DE102012215091A1 - Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel - Google Patents
Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012215091A1 DE102012215091A1 DE102012215091A DE102012215091A DE102012215091A1 DE 102012215091 A1 DE102012215091 A1 DE 102012215091A1 DE 102012215091 A DE102012215091 A DE 102012215091A DE 102012215091 A DE102012215091 A DE 102012215091A DE 102012215091 A1 DE102012215091 A1 DE 102012215091A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sensor
- housing
- signal processing
- carrier
- processing element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 241001136792 Alle Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000742 single-metal deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/02—Housings
- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/10886—Other details
- H05K2201/10924—Leads formed from a punched metal foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Abstract
Sensor, umfassend wenigstens ein Sensorelement (1), zumindest ein Signalverarbeitungselement (2), ein Gehäuse (7), das wenigstens ein Befestigungsmittel aufweist, sowie eine elektrische Schnittstelle zur elektrischen Anbindung des Sensors, wobei der Sensor ein elektrisch und mechanisch verbindendes Trägermittel (4) aufweist, auf welchem das wenigstens eine Sensorelement (1) und das Signalverarbeitungselement (2) angeordnet sind und mit diesem elektrisch verbunden sind, wobei das Trägermittel (4) auch mit der elektrischen Schnittstelle zumindest elektrisch verbunden ist.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Sensor gemäß Oberbegriff von Anspruch 1 sowie die Verwendung des Sensors in Kraftfahrzeugen.
- Üblicherweise werden mikromechanische Sensorelemente bzw. MEMS-Sensorelemente und applikationsspezifische integrierte Schaltungen bzw. ASICs, die zunächst als unverpackte Halbleiterbauelemente ausgebildet sind, als so genannte „Bare Dies“ bereits vom Hersteller zu fertigen Inertialsensoren bestückt, welche als lötfähiges Bauteil bzw. oberflächenmontiertes Bauelement bzw. als so genanntes „Surface Mounted Device“ (SMD), das mit einem Gehäuse gegen Umwelteinflüsse geschützt und nach außen kontaktiert ist, ausgebildet.
- Solche SMDs können direkt auf eine Leiterplatte bzw. „PCB“ in ein Steuergerät (ECU, ACU) oder in ein separates Gehäuse eines Satelliten-Sensors gelötet werden.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde einen kostengünstigen und/oder kompakten Sensor vorzuschlagen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch den Sensor gemäß Anspruch 1.
- Der Sensor weist vorzugsweise ein einziges Trägermittel auf.
- Das Trägermittel ist bevorzugt als Leadframe ausgebildet. Alternativ vorzugsweise ist das Trägermittel als Leiterplatte bzw. „PCB“ ausgebildet.
- Unter einer elektrischen Schnittstelle, wird bevorzugt ein Stecker und alternativ vorzugsweise ein Kabelanschluss bzw. Kabelabgang verstanden.
- Es ist bevorzugt, dass das wenigstens eine Sensorelement und das Signalverarbeitungselement jeweils als unverpackte Halbleiterbauelemente auf dem Trägermittel angeordnet sind. Unter einem unverpackten Halbleiterbauelement versteht man bevorzugt ein Bauelement dessen funktionale Struktur aus einem Halbleitermaterial ausgebildet ist und das kein eigenes Gehäuse aufweist. Unter unverpackt wird beispielsweise „siliziumverpackt“ bzw. auf „Wafer-Ebene“ verpackt bzw. ein „bare die“ verstanden.
- Es ist bevorzugt, dass der Sensor ein Transfermoldgehäuse aufweist, welches das wenigstens eine Sensorelement und das Signalverarbeitungselement und das Trägermittel vollständig oder zumindest teilweise umschließt. Insbesondere sind dabei das wenigstens eine Sensorelement und das Signalverarbeitungselement zumindest teilweise von einer Vergussmasse bzw. einem „globe top“ bedeckt, innerhalb des Transfermoldgehäuses.
- Vorzugsweise ist das Transfermoldgehäuse vollständig oder zumindest teilweise von einem Overmoldgehäuse umschlossen.
- Es ist bevorzugt, dass das wenigstens eine Sensorelement als Inertialsensorelement ausgebildet ist.
- Vorzugsweise ist der Sensor als Satelliten-Sensor ausgebildet, insbesondere als Kraftfahrzeugsensor.
