DE102012221191A1

DE102012221191A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Info

Publication number: DE102012221191A1
Application number: DE102012221191.8A
Authority: DE
Inventors: Thomas Wehlus
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2012-11-20
Publication date: 2014-05-22
Anticipated expiration: 2032-11-21
Also published as: KR102216889B1; US9692005B2; US10333094B2; DE102012221191B4; WO2014079845A1; KR20150087187A; US20170263882A1; CN104823297B; US20150318512A1; CN104823297A

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene organische aktive Schicht (5) und eine zur elektrischen Kontaktierung der aktiven Schicht vorgesehene erste Elektrode (1) umfasst, wobei die erste Elektrode eine erste Elektrodenschicht (11) und eine zumindest bereichsweise von der ersten Elektrodenschicht beabstandete erste Anschlussschicht (12) aufweist, die aktive Schicht zumindest bereichsweise zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht angeordnet ist, und die erste Elektrode zumindest eine Durchkontaktierung (13) aufweist, die sich durch die aktive Schicht hindurch erstreckt und dabei einen elektrischen Kontakt zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht bildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
Eine homogene Bestromung einer organischen Licht emittierenden Diode (OLED) mit einer großen Leuchtfläche stellt eine technische Herausforderung dar. Bei einer herkömmlichen OLED tritt von der OLED erzeugte Strahlung zunächst durch eine Elektrodenschicht hindurch, bevor die Strahlung die OLED verlässt. Die Elektrodenschicht soll daher möglichst strahlungsdurchlässig und zugleich gut elektrisch leitend gestaltet werden. Mit steigender Größe des Bauelements, insbesondere mit größerer Leuchtfläche der OLED, steigt die Notwendigkeit, die Leitfähigkeit zusätzlich durch den Einsatz von Leiterbahnen – sogenannten Busbars – zu erhöhen. Dies führt jedoch dazu, dass die Leuchtfläche der OLED aufgrund der Bedeckung durch die Busbars auf der strahlungsdurchlässigen Elektrodenschicht vermindert wird.
Eine Aufgabe ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit möglichst homogener Bestromung bei möglichst geringem Verlust an Leuchtfläche des Bauelements sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement beziehungsweise ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Gemäß einer Ausführungsform weist ein optoelektronisches Bauelement eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene organische aktive Schicht und eine zur elektrischen Kontaktierung der aktiven Schicht vorgesehene erste Elektrode auf. Die erste Elektrode umfasst vorzugsweise eine erste Elektrodenschicht und eine zumindest bereichsweise von der ersten Elektrodenschicht beabstandete erste Anschlussschicht. Die aktive Schicht ist dabei zumindest bereichsweise zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht angeordnet. Außerdem weist die erste Elektrode zumindest eine Durchkontaktierung auf, die sich vollständig durch die aktive Schicht hindurch erstreckt. Im Betrieb des Bauelements bildet die Durchkontaktierung einen elektrischen Kontakt zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht.
Unter einer Durchkontaktierung wird im Rahmen der Anmeldung ein Bestandteil einer Elektrode des optoelektronischen Bauelements verstanden, der sich vollständig durch zumindest eine Schicht, welche dieser Elektrode nicht zugehörig ist, hindurch erstreckt und im Betrieb des optoelektronischen Bauelements einen elektrischen Kontakt zwischen weiteren, zumindest bereichsweise voneinander räumlich beabstandeten Bestandteilen der Elektrode bildet. „Durch eine Schicht hindurch erstreckt“ bedeutet, dass die Durchkontaktierung die eine Schicht insbesondere durchstößt und bevorzugt von dieser Schicht allseitig umgeben ist.
Die erste Elektrode ist vorzugsweise mehrschichtig ausgebildet. Sie umfasst dabei zumindest die erste Elektrodenschicht, die erste Anschlussschicht und die zumindest eine Durchkontaktierung. Vorzugsweise ist die erste Elektrode als eine Anode des optoelektronischen Bauelements ausgeführt. Die aktive Schicht ist vorzugsweise in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise von der ersten Elektrode eingeschlossen. Bevorzugt grenzt die aktive Schicht direkt an die erste Elektrodenschicht an. Unter einer vertikalen Richtung wird im Rahmen der Anmeldung eine Richtung verstanden, die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der ersten Elektrodenschicht gerichtet ist. Vorzugsweise ist die erste Anschlussschicht zumindest bereichsweise von der ersten Elektrodenschicht in der vertikalen Richtung beabstandet. Das heißt, die erste Anschlussschicht und die erste Elektrodenschicht sind vorzugsweise übereinander angeordnet. Bevorzugt sind die erste Elektrodenschicht und die erste Anschlussschicht zumindest bereichsweise parallel zueinander.
Die erste Elektrodenschicht ist vorzugsweise strahlungsdurchlässig ausgebildet. Beispielsweise weist die erste Elektrodenschicht eine Transmission für die von der aktiven Schicht erzeugte Strahlung von mindestens 70 %, bevorzugt mindestens 80 %, besonders bevorzugt mindestens 90 % auf. Bevorzugt enthält die erste Elektrodenschicht ein TCO-Material (transparent conductive oxide). Solche transparenten, leitenden Materialien sind in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO).
Die erste Anschlussschicht ist bevorzugt als eine strahlungsreflektierende Schicht ausgestaltet. Die Anschlussschicht und die Durchkontaktierung weisen bevorzugt zumindest ein Grundmaterial mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit auf. Unter einem Grundmaterial einer Schicht wird ein Material verstanden, aus dem die Schicht mindestens 50 %, insbesondere mindestens 70 %, gebildet ist. Beispiele für ein solches Grundmaterial sind Metalle wie Kupfer, Aluminium, Silber oder eine Legierung mit zumindest einem der genannten Metalle. Besonders bevorzugt weisen die Anschlussschicht und die Durchkontaktierung eine höhere elektrische Leitfähigkeit auf als die erste Elektrodenschicht.
