 auf beiden Innenseiten des unteren Gehäuses 103 angeordnet sein können. Obwohl dies nicht in den Figuren dargestellt ist, kann die Spule 421 – wie die Spule 411 der ersten Fördereinheit 410 – in einer ATM-Kammer angeordnet sein.
  • Ebenso wie die erste Fördereinheit 410 kann die zweite Fördereinheit 410 die Spule 421 aufweisen. Weiterhin sind die magnetische Schiene 431b des Hauptkörperteils 431a des Trägers 431 und die Spule 421 miteinander kombiniert, so dass sie eine Arbeitseinheit bilden. Dabei kann die Arbeitseinheit ein Linearmotor sein. Der Träger 431 kann vom Linearmotor entlang einer Richtung bewegt werden, die der Richtung des in 7 dargestellten Bogens A entgegengesetzt ist.
  • Die Rollenführungen 422 leiten den Träger 431 derart, dass er sich in eine Richtung bewegt. Dabei sind die Rollenführungen 422 derart ausgebildet, dass sie die Abscheidungseinheit 100 durchlaufen. Insbesondere stützen die Rollenführungen 422 Nockenfolger 431f, die jeweils auf beiden Seiten des Trägers 431 ausgebildet sind, so dass sie den Träger 431 derart führen, dass er sich entlang einer Richtung bewegt, die der Richtung des in 7 dargestellten Bogens A entgegengesetzt ist. Das heißt, dass der Träger 431 mit den Nockenfolgern 431f bewegt wird, die auf beiden Seiten des Trägers 431 angeordnet sind, wobei sie jeweils entlang der Rollenführungen 422 rotieren. Dabei werden die Nockenfolger 431f als Lager verwendet, die zur präzisen Wiederholung einer besonderen Operation eingesetzt werden. Gemäß einer Ausführungsform ist eine Vielzahl der Nockenfolger 431f auf einer Seitenfläche des Trägers 431 ausgebildet und dient als Rad zur Beförderung des Trägers 431 in der zweiten Fördereinheit 420. Die Nockenfolger 431f sollen hierin nicht ausführlich beschrieben werden.
  • Die zweite Fördereinheit 420 wird somit in einem Verfahren zur Rückführung des Trägers 431 verwendet, von dem das Substrat 2 getrennt wurde, und nicht in einem Verfahren zur Abscheidung eines organischen Materials auf dem Substrat 2, weshalb bei ihr, anders als bei der ersten Fördereinheit 410, keine Positionsgenauigkeit erforderlich ist. Dadurch wirkt auf die erste Fördereinheit 410, für die eine hohe Positionsgenauigkeit erforderlich ist, eine magnetische Aufhängung, wodurch Positionsgenauigkeit erzielt wird, während für die zweite Fördereinheit 420, für die nur eine relativ geringe Positionsgenauigkeit erforderlich ist, ein konventionelles Walzverfahren angewandt wird. Auf diese Weise verringern sich die Herstellungskosten und wird die Struktur der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht vereinfacht. Obwohl dies in 8 nicht dargestellt ist, kann die magnetische Aufhängung ebenso wie für die erste Fördereinheit 410 auch für die zweite Fördereinheit 420 eingesetzt werden.
  • Die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann weiterhin die Kamera 170 und den Sensor 180 für ein Ausrichtungsverfahren aufweisen.
  • Genauer, kann die Kamera 170 in Echtzeit eine (nicht gezeigte) erste Ausrichtungsmarkierung, die im Rahmen 135 der Strukturierungsschlitzplatte 130 ausgebildet ist, und eine (nicht gezeigte) zweite Ausrichtungsmarkierung ausrichten, die auf dem Substrat 2 ausgebildet ist. Dabei ist die Kamera 170 derart angeordnet, dass sie präziser in die Kammer 101 blicken kann, in der während der Abscheidung ein Vakuum aufrechterhalten wird. Zu diesem Zweck kann die Kamera 170 in einer Kameraaufnahmeeinheit 171 in einem Atmosphärenzustand angebracht sein. Das heißt, dass ein Korridor in der Kammer 101 ausgebildet ist, der mit der Kamera 170 korrespondiert, so dass die Kamera 170 nach außen geöffnet ist, während die Kameraaufnahmeeinheit 171 derart ausgebildet ist, dass sie sich vom Korridor erstreckt. Dadurch kann die Kamera 170 in der Kameraaufnahmeeinheit 171 in einem Atmosphärenzustand angebracht sein, und im Inneren der Kammer 101 kann nach wie vor ein Vakuumzustand aufrecht erhalten werden. Aufgrund einer solchen Struktur können die Kameraaufnahmeeinheit 171 und die darin aufgenommene Kamera 170 in einer festen Position gehalten werden, obwohl sich die Kammer 101 mehrmals verkleinert und vergrößert. Dadurch kann die Kamera 170 präziser in die Kammer 101 blicken, in der während der Abscheidung ein Vakuum aufrechterhalten wird.