- Unter einem Transfermoldgehäuse versteht man bevorzugt ein Spritzpressgehäuse bzw. ein Premoldgehäuse.
- Unter einem Overmoldgehäuse versteht man vorzugsweise ein Spritzgussgehäuse bzw. ein Overmoldgehäuse bzw. ein Gehäuse aus Epoxy.
- Der Leadframe bzw. Leiterrahmen weist bevorzugt wenigstens eine Bestückungsinsel auf, auf welcher zumindest das Sensorelement und das Signalverarbeitungselement angeordnet sind.
- Das mindestens eine Sensorelement ist vorzugsweise als mikromechanisches Sensorelement ausgebildet, insbesondere als mikromechanisches Inertialsensorelement.
- Der Sensor ist bevorzugt so ausgebildet, dass das Overmoldgehäuse zwei Teile aufweist, einen vorgefertigten Gehäuseteil, in welchen das Trägermittel und die mit diesem verbundenen Bauteile eingebracht sind und einen zweiten Teil, mit welchen dieses vorgefertigte Gehäuseteil mittels Obermoldens bzw. eines Overmoldgehäuses geschlossen wird. Diese beiden Gehäuseteile bestehen besonders bevorzugt aus Spritzguss bzw. Overmold bzw. Epoxy.
- Die unverpackten Halbleiterbauelemente sind vorzugsweise mittels eines Klebers auf dem Trägermittel befestigt bzw. angeordnet.
- Es ist zweckmäßig, dass das wenigstens eine Sensorelement sowie das Signalverarbeitungselement und/oder optional weitere elektrische Bauelemente, mittels Bondens bzw. Drahtbondens zumindest mit dem Trägermittel und/oder untereinander elektrisch verbunden sind.
- Alternativ vorzugsweise ist die Fixierung und elektrische Kontaktierung des zumindest einen Sensorelements sowie das Signalverarbeitungselement und/oder optional weiterer elektrischer Bauelemente, insbesondere als „bare dies“ ausgebildet, per Flip-Chip ausgebildet. Dazu werden besonders bevorzugt entweder "Solder Balls" bzw. Lötkugeln, "Copper Pillars" bzw. Kupferdome und/oder Lötpads auf die Oberseite der „bare dies“ aufgebracht. Diese bare dies, bzw. unverpackte Halbleiterbauelemente genannt, sind dann beispielsweise umgedreht auf dem Leadframe oder der Leiterplatte platziert und werden per Reflow- oder Heißdampf gelötet.
- Der Sensor weist bevorzugt ein oder mehrere zusätzliche elektrische Bauelemente, wie zumindest einen Widerstand und/oder wenigstens eine Kapazität und/oder mindestens eine Induktivität und/oder zumindest eine weitere integrierte Schaltung und/oder wenigstens einen Varistor auf.
- Vorzugsweise weist das Gehäuse des Sensors, insbesondere das äußere Gehäuse bzw. Overmoldgehäuse eine oder zwei oder mehrere Befestigungseinrichtungen auf, welche besonders bevorzugt so ausgebildet ist/sind, dass der Sensor mittels einer Schraubverbindung befestigbar ist.
- Das elektrische Trägermittel ist bevorzugt mit einem oder mehreren Einpresspins „press fit pins“ elektrisch kontaktiert. Dabei ist der Bereich in welchem diese Kontaktierung durchgeführt wird ausgespart von dem Overmoldgehäuse und/oder dem Transfermoldgehäuse.
- Alternativ vorzugsweise erfolgt die Kontaktierung durch Lötstifte aus einem leit- und lötfähigen Material. Diese könne einen beliebigen Querschnitt haben. Typischerweise sind diese rund oder quadratisch. Diese werden mit der PCB verlötet sog. Durchsteckmontage (THT-Technologie = Through-Hole-Technologie).
- Es ist bevorzugt, dass das Trägermittel mittels wenigstens eines angeschweißten Pins elektrisch kontaktiert ist, insbesondere mit der elektrischen Schnittstelle.
- Die Fixierung der PCB in dem Satelliten-Sensor erfolgt vorzugsweise durch konstruktive Elemente direkt im Gehäuse und Deckel (Auflagedome, Rippen, Rasthaken, etc.). Alternativ ist ein Einkleben oder Verschrauben der PCB möglich.
- Zum Schutz vor Umwelteinflüssen wird nach Einbau der PCB in das Gehäuse des Satelliten-Sensors dieses Gehäuse zweckmäßigerweise mittels einer Vergussmasse oder mit einem Deckel aus metallischem oder nicht-metallischem Material verschlossen.
