DE102012210124A1 - Verbundbauteil sowie Verfahren zum Herstellen eines Verbundbauteils - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verbundbauteil aus einem ersten Fügepartner, einem zweiten Fügepartner und einer zwischen den beiden Fügepartnern angeordneten Fügeschicht vorgeschlagen. Die Fügeschicht und/oder der erste Fügepartner weist bzw. weisen dabei eine Struktur auf, mittels welcher eine Sollbruchstelle in den ersten Fügepartner zum Abbau mechanischer Spannungen vordefiniert wird. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils sowie eine elektrische Schaltungsbaugruppe umfassend ein solches Verbundbauteil vorgeschlagen.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Verbundbauteil, welches einen ersten Fügepartner und einen zweiten Fügepartner umfasst, welche flächig, insbesondere stoffschlüssig, mittels einer Fügeschicht verbunden sind. Insbesondere betrifft die Erfindung ein elektrisches Verbundbauteil, bei welchem der erste Fügepartner ein gegen einen unkontrollierten Betriebszustand abzusicherndes Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiter ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Verbundbauteils.
  • Zur Absicherung elektrischer bzw. elektronischer Komponenten sind Sicherungen in Form von Schmelzsicherungen bekannt, welche aufgrund einer übernormalen Stromstärke schmelzen und damit den Stromfluss unterbrechen. Für integrierte Schaltungen, wie beispielsweise ICs (Integrated Circuit) und andere "Computer-Chips" sind Schmelzsicherungen nicht immer sinnvoll, da die bekannten Sicherungen i.A. als separate Bauteile vorzusehen sind und somit Platzbedarf und Fertigungsaufwand erhöhen. Gegebenenfalls müssen die Schmelzsicherungen in Fassungen angeordnet werden, wobei auch die Fassung den Platzbedarf und Fertigungsaufwand erhöht. Mitunter ist der Verlust der Funktionsfähigkeit eines ICs ein Verlust, welcher gegenüber einer Überhitzung eines gesamten Steuergerätes mit deutlich gravierenderen Folgen, wie beispielsweise Selbstentzündung und Rauchentwicklung, bereitwillig in Kauf genommen werden kann.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Folgen einer unkontrollierten Zerstörung durch Hitzeentwicklung in einem elektronischen Bauteil zu verhindern.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, trotz der Folgen einer Zerstörung durch Hitzeentwicklung und/oder mechanische Verformung in einem elektronischen Bauteil eine elektrische Isolation des elektronischen Bauteils gegenüber einem das elektronische Bauteil tragenden Element zu gewährleisten.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung löst die zuvor genannte Aufgabe durch ein Verbundbauteil mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie eine elektrische Schaltungsbaugruppe mit den Merkmalen gemäß Anspruch 8 und ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils mit den Merkmalen gemäß Anspruch 9. Erfindungsgemäß umfasst das Verbundbauteil einen ersten Fügepartner, einen zweiten Fügepartner und eine Fügeschicht. Der erste Fügepartner kann dabei beispielsweise eine gegen eine unkontrollierte Zerstörung durch Hitzeentwicklung abzusichernde integrierte Schaltung, wie beispielsweise ein Leistungshalbleiter, sein. Der zweite Fügepartner, auf welchem der erste Fügepartner zu befestigen ist, kann beispielsweise ein Substrat bzw. eine Schaltungsplatine sein. Zur Befestigung des ersten Fügepartners auf dem zweiten Fügepartner wird zwischen den beiden Fügepartnern angrenzend die Fügeschicht vorgesehen, welche beispielsweise eine Sinterschicht, eine Lotschicht oder eine Leitklebeschicht sein kann. Um im Fehlerfall eine unkontrollierte Zerstörung durch Hitzeentwicklung zu unterbinden, wird in der Fügeschicht und alternativ oder zusätzlich in dem ersten Fügepartner erfindungsgemäß eine Struktur vorgesehen, durch welche eine Sollbruchstelle in dem ersten Fügepartner zum Abbau thermisch induzierter mechanischer Spannungen vordefiniert wird. Unter einer "Struktur" sei im Rahmen der vorliegenden Erfindung eine jede Unregelmäßigkeit gegenüber einer dem sonstigen Aufbau bzw. der sonstigen Gestalt der Fügeschicht bzw. des ersten Fügepartners verstanden, welche die Ausbildung einer Sollbruchstelle in dem ersten Fügepartner begünstigt. Als "thermisch induzierte mechanische Spannungen" innerhalb des Verbundbauteils seien aufgrund unterschiedlicher mechanischer Reaktionen der Elemente des Verbundbauteils auf eine thermische Veränderung erzeugte mechanische Spannungen zwischen den Elementen des Verbundbauteils verstanden. Beispielsweise kann aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungen der Elemente bei einer Erhöhung der Temperatur eine mechanische Spannung zwischen benachbarten, insbesondere flächig miteinander verbundenen, Elementen des Verbundbauteils entstehen.