  • Da das Substrat 2 und die Strukturierungsschlitzplatte 130 in einem bestimmten Abstand voneinander beabstandet sind, müssen Abstände sowohl zum Substrat 2 als auch zur Strukturierungsschlitzplatte 130, die in verschiedenen Positionen angeordnet sind, mittels der Kamera 170 gemessen werden. Für diese Operation kann die Anordnung 100-1 zur Abscheidung einer organischen Schicht der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht den Sensor 180 aufweisen. Dabei kann der Sensor 180 ein konfokaler Sensor sein. Der konfokale Sensor kann einen zu messenden Gegenstand mittels eines Abtastspiegels durch mit Hochgeschwindigkeit rotierende Laserstrahlen abtasten und einen Abstand zu dem Gegenstand mittels fluoreszierender oder reflektierter Strahlen messen, die von den Laserstrahlen emittiert werden. Der konfokale Sensor kann einen Abstand durch Erfassen einer Grenzfläche zwischen verschiedenen Mitteln messen.
  • Das heißt, dass der Sensor 180, wie zum Beispiel ein konfokaler Sensor, in der Kammer 101 angeordnet ist und auf dem Substrat 2 positioniert ist. Der konfokale Sensor kann einen Abstand zu einer Oberseite des Substrats 2 durch Erfassen einer Grenzfläche zwischen der Oberseite des Substrats 2 und einem Zwischenraum messen und einen Abstand zu einer Unterseite des Substrats 2 durch Erfassen einer Grenzfläche zwischen der Unterseite des Substrats 2 und einem Zwischenraum messen. Zudem kann der Sensor 180 einen Abstand zu einer Oberseite der Strukturierungsschlitzplatte 130 durch Erfassen einer Grenzfläche zwischen einem Zwischenraum und der Strukturierungsschlitzplatte 130 messen. Somit kann der Sensor 180 einen Abstand zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 durch Messen eines Abstands zur Unterseite des Substrats 2 und eines Abstands zur Oberseite der Strukturierungsschlitzplatte 130 erhalten.
  • Da ein Abstand zwischen dem Substrat 2 und der Strukturierungsschlitzplatte 130 in Echtzeit mittels der Kamera 170 und des Sensors 180 gemessen werden kann, kann das Substrat 2 in Echtzeit mit der Strukturierungsschlitzplatte 130 ausgerichtet werden, so dass sich die Positionsgenauigkeit eines Musters erheblich verbessern lässt.
  • 9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Anordnung 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1, während 10 eine schematische seitliche Querschnittdarstellung der Vorrichtung 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 9 zeigt und 11 eine schematische ebene Querschnittdarstellung der Vorrichtung 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht aus 9 zeigt.
  • Zur leichteren Beschreibung sollen nachfolgend Unterschiede zur vorhergehenden Ausführungsform beschrieben werden.
  • Gemäß 9 bis 11 weist die Anordnung 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Abscheidungsquelle 710, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720, eine Barriereplattenanordnung 730 und eine Strukturierungsschlitzplatte 750 auf.
  • Die Anordnung 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann für die unten beschriebene Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht verwendet werden.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 750 kann zwischen der Abscheidungsquelle 710 und dem Substrat 2 angeordnet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 750 kann weiterhin einen (nicht gezeigten) Rahmen aufweisen, der eine einem Fensterrahmen ähnliche Form aufweist. Die Strukturierungsschlitzplatte 750 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 751 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Eine Zwischenregion 752 ist zwischen zwei benachbarten Strukturierungsschlitzplatten 751 ausgebildet.
  • Da die Strukturierungsschlitzplatte 750 die gleiche Struktur wie die Strukturierungsschlitzplatte 130 aufweist, soll sie hier nicht ausführlich beschrieben werden.
  • Das Abscheidungsmaterial 715, das in der Abscheidungsquelle 710 verdampfte, strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 und die Strukturierungsschlitzplatte 750 und wird dann auf dem Substrat 2 abgeschieden.
