DE102012202783A1 - Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents
Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012202783A1 DE102012202783A1 DE201210202783 DE102012202783A DE102012202783A1 DE 102012202783 A1 DE102012202783 A1 DE 102012202783A1 DE 201210202783 DE201210202783 DE 201210202783 DE 102012202783 A DE102012202783 A DE 102012202783A DE 102012202783 A1 DE102012202783 A1 DE 102012202783A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- area
- sensor device
- movable gate
- micromechanical sensor
- channel region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
- B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
- B81C1/00698—Electrical characteristics, e.g. by doping materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0292—Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Die Erfindung schafft eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate weist einen Feldeffekt-Transistor mit einem Drainbereich (3), einem Sourcebereich (4), einem dazwischenliegenden Kanalbereich (7) mit einem ersten Dotierungstyp und einem beweglichen Gate (1), welches durch einen Zwischenraum (Z) von dem Kanalbereich (7) getrennt ist, auf. Der Drainbereich (3), der Sourcebereich (4) und der Kanalbereich (7) sind in einem Substrat (2) angeordnet. Zumindest an den Längsseiten (S1, S2) des Kanalbereichs (7) ist ein Guardbereich (8; 8a, 8b) im Substrat (2) vorgesehen, welcher einen zweiten Dotierungstyp aufweist, der dem ersten Dotierungstyp gleich ist und eine höhere Dotierungskonzentration aufweist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
- Stand der Technik
- Obwohl auch beliebige mikromechanische Bauelemente anwendbar sind, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von Bauelementen auf Siliziumbasis erläutert.
- Die
DE 44 45 553 A1 beschreibt einen Halbleiterbeschleunigungssensor mit einem Halbleitersubstrat, einer Auslegerstruktur, die von dem Halbleitersubstrat gestützt ist und eine bewegbare Elektrode aufweist, die in einem vorbestimmten Abstand über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, sowie festen Elektroden, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Ein Sensorabschnitt wird durch die bewegbare Elektrode und die festen Elektroden gebildet und erfasst eine Beschleunigung durch Änderungen in einem Strom zwischen den festen Elektroden, die durch einen mit der Einwirkung der Beschleunigung auf den Sensorabschnitt einhergehenden Versatz der bewegbaren Elektrode hervorgerufen werden. - Die
EP 0 990 911 A1 beschreibt einen mikromechanischen Sensor auf der Basis des Feldeffekttransistors mit einem beweglichen Gate, welches in einer Richtung parallel zur Substratoberfläche beweglich ist, wobei die Bewegung des Gates in diese Richtung zu einer Vergrößerung oder Verkleinerung des vom Gate überlappten Kanalbereichs in mindestens einem MOSFET führt. - Mikromechanische Sensorvorrichtungen mit beweglichem Gate besitzen üblicherweise Auswerteschaltungen zur Detektion von kleinsten Bewegungen, welche theoretisch einen hervorragenden Signal-Rausch-Abstand besitzen und sich daher zur Anwendung in z.B. extrem miniaturisierten Beschleunigungssensoren eignen.
-
3 zeigt eine schematische Querschnitts-Ansicht zur Erläuterung einer bekannten mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate in senkrechtem Querschnitt. - In
3 bezeichnet Bezugszeichen2 ein Siliziumsubstrat, in dem ein Drainbereich3 , ein Sourcebereich4 und ein dazwischenliegender Kanalbereich7 eines Feldeffekttransistors vorgesehen sind. Auf dem Kanalbereich7 ist eine Gate-Isolationsschicht5 , beispielsweise eine Oxidschicht, vorgesehen. Mit Bezugszeichen6 angedeutet sind Oberflächenladungen auf der Isolationsschicht5 . Durch einen Zwischenraum Z getrennt beweglich über dem Substrat2 angeordnet ist eine bewegliche Gate-Elektrode1 . - Die Funktionsweise einer derartigen mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate ist wie folgt: Durch eine externe Kraft wird die Gate-Elektrode
1 in x, y-Richtung und/oder in z-Richtung verschoben. Durch diese Verschiebung ändert sich die Anzahl der Ladungsträger innerhalb des Kanalbereichs7 und führt damit zu einer Widerstandsänderung zwischen dem Drainbereich3 und dem Sourcebereich4 . Diese Widerstandsänderung kann detektiert werden, indem entweder eine konstante Spannung angelegt und der dazugehörige Strom gemessen wird, oder durch Einprägen eines konstanten Stroms und Messen der dazugehörigen Spannungsänderung. - Eine Besonderheit einer derartig aufgebauten Sensorvorrichtung ist das erhöhte Rauschen für Auslenkungen in x, y-Richtung, welches in realen Anwendungen beobachtet wird. Dieses erhöhte Rauschen lässt sich großteils auf parasitäre Leckströme zurückführen.
