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ERFINDUNGSGEBIET
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Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf einen Gegentaktverstärker, auf einen Gegentakt-Differenzverstärker, auf eine Transceiver-Schaltung, die einen differentiellen Gegentaktverstärker umfasst, und auf eine mobile Kommunikationseinrichtung, die eine Transceiver-Schaltung aufweist.
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ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
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Die meisten modernen Kommunikationseinrichtungen oder Kommunikationssysteme mit hohem Durchsatz verlassen sich auf ein Konzept mit mehreren Ein- und Ausgängen, um eine breitere Übertragungsbandbreite zu unterstützen. Zum Beispiel spezifiziert der 4G LTE Standard eine Carrier Aggregation Lösung (CA), um seine effektive Bandbreite über 20 MHz auszudehnen. Das Carrier Aggregation Konzept schlägt vor, mehrere Komponententräger (component carriers) zusammenzuführen, um eine größere Gesamtübertragungsbandbreite zu bilden. Im Fall von Carrier Aggregation im selben Frequenzband liegen die Komponententräger im gleichen Band wie ein physikalischer Eingangs-Port. Daher besteht Bedarf für eine wirkungsvolle Trennung von Komponententrägern.
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US 2012 / 0 182 072 A1 beschreibt eine selbstvorspannende Hochfrequenzschaltung. Ein Hochfrequenzsignal wird über eine Schaltung verstärkt, die einen ersten Transistor aufweist, der dazu konfiguriert ist, Strom zu einem Ausgang der Schaltung zu liefern, und einen zweiten Transistor, der dazu konfiguriert ist, Strom von dem Ausgang der Schaltung zu ziehen, und ein weiteres Signal wird bereitgestellt, ohne aktive Schaltung, vom Ausgang der Schaltung zu einem Gate des ersten Transistors.
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US 7 920 027 B2 beschreibt, dass eine Nachbildungsschaltung mit im Wesentlichen derselben Topologie und Dimensionierung wie eine Gegentaktverstärkerschaltung mit einer Hauptgegentaktverstärkerschaltung gekoppelt ist. Ein Transistor in der Nachbildungsschaltung kann unter Verwendung von Rückkopplung vorgespannt werden, um einen vorbestimmten DC-Ausgangsspannungspegel zu erzeugen, und ein derartiger Vorspannungspegel kann an einen entsprechenden Transistor in der Hauptgegentaktverstärkerschaltung angelegt werden. In einer anderen Ausführungsform kann ein Transistor in einem Stromvorspannungsmodul verwendet werden, um entsprechende Transistoren in der Hauptgegentaktverstärkerschaltung und der Nachbildungsschaltung vorzuspannen.
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KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Ausführungsformen der Erfindung stellen Gegentaktverstärker bereit, der Verstärkereingang, eine Push-Verstärkerstufe, eine Pull-Verstärkerstufe und einen invertierenden Verstärkerausgang umfasst. Die Push-Verstärkerstufe umfasst eine erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung und zwei Transistoren eines ersten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom ersten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom ersten Transistortyp miteinander über einen ersten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die Pull-Verstärkerstufe umfasst eine zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung und zwei Transistoren eines zweiten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom zweiten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom zweiten Transistortyp miteinander über einen zweiten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die jeweiligen ersten Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe weisen Steuerkontakte auf, die mit dem Verstärkereingang verschaltet sind, wobei die jeweiligen einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen eine erste Seite, die mit dem Verstärkereingang verschaltet ist, und eine zweite Seite, die mit den jeweiligen gemeinsamen Knoten der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe verschaltet ist, aufweisen und wobei die zweiten Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der zweite Transistor der Pull-Verstärkerstufe Ausgangskontakte aufweisen, die zueinander und zum invertierenden Verstärkerausgang ausgeben.
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Eine weitere Ausführungsform stellt einen Gegentakt-Differenzverstärker bereit, der einen Differenzeingang, einen Differenzausgang, einen ersten Gegentaktverstärker und einen zweiten Gegentaktverstärker umfasst. Der Differenzeingang weist einen P-Eingang und einen N-Eingang auf, wobei der Differenzausgang einen N-Ausgang und einen P-Ausgang aufweist. Der erste Gegentaktverstärker ist zwischen dem P-Eingang und dem N-Ausgang angeordnet, und der zweite Gegentaktverstärker ist zwischen dem N-Eingang und dem P-Ausgang angeordnet. Jeder Gegentaktverstärker umfasst einen Verstärkereingang, der mit dem P-Eingang oder dem N-Eingang verbunden ist, eine Push-Verstärkerstufe, eine Pull-Verstärkerstufe und einen invertierenden Verstärkerausgang, der mit dem N-Ausgang oder dem P-Ausgang verbunden ist. Die Push-Verstärkerstufe umfasst eine erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung und zwei Transistoren eines ersten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom ersten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom ersten Transistortyp miteinander über einen ersten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die Pull-Verstärkerstufe umfasst eine zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung und zwei Transistoren eines zweiten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom ersten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom zweiten Transistortyp miteinander über einen zweiten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die jeweiligen ersten Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe weisen Steuerkontakte auf, die mit dem Verstärkereingang verschaltet sind, wobei die jeweiligen einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen eine erste Seite, die mit dem Verstärkereingang verschaltet ist, und eine zweite Seite, die mit den jeweiligen gemeinsamen Knoten der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe verschaltet ist, aufweisen und wobei der zweite Transistor der Push-Verstärkerstufe und der zweite Transistor der Pull-Verstärkerstufe je einen Ausgangskontakt aufweisen, die miteinander und mit dem invertierenden Verstärkerausgang verschaltet sind.
