JP2006040802A - 有機elパネル - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/8051—Anodes
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Abstract
【課題】 パッシブ駆動型の有機ELパネルにおいて、回路構成及び制御プログラム等を複雑にしなくても大型のパネルサイズを得ること。
【解決手段】 陽極ライン3は、ガラス基板2上に形成される。有機層4は、陰極ライン3上に形成される。陰極ライン4は、有機層4上に陽極ライン3と交差するように設けられる。絶縁層5は、陰極ライン4上を覆うように設けられる。ホール部5cは絶縁層5から陽極ライン3に達するように設けられる。配線部材7はホール部5cを介して陽極ライン3と接触し、陽極ライン3に沿うように絶縁層5上に形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】 陽極ライン3は、ガラス基板2上に形成される。有機層4は、陰極ライン3上に形成される。陰極ライン4は、有機層4上に陽極ライン3と交差するように設けられる。絶縁層5は、陰極ライン4上を覆うように設けられる。ホール部5cは絶縁層5から陽極ライン3に達するように設けられる。配線部材7はホール部5cを介して陽極ライン3と接触し、陽極ライン3に沿うように絶縁層5上に形成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、有機ELパネルに関し、特に、少なくとも発光層を有する有機層を、透光性の複数の陽極ラインと、前記陽極ラインと交差する状態で配設される複数の陰極ラインとの間に挟持して複数の発光部を透光性基板上に形成するドットマトリクス型の有機ELパネルに関するものである。
従来より、有機ELパネルが種々提案されており、例えば特許文献1に開示されている。有機ELパネルは、ガラス基板上に積層体を形成したものであり、この積層体は、透明電極と背面電極によって、正孔注入層,正孔輸送層,発光層及び電子輸送層からなる有機層を挟持して有機EL素子を構成している。
また、有機ELパネルとしては、有機EL素子かならなる発光部(画素)をマトリクス状に配置したドットマトリクス型の有機ELパネルがあり、この有機ELパネルは、正孔注入層,正孔輸送層,発光層及び電子輸送層からなる有機層を透光性の複数の陽極ラインと前記陽極ラインと直交する(交差する)状態で配設される複数の陰極ラインとの間に挟持して前記発光部を透光性基板上にて構成するものである。
かかる有機ELパネルとしては、前記陽極ライン及び前記陰極ラインを所定の表示形態に応じて前記各ラインをトランジスタ等のスイッチ手段を用いて選択/非選択することで、前記各陽極ラインの端部側から定電流を印加して所定個所の前記発光部を点灯させた後、非選択時(消灯時)に前記発光部に蓄えられた電荷を放電する(以下、リセット駆動と記す)パッシブ駆動型の有機ELパネルがある(特許文献2参照)。このようなパッシブ駆動型の有機ELパネルにあっては、酸化インジウム(In↓2O↓3)と酸化スズ(SnO↓2)の混合物であるITO(Indium Tin Oxide)を前記陽極ラインとして用いられることが一般的である。
特開2001−267066号公報
特開2003−150113号公報
しかしながら、高抵抗(導電率が低い)な導電材料から構成される前記ITOを前記陽極ラインとして用いると、パネルサイズの大型化に伴って、前記陽極ラインの長さも長くなり、前記陽極ラインの配線抵抗が大きくなる。これによりリセット駆動時の非選択ラインの発光部に対して逆方向(陰極ラインから陽極ライン方向)に流れる電流によって、選択ライン上の非点灯条件である発光部が点灯してしまうといった不具合が生じるため、有機ELパネルを駆動する駆動回路に抵抗体を取り付けたり、また点灯/非点灯制御を行わせるタイミングを調整する制御プログラムが必要になり、有機ELパネルを駆動するための回路構成が複雑になったり、制御プログラムが複雑化してしまうといった問題点を有していた。
そこで本発明は、前述した問題点に着目し、パッシブ駆動型の有機ELパネルにおいて、回路構成及び制御プログラム等を複雑にしなくても大型のパネルサイズを得ることが可能な有機ELELパネルを得ることを目的とする。
本発明は、前述した課題を解決するため、請求項1に記載した有機ELパネルの通り、一方が透光性の一対の電極によって少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなる有機EL素子から発光部を構成し、前記発光部を透光性基板上にマトリクス状に配設してなる有機ELパネルであって、前記透光性基板上に形成され、前記透光性の電極である複数の陽極ラインと、前記各陽極ライン上に形成される前記有機層と、前記有機層上に前記各陽極ラインと交差するように配設される各陰極ラインと、前記各陰極ライン上を覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層から前記陽極ラインに達するように設けられるホール部と、前記ホール部を介して前記陽極ラインと接触する接触部を有し、前記陽極ラインに沿うように前記絶縁層上に形成される配線部材と、を備えてなるものである。