  • Die Unteransprüche zeigen bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung.
  • Bevorzugt kann die Struktur eine lokale Schwächung in der Fügeschicht auf einer Kontaktfläche zu dem ersten Fügepartner sein. Alternativ oder zusätzlich kann die lokale Schwächung in der Oberfläche des ersten Fügepartners angeordnet sein. Selbstverständlich kann sich die Schwächung bis tief in den Corpus der Fügeschicht bzw. des ersten Fügepartners erstrecken oder den Corpus sogar komplett durchdringen. Insbesondere stellt die Schwächung eine lokal vorliegende Verringerung der Querschnittsfläche der Fügeschicht und/oder des ersten Fügepartners dar. Ferner kann die Schwächung eine lokal begrenzte stoffliche oder geometrische Veränderung der Fügeschicht und/oder des ersten Fügepartners darstellen, wobei die Veränderung insbesondere ggü. dem restlichen Teil der Fügeschicht und/oder erstem Fügepartner verringerte Festigkeit bezügl. thermischen und/oder mechanischen Spannungen innerhalb des Verbundbauteils bewirkt. Alternativ oder zusätzlich kann die Struktur als longitudinal durchgängige oder abschnittsweise unterbrochene Grabenstruktur, insbesondere im Wesentlichen linear, entlang eines Abschnitts der Fügeschicht und/oder des ersten Fügepartners angeordnet sein. Wenn im Rahmen der vorliegenden Erfindung von einem Graben oder einer Aussparung die Rede ist, so seien hierunter auch Bereiche und Querschnitte zu verstehen, die nicht völlig materialfrei sind, sondern mit einem anderen Material (z.B. Fügematerial) gefüllt sind, wodurch sich in diesem Bereich andere Materialeigenschaften, insbesondere verringerte mechanische Eigenschaften ergeben können. Beispielsweise kann ein V-förmiger Graben zwei einander entgegengesetzt angeordnete Kanten des ersten Fügepartners und/oder der Fügeschicht miteinander verbinden. Alternativ kann anstatt eines Grabens eine Vielzahl von Kratern nach Art und Weise einer zumindest anteilig den Corpus durchdringenden Perforation vorgesehen sein. Dabei können die Ausnehmungen in der Perforation den Corpus vollständig durchdringen oder als Mulden, Krater oder V-förmige Grabenabschnitte vorgesehen sein. Dies bietet den Vorteil, dass die Struktur einfach herzustellen ist und aufgrund des Materialdefekts eine sichere und bei einer vordefinierten mechanischen Spannung zwischen benachbarten Bauteilen ansprechende Sollbruchstelle definiert ist.
  • Weiter bevorzugt kann die Struktur von einer ersten Oberfläche der Fügeschicht ausgehend, insbesondere keilförmig, in Richtung einer zweiten Oberfläche der Fügeschicht erstreckt sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Struktur von einer ersten Oberfläche des ersten Fügepartners ausgehend, insbesondere keilförmig, in Richtung einer zweiten Oberfläche des ersten Fügepartners erstreckt sein. Eine keilförmige Struktur bietet dabei den Vorteil, dass sich auf der offenen Seite der keilförmigen Struktur summierende Spannungen eine Bündelung im eng zulaufenden Teil des Keils erfahren. Auf diese Weise ist eine besonders exakte Position für die Sollbruchstelle vordefinierbar.