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Eine weitere Ausführungsform stellt einen Pull-Verstärker bereit, der einen Differenzeingang, einen Differenzausgang, einen ersten Gegentaktverstärker und einen zweiten Gegentaktverstärker umfasst. Der Differenzeingang weist einen P-Eingang und einen N-Eingang auf, wobei der Differenzausgang einen N-Ausgang aufweist, der einen ersten Kondensator umfasst, sowie einen P-Ausgang, der einen zweiten Kondensator umfasst. Der erste Gegentaktverstärker ist zwischen dem P-Eingang und dem N-Ausgang angeordnet, und der zweite Gegentaktverstärker ist zwischen dem N-Eingang und dem P-Ausgang angeordnet. Jeder Gegentaktverstärker umfasst einen Verstärkereingang, der mit dem P-Eingang oder mit dem N-Eingang verbunden ist, eine Push-Verstärkerstufe, eine Pull-Verstärkerstufe und einen invertierenden Ausgang, der mit dem N-Ausgang oder mit dem P-Ausgang verbunden ist. Die Push-Verstärkerstufe umfasst eine erste RC-Impedanz-Anpassungsschaltung, die eine Reihenschaltung aus einem ersten einstellbaren Widerstand und einem ersten Kondensator umfasst, und zwei MOSFET-Transistoren eines PMOS-Typs, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten MOSFET-Transistors vom PMOS-Typ und ein Eingangskontakt des zweiten MOSFET-Transistors vom PMOS-Typ miteinander über einen ersten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die Pull-Verstärkerstufe umfasst eine zweite RC-Impedanz-Anpassungsschaltung, die eine Reihenschaltung aus einem zweiten einstellbaren Widerstand und einem zweiten Kondensator umfasst, und zwei MOSFET-Transistoren eines NMOS-Typs, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten MOSFET-Transistors vom NMOS-Typ und ein Eingangskontakt des zweiten MOSFET-Transistors vom NMOS-Typ miteinander über einen zweiten gemeinsamen Knoten verschaltet sind. Die jeweiligen ersten MOSFET-Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe weisen Steuerkontakte auf, die mit dem Verstärkereingang verschaltet sind, wobei die jeweiligen einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen eine erste Seite, die mit dem Verstärkereingang verschaltet ist, und eine zweite Seite, die mit den jeweiligen gemeinsamen Knoten der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe verschaltet ist, aufweisen und wobei der zweite MOSFET-Transistor der Push-Verstärkerstufe und der zweite MOSFET-Transistor der Pull-Verstärkerstufe je einen Ausgangskontakt aufweisen, die miteinander und mit dem invertierenden Verstärkerausgang verschaltet sind. Die Push-Verstärkerstufen des ersten und des zweiten Gegentaktverstärkers umfassen einen oder mehrere die Verstärkung einstellende MOSFET-Transistoren vom PMOS-Typ, die parallel mit den jeweiligen zweiten MOSFET-Transistoren vom PMOS-Typ angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden MOSFET-Transistoren zwischen diesen jeweiligen ersten gemeinsamen Knoten und den jeweiligen invertierenden Verstärkerausgängen verbunden sind, wobei die Pull-Verstärkerstufen des ersten und des zweiten Gegentaktverstärkers einen oder mehrere die Verstärkung einstellende MOSFET-Transistoren vom NMOS-Typ umfassen, die parallel mit den jeweiligen zweiten MOSFET-Transistoren vom NMOS-Typ angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden MOSFET-Transistoren zwischen den jeweiligen zweiten gemeinsamen Knoten und den jeweiligen Verstärkerausgängen verbunden sind. Jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden MOSFET-Transistoren der Push-Verstärkerstufe umfasst einen die Differenzverstärkung aufhebenden MOSFET-Transistor vom PMOS-Typ, der zwischen den jeweiligen ersten gemeinsamen Knoten und einem jeweiligen nichtinvertierenden Verstärkerausgang verbunden ist, wobei jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden MOSFET-Transistoren der Pull-Verstärkerstufen einen die Differenzverstärkung aufhebenden MOSFET-Transistor vom NMOS-Typ umfasst, der zwischen den jeweiligen zweiten gemeinsamen Knoten und den jeweiligen nichtinvertierenden Verstärkerausgängen verbunden ist. Die nichtinvertierenden Verstärkerausgänge des ersten Gegentaktverstärkers sind mit dem invertierenden Verstärkerausgang des zweiten Gegentaktverstärkers verbunden, und die nichtinvertierenden Verstärkerausgänge des zweiten Gegentaktverstärkers sind mit dem invertierenden Verstärkerausgang des ersten Gegentaktverstärkers verbunden.
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Eine weitere Ausführungsform stellt eine Transceiver-Schaltung bereit, die einen ersten Gegentakt-Differenzverstärker umfasst. Der erste Gegentakt-Differenzverstärker umfasst einen Differenzeingang, einen Differenzausgang, einen ersten Gegentaktverstärker und einen zweiten Gegentaktverstärker. Der Differenzeingang weist einen P-Eingang und einen N-Eingang auf, wobei der Differenzausgang einen N-Ausgang und einen P-Ausgang aufweist und mit einem ersten Mischer, der zum Ausgeben einer Quadratur-Komponente (Q, quadrature component) eines Eingangssignals ausgelegt ist, und mit einem zweiten Mischer, der zum Ausgeben einer phasengleichen Komponente (I, in-phase component) eines Eingangssignals ausgelegt ist, verschaltet ist. Der erste Gegentaktverstärker ist zwischen dem P-Eingang und dem N-Ausgang angeordnet, und der zweite Gegentaktverstärker ist zwischen dem N-Eingang und dem P-Ausgang angeordnet. Jeder Gegentaktverstärker umfasst einen Verstärkereingang, der mit dem P-Eingang oder dem N-Ausgang verbunden ist, eine Push-Verstärkerstufe und eine Pull-Verstärkerstufe. Die Push-Verstärkerstufe umfasst eine erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung, zwei Transistoren eines ersten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom ersten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom ersten Transistortyp miteinander über einen ersten gemeinsamen Knoten verschaltet sind, und einen oder mehrere die Verstärkung einstellende Transistoren vom ersten Transistortyp, die parallel mit dem zweiten Transistor vom ersten Transistortyp angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom ersten Transistortyp zwischen dem ersten gemeinsamen Knoten und dem invertierenden Verstärkerausgang verbunden sind. Jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren eines ersten Transistortyps umfasst einen die Differenzverstärkung aufhebenden Transistor vom ersten Transistortyp, der zwischen dem ersten gemeinsamen Knoten und einem nichtinvertierenden