  • Die Abscheidungsquelle 710 weist einen Schmelztiegel 711, der mit dem Abscheidungsmaterial 715 gefüllt ist, und eine Heizvorrichtung 712, auf, die den Schmelztiegel 711 erhitzt, so dass das Abscheidungsmaterial 715 zu einer Seite des mit dem Abscheidungsmaterial 715 gefüllten Schmelztiegels 711, insbesondere zur Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720, hin verdampft. Außerdem ist die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 auf einer Seite der Abscheidungsquelle 710 angeordnet und weist die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 eine Vielzahl von Abscheidungsdüsen 721 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind.
  • Die Barriereplattenanordnung 730 ist auf einer Seite der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 angeordnet. Die Barriereplattenanordnung 730 weist eine Vielzahl von Barriereplatten 731 und einen Barriereplattenrahmen 732 auf, der Seiten der Barriereplatten 731 bedeckt. Die Vielzahl der Barriereplatten 731 kann in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse parallel zueinander angeordnet sein. Zudem kann jede der Barriereplatten 731 parallel zu einer in 9 dargestellten Y-Z-Ebene angeordnet sein und kann eine Rechteckform aufweisen. Die wie oben beschrieben angeordnete Vielzahl der Barriereplatten 731 teilt den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 und der Strukturierungsschlitzplatte 750 in eine Vielzahl von Abscheidungsteilräumen S. Bei der in 10 dargestellten Dünnfilmabscheidungsanordnung 700 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird ein Abscheidungsraum von den Barriereplatten 731 in die Abscheidungsteilräume S unterteilt, die jeweils mit den Abscheidungsquellendüsen 721 korrespondieren, durch die das Abscheidungsmaterial 715 abgegeben wird. Da die Barriereplatten 731, wie oben beschrieben, den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 720 und der Strukturierungsschlitzplatte 750 in Abscheidungsteilräume S teilen, vermischt sich das durch jede der Abscheidungsquellendüsen 721 abgegebene Abscheidungsmaterial nicht mit dem durch die anderen Abscheidungsquellendüsen 721 abgegebenen Abscheidungsmaterial 715 und strömt durch die Strukturierungsschlitze 751, so dass es auf dem Substrat 2 abgeschieden wird. Anders ausgedrückt, lenken die Barriereplatten 731 das Abscheidungsmaterial, das durch die Abscheidungsquellendüsenschlitze 721 abgegeben wird, derart, dass es sich gerade bewegt und nicht in Richtung der X-Achse strömt.
  • Wie oben beschrieben, kann durch die Sicherstellung der Linearität des Abscheidungsmaterials durch die Barriereplatten 731 eine kleinere Schattenzone auf dem Substrat 2 ausgebildet werden, so dass die Dünnfilmabscheidungsanordnung 700 und das Substrat 2 in einem festgesetzten oder vorbestimmten Abstand voneinander getrennt sein können.
  • Weiterhin wird das Substrat 2 in einem Zustand, in dem es durch die elektrostatische Haltevorrichtung der Übermittlungseinheit 430 befestigt ist, bezüglich der Anordnung 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, so dass das Abscheidungsverfahren durchgeführt werden kann.
  • Obwohl dies in den Figuren nicht dargestellt ist, kann die vorliegende Erfindung zudem eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweisen, die eine Vielzahl der Anordnungen 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform aufweist, so dass die Abscheidung durchgeführt wird, während das Substrat 2 jede der Anordnungen 700 zur Abscheidung einer organischen Schicht nacheinander durchlaufen kann.
  • 12 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Anordnung 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aus 1 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Zur leichteren Beschreibung sollen weiter unten Unterschiede zur vorhergehenden Ausführungsform beschrieben werden.
  • Gemäß 12 kann die Anordnung 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht eine Abscheidungsquelle 810, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 820, eine erste Barriereplattenanordnung 830, eine zweite Barriereplattenanordnung 840 und eine Strukturierungsschlitzplatte 850 aufweisen.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 850 kann zwischen der Abscheidungsquelle 810 und dem Substrat 2 angeordnet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 850 kann weiterhin einen (nicht gezeigten) Rahmen aufweisen, der eine einem Fensterrahmen ähnliche Form aufweist. Die Strukturierungsschlitzplatte 850 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 851 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Eine Zwischenregion 852 ist zwischen zwei benachbarten Strukturierungsschlitzen 851 ausgebildet.
  • Da die Strukturierungsschlitzplatte 850 die gleiche Struktur wie die Strukturierungsschlitzplatte 130 aufweist, soll sie hier nicht ausführlicher beschrieben werden.
