DE102013102213A1 - Miniaturisiertes Bauelement und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird ein verbessertes verkapseltes Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines verkapselten Bauelements angegeben. Das Bauelement umfasst ein Trägersubstrat, eine funktionale Struktur, eine Dünnschicht-Abdeckung und eine glasumfassende Verstärkungsschicht. Das Trägersubstrat, die Dünnschicht-Abdeckung und die Verstärkungsschicht umschließen zusammen einen Hohlraum um zumindest Teile der funktionalen Struktur.

Description

  • Die Erfindung betrifft miniaturisierte Bauelemente, z.B. MEMS-Bauelemente oder mikroakustische Bauelemente, und Verfahren zur Herstellung solcher Bauelemente.
  • Das Miniaturisieren von Bauelementen wird durch den anhaltenden Trend zur Integration von zusätzlichen Funktionen in tragbare Geräte wie z.B. Mobiltelefone oder andere drahtlose Kommunikationsgeräte, in denen die Bauelemente verbaut sind, erzwungen. Solche Bauelemente können z.B. MEMS-Strukturen wie MEMS-Schalter oder mit akustischen Wellen arbeitende Filter als funktionale Strukturen umfassen.
  • Es gibt funktionale Strukturen, die von ihrer Umgebung entkoppelt werden müssen, damit sie wie vorgesehen arbeiten können. Eine Entkoppelung kann in einer hermetischen Abkapselung oder in einer mechanischen Entkopplung bestehen. Mit akustischen Wellen arbeitende Bauelemente, z.B. SAW-Bauelemente (SAW = surface acoustic wave = akustische Oberflächenwelle), BAW-Bauelemente (BAW = bulk acoustic wave = akustische Volumenwelle) oder GBAW-Bauelemente (GBAW = guided bulk acoustic wave = geführte akustische Volumenwelle) benötigen im Allgemeinen sowohl eine hermetische Abkapselung als auch eine mechanische Entkopplung der akustisch aktiven Bereiche.
  • Darüber hinaus können Schritte zur Herstellung von Bauelementen Moldprozesse enthalten, wobei eine Moldmasse unter Druckeinwirkung aufgebracht wird. Die Bauelemente sollten deshalb mechanisch ausreichend stabil und druckresistent sein.
  • Aus der Patentschrift US 7,268,436 B2 sind Waferlevel Packages (WLP) mit Deckel-Wafer zur Abdeckung funktionaler Strukturen bekannt.
  • Aus der Patentschrift US 7,692,317 B2 sind Verkapselungsmethoden ohne Deckel-Wafer bekannt.
  • Aus der Patentschrift US 7,344,907 sind verkapselte, MEMS-Strukturen enthaltende Bauelemente bekannt.
  • Eine Möglichkeit zur Verkapselung besteht in einem TFP (TFP = thin film package = Dünnschicht-Package).
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein dem anhaltenden Trend zur Miniaturisierung kompatibles, also ein klein bauendes, Bauelement anzugeben, welches eine hermetisch dichte und mechanisch stabile Abkapselung ermöglicht, welches zur Aufnahme von mit akustischen Wellen arbeitenden Strukturen geeignet ist und welches günstig, also mit einfachen Verfahrensschritten, herstellbar ist. Es ist weiterhin eine Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch das verkapselte Bauelement und das Verfahren zur Herstellung gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Abhängige Ansprüche geben dabei vorteilhafte Ausgestaltungsmöglichkeiten an, die – je nach spezifischer Anforderung – in beliebiger Kombination zusammenwirken können, um einer oder mehreren Anforderungen zu genügen.
  • Das Bauelement umfasst ein Trägersubstrat und eine funktionale Struktur auf dem Trägersubstrat. Es umfasst ferner eine Dünnschicht-Abdeckung über der funktionalen Struktur und eine Glas umfassende Verstärkungsschicht über der Dünnschicht-Abdeckung. Das Trägersubstrat, die Dünnschicht-Abdeckung und die Verstärkungsschicht umschließen zusammen einen Hohlraum. Zumindest ein Teil der funktionalen Struktur ist im Hohlraum angeordnet.