Verstärkerausgang verbunden ist. Die Pull-Verstärkerstufe umfasst eine zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung, zwei Transistoren eines zweiten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom zweiten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom zweiten Transistortyp miteinander über einen zweiten gemeinsamen Knoten verschaltet sind, und einen oder mehrere die Verstärkung einstellende Transistoren vom zweiten Transistortyp, die parallel mit dem zweiten Transistor vom zweiten Transistortyp angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom zweiten Transistortyp zwischen dem zweiten gemeinsamen Knoten und dem invertierenden Verstärkerausgang verbunden sind. Jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom zweiten Transistortyp umfasst einen die Differenzverstärkung aufhebenden Transistor vom zweiten Transistortyp, der zwischen dem zweiten gemeinsamen Knoten und dem nichtinvertierenden Verstärkerausgang verbunden ist. Der invertierende Verstärkerausgang ist mit dem N-Ausgang oder mit dem P-Ausgang verbunden. Die jeweiligen ersten Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe weisen Steuerkontakte auf, die mit dem Verstärkereingang verschaltet sind, wobei die jeweiligen einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen eine erste Seite, die mit dem Verstärkereingang verschaltet ist, und eine zweite Seite, die ebenfalls mit den jeweiligen gemeinsamen Knoten der Push-Verstärkerstufe und der Pull-Verstärkerstufe verschaltet ist, aufweisen, und wobei die zweiten Transistoren der Push-Verstärkerstufe und der zweite Transistor der Pull-Verstärkerstufe je einen Ausgangskontakt aufweisen, die miteinander und mit dem invertierenden Verstärkerausgang verschaltet sind. Der nichtinvertierende Verstärkerausgang des ersten Gegentaktverstärkers ist mit dem invertierenden Ausgang des zweiten Gegentaktverstärkers verbunden, und der nichtinvertierende Verstärkerausgang des zweiten Gegentaktverstärkers ist mit dem invertierenden Verstärkerausgang des ersten Gegentaktverstärkers verbunden.
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Eine weitere Ausführungsform stellte eine mobile Kommunikationseinrichtung bereit, die eine Transceiver-Schaltung umfasst, die wenigstens einen Gegentakt-Differenzverstärker umfasst. Der Gegentakt-Differenzverstärker umfasst einen anderen Differenzeingang, einen Differenzausgang, einen ersten Gegentaktverstärker und einen zweiten Gegentaktverstärker. Der Differenzeingang weist einen P-Eingang und einen N-Eingang auf und der Differenzausgang weist einen N-Ausgang und einen P-Ausgang auf und ist mit einem ersten Mischer, der zum Ausgeben einer Quadratur-Komponente eines Eingangssignals ausgelegt ist, und mit einem zweiten Mischer, der zum Ausgeben einer phasengleichen Komponente eines Eingangssignals ausgelegt ist, verschaltet. Der erste Gegentaktverstärker ist zwischen dem P-Eingang und dem N-Ausgang angeordnet, und der zweite Gegentaktverstärker ist zwischen dem N-Eingang und dem P-Ausgang angeordnet. Jeder Gegentaktverstärker umfasst einen Verstärkereingang, der mit dem P-Eingang oder mit dem N-Eingang verbunden ist, eine Push-Verstärkerstufe und eine Pull-Verstärkerstufe. Die Push-Verstärkerstufe umfasst eine erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung, zwei Transistoren eines ersten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors eines ersten Transistortyps und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom ersten Transistortyp miteinander über einen ersten gemeinsamen Knoten verschaltet sind, und einen oder mehrere die Verstärkung einstellende Transistoren vom ersten Transistortyp, die parallel mit dem zweiten Transistor vom ersten Transistortyp angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom ersten Transistortyp zwischen dem ersten gemeinsamen Knoten und einem invertierenden Verstärkerausgang verbunden sind. Jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom ersten Transistortyp umfasst einen die Differenzverstärkung aufhebenden Transistor vom ersten Transistortyp, der zwischen dem ersten gemeinsamen Knoten und einem nichtinvertierenden Verstärkerausgang verbunden ist. Die Pull-Verstärkerstufe umfasst eine zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung und zwei Transistoren eines zweiten Transistortyps, die in Reihe angeordnet sind, so dass ein Ausgangskontakt des ersten Transistors vom zweiten Transistortyp und ein Eingangskontakt des zweiten Transistors vom zweiten Transistortyp miteinander über einen zweiten gemeinsamen Knoten verschaltet sind, und einen oder mehrere die Verstärkung einstellende Transistoren vom zweiten Transistortyp, die parallel mit dem zweiten Transistor vom zweiten Transistortyp angeordnet sind, so dass der eine oder die mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom zweiten Transistortyp zwischen dem zweiten gemeinsamen Knoten und dem invertierenden Verstärkerausgang verbunden sind. Jeder des einen oder der mehreren die Verstärkung einstellenden Transistoren vom zweiten Transistortyp umfasst einen die Differenzverstärkung aufhebenden Transistor vom zweiten Transistortyp, der zwischen den zweiten gemeinsamen Knoten und dem nichtinvertierenden Verstärkerausgang verbunden ist. Die jeweiligen ersten Transistoren der Push-Verstärkerstufen und der Pull-Verstärkerstufen weisen Steuerkontakte auf, die mit dem Verstärkereingang verschaltet sind, wobei die jeweiligen einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen eine erste Seite, die mit dem Verstärkereingang verschaltet ist, und eine zweite Seite, die mit den jeweiligen gemeinsamen Knoten der Push-Verstärkerstufen und der Pull-Verstärkerstufen verschaltet ist, aufweisen, und wobei der zweite Transistor der Push-Verstärkerstufen und der zweite Transistor der Pull-Verstärkerstufen Ausgangskontakte aufweisen, die miteinander und mit dem jeweiligen invertierenden Verstärkerausgang des ersten und zweiten Gegentaktverstärkers verschaltet sind. Der invertierende Verstärkerausgang ist mit dem N-Ausgang oder mit dem P-Ausgang verbunden. Der nichtinvertierende Verstärkerausgang des ersten Gegentaktverstärkers ist mit dem invertierenden Verstärkerausgang des zweiten Gegentaktverstärkers verbunden, und der nichtinvertierende Verstärkerausgang des zweiten Gegentaktverstärkers ist mit dem invertierenden Verstärkerausgang des ersten Gegentaktverstärkers verbunden.