Gemäß einer Ausgestaltung weist die aktive Schicht einen organischen funktionellen Schichtenstapel mit zumindest einer organischen Licht emittierenden Schicht auf. Der organische funktionelle Schichtstapel kann Schichten mit organischen Polymeren, organischen Oligomeren, organischen Monomeren, organischen kleinen, nicht-polymeren Molekülen („small molecules“) oder Kombinationen daraus aufweisen. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn der organische funktionelle Schichtenstapel eine organische funktionelle Schicht aufweist, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist, um eine effektive Löcherinjektion in die zumindest eine Licht emittierende Schicht zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Als Materialien für die zumindest eine organische Licht emittierende Schicht eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Weiterhin kann der organische funktionelle Schichtenstapel eine funktionelle Schicht aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgebildet ist. Darüber hinaus kann der Schichtenstapel auch Elektronen- und/oder Löcherblockierschichten aufweisen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann auch eine Mehrzahl von organischen Licht emittierenden Schichten aufweisen, die zwischen den Elektroden angeordnet sind.
Im Hinblick auf den prinzipiellen Aufbau eines organischen Licht emittierenden Bauelements, beispielsweise im Hinblick auf den Aufbau, die Schichtzusammensetzung und die Materialien des organischen funktionellen Schichtenstapels, wird auf die Druckschrift WO 2010/066245 A1 verwiesen, die insbesondere im Bezug auf den Aufbau, die Schichtzusammensetzung und die Materialien eines organischen Licht emittierenden Bauelements hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.
Gemäß einer Ausgestaltung weist die erste Elektrode eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen auf, die eine Durchkontaktierungsstruktur des Bauelements bilden. Die Durchkontaktierungsstruktur bewirkt effektiv eine Verbesserung der Querleitfähigkeit der ersten Elektrodenschicht, so dass eine homogene Bestromung in die aktive Schicht des Bauelements erzielt wird. Auf Busbars kann verzichtet werden, so dass die von der aktiven Schicht erzeugte Strahlung durch die erste Elektrodenschicht hindurch treten und aus dem optoelektronischen Bauelement austreten kann, ohne dabei von den Busbars oder von Leiterbahnen auf einer Strahlungsaustrittsfläche absorbiert zu werden.
Vorzugsweise sind die Durchkontaktierungen gleichmäßig auf der ersten Elektrodenschicht angeordnet. Eine gleichmäßige Anordnung der Durchkontaktierungen führt zu einer gleichmäßigen Stromverteilung auf der ersten Elektrodenschicht.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung weist das optoelektronische Bauelement einen strahlungsdurchlässigen Trägerkörper auf. Vorzugsweise enthält der Trägerkörper Glas oder besteht aus Glas. Der Trägerkörper weist auf einer der ersten Elektrodenschicht abgewandten Seite des Trägerkörpers eine Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements auf. Weiterhin ist die erste Elektrodenschicht bevorzugt zwischen dem strahlungsdurchlässigen Trägerkörper und der aktiven Schicht angeordnet. Besonders bevorzugt grenzt die erste Elektrodenschicht direkt an den Trägerkörper an. Das bedeutet, dass sich zwischen der ersten Elektrodenschicht und dem Trägerkörper höchstens eine Verbindungsschicht zur Befestigung der ersten Elektrodenschicht an dem Trägerkörper befindet. Eine derartige Anordnung minimiert den Strahlungsverlust durch Absorption, da die Strahlung durch den kürzest möglichen Weg aus dem Bauelement austreten kann.
Gemäß einer Ausgestaltungsvariante ist die Strahlungsaustrittsfläche bevorzugt eben ausgebildet. Das heißt, die Strahlungsaustrittsfläche weist bevorzugt keine Krümmung auf. Bevorzugt verlässt die Strahlung das Bauelement unmittelbar an der Strahlungsaustrittsfläche. Vorzugsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements zwischen 0,1 Quadratzentimeter und 1 Quadratmeter, insbesondere zwischen 100 Quadratzentimeter und 0,5 Quadratmeter. Besonders bevorzugt ist die Strahlungsaustrittsfläche eine zusammenhängende Fläche.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung weist das optoelektronische Bauelement eine zur elektrischen Kontaktierung der aktiven Schicht vorgesehene zweite Elektrode auf. Vorzugsweise ist die erste Elektrode als eine Kathode des optoelektronischen Bauelements ausgeführt. Die zweite Elektrode umfasst zumindest eine zweite Elektrodenschicht. Bevorzugt sind die erste Anschlussschicht und die zweite Elektrodenschicht auf einer dem Trägerkörper abgewandten Seite der aktiven Schicht angeordnet. Beispielsweise überlappen sich die erste Anschlussschicht und die zweite Elektrodenschicht in Draufsicht auf den Trägerkörper. Vorzugsweise ist die zweite Elektrodenschicht zumindest bereichsweise zwischen der aktiven Schicht und der ersten Anschlussschicht angeordnet. Besonders bevorzugt grenzt die zweite Elektrodenschicht direkt an die aktive Schicht an.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung ist die zweite Elektrodenschicht vorzugsweise als eine Spiegelschicht für die von der aktiven Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgebildet. Die Reflektion von Strahlung an der zweiten Elektrodenschicht erhöht vorteilhafterweise den Strahlungsauskopplungsgrad und somit die Effizienz des Bauelements. Es ist auch denkbar, dass die zweite Elektrodenschicht auf einer der aktiven Schicht zugewandten Seite eine strahlungsreflektierende Schicht aufweist. Beispielsweise ist die strahlungsreflektierende Schicht eine Silberschicht.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung weisen die aktive Schicht und die zweite Elektrodenschicht zumindest eine Aussparung zur ersten Elektrodenschicht auf. Die Aussparung ist vorzugsweise in lateraler Richtung von der aktiven Schicht und von der zweiten Elektrodenschicht allseitig umgeben. Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die senkrecht zu der vertikalen Richtung ist.