- Die Erfindung bezieht sich außerdem auf die Verwendung des Sensors in Kraftfahrzeugen.
- Insbesondere bezieht sich die Erfindung außerdem auf ein Herstellungsverfahren eines Sensors, das günstig und/oder flexibel ist. Dabei wird zunächst das elektrisch und mechanisch verbindende Trägermittel mit unverpackten Halbleiterelementen sowie optional weiteren elektronischen Bauelementen bestückt. Die unverpackten Halbleiterelemente und die optionalen weiteren elektronischen Bauelemente werden bevorzugt direkt umspritzt, so dass sie in einem Transfermoldgehäuse angeordnet sind. Alternativ vorzugsweise werden die unverpackten Halbleiterelemente und die optionalen weiteren elektronischen Bauelemente vor der Umspritzung mit dem Transfermoldgehäuse erst noch mit einer Vergussmass bzw. „globe top“ bedeckt, die dann ebenfalls in das Transfermoldgehäuse eingespritzt wird. Anschließend wird aus diesen teilfertigen Sensoren mittels einer Overmoldumspritzung bzw. einem Overmoldgehäuse und/oder einem zusätzlichen vorgefertigten Gehäuse wahlweise ein Sensor als lötfähiges Bauteil bzw. oberflächenmontiertes Bauelement bzw. als so genanntes „Surface Mounted Device“ (SMD) erzeugt/gefertigt oder ein Sensor als Satelliten-Sensor.
- Es zeigen in schematischer, beispielhafter Darstellung
-
1 und2 Ausführungsbeispiele des Sensors, -
3 und4 beispielhafte Herstellungsverfahren. - In
1 ist ein Roh-Sensor aus zwei Perspektiven dargestellt, welcher einen Leadframe als Trägermittel4 aufweist. Der Sensor umfasst zwei aufgeklebte Sensorelemente1 sowie ein Signalverarbeitungselement2 , die mittels Bonddrähten10 elektrisch kontaktiert sind. Sensorelemente1 sowie ein Signalverarbeitungselement2 sind von einem Transfermoldgehäuse5 umgeben bzw. entsprechend eingespritzt. Der Leadframe4 umfasst zwei weitere Umspritzungen als Transfermoldgehäuse5 . Darüber hinaus ist der Leadframe mit zusätzlichen elektronischen Bauelementen8 , wie beispielsweise „R“, „C“, „IC“, Dioden oder wenigstens einem Varistor bestückt. -
2 zeigt einen beispielhaften Sensor als oberflächenmontiertes Bauelement bzw. so genanntes „Surface Mounted Device“ (SMD) ausgebildet. Der Sensor weist ein Sensorelement1 und ein Signalverarbeitungselement2 auf, die auf dem Trägermittel4 , beispielgemäß als Leiterplatte bzw. „PCB“ ausgebildet, angeordnet sind. Leiterplatte4 ist mittels Einpresspins11 elektrisch kontaktiert, wobei der Kontaktbereich von Gehäuse des Sensors, einem Overmoldgehäuse7 ausgespart sind. In2a) weist das Gehäuse eine Ausnehmung/ Aussparung in diesem Kontaktierungsbereich auf, in2b) in dieser Kontaktierungsbereich neben dem Gehäuse7 angeordnet. - Anhand der
3 ist ein beispielhaftes Herstellungsverfahren veranschaulicht. Statt konventionell zwei Verpackungsschritt für den Aufbau eines Satelliten-Sensors wird nur noch ein Schritt benötigt – die „bare dies“ werden auf der Leiterplatte als Trägermittel angeordnet/bestückt und danach erfolgt die Kontaktierung und Ausbildung des Gehäuses. Der Aufbau eines separaten SMDs entfällt, das dann noch zusätzlich mit dem Trägermittel verbunden werden müsste und Raum beanspruchen würde.
– Für PCB-Sensoren und Satelliten-Sensoren ist die Aufbauund Verbindungstechnik der Bare Dies und der Flip-Chip Prozess identisch. Es kann gleiches Frontend-Equipment zur Herstellung genutzt werden.