  • Weiter bevorzugt kann die Struktur in einem von den Rändern der Fügepartner bzw. der Fügeschicht entlegenen Bereich angeordnet sein. Mit anderen Worten ist die Struktur bevorzugt in einem mittleren Bereich zwischen den Kanten der Fügepartner angeordnet. Dies bietet einerseits den Vorteil, dass die Spannungen in jedem Fall eine zentrale Zerstörung des ersten Fügepartners herbeiführen. Somit kann eine Reduzierung bzw. vollständige Aussetzung der Energieumsetzung innerhalb des ersten Fügepartners sichergestellt werden.
  • Weiter bevorzugt kann die Fügeschicht eine Sinterschicht oder eine Lotschicht oder eine Leitklebeschicht sein, wobei auch Diffusionslöten und reaktive Folien wie z.B. Nanofoils zum Einsatz kommen können. Bevorzugt kann auch eine stoffschlüssige Verbindung mit Hilfe eines diffusionsgetriebenen Verfahrens wie z.B. Festkörperdiffusion bzw. einer nur kurzzeitig bestehenden flüssigen Phase hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich kann der erste Fügepartner einen gefährdeten, insbesondere spröden, Halbleiter oder eine Keramik umfassen. Dies bietet den Vorteil, dass die Fügeschicht im Normalfall eine sichere Verbindung und eine hochwertige Wärmeabfuhr aus dem ersten Fügepartner in den zweiten Fügepartner darstellen kann und bei einem anormalen Betriebszustand ein Ansprechen der Sollbruchstelle die Funktion des ersten Fügepartners mit hoher Wahrscheinlichkeit einschränkt bzw. aussetzt.
  • Weiter bevorzugt kann der erste Fügepartner ein elektronischer Chip und der zweite Fügepartner ein Substrat sein. Solche Kombinationen sind im Stand der Technik beispielsweise aus elektronischen Leistungsbauteilen bekannt, wie sie im Automobilbau, insbesondere bei elektrischen Fahrzeugen, und in der Energieerzeugung, insbesondere bei den elektrischen Umrichtern von Windenergieanlagen, verwendet werden.
  • Weiter bevorzugt kann das Verbundbauteil aus den zuvor beschriebenen Merkmalen bestehen. Mit anderen Worten sind im Wesentlichen keine weiteren Elemente insbesondere zwischen dem ersten und dem zweiten Fügepartner vorgesehen. Es ist somit lediglich eine bis auf die erfindungsgemäße Struktur homogene Fügeschicht zwischen dem ersten Fügepartner und dem zweiten Fügepartner vorgesehen. Dies bietet den Vorteil, dass ein besonders einfacher Aufbau, eine geringe Bauhöhe und starke Unterschiede im Reaktionsverhalten der Elemente auf eine Temperaturveränderung sichergestellt sind. Erfindungsgemäß werden somit insbesondere dünne Fügeschichten im Mikrometerbereich zwischen Fügepartnern stark verschiedener Wärmeausdehnungen vorgeschlagen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine elektrische Schaltungsbaugruppe, insbesondere ein elektrisches Steuergerät, für den Automobilbau und bevorzugt ein Motorsteuergerät, umfassend ein Verbundbauteil, vorgeschlagen, wobei das Verbundbauteil gemäß den obigen Ausführungen aufgebaut ist. Die elektrische Schaltungsbaugruppe kann dabei einer Frequenzumrichtereinheit beispielsweise einer Windenergieanlage, eine Baugruppe z.B. zur Rekuperation elektrischer Energie in einem Elektromobil oder andere, geeignete Einheiten zur Steuerung und Regelung elektrischer Energieflüsse sein. Hinsichtlich der Vorteile sei auf die obigen Ausführungen in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verbundbauteil verwiesen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils vorgeschlagen, wobei das Verbundbauteil vorzugsweise gemäß den obigen Ausführungen ausgeführt sein kann. Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein erster Fügepartner mit einem zweiten Fügepartner über eine Fügeschicht miteinander verbunden ("gefügt"). Um Wiederholungen zu vermeiden sei auch in Verbindung mit dem Verfahren hinsichtlich der Fügepartner sowie der Fügeschicht auf die obigen Ausführungen verwiesen. Weiter wird erfindungsgemäß in der Fügeschicht und alternativ oder zusätzlich im ersten Fügepartner eine Struktur vorgesehen, wobei durch die Struktur eine Sollbruchstelle im ersten Fügepartner zum Abbau thermisch induzierter, mechanischer Spannungen vordefiniert wird. Auch hinsichtlich der Struktur sowie der Sollbruchstelle sei zur Vermeidung von Wiederholungen auf die obigen Ausführungen verwiesen.