Die Durchkontaktierung ist zumindest bereichsweise innerhalb der Aussparung angeordnet. Vorzugsweise ist zwischen der aktiven Schicht und der Durchkontaktierung sowie zwischen der aktiven Schicht und der ersten Anschlussschicht zumindest eine Isolationsschicht zur elektrischen Isolierung angeordnet. Die aktive Schicht und die zweite Elektrodenschicht sind bevorzugt über die erste Elektrodenschicht mit der Durchkontaktierung und der ersten Anschlussschicht elektrisch leitend verbunden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung ist innerhalb der Aussparung zwischen der Durchkontaktierung und der aktiven Schicht vorzugsweise eine erste Isolationsschicht, und zwischen der Durchkontaktierung und der zweiten Elektrodenschicht eine zweite Isolationsschicht angeordnet. Vorzugsweise grenzen die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht in der Aussparung aneinander an. Es ist auch denkbar, dass die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht in einem Produktionsschritt hergestellt werden und daher Teile einer gemeinsamen Isolationsschicht sind.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst die Durchkontaktierungsstruktur des Bauelements bevorzugt eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen, die in lateraler Richtung voneinander beabstandet sind. Die Durchkontaktierungen sind somit beispielsweise erst über die erste Elektrodenschicht oder über die erste Anschlussschicht elektrisch miteinander verbunden.
Gemäß einer Ausgestaltungsvariante grenzen die Durchkontaktierungen zumindest bereichsweise lateral aneinander an. Sie bilden somit bevorzugt eine zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur. Das bedeutet insbesondere, dass die Durchkontaktierungen im Betrieb des Halbleiterbauelements direkt – und nicht beispielsweise erst über die erste Elektrodenschicht oder die erste Anschlussschicht – elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
Die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur ist beispielsweise E-förmig, H-förmig oder F-förmig. Es ist auch denkbar, dass die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur andere Formen aufweist, derart, dass zweite Elektrodenschicht zusammenhängend bleibt. Bei einer zusammenhängenden Durchkontaktierungsstruktur ist die einzelne Durchkontaktierung vorzugsweise streifenförmig. „Streifenförmige Durchkontaktierung“ bedeutet, dass die Durchkontaktierung beispielsweise in Aufsicht auf die aktive Schicht einen Querschnitt aufweist, dessen Längsausdehnung bevorzugt mindestens zweimal so groß, besonders bevorzugt mindestens fünfmal so groß wie dessen Querausdehnung ist. Die Aussparungen grenzen in der lateralen Richtung zumindest bereichsweise direkt aneinander an. Die in den Aussparungen ausgebildeten Isolationsschichten sind bevorzugt ebenfalls zusammenhängend, wodurch das Ausbilden der Isolationsschicht vereinfacht ist.
Gemäß einer Ausgestaltungsvariante unterteilt die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur die zweite Elektrodenschicht beziehungsweise die aktive Schicht vorzugsweise in mehrere voneinander getrennte Teilbereiche. Das heißt, die Teilbereiche sind in der lateralen Richtung voneinander räumlich beabstandet.
Die zweite Elektrode ist bevorzugt zumindest bereichsweise mehrschichtig ausgebildet. Neben der zweiten Elektrodenschicht umfasst die zweite Elektrode vorzugsweise eine zweite Anschlussschicht. Dabei ist die zweite Elektrode im Betrieb des Bauelements bevorzugt über die zweite Anschlussschicht mit einer externen Spannungsquelle elektrisch kontaktiert. Die erste Anschlussschicht ist dabei bevorzugt zumindest bereichsweise zwischen der zweiten Anschlussschicht und der zweiten Elektrodenschicht angeordnet. Weiterhin umfasst die zweite Elektrode vorzugsweise eine Mehrzahl weiterer Durchkontaktierungen, die für die elektrische Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht mit der zweiten Elektrodenschicht vorgesehen sind. Die weiteren Durchkontaktierungen erstrecken sich bevorzugt von der zweiten Anschlussschicht durch die erste Anschlussschicht hindurch zu der zweiten Elektrodenschicht. Somit können die voneinander beabstandeten Teilbereiche der zweiten Elektrodenschicht mittels der weiteren Durchkontaktierungen elektrisch leitend miteinander verbunden sein.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung umfasst das optoelektronische Bauelement zumindest eine weitere Isolationsschicht. Die weitere Isolationsschicht ist vorzugsweise für die elektrische Isolierung zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode vorgesehen. Die weitere Isolationsschicht ist zumindest bereichsweise zwischen der ersten Anschlussschicht und der zweiten Anschlussschicht angeordnet. Bevorzugt erstreckt sich die weitere Isolationsschicht zumindest bereichsweise zwischen der ersten Anschlussschicht und den weiteren Durchkontaktierungen. Die weitere Isolationsschicht grenzt bevorzugt an die zweite Isolationsschicht an.
Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfasst gemäß einer Ausführungsform folgende Schritte. Zunächst wird ein Trägerkörper bereitgestellt. Eine erste Elektrodenschicht wird auf den Trägerkörper aufgebracht. Eine organische aktive Schicht wird auf der ersten Elektrodenschicht ausgebildet. Die aktive Schicht weist zumindest eine Aussparung auf, wobei sich die Aussparung durch die aktive Schicht hindurch erstreckt. Die Aussparung wird bevorzugt beim Ausbilden oder nach dem Ausbilden der aktiven Schicht ausgebildet. Zumindest eine Durchkontaktierung wird bevorzugt zumindest bereichsweise in der Aussparung ausgebildet, so dass mittels der Durchkontaktierung die erste Anschlussschicht mit der ersten Elektrodenschicht elektrisch leitend verbunden wird.