- Offenbarung der Erfindung
- Die Erfindung schafft eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 6.
- Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
- Vorteile der Erfindung
- Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee liegt in der Verwendung eines zusätzlichen Guardbereichs zumindest an den beiden Längsseiten des Kanalbereichs, welche eine Reduktion des Leckstroms zur Minimierung des thermischen Rauschens bewirken. Durch den Guardbereich bleiben influenzierte Ladungen auf dem Kanalbereich beschränkt, und eine x, y-Verschiebung des beweglichen Gates resultiert in einer optimalen Änderung der Kanalleitfähigkeit. Bei bekannten Sensorvorrichtungen werden bei moduliertem Kanalüberlapp parasitäre Kanäle ausgebildet, die die Empfindlichkeit reduzieren. Durch den reduzierten Leckstrom gemäß der vorliegenden Erfindung verringert sich das thermische Rauschen der Sensorvorrichtung, was zu einer Verbesserung des Signal-Rausch-Abstands (SNR) führt. Diese Erfüllung des SNR ermöglicht dann entweder die Herstellung von Sensorvorrichtungen höherer Performance oder eine weitere Miniaturisierung des Sensorkerns.
- Es ist ferner vorteilhaft, wenn der Guardbereich ringförmig um den Drainbereich, den Sourcebereich und den Kanalbereich im Substrat verläuft. Diese Maßnahme führt zu einer einfacheren Herstellung bzw. Prozessierung mit geringeren Toleranzanforderungen an die Wannenplatzierung.
- Außerdem ist es vorteilhaft, wenn der Kanalbereich von mindestens einer Gateisolationsschicht bedeckt ist. Hierdurch werden eine bessere Oberflächeneigenschaft und damit eine geringere Streuung von Kanalparametern durch das verwendete Oxid erreicht. Des Weiteren führt diese Maßnahme zu einer geringeren Sensitivität auf Umwelt- und Umgebungseigenschaften (z.B. Feuchte, Partikelbelastung, etc.)
- Ferner ist es vorteilhaft, wenn das bewegliche Gate aus Polysilizium hergestellt ist. Durch diese Maßnahme werden die Herstellungskosten reduziert, wodurch Oberflächen-Mikromechanik (OMM) verwendet werden kann.
- Des Weiteren ist es vorteilhaft, wenn der Guardbereich einen externen Spannungsanschluß aufweist. Hierdurch können das Potential einer Wanne definiert und zusätzlich durch Anlegen einer geeigneten Spannung eine weitere Reduktion des Leckstroms erreicht werden.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert.
- Es zeigen:
-
1a) , b) schematische Querschnitts-Ansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar1a) in senkrechtem Querschnitt und1b) in waagrechtem Querschnitt entlang der Linie A-A‘ in1a) ; -
2 eine schematische Querschnitts-Ansicht zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung waagrechtem Querschnitt analog zu1b) ; und -
3 eine schematische Querschnitts-Ansicht zur Erläuterung einer bekannten mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate in senkrechtem Querschnitt. - Ausführungsformen der Erfindung
- In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.