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Figurenliste
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Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Figuren beschrieben.
- 1 zeigt ein Blockschaltbild eines Kommunikationssystems und einer mobilen Kommunikationseinrichtung, die einen Transceiver mit einem verbesserten Gegentaktverstärker aufweist;
- 2 zeigt ein Blockschaltbild einer beispielhaften Umsetzung eines Gegentakt-Differenzverstärkers, der verbesserte Gegentaktverstärker umfasst, die einstellbare Impedanz-Anpassungsschaltungen aufweisen;
- 3 zeigt ein Blockschaltbild einer beispielhaften Umsetzung eines Gegentakt-Differenzverstärkers, der verbesserte Gegentaktverstärker umfasst, die Mittel zur Verstärkungseinstellung oder zur Verstärkungsaufhebung aufweisen; und
- die 4a und 4b zeigen Blockschaltbilder einer beispielhaften Umsetzung von Transceivern, die verbesserte Gegentakt-Differenzverstärker aufweisen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Unterschiedliche Ausführungsformen der hierin offenbarten Lehren werden nachfolgend mit Bezug auf die 1 und 4 erörtert werden. Unten werden identische Referenznummern für Objekte mit identischen oder ähnlichen Funktionen bereitgestellt, so dass Objekte, die innerhalb der unterschiedlichen Ausführungsformen mit identischen Referenznummern bezeichnet werden, austauschbar und ihre Beschreibung für beide passend sind.
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1 zeigt eine Basisstation 10 und eine mobile Kommunikationseinrichtung 12, die über einen Downlink-Port 14a und einen Uplink-Port 14b einer Luftschnittstelle verbunden sind. Die mobile Kommunikationseinrichtung 12 umfasst einen Transceiver 16, von dem eine vergrößerte Ansicht gezeigt wird.
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Der Transceiver 16 ist mit der Antenne 18 verbunden und umfasst ein Analog-Frontend und einen Basisband-Prozessor 20. Das Analog-Frontend umfasst ein Signalteiler-Element 22, z. B. einen Zirkulator, einen Empfänger 24 und einen Transmitter (nicht dargestellt). Der Empfänger 24 ist zwischen dem Signalteiler-Element 22 und dem Basisband-Prozessor 20 angeordnet und umfasst in einer Ausführungsform mehrere parallele Signalpfade 28a und 28b, wobei jeder Signalpfad 28a und 28b mit dem Teilerelement 22 über einen Differenzeingang 26 des Empfängers 24 verbunden ist. Jeder Signalpfad 28a und 28b umfasst einen jeweiligen Differenzverstärker 30a und 30b und eine jeweilige Mischeranordnung 32a und 32b, die zwischen den Verstärkern 30a und 30b und dem Basisband-Prozessor 20 angeordnet sind.
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Wie oben erörtert wurde, ist Carrier Aggregation eine Lösung, um die Bandbreite des Downlink 14a und des Uplink 14b zwischen der Basisstation 10 und der mobilen Kommunikationseinrichtung 12 zu erhöhen. So werden mehrere Komponententräger 34a und 34b zusammengeführt, um eine große Gesamtübertragungsbandbreite für den Downlink-Port 14a oder den Uplink 14b zu bilden. Die folgende Erörterung bezieht sich auf den Downlink 14a, ist aber auch auf den Uplink 14b übertragbar. Die beiden Träger 34a und 34b, die für den Downlink 14b verwendet werden, werden vom Empfänger 24 empfangen. Ausführlicher: Der erste und zweite Träger 34a und 34b werden über die eine Antenne 18, über das Signalteiler-Element 22, das die eingehenden und ausgehenden Signale an den Empfänger 24 und den Transmitter (nicht dargestellt) verteilt, und über den Empfänger 24 empfangen. Im Falle von Carrier Aggregation wird der erste Träger 34a über den ersten Signalpfad 28a empfangen und verarbeitet, wobei der zweite Träger 34b über den zweiten Signalpfad 28b empfangen und verarbeitet wird. Weil die beiden Komponententräger 34a und 34b im gleichen Band mit einem physikalischen Eingangs-Port (Differenzeingang 26) liegen, werden die Komponententräger 34a und 34b getrennt, so dass diese möglicherweise in den zwei getrennten Eingangspfaden 28a und 28b verarbeitet werden. Unten werden Lösungen nach dem Stand der Technik für eine Trennung der Komponententräger 34a und 34b erörtert werden, ehe ein verbesserter Ansatz dafür erörtert werden wird.
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Eine Lösung nach dem Stand der Technik, die bei Wi-Fi und Edge-Evo angewendet wird, ist es, eine Träger-Trennung nach außerhalb des Transceiver-Chips zu verschieben, indem mehrere Antennen verwendet werden. Eine weitere Lösung nach dem Stand der Technik ist es, einen mit einer Antenne verbundenen Leistungsteiler in den Differenzeingang 26 zu integrieren, wobei der Leistungsteiler die Trennung oder, genauer, die Impedanz-Anpassung durchführt. Solch ein nicht auf dem Chip befindlicher Leistungsteiler verursacht möglicherweise zusätzliche Verluste, größere Platinenfläche, höhere Materialkosten (BOM, bill of materials) und umfangreichere Chip-Größe. Daher besteht ein Bedarf für einen verbesserten Ansatz, gemäß dem die Trennung der Komponententräger 34a und 34b innerhalb des Empfänger-Chips bzw. des Empfängers 24 vollbracht wird.