Durch diese Verfahrensschritte wird eine elektrische Kontaktierung der ersten Elektrodenschicht mit der ersten Anschlussschicht mittels der Durchkontaktierung durch die organische aktive Schicht hindurch erzielt.
Mittels des Verfahrens kann insbesondere ein vorstehend beschriebenes optoelektronisches Bauelement hergestellt werden. Im Zusammenhang mit dem optoelektronischen Bauelement beschriebene Merkmale können für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Gemäß einer Ausgestaltung wird eine organische aktive Schicht vorzugsweise nach dem Aufbringen der ersten Elektrodenschicht auf die erste Elektrodenschicht aufgebracht, so dass die aktive Schicht an die erste Elektrodenschicht angrenzt. Die erste Elektrodenschicht wird dabei vorzugsweise zwischen dem Trägerkörper und der aktiven Schicht angeordnet.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung wird zumindest eine Aussparung ausgebildet, die sich durch die aktive Schicht hindurch erstreckt, so dass die erste Elektrodenschicht vorzugsweise auf einer der aktiven Schicht zugewandten Seite der Elektrodenschicht zumindest bereichsweise frei von der aktiven Schicht ist. Dies kann beispielsweise durch teilweises Entfernen der aktiven Schicht realisiert werden. Alternativ wird die organische aktive Schicht vorzugsweise strukturiert auf die erste Elektrodenschicht aufgebracht. Beispielsweise wird zumindest eine für die Aussparung vorgesehene Stelle auf der ersten Elektrodenschicht mit einer Maske oder mit einem Abdeckmaterial abgedeckt. Die Aussparung wird anschließend beispielsweise durch das Entfernen der Maske oder durch das zumindest teilweise Entfernen des Abdeckmaterials ausgebildet.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung werden eine erste Isolationsschicht und eine zweite Isolationsschicht zumindest bereichsweise in der Aussparung ausgebildet. Innerhalb der Aussparung grenzt die erste Isolationsschicht bevorzugt in der lateralen Richtung direkt an die aktive Schicht an. Die zweite Isolationsschicht erstreckt sich zumindest bereichsweise in der Aussparung und grenzt in der lateralen Richtung bevorzugt direkt an die zweite Elektrodenschicht an.
Die erste Isolationsschicht wird vorzugsweise vor dem Aufbringen der zweiten Elektrodenschicht in der Aussparung gebildet. Mittels der ersten Isolationsschicht wird während des Aufbringens der zweiten Elektrodenschicht das Risiko eines Kurzschlusses zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der ersten Elektrodenschicht reduziert. Die zweite Isolationsschicht wird vorzugsweise nach dem Aufbringen der zweiten Elektrodenschicht derart ausgebildet, dass sich die zweite Isolationsschicht zumindest bereichsweise auf der zweiten Elektrodenschicht sowie in der Aussparung erstreckt. Die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht werden demnach in zwei voneinander separaten Verfahrenschritten hergestellt. Alternativ können die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht beispielsweise in einem gemeinsamen Verfahrensschritt ausgebildet werden. Bevorzugt bilden sie eine gemeinsame Isolierungsschicht.
Weitere Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 3E erläuterten Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
1A ein erstes Ausführungsbeispiel für ein elektronisches Bauelement in schematischer Schnittansicht,
1B ein zweites Ausführungsbeispiel für ein elektronisches Bauelement in schematischer Schnittansicht,
2A bis 2C unterschiedliche Ausführungsbeispiele für eine Durchkontaktierungsstruktur der Durchkontaktierungen in Draufsicht in Höhe der zweiten Elektrodenschicht,
3 ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein elektronisches Bauelement in schematischer Schnittansicht, und
4A bis 4E schematische Darstellungen der Verfahrensschritte gemäß eines Ausführungsbeispiels zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement ist in 1A schematisch in Schnittansicht dargestellt.
Das optoelektronisches Bauelement 10 weist einen Trägerkörper 4, eine organische aktive Schicht 5, eine erste Elektrode 1 und eine zweite Elektrode 2 auf. Die erste und die zweite Elektroden sind für die elektrische Kontaktierung der aktiven Schicht vorgesehen. Im Betrieb des Bauelements emittiert die aktive Schicht eine elektromagnetische Strahlung, beispielsweise im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich.
Die erste Elektrode 1 umfasst eine erste Elektrodenschicht 11, die direkt auf dem Trägerkörper 4 angeordnet ist. Weiterhin umfasst die erste Elektrode 1 eine erste Anschlussschicht 12, welche auf dem Trägerkörper 4 in der vertikalen Richtung von der ersten Elektrodenschicht 11 beabstandet angeordnet ist. Die erste Elektrodenschicht 11 kann eine Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitenden Oxid, beispielsweise Indiumzinnoxid sein.
Zwischen der ersten Elektrodenschicht 11 und der ersten Anschlussschicht 12 befindet sich die organische aktive Schicht 5. Die aktive Schicht 5 grenzt direkt an die erste Elektrodenschicht 11 an.
Im Betrieb des Bauelements 10 ist die erste Elektrode 1 bevorzugt über die erste Anschlussschicht 12 mit einer externen Spannungsquelle elektrisch kontaktiert. Die erste Anschlussschicht 12 ist im Betrieb des Bauelements beispielsweise mit der externen Spannungsquelle elektrisch kontaktiert. Das bedeutet, dass das Bauelement 10 von einer der ersten transparenten Elektrodenschicht 11 abgewandten Seite der aktiven Schicht 5 – das heißt rückseitig – kontaktiert werden kann.