また、請求項2に記載した有機ELパネルは、請求項1に記載した有機ELパネルにおいて、前記配線部材は、前記陽極ラインよりも導電率が良い導電材料にて形成されるものである。
また、請求項3に記載した有機ELパネルは、請求項1に記載した有機ELパネルにおいて、前記配線部材は、前記陰極ラインと同材料から構成されてなるものである。
また、請求項4に記載した有機ELパネルは、請求項1に記載した有機ELパネルにおいて、前記絶縁層は、前記陽極ライン上に設けられる第1の絶縁部と、前記第1の絶縁部から前記陰極ラインを覆う第2の絶縁部とから構成されてなるものである。
また、請求項4に記載した有機ELパネルは、請求項1に記載した有機ELパネルにおいて、前記ホール部は、前記陽極ラインの長手方向における前記発光部毎に形成されてなるものである。
本発明は、少なくとも発光層を有する有機層を透光性の複数の陽極ラインと前記陽極ラインと交差する状態で配設される複数の陰極ラインとの間に挟持し、複数の画素を透光性基板上にて構成するドットマトリクス型の有機ELパネルに関し、回路構成及び制御プログラム等を複雑にしなくても大型化の表示エリアを確保することが可能となる。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
図1及び図2において、有機ELパネル1は、ガラス基板(透光性基板)2と、陽極ライン3と、有機層4と、絶縁層5と、陰極ライン6と、配線部材7とから主に構成されている。
ガラス基板2は、所定の厚さを有し、透光性の矩形状基板である。
陽極ライン3は、ITOやIZO((Indium Zinc Oxide)等からなるものであり、スパッタリング或いは蒸着等の手段によって形成され、所定間隔を空けて配置され縦方向にストライプ状をなしている。陽極ライン3は、その一端がガラス基板の一辺側に引き出し形成され、引き出し電極3aを構成している。
有機層4は、各陰極ライン3上にマトリクス状に形成される発光部(画素)である。有機層4は、図3に示すように、正孔注入層4a,正孔輸送層4b,発光層4c及び電子輸送層4dを蒸着法によって順次積層形成することで得られるものである。尚、有機層4は、少なくとも発光層4cがあれば良いが、本実施形態のように正孔注入層4a,正孔輸送層4b及び電子輸送層4dを設けることにより、発光輝度を向上させることができる。
絶縁層5は、シリカ(SiO↓2),フッ化リチウム(LIF)及びアルミナ(Al2O↓3)等の蒸着可能な材料が用いられており、第1の絶縁部5aと第2の絶縁部5bとを有している。 第1の絶縁部5aは、有機層4の製造工程よりも前工程にて形成されるものであり、発光部となる有機層4の輪郭を明確にするため、有機層4の表示領域よりもその縁部が若干小さめに形成されている。
陰極ライン6は、陽極ライン3と直交(交差)するように有機層4上に配設され、所定間隔を空けて配置され横方向にストライプ状をなしている。陰極ライン6は、陽極ライン3よりも導電率の良好な金属材料が用いられ、例えばアルミニウム(Al)が用いられる。
第2の絶縁部5bは、第1の絶縁部5aに達し、また各陰極ライン6上及び各陰極ライン6間を覆うように蒸着法によって形成されている。第2の絶縁部5bには、陽極ライン3の長手方向に沿うように発光部毎(有機層4毎)に、陽極ライン6に達するホール部5cが形成されている。
配線部材7は、各陽極ライン3の長手方向に沿うように絶縁層5(第2の絶縁部5b)上に蒸着法によって形成されるとともに、その一端がガラス基板2の一辺に引き出し形成され、引き出し電極7aが構成されている。また、配線部材7は、第2の絶縁部5bに形成されるホール部5cから陽極ライン3に電気的に接続する接触部7bが形成される。また、配線部材7は、陰極ライン6と同様に導電率の良好な金属材料が用いられ、本実施形態では、陰極ライン6と同材料のアルミニウムが用いられる。
以上の各部によってドットマトリクス型の有機ELパネル1が構成されるものであるが、定電流は、配線部材7から陽極ライン3及び陰極ライン6へ伝達される。かかる有機ELパネル1は、ガラス基板2上に形成され、透光性の電極である複数の陽極ライン3と、陽極ライン3上に形成される有機層4と、有機層4上に各陽極ライン3と交差するように設けられる各陰極ライン6と、陰極ライン6上を覆うように設けられる絶縁層5と、絶縁層5から陽極ライン3に達するように設けられるホール部5cと、ホール部5cを介して陽極ライン3と接触する接触部7bを有し、陽極ライン3に沿うように絶縁層5上に形成される配線部材7と、を備えるものである。
よって、有機ELパネル1は、高抵抗材料のITOによって陽極ライン3を備える構成であるが、発光部毎に配線部材7接触する接触部7bを設けるように構成することで、発光部を非点灯とする際のリセット駆動時において、非選択ライン上の発光部に対して逆方向に流れる電流を、導電率が良好な接触部7b及び配線部材7を介してグランドレベルに流すことが可能となることから、選択ライン上の非点灯条件である発光部へ流れる電流を抑制することが可能となり、非点灯時に前記発光部が点灯してしまうといった不具合を防止することができる。よって、誤点灯を防止するための回路構成が不要となり、また誤点灯防止用の点灯及びリセット処理のための制御プログラムが不要となる。また、パッシブ駆動型の有機ELパネルにおいて、複雑な回路構成及び処理プログラムを必要とすることなく、大型のパネルサイズを得ることができる。