  • Zudem entsprechen die Abscheidungsquelle 810 und die erste Barriereplattenanordnung 830 denjenigen der unter Bezugnahme auf 7 beschriebenen Ausführungsform, so dass sie hier nicht ausführlich beschrieben werden sollen. Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich insofern von der vorhergehenden Ausführungsform, als die zweite Barriereplattenanordnung 840 auf einer Seite der ersten Barriereplattenanordnung 830 angeordnet ist.
  • Genauer, weist die zweite Barriereplattenanordnung 840 eine Vielzahl zweiter Barriereplatten 841 und einen zweiten Barriereplattenrahmen 842 auf, der Seiten der zweiten Barriereplatten 841 bedeckt. Die Vielzahl der zweiten Barriereplatten 841 kann in gleichen Abständen in Richtung der X-Achse parallel zueinander angeordnet sein. Zudem kann jede der Barriereplatten 841 derart ausgebildet sein, dass sie sich in der in 12 dargestellten YZ-Ebene erstreckt, d. h. senkrecht zur Richtung der X-Achse.
  • Die wie oben beschrieben angeordnete Vielzahl der ersten Barriereplatten 831 und zweiten Barriereplatten 841 teilt den Raum zwischen der Abscheidungsquellen-Düseneinheit 820 und der Strukturierungsschlitzplatte 850. Der Abscheidungsraum wird von den ersten Barriereplatten 831 und den zweiten Barriereplatten 841 in Abscheidungsteilräume unterteilt, die jeweils mit den Abscheidungsquellendüsen 821 korrespondieren, durch die das Abscheidungsmaterial abgegeben wird.
  • Die zweiten Barriereplatten 841 können derart angeordnet sein, dass sie jeweils mit den ersten Barriereplatten 831 korrespondieren. Die zweiten Barriereplatten 841 können jeweils derart mit den ersten Barriereplatten 831 ausgerichtet sein, dass sie auf derselben Ebene wie die ersten Barriereplatten 831 parallel dazu ausgerichtet sind. Jedes Paar korrespondierender erster und zweiter Barriereplatten 831 und 841 kann auf derselben Ebene positioniert sein. Obwohl die ersten Barriereplatten 831 und die zweiten Barriereplatten 841 jeweils derart dargestellt sind, dass sie die gleiche Dicke in Richtung der X-Achse aufweisen, sind Aspekte der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Anders ausgedrückt, können die zweiten Barriereplatten 841, die genau mit den Strukturierungsschlitzen 851 ausgerichtet sein müssen, derart ausgebildet sein, dass sie relativ dünn sind, wohingegen die ersten Barriereplatten 831, die nicht genau mit den Strukturierungsschlitzen 151 ausgerichtet sein müssen, derart ausgebildet sein können, dass sie relativ dick sind. Dies erleichtert die Herstellung der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht.
  • Weiterhin wird das Substrat 2 in einem Zustand, in dem es durch die elektrostatische Haltevorrichtung der Übermittlungseinheit 430 befestigt ist, bezüglich der Anordnung 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, so dass das Abscheidungsverfahren durchgeführt werden kann.
  • Obwohl dies in 12 nicht dargestellt ist, kann die vorliegende Erfindung zudem eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweisen, die eine Vielzahl der Anordnungen 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform aufweisen, so dass die Abscheidung durchgeführt wird, während das Substrat 2 nacheinander jede der Anordnungen 800 zur Abscheidung einer organischen Schicht durchlaufen kann.
  • 13 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Anordnung 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Zur leichteren Beschreibung sollen unten Unterschiede zu den vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben werden.
  • Gemäß 13 weist die Anordnung 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Abscheidungsquelle 900, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 und eine Strukturierungsschlitzplatte 950 auf.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 950 kann zwischen der Abscheidungsquelle 910 und dem Substrat 2 angeordnet sein. Die Strukturierungsschlitzplatte 950 kann weiterhin einen (nicht gezeigten) Rahmen aufweisen, der eine einem Fensterrahmen ähnliche Form aufweist. Die Strukturierungsschlitzplatte 950 weist eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen 951 auf, die in Richtung der X-Achse angeordnet sind. Eine Zwischenregion 952 ist zwischen zwei benachbarten Strukturierungsschlitzen 951 ausgebildet.
  • Da die Strukturierungsschlitzplatte 950 die gleiche Struktur wie die Strukturierungsschlitzplatte 130 aufweist, soll sie hier nicht ausführlich beschrieben werden.