  • Der im Hohlraum angeordnete Teil der funktionalen Struktur kann dabei von den inneren Wänden und/oder der Decke des Hohlraumes beabstandet sein. Dann wird eine mechanische Entkopplung zwischen der Struktur und der Abdeckung erhalten.
  • Die Dünnschicht-Abdeckung kann dabei durch eine Schicht eines sogenannten TFP gebildet sein.
  • Es wurde erkannt, dass konventionelle TFPs zwar eine kleine und vor allem niedrige Bauform ermöglichen. Jedoch können konventionelle TFPs nicht ohne Weiteres eine exzellente hermetische Abdichtung oder eine mechanisch stabile und zum Molden geeignete Abdeckung vorweisen.
  • Das Aufbringen einer Verstärkungsschicht mit Glas verbessert die Hermetizität und erhöht die mechanische Stabilität, ohne die Baugröße zu sehr zu vergrößern.
  • Der Hohlraum kann dabei so um die funktionalen Strukturen angeordnet sein, dass eine mikromechanische Beweglichkeit der Strukturen durch das Gehäuse nicht beeinträchtigt ist. Die funktionale Struktur ist vielmehr mechanisch befestigt aber dennoch vom Gehäuse entkoppelt und vor nachteiligen Umwelteinflüssen – z.B. Staub oder anderen Materialien, die sich auf der funktionalen Struktur ablagern und z.B. die Arbeitsfrequenz verstimmen könnte – geschützt.
  • In einer Ausführungsform ist die funktionale Struktur eine MEMS-Struktur und/oder eine mikroakustische Struktur. Insbesondere eine SAW-Struktur, eine BAW-Struktur oder eine GBAW-Struktur kommt als funktionale Struktur in Frage.
  • In einer Ausführungsform ist in der Dünnschicht-Abdeckung eine Öffnung strukturiert. Die Öffnung in der Dünnschicht-Abdeckung ist durch die Verstärkungsschicht verschlossen. Es ist auch möglich, zwei oder mehrere Öffnungen, die durch die Verstärkungsschicht verschlossen sind, in der Dünnschicht-Abdeckung vorzusehen. Die Öffnung oder die Vielzahl an Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung kann während des Herstellungsprozesses des Bauelements dazu dienen, eine Opferschicht unter der Dünnschicht-Abdeckung zu entfernen. Um eine gute hermetische Abdichtung zu erhalten, eignet sich eine Verstärkungsschicht, die Glas umfasst, wegen der Einstellbarkeit der Viskosität besonders gut. Die viskosen Eigenschaften der Verstärkungsschicht sind dabei idealerweise so gewählt, dass das Material der Verstärkungsschicht die Öffnungen vollständig bedeckt und gegebenenfalls auch in die Öffnungen eindringt, ohne die Öffnungen zu durchdringen und den Hohlraum zu füllen.
  • Die Anordnung der Öffnungen kann dabei so gewählt sein, dass eine gleichmäßige Verteilung an Öffnungen über die Fläche der Dünnschicht-Abdeckung erhalten wird. Die Öffnungen können in einem quadratischen, rechteckigen oder hexagonalen Muster oder in radialer Ausrichtung zueinander angeordnet sein.
  • Die Öffnungen können dabei einen Radius aufweisen der von innen nach außen zu- oder abnimmt. Es ist möglich, die Dünnschicht-Abdeckung so zu bilden, dass nur dort, wo keine Öffnung vorhanden sein soll, Material der Dünnschicht-Abdeckung aufgebracht wird. Es ist aber auch möglich, die Dünnschicht-Abdeckung flächig oberhalb der funktionalen Struktur aufzubringen und lokal, an den Stellen der späteren Öffnungen, z.B. durch einen Ätzprozess, zu entfernen.
  • Zur Herstellung der Dünnschicht-Abdeckung und der Bildung der Öffnungen können konventionelle lithographische Methoden verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Dünnschicht-Abdeckung ein Material, das ausgewählt ist aus: SiO2 (Siliziumdioxid), SixNy (Siliziumnitrid), Al2O3 (Aluminiumoxid). Das Trägersubstrat kann ein Material umfassen, das ausgewählt ist aus Glas und Si (Silizium).