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Die Trennung der Komponententräger 34a und 34b im Empfänger 24 wird durch die Verwendung eines neuen Verstärkertyps für die Differenzverstärker 30a und 30b erreicht. Aufgrund der verbesserten Differenzverstärker 30a und 30b werden die Signalpfade 28a und 28b möglicherweise direkt mit der Antenne 18 über den Differenzeingang 26 verbunden, ohne den Leistungsteiler und das Signalteiler-Element 28. Daher umfasst jeder Gegentaktverstärker 30a und 30b Mittel zur Impedanz-Anpassung. Somit bauen die Differenzverstärker 30a und 30b, die auch als rauscharme Verstärker (LNA-Schaltung, low noise amplifier) bezeichnet werden und die eine Push-Pull-Konfiguration aufweisen, die Carrier Aggregation Architektur mit einem einzelnen Eingang und mehreren Ausgängen möglicherweise weiter aus. Solche Architektur führt zu einer geringen Chip-Größe und somit zu einer kleinen Platinenfläche (BOM). Weiterhin besitzt diese Carrier Aggregation Architektur geringes Rauschen und geringe Verluste.
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Mit Bezug auf 2 werden die Gegentaktverstärker 30a und 30b ausführlicher erörtert werden. 2 zeigt eine einfache Umsetzung von zwei Gegentaktverstärkern 40a und 40b, die zusammen einen Differenzverstärker 40 bilden und möglicherweise für den Transceiver 16 (vgl. Verstärker 30a, 30b) gemäß 1 angewendet werden.
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Der Gegentakt-Differenzverstärker 40 umfasst einen ersten Gegentaktverstärker 40a und einen zweiten Gegentaktverstärker 40b. Jeder Gegentaktverstärker 40a und 40b bildet einen single-ended Gegentaktverstärker. Der erste single-ended Gegentaktverstärker 40a, der als ein Inverter fungiert, ist zwischen einem P-Eingang 42a und einem N-Ausgang 44a angeordnet, wobei der zweite single-ended Gegentaktverstärker 40b, der ebenfalls als ein Inverter fungiert, zwischen einem N-Eingang 42b und einem P-Ausgang 44b angeordnet ist. Das heißt, dass der P-Eingang 42a und der N-Eingang 42b einen Differenzeingang 42 (= 42a + 42b) des Gegentakt-Differenzverstärkers 40 bilden und dass der N-Ausgang 44a (auch als invertierender Verstärkerausgang 44a bezeichnet) und der P-Ausgang 44b (auch als invertierender Verstärkerausgang 44b bezeichnet) einen Differenzausgang 44 (= 44a + 44b) des Gegentakt-Differenzverstärkers 40 bilden. Unten wird der Gegentaktverstärker 40a erörtert werden, der repräsentativ für den Gegentaktverstärker 40b ist. Folglich werden die Elemente des zweiten Gegentaktverstärker 40b mit den gleichen Referenznummern gekennzeichnet, wie sie im Kontext des Gegentaktverstärkers 40a erörtert wurden, was auf die nahezu identische Struktur der beiden Gegentaktverstärker 40a und 40b des Differenzverstärkers 40 zurückzuführen ist.
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Der Gegentaktverstärker 40a umfasst eine Push-Verstärkerstufe 46 und eine Pull-Verstärkerstufe 48. Die Push-Verstärkerstufe umfasst zwei Transistoren 46a und 46b, z. B. FET- oder MOSFET-Transistoren, die in Reihe verbunden sind, so dass ein Ausgangskontakt (z. B. ein Drain-Kontakt) des ersten Transistors 46a mit einem Eingangskontakt (z. B. einem Source-Kontakt) des zweiten Transistors 46b über einen ersten gemeinsamen Knoten 51 verbunden ist. Analog umfasst die Pull-Verstärkerstufe 48 zwei (FET- oder MOSFET-) Transistoren 48a und 48b, die in Reihe verbunden sind, so dass ein Ausgangskontakt (z. B. Drain-Kontakt) des ersten Transistors 48a mit einem Eingangskontakt (z. B. Source-Kontakt) des zweiten Transistors 48b über einen zweiten gemeinsamen Knoten 52 verbunden ist. Die beiden Verstärkerstufen 46 und 48 sind miteinander über einen jeweiligen Ausgangskontakt des jeweiligen zweiten Transistors 46b und 48b (z. B. über seinen jeweiligen Drain-Kontakt) an eine zentrale Anzapfung 50 verschaltet. Die Push-Verstärkerstufe 46 unterscheidet sich von der Pull-Verstärkerstufe 48 in Bezug auf ihren Transistortyp. So umfasst die Push-Verstärkerstufe 46 möglicherweise Transistoren eines ersten Transistortyps, z. B. PMOS-Transistoren, während die Pull-Verstärkerstufe 48 möglicherweise Transistoren eines zweiten Transistortyps, komplementär zum ersten Transistortyp, z. B. NMOS-Transistoren, umfasst. Diese verschalteten Ausgangskontakte bilden den N-Ausgang 44a, wobei der P-Eingang 42a mit jeweiligen Steuerkontakten, z. B. Gate-Kontakten, des jeweiligen ersten Transistors 46a und 48a der Push- und der Pull-Verstärkerstufe 46 und 48 verbunden ist. Weiterhin umfasst die Push-Verstärkerstufe 46 eine erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung 53, wobei die Pull-Verstärkerstufe 48 eine zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung 54 umfasst. Die beiden einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen 53 und 54 sind zwischen dem P-Eingang 42a und dem jeweiligen gemeinsamen Knoten 51 und 52 angeordnet.