– Die Fertigungsprozesse Glob Top und Transfermold zum Schutz der Bare Dies sind identisch. Die Leiterplatte kann komplett oder teilweise per Transfermold umspritzt werden. - Das in
4 dargestellte modulare Herstellungsverfahren ermöglicht bzw. umfasst bevorzugt zwei Hauptvarianten, wie beispielhaft schematisch dargestellt:
"Onboard" Variante (SMD):
Der bestückte Leadframe mit den kontaktierten Bare Dies wird bevorzugt durch einen Glob Top bzw. Verguss und einem nachfolgenden Transfer Mold bzw. einen Gesamt-/Nachumspritzungsvorgang, beispielsweise mittels Epoxy, geschützt. Es entsteht ein SMD, also ein oberflächenmontierbares Bauelement, (Surface Mounted Device), das direkt auf die PCB, „Printed Circuit Board“ bzw. elektronische Leiterplatte eines Steuergerätes gelötet wird. Als Lötverfahren sind Reflow- oder Heißdampflöten geeignet. - "Satellite" Variante (IS):
Der bestückte Leadframe mit den kontaktierten Bare Dies wird vorzugsweise durch einen Glob Top bzw. Verguss und einem nachfolgenden Transfer Mold bzw. einen Gesamt-/Nachumspritzungsvorgang, beispielsweise mittels Epoxy, geschützt. - Die Kontaktpins werden vorher an den Leadframe angeschweißt oder alternativ kann ein Kabel durch sogenanntes Crimpen bzw. Bördeln angebracht werden.
- Die Befestigungsteile können im Werkzeug eingelegt und mit umspritzt oder nachträglich eingebracht werden, beispielsweise durch Warmeinbetten und/oder Ultraschallschweißen.
- Danach sind 3 Untervarianten möglich:
- a) Der bestückte Leadframe wird komplett mit dem Gehäuse umspritzt.
- b) Der bestückte Leadframe wird mit einem offenen Gehäuse teilweise umspritzt und mit einem Verguss und/oder Deckel verschlossen. Der Deckel kann aus einem metallischen oder nicht-metallischen Material bestehen.
- c) Der bestückte Leadframe wird mit einem Halter (sog. Carrier) aus Kunststoff teilumspritzt und danach komplett mit dem Gehäuse umspritzt.
- Das vorgeschlagene Verfahren und seine Varianten bzw. der damit hergestellte Sensor weisen beispielgemäß folgende Vorteile auf:
- – Für beide Hauptvarianten sind die Prozesse der Bestückung, der Kontaktierung und dem Schutz der Bare Dies identisch.
- – Statt konventionell zwei Verpackungsschritt für den Aufbau der Satelliten (IS) wird nur noch ein Schritt benötigt (Bare-Die → Satellitenprodukt). Der Aufbau eines separaten SMD entfällt.
- – Für Onboard- und Satellitenlösung (SMD und IS) ist die Aufbau- und Verbindungstechnik der Bare Dies identisch, d. h. gleiche Fertigungseinrichtungen (Frontend-Equipment).
- – Die Fertigungsprozesse Glob Top und Transfermold zum Schutz der Bare Dies sind identisch.
- – Auf dem Leadframe können zusätzlich passive Elemente ohne oder mit Schutz (Glob Top und Transfer Mold) bestückt werden, wie beispielhaft anhand
1 schematisch veranschaulicht. - – Weiterhin sind beliebige modulare Erweiterungen des Leadframes möglich, die weitere Zusatzbeschaltungen tragen, wie beispielhaft anhand
1 schematisch veranschaulicht. Dies können weiteren Bare Dies (MEMS, ASIC) oder andere Bauteile sein (R, C, IC, Dioden, Vanister, LED, etc.). - – Alle Module können ohne oder mit Schutz ausgeführt werden (Glob Top + Transfer Mold). Bei entsprechender Auslegung ist für den alle Module nur ein Mold-Werkzeug Schutz nötig.