  • Insbesondere wenn die funktionale Struktur eine elektrische Funktion hat und Elektrodenstrukturen aufweist, kann es vorteilhaft sein, ein hochohmiges Material als Trägermaterial zu verwenden. Alternative Materialien für das Trägersubstrat sind ebenfalls alle gläsernen oder kristallinen Festkörper mit hohem spezifischem elektrischem Widerstand.
  • In einer Ausführungsform weist der Hohlraum eine Breite von mindestens 10 µm und eine Höhe von weniger als 100 µm auf. Die Dünnschicht-Abdeckung weist eine Dicke von weniger als 5 µm auf. Die Verstärkungsschicht weist eine Dicke von weniger als 50 µm auf.
  • Eine derartige Dünnschicht-Abdeckung alleine könnte einem üblichen Molddruck von ca. 100 Bar möglicherweise nicht standhalten. In Verbindung mit der Verstärkungsschicht jedoch, auch wenn die Breite relativ zur Bauhöhe relativ groß ist, kann eine stabile Abkapslung erhalten werden, die solchen Drücken standhält.
  • Es ist ferner möglich, dass die funktionale Struktur eine Breite von etwa 90 µm aufweist. Der Hohlraum kann eine Breite aufweisen, die zwischen 10 und 20 µm über der Breite der funktionalen Struktur liegt. Die funktionale Struktur kann eine Höhe zwischen 2 und 3 µm aufweisen. Der Abstand der funktionalen Struktur zur Decke des Hohlraums, also zur inneren Fläche der Dünnschicht-Abdeckung, kann zwischen 2 und 3 µm betragen. Die Dicke der Dünnschicht-Abdeckung kann zwischen 1 und 2 µm betragen. Die Dicke der Verstärkungsschicht kann zwischen 10 und 30 µm betragen. Insbesondere wenn die Verstärkungsschicht planarisiert ist, kann die Dicke der Verstärkungsschicht lokal variieren.
  • Es ist möglich, dass die Verstärkungsschicht lediglich auf der Dünnschicht-Abdeckung aufliegt. Es ist jedoch auch möglich, dass die Dünnschicht-Abdeckung so strukturiert ist, dass die Verstärkungsschicht zumindest teilweise direkt auf dem Trägersubstrat aufliegt, um eine stabilere Verbindung des Bauelements zu gewährleisten.
  • In einer Ausführungsform ist die funktionale Struktur über eine Leitung mit einem Anschlusspad verschaltet. Das Anschlusspad selbst ist weder durch die Dünnschicht-Abdeckung noch durch die Verstärkungsschicht bedeckt und dazu geeignet, das Bauelement, z.B. über eine Bump-Verbindung, mit einer externen Schaltungsumgebung zu verschalten.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines verkapselten Bauelements umfasst die Schritte:
    • – Bereitstellen eines Trägersubstrats,
    • – Strukturieren einer funktionalen Struktur auf dem Trägersubstrat,
    • – Aufbringen einer Opferschicht über der funktionalen Struktur,
    • – Aufbringen einer Dünnschicht-Abdeckung mit einer Öffnung über der Opferschicht,
    • – Entfernen der Opferschicht durch die Öffnung in der Dünnschicht-Abdeckung,
    • – Aufbringen der Verstärkungsschicht über der Dünnschicht-Abdeckung.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Opferschicht ein organisches Material und ist zum Entfernen durch Trockenveraschen geeignet. Das Trockenveraschen kann z.B. mittels molekularem oder atomaren Sauerstoff, Ozon oder Sauerstoffplasma erfolgen.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Aufbringen der Verstärkungsschicht die Schritte:
    • – Aufbringen einer Glaspaste,
    • – Verschließen der Öffnung in der Dünnschicht-Abdeckung,
    • – Ausheizen der Glaspaste.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Glaspaste Glasfrit aus einer Suspension feiner Glasteilchen in einer Binder-Matrix. Die Glaspaste wird durch Aufrakeln auf die Dünnschicht-Abdeckung aufgebracht. Der Binder zersetzt sich beim Ausheizen der Glaspaste vollständig.
  • Der Binder kann sich dabei unter Temperatureinfluss in H2O und/oder in CO2 zersetzen.