  • Weiter bevorzugt umfasst das erfindungsgemäße Verfahren eine thermische Behandlung der Fügeschicht, welche eine elektrisch leitende Schicht sein kann. Dabei kann insbesondere eine mechanisch induzierte Kraft auf den ersten Fügepartner, den zweiten Fügepartner und die Fügeschicht ausgeübt werden. Mit anderen Worten kann der erfindungsgemäße Verbund durch einen Pressvorgang unter Hitzeeinwirkung hergestellt werden. Während dieses Vorgangs kann auch eine Hilfsstruktur aus der Fügeschicht entfernt, insbesondere ausgeschmolzen, werden, welche die erfindungsgemäße Struktur zur Schaffung der Sollbruchstelle hinterlässt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen im Detail beschrieben. In den Zeichnungen zeigt:
  • 1 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verbundbauteils,
  • 2 eine Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verbundbauteils nach dem Ansprechen der erfindungsgemäßen Sollbruchstelle,
  • 3 einen ersten Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 4 einen zweiten Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 5 einen dritten Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 6 einen vierten Verfahrensschritt gemäß einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 7 eine perspektivische Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Struktur in der Fügeschicht,
  • 8 eine perspektivische Ansicht eines alternativen Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Struktur in der Fügeschicht, und
  • 9 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Struktur in einem Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen ersten Fügepartners.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • 1 zeigt ein Verbundbauteil 1, bei welchem ein Chip als erster Fügepartner 2 mittels einer Sinterschicht als Fügeschicht 4 auf einem Substrat als zweitem Fügepartner 3 befestigt ist. In der Fügeschicht 4 ist eine erfindungsgemäße Struktur 5 vorgesehen, welche V-förmig von der oberen Oberfläche der Fügeschicht 4 eine bevorzugt bis in etwa zur Hälfte der Dicke die Fügeschicht 4 durchdringt. Der Wendepunkt des V-förmigen Kanals bzw. dessen Talsohle ist bevorzugt sowohl vertikal als auch horizontal in der Mitte der Fügeschicht 4 angeordnet. Die dargestellten Proportionen dienen dabei lediglich der Veranschaulichung, während es dem Fachmann bekannt ist, dass die Fügeschicht 4 im Allgemeinen deutlich dünner als die Dicke des ersten Fügepartners 2 ist.
  • 2 zeigt die in 1 dargestellte Anordnung, nachdem durch Hitzeeinwirkung eine Ausdehnung des Substrates als zweiter Fügepartner 3 zu einem Reißen der geschwächten Sektion als Struktur 5 in der Fügeschicht 4 und im Ansprechen darauf der vordefinierten Sollbruchstelle 6 im ersten Fügepartner 2 geführt hat. Mit anderen Worten hat der gleichmäßige Eintrag von Zugspannungen über die flächige Verbindung zwischen dem zweiten Fügepartner 3 und der Fügeschicht 4 dazu geführt, dass die Fügeschicht 4 an ihrer schwächsten Stelle, nämlich der durch die Struktur 5 definierten Sollbruchstelle 6, gerissen ist. Das Nachgeben der Sollbruchstelle 6 in der Fügeschicht 4 hat seinerseits dazu geführt, dass die Sollbruchstelle 6 im ersten Fügepartner 2 angesprochen hat. Elektrische Verbindungen, welche zuvor die Sollbruchstelle 6 des ersten Fügepartners 2 durchsetzten, sind somit unterbrochen, was den Chip als ersten Fügepartner 2 zumindest anteilig außer Funktion setzt. Eine weitere Hitzeentwicklung aufgrund einer fortbestehenden Fehlfunktion ist somit wirksam unterbunden. Als weiterer Effekt der erfindungsgemäßen Sollbruchstelle haben sich die Spannungen zwischen dem ersten Fügepartner 2, dem zweiten Fügepartner 3 und der Fügeschicht 4 zumindest teilweise abgebaut, so dass eine Trennung der flächigen Verbindung zwischen den vorgenannten Schichten nicht auftritt. Auf diese Weise bleibt die Wärmeleitung zwischen dem ersten Fügepartner 2 und dem Substrat als zweitem Fügepartner 3 über die Fügeschicht 4 intakt und eine gegebenenfalls fortbestehende Wärmeentwicklung innerhalb des ersten Fügepartners 2 bedeutet keine Gefahr einer unkontrollierten Fehlfunktion.