  • Dabei weist die Abscheidungsquelle 910 einen Schmelztiegel 911, der mit einem Abscheidungsmaterial 915 gefüllt ist, und eine Heizvorrichtung 912 auf, die den Schmelztiegel 911 erhitzt, so dass das Abscheidungsmaterial 915, das im Schmelztiegel 911 enthalten ist, verdampft, damit das verdampfte Abscheidungsmaterial 915 zur Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 bewegt wird. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 ist auf einer Seite der Abscheidungsquelle 910 angeordnet. Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 weist eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen 921 auf, die in Richtung der Y-Achse angeordnet sind.
  • Zudem können die Abscheidungsquelle 910 und die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 über ein Verbindungselement 935 mit der Strukturierungsschlitzplatte 950 verbunden sein.
  • Die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 weist die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen 921 auf, die in gleichen Abständen in Richtung der Y-Achse, d. h. in einer Abtastrichtung des Substrats 2, angeordnet sind. Das Abscheidungsmaterial 915, das in der Abscheidungsquelle 910 verdampft, strömt durch die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920 zum Substrat 2, das ein Abscheidungsziel darstellt. Wenn die Abscheidungsquellen-Düseneinheit 920, wie oben beschrieben, die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen 921 aufweist, die in Richtung der Y-Achse, d. h. in Abtastrichtung des Substrats 2, angeordnet sind. Da nur eine Linie von Abscheidungsdüsen 921 in Richtung der X-Achse existiert, wird auf dem Substrat 2 keine Schattenzone ausgebildet. Da die Vielzahl der Abscheidungsquellendüsen 921 in Abtastrichtung des Substrats 2 angeordnet ist, lässt sich zudem, auch wenn im Hinblick auf die Durchflussmenge ein Unterschied zwischen den Abscheidungsquellendüsen 921 besteht, der Unterschied kompensieren und eine gleichmäßige Abscheidung konstant aufrechterhalten.
  • Zudem wird das Substrat 2 in einem Zustand, in dem es durch die elektrostatische Haltevorrichtung der Übermittlungseinheit 430 befestigt ist, bezüglich der Anordnung 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt, so dass das Abscheidungsverfahren durchgeführt werden kann.
  • Obwohl dies in 13 nicht dargestellt ist, kann die vorliegende Erfindung zudem eine Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweisen, die eine Vielzahl von Anordnungen 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform aufweist, so dass die Abscheidung durchgeführt wird, während das Substrat 2 nacheinander jede der Anordnungen 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht durchlaufen kann.
  • 14 zeigt ein Diagramm, in dem die Strukturierungsschlitze dargestellt sind, die in gleichen Abständen in der Strukturierungsschlitzplatte der in 5 dargestellten Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet sind, während 15 ein Diagramm zeigt, in dem eine organische Schicht dargestellt ist, die mittels der in 14 dargestellten Strukturierungsschlitze auf dem Substrat ausgebildet wird.
  • In 14 und 15 ist die Strukturierungsschlitzplatte 130 dargestellt, in der Strukturierungsschlitze 131 in gleichen Abständen angeordnet sind. Das heißt, dass in 14 die Strukturierungsschlitze 131 die folgende Bedingung erfüllen: I1 = I2 = I3 = I4.
  • Die Strukturierungsschlitzplatte 130 ist am Rahmen 135 befestigt.
  • Gemäß dieser Ausführungsform ist ein Einfallswinkel eines entlang einer Mittellinie C eines Abscheidungsraums S abgegebenen Abscheidungsmaterials im Wesentlichen senkrecht zum Substrat 2. Dadurch weist eine organische Schicht P1, die mittels des Abscheidungsmaterials ausgebildet wurde, das durch einen Strukturierungsschlitz 131a strömte, eine kleinste Größe eines Schattens auf, während ein rechtsseitiger Schatten SR1 und ein linksseitiger Schatten SL1 symmetrisch zueinander ausgebildet werden. Dabei ist der Abscheidungsraum S ein Raum, auf dem das Abscheidungsmuster mittels der Strukturierungsschlitze 131 auf dem Substrat 2 ausgebildet wird.
  • Allerdings wird ein kritischer Einfallswinkel θ des Abscheidungsmaterials, das durch Strukturierungsschlitze strömt, die weiter von der Mittellinie C des Abscheidungsraums S entfernt sind, allmählich größer, so dass der kritische Einfallswinkel θ des Abscheidungsmaterials, das durch den äußersten Strukturierungsschlitz 131e strömt, etwa 55° beträgt. Das Abscheidungsmaterial fallt somit bei einer Neigung bezüglich der Strukturierungsschlitzplatte 131e ein, und eine organische Schicht P5, die mittels des Abscheidungsmaterials ausgebildet wurde, das durch den Strukturierungsschlitz 131e strömte, weist den größten Schatten auf. Insbesondere ist ein linksseitiger Schatten SR5 größer als ein rechtsseitiger Schatten SR5.