Claims (10)
- Sensor, umfassend wenigstens ein Sensorelement (
1 ), zumindest ein Signalverarbeitungselement (2 ), ein Gehäuse (7 ), das wenigstens ein Befestigungsmittel aufweist, sowie eine elektrische Schnittstelle zur elektrischen Anbindung des Sensors, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein elektrisch und mechanisch verbindendes Trägermittel (4 ) aufweist, auf welchem das wenigstens eine Sensorelement (1 ) und das Signalverarbeitungselement (2 ) angeordnet sind und mit diesem elektrisch verbunden sind, wobei das Trägermittel (4 ) auch mit der elektrischen Schnittstelle zumindest elektrisch verbunden ist. - Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein einziges Trägermittel (
4 ) aufweist. - Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägermittel (
4 ) als Leadframe ausgebildet ist. - Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägermittel (
4 ) als Leiterplatte ausgebildet ist. - Sensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Sensorelement (
1 ) und das Signalverarbeitungselement (2 ) jeweils als unverpackte Halbleiterbauelemente auf dem Trägermittel (4 ) angeordnet sind. - Sensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein Transfermoldgehäuse (
5 ) aufweist, welches das wenigstens eine Sensorelement (1 ) und das Signalverarbeitungselement (2 ) und das Trägermittel (4 ) vollständig oder zumindest teilweise umschließt. - Sensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das das wenigstens eine Sensorelement (
1 ) und das Signalverarbeitungselement (2 ) zumindest teilweise von einer Vergussmasse bedeckt sind, innerhalb des Transfermoldgehäuses. - Sensor nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Transfermoldgehäuse (
5 ) vollständig oder zumindest teilweise von einem Overmoldgehäuse (7 ) umschlossen ist. - Sensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Sensorelement (
1 ) als Inertialsensorelement ausgebildet ist. - Sensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor als Satelliten-Sensor ausgebildet ist, insbesondere als Kraftfahrzeugsensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012215091A DE102012215091A1 (de) | 2011-08-24 | 2012-08-24 | Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011081512.0 | 2011-08-24 | ||
DE102011081505 | 2011-08-24 | ||
DE102011081512 | 2011-08-24 | ||
DE102011081505.8 | 2011-08-24 | ||
DE102012215091A DE102012215091A1 (de) | 2011-08-24 | 2012-08-24 | Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012215091A1 true DE102012215091A1 (de) | 2013-02-28 |
Family
ID=46888388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012215091A Pending DE102012215091A1 (de) | 2011-08-24 | 2012-08-24 | Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9645163B2 (de) |
EP (1) | EP2749156A1 (de) |
KR (1) | KR102182947B1 (de) |
CN (2) | CN107954393B (de) |
DE (1) | DE102012215091A1 (de) |
WO (1) | WO2013026923A1 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3147258A1 (de) * | 2015-09-22 | 2017-03-29 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Verbindungspaneel für elektronische bauelemente |
DE102015223775A1 (de) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Herstellen eines Verbindungselements, Verbindungselement und Sensoranordnung |
DE102015223850A1 (de) * | 2015-12-01 | 2017-06-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines fluiden Mediums in einem Messraum |
JP2018166083A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | アイシン精機株式会社 | 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法 |
DE102019210375A1 (de) * | 2019-07-12 | 2021-01-14 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zur Herstellung eines robusten Sensors |
USD984397S1 (en) * | 2021-03-16 | 2023-04-25 | Yidong Cai | Circuit board |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW314650B (de) | 1995-06-21 | 1997-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
US5804880A (en) | 1996-11-04 | 1998-09-08 | National Semiconductor Corporation | Solder isolating lead frame |
US5948991A (en) | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
DE19804170A1 (de) * | 1998-02-03 | 1999-08-05 | Siemens Ag | Elektrische Baueinheit sowie Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Baueinheit |
WO2000033360A1 (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-08 | Formfactor, Inc. | A method and apparatus for the transport and tracking of an electronic component |
US6428357B1 (en) * | 2001-06-19 | 2002-08-06 | Amphenol Corporation | Electrical connector with overmold housing |
EP1274039B1 (de) * | 2001-07-03 | 2008-01-02 | Symbol Technologies, Inc. | Kompaktes Scannermodul mit magnetisch zentriertem Abtastspiegel |
JP4174979B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2008-11-05 | 松下電工株式会社 | 加速度センサ |