  • 3 zeigt ein Substrat als zweiten Fügepartner 3, auf welchem eine Hilfsstruktur 7 angeordnet ist.
  • In 4 ist eine Fügeschicht 4 auf der Oberfläche des zweiten Fügepartners 3 angeordnet worden. Dabei hat die Fügeschicht 4 auch die Hilfsstruktur 7 bedeckt, wobei die Hilfsstruktur 7 ihrerseits eine Struktur 5 in der Fügeschicht 4 ausgebildet hat.
  • In 5 ist ein erster Fügepartner 2 auf die in 4 dargestellte Anordnung aus Fügeschicht 4 und dem zweiten Fügepartner 3 angeordnet worden. Unter Vermittlung von Hitzeeinwirkung wird der Verbund zu einem erfindungsgemäßen Verbundbauteil gefügt.
  • In 6 ist die Hilfsstruktur 7 entfernt worden, wodurch die Struktur 5 als giebelförmige Ausnehmung in der Fügeschicht 4 freigegeben wurde. Das Entfernen der Hilfsstruktur 7 kann beispielsweise durch die Hitzeeinwirkung oder das Verwenden eines chemischen Reaktionspartners erfolgen. Für die Funktionsweise der vorliegenden Erfindung ist es nicht einmal erforderlich, dass die Hilfsstruktur 7 vor der Inbetriebnahme entfernt wird. Es ist lediglich darauf zu achten, dass die Hilfsstruktur 7 eine Stabilisierung der Struktur 5 zumindest nicht in dem Maße unterstützt, als wäre die Struktur überhaupt nicht vorgesehen. Mit anderen Worten könnte die Struktur auch als eine stoffliche Inhomogenität z.B in Form eines Fremdkörpers innerhalb der Fügeschicht 4 verstanden werden, welche eine lokale Schwächung gegenüber mechanisch induzierter Spannungen zwischen dem ersten Fügepartner 2 und der Fügeschicht 4 und/oder zwischen dem zweiten Fügepartner 3 und der Fügeschicht 4 bedeutet.
  • 7 zeigt eine alternative Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Struktur 5 in der Fügeschicht 4. Dabei ist ein im Wesentlichen linear und parallel zu den Kanten der Fügeschicht 4 verlaufender V-förmiger Graben in der Fügeschicht 4 vorgesehen, welcher die Fügeschicht 4 über ihre gesamte Stärke durchzieht. Mit anderen Worten beginnt die Talsohle des V-förmigen Grabens auf einer unteren Oberseite und endet mit seiner geöffneten Seite auf der oberen Oberfläche der Fügeschicht 4.
  • 8 zeigt eine alternative Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Struktur 5 in einer Fügeschicht 4. Gegenüber der in 7 gezeigten Anordnung ist die Struktur nicht als durchgehender, V-förmiger Graben vorgesehen. Lediglich abschnittsweise ist eine V-förmige Ausnehmung in der Oberfläche der Fügeschicht 4 vorgesehen, welche sich bevorzugt in etwa bis zur Mitte der Dicke der Fügeschicht 4 erstreckt. Die in der 7 gezeigte Grabenstruktur ist durch unversehrte Abschnitte der Fügeschicht 4 unterbrochen. Mit anderen Worten ergibt sich eine im Wesentlichen lineare, die Fügeschicht 4 nicht vollständig durchdringende, V-förmige Perforation als Struktur 5 zur Ausbildung einer Sollbruchstelle 6.