  • Wird der kritische Einfallswinkel θ des Abscheidungsmaterials größer, so nimmt auch die Größe des Schattens zu. Insbesondere nimmt die Größe des Schattens in einer Position zu, die weiter von der Mittellinie C des Abscheidungsraums S entfernt ist. Zudem wird der kritische Einfallswinkel θ des Abscheidungsmaterials größer, wenn ein Abstand zwischen der Mittellinie C des Abscheidungsraums S und den jeweiligen Strukturierungsschlitzen zunimmt. Dadurch weisen organische Schichten, die mittels des Abscheidungsmaterials ausgebildet werden, das durch die Strukturierungsschlitze strömt, die weiter von der Mittellinie C des Abscheidungsraums S entfernt sind, eine größere Schattengröße auf. Insbesondere ist von den Schatten auf beiden Seiten der jeweiligen organischen Schichten die Größe des Schattens in einer von der Mittellinie C des Abscheidungsraums S weiter entfernten Position größer als andere.
  • Gemäß 15 weisen die auf der linken Seite der Mittellinie C des Abscheidungsraums S ausgebildeten organischen Schichten also eine Struktur auf, bei der eine linke Hypotenuse (linke Schrägseite) größer als eine rechte Hypotenuse (rechte Schrägseite) ist, während die auf der rechten Seite der Mittellinie C des Abscheidungsraums S ausgebildeten organischen Schichten eine Struktur aufweisen, bei der eine rechte Hypotenuse (rechte Schrägseite) größer als eine linke Hypotenuse (linke Schrägseite) ist.
  • Zudem nimmt die Länge der linken Hypotenuse (linke Schrägseite) bei den auf der linken Seite der Mittellinie C des Abscheidungsraums S ausgebildeten organischen Schichten nach links zu. Bei den auf der rechten Seite der Mittellinie C des Abscheidungsraums S ausgebildeten organischen Schichten nimmt die Länge der rechten Hypotenuse (rechte Schrägseite) nach rechts zu. Dementsprechend können die im Abscheidungsraum S ausgebildeten organischen Schichten derart ausgebildet sein, dass sie um die Mittellinie C des Abscheidungsraums S symmetrisch zueinander sind.
  • Dabei erfüllen die kritische Einfallswinkel die folgende Bedingung: θb < θc < θd < θe, so dass die Größen der Schatten der organischen Schichten ebenfalls die folgende Bedingung erfüllen: SL1 < SL2 < SL3 < SL4 < SL5.
  • Die weiter oben beschriebene Schattenemissionsschicht SEML wird hauptsächlich aufgrund des während des Abscheidungsverfahrens auftretenden Schattens erzeugt. Das heißt dass zum Beispiel vor der Ausbildung der organischen Emissionsschicht EML(R), die rotes sichtbares Licht in der roten Zwischenschicht 32R emittiert, Schatten der organischen Emissionsschichten der blauen Zwischenschicht 32B oder der grünen Zwischenschicht 32G in der roten Zwischenschicht 32R bleiben, so dass die Schattenemissionsschicht SEML ausgebildet wird, und die organische Emissionsschicht EML(R) auf der Schattenemissionsschicht SEML ausgebildet wird.
  • Auf diese Weise beeinträchtigt die Schattenemissionsschicht SEML die Lichtemission der organischen Emissionsschicht EML(R). Das heißt, dass ein großer Anteil der Lichtemissionsregion in der organischen Emissionsschicht EML(R) auf der Grenzfläche zwischen der organischen Emissionsschicht EML(R) und der HTL auftritt und es gemäß der vorliegenden Ausführungsform zu einer abnormen Emission von der Schattenemissionsschicht SEML kommt, da die HTL und die Schattenemissionsschicht SEML miteinander in Kontakt stehen.
  • Die organische Emissionsschicht EML(R) gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist indes derart konfiguriert, dass sie das Lochtransportmaterial aufweist, wobei zum Beispiel das Wirtsmaterial das Lochtransportmaterial enthält, so dass die Lichtemissionsregion von der Schattenemissionsschicht SEML zur organischen Emissionsschicht EML(R) bewegt werden kann. Auf diese Weise lassen sich die Lichtemissionseigenschaften des roten sichtbaren Lichts verbessern, das von der Zwischenschicht 32R des roten Subpixels emittiert wird. Das heißt, dass sich die Lichtemissionseffizienz von der Zwischenschicht 32R des roten Subpixels verbessert und die Ansteuerspannung sich verringert.
