DE102012100147A1 - Verfahren zur Herstellung von mono-, quasimono- oder multikristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern - Google Patents
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014147262A1 (fr) | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Schott Ag | Ébauche en silicium, procédé pour la fabriquer et son utilisation |
DE102013107189A1 (de) | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Schott Ag | Rohling aus Silizium, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung desselben |
WO2016046213A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Creuset pour la solidification directionnelle de silicium multi-cristallin ou quasi-monocristallin par reprise sur germe |
CN111675222A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-09-18 | 昆明理工大学 | 一种利用低品位硅石生产工业硅的方法 |
DE102020213639A1 (de) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, insbesondere zur Reflexion von EUV-Strahlung, optische Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114507900B (zh) * | 2022-03-04 | 2023-04-07 | 季华实验室 | 一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1138514B (de) | 1956-06-13 | 1962-10-25 | Siemens Ag | Tiegel zum Schmelzen hochreiner Halbleiterstoffe |
EP0748885A1 (fr) | 1995-06-14 | 1996-12-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Creuset pour améliorer la croissance de monocristaux sans dislocations |
DE102005062916A1 (de) * | 2004-12-29 | 2006-07-27 | Corning Inc. | Synthetisches Kieselglas mit hoher Transmission und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP1304399B1 (fr) | 2001-10-16 | 2007-08-29 | Japan Super Quartz Corporation | Procédé pour la modification d' une surface d'un creuset en verre de quartz |
DE60316812T2 (de) * | 2002-07-31 | 2008-07-17 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglastiegel zur ziehung von siliciumeinkristallen und verfahren zu seiner herstellung |
DE102006017621B4 (de) | 2006-04-12 | 2008-12-24 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
DE102007038851A1 (de) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern |
WO2010088046A1 (fr) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Bp Corporation North America Inc. | Couches germes et processus de fabrication de couches germes |
DE102009056751A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Tiegels aus Quarzglas |
DE102010021696A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Quarzglastiegels mit transparenter Innenschicht aus synthetisch erzeugten Quarzglas |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6712901B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-03-30 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modification process of quartz glass crucible |
DE102004044709A1 (de) | 2004-09-15 | 2006-03-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur gleichzeitigen Rekristalisierung und Dotierung von Halbleiterschichten und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterschichtsysteme |
US7589039B2 (en) | 2004-12-29 | 2009-09-15 | Corning Incorporated | Synthetic silica having low polarization-induced birefringence, method of making same and lithographic device comprising same |
EP1739209A1 (fr) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Vesuvius Crucible Company | Creuset pour la cristallisation du silicium |
TWI534307B (zh) * | 2010-06-15 | 2016-05-21 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 製造矽晶鑄錠之方法 |
EP2589687A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | Vesuvius France (S.A.) | Creuset et procédé de production d'un lingot de matériau semi-conducteur (quasi)monnocristallin. |
-
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-
2013
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1138514B (de) | 1956-06-13 | 1962-10-25 | Siemens Ag | Tiegel zum Schmelzen hochreiner Halbleiterstoffe |
EP0748885A1 (fr) | 1995-06-14 | 1996-12-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Creuset pour améliorer la croissance de monocristaux sans dislocations |
EP1304399B1 (fr) | 2001-10-16 | 2007-08-29 | Japan Super Quartz Corporation | Procédé pour la modification d' une surface d'un creuset en verre de quartz |
DE60316812T2 (de) * | 2002-07-31 | 2008-07-17 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglastiegel zur ziehung von siliciumeinkristallen und verfahren zu seiner herstellung |
DE102005062916A1 (de) * | 2004-12-29 | 2006-07-27 | Corning Inc. | Synthetisches Kieselglas mit hoher Transmission und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102006017621B4 (de) | 2006-04-12 | 2008-12-24 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
DE102007038851A1 (de) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern |
WO2010088046A1 (fr) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Bp Corporation North America Inc. | Couches germes et processus de fabrication de couches germes |
DE102009056751A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Tiegels aus Quarzglas |
DE102010021696A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Quarzglastiegels mit transparenter Innenschicht aus synthetisch erzeugten Quarzglas |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014147262A1 (fr) | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Schott Ag | Ébauche en silicium, procédé pour la fabriquer et son utilisation |
DE102013107189A1 (de) | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Schott Ag | Rohling aus Silizium, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung desselben |
WO2016046213A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Creuset pour la solidification directionnelle de silicium multi-cristallin ou quasi-monocristallin par reprise sur germe |
FR3026414A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Creuset pour la cristallisation de silicium multi-cristallin ou quasi-monocristallin par reprise sur germe |
CN111675222A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-09-18 | 昆明理工大学 | 一种利用低品位硅石生产工业硅的方法 |
DE102020213639A1 (de) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, insbesondere zur Reflexion von EUV-Strahlung, optische Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements |
WO2022089885A1 (fr) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Élément optique, en particulier pour la réflexion d'un rayonnement ultraviolet extrême, ensemble optique et procédé de fabrication d'un élément optique |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013104729A1 (fr) | 2013-07-18 |
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