US7304362B2 (en) * | 2002-05-20 | 2007-12-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Molded integrated circuit package with exposed active area |
KR20030091549A (ko) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서모듈 및 그 제조공정 |
US6924496B2 (en) * | 2002-05-31 | 2005-08-02 | Fujitsu Limited | Fingerprint sensor and interconnect |
JP3906767B2 (ja) * | 2002-09-03 | 2007-04-18 | 株式会社日立製作所 | 自動車用電子制御装置 |
DE102004019428A1 (de) | 2004-04-19 | 2005-08-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben |
US7235431B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material |
DE102006030133A1 (de) | 2005-06-29 | 2007-02-08 | Ab Elektronik Gmbh | Sensor mit Leadframe und Herstellungsverfahren hierfür |
DE102005053682A1 (de) | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor, Sensorbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
DE102006046984A1 (de) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements mit einem Winkelsensor |
DE102007032142A1 (de) * | 2007-06-30 | 2009-01-02 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls |
CN101599444B (zh) * | 2008-06-04 | 2011-11-02 | 同欣电子工业股份有限公司 | 图像感测装置及其封装方法 |
DE102008027888A1 (de) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Apel, Helga | Drosselklappenstutzen mit Drosselklappe |
JP2010006929A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着用シート及びダイシング・ダイアタッチフィルム |
DE102009000427A1 (de) * | 2009-01-27 | 2010-07-29 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sensormoduls |
DE102010042438B4 (de) * | 2010-01-27 | 2013-09-26 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung |
-
2012
- 2012-08-24 DE DE102012215091A patent/DE102012215091A1/de active Pending
- 2012-08-24 WO PCT/EP2012/066503 patent/WO2013026923A1/de active Application Filing
- 2012-08-24 US US14/240,503 patent/US9645163B2/en active Active
- 2012-08-24 CN CN201711223466.8A patent/CN107954393B/zh active Active
- 2012-08-24 CN CN201280041181.1A patent/CN103748976B/zh active Active
- 2012-08-24 EP EP12761920.3A patent/EP2749156A1/de not_active Ceased
- 2012-08-24 KR KR1020147007598A patent/KR102182947B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140202246A1 (en) | 2014-07-24 |
EP2749156A1 (de) | 2014-07-02 |
KR20140054333A (ko) | 2014-05-08 |
WO2013026923A1 (de) | 2013-02-28 |
CN107954393A (zh) | 2018-04-24 |
CN103748976B (zh) | 2018-01-02 |
CN107954393B (zh) | 2021-06-22 |
US9645163B2 (en) | 2017-05-09 |
CN103748976A (zh) | 2014-04-23 |
KR102182947B1 (ko) | 2020-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3329751B1 (de) | Elektronikmodul mit über sockelelement flexibel platzierbarem bauelement und verfahren zum fertigen desselben | |
EP0740365B1 (de) | Steuermodul von Kraftfahrzeugen | |
DE102012215091A1 (de) | Sensor mit einem einzigen elektrischen Trägermittel | |
DE102005041451A1 (de) | Elektronische Steckeinheit | |
DE102006030133A1 (de) | Sensor mit Leadframe und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE102013222616B4 (de) | Mikromechanische Sensorvorrichtung | |
WO2013117772A1 (de) | Zweistufig gemoldeter sensor | |
DE102015207310A1 (de) | Elektronikmodul und Verfahren zum Umkapseln desselben | |
EP3356769B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer sensoranordnung für ein getriebesteuergerät | |
WO2016177629A1 (de) | Elektronische komponente und verfahren zu deren herstellung | |
DE102007031562B4 (de) | Gehäuse mit einem elektrischen Modul | |
DE102013215365A1 (de) | Elektrische Getriebesteuervorrichtung und Herstellungsverfahren | |
DE102006030081A1 (de) | Sensor mit Leadframe und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE102013224645A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe | |
WO2018069068A1 (de) | Mikromechanische drucksensorvorrichtung und entsprechendes verfahren zum herstellen einer mikromechanischen drucksensorvorrichtung | |
DE102007051870A1 (de) | Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses | |
WO2017198573A1 (de) | Verfahren zum ummanteln einer elektrischen einheit und elektrisches bauelement | |
DE102015219011A1 (de) | Sensoranordnung für ein Getriebesteuergerät | |
DE10134646A1 (de) | Sensorelement | |
EP3459325A1 (de) | Verfahren zum ummanteln einer elektrischen einheit und elektrisches bauelement | |
DE102016209840A1 (de) | Sensor, Verfahren und Sensoranordnung | |
DE102013217301A1 (de) | Bauteil | |
DE10151941A1 (de) | Chipmodul und Chipkarte oder Speicherkarte | |
DE102016207770A1 (de) | Verbindungstechnik zum Aufbau eines Sensors | |
DE102008054575A1 (de) | Elektronisches Modul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified |
Effective date: 20130228 |
|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG, 60488 FRANKFURT, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: CONTINENTAL AUTOMOTIVE TECHNOLOGIES GMBH, 30165 HANNOVER, DE |