  • Die Zusammensetzung der Glaspaste ist dabei so gewählt, dass das beim Ausheizen der Glaspaste entstehende Glas die Öffnung oder die Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung bedeckt und gegebenenfalls zumindest teilweise ausfüllt. Idealerweise dringt das Glas nicht in den Hohlraum ein. Es ist auf jeden Fall zu vermeiden, dass eindringendes Glas an der Innenseite des Hohlraums herunterläuft und in Kontakt mit der funktionalen Struktur kommt.
  • Das Aufbringen der Glaspaste kann kostengünstig mit einer Rakelmaske durchgeführt werden. Die Oberflächenspannung der Glaskomponente der Verstärkungsschicht ist idealerweise so eingestellt, dass ein späteres Strukturieren der Verstärkungsschicht nicht nötig ist.
  • Zum Ausheizen der Glaspaste kann eine Temperatur zwischen 250°C und 350°C eingestellt werden.
  • Im Folgenden werden das Bauelement und das Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und weitere Ausführungsbeispiele anhand von schematischen Figuren erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1: Ein verkapseltes Bauelement mit einer funktionalen Struktur in einem Hohlraum,
  • 2: Ein verkapseltes Bauelement mit einer BAW-Struktur,
  • 3: Ein verkapseltes Bauelement mit einer SAW-Struktur,
  • 4: Ein verkapseltes Bauelement mit Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung,
  • 5: Ein verkapseltes Bauelement, bei dem die Dünnschicht-Abdeckung von einer Moldmasse bedeckt ist,
  • 6: Ein Zwischenprodukt bei der Herstellung eines verkapselten Bauelements,
  • 7: Ein weiteres Zwischenprodukt bei der Herstellung eines verkapselten Bauelements,
  • 8: Ein weiteres Zwischenprodukt bei der Herstellung eines verkapselten Bauelements,
  • 9: Ein weiteres Zwischenprodukt bei der Herstellung eines verkapselten Bauelements,
  • 10: Ein weiteres Zwischenprodukt bei der Herstellung eines verkapselten Bauelements,
  • 11: Ein verkapseltes Bauelement, bei dem Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung durch eine Verstärkungsschicht abgedeckt sind,
  • 12: Ein verkapseltes Bauelement, bei dem Material der Verstärkungsschicht Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung zumindest teilweise ausfüllt,
  • 13: Ein verkapseltes Bauelement mit einem Lötball zur elektrischen Verschaltung.
  • 1 zeigt ein verkapseltes Bauelement VB mit einem Substrat SU, auf dem eine funktionale Struktur FS angeordnet ist. Durch eine Dünnschicht-Abdeckung DAS und eine darüber aufgebrachte Verstärkungsschicht VS wird ein Hohlraum H gebildet, in dem die funktionale Struktur FS hermetisch von der umgebenden Atmosphäre abgeschottet arbeiten kann. Der Hohlraum H ist dabei so geformt, dass die funktionale Struktur FS seine Abdeckung, also die Dünnschicht-Abdeckung DSA nicht berührt. Dies ist beispielsweise bei mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementen notwendig.
  • Die Verstärkungsschicht VS verbessert die Hermetizität der Abkapselung und insbesondere die mechanische Stabilität des gesamten Bauelements.
  • 2 zeigt eine Ausführungsform eines verkapselten Bauelements VB, bei dem die funktionale Struktur als BAW-Struktur BAWS ausgebildet ist. Die BAW-Struktur BAWS umfasst dann zumindest eine piezoelektrische Lage zwischen zwei Elektrodenlagen.
  • 3 zeigt eine Ausgestaltung des verkapselten Bauelements VB, wobei die funktionale Struktur als SAW-Struktur SAWS ausgebildet ist. Dabei sind fingerförmige Elektrodenstrukturen – hier im Querschnitt gezeigt – auf einem piezoelektrischen Material angeordnet und mit jeweils einer Stromsammelschiene verschaltet.
  • 4 zeigt eine Ausführungsform des verkapselten Bauelements VB, wobei Öffnungen O in der Dünnschicht-Abdeckung DSA vorgesehen sind. Die Öffnungen O sind durch die Verstärkungsstruktur VS abgedeckt und abgedichtet. Lediglich beispielhaft ist die funktionale Struktur als BAW-Struktur ausgeführt. Die untere Elektrode der BAW-Struktur ist über eine Zuleitung L mit einem Lötball BU verbunden. Über den Lötball BU kann beispielsweise via eine Bump-Verbindung eine Verschaltung mit einer externen Schaltungsumgebung erreicht werden.