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Der gezeigte Gegentaktverstärker 40a ist dazu ausgelegt, ein an den P-Eingang 42a angelegtes Verstärkersignal zu empfangen und das verstärkte Signal über den N-Ausgang 44a auszugeben, wenn eine Energieversorgung (nicht dargestellt) mit dem Gegentaktverstärker 40a verbunden ist. Zum Beispiel ist Masse möglicherweise mit dem Eingangskontakt des ersten Transistors 48a verbunden, während die Energieversorgung mit dem Eingangskontakt des ersten Transistors 46a verbunden ist. Die Push-Verstärkerstufe 46 liefert so Strom an den Verbraucher (bzw. ist Stromquelle für den Verbraucher) aus einer Plus-Energieversorgung, wobei die Pull-Verstärkerstufe 48 Strom verteilt (bzw. Stromsenke ist) vom Verbraucher zu Masse (oder zu einer Minus-Energieversorgung). Das heißt, dass die beiden Verstärkerstufen 46 und 48 gegenphasig betrieben werden, d. h. 180° auseinander liegen. Das führt zu weniger Verzerrung (im Vergleich zu einem einzelnen Verstärker), weil Nichtlinearitäten in den beiden Verstärkerstufen 46 und 48 aufgrund der symmetrischen Anordnung voneinander subtrahiert werden. Hier wird jede Verstärkerstufe 46 und 48 durch eine zweistufige Transistoranordnung gebildet, auch Kaskodenschaltung genannt (die die Transistoren 46a und 46b umfasst oder die die Transistoren 48a und 48b umfasst). Mit anderen Worten ausgedrückt: Der Gegentaktverstärker 40a ist aus zwei einstufigen Pseudo-Differenz-Transkonduktanzverstärkern aufgebaut, die zwei Paar komplementärer Transistoren 46a und 48a und auch 46b und 48b umfassen, die wie ein CMOS-Inverter verbunden sind. Aufgrund der Kaskodenschaltungsanordnung (Kaskodenschaltung 46a + 46b bzw. Kaskodenschaltung 48a und 48b) wird die Leistung jeder Verstärkerstufe 46 und 48 verbessert und weist eine hohe Stromstabilität auf. Die Grundlage davon ist, dass der erste Transistor 46a (48a) eine nahezu konstante Spannung an seinem Eingangskontakt und an seinem Ausgangskontakt aufweist. Dadurch wird nahezu jegliche Rückkopplung zum Steuerkontakt derselben 46a (48a) vermieden. Weiterhin weist der zweite Transistor 46b (48b) eine nahezu konstante Spannung an seinem Eingangskontakt und seinem Steuerkontakt auf, die einzigen Kontakte mit maßgeblicher Spannung sind so die Steuerkontakte (vgl. P-Eingang 42a) des ersten Transistors 46a (48a) und der Ausgangskontakt (vgl. N-Ausgang 44a) des zweiten Transistors 46b (48b). Weiterhin ist der P-Eingang 42a aufgrund dieser Anordnung vom N-Ausgang 44a durch den jeweiligen zweiten Transistor 46b und 48b effektiv isoliert. Ein weiterer Vorteil der Kaskodenschaltungsanordnung 46a + 46b bzw. 48a + 48b ist die hohe Eingangsimpedanz.
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Die Eingangsimpedanz wird möglicherweise über die zwei einstellbaren RC-Impedanz-Schaltungen 53 und 54 eingestellt. Aufgrund der Anordnung der einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen 53 und 54 zwischen dem jeweiligen ersten und zweiten gemeinsamen Knoten 51 und 52 und dem P-Eingang 42a bilden die RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen zwei getrennte Rückkopplungsschleifen. So wird die Eingangsimpedanz möglicherweise durch das Rückkoppeln eines Ausgangssignals vom Ausgang 44a zum Eingang 42a reduziert. Um diese Rückkopplung einzustellen, ist jede Impedanz-Anpassungsschaltung 53 und 54 über einen einstellbaren Widerstand oder über einen einstellbaren Kondensator einstellbar. Aufgrund der einstellbaren RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen 53 und 54 ist der Gegentaktverstärker 40a möglicherweise als ein spulenloser rauscharmer Verstärker umgesetzt, der eine reduzierte Platinenfläche aufweist im Vergleich zu einem Verstärker, der Spulen umfasst und der normalerweise einen hohen Platzbedarf besitzt.
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Gemäß weiteren Umsetzungen ist ein jeweiliger Kondensator 55 und 56 möglicherweise zwischen dem Eingang 42a und dem Steuerkontakt (z. B. einen Gate-Kontakt) des jeweiligen ersten Transistors 46a und 48a angeordnet. Aufgrund dieser Kondensatoren 35 und 55 ist dieser Eingang 42a wechselspannungsverschaltet, um eine gemeinsame Modus-Einstellung im Pseudo-Differenz-Push-Pull-Modus zu ermöglichen.
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3 zeigt eine weitere Umsetzung eines Gegentakt-Differenzverstärkers 60. Der Gegentakt-Differenzverstärker 60 umfasst einen ersten Gegentaktverstärker 60a und einen zweiten Gegentaktverstärker 60b, die im Wesentlichen den Gegentaktverstärkern 40a und 40b aus 2 gleichen. Gemäß der Beschreibung von 2 wird der Gegentaktverstärker 60a entsprechend für den Gegentaktverstärker 60b beschrieben werden.
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In dieser anderen Umsetzung umfasst jede Verstärkungsstufe 46 und 48 der Gegentaktverstärker 60a und 60b mehrere die Verstärkung einstellende Transistoren. Die die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a und 64a der Push-Verstärkerstufe 46 sind parallel mit dem zweiten Transistor 46b verbunden, so dass die die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a und 64a zwischen dem ersten gemeinsamen Knoten 51 und der zentralen Anzapfung 50 verbunden sind (und somit mit dem N-Ausgang 44a). Die die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a und 64a sind ebenfalls vom ersten Transistortyp. Die Pull-Verstärkerstufe 48 umfasst ebenfalls zwei die Verstärkung einstellende Transistoren 62b und 64b vom zweiten Transistortyp, die parallel zum zweiten Transistor 48b angeordnet sind (d. h. zwischen dem zweiten gemeinsamen Knoten 52 und der zentralen Anzapfung 50). Diese die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b und 64b sind mit ihrem jeweiligem Eingangskontakt an den jeweiligen gemeinsamen Knoten 51 und 52 und mit ihren jeweiligen Ausgangskontakten an der zentralen Anzapfung 50 angeordnet, wobei dieselben über ihre Steuerkontakte selektiv schaltbar sind, indem ein Steuersignal „b“ und/oder „c“ verwendet wird (gekennzeichnet mit b und c), so dass möglicherweise eine stufenweise Verstärkungseinstellung erreicht wird. Aufgrund dieser die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b und 64b werden Verstärkungsstufen umgesetzt, indem der Strom, der durch die Push-Verstärkerstufe 46 und die Pull-Verstärkerstufe 48 fließt, in jeweilige Anteile aufgeteilt wird, die von den jeweiligen angesteuerten Transistoren 46b (Steuersignal „a“), 62a (Steuersignal „b“) und 64a (Steuersignal „c“) oder 48b (Steuersignal „a“), 62b (Steuersignal„b“) und 64b (Steuersignal „c“) abhängig sind.