  • 9 zeigt einen ersten Fügepartner 2, an dessen unterer Oberseite eine giebelförmige Ausnehmung als Struktur 5 vorgesehen ist. Auf diese Weise ist im Bereich der Struktur 5 der erste Fügepartner 2 hinsichtlich der Toleranz mechanischen Spannungen gegenüber geschwächt. Wird der dargestellte erste Fügepartner 2 auf Zug beansprucht, wird bei Erreichen der Zuggrenze die Bruchstelle im Bereich der Struktur 5 angeordnet sein.
  • Die erfindungsgemäße Struktur bzw. das erfindungsgemäße Verfahren kann auch vorteilhaft bei der Fertigung photovoltaischer Solarzellen eingesetzt werden, wo elektrische Ableitbänder in Form langer metallischer Bänder als Stromkollektoren auf Kollektorflächen vorgesehen werden. Die aufgrund thermisch induzierter Ausdehnungen entstehenden großen Kräfte können erfindungsgemäß unter Inkaufnahme lokaler Funktionseinbußen vermindert und weitergehende Ausfälle somit wirksam vermieden werden.
  • Es ist ein Kerngedanke der vorliegenden Erfindung, die Folgen einer unkontrollierten Zerstörung durch Hitzeentwicklung in einem als ersten Fügepartner vorgesehenen elektronischen Bauteil dadurch zu verhindern, dass die aufgrund der Hitzeentwicklung in Verbindung mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungen der Verbundpartner auftretenden Spannungen eine Sollbruchstelle innerhalb des ersten Fügepartners anspricht. Hierzu schlägt die vorliegende Erfindung vor, die unterschiedlichen Wärmeausdehnungen zwischen dem ersten und dem zweiten Fügepartner im Bereich der vorzudefinierenden Sollbruchstelle zu bündeln bzw. in diesem Bereich die unterschiedliche Wärmeausdehnung in geringerem Maße durch die Fügeschicht zu vermitteln. Hierzu weist die mitunter aus kostspieligem Material aufgebaute Fügeschicht eine Schwächung auf, so dass der ohnehin spröde und bruchgefährdete erste Fügepartner bevorzugt im Bereich dieser Schwächung zerstört wird. Je nach Anordnung der Sollbruchstelle im ersten Fügepartner kann zwar eine Restfunktionalität erhalten bleiben, jedoch ist eine unkontrollierte Zerstörung durch Hitzeentwicklung innerhalb des ersten Fügepartners verhindert und eine elektrische Isolation im kontrollierten Betrieb zueinander insolierter Bestandteile weiterhin gewährleistet, während die Wärmeabfuhr aus dem ersten Fügepartner in den zweiten Fügepartner im Wesentlichen kein Einbußen davonträgt.
  • Auch wenn die erfindungsgemäßen Aspekte und vorteilhaften Ausführungsformen anhand der in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungsfiguren erläuterten Ausführungsbeispiele im Detail beschrieben worden sind, sind für den Fachmann Modifikationen und Kombinationen von Merkmalen der dargestellten Ausführungsbeispiele ersichtlich, ohne den Bereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen, deren Schutzbereich durch die beigefügten Ansprüche definiert wird.

Claims (10)

  1. Verbundbauteil umfassend – einen ersten Fügepartner (2), – einen zweiten Fügepartner (3) und – eine Fügeschicht (4), wobei die Fügeschicht (4) zwischen dem ersten Fügepartner (2) und dem zweiten Fügepartner (3) angrenzend angeordnet ist und die Fügeschicht (4) und/oder der erste Fügepartner (2) eine Struktur (5) aufweist, um eine Sollbruchstelle (6) in dem ersten Fügepartner (2) zum Abbau thermisch induzierter mechanischer Spannungen vorzudefinieren.