Die zweite Elektrode 2 umfasst eine zweite Elektrodenschicht 21, die zwischen der aktiven Schicht 5 und der ersten Anschlussschicht 12 angeordnet ist. Die zweite Elektrodenschicht 21 grenzt direkt an die aktive Schicht 5 an. In der lateralen Richtung schließen die aktive Schicht und die zweite Elektrodenschicht bündig zueinander ab. Die erste Elektrodenschicht 21 kann strahlungsundurchlässig ausgebildet sein. Insbesondere ist die erste Elektrodenschicht 21 für die von dem Bauelement 10 emittierte Strahlung reflektierend ausgebildet. Dies erhöht den Auskopplungsgrad der Strahlung des Bauelements.
Weiterhin umfasst die erste Elektrode 1 zumindest eine Durchkontaktierung 13. Die Durchkontaktierung kann Teil der ersten Anschlussschicht 12 sein oder unmittelbar an die erste Anschlussschicht 12 angrenzen. Die Durchkontaktierung 13 erstreckt sich in der vertikalen Richtung von der ersten Anschlussschicht 12 vollständig durch die zweite Elektrodenschicht 21 und vollständig durch die aktive Schicht 5 hindurch. Die Durchkontaktierung 13 grenzt ebenfalls an die erste Elektrodenschicht 11 an. Im Betrieb des Bauelements 10 bildet die Durchkontaktierung 13 einen elektrischen Kontakt zwischen der ersten Elektrodenschicht 11 und der ersten Anschlussschicht 12. Die Durchkontaktierung 13 und die erste Anschlussschicht 12 dienen der Stromverteilung in lateraler Richtung. Mittels einer Mehrzahl von Durchkontaktierungen 13, die eine Durchkontaktierungsstruktur des Bauelements 10 bilden, kann eine homogene Bestromung in die aktive Schicht 5 erzielt werden. Die Durchkontaktierungen 13 und die erste Anschlussschicht 12 bewirken so eine Verbesserung der Querleitfähigkeit der ersten Elektrodenschicht 11, ohne dass eine Strahlungsaustrittsfläche 41 des Trägerkörpers abgeschattet wird.
Die Durchkontaktierung 13 und die erste Anschlussschicht 12 können aus einem gleichen Grundmaterial geformt sein. Es ist auch denkbar, dass die Durchkontaktierung 13 und die erste Anschlussschicht 12 aus verschiedenen Grundmaterialien ausgebildet sind, die sich beispielsweise hinsichtlich ihrer Wärmeleitfähigkeit voneinander unterscheiden. Dabei kann die Durchkontaktierung 13 eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die erste Anschlussschicht aufweisen. Eine derartige Ausgestaltung verbessert die Wärmeabfuhr aus der aktiven Schicht 5 beziehungsweise aus der ersten Elektrodenschicht 11.
Das Bauelement weist außerdem eine Isolationsschicht 6 zur elektrischen Isolierung zwischen der ersten Elektrode 1 und der zweiten Elektrode 2 sowie zwischen der aktiven Schicht 5 und der Durchkontaktierung 13 auf. Die Isolationsschicht enthält beispielsweise nichtleitfähige Oxide wie Aluminiumoxide, Titanoxide und Siliziumoxide, ein Nitrid wie Siliziumnitrid oder nichtleitfähige Belackungen.
Das Bauelement 10 weist weiterhin mindestens eine Aussparung 8 auf. Die Aussparung 8 erstreckt sich vollständig durch die zweite Elektrodenschicht 21 und durch die aktive Schicht 5 hindurch. Demnach ist die Aussparung 8 ein Loch in der aktiven Schicht 5 und in der zweiten Elektrodenschicht 21. Die Durchkontaktierung 13 und die Isolationsschicht 6 sind zumindest teilweise innerhalb der Aussparung 8 angeordnet. In lateraler Richtung ist die Durchkontaktierung 13 vollumfänglich von der Isolationsschicht 6 umgeben. Innerhalb der Aussparung 5 wird die Durchkontaktierung 13 mittels der Isolationsschicht 6 von der aktiven Schicht 5 und von der zweiten Elektrodenschicht 21 elektrisch isoliert. Außerhalb der Aussparung erstreckt sich die Isolierungsschicht 6 in lateraler Richtung zwischen der ersten Anschlussschicht 12 und der zweiten Elektrodenschicht 21. Die Isolierungsschicht 6 grenzt an die erste Anschlussschicht 12 und an die zweite Elektrodenschicht 21 an.
Der Trägerkörper 4 ist strahlungsdurchlässig ausgebildet. Der Trägerkörper 4 kann Glas enthalten oder besteht aus Glas. Der Trägerkörper 4 weist auf seiner der ersten Elektrodenschicht 11 abgewandten Seite eine Strahlungsaustrittsfläche 41 des Bauelements auf. Das heißt, die von dem Bauelement erzeugte Strahlung tritt an der Strahlungsaustrittsfläche 41 aus dem Bauelement 10 aus. Die Strahlungsaustrittsfläche 41 ist eben ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Strahlungsaustrittsfläche 41 bis auf herstellungsbedingten Schwankungen keine Krümmung auf.
In 1B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement in Schnittansicht dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem ersten Ausführungsbeispiel für das optoelektronische Bauelement in 1A. Im Unterschied hierzu weist die Isolationsschicht 6 eine erste Isolationsschicht 61 und eine zweite Isolationsschicht 62 auf. In der Aussparung 8 grenzen die erste Isolationsschicht 61 und die zweite Isolationsschicht 62 direkt aneinander an. In der vertikalen Richtung schließt die erste Isolationsschicht 61 bündig mit der aktiven Schicht 5 ab. Mit anderen Worten ist die erste Isolationsschicht 61 in lateraler Richtung vollständig von der aktiven Schicht 5 umgeben, wobei die erste Isolationsschicht 61 und die aktive Schicht 5 eine gleiche vertikale Höhe aufweisen. Während des Aufbringens der zweiten Elektrodenschicht 21 auf die aktive Schicht 5 kann eine derartige erste Isolationsschicht 61 die erste Elektrodenschicht 11 vor einem möglichen Kurzschluss mit der zweiten Elektrodenschicht 21 schützen.