-
1a) , b) sind schematische Querschnitts-Ansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und zwar1a) in senkrechtem Querschnitt und1b) in waagrechtem Querschnitt entlang der Linie A-A‘ in1a) . - In
1a) , b) bezeichnet Bezugszeichen2 ein Siliziumsubstrat, in dem ein Drainbereich3 , ein Sourcebereich4 und ein dazwischenliegender Kanalbereich7 eines Feldeffekttransistors vorgesehen sind. Auf dem Kanalbereich7 ist eine Gate-Isolationsschicht5 , beispielsweise eine Oxidschicht, vorgesehen. Mit Bezugszeichen6 angedeutet sind Oberflächenladungen auf der Isolationsschicht5 . Durch einen Zwischenraum Z getrennt beweglich über dem Substrat2 angeordnet ist eine bewegliche Gate-Elektrode1 . - Im Unterschied zur oben beschriebenen bekannten mikromechanischen Sensorvorrichtung gemäß
3 weist die vorliegende Ausführungsform der Erfindung einen Guardbereich8 auf, der im Substrat2 vorgesehen ist und ringförmig um den Drainbereich3 , den Sourcebereich4 und entlang dessen Längsseiten S1, S2 um den Kanalbereich7 im Substrat verläuft. Der Guardbereich8 weist einen Dotierungstyp auf, beispielsweise p+/p++, welcher einem Dotierungstyp des Kanalbereichs7 , beispielsweise p-Typ, gleich ist, aber eine höhere Dotierungskonzentration aufweist. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die Tiefenerstreckung des Guardbereichs8 im Wesentlichen dieselbe Tiefenerstreckung wie diejenige des Kanalbereichs7 . Dies kann jedoch anwendungsspezifisch variiert werden. - Bei Anlegen einer Spannung über der Schwellspannung an das bewegliche Gate
1 führt dies zur Ausbildung eines leitenden Kanalbereichs7 . Besitzen nun der Drainbereich3 und der Sourcebereich4 eine Potenzialdifferenz, so fließt ein messbarer Strom zwischen den beiden Bereichen. Da das elektrische Feld des Gates1 sich nicht nur lokal auf den geometrischen Bereich des Kanalbereichs auswirkt, sondern auch außerhalb, führt dies bei bekannten mikromechanischen Sensorvorrichtungen zu einer Ausbildung der besagten parasitären Leckströme. - Der erfindungsgemäße Guardbereich
8 , hier ein Guardring, bewirkt eine Erhöhung der Schwellspannung bzw. eine Verdrängung von Ladungsträgern, welche eine identische Polarisation zu den Ladungsträgern im Kanalbereich7 besitzen, außerhalb des geometrisch definierten Kanalbereichs. Dies geschieht dadurch, dass der Guardbereich8 mit Ladungsträgern entsprechend stark dotiert ist, welche den Ladungsträgern im Kanalbereich7 gleich sind. Beispielsweise bei einem n-dotierten Kanalbereich7 wird der Guardbereich8 mit n+/n++-Ladungsträgern und bei einem p-dotierten Kanalbereich7 mit p+/p++-Ladungsträgern dotiert sein. - Optionalerweise kann der Guardring
8 einen externen Spannungsanschluss V aufweisen und somit mittels einer elektrischen Kontaktierung auf ein festes Potenzial gelegt werden. Insbesondere ist auch vorstellbar, dass der Kanalbereich7 während des Sensorbetriebs durch eine entsprechende Vorspannung am Spannungsanschluss V am Guardbereich8 eingeschnürt wird. Hierdurch wird eine Feldkonzentration im Kanalbereich7 erreicht und somit die Empfindlichkeit bei kleinen lateralen Bewegungen des Gates1 nochmals gesteigert. -
2 ist eine schematische Querschnitts-Ansicht zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung waagrechtem Querschnitt analog zu1b) . - Bei der zweiten Ausführungsform ist der Guardbereich
8a ,8b nicht als ringförmiger Bereich wie bei der ersten Ausführungsform vorgesehen, sondern weist zwei Streifenbereiche8a ,8b im Substrat2 auf, welche parallel zu den Längsseiten S1 bzw. S2 des Kanalbereichs7 angeordnet sind und etwa dieselbe Länge wie der Kanalbereich7 aufweisen. - Ansonsten ist der Aufbau der zweiten Ausführungsform identisch wie der Aufbau der oben beschriebenen ersten Ausführungsform.
- Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar für kleinbauende und kostengünstige hochsensitive und robuste MEMS-Sensoren, wie zum Beispiel Inertialsensoren, Drucksensoren, Imager, Mikrofone, mikromechanische Schalter etc.
- Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien und Topologien nur beispielhaft und nicht auf die erläuterten Beispiele beschränkt.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 4445553 A1 [0003]
- EP 0990911 A1 [0004]
Claims (7)
- Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate, welche aufweist: einen Feldeffekt-Transistor mit einem Drainbereich (
3 ), einem Sourcebereich (4 ), einem dazwischenliegenden Kanalbereich (7 ) mit einem ersten Dotierungstyp und einem beweglichen Gate (1 ), welches durch einen Zwischenraum (Z) von dem Kanalbereich (7 ) getrennt ist; wobei der Drainbereich (3 ), der Sourcebereich (4 ) und der Kanalbereich (7 ) in einem Substrat (2 ) angeordnet sind; und wobei zumindest an den Längsseiten (S1, S2) des Kanalbereichs (7 ) ein Guardbereich (8 ;8a ,8b ) im Substrat (2 ) vorgesehen ist, welcher einen zweiten Dotierungstyp aufweist, der dem ersten Dotierungstyp gleich ist und eine höhere Dotierungskonzentration als der erste Dotierungstyp aufweist. - Mikromechanische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Guardbereich (
8 ) ringförmig um den Drainbereich (3 ), den Sourcebereich (4 ) und den Kanalbereich (7 ) im Substrat (2 ) verläuft. - Mikromechanische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Kanalbereich (
7 ) von mindestens einer Gateisolationsschicht (5 ) bedeckt ist. - Mikromechanische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das bewegliche Gate (
7 ) aus Polysilizium hergestellt ist. - Mikromechanische Sensorvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Guardbereich (
8 ;8a ,8b ) einen externen Spannungsanschluß (V) aufweist. - Verfahren zur Herstellung einer mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate mit den Schritten: Bilden eines Feldeffekt-Transistors mit einem Drainbereich (
3 ), einem Sourcebereich (4 ), einem dazwischenliegenden Kanalbereich (7 ) mit einem ersten Dotierungstyp und einem beweglichen Gate (1 ), welches durch einen Zwischenraum (Z) von dem Kanalbereich (7 ) getrennt ist, wobei der Drainbereich (3 ), der Sourcebereich (4 ) und der Kanalbereich (7 ) in einem Substrat (2 ) angeordnet werden; und wobei zumindest an den Längsseiten (S1, S2) des Kanalbereichs (7 ) ein Guardbereich (8 ;8a ,8b ) im Substrat (2 ) vorgesehen wird, welcher einen zweiten Dotierungstyp aufweist, der dem ersten Dotierungstyp gleich ist und eine höhere Dotierungskonzentration aufweist. - Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Guardbereich (
8 ;8a ,8b ) durch einen Diffusionsprozess oder einen Implantationsprozess unter Verwendung einer entsprechenden Maske hergestellt wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210202783 DE102012202783A1 (de) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren |
CN201310056432XA CN103288036A (zh) | 2012-02-23 | 2013-02-22 | 具有可动栅极的微机械传感器和相应的制造方法 |
FR1351545A FR2987447B1 (fr) | 2012-02-23 | 2013-02-22 | Dispositif de capteur micromecanique a porte mobile et son procede de fabrication |
US13/774,052 US8975669B2 (en) | 2012-02-23 | 2013-02-22 | Micromechanical sensor apparatus with a movable gate, and corresponding production process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210202783 DE102012202783A1 (de) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012202783A1 true DE102012202783A1 (de) | 2013-08-29 |
Family
ID=48950727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201210202783 Withdrawn DE102012202783A1 (de) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8975669B2 (de) |
CN (1) | CN103288036A (de) |
DE (1) | DE102012202783A1 (de) |
FR (1) | FR2987447B1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014215921A1 (de) | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektrochemische Sensorvorrichtung |
DE102015213454A1 (de) | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines Messgases in einem Messgasraum |
EP3130917A1 (de) | 2015-08-13 | 2017-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur erfassung mindestens einer eigenschaft eines messgases in einem messgasraum |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8704314B2 (en) * | 2007-12-06 | 2014-04-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Mechanical memory transistor |
KR101767726B1 (ko) * | 2015-06-25 | 2017-08-23 | 한양대학교 산학협력단 | 디랙 물질을 구비한 압력 감지 소자 및 이의 동작 방법 |
EP3373343B1 (de) * | 2017-03-09 | 2021-09-15 | Technische Universität Berlin | Halbleiterbauelement mit einer aktiven, von einem internen feld abgeschirmten region |
US20220252635A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Kionix, Inc. | Mechanically-sensitive semiconducting triode capacitor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4445553A1 (de) | 1993-12-21 | 1995-06-22 | Nippon Denso Co | Halbleiterbeschleunigungssensor |
EP0990911A1 (de) | 1998-09-29 | 2000-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanischer Sensor auf Basis des Feldeffekts und dessen Verwendung |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4339190B4 (de) * | 1992-11-16 | 2006-04-13 | Denso Corp., Kariya | Halbleiter-Beschleunigungsmesser |