  • 16 bis 18 zeigen Diagramme, in denen nacheinander ein Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 1000 aus 1 dargestellt ist. Das Herstellungsverfahren kann für die in 1 und 2 dargestellten organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen verwendet werden.
  • Gemäß 16 werden die erste Elektrode 30 und die Pixeldefinitionsschicht 31 auf dem Substrat 2 ausgebildet.
  • Gemäß 17 werden die Zwischenschichten 32R, 32G und 32B der Subpixel ausgebildet.
  • Die Zwischenschichten 32R, 32G und 32B können mittels der Vorrichtung 1 zur Abscheidung einer organischen Schicht mit den Anordnungen 700, 800 und/oder 900 zur Abscheidung einer organischen Schicht bewegt und nacheinander ausgebildet werden. Obwohl es zur Ausbildung der Schattenemissionsschicht SEML kommen kann, die die Lichtemissionseigenschaften verschlechtert, enthält die organische Emissionsschicht gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung das Lochtransportmaterial in der Ausführungsform, so dass die Lichtemissionseigenschaften verbessert werden.
  • Gemäß 18 wird dann die zweite Elektrode 33 auf der Zwischenschicht 32R, 32G und 32B ausgebildet und anschließend die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 vollständig ausgebildet.
  • Gemäß der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung und dem Verfahren zur Herstellung der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung lassen sich die lichtemittierenden Eigenschaften leicht verbessern.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele der Erfindung gezeigt wurde, können in dem Durchschnittsfachmann geläufiger Weise verschiedene Änderungen im Hinblick auf die Form und die Einzelheiten vorgenommen werden, ohne den in den nachfolgenden Ansprüchen und ihren Äquivalenten definierten Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2012-0126159 [0001]

Claims (15)

  1. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, aufweisend eine Vielzahl von Subpixeln auf einem Substrat, wobei jeder der Subpixel aufweist: eine erste Elektrode auf dem Substrat; eine Zwischenschicht auf der ersten Elektrode, die eine organische Emissionsschicht aufweist; und eine zweite Elektrode auf der Zwischenschicht, wobei zumindest ein Subpixel zur Emission von Licht einer Farbe unter den Subpixeln eine Schattenemissionsschicht zur Emission von Licht einer anderen Farbe zwischen der organischen Emissionsschicht und der ersten Elektrode aufweist, und wobei die organische Emissionsschicht des einen Subpixels ein Lochtransportmaterial aufweist.
  2. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Subpixel einen roten Subpixel, einen grünen Subpixel und einen blauen Subpixel aufweisen und wobei der eine Subpixel zur Emission des Lichts der Farbe der rote Subpixel ist, und wobei die Schattenemissionsschicht ein Material enthält, das in der organischen Emissionsschicht des grünen Subpixels und/oder der organischen Emissionsschicht des blauen Subpixels enthalten ist.
  3. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schattenemissionsschicht eine Vielzahl von Schichten zur Emission von Licht in voneinander verschiedenen Farben aufweist.
  4. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiterhin aufweisend eine Lochtransportschicht zwischen der ersten Elektrode und der Schattenemissionsschicht.
  5. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Lochtransportschicht eine mehrschichtige Struktur aufweist.
  6. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, und wobei ein Abscheidungsraum der Zwischenschicht ausgebildet wird, so dass eine fern von einer Mitte des Abscheidungsraums befindliche Schrägseite der Zwischenschicht länger als eine nahe der Mitte des Abscheidungsraums befindliche Schrägseite ist.
  7. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, und wobei in einem Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine von der Mitte des Abscheidungsraums entfernte Schrägseite der Zwischenschicht umso größer ist, je weiter sie von einer Mitte des Abscheidungsraums entfernt ist.
  8. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, und wobei in einem Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine Region der Zwischenschicht, die in einer Mitte des Abscheidungsraums angeordnet ist, einander gegenüberliegende schräge Seiten von im Wesentlichen gleicher Länge aufweist.
  9. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, und wobei eine Region, die in einer Mitte der Zwischenschicht angeordnet ist, basierend auf einer Mitte eines Abscheidungsraums der Zwischenschicht symmetrisch angeordnet ist.