  • 5 zeigt eine Ausführungsform des verkapselten Bauelements VB, wobei zumindest Teile des Bauelements durch eine Moldmasse MM bedeckt sind. Die Moldmasse MM verbessert weiterhin die Hermetizität, kann planarisiert sein, um definierte geometrische Formen des Bauelements zu erhalten, und verstärkt weiterhin die mechanische Stabilität des Bauelements.
  • 6 zeigt ein Zwischenprodukt eines verkapselten Bauelements, bei dem Bauelementstrukturen eines BAW-Resonators als funktionale Struktur FS sowie eine Zuleitung L auf einem Substrat SU angeordnet sind.
  • 7 zeigt eine spätere Verfahrensstufe, bei dem die funktionale Struktur durch eine Opferschicht OS abgedeckt ist. Die Form der Opferschicht definiert im Wesentlichen die spätere Form des Hohlraums.
  • 8 zeigt das Ergebnis eines weiteren Verfahrensschritts, wobei die Dünnschicht-Abdeckung DSA über der Opferschicht und über Teilen des Substrat angeordnet ist. Zur Anordnung der Dünnschicht-Abdeckung DSA können konventionelle Methoden zur Herstellung dünner Schichten, z.B. Sputtern, thermisches Verdampfen, CVD (Chemical Vapour Deposition), PVD (Physical Vapour Deposition), PLD (Pulsed Laser Deposition) oder MBE (Molecular Beam Epitaxy) Verwendung finden. Die Dünnschicht-Abdeckung DSA kann dabei ihrerseits zwei oder mehrere Einzelschichten aufweisen.
  • Ein offener Bereich OB wird dabei freigehalten, damit später ein Anschlusspad erzeugt werden kann.
  • 9 zeigt das Ergebnis eines weiteren Verfahrensschritts, bei dem Öffnungen O in der Dünnschicht-Abdeckung DSA strukturiert worden sind.
  • 10 zeigt das Ergebnis eines weiteren Verfahrensschritts, bei dem die Opferschicht durch die Öffnungen O in der Dünnschicht-Abdeckung DSA entfernt worden ist. Zum Entfernen der Opferschicht können Maßnahmen wie Nass- oder Trockenätzen oder Veraschen in einer oxidierenden Atmosphären Verwendung finden.
  • Anstelle der Opferschicht befindet sich nun ein Hohlraum H, in dem die funktionale Struktur nun angeordnet ist, ohne Teile der Abdeckung zu berühren.
  • 11 zeigt das Ergebnis eines weiteren Verfahrensschrittes, wobei Material der Verstärkungsschicht VS über der Dünnschicht-Abdeckung DSA angeordnet ist. Dabei wurde wiederum darauf verzichtet, Material im offenen Bereich OB abzuscheiden, um eine Öffnung für eine spätere Kontaktierung bereitzuhalten. Das Aufbringen des Materials der Verstärkungsschicht VS kann beispielsweise durch Aufrakeln mittels einer Aufrakelmaske durchgeführt werden.
  • 12 zeigt das Ergebnis eines Verfahrensschrittes, bei dem das Material der Verstärkungsschicht VS, also im Wesentlichen die Glaspaste mit Glaspartikeln in einer Binder-Matrix, ausgeheizt wurde. Durch das Ausheizen zersetzt sich der Binder vollständig und es bleibt eine einphasige gläserne Verstärkungsschicht VS übrig, die Öffnungen in der Dünnschicht-Abdeckung bedeckt, abdichtet und zumindest teilweise ausfüllt.
  • 13 zeigt eine Ausführungsform des verkapselten Bauelements VB, wobei die Dünnschicht-Abdeckung DSA so strukturiert ist, dass die Verstärkungsschicht VS das Substrat SU in einem Bereich berührt, so dass die mechanische Verbindung zwischen der Verstärkungsschicht VS und dem Substrat verstärkt ist.
  • Ein verkapseltes Bauelement ist nicht auf eine der beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Kombinationen von Merkmalen und Ausführungsformen mit weiteren Schichten und Hohlräumen stellen ebenso erfindungsgemäße Ausführungsformen dar.