Die zweite Isolationsschicht ist außerhalb der Aussparung 8 bereichsweise zwischen der ersten Anschlussschicht 11 und der zweiten Elektrodenschicht 21 angeordnet. Die zweite Isolationsschicht 62 dient dabei der elektrischen Isolierung zwischen der ersten Anschlussschicht 12 und der zweiten Elektrodeschicht 21. Die erste Isolationsschicht 61 und die zweite Isolationsschicht 62 können aus einem gleichen Grundmaterial geformt sein. Es ist auch denkbar, dass sie jeweils ein anderes Grundmaterial aufweisen.
In 2A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für elektromagnetisches Bauelement in einer lateralen Schnittsebene in Höhe der zweiten Elektrodenschicht 21 schematisch dargestellt. Die erste Elektrode 1 weist eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen 13 auf, die eine Durchkontaktierungsstruktur 3 des Bauelements bilden. Die Durchkontaktierungen 13 sind in lateraler Richtung voneinander räumlich beabstandet. Die Durchkontaktierungen 13 weisen jeweils einen Querschnitt auf, der kreisförmig ist. Der Querschnitt kann entlang der vertikalen Richtung konstant sein. Es ist denkbar, dass der Querschnitt mit größer werdendem Abstand von der ersten Anschlussschicht 12 abnimmt. Das heißt, der Querschnitt der Durchkontaktierung 13 ist in der vertikalen Richtung von der ersten Anschlussschicht 12 zu der ersten Elektrodenschicht 11 verjüngt. Es auch ist denkbar, dass der Querschnitt der Durchkontaktierungen 13 streifenförmig, rechteckig, elliptisch, kreuzförmig ist oder andere Formen aufweist. Die Durchkontaktierungen 13 können auch Querschnitte verschiedener Formen aufweisen.
In lateraler Richtung ist jede einzelne Durchkontaktierung 13 von der Isolationsschicht 6 vollständig umschlossen. Die zweite Elektrodenschicht 21 weist eine Mehrzahl von Aussparungen 8 auf, in denen jeweils eine Isolationsschicht 6 und eine Durchkontaktierung 12 angeordnet sind. Die Aussparung 8 weist einen Querschnitt auf, der eine gleiche Form aufweist wie die des Querschnitts der zugehörigen Durchkontaktierung 13. Abgesehen davon können die Aussparung 8 und die zugehörige Durchkontaktierung 13 Querschnitte verschiedener Formen aufweisen.
In 2B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement in Querschnittansicht schematisch dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel in 2A. Im Unterschied hierzu ist der Querschnitt der Durchkontaktierung 13 streifenförmig. Das heißt, in Aufsicht auf die aktive Schicht weist die Durchkontaktierung einen Querschnitt auf, dessen Längsausdehnung bevorzugt beispielweise mindestens zweimal, insbesondere mindestens fünfmal so groß wie dessen Querausdehnung ist.
In 2C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement in Querschnittansicht durch die zweite Elektrodenschicht 21 schematisch dargestellt. Das Bauelement weist eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen 13 auf, die bereichsweise aneinander angrenzen und somit eine zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur 3 bilden. Die Durchkontaktierungsstruktur 3 ist in lateraler Richtung von einer zusammenhängenden Isolationsschicht 6 umgeben.
Die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur 3 unterteilt die zweite Elektrodenschicht 21 in mehrere voneinander getrennte Teilbereiche 210. Die Teilbereiche sind in der lateralen Richtung voneinander räumlich beabstandet. In der 2C nicht dargestellt ist die aktive Schicht 5, die durch eine derartige zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur ebenfalls in mehrere voneinander getrennte Bereiche 50 unterteilt ist. Die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur 3 weist exemplarisch eine wabenförmige Struktur auf. Die einzelne Durchkontaktierung ist streifenförmig. Es ist auch denkbar, dass die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur 3 eine leiterförmige, kreisförmige, spinnennetzartige oder eine andere zusammenhängende Struktur aufweist.
In 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein elektronisches Bauelement in Schnittansicht schematisch dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel in 1A. Im Unterschied hierzu umfasst die zweite Elektrode 2 die zweite Elektrodenschicht 21, eine zweite Anschlussschicht 22 und eine Mehrzahl von weiteren Durchkontaktierungen 23. Weiterhin ist die zweite Elektrodenschicht 21 durch die Durchkontaktierungen 13, die eine zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur 3 bilden, in mehrere voneinander getrennte Teilbereiche 210 der zweiten Elektrodenschicht unterteilt. Dies führt dazu, dass die aktive Schicht 5 ebenfalls in mehrere voneinander getrennte Teilbereiche 50 unterteilt ist.
Die zweite Anschlussschicht 22 ist auf einer der zweiten Elektrodenschicht 21 abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht 12 angeordnet. Die erste Anschlussschicht 12 befindet sich zwischen der zweiten Anschlussschicht 22 und der zweiten Elektrodenschicht 21. Die weiteren Durchkontaktierungen 23 erstrecken sich in der vertikalen Richtung von der zweiten Anschlussschicht 22 vollständig durch die erste Anschlussschicht 12 hindurch zu den Teilbereichen 210 der ersten Elektrodenschicht 21. Im Betrieb des Bauelements 10 sind die Teilbereiche 50 der aktiven Schicht mittels der weiteren Durchkontaktierungen 22 miteinander elektrisch leitend verbunden.