  10. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Substrat eine Größe von 40 Zoll oder mehr aufweist.
  11. Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, und wobei ein Abscheidungsraum der Zwischenschicht eine ungleichmäßige Dicke aufweist.
  12. Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, wobei das Verfahren die Ausbildung einer Vielzahl von Subpixeln auf einem Substrat aufweist, wobei die Ausbildung der Subpixel aufweist: Ausbildung einer ersten Elektrode auf dem Substrat; Ausbildung einer Zwischenschicht, die eine organische Emissionsschicht aufweist, auf der ersten Elektrode; und Ausbildung einer zweiten Elektrode auf der Zwischenschicht, wobei zumindest ein Subpixel zur Emission von Licht einer Farbe unter den Subpixeln eine Schattenemissionsschicht zur Emission von Licht einer anderen Farbe zwischen der organischen Emissionsschicht und der ersten Elektrode aufweist, und wobei die organische Emissionsschicht des einen Subpixels ein Lochtransportmaterial aufweist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Schattenemissionsschicht während der Ausbildung der organischen Emissionsschichten des einen Subpixels zur Emission des Lichts der Farbe und eines weiteren Subpixels zur Emission des Lichts der anderen Farbe und vor der Ausbildung der organischen Emissionsschicht des einen Subpixels zur Emission des Lichts der Farbe unter den Subpixeln ausgebildet wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Zwischenschicht mittels einer Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht ausgebildet wird, die eine Vielzahl von Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweist, und wobei jede der Anordnungen zur Abscheidung einer organischen Schicht eine Abscheidungsquelle zur Abgabe eines Abscheidungsmaterials, eine Abscheidungsquellen-Düseneinheit, die auf einer Seite der Abscheidungsquelle angeordnet ist und eine Vielzahl von Abscheidungsquellendüsen aufweist, und eine Strukturierungsschlitzplatte aufweist, die derart angeordnet ist, dass sie der Abscheidungsquellen-Düseneinheit zugewandt ist, und eine Vielzahl von Strukturierungsschlitzen aufweist, wobei das von der Abscheidungsquelle abgegebene Abscheidungsmaterial durch die Strukturierungsschlitzplatte strömt und auf dem Substrat abgeschieden wird, so dass ein Abscheidungsverfahren durchgeführt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Ausbildung der Zwischenschicht mittels der Vorrichtung zur Abscheidung einer organischen Schicht aufweist: Befestigen des Substrats auf einer Übermittlungseinheit in einer Beladeeinheit; Befördern der Übermittlungseinheit, auf der das Substrat angeordnet ist, in eine Kammer über eine erste Fördereinheit, die derart konfiguriert ist, dass sie die Kammer durchläuft; Ausbildung der Zwischenschicht durch Bewegen des Substrats bezüglich der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht, so dass ein von der Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht abgegebenes Abscheidungsmaterial auf dem Substrat abgeschieden wird, in einem Zustand, in dem die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht in der Kammer angeordnet ist und die Anordnung zur Abscheidung einer organischen Schicht in der Kammer und das Substrat in einem festgesetzten Abstand voneinander beabstandet sind; Trennen des Substrats, auf dem die Abscheidung abgeschlossen ist, von der Übermittlungseinheit in einer Entladeeinheit; und Befördern der vom Substrat getrennten Übermittlungseinheit zur Beladeeinheit unter Verwendung einer zweiten Fördereinheit, die derart konfiguriert ist, dass sie die Kammer durchläuft.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6637601B2 (ja) * 2016-07-28 2020-01-29 シャープ株式会社 表示装置の製造方法および表示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120126159A (ko) 2011-05-11 2012-11-21 엘지전자 주식회사 이미지의 리사이징 방법, 이미지의 전송방법 및 전자기기

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176667A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ素子
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
JP4123106B2 (ja) * 2003-08-22 2008-07-23 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子
US7247394B2 (en) * 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
KR100719991B1 (ko) 2004-09-30 2007-05-21 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 소자
KR100669757B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100708655B1 (ko) 2004-11-27 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR101209040B1 (ko) * 2005-11-18 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101174877B1 (ko) * 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
CN102024908A (zh) 2009-09-23 2011-04-20 乐金显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
KR20110032589A (ko) 2009-09-23 2011-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN103124803B (zh) * 2010-09-27 2015-06-17 夏普株式会社 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120126159A (ko) 2011-05-11 2012-11-21 엘지전자 주식회사 이미지의 리사이징 방법, 이미지의 전송방법 및 전자기기

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