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In einem Beispiel ist jeder dieser die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b und 64b mit einem die Differenzverstärkung aufhebenden Transistor 62a', 64a', 62b' und 64b' kombiniert, die zwischen den jeweiligen gemeinsamen Knoten 51 und 52 und einem nichtinvertierenden Verstärkerausgang 44a' angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass die die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a' und 64a' vom ersten Transistortyp sind, wobei die die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62b' und 64b' vom zweiten Transistortyp sind. Die die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 64a', 62b' und 64b' bilden ein Gegenstück zu den die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b und 64b, so dass die die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 64a', 62b' und 64b' dazu ausgelegt sind, die zugeordnete Menge von verstärktem Strom an den Komplementärausgang 44b bzw. 44a zurückzuleiten. Demzufolge ist der nichtinvertierende Ausgang 44a' des ersten Gegentaktverstärkers 60a mit dem invertierenden Ausgang 44b des zweiten Gegentaktverstärkers 60b verbunden, so dass die Verstärkung möglicherweise reduziert wird, indem der erste Gegentaktverstärker 60a mit dem Ausgang 44b des zweiten Gegentaktverstärkers 60b verschaltet wird, wenn der die Verstärkung aufhebende Modus über ein Steuersignal aktiviert wird, das an den Steuerkontakt der die Verstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 64a', 62b' und 64b' angelegt wird (vgl. Steuersignale „bx“, „cx“). Analog umfasst der zweite Gegentaktverstärker 60b ebenfalls einen nichtinvertierenden Ausgang 44b', der mit dem invertierenden Ausgang 44a des ersten Gegentaktverstärkers 68a über die zentrale Anzapfung 50 verbunden ist, so dass möglicherweise eine Verstärkungsreduzierung ausgeführt wird. Das heißt, dass jeweilige Verstärkungsschritte durch eine Kombination von Ansteuern der die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b und 64b mit dem Ansteuern der die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 64a', 62b' und 64b' gebildet werden. Es sei angemerkt, dass die jeweiligen Verstärkungsschritte (vgl. 62a und 62b oder 64a und 64b) der Push-Verstärkerstufe 46 und der Pull-Verstärkerstufe 48 typischerweise zeitgleich angesteuert werden. Im Gegensatz dazu werden die die Verstärkung einstellenden Transistoren 62a, 64a, 62b, 64b typischerweise nicht zur gleichen Zeit angesteuert, zu der die die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 62b', 64a' und 64b' angesteuert werden.
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In dieser Umsetzung wird die erste einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung 53 durch einen Kondensator 53a und einen einstellbaren Widerstand 53b realisiert, wobei die zweite einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung 54 durch einen Kondensator 54a und einen einstellbaren Widerstand 54b realisiert wird. Zum Beispiel umfassen die einstellbaren Widerstände 53b und 54b möglicherweise ein programmierbares Widerstandsnetzwerk, das mehrere schaltbare Widerstände aufweist, so dass möglicherweise der Widerstandswert derselben eingestellt wird. Alternativ umfasst die einstellbare RC-Anpassungsschaltung 53 und 54 möglicherweise ein programmierbares Kapazitätsnetzwerk zum Anpassen der Impedanz.
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Wie oben erörtert wurde, wird die Energieversorgung für jeden Gegentaktverstärker 60a und 60b möglicherweise zwischen den Eingangskontakten der ersten Transistoren 46a und 48a angelegt. Somit ist der Eingangskontakt des ersten Transistors 48a der Pull-Verstärkerstufe 48 mit einem Masseanschlusspunkt 65 über einen optionalen Widerstand 67 verschaltet, wobei der Eingangskontakt des ersten Transistors 46a der Push-Verstärkerstufe 46 mit einem Vdd-Anschlusspunkt 66 über einen optionalen Widerstand 68 verschaltet ist. Diese passende Widerstands-Source-Degeneration, die von den Widerständen 67 und 68 gebildet wird, kann optional genutzt werden, um die Linearität und den Kompressionspunkt des Verstärkers 40 zu beweisen.
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Gemäß einer anderen Umsetzung wird ein jeweiliger Steueranschlusspunkt 69 und 70 möglicherweise direkt mit dem (Gate-) Steuerkontakt der jeweiligen ersten Transistoren 46a und 48a verbunden, um die Vorspannung der beiden Transistoren 46a und 48a einzustellen. Aufgrund der optionalen Kondensatoren 55 und 56 sind die jeweiligen Steueranschlusspunkte 70 und 69 vom Eingang 42a und somit voneinander getrennt, so dass jede (Gate-) Vorspannung der Push-Verstärkerstufe 46 und der Pull-Verstärkerstufe 48 möglicherweise getrennt eingestellt wird.
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Gemäß einer anderen Umsetzung umfassen die Ausgänge 44a bzw. 44b den Kondensator 72a bzw. 72b, um wechselspannungsverschaltete Ausgänge bereitzustellen, die verhindern, dass irgendein Gleichstrom durch den Differenzausgang 44 fließt.
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Zwei Anwendungen der oben erörterten Differenzverstärker 40 und 60 werden unten erörtert werden, mit besonderer Betonung auf den Vorteilen der oben erörterten Differenzverstärker.