Die zweite Anschlussschicht 22 kann ebenfalls in voneinander getrennte Teilbereiche unterteilt sein, wobei die Teilbereiche der Anschlussschicht 22 jeweils an eine weitere Durchkontaktierung 23 angrenzen. Mit anderen Worten sind die Teilbereiche der Anschlussschicht 22 jeweils mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung 23 elektrisch verbunden, wobei die weitere Durchkontaktierung 23 im Betrieb des Bauelements 10 mit einem der Teilbereiche 50 der aktiven Schicht 5 in elektrischem Kontakt steht. Mittels einer derartigen Gestaltung der zweiten Anschlussschicht 22 kann eine gezielte elektrische Kontaktierung der voneinander getrennten Teilbereiche 50 der aktiven Schicht 5 vereinfacht erreicht werden.
Das Bauelement weist außerdem eine weitere Isolationsschicht 63 zur elektrischen Isolierung zwischen der ersten Elektrode 1 und der zweiten Elektrode 2 auf. Die weitere Isolationsschicht 63 ist bereichsweise zwischen der zweiten Anschlussschicht 22 und der ersten Anschlussschicht 12 sowie bereichsweise zwischen den weiteren Durchkontaktierungen 23 und der ersten Anschlussschicht 12 angeordnet. Die weitere Isolationsschicht 63 grenzt an die Isolationsschicht 6 an.
In den 4A bis 4E ist ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements anhand von jeweils schematisch dargestellten Zwischenschritten in Draufsicht gezeigt. Das herzustellende Bauelement ist beispielsweise in der 1B schematisch dargestellt. Die im Folgenden beschriebenen Zwischenschritte können auch Anwendung bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente der weiteren beschriebenen Ausführungsbeispiele und Kombinationen davon finden.
In einem ersten Schritt wird der Trägerkörper 4 bereitgestellt. Die erste Elektrodenschicht 11 wird auf den Träger aufgebracht. Die organische aktive Schicht 5 und die Aussparung 8 werden auf der ersten Elektrodenschicht 11 ausgebildet (4A).
Das Ausbilden der Aussparung 8 kann beispielsweise durch teilweises Entfernen der aktiven Schicht 5 erfolgen. Alternativ kann die Aussparung 8 beim Ausbilden der aktiven Schicht 5 auf der ersten Elektrodenschicht 11 beispielsweise mittels einer Maske gebildet werden. Mit anderen Worten kann die aktive Schicht 5 strukturiert auf die erste Elektrodenschicht 11 aufgebracht werden. Anstelle einer Maske kann ebenfalls ein Abdeckmaterial, beispielsweise ein photostrukturierbares Abdeckmaterial, verwendet werden.
In einem weiteren Zwischenschritt wird die erste Isolationsschicht 61 ausgebildet (4B). Dies kann beispielsweise durch das Aufbringen eines elektrisch isolierenden Materials in die Aussparung 8 realisiert werden. Es ist auch denkbar, dass das Abdeckmaterial ein elektrisch isolierendes Material ist, so dass die Ausbildung der ersten Isolationsschicht durch teilweises Entfernen des Abdeckmaterials erfolgt.
In einem weiteren Zwischenschritt wird die zweite Elektrodenschicht 21 auf die aktive Schicht 5 aufgebracht (4C). Die Aussparungen 8 sind dabei frei von der zweiten Elektrodenschicht. Beispielsweise wird die zweite Elektrodenschicht 21 auf die aktive Schicht aufgedampft. Analog zur aktiven Schicht 5 kann die zweite Elektrodenschicht 21 beispielsweise mittels einer Maske oder eines Abdeckmaterials strukturiert ausgebildet werden. Vorzugsweise wird die erste Isolationsschicht 61 vor dem Aufbringen der zweiten Elektrodenschicht 21 ausgebildet, wodurch das Risiko eines Kurzschlusses zwischen der zweiten Elektrodenschicht 21 und der ersten Elektrodenschicht 11 stark reduziert wird.
In einem weiteren Zwischenschritt wird die zweite Isolationsschicht 62 auf die zweite Elektrodenschicht 21 aufgebracht (4D). Die zweite Isolationsschicht 62 bedeckt die zweite Elektrodenschicht 21 vollständig. Innerhalb der Aussparung 8 grenzt die zweite Isolationsschicht 62 unmittelbar an die erste Isolationsschicht 61 an. Die für die Durchkontaktierungen 13 vorgesehenen Bereiche der Aussparungen 8 sind frei von der zweiten Isolationsschicht.
In einem weiteren Zwischenschritt werden die Durchkontaktierungen 13 und die erste Anschlussschicht 12 ausgebildet (4E). Dabei können die für die Durchkontaktierungen 13 vorgesehenen Bereiche der Aussparungen 8 mit einem elektrisch leitenden Material befüllt werden.
Danach wird die erste Anschlussschicht 12 wird auf der zweiten Isolationsschicht 62 ausgebildet, beispielsweise aufgedampft. Die erste Anschlussschicht 12 bedeckt die zweite Isolierungsschicht 62 und die Durchkontaktierungen 13 vollständig. Es ist auch denkbar, dass die Durchkontaktierungen 13 und die erste Anschlussschicht in einem gemeinsamen Verfahrensschritt hergestellt werden.