また、配線部材7は、陽極ライン3よりも導電率の良い導電材料にて形成され、陰極ライン6と同材料から構成されてなるものである。よって、非点灯時におけるリセット駆動時に、非選択ライン上の発光部に対して逆方向に流れる電流を、導電率が良好な接触部7b及び配線部材7を介してグランドレベルに流すことが可能となることから、選択ライン上の非点灯条件である発光部へ流れる電流が抑制されるため、非点灯時の前記発光部が点灯してしまうといった不具合を効果的に防止することができる。
また、絶縁層5は、陽極ライン3上に設けられる第1の絶縁部5aと、第1の絶縁部5aから陰極ライン6を覆う第2の絶縁部5bとから構成されてなるものである。よって、絶縁層5の形成工程が2工程必要となるが、蒸着法によって正確に絶縁層5を形成することが可能となる。
また、陽極ライン3の長手方向における発光部(有機層4)毎に、ホール部5cが形成されるものである。従って、各発光部毎に陽極ライン3と配線部材7とを接触させる接触部7bが設けられることから、非点灯時におけるリセット駆動時に、非選択ライン上の発光部に対して逆方向に流れる電流を、接触部7b及び配線部材7を介してグランドレベルに流すことが可能となることから、選択ライン上の非点灯条件である発光部へ流れる電流が更に抑制されるため、非点灯時に前記発光部が点灯してしまうといった不具合を防止することができる。
尚、本発明の実施形態では、絶縁層5を第1の絶縁部5aと第2の絶縁部5bとから構成したが、請求項1に記載の本発明にあっては、1工程による蒸着法によって陰極ライン6上から陽極ライン3まで達することが可能な絶縁層にあっては、一層構造の絶縁層であっても良い。
1 有機ELパネル
2 ガラス基板(透光性基板)
3 陽極ライン
4 有機層
5 絶縁層
5a 第1の絶縁部
5b 第2の絶縁部
5c ホール部
6 陰極ライン
7 配線部材
7b 接触部
2 ガラス基板(透光性基板)
3 陽極ライン
4 有機層
5 絶縁層
5a 第1の絶縁部
5b 第2の絶縁部
5c ホール部
6 陰極ライン
7 配線部材
7b 接触部
Claims (5)
- 一方が透光性の一対の電極によって少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなる有機EL素子から発光部を構成し、前記発光部を透光性基板上にマトリクス状に配設してなる有機ELパネルであって、
前記透光性基板上に形成され、前記透光性の電極である複数の陽極ラインと、
前記各陽極ライン上に形成される前記有機層と、
前記有機層上に前記各陽極ラインと交差するように配設される各陰極ラインと、
前記各陰極ライン上を覆うように設けられる絶縁層と、
前記絶縁層から前記陽極ラインに達するように設けられるホール部と、
前記ホール部を介して前記陽極ラインと接触する接触部を有し、前記陽極ラインに沿うように前記絶縁層上に形成される配線部材と、
を備えてなることを特徴とする有機ELパネル。 - 前記配線部材は、前記陽極ラインよりも導電率が良い導電材料にて形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。
- 前記配線部材は、前記陰極ラインと同材料から構成されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。
- 前記絶縁層は、前記陽極ライン上に設けられる第1の絶縁部と、前記第1の絶縁部から前記陰極ラインを覆う第2の絶縁部とから構成されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。
- 前記ホール部は、前記陽極ラインの長手方向における前記発光部毎に形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004221892A JP2006040802A (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 有機elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004221892A JP2006040802A (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 有機elパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006040802A true JP2006040802A (ja) | 2006-02-09 |
Family
ID=35905560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004221892A Pending JP2006040802A (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 有機elパネル |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2006040802A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2004
- 2004-07-29 JP JP2004221892A patent/JP2006040802A/ja active Pending
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