  2. Verbundbauteil nach Anspruch 1, wobei die Struktur eine lokale Schwächung ist, und/oder sich die Struktur als longitudinal durchgängige oder abschnittsweise unterbrochene Grabenstruktur, insbesondere im Wesentlichen linear, entlang der Oberfläche der Fügeschicht (4) und/oder des ersten Fügepartners (2) erstreckt.
  3. Verbundbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei sich die Struktur (5) von einer ersten Oberfläche der Fügeschicht (4) und/oder des ersten Fügepartners (2) aus, insbesondere keilförmig, in Richtung einer zweiten Oberfläche der Fügeschicht (4) und/oder des ersten Fügepartners (2) erstreckt.
  4. Verbundbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Struktur (5) in einem von einem Rand der Fügepartner (2,3) entlegenen Bereich angeordnet ist.
  5. Verbundbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Fügeschicht (4) eine Sinterschicht oder eine Lotschicht oder Leitklebeschicht ist und/oder der erste Fügepartner (2) einen bruchgefährdeten, insbesondere spröden, Halbleiter umfasst.
  6. Verbundbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei – der erste Fügepartner (2) ein elektronischer Chip und der zweite Fügepartner (3) ein Substrat ist.
  7. Verbundbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Verbundbauteil (1) aus den in den vorstehenden Ansprüchen definierten Merkmalen besteht.
  8. Elektrische Schaltungsbaugruppe, insbesondere ein elektrisches Steuergerät, bevorzugt ein Motorsteuergerät, umfassend ein Verbundbauteil (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils (1), vorzugsweise nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei bei dem Verfahren – ein erster Fügepartner (2) mit einem zweiten Fügepartner (3) über eine Fügeschicht (4) gefügt wird, und wobei – in der Fügeschicht (4) und/oder im ersten Fügepartner (2) eine Struktur (5) vorgesehen wird, um eine Sollbruchstelle (6) in dem ersten Fügepartner (2) zum Abbau thermisch induzierter mechanischer Spannungen, vorzudefinieren.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei – die Fügeschicht (4) eine elektrisch leitende Schicht ist, und/oder – eine Hilfsstruktur (7) zur Ausbildung der Struktur (5) in der Fügeschicht (4) angeordnet wird, und/oder – der Fügeprozess eine thermische Behandlung der Fügeschicht (4), insbesondere unter Aufbringung einer mechanisch induzierten Kraft auf den ersten Fügepartner (2), den zweiten Fügepartner (3) und die Fügeschicht (4), umfasst.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578861A (en) * 1993-12-28 1996-11-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having redundant circuit
DE10245631A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
US20070189053A1 (en) * 2006-01-20 2007-08-16 Stmicroelectronics S.R.L. Electrical fuse device based on a phase-change memory element and corresponding programming method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52123171A (en) * 1976-04-09 1977-10-17 Hitachi Ltd Anisotropic etching method of semiconductor single crystal
JPS54133072A (en) * 1978-04-06 1979-10-16 Nec Corp Semiconductor device
JPH04352377A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ素子用サブマウント
JPH05243286A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH06314718A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Nec Corp 半導体集積回路ペレット
JPH09312357A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
DE19622684A1 (de) * 1996-06-05 1997-12-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung mechanisch fester Klebstoffverbindungen zwischen Oberflächen
JP2000294444A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Sumitomo Electric Ind Ltd チップコンデンサ
JP2002280503A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Unisia Jecs Corp 半導体装置
JP2006186232A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nec Corp パッケージ、マイクロ波集積回路及びその製造方法
US7361972B2 (en) * 2006-03-20 2008-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip packaging structure for improving reliability
US7786602B2 (en) * 2007-06-06 2010-08-31 The Boeing Company Patterned die attach and packaging method using the same
EP2442358A4 (de) * 2009-06-10 2014-04-16 Toyota Motor Co Ltd Halbleiterbauelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578861A (en) * 1993-12-28 1996-11-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having redundant circuit
DE10245631A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
US20070189053A1 (en) * 2006-01-20 2007-08-16 Stmicroelectronics S.R.L. Electrical fuse device based on a phase-change memory element and corresponding programming method

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