Mit dem Einsatz von Durchkontaktierungen durch die aktive Schicht hindurch wird eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Anschlussschicht und der ersten Elektrodenschicht hergestellt, wodurch eine Verbesserung der Querleitfähigkeit der ersten Elektrodenschicht effektiv erzielt ist, ohne dass eine Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements beispielsweise durch die Busbars abgeschattet wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele an diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

WO 2010/066245 A1 [0011]

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10) mit einer zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen organischen aktiven Schicht (5) und einer zur elektrischen Kontaktierung der aktiven Schicht vorgesehenen ersten Elektrode (1), wobei – die erste Elektrode eine erste Elektrodenschicht (11) und eine zumindest bereichsweise von der ersten Elektrodenschicht beabstandete erste Anschlussschicht (12) aufweist; – die aktive Schicht zumindest bereichsweise zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht angeordnet ist; und – die erste Elektrode zumindest eine Durchkontaktierung (13) aufweist, die sich durch die aktive Schicht hindurch erstreckt und einen elektrischen Kontakt zwischen der ersten Elektrodenschicht und der ersten Anschlussschicht bildet.
Optoelektronisches Bauelement dem vorhergehenden Anspruch mit einer zur elektrischen Kontaktierung der aktiven Schicht (5) vorgesehenen zweiten Elektrode (2), wobei – die zweite Elektrode eine zweite Elektrodenschicht (21) aufweist; und – die zweite Elektrodenschicht zumindest bereichsweise zwischen der aktiven Schicht und der ersten Anschlussschicht (12) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die zweite Elektrodenschicht (21) als eine Spiegelschicht für die von dem Bauelement erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Elektrodenschicht (11) zwischen einem strahlungsdurchlässigen Trägerkörper (4) und der aktiven Schicht (5) angeordnet ist und der Trägerkörper auf einer der ersten Elektrodenschicht abgewandten Seite des Trägerkörpers eine Strahlungsaustrittsfläche (41) des Bauelements aufweist.
Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, wobei die erste Anschlussschicht (12) und die zweite Elektrodenschicht (21) auf einer dem Trägerkörper (4) abgewandten Seite der aktiven Schicht (5) angeordnet sind und sich in Draufsicht auf den Trägerkörper überlappen.
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die aktive Schicht (5) und die zweite Elektrodenschicht (21) zumindest eine Aussparung (8) zur ersten Elektrodenschicht (11) aufweisen, in der die zumindest eine Durchkontaktierung (13) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei – innerhalb der Aussparung (8) zwischen der Durchkontaktierung (13) und der aktiven Schicht (5) eine erste Isolationsschicht (61) zur elektrischen Isolierung angeordnet ist und zwischen der Durchkontaktierung (13) und der zweiten Elektrodenschicht (21) eine zweite Isolationsschicht (62) zur elektrischen Isolierung angeordnet ist; – innerhalb der Aussparung die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht aneinander angrenzen; und – außerhalb der Aussparung zwischen der ersten Anschlussschicht (11) und der zweiten Elektrodenschicht die zweite Isolationsschicht angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Bauelement eine Durchkontaktierungsstruktur (3) mit einer Mehrzahl von Durchkontaktierungen (13) umfasst, die in lateraler Richtung voneinander beabstandet sind.
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Bauelement eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (13) umfasst, die zumindest bereichsweise aneinander angrenzen, so dass die Durchkontaktierungen eine zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur (3) bilden.
Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei – die zusammenhängende Durchkontaktierungsstruktur die zweite Elektrodenschicht (21) in mehrere voneinander beabstandete Teilbereiche (210) unterteilt; – die zweite Elektrode (2) eine zweite Anschlussschicht (22) aufweist, wobei die erste Anschlussschicht (12) zwischen der zweiten Anschlussschicht (22) und der zweiten Elektrodenschicht (21) angeordnet ist; und – die zweite Elektrode (2) eine Mehrzahl weiterer Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht und der zweiten Elektrodenschicht aufweist, wobei sich die weitere Durchkontaktierungen durch die erste Anschlussschicht hindurch erstrecken, so dass mittels der weiteren Durchkontaktierungen die voneinander beabstandeten Teilbereiche der zweiten Elektrodenschicht elektrisch miteinander verbunden sind.
Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei – zwischen der ersten Anschlussschicht (12) und der zweiten Anschlussschicht (22) sowie zwischen der ersten Anschlussschicht (12) und den weiteren Durchkontaktierungen (23) eine weitere Isolationsschicht (63) zur elektrischen Isolierung angeordnet ist, wobei die weitere Isolationsschicht zumindest bereichsweise direkt an die zweite Isolationsschicht (62) angrenzt.
Verfahren zur Herstellung von einem optoelektronischen Bauelement (10) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Trägerkörpers (4), B) Aufbringen einer ersten Elektrodenschicht (11) auf den Trägerkörper, C) Ausbilden einer organischen aktiven Schicht (5) mit zumindest einer Aussparung (8) auf der ersten Elektrodenschicht, wobei die Aussparung sich durch die aktive Schicht hindurch erstreckt, D) Ausbilden zumindest einer Durchkontaktierung (13) zumindest bereichsweise in der Aussparung, so dass die Durchkontaktierung an die erste Elektrodenschicht angrenzt, E) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (12) auf einer dem Trägerkörper abgewandten Seite der aktiven Schicht, so dass die erste Anschlussschicht im Betrieb des Bauelements über die Durchkontaktierung mit der ersten Elektrodenschicht elektrisch leitend verbunden ist.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem zwischen Schritt C) und Schritt D) eine zweite Elektrodenschicht (21) mit der Aussparung (8) direkt auf einer dem Trägerkörper (4) abgewandten Seite der aktiven Schicht (5) ausgebildet wird, wobei die Aussparung sich durch die aktive Schicht und durch die zweite Elektrodenschicht hindurch erstreckt.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine erste Isolationsschicht (61) vor dem Aufbringen der zweiten Elektrodenschicht (21) in der Aussparung (8) gebildet wird.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine zweite Isolationsschicht (62) nach dem Aufbringen der zweiten Elektrodenschicht (21) zumindest bereichsweise in der Aussparung (8) ausgebildet wird, wobei die zweite Isolationsschicht in der Aussparung an die erste Isolationsschicht (61) angrenzt.