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4a zeigt einen Empfänger 80, der wenigstens zwei Signalpfade 28a und 28b aufweist. Jeder Signalpfad 28a und 28b umfasst einen verbesserten Verstärker 40 oder 60 (OTA, operational transconductance amplifier) und eine Mischeranordnung 82, die mit dem jeweiligen Differenzverstärker 40 oder 60 über einen Kondensator 72a für den (invertierenden) N-Ausgang 44a und einen Kondensator 72b für den (invertierenden) P-Ausgang 44b wechselspannungsverschaltet ist. Die Mischeranordnung 82, auch als IQ-Demodulator (IQ, in-phase quadrature) bezeichnet, des ersten Signalpfads 28a umfasst einen ersten Mischer 82a, z. B. einen 25%-Tastverhältnis-Mischer, der dazu ausgelegt ist, eine phasengleiche Komponente (reeller Teil) des empfangenen Signals 32a an den Basisband-Prozessor 20 auszugeben, und einen zweiten Mischer 82b, z. B. einen 25%-Tastverhältnis-Mischer, der dazu ausgelegt ist, eine Quadratur-Komponente (Imaginärteil) des empfangenen Signals 32a an den Basisband-Prozessor 20 auszugeben. Umgekehrt ist die Mischeranordnung 82 des zweiten Signalpfades 28b im Wesentlichen gleich zur obigen Mischeranordnung 82. So umfasst die Mischeranordnung 82 des zweiten Signalpfades 28b ebenfalls den ersten Mischer 82a, der zum Ausgeben einer phasengleichen Komponente des weiteren empfangenen Signals 32b an den Basisband-Prozessor 20 ausgelegt ist, und einen zweiten Mischer 82b, der zum Ausgeben einer Quadratur-Komponente des weiteren empfangenen Signals 32b an den Basisband-Prozessor 20 ausgelegt ist.
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Aufgrund der verbesserten Gegentakt-Differenzverstärker 40, 60, welche einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltungen (nicht dargestellt) aufweisen, ist der Differenzeingang 26 des Empfängers 80 möglicherweise direkt mit den Verstärkern 40, 60 (und den Differenzeingängen 42 der Verstärker 40 bzw. 60) der zwei oder mehreren Signalpfade 28a und 28b verbunden, wobei jeder Signalpfad 28a und 28b möglicherweise zum Verarbeiten eines ausgewählten Trägers 32a oder 32b der mehreren empfangenen Träger 32a und 32b verwendet wird. Das heißt, dass die Verstärker 40, 60 der mehreren Signalpfade 28a und 28b direkt mit dem Differenzeingang 26 bzw. mit dem einen physikalischen Eingangspfad 26 verbunden sind. Dadurch kann jeder Komponententräger-Pfad 28a und 28b ausgewählt werden, ohne andere Pfade zu beeinflussen, allein durch Ein- und Ausschalten der richtigen Gegentakt-Differenzverstärker 40 oder 60, während im Betrieb die Kaskodenschaltung zwischen Mischern die Interferenz des entgegengesetzten Mischer-LO-Signals (LO, local oscillator) effektiv unterdrückt. Die jeweiligen Gegentakt-Differenzverstärker 40 oder 60 werden möglicherweise über das Steuersignal „a“ geschaltet, das an den jeweiligen Steuerkontakten der zweiten Transistoren angelegt wird (vgl. 3). Die Eingangsanpassung in diesem Modus kann tastend eingestellt werden, indem die einstellbare RC-Impedanz-Anpassungsschaltung (nicht dargestellt) programmiert wird, um Reflektionen an der Eingangsseite zu reduzieren, speziell im Fall eines aktivierten (oder deaktivierten) weiteren Signalpfades 28a oder 28b, z. B. zum Verarbeiten eines weiteren Trägers 32a oder 32b.
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Nach dem Verarbeiten oder Verstärken des empfangenen Signals 32a oder 32b werden selbige möglicherweise über den jeweiligen Differenzverstärkerausgang 44 des Differenzverstärkers 40, 60 ausgegeben. Die Kondensatoren 72a und 72b des Differenzausgangs 44 des Differenzverstärkers 40 und 60 verhindern, dass irgendein Gleichstrom durch die Mischeranordnung 82 fließt, und filtern eventuelle Intermodulationsprodukte oder (Flicker-) Rauschen, das im Basisband-Prozessor 20 liegt. Es sei angemerkt, dass die gezeigten Verbindungen zwischen den einzelnen Elementen, die durch eine einzelne Linie veranschaulicht werden, eine Zweidraht-Differenzschaltung sind, die einen P-Leiter und einen N-Leiter aufweist.
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4b zeigt eien Empfänger 90, der im Wesentlichen dem Empfänger 80 gleicht. Hier sind die Ausgangskondensatoren in die Mischer 82a und 82b des Mischers integriert, der mit 82 angeordnet ist. So umfasst der Mischer 82a die Kondensatoren 84a für den P-Ausgang und den N-Ausgang, die von den Kondensatoren 84b des Mischers 82b für den P-Ausgang und den N-Ausgang getrennt sind. Aufgrund dessen sind die beiden Mischer 82a und 82b nicht mehr wechselspannungsverschaltet, so dass ein durch den Hilfsmischer verursachtes Schlechterwerden des Signals möglicherweise verhindert wird.
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Bezugnehmend auf die 2 und 3 sei angemerkt, dass jeder der beschriebenen single-ended Differenzverstärker 40a und 60a möglicherweise als ein single-ended Verstärker verwendet werden kann, also ohne den zweiten Gegentaktverstärker 40b und 60b.
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Bezugnehmend auf 3 sei angemerkt, dass die beiden Gegentaktverstärker 60a und 60b möglicherweise mehr als die gezeigten vier die Verstärkung einstellenden Verstärker 62a, 64a, 62b und 64b je Gegentaktverstärker 60a oder 60b umfassen und folglich mehr als die gezeigten vier die Differenzverstärkung aufhebenden Transistoren 62a', 64a' , 62b' und 64b' .
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Bezugnehmend auf 4 sei angemerkt, dass der Transceiver 80 oder 90 möglicherweise mehr als die gezeigten zwei Signalpfade 28a und 28b zum parallelen Empfangen weiterer Träger aufweist.