  • Bezugszeichenliste
    • BAWS:
    BAW-Struktur
    BU:
    Lötball für Bump-Verbindung
    DSA:
    Dünnschicht-Abdeckung
    FS:
    funktionale Struktur
    H:
    Hohlraum
    L:
    Zuleitung
    MM:
    Moldmasse
    O:
    Öffnung in der Dünnschicht-Abdeckung
    OB:
    offener Bereich für spätere Kontaktierung
    OS:
    Opferschicht
    SAWS:
    SAW-Struktur
    SU:
    Substrat
    VB:
    verkapseltes Bauelement
    VS:
    Verstärkungsschicht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7268436 B2 [0005]
    • US 7692317 B2 [0006]
    • US 7344907 [0007]

Claims (10)

  1. Verkapseltes Bauelement (VB), umfassend – ein Trägersubstrat (SU), – eine funktionale Struktur (FS) auf dem Trägersubstrat (SU), – eine Dünnschicht-Abdeckung (DSA) über der funktionalen Struktur (FS), – eine Glas umfassende Verstärkungsschicht (VS) über der Dünnschicht-Abdeckung (DSA), wobei – das Trägersubstrat (SU), die Dünnschicht-Abdeckung (DSA) und die Verstärkungsschicht (VS) zusammen einen Hohlraum (H) umschließen und – zumindest ein Teil der funktionalen Struktur (FS) im Hohlraum (H) angeordnet ist.
  2. Bauelement (VB) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die funktionale Struktur (FS) eine MEMS-Struktur und/oder eine mikroakustische Struktur ist.
  3. Bauelement (VB) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei – in der Dünnschicht-Abdeckung (DSA) eine Öffnung (O) strukturiert ist und – die Öffnung (O) in der Dünnschicht-Abdeckung (DSA) durch die Verstärkungsschicht (VS) verschlossen ist.
  4. Bauelement (VB) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei – die Dünnschicht-Abdeckung (DSA) ein Material umfasst, das ausgewählt ist aus: SiO2, SixNy, Al2O3 und – das Trägersubstrat (SU) ein Material umfasst, das ausgewählt ist aus: Glas, Si.
  5. Bauelement (VB) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei – Der Hohlraum (H) eine Breite von mindestens 10 μm und eine Höhe von weniger als 100 μm aufweist, – die Dünnschicht-Abdeckung (DSA) eine Dicke von weniger als 5 μm aufweist und – die Verstärkungsschicht (VS) eine Dicke von weniger als 50 μm aufweist.
  6. Bauelement (VB) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die funktionale Struktur (FS) über eine Leitung (L) mit einem Anschlusspad verschaltet ist, das weder durch die Dünnschicht-Abdeckung (DSA) noch durch die Verstärkungsschicht (VS) bedeckt ist.
  7. Verfahren zur Herstellung eines verkapselten Bauelements (VB), umfassend die Schritte – Bereitstellen eines Trägersubstrats (SU), – Strukturieren einer funktionalen Struktur (FS) auf dem Trägersubstrat (SU), – Aufbringen einer Opferschicht (OS) über der funktionalen Struktur (FS), – Aufbringen einer Dünnschicht-Abdeckung (DSA) mit einer Öffnung (O) über der Opferschicht (OS), – Entfernen der Opferschicht (OS) durch die Öffnung (O) in der Dünnschicht-Abdeckung (DSA), – Aufbringen der Verstärkungsschicht (VS) über der Dünnschicht-Abdeckung (DSA).
  8. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei – die Opferschicht (OS) ein organisches Material umfasst und zum Entfernen durch Trockenveraschen geeignet ist.
  9. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Aufbringen der Verstärkungsschicht (VS) die Schritte – Aufbringen einer Glaspaste, – Verschließen der Öffnung (O) in der Dünnschicht-Abdeckung (DSA), – Ausheizen der Glaspaste umfasst.
  10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei – die Glaspaste Glasfrit aus einer Suspension feiner Glasteilchen in einer Binder-Matrix umfasst, – die Glaspaste durch Aufrakeln auf die Dünnschicht-Abdeckung aufgebracht wird und – der Binder sich beim Ausheizen der Glaspaste vollständig zersetzt.
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