JP3613838B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP3489273B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2004-01-19 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
US6943407B2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Low leakage heterojunction vertical transistors and high performance devices thereof |
CN101093857A (zh) * | 2003-09-05 | 2007-12-26 | 株式会社东芝 | 场效应型晶体管及其制造方法 |
US7061660B1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-06-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMs device with feedback control |
JP4711061B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP5058529B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2012-10-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 高耐圧電界効果トランジスタの製造方法 |
CN101303239B (zh) * | 2007-05-10 | 2010-05-26 | 北方工业大学 | 一种传感器及其调节方法 |
KR101263648B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2013-05-21 | 삼성전자주식회사 | 핀 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법. |
US8459128B2 (en) * | 2008-04-15 | 2013-06-11 | Indian Institute Of Science | Sub-threshold elastic deflection FET sensor for sensing pressure/force, a method and system thereof |
DE102009002723A1 (de) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Messelement |
US8492834B2 (en) * | 2011-08-22 | 2013-07-23 | United Microelectronics Corp. | Electrostatic discharge protection device and applications thereof |
-
2012
- 2012-02-23 DE DE201210202783 patent/DE102012202783A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-02-22 US US13/774,052 patent/US8975669B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-22 FR FR1351545A patent/FR2987447B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-22 CN CN201310056432XA patent/CN103288036A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4445553A1 (de) | 1993-12-21 | 1995-06-22 | Nippon Denso Co | Halbleiterbeschleunigungssensor |
EP0990911A1 (de) | 1998-09-29 | 2000-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikromechanischer Sensor auf Basis des Feldeffekts und dessen Verwendung |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014215921A1 (de) | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektrochemische Sensorvorrichtung |
DE102015213454A1 (de) | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines Messgases in einem Messgasraum |
EP3130917A1 (de) | 2015-08-13 | 2017-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur erfassung mindestens einer eigenschaft eines messgases in einem messgasraum |
DE102015215437A1 (de) | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines Messgases in einem Messgasraum |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130221411A1 (en) | 2013-08-29 |
FR2987447B1 (fr) | 2017-06-23 |
FR2987447A1 (fr) | 2013-08-30 |
CN103288036A (zh) | 2013-09-11 |
US8975669B2 (en) | 2015-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012202783A1 (de) | Mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE4000903C1 (de) | ||
DE112010000738B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102012208032B4 (de) | Hybrid integriertes Bauteil mit MEMS-Bauelement und ASIC-Bauelement | |
DE102006052863B4 (de) | Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung | |
DE19503236B4 (de) | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat | |
DE112009004595B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP1241710B1 (de) | Lichtsensitives Halbleiterbauelement | |
DE69530716T2 (de) | Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4309207C2 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor | |
DE10238265B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19509160B4 (de) | Halbleiterbeschleunigungssensoren | |
EP2594928B1 (de) | Halbleiter-Gassensor | |
DE112017007068T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP2438004B1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer mikromechanischen mikrofonstruktur | |
DE102013217312A1 (de) | Kapazitives MEMS-Bauelement mit einer druckempfindlichen Membran | |
DE102014118917A1 (de) | Detektoren aus hochreinem Germanium | |
DE102008041750A1 (de) | Thermisch entkoppeltes mikrostrukturiertes Referenzelement für Sensoren | |
EP0950190A1 (de) | Mikromechanische halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer mikromechanischen halbleiteranordnung | |
DE102017102545B4 (de) | Halbleitervorrichtung, Drucksensor, Mikrofon, Beschleunigungssensor und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung | |
DE69219405T2 (de) | Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchsspannung | |
DE102015205384A1 (de) | Kapazitives MEMS-Sensorelement mit Bondpads zur elektrischen Kontaktierung der Messkondensatorelektroden | |
EP1003218A1 (de) | Halbleiteranordnungen mit einer Schottky-Diode und einer Diode mit einem hochdotierten Bereich und entsprechende Herstellungsverfahren | |
DE102008002668A1 (de) | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE10019408C2 (de) | Feldeffekttransistor, insbesondere zur Verwendung als Sensorelement oder Beschleunigungssensor, und Verfahren zu dessen Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |